KR20230152572A - 이물 제거 방법, 형성 방법, 물품 제조 방법, 이물 제거 장치, 시스템, 및 템플릿 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1 부재 상의 이물을 제거하는 이물 제거 방법을 제공하며, 상기 방법은 제1 부재 상의 공급 영역에 조성물을 공급하는 단계; 제1 부재 상의 공급 영역보다 넓은 대상 영역을 설정하고, 공급 단계에서 제1 부재 상에 공급된 조성물에 대해 제2 부재를 가압하는 단계; 가압 단계 후에 조성물과 제2 부재가 서로 접촉하는 상태에서 제1 부재 상의 조성물을 경화시키는 단계; 및 경화 단계 후에 제2 부재 및 조성물이 서로 접착된 상태에서 제1 부재로부터 제2 부재를 분리함으로써, 제1 부재의 대상 영역으로부터 조성물을 분리하는 단계를 포함한다.

Description

이물 제거 방법, 형성 방법, 물품 제조 방법, 이물 제거 장치, 시스템, 및 템플릿{FOREIGN PARTICLE REMOVING METHOD, FORMATION METHOD, ARTICLE MANUFACTURING METHOD, FOREIGN PARTICLE REMOVING APPARATUS, SYSTEM, AND TEMPLATE}
본 발명은 이물 제거 방법, 형성 방법, 물품 제조 방법, 이물 제거 장치, 시스템, 및 템플릿에 관한 것이다.
반도체 디바이스, MEMS 등의 제조에서, 반도체 기판 등의 부재가 세정된다. 종래, 메가소닉 세정, 2-유체 세정, 화학 용액을 사용하는 RCA 세정 등이 이와 같은 부재의 세정에 적용된다. 이들 세정 방법의 세정 원리의 예는 유체역학적 힘의 물리력을 사용하여 기판에 부착된 이물을 제거하는 세정 방법(일본 특허 공개 제8-318181호 참조) 및 화학 용액의 화학 작용(예를 들어, 에칭 효과)을 사용하여 리프트-오프 방식으로 이물을 제거하는 세정 방법(일본 특허 공개 제2007-258462호 참조)이다. 또한, 부재 세정 방법으로서, 일본 특허 공개 제6765488호 및 제6480219호의 각각은, 고체 막이 부재 상의 이물을 포집하도록 부재 상에 고체 막을 형성하고, 화학 용액을 사용하여 고체 막을 제거하는 세정 방법을 기재하고 있다.
최근, 반도체 디바이스 등의 제조에서의 마이크로패터닝으로서, 반도체 기판 같은 부재의 세정은 부재로부터 매우 작은 입자 크기(예컨대, 수십 nm 이하)를 갖는 이물이라도 제거할 것이 요구된다. 그러나, 일본 특허 공개 평8-318181호에 개시된 바와 같은 유체역학적 힘을 사용하는 세정 방법에서, 작은 입자 크기를 갖는 이물 또는 부재에 부착된 폴리머와 같은 불필요한 재료를 제거하기 위해 유체역학적 힘이 증가되면, 부재 상의 하층(하부 패턴)으로서 형성된 미세구조가 때때로 손상된다. 부재의 하층에 대한 이러한 손상은 일본 특허 공개 제2007-258462호에 개시된 바와 같은 화학 용액의 화학 반응을 사용하는 세정 방법에서 유사하게 발생할 수 있다. 따라서, 전술한 세정 방법은 작은 입자 크기를 갖는 이물의 제거와 관련하여 적용 한계에 도달하기 시작한다. 또한, 일본 특허 공개 제6765488호 및 제6480219호에 개시된 세정 방법은, 화학 용액을 사용하여 고체 막을 용해(제거)할 때 종종 이물이 부재에 다시 부착되고 환경 부하 및 폐액 처리의 비용 부담 등이 커지는 문제를 갖는다.
따라서, 부재 세정 방법으로서, 화학 용액을 사용하는 대신에 임프린트 시스템을 사용하여 부재 상의 이물을 제거하는 세정 방법(일부 경우에는 건식 세정 방법이라고도 함)이 관심을 끌고 있다. 일 예로서, 일본 특허 제5121549호는 더미 웨이퍼 상에 도포된 수지에 대해 템플릿을 가압하고 수지가 경화된 후에 수지로부터 템플릿을 분리함으로써 템플릿 상의 이물을 제거하는 세정 방법을 기재한다. 또한, 일본 특허 제5982996호는 이물 제거의 대상으로서 몰드에 도포된 수지에 평탄화 부재를 접촉시키고, 수지 막을 경화시키고, 수지 막으로부터 평탄화 부재를 해제하며, 몰드로부터 수지 막을 해제함으로써 수지 막을 형성하는 세정 방법을 개시한다. 상술한 바와 같은 임프린트 시스템을 사용하는 세정 방법에서, 부재 상의 이물을 효율적으로 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명은 예를 들어 부재 상의 이물을 효율적으로 제거할 수 있는 기술을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 제1 부재 상의 이물을 제거하는 이물 제거 방법으로서, 상기 제1 부재 상의 공급 영역에 조성물을 공급하는 단계; 상기 제1 부재 상의 상기 공급 영역보다 넓은 대상 영역을 설정하고, 상기 공급 단계에서 상기 제1 부재 상에 공급된 상기 조성물이 상기 대상 영역에 걸쳐 퍼지고 상기 대상 영역 내의 이물을 포집하도록 상기 제1 부재 상의 상기 조성물에 대해 제2 부재를 가압하는 단계; 상기 가압 후에 상기 제1 부재 상의 상기 조성물을 상기 조성물과 상기 제2 부재가 서로 접촉하는 상태에서 경화시키는 단계; 및 상기 제2 부재와 상기 조성물이 서로 접착된 상태에서 상기 경화 후에 상기 제1 부재로부터 상기 제2 부재를 분리함으로써, 상기 제1 부재의 상기 대상 영역으로부터 상기 조성물을 분리하는 단계를 포함하는 이물 제거 방법이 제공된다.
본 발명의 추가의 특징은 첨부 도면을 참조한 예시적인 실시형태에 대한 다음의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 제1 실시형태의 이물 제거 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2f는 제1 실시형태의 이물 제거 방법의 단계를 시간순으로 설명하는 개략도이다.
도 3a 및 도 3b는 가압 단계에서의 문제를 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 템플릿의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 5는 제1 실시형태의 이물 제거 장치의 구성예를 도시하는 개략도이다.
도 6a 내지 도 6f는 제2 실시형태의 이물 제거 방법의 단계를 시간순으로 설명하기 위한 개략도이다.
도 7은 이물 제거 장치 및 형성 장치를 포함하는 시스템의 구성예를 도시하는 개략도이다.
도 8a 내지 도 8f는 물품 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시형태를 상세하게 설명한다. 다음의 실시형태는 청구된 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다는 것에 유의한다. 다수의 특징이 실시형태에서 설명되지만, 모든 이러한 특징을 필요로 하는 발명으로 제한되지 않으며, 다수의 이러한 특징이 적절하게 조합될 수 있다. 또한, 첨부 도면에서, 동일하거나 유사한 구성에는 동일한 참조 번호가 부여되며, 그에 대한 중복하는 설명은 생략된다.
명세서 및 첨부 도면에서, 이물 제거 대상인 부재의 표면(상면)에 평행한 방향을 X-Y 평면으로 규정하는 XYZ 좌표계 상에서 방향을 나타낸다. XYZ 좌표계의 X축, Y축 및 Z축에 평행한 방향은 각각 X 방향, Y 방향 및 Z 방향이다. X축 둘레의 회전, Y축 둘레의 회전, 및 Z축 둘레의 회전은 각각 θX, θY, 및 θZ이다. X축, Y축, 및 Z축에 관한 제어 또는 구동(이동)은 각각 X축에 평행한 방향, Y축에 평행한 방향, 및 Z축에 평행한 방향에 관한 제어 또는 구동(이동)을 의미한다. 또한, θX축, θY축 및 θZ축에 관한 제어 또는 구동은 각각 X축에 평행한 축 둘레의 회전, Y축에 평행한 축 둘레의 회전 및 Z축에 평행한 축 둘레의 회전에 관한 제어 또는 구동을 의미한다.
<제1 실시형태>
본 발명에 따른 제1 실시형태의 이물 제거 방법을 이하에서 설명한다. 본 실시형태의 이물 제거 방법은 부재(제1 부재) 상의 이물을 제거하는 방법, 더 구체적으로는 임의의 화학 용액을 사용하지 않고 부재 상의 이물을 제거하는 세정 방법(소위 건식 세정 방법)이다.
[이물 제거 방법]
본 실시형태의 이물 제거 방법(세정 방법)이 도 1 및 도 2a 내지 도 2f를 참조하여 후술될 것이다. 도 1은 본 실시형태의 이물 제거 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 2a 내지 도 2f는 본 실시형태의 이물 제거 방법의 단계를 설명하는 개략도이다. 도 1 및 도 2a 내지 도 2f에 도시되는 예는 단지 전형적인 예이고, 본 발명은 도 1 및 도 2a 내지 도 2f에 도시되는 예에 제한되지 않는다는 것에 유의해야 한다.
우선, 단계 S11(준비 단계)에서, 이물 제거 대상인 부재(1)(제1 부재)가 준비된다. 이하의 설명에서, 이물 제거 대상인 부재(1)는 일부 경우에 "대상 부재(1)"로 지칭될 것이다. 준비 단계는 또한 대상 부재(1) 상의 이물을 제거하기 위해 대상 부재(1)를 이물 제거 장치에 반입하는 단계로서 이해될 수 있다. 이물 제거 장치의 구성예에 대해서는 후술한다.
도 2a에 도시되는 바와 같이, 대상 부재(1)는 반도체 디바이스 또는 플랫 패널 디스플레이를 제조하는 리소그래피 단계에서 패턴이 형성되는 기판일 수 있다. 기판의 예는 패턴(하부 패턴)이 형성되는 반도체 웨이퍼 또는 MEMS 웨이퍼, 파워 반도체 웨이퍼, 디스플레이 유리 기판(유리 플레이트) 또는 바이오 요소이다. 본 실시형태에서는, 대상 부재(1)로서 기판이 적용되는 예에 대해서 설명한다. 그러나, 대상 부재(1)는 리소그래피 단계에서 기판에 패턴을 형성하기 위해 사용되는 원판일 수도 있다. 원판의 예는 EUV 노광 마스크, 반도체 노광 마스크, 반도체 임프린트 몰드(템플릿), MEMS 노광 마스크, 파워 반도체 노광 마스크, 및 디스플레이 노광 마스크이다. MEMS는 Micro Electro Mechanical System(마이크로 전자 기계 시스템)의 약어이며, EUV는 Extreme Ultraviolet(극자외선)의 약어라는 것에 유의한다.
도 2a에 나타낸 예에서는, 대상 부재(1)의 패턴부(1a) 및 대상 부재(1)의 주연부(1b)에 이미 형성된 패턴(3)의 상단면(상면) 및 바닥면(하면)에 다양한 크기를 갖는 이물(2)(입자)이 부착된다. 메가소닉 세정 및 2-유체 세정 같은 종래의 세정 방법에 의해 패턴(3)의 바닥면에 부착된 이물과 30 nm 이하의 입자 크기를 갖는 극히 작은 이물을 제거하는 것은 특히 어렵다. 패턴부(1a)는 패턴(3)이 형성되는 대상 부재(1)의 부분(영역)을 나타낸다. 본 실시형태에서, 패턴부(1a)에 형성된 패턴(3)은 오목부 및 볼록부를 반복적으로(예를 들어, 주기적으로) 형성함으로써 획득된 오목부 및 볼록부를 갖는 패턴으로서 구성된다. 또한, 주연부(1b)는 패턴부(1a)를 둘러싸는 에지부이며, 베벨 처리(bevel processing)(예를 들어, 모따기)가 행해지는 부분(영역)을 나타낸다. 이하의 설명에서, 대상 부재(1)의 주연부(1b)는 일부 경우에 "베벨부(1b)"로 지칭될 것이다.
이어서, 단계 S12(공급 단계)에서는, 도 2b에 도시되는 바와 같이, 대상 부재(1) 상의 이물(2)을 포집하고 포위하기 위한 조성물(4)이 대상 부재(1) 상(공급 영역)에 공급된다. 조성물(4)은 조성물(4)이 유동성을 갖는 상태(즉, 액체 상태)에서 대상 부재(1) 상에 공급된다. 또한, 조성물(4)이 대상 부재(1)(베벨부(1b))의 외측으로 연장되는 것을 회피하기 위해서, 조성물(4)은 베벨부(1b)에 공급되지 않는 것이 바람직한데, 즉 조성물(4)은 대상 부재(1)의 패턴부(1a)(즉, 베벨부를 제외한 부분)에만 공급되는 것이 바람직하다.
조성물(4)로서, 경화 에너지를 수취함으로써 경화되는 경화성 조성물(예를 들어, 수지)이 사용된다. 경화성 조성물은 광 조사 또는 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 이들 중, 광 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물(광경화성 수지)은 적어도 중합성 화합물 및 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용매를 더 함유할 수 있다. 중합성 화합물은 광중합 개시제로부터 발생되는 중합 인자(라디칼 등)와 반응하고 연쇄 반응(중합 반응)에 의해 중합체 화합물로 이루어진 막을 형성하는 화합물이다. 중합성 화합물의 예는 라디칼 중합성 화합물이다. 중합성 화합물은 바람직하게는 하나 이상의 아크릴로일 기 또는 메타크릴로일 기를 갖는 화합물, 즉 (메트)아크릴로일 화합물이다. 비중합성 화합물은 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면활성제, 산화방지제 및 폴리머 성분으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료이다. 조성물(4)의 점도(25℃에서의 점도)는, 예컨대 1 mPa·s(포함) 내지 100 mPa·s(포함)라는 것에 유의한다.
본 실시형태에서는, 잉크젯 방법에 의해 조성물(4)을 토출하는 장치를 사용함으로써 대상 부재(1) 상에 조성물(4)을 공급(도포)할 수 있다. 그러나, 대상 부재(1) 상에 조성물(4)을 공급(도포)하는 방법은 잉크젯 방법에 제한되지 않으며, 대상 부재(1) 상의 조성물(4)의 공급량(예를 들어, 조성물(4)의 도포 막 두께)을 제어할 수 있는 임의의 방법을 사용하는 것이 가능하다. 예를 들어, 조성물(4)은 디스펜서 코팅, 스핀 코팅, 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄, 및 오프셋 인쇄 같은 각종 인쇄 방법, 및 딥 코팅을 사용하여 대상 부재(1) 상에 공급될 수 있다.
또한, 대상 부재(1)에 공급되는 조성물(4)의 공급량은, 가압 단계(후술함)를 통해 대상 부재(1)에 형성되는 조성물(4)의 막 두께가 이물(2)의 크기보다 커지도록, 대상 부재(1)에 부착된 이물(2)의 크기에 기초하여 결정(설정)되는 것이 바람직하다. 이물(2)의 크기는 미리 대상 부재(1)에 부착된 이물(2)의 크기를 측정(검사)함으로써 획득된 측정값일 수 있으며, 또한 경험 규칙에 기초한 산출(시뮬레이션)로부터 획득된 예측값일 수 있다.
대상 부재(1)의 표면(상면)의 습윤성은, 대상 부재(1)와 조성물(4) 사이에 기포가 포함되지 않고 및/또는 조성물(4)이 대상 부재(1) 상에서 용이하게 퍼지도록 가능한 한 높은 것이 바람직하다. 즉, 대상 부재(1)와 조성물(4) 사이의 접촉각을 최소화하는 것이 바람직하다. 이 접촉각의 허용 범위는 바람직하게는 2° 이하, 더 바람직하게는 1° 이하이다.
이를 위해, 공급 단계(단계 S12) 전에, 조성물(4)에 대해 대상 부재(1)의 표면을 동결건조(친수화)하는 공정(동결건조 공정(친수화 공정))을 대상 부재(1)에 대해 행하는 것이 바람직하다. 이러한 동결건조 공정은 대상 부재(1) 상의 유기 오염 성분을 제거하는 공정을 포함한다. 동결건조 공정의 예는 베이킹, 플라즈마 애싱, 대기압 플라즈마 처리, 알칼리 세정 및 오존수 세척이다. 동결건조 공정으로서, 본 실시형태는 간단한 장치 구성으로 구현될 수 있는 대기압 플라즈마 처리를 사용할 수 있다. 대상 부재(1)가 충분히 친액성인 경우, 이러한 동결건조 공정은 생략될 수 있다. 동결건조 공정을 수행할 때, 에칭량은 대상 부재(1)의 표면층이 손상되지 않는 한 상단 표면층 상의 오염 성분을 제거하도록 선택되는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이 미리 대상 부재(1)의 표면을 동결건조한 후에 대상 부재(1) 상에 조성물(4)을 공급하면, 모세관력에 의해, 조성물(4)은 대상 부재(1)와 그 위에 부착된 이물(2) 사이의 좁은 채널(간극)을 용이하게 관통할 수 있다. 준비 단계(단계 S11) 전에, 예를 들어 대상 부재(1)가 이물 제거 장치 내에 반입되기 전에, 이물 제거 장치의 외부 장치에 의해 동결건조 공정을 행할 수도 있다는 것에 유의한다. 또한, 분리 단계(단계 S15)(후술함)에서 대상 부재(1)와 조성물(4) 사이의 분리(박리)를 용이하게 하기 위한 분리층(예를 들어, 불소계 층)을 공급 단계(단계 S12) 전에 대상 부재(1)에 형성할 수 있다는 것에 유의한다.
이어서, 단계 S13(가압 단계)에서는, 조성물(4)이 대상 부재(1)의 대상 범위(대상 영역)에 걸쳐 퍼지도록 대상 부재(1) 상의 조성물(4)에 대해 템플릿(5)을 가압한다. 더 구체적으로는, 이 가압 단계에서는, 도 2c에 나타낸 바와 같이 공급 단계에서 대상 부재(1) 상에 공급된 조성물(4)에 템플릿(5)을 접촉시킨 후, 도 2d에 나타낸 바와 같이 템플릿(5)에 의해 대상 부재(1) 상에 조성물(4)이 퍼진다. 이 단계에서는, 조성물(4)이 대상 부재(1)의 대상 범위에 걸쳐 퍼지고 대상 범위 내의 이물(2)을 포집하도록 대상 부재(1) 상의 조성물(4)에 대해 템플릿(5)이 가압된다. 가압 단계는 대상 부재(1) 및 템플릿(5)을 서로에 대해 구동하는 구동 기구에 의해 실행될 수 있다는 것에 유의한다.
대상 부재(1)의 대상 범위는, 이물이 제거되어야 하는 범위이며, 패턴부(1a) 이외에 베벨부(1b)의 적어도 일부를 포함할 수 있다. 본 실시형태에서, 대상 범위는 전체 베벨부(1b)를 포함하는 범위로서 설정되는데, 즉 대상 부재(1)의 전체 표면(상면) 상에 설정된다. 또한, 템플릿(5)은, 공급 단계에서 대상 부재(1)에 공급된 조성물(4)을 대상 부재(1) 상에 퍼지게 하고, 경화 단계(후술함)에서 경화된 조성물(4)을 대상 부재(1)의 표면으로부터 분리(박리)하기 위한 핸들의 역할을 하는 부재(제2 부재)이다. 템플릿(5)은, 대상 부재(1)의 단부(에지)와 베벨부(1b)의 전체를 효과적으로 세정하기 위해서, 대상 부재(1)보다 큰 크기(대상 범위)를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.
가압 단계에서는, 도 3a에 도시한 바와 같이, 템플릿(5)과 대상 부재(1)가 서로에 대해 경사진 상태에서 대상 부재(1) 상의 조성물(4)에 대해 템플릿(5)을 가압하면, 대상 부재(1)의 전체 대상 범위에 걸쳐 조성물(4)을 퍼지게 하는 것이 어려워질 수 있다. 따라서, 도 3b에 도시한 바와 같이, 분리 단계(후술함)가 행해진 후에도, 이물(2)은 종종 대상 부재(1)(예를 들어, 베벨부(1b))에 잔류한다. 또한, 조성물(4)은 대상 부재(1)의 대상 범위 외측으로 연장되고 조성물(4)의 연장된 부분은 분리 단계 후에 대상 부재(1) 상에 이물로서 잔류하는 경우가 있다.
따라서, 본 실시형태의 가압 단계에서, 조성물(4)이 대상 부재(1)의 전체 대상 범위에 걸쳐 퍼지도록 템플릿(5)과 대상 부재(1) 사이의 평행도 및/또는 대상 부재(1) 상의 조성물(4)에 대해 템플릿(5)을 가압하는 힘을 제어할 수 있다. 평행도 및/또는 가압력은 또한 조성물(4)이 대상 부재(1)의 대상 범위 외측으로 연장되지 않도록 제어될 수 있다. 예를 들어, 템플릿(5)과 대상 부재(1) 사이의 평행도는, 템플릿(5)의 가압면(5a)과 대상 부재(1)의 상면이 평행해지도록, 템플릿(5)과 대상 부재(1)의 상대적인 자세(상대적인 기울기)를 조정함으로써 제어될 수 있다. 템플릿(5)의 가압면(5a)은 대상 부재(1) 상의 조성물(4)에 대해 가압되는 표면(예를 들어, 하면)이다. 평행도 및 가압력은 대상 부재(1) 및 템플릿(5)을 서로에 대해 구동하는 구동 기구에 의해 제어될 수 있다는 것에 유의한다.
본 실시형태의 가압 단계에서는, 도 2d에 도시된 바와 같이, 촬상 장치(16)에 의해 대상 부재(1) 상의 조성물(4)의 퍼짐을 관찰하면서, 대상 부재(1) 상의 조성물(4)에 대한 템플릿(5)의 가압(예를 들어, 평행도 및/또는 가압력)을 제어하는 것도 가능하다. 촬상 장치(16)는 카메라(16a) 및 관찰 광학 시스템(16b)을 포함하고, 촬상 필드에서 대상 부재(1)의 전체 대상 범위의 화상을 촬상하도록 구성될 수 있다. 이는 조성물(4)이 대상 부재(1)의 대상 범위에 걸쳐 퍼지고 및/또는 조성물(4)이 대상 부재(1)의 대상 범위 외측으로 연장되지 않도록 대상 부재(1) 상의 조성물(4)에 대한 템플릿(5)의 가압을 제어하는 것을 가능하게 한다. 가압 단계는 또한 촬상 장치(16)에 의한 관찰 결과 대신에 시간 관리에 의해 제어될 수 있다.
이어서, 단계 S14(경화 단계)에서, 도 2e에 도시된 바와 같이, 대상 부재(1) 상의 조성물(4)과 템플릿(5)이 서로 접촉하는 상태에서 조성물(4)에 에너지(7)를 부여함으로써 조성물(4)을 경화시킨다. 예를 들어, 조성물(4)로서 광경화성 수지(예를 들어, 자외선 경화성 단량체)를 사용하는 경우에는, 템플릿(5)을 통해 조성물(4)에 에너지(7)로서의 광(자외선)이 방출된다(부여된다). 이 경우, 템플릿(5)은 석영 등의 광(자외선)을 투과시킬 수 있는 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 조성물(4)은 자외선으로 조사될 때 경화되는 재료로 제한되지 않고, X선 또는 가시광선과 같은 다른 에너지로 조사될 때 중합 반응에 의해 경화되는 재료 또는 열 에너지에 의해 경화되는 재료일 수도 있다.
이어서, 단계 S15(분리 단계)에서는, 도 2f에 도시된 바와 같이, 경화 단계에서 경화된 조성물(4)과 템플릿(5)이 서로 접착된 상태에서, 템플릿(5)과 대상 부재(1) 사이의 간격을 연장함으로써, 조성물(4)이 대상 부재(1)로부터 분리(박리)된다. 즉, 이물(2)을 포함하는 경화된 조성물(4)과 템플릿(5)이 서로 접착된 상태에서, 템플릿(5)은 조성물(4)과 함께 대상 부재(1)로부터 분리된다. 이와 같은 분리 단계를 사용함으로써, 간단한 처리에 의해 대상 부재(1) 상의 이물(2)을 효율적으로 제거하는 것, 즉 대상 부재(1)를 효과적으로 세정하는 것이 가능하고, 이는 또한 처리량 면에서 유리하다.
전술한 분리 단계를 수행하기 위해서는, 템플릿(5)과 조성물(4) 사이의 접착성이 대상 부재(1)와 조성물(4) 사이의 접착성보다 높아야 한다. 따라서, 가압 단계(단계 S13) 전에, 템플릿(5)과 조성물(4) 사이의 접착성을 향상시키는 전공정을 템플릿(5)에 대해 수행하는 것이 바람직하다. 이 전공정은 조성물(4)에 부착되는 접착막(접착층)을 템플릿(5)의 표면(가압면(5a))에 형성(도포)하는 막 형성 단계를 포함할 수 있다. 이 막 형성 공정은 분사, 증착, 또는 스핀 코팅과 같은 일반적인 박막 형성 방법에 의해 수행될 수 있다. 전공정(도포 공정)은 또한 템플릿(5)이 이물 제거 장치 내에 반입되기 전에 이물 제거 장치의 외부 장치에 의해 수행될 수 있다.
템플릿(5)의 표면(가압면(5a))의 습윤성은, 가압 단계에서 템플릿(5)과 조성물(4) 사이에 기포가 포함되지 않고 및/또는 조성물(4)이 템플릿(5) 상에서 용이하게 퍼지도록 가능한 한 높은 것이 바람직하다. 즉, 가압 단계에서 대상 부재(1) 상의 조성물(4)과 템플릿(5) 사이의 접촉각을 가능한 한 작게 하는 것이 바람직하다. 템플릿(5)과 조성물(4) 사이의 접촉각의 허용 범위는 2° 이하가 바람직하고, 1° 이하가 더 바람직하다. 이 허용 범위는 대상 부재(1)와 조성물(4) 사이의 접촉각보다 약 0.5° 내지 1°만큼 작은 것이 바람직하다. 예를 들어, 불소계 분리층이 대상 부재(1) 상에 형성되는 경우, 대상 부재(1)와 조성물(4) 사이의 접촉각은 상술한 허용 범위를 충족시키지 않는다. 따라서, 템플릿(5)과 조성물(4) 사이의 접촉각을 1° 이하로 감소시킴으로써, 템플릿(5) 상에서의 조성물(4)의 퍼짐 속도를 증가시키는 것이 바람직하다.
이를 위해, 조성물(4)에 대한 템플릿(5)의 표면(가압면(5a))을 동결건조(친수화)하는 공정(동결건조 공정(친수화 공정))이 가압 단계(단계 S13) 전에 템플릿(5)에 대해 수행될 수 있다. 이러한 동결건조 공정은 템플릿(5)의 표면(가압면(5a)) 상의 유기 오염 성분을 제거하는 공정을 포함한다. 동결건조 공정의 예는 베이킹, 대기압 플라즈마 처리, 애싱, 알칼리 세정 및 오존수 세척이다. 본 실시형태에서, 간단한 장치 구성으로 구현될 수 있는 대기압 플라즈마 처리가 제거 공정으로서 사용될 수 있다. 이렇게 템플릿(5)의 표면(가압면(5a))을 동결건조시킴으로써, 가압 단계에서 템플릿(5)과 조성물(4) 사이의 접촉각을 감소시키고, 템플릿(5) 상의 조성물(4)의 퍼짐을 용이하게 할 수 있다. 이물 제거 장치에 템플릿(5)을 반입하기 전에 이물 제거 장치의 외부 장치에 의해 동결건조 공정을 수행할 수도 있다는 것에 유의한다.
[템플릿의 구성]
이하, 본 실시형태의 이물 제거 방법에 사용되는 템플릿(5)의 구성예를 설명한다. 도 4a 및 도 4b는 템플릿(5)의 구성예를 도시하는 도면이다. 도 4a는 템플릿(5)을 아래로부터(-Z 방향에서) 본 것을 도시하는 도면이고, 도 4b는 도 4a에 도시되는 템플릿(5)의 A-A 단면도이다.
본 실시형태의 이물 제거 방법에 사용되는 템플릿(5)은, 가압면(5a)이 평탄면이도록 구성될 수 있고, 또한 가압 단계(단계 S13)에서 조성물(4)을 대상 부재(1)의 대상 범위에 걸쳐 효율적으로 퍼지게 하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 가압 단계(단계 S13)에서는, 조성물(4)의 퍼짐이 대상 부재(1)의 에지에 접근함에 따라, 대상 부재(1)의 베벨부(1b)가 템플릿(5)과 대상 부재(1) 사이의 간격을 증가시켜, 조성물(4)의 퍼짐률이 저하된다. 따라서, 템플릿(5)은, 가압면(5a) 상에, 가압 단계에서 조성물(4)의 퍼짐을 안내(보조)하도록 반경방향으로 연장되는 복수의 제1 홈부(5b)를 갖는다. 템플릿(5)의 가압면(5a)에는, 복수의 제1 홈부(5b)가 대상 부재(1)의 베벨부(1b)에 대응하는 위치에 배치될 수 있다.
각각의 제1 홈부(5b)의 폭(W)은 바람직하게는 미리결정된 모세관력이 조성물(4)에 대해 발생될 수 있는 폭으로 설정되고, 수십 μm 내지 수백 nm로 설정될 수 있다. 각각의 제1 홈부(5b)의 반경방향의 길이(L)는 바람직하게는 대상 부재(1)의 베벨부(1b)의 길이보다 크게 설정되고, 예를 들어 1 mm 이상으로 설정될 수 있다. 일 예로서, 템플릿(5)의 각각의 제1 홈부(5b)는 100 nm의 폭(W), 2 mm의 길이(L), 및 100 nm의 깊이를 갖는다. 템플릿(5) 상에 복수의 제1 홈부(5b)를 형성함으로써, 각각의 제1 홈부(5b)에 발생된 모세관력을 이용하여 조성물(4)을 대상 부재(1)의 대상 범위에 걸쳐 효율적으로 퍼지게 할 수 있다.
가압면(5a) 상에서, 템플릿(5)은 또한 가압 단계에서 조성물(4)의 퍼짐을 정지시키도록 프레임 형상으로 형성된 제2 홈부(5c)를 가질 수 있다. 제2 홈부(5c)는 대상 부재(1)의 대상 범위의 외주(예를 들어, 대상 부재(1)의 에지)에 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 도 4a 및 도 4b에 도시되는 예에서는, 원형 대상 부재(1)의 전체가 대상 범위이므로, 템플릿(5)의 제2 홈부(5c)는 대상 부재(1)의 에지를 따라 원주 형상(예를 들어, 원형 형상)으로 형성된다. 상술한 바와 같은 제2 홈부를 템플릿(5)에 형성함으로써, 대상 부재(1)의 대상 범위 내에서 조성물(4)의 퍼짐을 정지시킬 수 있고, 조성물(4)이 대상 범위 외측으로 퍼지는 것을 피할 수 있다.
[이물 제거 장치의 구성]
이하, 이물 제거 장치(10)의 구성예를 설명한다. 도 5는 본 실시형태의 이물 제거 장치(10)의 구성예를 도시하는 개략도이다. 본 실시형태의 이물 제거 장치(10)는 도 1 및 도 2a 내지 도 2f를 참조하여 상술한 이물 제거 방법을 실행함으로써 대상 부재(1) 상의 이물을 제거하는 장치이다. 이물 제거 장치(10)는 예를 들어 스테이지(11), 보유지지 장치(12), 공급 장치(13), 제1 처리 장치(14), 제2 처리 장치(15), 촬상 장치(16), 경화 장치(17) 및 제어 장치(18)를 포함할 수 있다. 제어 장치(18)는 CPU 또는 MPU와 같은 프로세서 또는 로직 회로 및 메모리와 같은 저장 장치를 포함하는 컴퓨터에 의해 구성되고, 이물 제거 장치(10)의 각각의 장치를 제어함으로써 대상 부재(1) 상의 이물을 제거하는 이물 제거 공정을 제어한다. 제어 장치(18)는 외부 장치와 통신하기 위한 통신 장치를 또한 포함할 수 있다. CPU는 중앙 처리 유닛에 대한 약어이고 MPU는 마이크로 처리 유닛에 대한 약어라는 것에 유의한다.
스테이지(11)는 진공 흡착력 또는 정전력에 의해 이물 제거의 대상인 대상 부재(1)(제1 부재)를 보유지지할 수 있고, 베이스 플레이트(BP) 상에서 X 및 Y 방향으로 이동가능하다. 즉, 스테이지(11)는 대상 부재(1)를 보유지지하면서 X 및 Y 방향으로 이동하는 기구이다. 본 실시형태에서, 스테이지(11)는 X 및 Y 방향으로만 대상 부재(1)를 구동하도록 구성된다. 그러나, 스테이지(11)는 Z 방향 및 각각의 축의 회전 방향으로 구동하도록 구성될 수도 있다. 보유지지 장치(12)는, 진공 흡착력 또는 정전력에 의해 템플릿(5)(제2 부재)을 보유지지하고 템플릿(5)을 Z 방향으로 구동하는 기구이다. 본 실시형태에서, 보유지지 장치(12)는 템플릿(5)을 Z 방향으로만 구동하도록 구성된다. 그러나, 보유지지 장치(12)는 템플릿(5)을 X 및 Y 방향 및 각각의 축의 회전 방향으로 구동하도록 구성될 수도 있다. 스테이지(11) 및 보유지지 장치(12)는 대상 부재(1) 및 템플릿(5)을 서로에 대해 구동하는 구동 기구(구동 장치)를 형성할 수 있다.
공급 장치(13)는 대상 부재(1) 상에 액체 조성물(4)을 공급(토출 또는 도포)하는 기구이다. 공급 장치(13)가 대상 부재(1) 상에 조성물(4)을 공급할 때, 스테이지(11)는 대상 부재(1)를 공급 장치(13) 아래에 배치한다. 제1 처리 장치(14)는 대상 부재(1)에 대한 동결건조 공정을 수행하는 기구이다. 제1 처리 장치(14)가 대상 부재(1)에 대해 동결건조 공정을 수행할 때, 스테이지(11)는 대상 부재(1)를 제1 처리 장치(14) 아래에 배치한다. 제2 처리 장치(15)는 템플릿(5)에 대해 막 형성 공정 및 동결건조 공정을 수행하는 기구이다. 본 실시형태의 제2 처리 장치(15)는 베이스 플레이트(BP) 상에서 X 및 Y 방향으로 이동가능한 이동 기구(19)에 의해 지지된다. 제2 처리 장치(15)가 템플릿(5)에 대해 막 형성 공정 및 동결건조 공정을 수행할 때, 이동 기구(19)는 제2 처리 장치(15)를 템플릿(5) 아래에 배치한다.
촬상 장치(16)는 상술한 가압 단계에서 대상 부재(1) 상의 조성물(4)의 퍼짐을 관찰(촬상)하는 기구이다. 촬상 장치(16)는 카메라(16a)(이미지 센서) 및 관찰 광학 시스템(16b)을 포함할 수 있다. 도 5에 도시되는 이러한 예에서, 촬상 장치(16)는 미러(MR) 및 템플릿(5)을 통해 대상 부재(1) 상의 조성물(4)의 퍼짐을 촬상하도록 구성된다. 경화 장치(17)는 상술한 경화 단계에서 대상 부재(1) 상의 조성물(4)을 경화시키는 기구이다. 경화 장치(17)는 조성물(4)을 경화시키기 위한 에너지(예를 들어, 자외선)를 방출하기 위한 에너지원(17a), 및 에너지원(17a)으로부터 방출된 에너지로 대상 부재(1) 상의 조성물(4)을 조사하는 조사 광학 시스템(17b)을 포함할 수 있다. 도 5에 도시되는 예에서, 경화 장치(17)는 미러(MR) 및 템플릿(5)을 통해 조성물(4)에 에너지를 조사함으로써 대상 부재(1) 상의 조성물(4)을 경화시킨다.
[이물 제거 장치의 동작]
이하, 본 실시형태의 이물 제거 장치(10)의 동작예를 설명한다. 이물 제거 장치(10)의 일련의 동작이 각각의 장치에 신호를 송신함으로써 제어 장치(18)에 의해 실행된다.
(대상 부재의 반입으로부터 공급 단계까지의 동작)
먼저, 반송 기구(도시되지 않음)가 대상 부재(1)를 스테이지(11) 상으로 반송하고, 스테이지(11)는 대상 부재(1)를 보유지지한다(준비 단계). 이어서, 스테이지(11)는 대상 부재(1)를 구동함으로써 대상 부재(1)를 제1 처리 장치(14) 아래에 배치하고, 제1 처리 장치(14)는 대상 부재(1)에 대해 동결건조 공정을 수행한다. 이러한 동결건조 공정으로서, 제1 처리 장치(14)는, 예를 들어, 베이킹, 플라즈마 애싱, 대기압 플라즈마 처리, 및 알칼리 또는 오존수 세척으로부터 적절히 선택된 공정을 실행할 수 있고, 이들 각각은 대상 부재(1) 상의 유기 오염 성분을 제거할 수 있다.
그리고, 스테이지(11)가 대상 부재(1)를 구동함으로써 대상 부재(1)를 공급 장치(13)의 아래에 배치한 후, 공급 장치(13)는 대상 부재(1) 상에 액체 조성물(4)을 공급한다(공급 단계). 공급 장치(13)는, 예를 들어 잉크젯 방법, 디스펜서 방법 및 인쇄 방법으로부터 적절하게 선택된 방법에 의해 대상 부재(1) 상에 조성물(4)을 공급할 수 있다. 도 5에 도시되는 예에서, 제1 처리 장치(14) 및 공급 장치(13)는 이물 제거 장치(10)의 구성 요소로서 형성된다는 것에 유의한다. 그러나, 제1 처리 장치(14) 및/또는 공급 장치(13)는 이물 제거 장치(10)의 외부 요소(외부 장치)로서 형성될 수도 있다. 이 경우, 이물 제거 장치(10)의 외부에서 동결건조 공정 및/또는 조성물(4)의 공급이 수행된 대상 부재(1)가 이물 제거 장치(10) 내에 반입된다.
공급 장치(13)에 의해 대상 부재(1) 상에 공급되는 조성물(4)의 공급량을 이하에서 설명한다. 제어 장치(18)는 대상 부재(1)에 부착된 이물의 크기를 나타내는 정보(이하, 이물 정보라고도 칭함)를 취득한다. 이 이물 정보는, 외부 검사 장치를 사용하여 대상 부재(1) 상의 이물의 크기를 측정함으로써 얻어지는 이물의 전형적인 크기를 나타내는 정보를 포함할 수 있다. 이물의 전형적인 크기는 대상 부재(1)에 부착되는 이물의 최대 크기일 수 있고, 또한 그 평균 크기일 수 있다. 복수의 대상 부재(1)가 있을 때, 전형적인 크기가 각각의 대상 부재(1)에 대해서 얻어질 수 있다. 그러나, 처리량의 관점에서, 복수의 대상 부재(1)로부터 샘플(대표물)로서 추출된 몇 개의 대상 부재(1)로부터 전형적인 크기를 얻는 것도 가능하다. 이러한 경우에, 몇 개의 추출된 대상 부재(1) 상의 이물의 최대 크기 또는 평균 크기가 전형적인 크기로서 사용될 수 있다.
제어 장치(18)는 또한 대상 부재(1) 상에 형성된 패턴(3)의 높이(예를 들어, 오목부 및 볼록부의 높이)를 나타내는 정보(이하에서 패턴 정보로도 지칭됨)를 획득한다. 패턴 정보는 대상 부재(1)의 패턴(3)의 높이의 측정 결과를 나타내는 정보일 수 있고, 또한 대상 부재(1)의 패턴(3)의 설계 정보일 수 있다.
그리고, 이물 정보 및 패턴 정보에 기초하여, 제어 장치(18)는 전술한 가압 단계를 통해 대상 부재(1)와 템플릿(5) 사이에 형성되는 조성물(4)의 막 두께(T)가 아래의 식 (1)을 충족하도록 조성물(4)의 공급량을 결정한다. 식 (1)의 "α"는 1과 100 사이에서 적절하게 설정될 수 있고, 경화 단계에서의 조성물(4)의 경화 수축 및 이물의 크기의 측정 정확도를 고려하여 본 실시형태에서는 α=1.5가 설정된다. 제어 장치(18)는 결정된 조성물(4)의 공급량에 대응하는 지시 신호를 공급 장치(13)에 송신함으로써 공급 장치(13)를 제어한다.
T = (이물의 최대 크기 + 패턴(3)의 높이) × α, α > 1 ...(1)
(템플릿의 반입으로부터 가압 단계까지의 동작)
반송 기구(도시되지 않음)가 템플릿(5)을 보유지지 장치(12) 상으로 반송하고, 보유지지 장치(12)는 템플릿(5)을 보유지지한다. 그리고, 이동 기구(19)는 제2 처리 장치(15)를 템플릿(5) 아래에 배치하고, 제2 처리 장치(15)는 템플릿(5) 상에 막 형성 공정을 수행한다. 막 형성 공정은, 템플릿(5)의 가압면(5a) 상에 템플릿(5)과 조성물(4) 사이의 접착성을 향상시키기 위한 접착막(접착층)을 형성하는 공정이며, 실란 커플링 처리, 실라잔 처리, 또는 유기 박막의 퇴적 같은 표면 처리를 포함할 수 있다. 이와 같은 접착막이 템플릿(5)의 가압면(5a) 상에 형성되면, 상술한 분리 단계에서 템플릿(5)과 조성물(4)을 부착시키고 템플릿(5)을 조성물(4)과 함께 대상 부재(1)로부터 완전히 분리(박리)할 수 있다. 즉, 대상 부재(1)로부터 이물을 효율적이고 확실하게 제거할 수 있다. 또한 조성물(4)의 성분 또는 템플릿(5)의 구성과 재료에 따라 접착막의 형성이 생략될 수도 있다는 것에 유의한다.
이어서, 제2 처리 장치(15)는 템플릿(5)에 대해 동결건조 공정을 수행한다. 제2 처리 장치(15)는, 동결건조 공정으로서, 예를 들어 베이킹, 플라즈마 애싱, 대기압 플라즈마 처리, 및 알칼리 또는 오존수 세척으로부터 적절하게 선택된 공정을 실행할 수 있으며, 이들 각각은 템플릿(5) 상의 유기 오염 성분을 제거할 수 있다. 상술한 접착층의 표면이 충분히 친액성이면, 동결건조 공정은 생략될 수 있다는 것에 유의한다. 동결건조 공정을 수행할 때, 에칭량은 바람직하게는 접착층이 손상되지 않는 한 상단 표면층의 오염 성분을 제거하도록 선택된다. 또한, 도 5에 도시되는 예에서, 제2 처리 장치(15)는 이물 제거 장치(10)의 구성 요소로서 형성된다는 것에 유의한다. 그러나, 제2 처리 장치(15)는 이물 제거 장치(10)의 외부 요소(외부 장치)로서 형성될 수도 있다. 이 경우, 이물 제거 장치(10) 외부에서 막 형성 공정 및/또는 동결건조 공정이 실시된 템플릿(5)이 이물 제거 장치(10) 내에 반입된다.
그리고, 스테이지(11)가 대상 부재(1)를 구동시킴으로써 대상 부재(1)를 템플릿(5) 아래에 배치(위치결정)한 후, 보유지지 장치(12)는 템플릿(5)을 하강시켜 대상 부재(1) 상의 조성물(4)에 대하여 템플릿(5)을 가압한다(가압 단계). 가압 단계의 시간(즉, 조성물이 대상 부재(1) 상에 퍼지는 시간)은, 조성물(4)이 대상 부재(1)의 대상 범위 내의 이물을 충분히 포위할 수 있도록 조성물(4)의 재료, 성질 등에 따라 적절하게 설정될 수 있다.
가압 단계에서, 촬상 장치(16)가 대상 부재(1) 상의 조성물(4)의 퍼짐의 균일성/불균일성을 관찰하는 동안, 대상 부재(1) 상의 조성물(4)에 대한 템플릿(5)의 가압(예를 들어, 평행도 및/또는 가압력)이 제어될 수 있다. 예를 들어, 제어 장치(18)는, 촬상 장치(16)로부터 얻어진 화상에 대해서 주지의 화상 처리를 수행하는 것에 의해 조성물(4)의 외주 및/또는 대상 부재(1)의 에지를 검출할 수 있고, 이에 의해 대상 부재(1) 상의 조성물(4)의 퍼짐의 균일성/불균일성을 관찰(모니터링)할 수 있다. 조성물(4)의 퍼짐의 불균일성이 검출되면, 제어 장치(18)는 불균일성을 보정하기 위해 스테이지(11) 및 보유지지 장치(12)가 템플릿(5)과 대상 부재(1)의 상대적인 자세 및/또는 템플릿(5)에 대한 가압력을 제어하게 한다. 이에 의해, 조성물(4)을 대상 부재(1)의 대상 범위에 걸쳐 균일하게 퍼지게 하고, 대상 범위에 포함되는 베벨부(1b) 상의 이물도 확실하게 제거할 수 있다.
가압 단계에서, 템플릿(5)과 대상 부재(1) 사이에 포함되는 기포의 소멸을 촉진하고 및/또는 산소의 억제에 의해 야기되는 조성물(4)의 경화 불량을 회피하기 위한 가스가 보유지지 장치(12)에 형성된 가스 공급 노즐(도시되지 않음)로부터 공급될 수 있다. 가스의 예는 He, H2 및 그 가스 혼합물이다. 그러나, 템플릿(5)과 조성물(4) 사이에 기포가 포함되는 경우에도, 템플릿(5)과 조성물(4) 사이의 접착성에 문제가 없으면 가스가 가스 공급 노즐로부터 공급될 필요가 없다.
(경화 단계로부터 박리 단계까지의 동작)
가압 단계에서 조성물(4)이 대상 부재(1)의 대상 범위에 걸쳐 퍼지면, 제어 장치(18)는 조성물(4)의 경화 지시를 제공하는 신호를 경화 장치(17)에 전송한다. 이 신호를 수신하면, 경화 장치(17)는 에너지원(17a)으로부터 조성물(4)을 경화시키기 위한 에너지(예를 들어, 자외선)를 방출하고, 조사 광학 시스템(17b), 미러(MR) 및 템플릿(5)을 통해 이 에너지를 조성물(4)에 조사한다(경화 단계). 그 결과, 템플릿(5)과 대상 부재(1) 사이의 조성물(4)이 경화될 수 있다.
에너지원(17a)에서는, 방출된 에너지가 템플릿(5)을 통해 전달될 수 있도록 재료와 파장의 조합이 적절하게 선택될 수 있다. 본 실시형태에서는, 템플릿(5)은 석영으로 이루어지므로, 에너지원(17a)으로부터 방출되는 에너지로서 파장이 365 nm인 자외선을 채용하고 있다. 에너지원(17a)으로부터 방출되는 에너지는 파장이 365 nm인 자외선에 한정되지 않고, 템플릿(5) 및 조성물(4)의 재료에 따라, 예를 들어 가시광선, 파장이 365 nm 이외의 자외선, 적외선, X선, 방사선 또는 전자 빔을 채용할 수도 있다는 것에 유의한다.
경화 단계에서, 조성물(4)이 충분히 경화될 수 있도록, 즉 조성물(4)이 목표 경도로 경화되도록, 조성물(4)에 조사되는 에너지 강도(광 강도) 및 조사 시간(노출 시간)을 적절하게 설정할 수 있다. 조성물(4)의 경화 속도는 주위 분위기 내의 산소의 양에 따라 변할 수 있다. 따라서, 센서 등을 사용하여 주위 분위기의 산소량을 검출하고, 검출 결과에 기초하여 에너지 강도 및/또는 조사 시간을 설정할 수도 있다.
상술한 단계에서, 대상 부재(1) 상의 조성물(4)은, 모세관력 및 습윤성에 의해 대상 범위에 걸쳐 퍼짐으로써, 대상 부재(1)의 대상 범위 내의 이물을 포집(포위)하고, 경화에 의한 수축(경화 수축)에 의해 대상 부재(1)로부터 분리가능하게 된다.
그리고, 보유지지 장치(12)는 템플릿(5)을 상승시키고 대상 부재(1)로부터 템플릿(5)을 분리한다(분리 단계). 이 상태에서는 템플릿(5)과 경화 조성물(4)이 서로 접착되어 있기 때문에, 조성물(4) 또한 템플릿(5)과 함께 대상 부재(1)로부터 분리된다. 템플릿과 대상 부재(1)가 분리되는 속도는 대상 부재(1)의 패턴이 손상되지 않도록 설정될 수 있다. 이와 같이 템플릿(5)을 조성물(4)과 함께 대상 부재(1)로부터 분리함으로써, 간단한 처리로 대상 부재(1) 상의 이물을 효율적으로 제거할 수 있고, 이는 처리량면에서도 유리할 수 있다.
대상 부재(1)로부터 템플릿(5)과 조성물(4)을 분리할 때, 대상 부재(1)는 대전될 수 있고(박리 대전이라 칭함), 일부 경우에는 정전력에 의해 주위의 이물을 끌어당길 수 있다. 따라서, 이오나이저(도시되지 않음)를 사용하여 템플릿(5), 조성물(4) 및/또는 대상 부재(1)로부터 정전기를 제거하면서 분리 단계를 실행하는 것이 바람직하다. 분리 단계가 수행된 후의 템플릿(5)에는 조성물(4)이 부착되어 있으며, 새로운 대상 부재(1)에 대해 이물 제거 공정을 수행할 때에 템플릿(5)은 교체 또는 세정될 수 있다는 것에 유의한다.
분리 단계가 완료되면, 대상 부재(1)는 반송 기구(도시되지 않음)에 의해 스테이지(11)로부터 분리되고 반출된다. 또한, 템플릿(5)은 보유지지 장치(12)로부터 분리되고 반송 기구(도시되지 않음)에 의해 반출된다. 스테이지(11)로부터 대상 부재(1)를 분리할 때 및/또는 보유지지 장치(12)로부터 템플릿(5)을 분리할 때, 이오나이저(도시되지 않음)를 사용하여 전하를 제거하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같은 본 실시형태의 이물 제거 방법에서는, 대상 부재(1) 상에 액체 조성물(4)을 공급한 후, 조성물(4)이 대상 부재(1)의 대상 범위에 걸쳐 퍼져서 대상 범위 내의 이물을 포집하도록 템플릿(5)을 조성물(4)에 대해 가압한다. 이어서, 템플릿(5)과 대상 부재(1) 상의 조성물(4)을 서로 접촉시킨 상태에서 조성물(4)을 경화시키고, 템플릿(5)과 조성물(4)이 서로 접착되어 있는 상태에서 템플릿(5)을 경화된 조성물(4)과 함께 대상 부재(1)로부터 분리한다. 결과적으로, 간단한 공정으로 대상 부재(1) 상의 이물(2)을 효율적으로 제거하는 것이 가능하고, 이는 처리량 면에서도 유리하다.
<제2 실시형태>
이하, 본 발명에 따른 제2 실시형태를 설명한다. 본 실시형태는 기본적으로 제1 실시형태를 이어받으며, 후술될 사항을 제외하고 제1 실시형태를 따를 수 있다.
웨이퍼 또는 기판 같은 대상 부재(1)의 베벨부(1b)(주연부)는 후속 리소그래피 단계에서 패턴 형성에 거의 영향을 미치지 않는 에지 영역을 포함하는 경우가 있다. 이와 같은 에지 영역은 에지 배제 영역(edge exclusion region)(이하, EE 영역이라고도 칭함)이라고도 칭하며, 패턴 형성 시의 이물의 존재/부재의 평가로부터 배제된 영역으로서 이해될 수 있다.
도 6a 내지 도 6f는 본 실시형태의 이물 제거 방법의 단계를 시간순으로 설명하는 개략도이다. 도 6a 내지 도 6f에 도시되는 이들 단계는 각각 전술된 도 2a 내지 도 2f에 도시되는 단계에 대응하고, 제1 실시형태의 도 2a 내지 도 2f에 도시되는 단계와 유사하다. 그러나, 도 6a 내지 도 6f에 도시되는 대상 부재(1)의 대상 범위는 도 2a 내지 도 2f에 도시되는 것과 상이하다.
본 실시형태에서는, 대상 부재(1)의 대상 범위(이물이 제거되어야 하는 범위)는 EE 영역(8)을 포함하지 않도록 설정된다. 즉, 대상 부재(1)의 대상 범위는 패턴부(1a)와, EE 영역(8)이 배제된 베벨부(1b)의 일부를 포함하는 범위로서 설정된다. EE 영역(8)이 고려될 때 사용되는 템플릿(5)은 대상 부재(1)의 대상 범위보다 큰 크기를 갖도록 설정될 수 있고, 또한 대상 부재(1) 자체보다 작은 크기를 갖도록 설정될 수 있다. 템플릿(5)의 취급을 용이하게 하기 위해서, 템플릿(5)은 대상 부재(1)의 크기와 동일한 크기 또는 그보다 큰 크기를 갖는 것이 바람직하다.
<제3 실시형태>
이하, 본 발명에 따른 제3 실시형태를 설명한다. 본 실시형태에서, 제1 실시형태에서 설명된 이물 제거 장치(10)를 포함하는 시스템(100)이 설명될 것이다. 본 실시형태는 기본적으로 제1 실시형태를 이어받으며, 후술될 사항을 제외하고 제1 실시형태를 따를 수 있다. 본 실시형태는 제2 실시형태도 이어받을 수 있다.
도 7은 본 실시형태의 시스템(100)의 구성예를 도시하는 개략도이다. 본 실시형태의 시스템(100)은 이물 제거 장치(10) 및 형성 장치(20)를 포함한다. 본 실시형태의 시스템(100)에서, 반송 장치(30)는 이물 제거 장치(10)와 형성 장치(20)를 인라인으로 연결하고, 이물 제거 장치(10)에 의해 이물이 제거된 대상 부재(1)를 형성 장치(20) 내로 반송한다.
제1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 이물 제거 장치(10)는 대상 부재(1) 상의 이물을 제거하기 위한 장치이다. 상술한 바와 같이, 대상 부재(1)는 형성 장치(20)에 의해 패턴이 형성되는 기판 및/또는 형성 장치(20)에 의해 기판에 전사되는 패턴을 갖는 원판일 수 있다. 형성 장치(20)는 이물 제거 장치(10)에 의해 이물이 제거된 대상 부재(1)를 사용하여 기판에 패턴을 형성하는 장치이다. 본 실시형태의 형성 장치(20)는 원판의 패턴을 기판에 전사하기 위한 리소그래피 장치로서 구성될 수 있다. 예를 들어, 대상 부재(1)가 기판인 경우, 형성 장치(20)는 이물 제거 장치(10)에 의해 이물이 제거된 기판에 패턴을 전사한다. 대상 부재(1)가 원판인 경우, 형성 장치(20)는 이물 제거 장치(10)에 의해 이물이 제거된 원판의 패턴을 기판에 전사한다. 형성 장치(20)를 구성하는 리소그래피 장치의 예는, 원판(마스크 또는 레티클)을 통과한 패턴 광으로 기판을 노광하기 위한 노광 장치와, 원판(몰드)을 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하기 위한 임프린트 장치이다.
이어서, 본 실시형태의 시스템(100)의 동작예를 설명한다. 본 실시형태에서는, 이물 제거 장치(10)에 의해 이물이 제거되는 대상 부재(1)가 기판이고, 형성 장치(20)가 임프린트 장치인 예에 대해서 설명한다.
기판이 코터/디벨로퍼 장치로부터 시스템(100) 내로 반입된다. 코터/디벨로퍼 장치는 시스템(100) 내의 이물 제거 장치(10) 및 형성 장치(20)에 인라인으로 연결될 수 있고, 또한 독립형일 수 있다. 그러나, 코터/디벨로퍼 장치는 이물 부착 및 오염의 관점으로부터 인라인으로 연결되는 것이 바람직하다. 코터/디벨로퍼 장치에서, 기판은 SOC/SOG 같은 마스크 재료로 도포되고, 인라인 연결된 이물 제거 장치(10)에 반송된다.
본 실시형태의 시스템(100)에서, 이물 제거 장치(10)는 기판이 형성 장치(20)(임프린트 장치)에 반입되기 전에 기판에 대해 이물 제거 공정을 수행한다. 이 이물 제거 공정에 대해서는 제1 실시형태에서 설명했으므로, 설명을 생략한다. 이물 제거 장치(10)에 의해 수행된 이물 제거 공정을 거친 기판은 이물 제거 장치(10)에 인라인으로 연결된 형성 장치(20) 내로 반송되고, 패턴 형성 공정(임프린트 공정)이 수행된다. 이 임프린트 공정에서는, 기판 상에 임프린트재가 공급되고, 미세한 오목부와 볼록부가 형성된 석영 몰드(템플릿)가 기판 상의 임프린트재에 접촉된다. 그리고, 기판 상의 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시키고, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리(이형)한다. 결과적으로, 몰드의 패턴이 기판 상의 임프린트재 상에 전사되어, 임프린트재의 경화물의 패턴이 기판 상에 형성될 수 있다.
이 임프린트 공정에서, 기판 상에 이물이 존재(부착)하면, 예를 들어 약 80 nm 이하의 무기 이물이 존재하면, 약 20 nm의 오목부 및 볼록부를 갖는 패턴을 갖는 몰드가 손상될 수 있다. 몰드가 손상되면, 몰드를 사용한 후속 임프린트 공정에서 기판 상에 형성되는 임프린트재의 패턴 상에 결함이 형성된다. 따라서, 기판 및 원판(몰드)에 대한 이물 관리가 매우 중요한 문제이다. 본 실시형태의 이물 제거 장치(10)는 간단한 장치 구성을 갖고 매우 작은 이물도 제거할 수 있으므로, 이 문제를 해결하는 방법으로서 매우 적합하다.
본 실시형태의 시스템(100)에서, 이물 제거 장치(10)가 이물 제거 공정을 수행한 후, 형성 장치(20)(임프린트 장치)가 패턴 형성 공정(임프린트 공정)을 수행한다. 결과적으로, 결함 밀도(DD)(결함/cm2)의 증가량(ΔDD)이 1개의 결함/cm2이 될 때까지, 처리될 기판의 개수가 이물 제거 장치(10)의 존재/부재에 따라 수 로트로부터 수백 로트까지 급속하게 증가된다는 것이 확인되었다.
<물품 제조 방법의 실시형태>
본 발명의 실시형태에 따른 물품 제조 방법은 물품, 예를 들어 반도체 디바이스 또는 미세구조를 갖는 디바이스 등의 마이크로디바이스를 제조하는 데 적합하다. 본 실시형태의 물품 제조 방법은 대상 부재 상의 이물을 제거하는 이물 제거 단계, 기판 상에 패턴을 형성하는 형성 단계, 형성 단계에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 가공 단계, 및 가공 단계에서 가공된 기판으로부터 물품을 제조하는 제조 단계를 포함한다. 이물 제거 단계에서, 대상 부재 상의 이물이 상술한 이물 제거 방법을 사용하여 제거된다. 대상 부재는, 형성 단계에서 패턴이 형성되는 기판 및/또는 형성 단계에서 기판에 전사되는 패턴을 갖는 원판이다. 제조 방법은 다른 공지된 단계(산화, 막 형성, 퇴적, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 제거, 다이싱, 본딩, 패키징 등)를 더 포함한다. 본 실시형태의 물품 제조 방법은 종래의 방법보다 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 더 유리하다.
형성 단계에서 기판에 패턴을 형성하기 위한 형성 장치로서 임프린트 장치를 사용하는 경우, 임프린트 장치에 의해 형성된 경화물의 패턴은 다양한 종류의 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 다양한 종류의 물품을 제조할 때 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는 DRAM, SRAM, 플래시 메모리 및 MRAM과 같은 휘발성 및 비휘발성 반도체 메모리와, LSI, CCD, 이미지 센서 및 FPGA와 같은 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드 등이다.
경화물의 패턴은 상술한 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서 그대로 사용되거나 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 에칭 또는 이온 주입이 기판 처리 단계에서 수행된 후에, 레지스트 마스크가 제거된다.
이어서, 물품의 구체적인 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 실시형태에서, 임프린트 장치(임프린트 공정)를 사용하는 예가 설명될 것이다. 도 8a에 도시되는 바와 같이, 절연체와 같은 피처리재(2z)가 표면 상에 형성된 실리콘 웨이퍼 같은 기판(1z)이 준비된다. 이어서, 잉크젯 방법 등에 의해 임프린트재(3z)가 피처리재(2z)의 표면에 도포된다. 여기서, 임프린트재(3z)가 복수의 액적으로서 기판 상에 도포된 상태가 도시된다.
도 8b에 도시되는 바와 같이, 임프린트용 몰드(4z) 중 오목부 및 볼록부를 갖는 패턴이 형성된 측이 기판 상의 임프린트재(3z)에 대면하도록 지향된다. 도 8c에 도시되는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 도포된 기판(1z)과 몰드(4z)가 서로 접촉되고, 압력이 인가된다. 몰드(4z)와 피처리재(2z) 사이의 간극에는 임프린트재(3z)가 충전된다. 이 상태에서, 경화용 에너지를 몰드(4z)를 통해서 임프린트재(3z)에 조사함으로써, 임프린트재(3z)가 경화된다.
도 8d에 도시되는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 경화된 후, 몰드(4z)는 기판(1z)으로부터 분리된다. 그리고, 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 기판(1z) 상에 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드의 오목부는 경화물의 볼록부에 대응하고, 몰드의 볼록부는 경화물의 오목부에 대응한다. 즉, 몰드(4z) 내의 오목부 및 볼록부를 갖는 패턴이 임프린트재(3z)에 전사된다. 약 수십 nm의 두께를 갖는 잔류 층 두께 부분(RLT 부분, 잔류 막 두께라고도 지칭됨)(도시되지 않음)이 경화물의 오목부에 남아있다는 점에 유의한다.
도 8e에 도시되는 바와 같이, 경화물의 패턴을 에칭 저항 마스크로서 사용해서 RLT 부분을 포함하는 생성된 재료를 에칭함으로써, 피처리재(2z)의 표면 중 경화물이 존재하지 않거나 얇게 잔류하는 부분이 제거되어 홈(5z)이 형성된다. 도 8f에 도시되는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거함으로써, 피처리재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기서, 경화물의 패턴은 제거된다. 그러나, 처리 후에 경화물의 패턴을 제거하는 대신에, 이것을 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연막, 즉 물품의 구성 부재로서 사용될 수 있다.
<다른 실시형태>
본 발명의 실시형태(들)는, 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(더 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할 수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 개별 컴퓨터 또는 개별 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 읽기 전용 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광학 디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)™), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (17)

  1. 제1 부재 상의 이물을 제거하는 이물 제거 방법이며,
    상기 제1 부재 상의 공급 영역에 조성물을 공급하는 공급 단계;
    상기 제1 부재 상의 상기 공급 영역보다 넓은 대상 영역을 설정하고, 상기 공급 단계에서 상기 제1 부재 상에 공급된 상기 조성물이 상기 대상 영역에 걸쳐 퍼지고 상기 대상 영역 내의 이물을 포집하도록 상기 제1 부재 상의 상기 조성물에 대해 제2 부재를 가압하는 가압 단계;
    상기 가압 단계 후에, 상기 제1 부재 상의 상기 조성물과 상기 제2 부재가 서로 접촉하는 상태에서 상기 조성물을 경화시키는 경화 단계; 및
    상기 경화 단계 후에, 상기 제2 부재와 상기 조성물이 서로 접착되어 있는 상태에서 상기 제1 부재로부터 상기 제2 부재를 분리함으로써, 상기 제1 부재의 상기 대상 영역으로부터 상기 조성물을 분리하는 분리 단계를 포함하는, 이물 제거 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 대상 영역은 상기 제1 부재의 베벨부의 적어도 일부를 포함하는, 이물 제거 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 공급 단계에서, 액체 상태의 상기 조성물은 상기 제1 부재 중 상기 베벨부 이외의 부분에 공급되는, 이물 제거 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 가압 단계에서, 상기 제1 부재와 상기 제2 부재 사이의 평행도는, 상기 공급 단계에서 상기 제1 부재에 공급된 상기 조성물이 상기 대상 영역에 걸쳐 퍼지도록 제어되는, 이물 제거 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가압 단계에서, 상기 공급 단계에서 상기 제1 부재 상에 공급된 상기 조성물에 대해 상기 제2 부재를 가압하는 힘은, 상기 제1 부재 상의 상기 조성물이 상기 대상 영역에 걸쳐 퍼지도록 제어되는, 이물 제거 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 공급 단계에서 상기 제1 부재 상에 공급된 상기 조성물에 대해 상기 제2 부재를 가압하는 힘은, 상기 조성물이 상기 대상 영역에 걸쳐 퍼지도록 상기 제1 부재 상의 상기 조성물의 퍼짐을 관찰하면서 제어되는, 이물 제거 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 공급 단계 전에, 상기 제1 부재에 대해, 액체 상태의 상기 조성물에 대하여 상기 제1 부재의 표면을 동결건조하는 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는, 이물 제거 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 가압 단계 전에, 상기 제2 부재에 대해, 상기 조성물과 상기 제2 부재 사이의 접착성을 향상시키는 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는, 이물 제거 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 부재는, 상기 조성물에 대해 가압되는 가압면을 포함하고, 또한 상기 가압 단계에서 상기 조성물의 퍼짐을 안내하도록 반경방향으로 연장되는 복수의 제1 홈부를 상기 가압면 상에 포함하는, 이물 제거 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 부재는 상기 가압 단계에서 상기 조성물의 퍼짐을 정지시키도록 구성된 프레임 형상의 제2 홈부를 상기 가압면 상에 더 포함하는, 이물 제거 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부재는 패턴이 형성된 기판인, 이물 제거 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부재는 기판에 패턴을 형성하기 위해 사용되는 원판인, 이물 제거 방법.
  13. 기판 상에 패턴을 형성하는 형성 방법이며,
    제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 규정된 이물 제거 방법을 사용하여 제1 부재 상의 이물을 제거하는 이물 제거 단계; 및
    기판 상에 패턴을 형성하는 형성 단계를 포함하고,
    상기 이물 제거 단계가 수행되는 상기 제1 부재는, 상기 형성 단계에서 패턴이 형성되는 기판, 상기 기판 상에 전사되는 패턴을 갖는 원판, 또는 이들 양자인, 형성 방법.
  14. 물품 제조 방법이며,
    제13항에 규정된 형성 방법을 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계;
    상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 단계; 및
    가공된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
  15. 제1 부재 상의 이물을 제거하기 위한 이물 제거 장치이며,
    상기 제1 부재 상에 액체의 조성물을 공급하도록 구성된 공급 유닛;
    상기 제1 부재와 제2 부재를 서로에 대해 구동하도록 구성된 구동 유닛;
    상기 조성물을 경화시키도록 구성된 경화 유닛; 및
    상기 제1 부재 상의 이물을 제거하는 이물 제거 처리를 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은 상기 이물 제거 처리를 실행하도록 구성되며,
    상기 이물 제거 처리는,
    상기 공급 유닛에 의해 상기 제1 부재 상의 공급 영역에 액체의 조성물을 공급하는 공급 단계;
    상기 제1 부재 상의 상기 공급 영역보다 넓은 대상 영역을 설정하고, 상기 공급 단계에서 상기 제1 부재 상에 공급된 상기 조성물이 상기 대상 영역에 걸쳐 퍼지고 상기 대상 영역 내의 이물을 포집하도록 상기 구동 유닛에 의해 상기 제1 부재 상의 상기 조성물에 대해 제2 부재를 가압하는 가압 단계;
    상기 가압 단계 후에, 상기 제1 부재 상의 상기 조성물과 상기 제2 부재가 서로 접촉하는 상태에서 상기 경화 유닛에 의해 상기 조성물을 경화시키는 경화 단계; 및
    상기 경화 단계 후에, 상기 제2 부재와 상기 조성물이 서로 접착되어 있는 상태에서 상기 구동 유닛에 의해 상기 제1 부재로부터 상기 제2 부재를 분리함으로써, 상기 제1 부재의 상기 대상 영역으로부터 상기 조성물을 분리하는 분리 단계를 포함하는, 이물 제거 장치.
  16. 시스템이며,
    제15항에 규정되어 있으며 제1 부재 상의 이물을 제거하도록 구성된 이물 제거 장치; 및
    기판 상에 패턴을 형성하도록 구성된 형성 장치를 포함하고,
    상기 이물 제거 장치에 의해 이물이 제거되는 상기 제1 부재는, 상기 형성 장치에 의해 패턴이 형성되는 기판, 상기 기판에 전사되는 패턴을 갖는 원판, 또는 이들 양자인, 시스템.
  17. 부재 상에 공급된 조성물을 부재 상에 퍼지게 하기 위한 템플릿이며,
    상기 부재 상의 상기 조성물에 대해 가압되는 가압면; 및
    상기 가압면 상에 형성되고 상기 부재 상의 상기 조성물의 퍼짐을 안내하도록 반경방향으로 연장되는 복수의 홈부를 포함하는, 템플릿.
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