JP2000331966A - シリコンウエハの処理方法 - Google Patents
シリコンウエハの処理方法Info
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- JP2000331966A JP2000331966A JP11142438A JP14243899A JP2000331966A JP 2000331966 A JP2000331966 A JP 2000331966A JP 11142438 A JP11142438 A JP 11142438A JP 14243899 A JP14243899 A JP 14243899A JP 2000331966 A JP2000331966 A JP 2000331966A
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- silicon wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハをサンドブラスト処理して所
定パタ―ンに加工するにあたり、その作業性および作業
環境を改善することを目的とする。 【解決手段】 シリコンウエハ１上に所定パタ―ンの粘
着シ―ト類５を貼り付け、この粘着シ―ト類５をマスク
として上記ウエハ１をサンドブラスト処理して所定パタ
―ンに加工することを特徴とするシリコンウエハの処理
方法。
定パタ―ンに加工するにあたり、その作業性および作業
環境を改善することを目的とする。 【解決手段】 シリコンウエハ１上に所定パタ―ンの粘
着シ―ト類５を貼り付け、この粘着シ―ト類５をマスク
として上記ウエハ１をサンドブラスト処理して所定パタ
―ンに加工することを特徴とするシリコンウエハの処理
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハの
処理方法、詳しくは、シリコンウエハをサンドブラスト
処理して所定パタ―ンに加工する方法に関する。
処理方法、詳しくは、シリコンウエハをサンドブラスト
処理して所定パタ―ンに加工する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高耐圧ダイオ―ドの製造においては、通
常、シリコンウエハ上にレジスト材を塗布したのち、通
常のフオトプロセスにより、所定の画像（レジストパタ
―ン）を形成し、これをマスクとして上記ウエハをサン
ドブラスト処理して所定パタ―ンに加工している。ま
た、このウエハ加工後は、シリコンウエハ上のレジスト
マスクを溶剤や薬品を用いて除去するようにしている。
常、シリコンウエハ上にレジスト材を塗布したのち、通
常のフオトプロセスにより、所定の画像（レジストパタ
―ン）を形成し、これをマスクとして上記ウエハをサン
ドブラスト処理して所定パタ―ンに加工している。ま
た、このウエハ加工後は、シリコンウエハ上のレジスト
マスクを溶剤や薬品を用いて除去するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サンド
ブラスト処理のマスクとしてレジスト材を使用すると、
シリコンウエハへのレジスト材の塗布後にパタ―ン形成
を行う必要があり、その形成作業が面倒であつて、また
溶剤や薬品を使用するため、作業環境が損なわれる問題
がある。また、サンドブラスト処理によるシリコンウエ
ハの加工後、レジスト材を除去する際にも、その除去作
業に長時間を要したり、溶剤や薬品を使用するため、作
業環境を害する問題があつた。
ブラスト処理のマスクとしてレジスト材を使用すると、
シリコンウエハへのレジスト材の塗布後にパタ―ン形成
を行う必要があり、その形成作業が面倒であつて、また
溶剤や薬品を使用するため、作業環境が損なわれる問題
がある。また、サンドブラスト処理によるシリコンウエ
ハの加工後、レジスト材を除去する際にも、その除去作
業に長時間を要したり、溶剤や薬品を使用するため、作
業環境を害する問題があつた。
【０００４】本発明は、このような事情に照らして、シ
リコンウエハをサンドブラスト処理して所定パタ―ンに
加工するにあたり、サンドブラスト処理のマスクに起因
した作業性や作業環境の悪化を回避することを目的とす
る。
リコンウエハをサンドブラスト処理して所定パタ―ンに
加工するにあたり、サンドブラスト処理のマスクに起因
した作業性や作業環境の悪化を回避することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するため、鋭意検討した結果、サンドブラスト処
理のマスクとして所定パタ―ンの粘着シ―ト類を用いる
と、これをシリコンウエハ上に貼り付けるだけで上記マ
スクとして機能させることができ、この場合、従来のよ
うな面倒なパタ―ン形成が不要であり、しかもこれをマ
スクとしてサンドブラスト処理したのちは、上記粘着シ
―ト類を剥離するだけで、従来のような溶剤や薬品によ
る面倒な除去作業を施すことなく簡単に除去でき、これ
により、サンドブラスト処理によるパタ―ン加工を作業
性や作業環境を悪化させることなく実施できることを知
り、本発明を完成するに至つた。
を達成するため、鋭意検討した結果、サンドブラスト処
理のマスクとして所定パタ―ンの粘着シ―ト類を用いる
と、これをシリコンウエハ上に貼り付けるだけで上記マ
スクとして機能させることができ、この場合、従来のよ
うな面倒なパタ―ン形成が不要であり、しかもこれをマ
スクとしてサンドブラスト処理したのちは、上記粘着シ
―ト類を剥離するだけで、従来のような溶剤や薬品によ
る面倒な除去作業を施すことなく簡単に除去でき、これ
により、サンドブラスト処理によるパタ―ン加工を作業
性や作業環境を悪化させることなく実施できることを知
り、本発明を完成するに至つた。
【０００６】すなわち、本発明は、シリコンウエハ上に
所定パタ―ンの粘着シ―ト類を貼り付け、この粘着シ―
ト類をマスクとして上記ウエハをサンドブラスト処理し
て所定パタ―ンに加工することを特徴とするシリコンウ
エハの処理方法（請求項１）に係るものである。また、
本発明は、上記のサンドブラスト処理による加工後、シ
リコンウエハ上の粘着シ―ト類をその接着力を低下させ
て剥離除去する上記構成のシリコンウエハの処理方法
（請求項２）に係るものである。
所定パタ―ンの粘着シ―ト類を貼り付け、この粘着シ―
ト類をマスクとして上記ウエハをサンドブラスト処理し
て所定パタ―ンに加工することを特徴とするシリコンウ
エハの処理方法（請求項１）に係るものである。また、
本発明は、上記のサンドブラスト処理による加工後、シ
リコンウエハ上の粘着シ―ト類をその接着力を低下させ
て剥離除去する上記構成のシリコンウエハの処理方法
（請求項２）に係るものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参考にして、説明する。図１は、本発明のシ
リコンウエハの処理方法の一例を示す概略図である。図
において、パタ―ン加工に供するシリコンウエハ１は、
ガラスなどの台座２に固定されて、真空チヤツクテ―ブ
ル３に装着されている。真空チヤツクテ―ブル３は、搬
送ベルト４上に設けられて、水平方向（図中、左側から
右側への矢印方向）に一定の速度で移動できるようにな
つている。
て、図面を参考にして、説明する。図１は、本発明のシ
リコンウエハの処理方法の一例を示す概略図である。図
において、パタ―ン加工に供するシリコンウエハ１は、
ガラスなどの台座２に固定されて、真空チヤツクテ―ブ
ル３に装着されている。真空チヤツクテ―ブル３は、搬
送ベルト４上に設けられて、水平方向（図中、左側から
右側への矢印方向）に一定の速度で移動できるようにな
つている。
【０００８】本発明のシリコンウエハの処理方法におい
ては、まず、（ａ）で示す工程で、台座２に固定された
シリコンウエハ１上に、所定パタ―ンの粘着シ―ト類５
を貼り付ける。この貼り付けは、たとえば、シリコ―ン
で表面コ―テイングしたプラスチツクフイルムなどから
なる離型シ―ト６上に設けられて、一定の速度で供給さ
れる所定パタ―ンの粘着シ―ト類５を、貼り付けロ―ラ
７を用いて、シリコンウエハ１上に押圧し、転写するこ
とにより、行われる。
ては、まず、（ａ）で示す工程で、台座２に固定された
シリコンウエハ１上に、所定パタ―ンの粘着シ―ト類５
を貼り付ける。この貼り付けは、たとえば、シリコ―ン
で表面コ―テイングしたプラスチツクフイルムなどから
なる離型シ―ト６上に設けられて、一定の速度で供給さ
れる所定パタ―ンの粘着シ―ト類５を、貼り付けロ―ラ
７を用いて、シリコンウエハ１上に押圧し、転写するこ
とにより、行われる。
【０００９】粘着シ―ト類５は、シリコンウエハ１に対
し十分な接着力を示すものであればよく、アクリル系、
ゴム系などの種々の粘着剤が用いられる。とくに、加温
（たとえば１００℃程度の加温）により、また逆に０℃
以下の冷却により、さらには紫外線の照射などにより、
上記接着力が低下するものが、好ましく用いられる。こ
のような粘着シ―ト類５は、離型シ―ト６の上に上記の
粘着剤層をべた塗りしたのち、この層のみを打ち抜き成
形するか、あるいは離型シ―ト６の上に上記の粘着剤層
を印刷塗布するなどの方法により、所定パタ―ンに形成
される。また、この粘着シ―ト類５は、上記の粘着剤層
だけで構成されたもののほか、プラスチツクフイルム、
紙、不織布、布などの適宜の基材を使用し、この基材の
両面に上記の粘着剤層を設けた構成の芯材付きのもので
あつてもよい。
し十分な接着力を示すものであればよく、アクリル系、
ゴム系などの種々の粘着剤が用いられる。とくに、加温
（たとえば１００℃程度の加温）により、また逆に０℃
以下の冷却により、さらには紫外線の照射などにより、
上記接着力が低下するものが、好ましく用いられる。こ
のような粘着シ―ト類５は、離型シ―ト６の上に上記の
粘着剤層をべた塗りしたのち、この層のみを打ち抜き成
形するか、あるいは離型シ―ト６の上に上記の粘着剤層
を印刷塗布するなどの方法により、所定パタ―ンに形成
される。また、この粘着シ―ト類５は、上記の粘着剤層
だけで構成されたもののほか、プラスチツクフイルム、
紙、不織布、布などの適宜の基材を使用し、この基材の
両面に上記の粘着剤層を設けた構成の芯材付きのもので
あつてもよい。
【００１０】このようにして所定パタ―ンの粘着シ―ト
類５を貼り付けたシリコンウエハ１は、つぎの（ｂ）で
示す工程において、上記の粘着シ―ト類５をマスクとし
て、サンドブラスト処理に供される。このサンドブラス
ト処理は、常法にしたがい、適宜の噴射装置１０を使用
して微細サンド１１を強力に噴射させ、シリコンウエハ
１の露出部分（粘着シ―ト類５で被覆保護されていない
部分）だけを削落し、非露出部分（粘着シ―ト類５で被
覆保護されている部分）はそのまま残して、シリコンウ
エハ１を所定パタ―ンに加工するものである。
類５を貼り付けたシリコンウエハ１は、つぎの（ｂ）で
示す工程において、上記の粘着シ―ト類５をマスクとし
て、サンドブラスト処理に供される。このサンドブラス
ト処理は、常法にしたがい、適宜の噴射装置１０を使用
して微細サンド１１を強力に噴射させ、シリコンウエハ
１の露出部分（粘着シ―ト類５で被覆保護されていない
部分）だけを削落し、非露出部分（粘着シ―ト類５で被
覆保護されている部分）はそのまま残して、シリコンウ
エハ１を所定パタ―ンに加工するものである。
【００１１】このパタ―ン加工後、粘着シ―ト類５が前
記した加温、冷却または紫外線照射などの処理により接
着力が低下するものでは、（ｃ）で示す工程において、
上記処理を施してシリコンウエハ１に対する粘着シ―ト
類５の接着力を低下させる。加温により接着力を低下さ
せる場合、真空チヤツクテ―ブル３に内蔵されたヒ―タ
を利用して行うのが望ましく、またこれとともに粘着シ
―ト類５の上方側から加温するなどの別の手段を組み合
わせるようにしてもよい。
記した加温、冷却または紫外線照射などの処理により接
着力が低下するものでは、（ｃ）で示す工程において、
上記処理を施してシリコンウエハ１に対する粘着シ―ト
類５の接着力を低下させる。加温により接着力を低下さ
せる場合、真空チヤツクテ―ブル３に内蔵されたヒ―タ
を利用して行うのが望ましく、またこれとともに粘着シ
―ト類５の上方側から加温するなどの別の手段を組み合
わせるようにしてもよい。
【００１２】つぎに、（ｄ）で示す工程において、一定
の速度で供給される剥離用粘着シ―ト類８を、貼り付け
／剥離ロ―ラ９を用いて、上記粘着シ―ト類５上に押圧
し密着させたのち、剥離操作することにより、上記粘着
シ―ト類５をシリコンウエハ１上から剥離除去する。な
お、この剥離除去に際して、前記（ｃ）で示す工程と同
様の加温、冷却または紫外線照射などによる接着力低下
処理を施してもよく、場合により、前記（ｃ）で示す工
程を省き、この工程において接着力低下処理を施しなが
ら上記の剥離操作を行つてもよい。このようにして台座
２上で所定パタ―ンに加工されたシリコンウエハ１は、
公知の各種の処理工程を経て、最終的にピツクアツプ工
程に搬送され、半導体装置の製造に利用される。
の速度で供給される剥離用粘着シ―ト類８を、貼り付け
／剥離ロ―ラ９を用いて、上記粘着シ―ト類５上に押圧
し密着させたのち、剥離操作することにより、上記粘着
シ―ト類５をシリコンウエハ１上から剥離除去する。な
お、この剥離除去に際して、前記（ｃ）で示す工程と同
様の加温、冷却または紫外線照射などによる接着力低下
処理を施してもよく、場合により、前記（ｃ）で示す工
程を省き、この工程において接着力低下処理を施しなが
ら上記の剥離操作を行つてもよい。このようにして台座
２上で所定パタ―ンに加工されたシリコンウエハ１は、
公知の各種の処理工程を経て、最終的にピツクアツプ工
程に搬送され、半導体装置の製造に利用される。
【００１３】上記（ａ）〜（ｄ）の工程からも明らかな
ように、本発明では、シリコンウエハ１上に所定パタ―
ンの粘着シ―ト類５を貼り付け、これをサンドブラスト
処理のマスクとして利用するため、従来のような面倒な
パタ―ン形成が不要であり、またサンドブラスト処理後
は、上記粘着シ―ト類５を剥離除去できる、とくに前記
した接着力低下処理を施すことで簡単に剥離除去できる
ので、従来のような面倒な除去作業も不要である。この
ため、サンドブラスト処理によるパタ―ン加工を作業
性、作業環境ともに良好に行うことができる。
ように、本発明では、シリコンウエハ１上に所定パタ―
ンの粘着シ―ト類５を貼り付け、これをサンドブラスト
処理のマスクとして利用するため、従来のような面倒な
パタ―ン形成が不要であり、またサンドブラスト処理後
は、上記粘着シ―ト類５を剥離除去できる、とくに前記
した接着力低下処理を施すことで簡単に剥離除去できる
ので、従来のような面倒な除去作業も不要である。この
ため、サンドブラスト処理によるパタ―ン加工を作業
性、作業環境ともに良好に行うことができる。
【００１４】上記の実施例では、粘着シ―ト類５とし
て、連続状のシ―ト状物を使用しているが、必要によ
り、テ―プ状物、ラベル状物などの種々の形態のものを
使用できる。また、これら粘着シ―ト類５の形態に応じ
て、シリコンウエハ１上への貼り付けに際し、貼り付け
ロ―ラ７に代えて、プレスなどの任意の貼り付け手段を
使用できる。さらに、上記粘着シ―ト類５の剥離除去に
あたり、その形態に応じた種々の剥離用粘着シ―ト類８
を使用でき、またこの粘着シ―ト類８の貼り付け／剥離
に際しても、プレスなどの任意の手段を使用できる。
て、連続状のシ―ト状物を使用しているが、必要によ
り、テ―プ状物、ラベル状物などの種々の形態のものを
使用できる。また、これら粘着シ―ト類５の形態に応じ
て、シリコンウエハ１上への貼り付けに際し、貼り付け
ロ―ラ７に代えて、プレスなどの任意の貼り付け手段を
使用できる。さらに、上記粘着シ―ト類５の剥離除去に
あたり、その形態に応じた種々の剥離用粘着シ―ト類８
を使用でき、またこの粘着シ―ト類８の貼り付け／剥離
に際しても、プレスなどの任意の手段を使用できる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明では、シリコンウ
エハをサンドブラスト処理して所定パタ―ンに加工する
にあたり、上記処理時のマスクとして所定パタ―ンの粘
着シ―ト類を使用したことにより、またとくに上記粘着
シ―ト類として加温、冷却または紫外線照射などの処理
によつて接着力が低下するものを使用したことにより、
サンドブラスト処理の作業性および作業環境を大きく改
善できる。
エハをサンドブラスト処理して所定パタ―ンに加工する
にあたり、上記処理時のマスクとして所定パタ―ンの粘
着シ―ト類を使用したことにより、またとくに上記粘着
シ―ト類として加温、冷却または紫外線照射などの処理
によつて接着力が低下するものを使用したことにより、
サンドブラスト処理の作業性および作業環境を大きく改
善できる。
【図１】本発明のシリコンウエハの処理方法の一例を示
す概略図である。
す概略図である。
１ シリコンウエハ ５ 所定パタ―ンの粘着シ―ト類 ７ 貼り付けロ―ラ ９ 貼り付け／剥離ロ―ラ １０ 噴射装置 １１ 微細サンド
フロントページの続き (72)発明者 並河 亮 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 雨谷 稔 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 精機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコンウエハ上に所定パタ―ンの粘着
シ―ト類を貼り付け、この粘着シ―ト類をマスクとして
上記ウエハをサンドブラスト処理して所定パタ―ンに加
工することを特徴とするシリコンウエハの処理方法。 - 【請求項２】 加工後、シリコンウエハ上の粘着シ―ト
類をその接着力を低下させて剥離除去する請求項１に記
載のシリコンウエハの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142438A JP2000331966A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | シリコンウエハの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142438A JP2000331966A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | シリコンウエハの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331966A true JP2000331966A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15315327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11142438A Pending JP2000331966A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | シリコンウエハの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000331966A (ja) |
-
1999
- 1999-05-21 JP JP11142438A patent/JP2000331966A/ja active Pending
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