CN109023241B - 掩膜版和掩膜版的清洗方法 - Google Patents

掩膜版和掩膜版的清洗方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种掩膜版和掩膜版的清洗方法,其中所述掩膜版包括基材层、熔射层,以及拆卸件;所述熔射层,用于吸附颗粒,所述颗粒在使用所述掩膜版对所述显示装置进行物理气相沉积时产生;所述拆卸件,用于在使用所述掩膜版对所述显示装置进行物理气相沉积时,将所述熔射层固定在所述基材层上,所述拆卸件,用于在清除所述颗粒时,将所述熔射层从所述基材层上剥离。该方案通过设置拆卸件,先将熔射层从基材层上拆卸下来,再对熔射层单独进行清洗,降低了掩膜版受损的几率。

Description

掩膜版和掩膜版的清洗方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种掩膜版和掩膜版的清洗方法。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极体)具有响应快、可视角度大和可柔性显示等优点,在显示领域占主导地位。
在OLED制程中,可以通过掩膜版对OLED进行PVD(Physical Vapor Deposition,物理气相沉积),形成发光层EL时。其中,掩膜版(mask)包括基材层,以及通过对基材层进行喷砂操作形成的熔射层,该熔射层可以用于吸附颗粒。随着掩膜版(mask)的长期使用,熔射层表面吸附的颗粒越来越多,因此需要定期对掩膜版进行清洗。然而,一般使用酸性液体对掩膜版进行清洗,酸性液体会对掩膜版造成损害。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掩膜版和掩膜版的清洗方法,降低了掩膜版的受损率。
本发明实施例提供了一种掩膜版,用于对显示装置进行物理气相沉积,包括:基材层、熔射层,以及拆卸件;
所述熔射层,用于吸附颗粒,所述颗粒在使用所述掩膜版对所述显示装置进行物理气相沉积时产生;
所述拆卸件,用于在使用所述掩膜版对所述显示装置进行物理气相沉积时,将所述熔射层固定在所述基材层上,所述拆卸件,用于在清除所述颗粒时,将所述熔射层从所述基材层上剥离。
在一些实施例中,所述拆卸件包括粘贴层;所述粘贴层设置在所述基材层和所述熔射层之间。
在一些实施例中,所述熔射层通过对所述粘贴层进行处理而形成。
在一些实施例中,所述粘贴层的厚度范围为50-90微米之间。
在一些实施例中,所述粘贴层的组成材料包括聚酰亚胺或亚克力中的一种或全部。
在一些实施例中,所述拆卸件包括凹槽与所述凹槽匹配的凸起;
所述凹槽,设置在所述基材层与所述熔射层相对的一侧,所述凸起,设置在所述熔射层与所述基材层相对的一侧;或
所述凹槽,设置在所述熔射层与所述基材层相对的一侧,所述凸起,设置在所述基材层与所述熔射层相对的一侧。
在一些实施例中,所述拆卸件包括螺丝,以及与所述螺丝匹配的螺孔槽、螺纹孔;
所述螺纹孔,设置在所述基材层,所述螺孔槽设置在所述熔射层与所述基材层相对的一侧;或
所述螺纹孔,设置在所述熔射层,所述螺孔槽设置在所述基材层与所述熔射层相对的一侧。
在一些实施例中,所述熔射层包括基底,以及设置在该基底上的吸附层;所述吸附层,通过对所述基底进行处理而形成。
本发明实施例还提供了一种掩膜版的清洗方法,用于对上所述的掩膜版进行清洗,包括:
通过所述拆卸件,将所述熔射层与所述基材层剥离,得到剥离后的熔射层;
对所述剥离后的熔射层,进行清洗,得到清洗后的熔射层;
通过所述拆卸件,将所述清洗后的熔射层固定在所述基材层上。
在一些实施例中,所述对所述剥离后的熔射层,进行清洗,得到清洗后的熔射层步骤之后还包括:对所述清洗后的熔射层进行喷砂处理。
本发明实施例的掩膜版,通过设置拆卸件,先将熔射层从基材层上拆卸下来,再对熔射层单独进行清洗,降低了掩膜版受损的几率。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1为本发明实施例提供的掩膜版的第一结构示意图;
图2为本发明实施例提供的掩膜版的第二结构示意图;
图3为本发明实施例提供的掩膜版的第三结构示意图;
图4为本发明实施例提供的掩膜版的清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本发明实施例提供了一种掩膜版。请参照图1,图1为本发明实施例提供的掩膜版的结构示意图。如图1所示,该掩膜版1包括基材层11、熔射层12以及拆卸件13。其中,该掩膜版1用于对显示装置进行物理气相沉积。显示装置可以为液晶显示装置、OLED显示装置以及阴极射线管显示装置等类型的显示装置,在此不对显示装置的具体类型进行限定。物理气相沉积是制备硬质薄膜的常用技术,具体包括真空蒸发镀膜技术、真空溅射镀膜技术和离子镀膜技术等,在此不作具体限定。
基材层11可以使用耐高温材料制成,比如钛、铝以及铬等材料中的一种或多种。
如图1所示,拆卸件13用于在使用掩膜版1对显示装置进行物理气相沉积时,将熔射层12固定在基材层11上。这样熔射层12吸附的颗粒2不会掉下,不会对显示装置的品质造成影响。
拆卸件13还用于在清除上述颗粒2时,将熔射层12从基材层11上剥离。这样可以只对剥离后的熔射层12进行清洗,用于清洗的酸性液体,不会使掩膜版1上基材层11受到损害,从而降低了掩膜版1的受损率。
在对剥离后的熔射层12进行清洗操作后,再将经过清洗的熔射层12,通过该拆卸件13固定在基材层11上。优选的,对剥离后的熔射层12进行清洗操作后,可以对清洗后的熔射层12进行喷砂操作,使清洗后的熔射层12依旧具有较大的粗糙度,以吸附颗粒2。
在一些实施例中,如图1所示,拆卸件13包括粘贴层131。具体的,该粘贴层131设置在基材层11和熔射层12之间,用于将该熔射层12固定在基材层11上。当熔射层12吸附的颗粒2过多时,可以将粘贴层131从基材层11上剥离下来,即将基材层11与熔射层12、粘贴层131分离。然后单独使用酸性液体对剥离后的熔射层12进行清洗,有效避免了酸性液体对基材层11的侵蚀。最后将清洗后的熔射层12,继续通过粘贴层131固定在基材层11上。
该粘贴层131的组成材料由具有耐高温、强附着力的材料组成,优选的,可以使用聚酰亚胺或亚克力中的一种或全部来制备该粘贴层131。优选的,可以将粘贴层131的厚度范围设置为50-90微米之间。
在一些实施例中,如图2或3所示,拆卸件13包括凹槽132和与该凹槽132匹配的凸起133。如图2所示,该凹槽132可以设置在基材层11与熔射层12相对的一侧,凸起133可以设置在熔射层12与基材层11相对的一侧。如图3所示,该凹槽132可以设置在熔射层12与基材层11相对的一侧,该凸起133可以设置在基材层11与熔射层12相对的一侧。
不论凹槽132和凸起133,是如图2所示的设置方式,还是如图3所示的设置方式,在使用掩膜版1对显示装置进行物理气相沉积时,可以将凸起133插入凹槽132中,将熔射层12固定在基材层11上。在清除熔射层12上的颗粒2时,将凸起133从凹槽132中取出,先将熔射层12从基材层11上剥离,再单独使用酸性液体对剥离后的熔射层12进行清洗,有效避免了酸性液体对基材层11的侵蚀。
在一些实施例中,拆卸件13还包括螺丝,以及与上述螺丝匹配的螺孔槽、螺纹孔。该螺纹孔可以设置在基材层11上,该螺孔槽设置在熔射层12与基材层11相对的一侧。该螺纹孔还可以设置在熔射层12上,螺孔槽设置在基材层11与熔射层12相对的一侧。综上,在使用掩膜版1对显示装置进行物理气相沉积时,可以将螺丝从螺纹孔中穿过,插入螺孔槽中,将熔射层12固定在基材层11上。在清除熔射层12上的颗粒2时,先将螺丝从螺孔槽中取出,将熔射层12从基材层11上剥离,再单独使用酸性液体对剥离后的熔射层12进行清洗,有效避免了酸性液体对基材层11的侵蚀。
熔射层12用于吸附颗粒2。该颗粒2在使用掩膜版1对显示装置进行物理气相沉积时产生。当拆卸件13包括粘贴层131时,可以对该粘贴层131进行喷砂处理,形成具有较大粗糙度的熔射层12。
当拆卸件13包括凹槽132,以及与凹槽132匹配的凸起133时,或当拆卸件13包括螺丝,以及与螺丝匹配的螺孔槽、螺纹孔时,该熔射层12可以由具有耐高温特性以及较强吸附力的材料制备。在一些实施例中,该熔射层12还可包括基底,以及设置在基底上的吸附层,其中,该吸附层通过对基底进行喷砂处理而形成。具体的,该基底的组成材料可以为钛、铝或铬等金属中的一种或多种组成。
本发明实施例的掩膜版,通过设置拆卸件,先将熔射层从基材层上拆卸下来,再对熔射层单独进行清洗,降低了掩膜版受损的几率。
本发明实施例还提供了一种掩膜版的清洗方法,请参照图3,图3为本发明实施例提供的掩膜版的清洗方法的流程示意图。如图3所示,该掩膜版的清洗方法的具体步骤,包括:
步骤S101,通过拆卸件,将熔射层与基材层剥离,得到剥离后的熔射层。
在一些实施例中,如图1所示,该拆卸件13包括粘贴层131,此时可以通过直接将粘贴层13从基材层11上剥离下来,来实现将熔射层12与基材层11的剥离。
在一些实施例中,如图2或3所示,拆卸件13包括凹槽132和与该凹槽132匹配的凸起133。此时可以通过将凸起133从凹槽132中取出,来实现将熔射层12与基材层11的剥离。
在一些实施例中,拆卸件13还包括螺丝,以及与上述螺丝匹配的螺孔槽、螺纹孔。此时,可以通过将螺丝从螺孔槽中取出,来实现将熔射层12与基材层11的剥离。
步骤S102,对剥离后的熔射层,进行清洗,得到清洗后的熔射层。
具体的,可以通过酸性液体,对剥离后的熔射层进行清洗,清除该熔射层吸附的颗粒,得到清洗后的熔射层。优选的,对剥离后的熔射层12进行清洗操作后,可以对清洗后的熔射层12进行喷砂操作,使清洗后的熔射层12依旧具有较大的粗糙度,以吸附颗粒2。
步骤S103,通过拆卸件,将清洗后的熔射层固定在基材层上。
如图1所示,当拆卸件13包括粘贴层131时,可以继续通过该粘贴层13,将熔射层12固定在基材层11上。
如图2或3所示,当拆卸件13包括凹槽132和与该凹槽132匹配的凸起133时,可以通过将凸起133插入凹槽132中,来将熔射层12固定在基材层11上。
当拆卸件13包括螺丝,以及与上述螺丝匹配的螺孔槽、螺纹孔时,可以将螺丝从螺纹孔中穿过,插入螺孔槽中,将熔射层固定在基材层上。
本发明实施例的掩膜版的清洗方法,通过拆卸件,先将熔射层从基材层上拆卸下来,再对熔射层单独进行清洗,降低了掩膜版受损的几率。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种掩膜版,用于对显示装置进行物理气相沉积,其特征在于,包括:基材层、熔射层,以及拆卸件;
所述熔射层,用于吸附颗粒,所述颗粒在使用所述掩膜版对所述显示装置进行物理气相沉积时产生;
所述拆卸件,用于在使用所述掩膜版对所述显示装置进行物理气相沉积时,将所述熔射层固定在所述基材层上,所述拆卸件,用于在清除所述颗粒时,将所述熔射层从所述基材层上剥离,以及所述拆卸件,用于在剥离后的所述熔射层经过清洗后,再次将经过清洗的所述熔射层固定在所述基材层上;
其中,所述拆卸件包括粘贴层,或者所述拆卸件包括凹槽与所述凹槽匹配的凸起,或者所述拆卸件包括螺丝、以及与所述螺丝匹配的螺孔槽、螺纹孔;
当所述拆卸件包括粘贴层时,所述粘贴层设置在所述基材层和所述熔射层之间,经过清洗的所述熔射层继续通过所述粘贴层固定在所述基材层上;
当所述拆卸件包括凹槽与所述凹槽匹配的凸起时,所述凹槽设置在所述基材层与所述熔射层相对的一侧,所述凸起设置在所述熔射层与所述基材层相对的一侧,或所述凹槽设置在所述熔射层与所述基材层相对的一侧,所述凸起设置在所述基材层与所述熔射层相对的一侧,经过清洗的所述熔射层继续通过将所述凸起插入所述凹槽中的方式固定在所述基材层上;
当所述拆卸件包括螺丝、以及与所述螺丝匹配的螺孔槽、螺纹孔时,所述螺纹孔设置在所述基材层,所述螺孔槽设置在所述熔射层与所述基材层相对的一侧,或所述螺纹孔设置在所述熔射层,所述螺孔槽设置在所述基材层与所述熔射层相对的一侧,经过清洗的所述熔射层继续通过将所述螺丝从所述螺纹孔中穿过一插入螺孔槽中的方式固定在所述基材层上。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,当所述拆卸件包括粘贴层时,所述熔射层通过对所述粘贴层进行喷砂处理而形成。
3.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述粘贴层的厚度范围为50-90微米之间。
4.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于所述粘贴层的组成材料包括聚酰亚胺或亚克力中的一种或全部。
5.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,当所述拆卸件包括凹槽与所述凹槽匹配的凸起,或者当所述拆卸件包括螺丝,以及与所述螺丝匹配的螺孔槽、螺纹孔时,所述熔射层包括基底,以及设置在该基底上的吸附层;所述吸附层,通过对所述基底进行喷砂处理而形成。
6.一种掩膜版的清洗方法,用于对如权利要求1-5任意一项所述的掩膜版进行清洗,其特征在于,包括:
通过所述拆卸件,将所述熔射层与所述基材层剥离,得到剥离后的熔射层;
对所述剥离后的熔射层,进行清洗,得到清洗后的熔射层;
通过所述拆卸件,将所述清洗后的熔射层固定在所述基材层上。
7.根据权利要求6所示的掩膜版的清洗方法,其特征在于,所述对所述剥离后的熔射层,进行清洗,得到清洗后的熔射层步骤之后还包括:对所述清洗后的熔射层进行喷砂处理。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9446437B1 (en) * 2004-01-22 2016-09-20 John E. Tadych Methods of cleaning and protecting surfaces and isolating volumes
US20060162739A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation Cleaning chuck in situ
KR101583167B1 (ko) * 2011-09-05 2016-01-07 가부시끼가이샤 도시바 레티클 척 클리너 및 레티클 척 클리닝 방법
CN104438226B (zh) * 2014-12-02 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板清洁系统
CN106756834A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 一种真空溅镀机防着板及其制备方法

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