JP2005330566A - 防着フィルムを用いた真空成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 真空成膜装置内の、成膜物質が付着堆積してはならない場所に、少なくとも片面が粗化された防着フィルムを、その粗化面が成膜物質の付着堆積する側に向くように設置する真空成膜方法。前記防着フィルムの厚さは5〜300μmであることが好ましく、粗化面の算術平均粗さがRa>0.5μmであることが好ましい。防着フィルムの材質は金属を主成分とすることが好ましく、中でも銅を含むことが好ましい。
Description
(1)真空成膜装置内の、成膜物質が付着堆積してはならない場所に、少なくとも片面が粗化された防着フィルムを、その粗化面が成膜物質の付着堆積する側に向くように設置する真空成膜方法。
(2)前記防着フィルムの厚さが5〜300μmである(1)の真空成膜方法。
(3)前記防着フィルムが金属を主成分とする(1)、(2)の真空成膜方法。
(4)前記金属が銅を含む(3)の真空成膜方法。
(5)前記粗化面の算術平均粗さがRa>0.5μmである(1)〜(4)の真空成膜方法。
(6)成膜プロセス終了後、もしくは大気開放時に前記防着フィルムを交換更新する(1)〜(5)の真空成膜方法。
である。
(実施例1)
厚さ18μmで片面が粗化された銅フィルムを防着フィルム(1)として、図1に示すスパッタリング装置の真空室(2)内壁に、成膜物質が粗化面へ堆積するように取り付けた。粗化面の算術平均粗さはRa=1.3μmであった。具体的には図1に示すように真空室(2)の内壁、シャッター(3)、基材ホルダー(4)へ防着フィルム(1)を巻きつけて、固定にはポリイミド耐熱テープを使用した。基材ホルダー(4)に大きさ150mm角で厚さ100μmのポリエーテルスルホンフィルムを基材(5)として取り付けたあと、真空室(2)内を真空ポンプ(6)で5×10−4Paまで排気した。基材ホルダー回転軸(7)に取り付けられたモーターを始動し、基材ホルダー(4)を回転させながら、ガス導入ライン(8)からアルゴンガスを導入し真空室(2)内の圧力を0.3Paにしたところで、スパッタ電源(9)を起動し、ターゲット(10)に500Wの電力を印加し、ターゲット(10)上にプラズマを発生させた。スパッタ電源(9)にはRF電源を、ターゲット(10)にはSiO2を使用した。プロセスが安定するまで15分ほどこの状態で待った。このとき防着フィルム(1)を巻きつけたシャッター(3)やターゲット(10)周囲の真空室(2)内壁は、防着フィルム(1)上に成膜物質が次々と堆積している状態が観察された。プロセスが安定したところで、シャッター(3)を図1中の矢印方向にスライドさせて基材(5)への成膜を開始した。事前に同条件にてSiO2膜が厚さ100nm堆積する時間を調べておき、成膜を開始してから該時間になったところでシャッター(3)を成膜開始時と逆方向にスライドさせて成膜を終了した。基材ホルダー(4)の回転を停止した後、真空室(2)内に大気を導入し、SiO2薄膜が着膜された基材(5)を取り出した。真空室(2)内の防着フィルム(1)を目視観察したところ堆積物が剥れて飛散しているようなところは見られなかった。使用済みの防着フィルム(1)を図1のスパッタリング装置から取り除き、新しい防着フィルム(1)を設置する作業は概ね10分で完了した。
厚さ2mmのステンレス製の防着プレートを防着フィルム(1)の代わりに用いた。防着プレート(1)の固定は真空室(2)の内壁、シャッター(3)、基材ホルダー(4)にネジ穴を作成し、ネジで固定した。防着プレートは実施例1の防着フィルム(1)を設置したときと全く同じ位置に設置した。実施例1と同様に基材ホルダー(4)に大きさ150mm角で厚さ100μmのポリエーテルスルホンフィルムを基材(5)として取り付け、実施例1と同じ方法にてスパッタリング成膜および評価を行った。成膜終了後、基材(5)を取り出した後に、実施例1と同様に防着プレート(1)を目視観察したところ、シャッター(3)のターゲット側面に設置した防着プレート(1)およびターゲット(10)に近い真空室(2)内壁で、堆積物の剥離、飛散が見られた。使用済みの防着プレート(1)を図1のスパッタリング装置から取り出し、すべての防着プレート(1)をヤスリ、サンダーやリューターなどで研磨した。その後、研磨された防着プレート(1)に付着している研磨紛をアルコールなどで拭き取り除去し、スパッタリング装置内に設置を行ったが作業が完了するまでに概ね2時間を要した。取り出した基材(5)の付着異物について、実施例1と同様に評価を行ったところ2.6個/cm2であった。
ディスプレイやタッチパネルなどの表示デバイス、包装などに用いられるガスバリア性フィルムなど、各分野で利用されている真空成膜法による薄膜について、従来よりも欠陥の少ない薄膜を提供することでその品質向上に貢献することができる。
2 真空室
3 シャッター
4 基材ホルダー
5 基材
6 真空ポンプ
7 基材ホルダー回転軸
8 ガス導入ライン
9 スパッタ電源
10 ターゲット
Claims (6)
- 真空成膜装置内の、成膜物質が付着堆積してはならない場所に、少なくとも片面が粗化された防着フィルムを、その粗化面が成膜物質の付着堆積する側に向くように設置する真空成膜方法。
- 前記防着フィルムの厚さが5〜300μmである請求項1記載の真空成膜方法。
- 前記防着フィルムが金属を主成分とする請求項1または2記載の真空成膜方法。
- 前記金属が銅を含む請求項3記載の真空成膜方法。
- 前記粗化面の算術平均粗さがRa>0.5μmである請求項1〜4いずれか記載の真空成膜方法。
- 成膜プロセス終了後、もしくは大気開放時に前記防着フィルムを交換更新する請求項1〜5いずれか記載の真空成膜方法。
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JP2004151973A JP2005330566A (ja) | 2004-05-21 | 2004-05-21 | 防着フィルムを用いた真空成膜方法 |
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JP2004151973A JP2005330566A (ja) | 2004-05-21 | 2004-05-21 | 防着フィルムを用いた真空成膜方法 |
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JP2005330566A true JP2005330566A (ja) | 2005-12-02 |
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ID=35485433
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2004
- 2004-05-21 JP JP2004151973A patent/JP2005330566A/ja active Pending
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