WO2013047232A1 - スパッタリング用タンタル製コイルの再生方法及び該再生方法によって得られたタンタル製コイル - Google Patents

スパッタリング用タンタル製コイルの再生方法及び該再生方法によって得られたタンタル製コイル Download PDF

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Definitions

  • a coil in order to prevent generation of particles and arcing, a coil is arranged so as to surround a space between the substrate and the sputtering target in the sputtering apparatus.
  • the present invention relates to a method for regenerating a tantalum coil for sputtering, which regenerates the coil by removing sputtered particles deposited on the surface of a used coil, and a regenerated tantalum coil.
  • the tantalum coil for sputtering has a curved surface as shown in the drawings, which will be described later, but the surface of the coil can be an inner surface or an outer surface. Therefore, “the surface of the coil” described below means both the inner surface and the outer surface of the coil. The same applies hereinafter.
  • a sputtering method capable of easily controlling the film thickness and components has been frequently used as one of film forming methods for materials for electronic and electrical parts.
  • a target composed of a positive electrode and a negative electrode is opposed to each other, and an electric field is generated by applying a high voltage between the substrate and the target in an inert gas atmosphere.
  • Ionized electrons collide with inert gas to form a plasma, and cations in the plasma collide with the target (negative electrode) surface to strike out target constituent atoms, and the surface of the substrate where the ejected atoms face each other
  • This is based on the principle that a film is formed by adhering to the film.
  • a coil is arranged in a space portion between a sputtering target and a substrate to increase the density of plasma and to make the flying sputtered particles face the substrate as much as possible.
  • the sputtering rate is increased, the uniformity of the film is improved, and the quality of the film deposited on the substrate can be improved comprehensively.
  • This coil may be sputtered and eroded, but may not be sputtered and sputtered particles may come and adhere (a redeposited film may be formed). This changes according to the bias to the coil (see Patent Documents 1 and 2).
  • the coil material is often the same material as the target material or a material constituting a part of the material constituting the sputtered film deposited on the substrate.
  • the shape of the coil ranges from a circular shape to a spiral type (see Patent Documents 1, 2, and 3), and there are examples in which these are arranged in multiple stages.
  • the coil as described above is arranged between the target and the substrate to increase the plasma density and to make the flying sputtered particles face the substrate as much as possible
  • the thin film forming apparatus other than the substrate Although the amount of flight to the inner wall and the equipment inside is reduced, there is a problem that it accumulates on the coil itself.
  • Patent Document 3 proposes that the upper end on the inner surface side of the coil is scraped to reduce the thickness of the inner periphery.
  • the upper end of the coil is sharply pointed upward, so that deposits that should accumulate on the top of the coil will not be washed off and collected, and new sputtered particles will collide and clean.
  • the upper part of the coil is not the only part deposited by sputtering. It can also deposit on the surface of the coil, ie the outer and inner surfaces. In this case, the flakes peeled off from the surface of the coil on which the sputtered particles are deposited are scattered and adhered directly to the substrate surface, causing the generation of particles, but this measure is not taken. As described above, the generation of particles from such locations is also a major problem because of the demand for higher integration and miniaturization of electronic device circuits.
  • Patent Document 4 discloses that a diamond-like or cross-hatch-like (mesh-like) pattern is formed by knurling on a coil used for a flange, a side wall, a shield, a cover ring and the like of a target.
  • the depth is 0.350 mm to 1.143 mm.
  • the unevenness of the processed surface is a simple shape, there is a possibility that a sufficient anchor effect cannot be obtained.
  • Patent Document 5 proposes that the deposited material is exposed to at least one etching solution selected from the group consisting of H 3 PO 4 , HNO 3 and HF in order to extend the reuse life of the processing kit.
  • Patent Document 6 and Patent Document 7 propose to remove particles (redeposited film) attached by etching or pickling. In order to remove the redeposite membrane stably and efficiently with these techniques, there are still further improvements.
  • an object of the present invention is to efficiently regenerate a tantalum coil, thereby eliminating the waste of manufacturing a new coil, improving productivity, and providing a technique that can stably provide the coil. If the coil can be regenerated, it is possible to improve the quality and productivity of electronic components and provide a technology that can stably provide semiconductor elements and devices.
  • the present invention is 1) A method for regenerating a tantalum coil for sputtering disposed between a substrate and a sputtering target, wherein a used tantalum coil is cut entirely or partially to form irregularities and knurling on a redeposited film or an erosion part.
  • the tantalum for sputtering is characterized by removing the redeposition film formed during sputtering by cutting until a smooth surface is obtained after removing the processing trace, and then applying new knurling to the cut location.
  • a method for regenerating a coil is defined as Ra ⁇ 1.6 ⁇ m.
  • the present invention also provides: 2) Cutting and cutting conditions of 0.4 to 0.8 mm, feed 0.05 to 0.2 mm / rev, and rotation speed 20 to 80 rpm eliminate the unevenness and knurling marks on the redeposited film or erosion part, and smooth
  • the method for regenerating a tantalum coil for sputtering according to any one of claims 1 to 4) 4)
  • the roughness of the new knurling process is Ra ⁇ 15 ⁇ m.
  • Regeneration method of tantalum coil for sputtering 5) Variation in coil thickness after newly knurled coiling (difference between maximum thickness and minimum thickness) The method for regenerating a tantalum coil for sputtering according to any one of 1 to 4 above, wherein the cutting amount is adjusted according to the thickness of the redeposited film, The method for regenerating a tantalum coil for sputtering according to any one of 1 to 5 above. 7) The tantalum coil for sputtering obtained by the method for regenerating a tantalum coil for sputtering according to any one of 1 to 6 above. Coil.
  • sputtered particles are deposited (redeposited) on the surface of a tantalum coil placed between the substrate and the sputtering target.
  • the sputtered particles deposited on the used coil are cut after the sputtering is completed.
  • coil reproduction can be performed easily and with high accuracy, so that it is possible to improve the quality and productivity of electronic components and provide a technology that can stably provide semiconductor elements and devices.
  • the sputtered particles deposited on the surface of the coil are peeled off, and the flakes are scattered and attached to the substrate surface, preventing the generation of particles, The occurrence of arcing can be suppressed, and the removal of sputtered particles deposited on the surface of the coil can be effectively suppressed.
  • particles sputtered from the tantalum target are not only on the wafer but also on the surface of the tantalum coil around the target.
  • Deposit and deposit form redepo film. Also, this coil expands upon receiving heat during sputtering.
  • the film peels off due to an increase in stress, and the film flies and adheres to the substrate, causing particles and arcing.
  • the coil is knurled, the surface is roughened, and the peeling resistance is improved.
  • This knurling process is to form irregularities by strongly pressing the knurl against the work or cutting the work with the knurl.
  • the present invention can perform such a knurling coil regeneration process.
  • a typical example of a knurled coil is shown in FIG.
  • the used tantalum coil As described above, particles scattered by sputtering adhere to the used tantalum coil. In general, this is called a redepo film.
  • the cost can be reduced.
  • the entire surface or a part of the used tantalum coil is drawn by cutting to remove the redeposit film formed during sputtering.
  • One surface drawing in this case means cutting until the unevenness of the redeposited film or the erosion part and the knurling trace are eliminated, that is, until a smooth surface is obtained.
  • the cutting conditions in this case are as follows.
  • the cutting depth is 0.4 to 0.8 mm
  • the feed is 0.05 to 0.2 mm / rev
  • the rotation speed is 20 to 80 rpm.
  • a new knurling is applied to the cut portion to regenerate the tantalum coil for sputtering.
  • the variation in the coil thickness after the new knurling process difference between the maximum thickness and the minimum thickness
  • the variation in the coil thickness is large, the coil may be deformed into a deformed shape due to the thermal effects of sputtering when reused, and the thickness of the redeposited film or the erosion part of the coil is likely to fluctuate. It is.
  • the amount of cutting can be adjusted by the thickness of the redeposition film or the thickness of the coil portion that has undergone erosion.
  • the present invention can provide a tantalum coil for sputtering obtained by the method for regenerating a tantalum coil for sputtering as described above.
  • a tantalum coil regenerated under the conditions of the present invention can ensure the same quality as a new coil.
  • Example 2 For a coil in which a redepo film is attached to a part of the coil and half of the coil is subjected to erosion, the inner surface, the upper and lower edge portions, and the outer surface are cut into 0.8 mm, the feed is 0.2 mm / rev, and the rotational speed is 20 to 50 rpm.
  • One surface was drawn by cutting. That is, cutting was performed until the redeposited film and the knurling trace disappeared and became smooth. Next, a new knurling process was performed on the cut portion.
  • sputter particles are deposited (redeposited) on the surface of a tantalum coil disposed between a substrate and a sputtering target during sputtering. It is possible to cut the sputtered particles and efficiently regenerate the tantalum coil, thereby eliminating the waste of new coil production, improving productivity, and providing an excellent effect that can stably provide the coil. Have.
  • coil reproduction can be performed easily and with high accuracy, so that it is possible to improve the quality and productivity of electronic components and provide a technology that can stably provide semiconductor elements and devices.
  • this regenerative coil as with a new coil, the sputtered particles deposited on the surface of the coil are peeled off, and the flakes are scattered and attached to the substrate surface, preventing the generation of particles, Since arcing can be suppressed and the spattering of the sputtered particles deposited on the surface of the coil can be effectively suppressed, it is useful for a sputtering apparatus using a tantalum coil.

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Abstract

基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法であって、使用済みのタンタル製コイルをコイル全面あるいは一部を切削加工により、一面引き（リデポ膜及びナーリング加工跡がなくなるまで切削）して、スパッタリング中に形成されたリデポ膜を除去し、その後、切削した箇所に、新たにナーリングをかけることを特徴とするスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法に関する。スパッタリング中に、基板とスパッタリングターゲットとの間に配置したタンタル製コイルの表面にスパッタ粒子が堆積（リデポ）するが、スパッタリング終了後に、この使用済みのコイルに堆積したスパッタ粒子を切削により除去して、タンタル製コイルを効率良く再生するものであり、これによって新コイル作製の無駄を排除し、生産性を向上させ、同コイルを安定して提供できる技術を提供することを課題とする。

Description

スパッタリング用タンタル製コイルの再生方法及び該再生方法によって得られたタンタル製コイル
　本発明は、パーティクル及びアーキングの発生の原因となることを防止するために、スパッタリング装置内の基板とスパッタリングターゲットとの間の空間部を囲むようにコイルを配置するが、スパッタリングの終了後、この使用済みのコイルの表面に堆積したスパッタ粒子を除去して同コイルを再生する、スパッタリング用タンタル製コイルの再生方法及び再生したタンタル製コイルに関する。
 スパッタリング用タンタル製コイルは、後述する図面に示すように湾曲した曲面を持つが、コイルの表面は内表面と外表面のいずれの表面も対象となる。したがって、以下に記述する「コイルの表面」は、コイルの内表面と外表面の双方を意味することとする。以下、同様である。
 近年、膜厚や成分を容易に制御できるスパッタリング法が、電子・電気部品用材料の成膜法の一つとして多く使用されている。
 このスパッタリング法は正の電極と負の電極とからなるターゲットとを対向させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理を用いたものである。
 最近のスパッタリング技術として、スパッタリングターゲットと基板との間の空間部にコイルを配置して、プラズマの密度を高め、かつ飛翔するスパッタ粒子を極力基板方向に向かわせるようにする技術がある。この結果、スパッタリング速度が速くなり、膜の均一性が良好となり、総合的に基板へ堆積される膜の品質を高めることができるものである。このコイルは、スパッタされてエロージョンを受ける場合もあるが、スパッタされずに、スパッタ粒子が飛来して付着する（リデポ膜が形成される）場合もある。これは、コイルへのバイアスに応じて変わるものである（特許文献１、２参照）
　以上から、一般にコイルの材料はターゲット材料と同一の材料か又は基板上に堆積するスパッタ膜を構成する材料の一部を構成する材料を使用することが多い。しかし、特にコイル材が基板上の薄膜を汚染しない材料であれば、特に制限されない。また、コイルの形状も円形のものから螺旋式のものがあり（特許文献１、２、３参照）、これらを多段に配置する例もある。
　ところが、ターゲットと基板との間に上記のようなコイルを配置し、プラズマの密度を高め、かつ飛翔するスパッタ粒子を極力基板方向に向かわせるようにした場合には、基板以外の薄膜形成装置の内壁や内部にある機器に飛翔する量が減少するが、コイル自体に堆積するという問題がある。
 このような問題を避けるために、前記特許文献３では、コイルの内面側の上端を削り、内周の厚さを減少させるという提案がなされている。この場合、コイルの上端部は上に向かって鋭く尖った形状になるので、コイルの頂部に堆積するはずの堆積物が、払い落とされ溜まることがなく、また新たなスパッタ粒子が衝突するので清浄化されているという説明がなされている。
 しかし、スパッタリングにより堆積する部位は、コイルの上端だけではない。コイルの表面、すなわち外表面及び内表面にも堆積する可能性がある。この場合には、スパッタ粒子が堆積したコイルの表面から剥離した薄片が直接基板表面に飛散して付着し、パーティクル発生の原因となるが、この対策が講じられていない。上記のように電子デバイス回路の高集積度化や微細化の要請から、このような箇所からのパーティクルの発生も大きな問題となる。
 このような問題を解決しようとして、ターゲット側面及びバッキングプレートの近傍部分をブラスト処理し、アンカー効果により付着力を向上させる提案がある。
 しかし、この場合、ブラスト材の残留による製品への汚染の問題、残留ブラスト材上に堆積した付着粒子の剥離の問題、さらには付着膜の選択的かつ不均一な成長による剥離の問題が新たに生じ、根本的解決にはならない。特に、コイルがタンタルのような硬質の材料では、ブラスト処理する程度では、凹凸を設けることすら困難であり、効果的な付着力の増強効果を得ることはできない。
 また、特許文献４には、ターゲットのフランジ、側壁、シールド、カバーリング等に使用するコイルに、ダイヤモンド状又はクロスハッチ状（網目状）のパターンをナーリング加工により形成することが開示されている。この場合、深さが０．３５０ｍｍ～１．１４３ｍｍとしているが、加工面の凹凸が単純な形状なので、充分なアンカー効果が得られない可能性がある。
　上記の通り、使用済みのコイルは、大きく分けて２種類あるが、エロージョンを受けないコイルの場合には、リデポ膜を除去する必要がある。このリデポ膜を除去せずに、再使用すると、リデポ膜が剥離し、パーティクルの発生原因となるからである。
 このようなスパッタリング法による薄膜の形成において、スパッタリングが終了した後、使用済みのコイルからリデポ膜を効率よく除去し、コイルを再生できれば、大きくコストダウンを図ることができる。
 従来、このような観点から特許文献がいくつか存在する。特許文献５は、処理キットの再使用寿命を延ばすために、堆積した材料をＨ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、ＨＦからなる群から選択した少なくとも１つのエッチング液に晒すことが提案されている。また、エッチング又は酸洗により付着したパーティクル（リデポ膜）の除去を行う提案が特許文献６及び特許文献７に提案されている。これらの技術でリデポ膜を、安定して効率良く除去するためには、さらに改良する点が残されている。
特表２００５－５３８２５７号公報 特開２００１－２１４２６４号公報 特表２００８－５３４７７７号公報 ＷＯ２００９／０９９７７５（ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０３１７７７） ＵＳ２００７／００１２６５８ ＣＮ１０１５１９７６７ ＣＮ１０１５９１７６７
 スパッタリング中に、基板とスパッタリングターゲットとの間に配置したタンタル製コイルの表面にスパッタ粒子が堆積（リデポ）するが、本発明は、スパッタリング終了後に、この使用済みのコイルに堆積したスパッタ粒子を切削して、タンタル製コイルを効率良く再生するものであり、これによって新コイル作製の無駄を排除し、生産性を向上させ、同コイルを安定して提供できる技術を提供することを課題とする。
 コイルの再生が可能となれば、電子部品の品質と生産性を向上させ、半導体素子及びデバイスを、安定して提供できる技術を提供することが可能となる。
 上記から、本願発明は、
１）基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法であって、使用済みのタンタル製コイルをコイル全面あるいは一部を切削加工により、リデポ膜又はエロージョン部の凹凸及びナーリング加工跡がなくなり、平滑な面が得られるまでの切削を行って、スパッタリング中に形成されたリデポ膜を除去し、その後、切削した箇所に、新たにナーリングをかけることを特徴とするスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法、を提供する。この場合の平滑な面とは、Ｒａ≦１．６μｍと定義する。
　また、本発明は、
２）切込み量０.４～０．８ｍｍ、送り０．０５～０．２ｍｍ／ｒｅｖ、回転数２０～８０ｒｐｍという条件の切削加工により、リデポ膜又はエロージョン部の凹凸及びナーリング加工跡がなくなり、平滑な面が得られるまでの切削を行うことを特徴とする上記１）に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法
３）タンタル製コイルが新たにナーリング加工した凹凸を備えることを特徴とする上記１～２のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法
４）新たなナーリング加工の粗さがＲａ≧１５μｍであることを特徴とする上記１～３のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法
５）新たにナーリング加工したナーリング加工後のコイル厚みのばらつき（最大厚みと最小厚みの差）が０．５ｍｍ以下であることを特徴とする上記１～４のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法
６）リデポ膜の厚さにより、切削量を調節することを特徴とする上記１～５のいずれか一項記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法
７）上記１～６のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法により得られたスパッタリング用タンタル製コイル、を提供する。
 スパッタリング中に、基板とスパッタリングターゲットとの間に配置したタンタル製コイルの表面にスパッタ粒子が堆積（リデポ）するが、本発明により、スパッタリング終了後に、この使用済みのコイルに堆積したスパッタ粒子を切削して、タンタル製コイルを効率良く再生することが可能であり、これによって新コイル作製の無駄を排除し、生産性を向上させ、同コイルを安定して提供できる優れた効果を有する。
 本発明により、コイルの再生を簡便に、かつ高精度に行うことができるので、電子部品の品質と生産性を向上させ、半導体素子及びデバイスを、安定して提供できる技術を提供することができる。また、この再生コイルにおいても、新品のコイル同様に、コイルの表面に堆積したスパッタ粒子が剥離し、その薄片が基板表面に飛散して付着して、パーティクル発生の原因となることを防止し、アーキングの発生を抑制することができ、該コイルの表面に堆積するスパッタ粒子の剥落を効果的に抑制することができる。
コイルの外観写真である。
 タンタル製コイルを基板とスパッタリングターゲットとの間の空間部を囲むように配置した、スパッタリング装置では、タンタルターゲットからスパッタされた粒子はウエハ以外に、ターゲットの周りにあるタンタル製のコイルの表面にもデポジットし堆積する（リデポ膜の形成）。また、このコイルはスパッタリング中に熱を受けて膨張する。
 コイルの表面の堆積厚みが増すと、応力増加により膜が剥離し、これが基板に飛来して付着し、パーティクルやアーキングの原因となる。これを防止するため、一般にコイルにナーリング加工を行い、表面を粗化する加工を行い、耐剥離性を向上させる作業を行っている。このナーリング加工はローレットをワークに強く押し当てること又はローレットでワークを切削することで凹凸を形成するものである。本願発明は、このようなナーリング加工したコイルの再生処理を行うことができる。ナーリング加工したコイルの代表例を図１に示す。
 使用済みのタンタル製コイルには、上記の通り、スパッタリングにより飛散してきた粒子が付着する。一般に、これをリデポ膜と称している。タンタル製のコイルを再生することにより、コストを低減化することが可能となる。
 再生に際しては、使用済みのタンタル製コイルの全面あるいは一部を切削加工により、一面引きして、スパッタリング中に形成されたリデポ膜を除去する。この場合の一面引きは、リデポ膜又はエロージョン部の凹凸及びナーリング加工跡がなくなるまで、すなわち平滑な面が得られるまでの切削を意味する。
 上記の通り、タンタル製コイルのナーリング加工した凹凸の部位に付着したリデポ膜を効果的に除去することができる。この場合の切削加工条件は、次の通りとする。
 切込み量０.４～０．８ｍｍ、送り０．０５～０．２ｍｍ／ｒｅｖ、回転数２０～８０ｒｐｍとする。
 その後、切削した箇所に、新たにナーリングをかけてスパッタリング用タンタル製コイルを再生する。この場合、新たにナーリング加工したナーリング加工後のコイル厚みのばらつき（最大厚みと最小厚みの差）が０．５ｍｍ以下となるようにすることが望ましい。コイル厚みのばらつきが大きいと、コイルが再使用時にスパッタリングの熱影響を受けて異形に変形する可能性があり、またリデポ膜の厚さ又はコイルのエロージョン部位も変動し易くなるという問題を生ずるからである。
 リデポ膜の厚さ又はエロージョンを受けたコイル部分の厚さにより、切削量を調節することが可能である。本発明は、上記のようにして、スパッタリング用タンタル製コイルの再生方法により得られたスパッタリング用タンタル製コイルを提供することができる。本発明の条件により再生したタンタル製コイルは、新品と同様の品質を確保することができる。
　次に、実施例について説明する。なお、この実施例は理解を容易にするためのものであり、本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内における、他の実施例及び変形は、本発明に含まれるものである。
（実施例１）
 コイル全域がエロージョンされているＴａコイルについて、内面と上下エッジ部、外面を切込み量０．６ｍｍ、送り０．１ｍｍ／ｒｅｖ、回転数２５～６３ｒｐｍという条件の切削加工により一面引きを行った。すなわち、エロージョン部及びナーリング加工跡がなくなり、平滑になるまでの切削を行った。次に、この切削した部分に、新たに再ナーリング加工を行った。
 ナーリングの表面粗さはＲａ＝１８．５μｍとなり、コイル厚みのばらつき（最大厚みと最小厚みの差）は０．２５ｍｍであった。この結果、新品同様のコイルが得られた。
（実施例２）
 コイルの一部にリデポ膜が付着し、半分がエロージョンを受けているコイルについて、内面と上下エッジ部、外面を切込み量０．８ｍｍ、送り０．２ｍｍ／ｒｅｖ、回転数２０～５０ｒｐｍという条件の切削加工により一面引きを行った。すなわち、リデポ膜及びナーリング加工跡がなくなり、平滑になるまでの切削を行った。次に、この切削した部分に、新たに再ナーリング加工を行った。
 ナーリングの表面粗さはＲａ＝１７．６μｍであり、コイル厚みのばらつき（最大厚みと最小厚みの差）は０．３１ｍｍであった。この結果、新品同様のコイルが得られた。
（比較例１）
 コイル全域がエロージョンされているＴａコイルについて、内面と上下エッジ部、外面を切込み量１．０ｍｍ、送り０．２ｍｍ／ｒｅｖ、回転数６５～８０ｒｐｍという条件の切削加工により一面引きを行った。すなわち、リデポ膜及びナーリング加工跡がなくなるまでの切削を行った。表面粗さはＲａ＝２．５μｍであり、平滑な面は得られなかった。そして、その箇所に、新たに再ナーリング加工を行った。
 ナーリングの表面粗さはＲａ＝１７．８μｍであったが、切削加工の制御が十分でなかったために、コイル厚みのばらつき（最大厚みと最小厚みの差）は、０．５１ｍｍとなり、適切なコイルを得ることができなかった。
（比較例２）
 コイル全域がエロージョンされているＴａコイルについて、内面と上下エッジ部、外面を切込み量０．６ｍｍ、送り０．３ｍｍ／ｒｅｖ、回転数２５～６０ｒｐｍという条件の切削加工により一面引きを行った。すなわち、リデポ膜及びナーリング加工跡がなくなるまでの切削を行った。表面粗さはＲａ＝２．１μｍであり平滑な面は得られなかった。そして、その箇所に、新たに再ナーリング加工を行った。
 ナーリングの表面粗さはＲａ＝１８．３μｍであったが、切削加工の制御が十分でなかったために、コイル厚みのばらつき（最大厚みと最小厚みの差）は、６．３ｍｍとなり、適切なコイルを得ることができなかった。
 本発明は、スパッタリング中に、基板とスパッタリングターゲットとの間に配置したタンタル製コイルの表面にスパッタ粒子が堆積（リデポ）するが、本発明により、スパッタリング終了後に、この使用済みのコイルに堆積したスパッタ粒子を切削して、タンタル製コイルを効率良く再生することが可能であり、これによって新コイル作製の無駄を排除し、生産性を向上させ、同コイルを安定して提供できる優れた効果を有する。
 本発明により、コイルの再生を簡便に、かつ高精度に行うことができるので、電子部品の品質と生産性を向上させ、半導体素子及びデバイスを、安定して提供できる技術を提供することができる。また、この再生コイルにおいても、新品のコイル同様に、コイルの表面に堆積したスパッタ粒子が剥離し、その薄片が基板表面に飛散して付着して、パーティクル発生の原因となることを防止し、アーキングの発生を抑制するこができ、該コイルの表面に堆積するスパッタ粒子の剥落を効果的に抑制することができるので、タンタル製コイルを用いたスパッタリング装置に有用である。

Claims (7)

  1.  基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法であって、使用済みのタンタル製コイルを、コイル全面あるいは一部を切削加工により、リデポ膜又はエロージョン部の凹凸及びナーリング加工跡がなくなり、平滑な面が得られるまでの切削を行って、スパッタリング中に形成されたリデポ膜を除去し、その後、切削した箇所に、新たにナーリングをかけることを特徴とするスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法。
  2.  切込み量０.４～０．８ｍｍ、送り０．０５～０．２ｍｍ／ｒｅｖ、回転数２０～８０ｒｐｍという条件の切削加工により、リデポ膜又はエロージョン部の凹凸及びナーリング加工跡がなくなり、平滑な面が得られるまでの切削を行うことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法
  3.  タンタル製コイルが新たにナーリング加工した凹凸を備えることを特徴とする請求項１～２のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法。
  4. 　新たにナーリング加工したナーリング加工後の粗さがＲａ≧１５μｍであることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法。
  5.  新たにナーリング加工したナーリング加工後のコイル厚みのばらつき（最大厚みと最小厚みの差）が０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法。
  6.  リデポ膜の厚さにより、切削量を調節することを特徴とする請求項１～５のいずれか一項記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法。
  7.  請求項１～６のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法により得られたスパッタリング用タンタル製コイル。
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