KR101385344B1

KR101385344B1 - 스퍼터링용 탄탈제 코일 및 이 코일의 가공 방법

Info

Publication number: KR101385344B1
Application number: KR1020127020502A
Authority: KR
Inventors: 시로 츠카모토
Original assignee: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2010-03-29
Filing date: 2011-03-14
Publication date: 2014-04-14
Also published as: WO2011122317A1; KR20120099522A; CN102791903A; US20120318668A1; TWI510657B; EP2554710A1; US9371578B2; EP2554710A4; EP2554710B1; TW201144466A; CN102791903B

Abstract

기판과 스퍼터링 타깃 사이에 배치하는 탄탈제 코일로서, 그 코일 표면의 표면 조도 Rz 가 150 ㎛ 이상이고, 또한 가로 방향이 15 ∼ 30 TPI (Threads per inch), 세로 방향이 10 ∼ 30 TPI 인 요철을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 탄탈제 코일. 기판과 스퍼터링 타깃 사이에 배치한 탄탈제 코일에 있어서, 코일 표면에 퇴적된 스퍼터 입자가 박리되고, 그 박편이 기판 표면으로 비산하여 부착되어, 파티클 발생 및 아킹의 원인이 되는 것을 방지하기 위해서, 그 코일 표면에 퇴적되는 스퍼터 입자의 박락을 억제하기 위한 대책을 강구하는 것으로, 이로 인해 전자 부품의 품질과 생산성을 향상시켜, 반도체 소자 및 디바이스를 안정적으로 제공할 수 있는 기술을 제공하는 것을 과제로 한다.

Description

스퍼터링용 탄탈제 코일 및 이 코일의 가공 방법{TANTALUM COIL FOR SPUTTERING AND METHOD FOR PROCESSING THE COIL}

본 발명은, 파티클 및 아킹 (arcing) 의 발생 원인이 되는 것을 방지하기 위해서, 스퍼터링 장치에 사용하는 코일 표면에 퇴적되는 스퍼터 입자의 박락 (剝落) 을 효과적으로 억제할 수 있는 스퍼터링용 탄탈제 코일 및 동 코일의 가공 방법에 관한 것이다.

이 스퍼터링용 탄탈제 코일은, 후술하는 도면에 나타내는 바와 같이 만곡된곡면을 갖는데, 코일 표면은 내표면과 외표면 중 어느 표면도 대상이 된다. 따라서, 이하에 기술하는 「코일 표면」은, 코일의 내표면과 외표면의 쌍방을 의미하는 것으로 한다. 이하, 동일하다.

최근, 막두께나 성분을 용이하게 제어할 수 있는 스퍼터링법이 전자·전기 부품용 재료의 성막법 중 하나로서 많이 사용되고 있다.

이 스퍼터링법은 정 (正) 의 전극과 부 (負) 의 전극으로 이루어지는 타깃을 대향시키고, 불활성 가스 분위기하에서 이들 기판과 타깃 사이에 고전압을 인가하여 전장을 발생시키는 것으로, 이 때 전리된 전자와 불활성 가스가 충돌하여 플라스마가 형성되고, 이 플라스마 중의 양이온이 타깃 (부의 전극) 표면에 충돌하여 타깃 구성 원자를 쳐 내고, 이 떨어져 나온 원자가 대향하는 기판 표면에 부착되어 막이 형성된다고 하는 원리를 사용한 것이다.

최근의 스퍼터링 기술로서, 스퍼터링 타깃과 기판 사이에 코일을 배치하여, 플라스마의 밀도를 높이고, 또한 비상하는 스퍼터 입자를 최대한 기판 방향을 향하도록 하는 기술이 있다. 그 결과 스퍼터링 속도가 빨라지고, 막의 균일성이 양호해져, 종합적으로 기판에 퇴적되는 막의 품질을 높일 수 있는 것이다.

이 코일은, 스퍼터되는 경우도 있지만 스퍼터되지 않는 경우도 있다. 이것은, 코일에 대한 바이어스에 따라 바뀌는 것이다 (특허문헌 1, 2 참조).

이상으로부터, 일반적으로 코일의 재료는 타깃 재료와 동일한 재료이거나 또는 기판 상에 퇴적되는 스퍼터막을 구성하는 재료의 일부를 구성하는 재료를 사용하는 경우가 많다. 그러나, 특별히 코일재가 기판 상의 박막을 오염시키지 않는 재료이면, 특별히 제한되지 않는다. 또, 코일의 형상도 원형인 것에서부터 나선식인 것이 있고 (특허문헌 1, 2, 3 참조), 이들을 다단으로 배치하는 예도 있다.

이와 같은 스퍼터링법에 의한 박막의 형성시에 문제가 되는 것은 파티클의 발생이다. 일반적으로 파티클은, 기판 이외의 박막 형성 장치의 내벽이나 내부에 있는 기기의 도처에 퇴적될 가능성이 있다. 타깃의 이로전 (erosion) 부 이외의 면 및 측면에도, 스퍼터 입자가 퇴적되는 경우가 있다. 그리고, 이와 같은 박막 형성 장치 내에 있는 부재 등으로부터 박리된 박편이 직접 기판 표면으로 비산되어 부착되는 것이 파티클 발생의 큰 원인 중 하나라고 생각되고 있다.

최근에는, LSI 반도체 디바이스의 집적도가 높아지는 (16 M 비트, 64 M 비트 나아가서는 256 M 비트) 한편, 배선 폭이 0.25 ㎛ 이하가 되거나 하는 것에 의해 미세화되고 있기 때문에, 상기와 같은 파티클에 의한 배선의 단선이나 단락과 같은 문제가 보다 빈발하게 되었다.

이와 같이, 전자 디바이스 회로의 고집적도화나 미세화가 진행됨에 따라 파티클의 발생은 더욱 큰 문제가 되어 왔다.

그런데, 타깃과 기판 사이에 상기와 같은 코일을 배치하여 플라스마의 밀도를 높이고, 또한 비상하는 스퍼터 입자를 최대한 기판 방향을 향하도록 한 경우에는, 기판 이외의 박막 형성 장치의 내벽이나 내부에 있는 기기로 비상하는 양이 감소되지만, 코일 자체에 퇴적된다는 문제가 있다.

이와 같은 문제를 피하기 위해서, 상기 특허문헌 3 에서는, 코일의 내면측의 상단을 깎아, 내주의 두께를 감소시킨다는 제안이 이루어져 있다. 이 경우, 코일의 상단부는 위를 향하여 날카롭게 뾰족해진 형상이 되기 때문에, 코일의 정상부에 퇴적되어야 할 퇴적물이 떨어져 모이는 경우가 없고, 또 새로운 스퍼터 입자가 충돌하기 때문에 청정화되어 있다는 설명이 이루어져 있다.

그러나, 스퍼터링에 의해 퇴적되는 부위는, 코일의 상단만이 아니다. 코일 표면, 즉 외표면 및 내표면에도 퇴적될 가능성이 있다. 이 경우에는, 스퍼터 입자가 퇴적된 코일 표면으로부터 박리된 박편이 직접 기판 표면으로 비산하여 부착되어, 파티클 발생의 원인이 되는데, 이 대책이 강구되어 있지 않다. 상기와 같이 전자 디바이스 회로의 고집적도화나 미세화의 요청으로부터, 이와 같은 지점으로부터의 파티클의 발생도 큰 문제가 된다.

이와 같은 문제를 해결하고자 하여, 타깃 측면 및 배킹 플레이트의 근방 부분을 블라스트 처리하여 앵커 효과에 의해 부착력을 향상시키는 제안이 있다.

그러나, 이 경우, 블라스트재의 잔류에 의한 제품에 대한 오염 문제, 잔류 블라스트재 상에 퇴적된 부착 입자의 박리 문제, 나아가서는 부착막의 선택적이고 또한 불균일한 성장에 의한 박리의 문제가 새롭게 발행하여, 근본적인 해결은 되지 않는다. 특히, 코일이 탄탈과 같은 경질의 재료에서는, 블라스트 처리하는 정도로는 요철을 형성하는 것조차 곤란하여, 효과적인 부착력의 증강 효과를 얻을 수 없다.

또, 특허문헌 4 에는, 타깃의 플랜지, 측벽, 실드, 커버링 등에 사용하는 코일에, 다이아몬드상 또는 크로스해치상 (그물상) 의 패턴을 널링 가공에 의해 형성하는 것이 개시되어 있다. 이 경우, 깊이를 0.350 ㎜ ∼ 1.143 ㎜ 로 하고 있는데, 가공면의 요철이 단순한 형상이기 때문에, 충분한 앵커 효과가 얻어지지 않을 가능성이 있다.

일본 공표특허공보 2005-538257호 일본 공개특허공보 2001-214264호 일본 공표특허공보 2008-534777호 WO2009/099775 (PCT/US2009/031777)

본 발명은, 기판과 스퍼터링 타깃 사이에 배치한 탄탈제 코일에 있어서, 코일 표면에 퇴적된 스퍼터 입자가 박리되고, 그 박편이 기판 표면으로 비산하여 부착되어, 파티클 및 아킹의 발생 원인이 되는 것을 방지하기 위해서, 그 코일 표면에 퇴적되는 스퍼터 입자의 박락을 억제하기 위한 대책을 강구하는 것으로서, 이로 인해 전자 부품의 품질과 생산성을 향상시켜, 반도체 소자 및 디바이스를 안정적으로 제공할 수 있는 기술을 제공하는 것을 과제로 한다.

상기로부터, 본원 발명은,

1) 기판과 스퍼터링 타깃 사이에 배치하는 탄탈제 코일로서, 그 코일 표면의 표면 조도 Rz 가 150 ㎛ 이상이고, 또한 가로 방향이 15 ∼ 30 TPI (이 TPI 는 「Threads per inch」를 의미한다. 이하, 「TPI」라고 기재한다), 세로 방향이 10 ∼ 30 TPI 인 요철을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 탄탈제 코일.

2) 표면 조도 Rz 가 200 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 상기 1) 에 기재된 스퍼터링용 탄탈제 코일.

3) 표면 조도 Rz 가 250 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 상기 1) 에 기재된 스퍼터링용 탄탈제 코일.

4) 산의 선단의 R 이 10 ∼ 500 ㎛ 이거나 또는 10 ∼ 500 ㎛ 폭의 평탄면을 갖는 것을 특징으로 하는 상기 1) ∼ 3) 중 어느 한 항에 기재된 스퍼터링용 탄탈제 코일.

또한, 상기 TPI (Threads per inch) 는, 1 인치 (25.4 ㎜) 당 산의 수 (나사산의 수) 를 의미한다.

또, 본원 발명은,

5) 기판과 스퍼터링 타깃 사이에 배치하는 탄탈제 코일을 널링 가공에 의해, 그 코일 표면의 표면 조도 Rz 가 150 ㎛ 이상이고, 또한 가로 방향이 15 ∼ 30 TPI, 세로 방향이 10 ∼ 30 TPI 인 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 탄탈제 코일의 가공 방법.

6) 표면 조도 Rz 를 200 ㎛ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 상기 5) 에 기재된 스퍼터링용 탄탈제 코일의 가공 방법.

7) 표면 조도 Rz 를 250 ㎛ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 상기 5) 에 기재된 스퍼터링용 탄탈제 코일의 가공 방법.

8) 산의 선단의 R 을 10 ∼ 500 ㎛ 로 하거나 또는 10 ∼ 500 ㎛ 폭의 평탄면으로 하는 것을 특징으로 하는 상기 5) ∼ 7) 중 어느 한 항에 기재된 스퍼터링용 탄탈제 코일의 가공 방법을 제공한다.

이로 인해, 본 발명은 기판과 스퍼터링 타깃 사이에 배치한 탄탈제 코일 표면에 퇴적된 스퍼터 입자가 박리되고, 그 박편이 기판 표면으로 비산하여 부착되어 파티클 발생의 원인이 되는 것을 방지하고, 아킹의 발생을 억제하기 때문에, 그 코일 표면에 퇴적되는 스퍼터 입자의 박락을 효과적으로 억제할 수 있고, 전자 부품의 품질과 생산성을 향상시켜, 반도체 소자 및 디바이스를 안정적으로 제공할 수 있는 기술을 제공할 수 있다.

도 1 은, 실시예 1 의 절삭식 널링 가공을 실시한 코일의 외관 사진 (A) 와 코일 표면의 외관 사진 (B) 이다.
도 2 는, 실시예 1 의 절삭식 널링 가공을 실시한 코일 표면의 SEM 사진 (A) 와 코일 표면의 깊이 방향 (단면) 의 SEM 사진 (B) 이다.
도 3 은, 비교예 1 의 널링 가공을 실시한 코일의 외관 사진 (A) 와 코일 표면의 외관 사진 (B) 이다.
도 4 는, 비교예 1 의 널링 가공을 실시한 코일 표면의 SEM 사진 (A) 와 코일 표면의 깊이 방향 (단면) 의 SEM 사진 (B) 이다.
도 5 는, 실시예 4 의 가압식 널링 가공을 실시한 코일 표면의 SEM 사진 (A) 와 코일 표면의 깊이 방향 (단면) 의 SEM 사진 (B) 이다.

탄탈제 코일을 기판과 스퍼터링 타깃 사이에 배치한 스퍼터링 장치에서는, 예를 들어 탄탈 타깃을 사용한 경우, 이 탄탈 타깃으로부터 스퍼터된 입자는 웨이퍼 이외에, 타깃의 주위에 있는 탄탈제 코일 표면에도 디포지트되어 (deposited) 퇴적된다. 또, 이 코일은 스퍼터링 중에 열을 받아 팽창된다.

코일 표면의 퇴적 두께가 두꺼워지면, 응력 증가에 의해 막이 박리되고, 이것이 기판으로 날아와서 부착되어, 파티클이나 아킹의 원인이 된다.

이것을 방지하기 위해, 코일에 널링 가공을 실시하고, 표면을 조화 (粗化) 하는 가공을 실시하여, 내박리성을 향상시키는 작업을 실시하고 있었다. 이 널링 가공은 널링 툴을 작업물에 강하게 가압함으로써 요철을 형성하는 것인데, 탄탈은 딱딱하기 때문에 형성할 수 있는 조도에 한도가 있다.

이 때문에, 어느 정도 디포지션막이 퇴적되면, 비교적 단시간에 막 박리를 일으킨다는 문제가 있었다. 박막의 품질을 향상시키기 위해서는, 스퍼터링 조작을 정지시키고 코일을 교환할 필요가 있어, 생산 효율을 저하시키는 원인이 되고 있었다.

또, 널링 가공을 실시한다고 하더라도, 어느 정도의 표면에 요철을 형성하면 코일 표면으로부터 스퍼터 입자의 박리를 방지할 수 있는지 확실하지 않다는 문제도 있었다.

일반적으로 코일은 얇은 재료를 사용하고, 5 ㎜ 정도의 두께인 것을 사용하는 경우도 있기 때문에, 강한 널링 가공을 실시하면 코일 자체가 변형되는 경우가 있고, 또 약한 널링 가공에서는 조화가 충분하지 않은 결과가 된다.

본 발명은, 이 점을 조사하기 위해서 다수의 시험을 실시하고, 또한 널링 가공 방법과 널링 가공의 강도를 바꾸어 최적인 조건을 알아낸 것이다.

그 결과, 기판과 스퍼터링 타깃 사이에 배치하는 탄탈제 코일에 대해 널링 가공을 실시하고, 그 코일 표면의 표면 조도 Rz 를 150 ㎛ 이상으로 하고, 또한 가로 방향을 15 ∼ 30 TPI, 세로 방향을 10 ∼ 30 TPI 로 하는 요철을 형성함으로써, 디포지션막의 막 박리를 비약적으로 방지할 수 있다는 것을 알 수 있었다. 널링 가공에는, 절삭식 널링 가공과 가압식 널링 가공이 있는데, 조건을 적절히 설정함으로써, 모두 적용할 수 있는 것이다.

본 발명은, 이와같이 하여 얻은 스퍼터링용 탄탈제 코일을 제공하는 것이다. 상기 중 어느 조건을 벗어나도, 코일 표면으로부터 스퍼터 입자의 박리를 방지할 수 없어, 본 발명의 목적을 달성할 수 없다.

또한, 표면 조도 Rz 를 200 ㎛ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 이것은 보다 요철을 러프하게 하여, 강고하게 부착시킬 수 있기 때문이다. 또, 산의 선단의 R 을 10 ∼ 500 ㎛ 로 하거나 또는 10 ∼ 500 ㎛ 폭 (또한, 이 치수는 「직경」이라고 할 수도 있다) 의 평탄면으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 본 발명의 스퍼터링용 탄탈제 코일은, 이들을 포함하는 기술을 제공하는 것이다.

코일의 두께, 폭, 길이는 스퍼터링 장치의 설계에 의해 임의로 바꾸는 것이 가능하고, 또 코일을 다단으로 설치하거나 나선상으로 하거나 하는 것도, 스퍼터링 장치 설계상의 문제이며, 임의로 설계할 수 있다는 것은 용이하게 이해할 수 있을 것이다.

실시예

다음으로, 실시예에 대해 설명한다. 또한, 이 실시예는 이해를 용이하게 하기 위한 것으로, 본 발명을 제한하는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술 사상의 범위 내에 있어서의 다른 실시예 및 변형은, 본 발명에 포함되는 것이다.

(실시예 1)

절삭식 널링 가공에 의해, 코일 표면의 표면 조도 Rz = 250 ㎛, 또한 가로 방향 20 TPI (Threads per inch), 세로 방향 13 TPI, 산의 선단의 R 이 100 ㎛ 인 탄탈 코일을 제조하였다.

도 1 에, 실시예 1 의 본 발명의 절삭식 널링 가공을 실시한 코일의 외관 사진 (A) 와 코일의 외측 (외표면부) 의 외관 사진 (B) 를 나타낸다. 또, 도 2 에, 본 발명의 절삭식 널링 가공을 실시한 코일 표면의 SEM 사진 (A) 와 코일 표면의 깊이 방향 (단면) 의 SEM 사진 (B) 를 나타낸다.

이들 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 탄탈제 코일임에도 불구하고, 요철의 단차가 커 요철이 명료하여, 탄탈제 코일 표면에 부착된 디포지션막의 보다 강고한 부착을 가능하게 하는 것이다.

또, 이 탄탈제 코일을 사용하여 스퍼터링을 실시한 경우에는, 종래에는 200 kWh 의 사용 후에 코일의 교환을 실시해야만 했지만, 본 실시예 1 의 탄탈제 코일을 사용한 경우에는, 350 kWh 의 사용이 가능하였다. 이로 인해 큰 효과를 얻는 것이 가능해졌다.

(실시예 2)

절삭식 널링 가공에 의해, 코일 표면의 표면 조도 Rz = 150 ㎛, 또한 가로 방향 20 TPI, 세로 방향 13 TPI, 산의 선단의 R 이 220 ㎛ 인 탄탈 코일을 제조하였다. 탄탈제 코일임에도 불구하고, 요철의 단차가 커 요철이 명료하여, 탄탈제 코일 표면에 부착된 디포지션막의 보다 강고한 부착을 가능하게 하는 것이다.

또, 이 탄탈제 코일을 사용하여 스퍼터링을 실시한 경우에는, 종래에는 200 kWh 사용 후에 코일의 교환을 실시해야만 했지만, 본 실시예 2 의 탄탈제 코일을 사용한 경우에는, 300 kWh 의 사용이 가능하였다. 이로 인해 큰 효과를 얻는 것이 가능해졌다. 단, 실시예 1 과 비교하여, 코일 표면의 표면 조도 Rz 가 작기 때문에, 사용 라이프는 짧았다.

(실시예 3)

절삭식 널링 가공에 의해, 코일 표면의 표면 조도 Rz = 300 ㎛, 또한 가로 방향 20 TPI, 세로 방향 13 TPI, 산의 선단의 R 이 5 ㎛ 인 탄탈 코일을 제조하였다. 탄탈제 코일임에도 불구하고, 요철의 단차가 커 요철이 명료하여, 탄탈제 코일 표면에 부착된 디포지션막의 보다 강고한 부착을 가능하게 하는 것이다.

또, 이 탄탈제 코일을 사용하여 스퍼터링을 실시한 경우에는, 종래에는 200 kWh 사용 후에 코일의 교환을 실시해야만 했지만, 본 실시예 3 의 탄탈제 코일을 사용한 경우에는, 300 kWh 의 사용이 가능하였다. 이로 인해 큰 효과를 얻는 것이 가능해졌다.

단, 산의 선단의 R 이 약간 작기 때문에, 300 kWh 를 넘으면 산의 선단부에서 디포지션막의 박리가 발생하게 되었다.

(실시예 4)

가압식 널링 가공에 의해, 코일 표면의 표면 조도 Rz = 250 ㎛, 또한 가로 방향 18 TPI, 세로 방향 18 TPI, 산의 선단에 위치하는 평탄면의 폭이 200 ㎛ 인 탄탈 코일을 제조하였다.

도 5 에, 본 실시예 4 의 가압식 널링 가공을 실시한 코일 표면의 SEM 사진 (A) 와 코일 표면의 깊이 방향 (단면) 의 SEM 사진 (B) 를 나타낸다. 이 경우, 산의 선단에 위치하는 평탄면으로 했는데, 10 ∼ 500 ㎛ 의 R 가공면으로 할 수도 있다.

이 도 5 에 나타내는 바와 같이, 탄탈제 코일임에도 불구하고, 요철의 단차가 커 요철이 명료하여, 탄탈제 코일 표면에 부착된 디포지션막의 보다 강고한 부착을 가능하게 하는 것이다.

또, 이 탄탈제 코일을 사용하여 스퍼터링을 실시한 경우에는, 종래에는 200 kWh 사용 후에 코일의 교환을 실시해야만 했지만, 본 실시예 4 의 탄탈제 코일을 사용한 경우에는, 350 kWh 의 사용이 가능하였다. 이로 인해 큰 효과를 얻는 것이 가능해졌다.

(비교예 1)

가압식 널링 가공에 의해, 코일 표면의 표면 조도 Rz = 80 ㎛, 또한 가로 방향 80 TPI, 세로 방향 32 TPI, 산의 선단의 R 이 200 ㎛ 인 탄탈 코일을 제조하였다. 도 3 에, 비교예 1 의 널링 가공을 실시한 코일의 외관 사진 (A) 와 코일 표면의 외관 사진 (B) 를 나타낸다. 또, 도 4 에, 비교예 1 의 가압식 널링 가공을 실시한 코일 표면의 SEM 사진 (A) 와 코일 표면의 깊이 방향 (단면) 의 SEM 사진 (B) 를 나타낸다.

이들 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 탄탈제 코일 표면의 요철의 단차가 작아 탄탈제 코일 표면에 부착된 디포지션막의 보다 강고한 부착은 불가능하였다.

이 탄탈제 코일을 사용하여 스퍼터링을 실시한 경우에는, 200 kWh 사용 후에 코일의 교환을 실시해야만 하였다.

(비교예 2)

가압식 널링 가공에 의해, 코일 표면의 표면 조도 Rz = 20 ㎛, 또한 가로 방향 80 TPI, 세로 방향 32 TPI, 산의 선단의 R 이 550 ㎛ 인 탄탈 코일을 제조하였다. 탄탈제 코일 표면의 요철의 단차가 꽤 작아 탄탈제 코일 표면에 부착된 디포지션막의 보다 강고한 부착은 불가능하였다. 이 탄탈제 코일을 사용하여 스퍼터링을 실시한 경우에는, 100 kWh 사용 후에 코일의 교환을 실시해야만 하였다.

산업상 이용가능성

본 발명은, 기판과 스퍼터링 타깃 사이에 배치한 탄탈제 코일 표면에 퇴적된 스퍼터 입자가 박리되고, 그 박편이 기판 표면으로 비산하여 부착되어 파티클 발생의 원인이 되는 것을 방지하고, 아킹의 발생을 억제하기 때문에, 그 코일 표면에 퇴적되는 스퍼터 입자의 박락을 효과적으로 억제할 수 있고, 전자 부품의 품질과 생산성을 향상시켜, 반도체 소자 및 디바이스를 안정적으로 제공할 수 있는 기술을 제공할 수 있기 때문에, 탄탈제 코일을 사용한 스퍼터링 장치에 유용하다.

Claims

기판과 스퍼터링 타깃 사이에 배치하는 탄탈제 코일로서, 그 코일 표면의 표면 조도 Rz 가 150 ㎛ 이상이고, 또한 가로 방향이 15 ∼ 30 TPI, 세로 방향이 10 ∼ 30 TPI 인 요철을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 탄탈제 코일.
제 1 항에 있어서,
표면 조도 Rz 가 200 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 탄탈제 코일.
제 1 항에 있어서,
표면 조도 Rz 가 250 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 탄탈제 코일.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
산의 선단의 R 이 10 ∼ 500 ㎛ 이거나 또는 10 ∼ 500 ㎛ 폭의 평탄면을 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 탄탈제 코일.
기판과 스퍼터링 타깃 사이에 배치하는 탄탈제 코일을 널링 가공에 의해, 그 코일 표면의 표면 조도 Rz 가 150 ㎛ 이상이고, 또한 가로 방향이 15 ∼ 30 TPI, 세로 방향이 10 ∼ 30 TPI 인 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 탄탈제 코일의 가공 방법.
제 5 항에 있어서,
표면 조도 Rz 를 200 ㎛ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 탄탈제 코일의 가공 방법.
제 5 항에 있어서,
표면 조도 Rz 를 250 ㎛ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 탄탈제 코일의 가공 방법.
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
산의 선단의 R 을 10 ∼ 500 ㎛ 로 하거나 또는 10 ∼ 500 ㎛ 폭의 평탄면으로 하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 탄탈제 코일의 가공 방법.