CN1806316A

CN1806316A - 沉积室中用于捕集粒子的阱

Info

Publication number: CN1806316A
Application number: CN 200480016437
Authority: CN
Inventors: 金在衍; T·J·费兰; J·D·米泽
Original assignee: Honeywell International Inc
Current assignee: Honeywell International Inc
Priority date: 2003-06-11
Filing date: 2004-05-11
Publication date: 2006-07-19

Abstract

本发明包括具有反应室和沿室内一个或多个表面形成的粒子捕集特征的沉积设备。特别之处在于，粒子捕集特征可包括形成贮器的弯曲凸起型式，并可在弯曲凸起上包括微结构。本发明还包括形成离子捕集特征的方法，即通过首先形成凸起型式，弯曲凸起，然后将凸起暴露于粒子中，以在弯曲凸起上形成微结构。

Description

沉积室中用于捕集粒子的阱

相关专利数据

本专利具有2003年6月11日提交的序列号为60/477810的美国临时申请和2003年8月26日提交的序列号为60/498036的美国临时申请的优先权。

技术领域

本发明涉及在沉积室中形成用于捕集粒子的阱的方法，和特别之处在于涉及形成暴露于沉积环境的室组件上的粗糙化表面的方法。该粗糙化表面可形成在，例如挡板、盖环、线圈、杯状结构、销和/或夹具的一个或多个上。

发明背景

沉积方法被用于在衬底表面上形成材料薄膜。沉积方法可用在例如半导体制造工艺中，以形成在集成电路结构和器件制造中最终使用的层。典型的沉积方法是化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)和物理气相沉积(PVD)。PVD方法包括溅射工艺。

如果形成粒子，那么在沉积过程中可能出现问题，因为粒子会落到沉积薄膜上并破坏所需的薄膜性质。因此，希望开发能减少与沉积过程中粒子落到沉积材料上有关的问题的阱。

发明概述

本发明的特别之处在于，发现了形成在沉积室中一个或多个表面上的弯曲卷形型式可作为粒子阱，并在减少与沉积室中粒子形成有关的问题方面提供显著的进步。粒子阱可用于众多的沉积应用中，包括例如PVD、CVD、MOCVD和ALD。在PVD应用中，粒子阱可形成在任何室组件或组件组合上，包括例如挡板、盖环、线圈、杯状结构、销和/或夹具上

根据本发明形成的粒子阱的特别之处在于可通过机器滚压和/或滚花形成，所述的机器滚压和/或滚花可在处理表面上形成宏观尺度的粗糙度。随后可采用珠光处理或其它合适的工艺处理该宏观尺度的粗糙度，以产生微观尺度的粗糙度，该微观尺度的粗糙度可进一步提高粒子捕集性能。

在一些方面，宏观尺度弯曲滚压可从几何学上保护潜在的粒子以免落下。另外，在宏观尺度弯曲卷形上形成的微观尺度表面粗糙化可减少沉积过程中的循环热应力。在一些方面，机器卷形(和/或通过其它方法，例如滚花和珠光处理产生的表面织构)可产生再沉积长薄膜，该再沉积长薄膜对与再沉积薄膜和处理表面的基础材料的不同热膨胀系数有关的热应力敏感。然而，利用与例如弯曲卷形型式有关的粗糙织构可减少不连续再沉积薄膜的热应力。

在本发明的一个方面，处理沉积室的一个或多个组件以在一个或多个组件上形成粗糙化表面。通过利用一种或多种合适工具沿着组件表面形成凸起重复型式，可形成该粗糙化表面。凸起可以是例如卷形型式的形式。在后序的工艺中，可通过将凸起暴露于例如辊中来折叠该凸起。可选地或附加地，可对凸起进行珠光处理或其它适当的工艺，以在凸起上形成微观尺度的粗糙度。

以前已进行了一些努力，利用滚花或珠光处理来处理沉积室组件，但是随着时间的过去，材料会沉积在组件上，并从处理区域剥落或剥落成薄片。本发明的方法可减少，甚至完全避免与滚花和珠光处理有关的剥落、剥落成薄片和其它不希望出现的问题。

本发明的代表性方面在于使用具有这里相关的宏观尺度和微观尺度粒子捕集特征的弯曲卷形。本发明的典型弯曲卷形的微观尺度和宏观尺度设计可有效地捕集粒子，同时减少剥落的问题或甚至将剥落的问题减至最小，且同时还避免了与尖锐点有关的潜在电弧。本发明的典型表面处理可采用下列三个工艺中的一个或多个工艺来实现：

1.宏观尺度的捕集区域的创建，(例如，弯曲卷形成形)；

2.微观尺度的捕集区域的创建，(例如，粗糙化表面的珠光处理成形)；和

3.捕集区域内的表面化学改性，以提高捕集区域内材料的粘附力。

在一方面，本发明包括处理适合在沉积室中使用的组件表面凸起。该处理包括：(1)将凸起暴露于化学蚀刻剂或点蚀剂(pitting agent)中，以在表面凸起上形成微观结构粗糙度，和/或(2)将凸起暴露于挥发性的珠光处理介质中，以在表面凸起上形成微观结构粗糙度，和/或(3)将凸起暴露于可溶于溶剂的珠光处理介质中，以在表面凸起上形成微观结构粗糙度，随后用溶剂从微观结构粗糙度上清洗珠光处理介质。

附图说明

下文中参照下面的附图描述本发明的优选实施方案。

图1为在物理气相沉积(如溅射)工艺中所示的物理气相沉积设备的横截面示意图。

图2为沿图1中线2-2所示的图1中设备的横截面示意图。

图3为本发明一个典型方法的初始工艺阶段的线圈的顶视图。

图4为图3工艺阶段所示的图3线圈的放大区域的视图。

图5为图4工艺阶段的后续工艺阶段所示的图4放大区域的视图。

图6为图5工艺阶段的后续工艺阶段所示的图4放大区域的视图。

图7为图6结构一部分的放大视图。

图8为图6工艺阶段的后续工艺阶段所示的图4放大区域的视图。

图9为图8结构的放大视图。

图10-17为显示可在本发明的典型方面使用的典型粗糙化表面的显微照片的复制图。

图18可根据本发明一个方面处理的典型CVD和/或ALD沉积设备的横截面示意图。

优选实施方案详述

本发明包括可在沉积工艺组件的一个或多个表面上形成的新织构。组件可适合在，例如PVD、CVD、MOCVD或ALD反应室中的一种或多种中使用。织构可用于捕集在沉积过程中沉积到组件上的材料。特别之处在于，在组件的一个或多个表面上形成弯曲凸起(例如，弯曲卷形型式)，以形成粒子捕集区域。

形成于组件上的凸起可暴露于粒子中以使凸起的表面粗糙化，从而改善凸起的捕集性能。可认为凸起形成了捕集区域宏观尺度的粗糙度，且可认为凸起的粗糙化表面形成了捕集区域微观尺度的粗糙度。因此，本发明可包括既具有宏观尺度粗糙度又具有微观尺度粗糙度并在捕集区域中应用的型式。

既利用宏观尺度型式又利用微观尺度型式是有利的。在沉积过程中，该组合的型式可显著减少材料从组件的处理表面上落下。另外，在宏观尺度型式上形成微观尺度粗糙化表面可有效地减少可以其它方式与循环沉积过程中出现的循环热应力有关的问题。具体地说，单独的宏观尺度型式(例如，长的机器加工卷形)可捕集再沉积材料以在捕集区域内形成长薄膜。循环热应力(如，与例如再沉积薄膜和处理组件的基础材料的不同热膨胀系数有关的应力)会导致薄膜或再沉积薄膜簇从处理组件上剥落。当薄膜或簇从组件上剥落时，它会在沉积过程中落到最接近组件的衬底上，在衬底上的沉积层中不合需要的形成粒子，这会减少沉积过程的生产能力或生产量。如果该过程为PVD过程，那么剥落的薄膜或簇可直接落到在PVD过程中用于支持衬底的静电卡盘上，这会引起系统故障。

本发明的特别之处在于包括宏观尺度型式的珠光处理和/或化学蚀刻和/或钢丝刷扫和/或其它处理，以在型式上形成微观结构粗糙度，其最终可用于帮助保留型式内的再沉积材料，并因此可减少或甚至阻止再沉积薄膜材料从捕集区域上剥落。换句话说，宏观尺度和微观尺度结构可减少再沉积簇的尺寸，并且特别之处在于，可消除再沉积簇结合到沉积薄膜中的情况。

这里参照PVD操作描述了本发明的第一个典型方面。结合图1和图2描述了典型的PVD(例如，溅射)操作。参照图1，溅射设备10包括具有侧壁14的室12。在室上部区域提供靶16，室下部区域提供衬底18。用盖环21将衬底18固定在支架20上，且靶16可用合适的支撑构件(未示出)固定。所示的挡板23遮挡靶16的边缘。这里还可有沿室内侧壁和/或内顶部延伸的附加挡板(未示出)，如本领域普通技术人员所知。

衬底18可包括，例如半导体晶片，例如，单晶硅晶片。靶16可包括，例如镍、钽、钛、铜、铝、银、金、铌、铂、钯和钌中的一种或多种，包括各种金属的一种或多种合金；且在特别的应用中，靶可包括多种包括例如Ti/N、Ti/Nb和Ti/Al的混合物、化合物或合金中的一种或多种。

在操作中，材料从靶16的表面溅射出并通向衬底18。溅射材料用箭头22表示。

通常，溅射材料将在许多不同的方向上离开靶表面。这会产生一些问题，且优选的是溅射材料相对垂直地通向衬底18的上表面。因此，在室12内提供聚集线圈26。该聚集线圈可改善溅射材料22的方向，并被显示出将溅射材料相对垂直地引到衬底18的上表面。应当注意在一些反应器设计中线圈是任选的。

在溅射操作中一些材料可从线圈26上除去，且这些材料可沉积到衬底18上。因此，优选的是线圈26包含与靶16相同的材料，或至少包含不会对溅射操作产生不利影响的材料。

线圈26用销28固定在室12内，销被显示出延伸穿过线圈的侧壁，且还穿过室12的侧壁14。在所示的结构中，销28被固定在固定螺钉32内。图1的示意图显示了沿室侧壁14的外表面的销头30。

隔板40环绕销28延伸，并用于隔开线圈26和侧壁14。隔板40典型具有杯状外形，并因此被典型称作杯状结构。

已知有许多支撑结构适合支撑线圈(例如线圈26)，且所示的销、固定螺钉和杯状结构的应用仅是该许多支撑结构中的一个例子。在其它支撑结构中，有例如这样的结构，其中线圈是具有平滑内部尺度的单块，且销、杯状结构和其它固定特征合并成附在线圈上的轮毂。该轮毂可与线圈制造成单块，或可制造成与线圈分离的块，随后通过合适的方法，例如焊接，附到线圈上。

图2显示了沿图1中线2-2的横截面图，并显示了线圈26典型具有圆形形状。

如前所述，在溅射操作中会出现的问题是在反应室内形成粒子。粒子可从许多不同的源中成形，所述源包括例如靶16中存在的空隙或其它小缺陷。如果粒子沉积到衬底18的上表面上，那么它们会对溅射沉积层产生不利的影响。因此，希望开发避免有粒子落到衬底18上表面上的方法。

根据本发明，可在室12内一个或多个露出的表面上形成粒子阱。特别之处在于，表面可与室内的一个或多个组件，包括例如挡板、销、线圈、盖环等有关。

可采用适当的加工来形成粗糙化表面。下面将参照用于形成与线圈26有关的粒子阱的加工来描述典型工艺过程，但是应当理解的是相似的工艺过程可适用于其它组件的表面。

图3显示了在初始工艺阶段的线圈26。线圈26是包括放射状外边界102和放射状内边界104的圆环。沿内边界104形成粒子阱相对于外边界102是优选的，因为相对于外边界102，粒子更可能穿过内边界104。在下面所述的过程中，粒子阱仅沿内边界104形成，而不是既沿边界102又沿边界104形成，但是应当理解的是本发明包括了其它的方面(未示出)，其中粒子阱沿边界102成形，作为粒子阱沿边界104成形中的附加或替换。如果粒子阱既沿边界102又沿边界104成形，那么沿边界104成形的阱可与沿边界102成形的阱相同或不同。

图4显示了在初始工艺阶段的内边界104的放大区域105。如图所示，边界具有沿结构壁114相对平坦的表面121。图4工艺阶段的线圈可为常规的商业上可获得的线圈。

图5显示了边界104被处理形成沿侧壁114表面延伸的凸起122型式后的放大区域105。可利用锯、滚花设备、计算机数值控制(CNC)设备、手控车床或其它合适的加工工具形成凸起122，并可对应于卷形型式。具体地说，可利用锯切入侧壁114并留下所示型式和/或可利用滚花设备压入侧壁114并留下型式。型式为重复型式，与通过例如珠光处理形成的随机型式相反。凸起122的型式可称为宏观型式，以区分该型式与随后形成的微观型式(下面描述的)。可用具有从约28齿/英寸(TPI)到约80TPI，典型约40TPI的工具形成凸起122。工具的齿可以和凸起122一一对应28TPI到80TPI的范围包括了典型应用，但是本发明不限于28TPI到80TPI的范围。应当理解的是，本发明应用的合适工具还可具有小于28的TPI或大于80的TPI。

图6显示了凸起122在受到使凸起弯起的机械力后的放大区域105。机械力可由任何合适的工具提供，包括例如球或辊。弯曲凸起限定了凸起之间的穴123，且这种穴可用作粒子阱。优选的是，穴在线圈26最终固定在溅射室中(例如，图1中的室12)的方向上向上开口。

图7显示了图6结构的放大区域130，并具体地图示了单个凸起122。

图6和图7的弯曲凸起122可具有超过表面114的高度“H”，例如从约0.0001英寸到约0.1英寸(典型约0.01英寸)的高度，和具有从约0.001英寸到约1英寸的重复距离“R”(典型约0.027英寸)。

图10-17是根据本发明典型方面的图6和图7工艺阶段中实际的粗糙化表面的显微照片图。

为图6和图7工艺阶段成形的结构可具有合适的粒子阱，并可照在溅射室中的样子使用。做为选择，该结构可经过进一步处理以在凸起122上形成微结构，这会提高凸起的粒子捕集能力。用于成形微结构的处理可包括，例如珠光处理和/或化学处理。

尽管所述的微结构的成形在宏观结构的成形之后(即，图6和图7中的弯曲卷形型式)，应当理解的是本发明包括其它的方面，其中微结构的成形不在宏观结构的成形之后。例如，如果使用珠光处理来形成微结构，那么珠光处理可用于单独形成捕集区域，并因此可在不形成图6和图7中的弯曲凸起122的情况下进行珠光处理。但是在其它方面，可在形成凸起之后、和弯曲凸起之前进行珠光处理(即，在图5和图6所述的工艺阶段之间的工艺阶段)。

图8和图9显示了经过珠光处理或其它合适的在粒子中的暴露，以形成以穴或麻点的形式在凸起中延伸的微结构132(图9中标示的)后的凸起122。

凸起122的处理可使用，例如化学蚀刻剂和机械粗糙化中的一种或两种。典型的机械粗糙化步骤包括暴露于加压粒子流(例如，珠光处理)，或暴露于刚性刷毛(例如钢丝刷)。典型的化学蚀刻剂包括可以化学方法在凸起122的材料上形成凹点的溶液，并可包括强碱性溶液、弱碱性溶液、强酸性溶液、弱酸性溶液和中性溶液。

如果使用珠光处理来形成微结构132，用于形成微结构的粒子可包括，例如碳化硅、氧化铝、固体H₂O(冰)、固体二氧化碳和盐(例如，碳酸氢盐，例如，碳酸氢钠)中的一种或多种。附加地或可选地，粒子可包括一种或多种至少与在其中形成微结构的材料一样硬的材料。

如果用于珠光处理的粒子包括非挥发性的材料，那么可在麻点132成形后引入清洁步骤来除去粒子。例如，如果粒子包括碳化硅或氧化铝，则可利用将凸起122暴露于清洁材料浴或流和/或用适当的刷具(例如钢丝刷)刷凸起122的清洁步骤。合适的流可为包括固体H₂O或固体二氧化碳粒子的流。如果最初用于形成麻点132的粒子基本上或完全由挥发性粒子(如固体冰或固体CO₂)组成，则可省略上述的清洁步骤。

在一些方面，粒子可溶于液体中，并可以足够的浓度悬浮在流体中，以用粒子材料来使流体饱和，并将固体粒子留在流体中。例如，粒子可包括在具有饱和的碳酸氢盐的水基流体中的碳酸氢盐。粒子和流体可通过机械磨损和/或通过机械磨损和化学蚀刻(即，化学点蚀)的组合来形成所希望的微观结构粗糙度。然后，可在具有不饱和的粒子材料的大量流体中洗涤组件，以使组件上的粒子溶解，从而可将粒子从处理组件上清洁掉。在一些方面，流体可为水基流体，并认为可用于加压水机械磨损。水基处理流体的pH值可为强酸、强碱或在它们之间。洗涤流体可为水基的，且水基洗涤流体的pH值可与处理流体相同，或不同。

特别之处在于，珠光处理介质可为24砂粒Al₂O₃介质，并进行珠光处理至例如从约1到约4000微英寸RA，优选从约50到约2000微英寸RA，且典型从约100到约350微英寸RA。

可在比现有技术过程的典型压力低得多的压力下进行本发明的珠光处理，这可减小珠光处理的粒子嵌入到用本发明处理的结构中的可能性。具体地说，现有技术的珠光处理典型在至少约80磅/平方英寸(psi)的压力下进行(即，通过用微粒冲击到结构上的平均至少约80psi的冲击压力在结构上推进微粒来进行)。相反，本发明的珠光处理可在低于或等于20psi的压力下进行。为了进一步降低珠光处理的粒子保持嵌入或以其它方式与按照本发明处理的表面联接的可能性，可在珠光处理后通过机械对表面进行刷制(例如利用钢丝刷)、和/或通过用挥发性清洁剂喷涂表面(例如用CO₂喷吹表面)、和/或通过用非挥发性清洁剂喷涂表面来清洁表面。如上文所述的一些典型方面所示，本发明的特别之处在于可利用可溶于溶剂的微粒(例如珠子)，且清洁处理可包括应用溶剂来除去微粒。

如前面讨论的，可在没有现有工艺的情况下进行珠光处理，以形成凸起122。在这些方面，珠光处理介质可为，例如24砂粒Al₂O₃介质，并进行珠光处理至例如从约100到约350微英寸RA。

图8工艺阶段所示的侧壁114可被认为具有既有宏观尺度结构又有微观尺度结构形成于其中的表面。具体地说，凸起122可具有0.01英寸的长度，并可被认为是在衬底上形成的宏观尺度特征。在凸起内形成的麻点可被认为是沿侧壁114表面形成的微观尺度结构。宏观尺度结构和微观尺度结构的组合可减少，且甚至阻止本发明公开中前述的关于粒子不合需要地结合到沉积薄膜中的问题。

用以形成这里所述的粒子阱的对线圈26的处理可在常规线圈结构的制造中或之后出现在任何合适的工艺阶段。同样地，本发明的工艺可应用于溅射设备的其它组件，在该组件常规外形的制造中或之后。特别之处在于，本发明的工艺可提供作为常规组件成形后的附加步骤，因此本发明的工艺可用于现成的组件。

参照图3-7所述的粗糙化应用，无论有或没有图8和图9所述的附加应用，可用于反应室内的任何组件，所述组件可能暴露于粒子中，并因此可用作粒子阱。在参照图1和图2所述的典型PVD室中，处理表面可包括，例如挡板23的表面、销40的表面、线圈26的表面、侧壁14的内表面和/或盖环21的表面，除了别的以外。本发明的方法可以，例如应用于全套组件(挡板、盖环、线圈等)。优选地，构造处理表面以使与表面有关的粒子捕集穴向上取向到表面在反应室中使用的方向上。

如前面讨论的，可应用本发明的工艺处理除PVD设备外的其它设备组件。图18图示了可用本发明方法处理一个或多个部分的设备200。设备200可为CVD和/或ALD设备。设备包括反应室202和环绕室延伸的侧壁204。侧壁204具有沿室内部区域的内表面203。

设备200进一步包括在室内的衬底支架206。衬底支架显示为支撑衬底208。

入口210和出口212延伸穿过室侧壁204。在操作中，反应物通过入口流入室，材料通过出口从室中排出。可提供穿过入口和出口的阀(未示出)以控制流入室和排出室。

分散结构214显示为在入口210之下。通过入口流入的气体可通过结构214分散，以使气体沿衬底208表面均匀流动。分散结构204可包括所谓的莲蓬头。在本发明的一些方面可省略分散结构。

图5-9的宏观尺度和/或微观尺度粗糙化可应用于室202内的一个或多个表面。例如，可处理分散设备214或衬底支架206的表面，和/或可处理表面203的部分或全部。

Claims

1.一种处理沉积设备组件的方法，包括：

提供沉积设备组件，该组件不是PVD设备的靶；

沿组件表面形成凸起型式；

弯曲凸起；和

将凸起暴露于机械粗糙化和化学蚀刻中的一种或两种，以在凸起上形成微结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中将凸起暴露于机械粗糙化，且其中机械粗糙化包括将凸起暴露于刚性刷毛。

3.如权利要求1所述的方法，其中将凸起暴露于机械粗糙化，且其中机械粗糙化包括将凸起暴露于加压粒子流。

4.如权利要求3所述的方法，其中粒子包括固体H₂O和固体CO₂中的一种或两种。

5.如权利要求3所述的方法，其中粒子包括盐。

6.如权利要求5所述的方法，其中盐可溶于水。

7.如权利要求6所述的方法，其中盐为碳酸氢盐。

8.如权利要求3所述的方法，其中粒子包括碳化硅和氧化铝中的一种或两种；且其中将区域暴露于加压流包括在暴露过程中在流中应用小于20psi的压力。

9.如权利要求3所述的方法，其中粒子包括碳化硅和氧化铝中的一种或两种；且进一步包括在暴露于粒子中后对所述区域进行刷制。

10.如权利要求3所述的方法，其中粒子包括碳化硅和氧化铝中的一种或两种；且进一步包括在暴露于粒子后将所述区域暴露于清洁剂流。

11.如权利要求10所述的方法，其中清洁剂包括固体H₂O和固体CO₂中的一种或两种。

12.如权利要求1所述的方法，其中将凸起暴露于化学蚀刻，且其中化学蚀刻包括将凸起暴露于碱溶液。

13.如权利要求1所述的方法，其中将凸起暴露于化学蚀刻，且其中化学蚀刻包括将凸起暴露于酸溶液。

14.如权利要求1所述的方法，其中将凸起暴露于化学蚀刻和机械粗糙化。

15.如权利要求1所述的方法，其中设备是PVD设备。

16.如权利要求1所述的方法，其中设备是ALD设备。

17.如权利要求16所述的方法，其中ALD设备包括具有内侧壁的反应室，且其中组件是反应室的内侧壁。

18.如权利要求1所述的方法，其中设备是CVD设备。

19.如权利要求18所述的方法，其中CVD设备包括具有内侧壁的反应室，且其中组件是反应室的内侧壁。

20.如权利要求18所述的方法，其中设备是MOCVD设备。

21.采用权利要求1所述的方法进行处理的组件。

22.权利要求21中的组件，其为ALD设备组件。

23.权利要求21中的组件，其为CVD设备组件。

24.权利要求21中的组件，其为PVD设备组件。

25.一种处理PVD组件区域的方法，包括：

提供不是靶的组件，所述组件具有将被处理的区域；

沿着区域形成凸起型式；

弯曲凸起；和

26.如权利要求25所述的方法，其中组件是线圈。

27.如权利要求26所述的方法，其中线圈是圆环，且具有环的放射状内边界和放射状外边界；且其中处理区域沿着环的放射状内边界。

28.如权利要求26所述的方法，其中线圈是圆环，且具有环的放射状内边界和放射状外边界；且其中处理区域沿着环的放射状外边界。

29.如权利要求26所述的方法，其中线圈是圆环，且具有环的放射状内边界和放射状外边界；且其中处理区域沿着环的放射状内边界和沿着环的放射状外边界。

30.如权利要求25所述的方法，其中组件是杯状结构。

31.如权利要求25所述的方法，其中组件是销。

32.如权利要求25所述的方法，其中组件是挡板。

33.如权利要求25所述的方法，其中组件是盖环。

34.如权利要求25所述的方法，其中组件是夹具。

35.如权利要求25所述的方法，其中组件是PVD反应室的内侧壁。

36.如权利要求25所述的方法，其中在将凸起暴露于机械粗糙化和化学蚀刻中的一种或两种之前弯曲凸起。

37.如权利要求25所述的方法，其中在将凸起暴露于机械粗糙化和化学蚀刻中的一种或两种之后弯曲凸起。

38.如权利要求25所述的方法，其中通过应用CNC工具以切入组件区域，将凸起型式成形为卷形型式。

39.如权利要求25所述的方法，其中凸起暴露于机械粗糙化，且其中机械粗糙化包括将凸起暴露于刚性刷毛。

40.如权利要求25所述的方法，其中凸起暴露于机械粗糙化，且其中机械粗糙化包括将凸起暴露于加压粒子流。

41.如权利要求40所述的方法，其中粒子包括固体H₂O和固体CO₂中的一种或两种。

42.如权利要求40所述的方法，其中粒子包括盐。

43.如权利要求42所述的方法，其中盐可溶于水。

44.如权利要求43所述的方法，其中盐为碳酸氢盐。

45.如权利要求40所述的方法，其中粒子包括碳化硅和氧化铝中的一种或两种；且其中将区域暴露于加压流包括在暴露过程中在流中应用小于20psi的压力。

46.如权利要求40所述的方法，其中粒子包括碳化硅和氧化铝中的一种或两种；且进一步包括在暴露于粒子后对所述区域进行刷制。

47.如权利要求40所述的方法，其中粒子包括碳化硅和氧化铝中的一种或两种；和进一步包括在暴露于粒子后将所述区域暴露于清洁剂流。

48.如权利要求47所述的方法，其中清洁剂包括固体H₂O和固体CO₂中的一种或两种。

49.如权利要求25所述的方法，其中将凸起暴露于化学蚀刻，且其中化学蚀刻包括将凸起暴露于碱溶液。

50.如权利要求25所述的方法，其中将凸起暴露于化学蚀刻，且其中化学蚀刻包括将凸起暴露于酸溶液。

51.如权利要求25所述的方法，其中将凸起暴露于化学蚀刻和机械粗糙化。

52.如权利要求25所述的方法，其中弯曲凸起具有底部，其中组件区域具有在弯曲凸起底部之间延伸的表面，且其中弯曲凸起具有在表面上从约0.0001英寸到约0.01英寸的最大高度。

53.如权利要求25所述的方法，其中弯曲凸起跨越区域的周期性重复出现在从约0.0001英寸到约1英寸的距离内。

54.采用权利要求25所述的方法处理的PVD组件。

55.权利要求54中的PVD组件，其为线圈。

56.如权利要求55所述的PVD组件，其中线圈是圆环，且具有环的放射状内边界和放射状外边界；且其中处理区域沿着环的放射状内边界。

57.如权利要求55所述的PVD组件，其中线圈是圆环，且具有环的放射状内边界和放射状外边界；且其中处理区域沿着环的放射状外边界。

58.如权利要求55所述的PVD组件，其中线圈是圆环，且具有环的放射状内边界和放射状外边界；且其中处理区域沿着环的放射状内边界和沿着环的放射状外边界。

59.权利要求54中的PVD组件，其是杯状结构。

60.权利要求54中的PVD组件，其是挡板。

61.权利要求54中的PVD组件，其是盖环。

62.权利要求54中的PVD组件，其是夹具。