CN1823178A - 溅射靶以及该溅射靶的表面精加工方法 - Google Patents

溅射靶以及该溅射靶的表面精加工方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种空心阴极型溅射靶，其特征在于，具有表面粗糙度Ra≤1.0μm，进一步优选Ra≤0.5μm的内侧底面。该空心阴极型溅射靶，其溅射膜的均匀性(uniformity)良好，很少产生起弧、颗粒，并且能够抑制底面的再淀积膜的剥离，成膜特性良好。

Description

溅射靶以及该溅射靶的表面精加工方法
技术领域
本发明涉及空心阴极型溅射靶，特别涉及很少产生颗粒，表面清洁性良好的溅射靶以及该溅射靶的表面精加工方法。
背景技术
近年来，在电子领域、耐腐蚀性材料或装饰领域、催化剂领域、切削·研磨材料或耐磨性材料的制作等多个领域中，使用用于形成金属或陶瓷材料等被膜的溅射。
虽然溅射法本身在上述领域中是公知的方法，但是最近以来，特别是在电子领域，要求适合于复杂形状的被膜的形成、电路的形成的溅射靶。
其中，最近公开了中空的阴极溅射靶。该靶呈现杯形状，由来于该形状而称为空心阴极型溅射靶(例如，参照专利文献1、2、3)。
该空心阴极型溅射靶，能够在靶的区域内产生高密度的等离子体，并且通过向溅射方向付与定向性，从而不使用现有的准直仪，也能够得到可以以高纵横比填充通孔的性能。
如上所述，空心阴极型溅射靶，与现有的平板型靶相比，具有高效且控制性更好的成膜方法的功能。
一般而言，在空心阴极型溅射靶的内侧，存在对靶进行溅射的腐蚀区域和淀积被溅射的原子的淀积区域。
通常，会产生如下的严重问题：在底面侧形成淀积区域，在淀积区域的边缘附近，再淀积膜容易剥离，其向基板飞溅或掉落而污染基板。
一般而言，使用平板状的靶时，使靶的腐蚀面净化，并且除去加工变质层等而使表面粗糙度变小，并由此抑制颗粒的产生。
另一方面，对于靶的未被腐蚀的靶表面或周边设备，相反地，采取使表面粗糙化而能够捕获溅射时来自靶的飞溅物质的对策(例如，专利文献4、5、6)。
专利文献1：特开2000-256843号公报
专利文献2：特开2001-98367号公报
专利文献3：特表2002-531690号公报
专利文献4：特开平4-304367号公报
专利文献5：特开平11-1766号公报
专利文献6：特开平173965号公报
但是，将这样的技术应用于空心阴极型溅射靶而试图使靶的底面粗糙化，并防止淀积物(再淀积膜)的剥离，然而没有成功。相反地，得到了在溅射开始阶段，成膜的均匀性不稳定，并且颗粒的产生增加的结果。
因此，由于使用了到目前为止所述的空心阴极型溅射靶，存在如下的问题：膜的均匀性(uniformity)很差，产生起弧、颗粒，并且降低了靶成膜的质量。
发明内容
本发明的课题在于，得到一种靶以及能够稳定地制造该靶的方法，其中，空心阴极型溅射靶的膜的均匀性(uniformity)良好，很少产生起弧、颗粒，并且能够抑制底面的再淀积膜的剥离，成膜特性良好。
本发明为了解决上述问题，得到如下见解：通过对空心阴极型溅射靶的内侧底面进行改良·加工，能够得到膜的均匀性(uniformity)良好，很少产生起弧、颗粒，并且能够抑制底面的再淀积膜的剥离且成膜特性良好的靶以及能够稳定地制造该靶的方法。
本发明，根据这种见解，提供如下的技术方案：1)一种溅射靶，在空心阴极型溅射靶中，具有表面粗糙度Ra≤1.0μm，进一步优选Ra≤0.5μm的内侧底面。2)根据上述1)所述的溅射靶，在空心阴极型溅射靶中，包括具有与圆筒形的内周面同等或在其以下的表面粗糙度Ra的底面。3)根据上述1)或2)所述的溅射靶，在空心阴极型溅射靶中，在外周缘部上具有粗糙化表面。4)根据上述3)所述的溅射靶，具有对外周缘部进行喷砂处理的粗糙化表面。5)根据上述1)至4)中任一项所述的溅射靶，靶由包覆材料构成。6)一种靶的表面精加工方法，在空心阴极型溅射靶中，对靶的底面进行研磨以及蚀刻加工而使内侧底面的表面粗糙度Ra≤1.0μm，进一步优选Ra≤0.5μm。
本发明由上所述，具有如下的良好效果：能够稳定地得到从溅射初期阶段起，膜的均匀性(uniformity)良好，并且很少产生起弧、颗粒，成膜特性良好，并且靶的利用效率也良好的空心阴极型溅射用靶。
并且，还得到如下的显著效果：能够在以往特别成为问题的空心阴极型靶的内侧底面，显著减少再淀积膜的剥离。
附图说明
图1是表示了表面粗糙度的各测定点的空心阴极型溅射靶的剖面和平面的简要说明图。
图2是表示对空心阴极型Ti靶进行溅射时的均匀性的图。
图3是表示对空心阴极型Ti靶进行溅射时的颗粒的产生量的图。
图4是表示对空心阴极型Ta靶进行溅射时的均匀性的图。
图5是表示对空心阴极型Ta靶进行溅射时的颗粒的产生量的图。
具体实施方式
本发明的空心阴极型溅射用靶可适用于各种金属、合金、硅化物、氧化物等陶瓷类，对于材料不特别限定。为了制造中空体(杯形状)，使用锻造、轧制、滚压、深拉深等加工方法。并且对于制造方法也不特别限定。
制造上需要特别注意的是靶内表面的表面精加工。即，形成空心阴极型溅射靶后，对于靶的底面进行车床加工、研磨以及蚀刻加工而使内侧底面的表面粗糙度为Ra≤1.0μm，进一步优选为Ra≤0.5μm。
在具有这样的表面粗糙度Ra≤1.0μm，进一步优选Ra≤0.5μm的内侧底面的溅射靶中，特别优选的是，具有与圆筒形的内周面同等或在其以下的表面粗糙度Ra的底面。
另一方面，对于腐蚀面，优选的是，具有至少Ra≤1.0μm，进一步优选Ra≤0.5μm表面粗糙度。
并且，空心阴极型溅射靶的外周缘部或外周面为非腐蚀面，在此优选的是，具有粗糙化表面。其通常成为用于捕获颗粒的捕集部。
空心阴极型溅射靶可以是单体，也可以由包覆材料构成靶。需要的是，空心阴极型溅射靶的内侧底面，与上述同样地，表面粗糙度Ra≤1.0μm，进一步优选Ra≤0.5μm。
空心阴极型靶的底面和筒状的周面的边界上存在曲面，本发明中优选的是，这种曲面部也同样，研磨成表面粗糙度Ra≤1.0μm，进一步优选Ra≤0.5μm的表面。即，本发明包括这样的曲面部。
实施例
接着，对于实施例进行说明。其中，本实施例只表示发明的一个例子，本发明并不限定于这些实施例。即，包括本发明的技术思想中所包含的其他方式和变形。
实施例1
在Ti的空心阴极型靶中，通过车床加工、研磨(用砂纸抛光)以及蚀刻对靶内表面进行了精加工。由此得到的空心阴极型溅射靶的概要表示在图1。在图1所示的各测定点(1～6)进行了靶的表面粗糙度的测定。
在表1表示与靶内表面对应的表面粗糙度Ra(μm)。如表1所示，与1～6的测定点对应的底面的表面粗糙度为0.5μm以下，同样地，筒状的内周面的表面粗糙度Ra也为0.5μm以下。
使用该空心阴极型靶进行溅射试验的结果表示在图2、图3。均匀性从初期开始就显示出良好的值，第一张晶圆上的颗粒大约为900个。并且，直至使用寿命结束未观察到内表面底部的再淀积膜的剥离。
表1
  实施例   实施例2   比较例1   实施例3   实施例4   比较例2
  ①   0.4   0.7   1.7   0.5   0.8   3.5
  ②   0.4   0.8   1.7   0.5   0.9   2.3
  ③   0.4   0.8   1.0   0.4   0.8   2.0
  ④   0.4   0.7   2.1   0.5   0.7   2.6
  ⑤   0.3   0.7   2.5   0.4   0.8   2.4
  ⑥   0.4   0.8   1.3   0.5   1.0   3.5
                                                                                                      Ra(μm)
实施例2
在Ti的空心阴极型靶中，通过车床加工、研磨(用砂纸擦光)以及蚀刻而对靶内表面进行精加工，使Ra(μm)＜1.0。
与实施例1同样地，在图1所示的各测定点(1～6)进行靶的表面粗糙度Ra(μm)的测定，其结果同样表示在图1。
如该表1所示，与1～6的测定点对应的底面的表面粗糙度Ra都在1.0μm以下，同样地，筒状的内周面的表面粗糙度Ra也为1.0μm以下。
使用该空心阴极型靶进行溅射试验的结果表示在图2及图3。如图2所示，均匀性从初期开始就显示出良好的值。并且，如图3所示，第一张晶圆上的颗粒大约为2500个。并且，直至寿命结束未观察到内表面底部的再淀积膜的剥离。
比较例1
在Ti的空心阴极型靶中，只通过车床加工对靶内表面进行了精加工。与实施例1同样地，在图1所示的各测定点(1～6)进行了靶的表面粗糙度的测定。
同样地，在表1表示与靶内表面对应的表面粗糙度Ra(μm)。如表1所示，与1～6的测定点对应的表面粗糙度中，底面为Ra＝1.3～2.5μm，侧面为Ra＝1.0～1.7μm。
使溅射试验的结果与实施例1、2对应，将均匀性和颗粒数的测定结果表示在图2和图3。
如这些图所示，均匀性在初期较差，第一张晶圆上的颗粒数大约为25000个，与实施例1、2相比更多。并且在大约使用8000kWhr后，内表面底部的再淀积膜确认有剥离。
实施例3
在Ta的空心阴极型靶中，通过车床加工、研磨以及蚀刻对靶内表面进行了精加工。与实施例1同样地，在图1所示的各测定点(1～6)进行了靶的表面粗糙度的测定。
在表1表示与靶内表面对应的表面粗糙度Ra(μm)。如表1所示，在1～6的测定点中，表面粗糙度Ra为0.4～0.5μm。
使用该空心阴极型靶进行溅射试验的结果，如图4所示，均匀性从初期开始就显示出良好的值，并且如图5所示，第一张晶圆上的颗粒大约为500个。并且，直至寿命结束未观察到内表面底部的再淀积膜的剥离。
实施例4
在Ta的空心阴极型靶中，通过车床加工、研磨以及蚀刻，对靶内表面进行了精加工。与实施例1同样地，在图1所示的各测定点(1～6)进行了靶的表面粗糙度的测定。
在表1表示与靶内表面对应的表面粗糙度Ra(μm)。如表1所示，在1～6的测定点中，表面粗糙度Ra为0.7～1.0μm。
使用该空心阴极型靶进行溅射试验的结果，如图4所示，均匀性从初期开始就显示出良好的值，并且如图5所示，第一张晶圆上的颗粒大约为1800个。并且，直至寿命结束未观察到内表面底部的再淀积膜的剥离。
比较例2
在Ta的空心阴极型靶中，只通过车床加工对靶内表面进行了精加工。与实施例1同样地，在图1所示的各测定点(1～6)进行了靶的表面粗糙度的测定。
同样地，在表1表示与靶内表面对应的表面粗糙度Ra(μm)。如表1所示，与1～6的测定点对应的表面粗糙度中，底面Ra＝2.4～3.5μm，侧面Ra＝2.0～3.5μm。
使溅射试验的结果与实施例1、2对应，将均匀性和颗粒数的测定结果表示在图4和图5。
如这些图所示，均匀性在初期较差，第一张晶圆上的颗粒数大约为6000个，与实施例3、4相比较多。并且在寿命结束后，在内表面底部的再淀积膜中确认有剥离。
产业上的利用可能性
由于在本发明中，能够稳定地制造膜的均匀性(uniformity)良好，很少产生起弧、颗粒，并且能够抑制底面的再淀积膜的剥离的成膜特性良好的靶，因而具有能够进一步提高空心阴极型溅射靶的功能的优点。

Claims (8)

1.一种溅射靶，在空心阴极型溅射靶中，其特征在于，具有表面粗糙度Ra≤1.0μm内侧底面。
2.一种溅射靶，在空心阴极型溅射靶中，其特征在于，具有表面粗糙度Ra≤0.5μm内侧底面。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，在空心阴极型溅射靶中，其特征在于，包括具有与圆筒形的内周面同等或在其以下的表面粗糙度Ra的底面。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的溅射靶，在空心阴极型溅射靶中，其特征在于，在外周缘部上具有粗糙化表面。
5.根据权利要求4所述的溅射靶，其特征在于，具有对外周缘部进行喷砂处理的粗糙化表面。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的溅射靶，其特征在于，靶由包覆材料构成。
7.一种靶的表面精加工方法，其特征在于，在空心阴极型溅射靶中，对于靶的底面进行研磨以及蚀刻加工而使内侧底面的表面粗糙度Ra≤1.0μm。
8.一种靶的表面精加工方法，其特征在于，在空心阴极型溅射靶中，对靶的底面进行研磨以及蚀刻加工而使内侧底面的表面粗糙度Ra≤0.5μm。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8702912B2 (en) 2008-04-17 2014-04-22 Kennametal Inc. Coating process, workpiece or tool and its use
CN111421063A (zh) * 2020-04-10 2020-07-17 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种锅形靶材加工成型方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030002043A1 (en) * 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment
US20040245099A1 (en) * 2001-11-26 2004-12-09 Atsushi Hukushima Sputtering target and production method therefor
US8296562B2 (en) * 2004-07-15 2012-10-23 Anakam, Inc. Out of band system and method for authentication
US8728255B2 (en) * 2005-03-28 2014-05-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Pot-shaped copper sputtering target and manufacturing method thereof
US20080078268A1 (en) 2006-10-03 2008-04-03 H.C. Starck Inc. Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof
US20080145688A1 (en) 2006-12-13 2008-06-19 H.C. Starck Inc. Method of joining tantalum clade steel structures
US9279178B2 (en) * 2007-04-27 2016-03-08 Honeywell International Inc. Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets
US8197894B2 (en) 2007-05-04 2012-06-12 H.C. Starck Gmbh Methods of forming sputtering targets
EP2241649B1 (en) * 2008-02-08 2015-01-21 JX Nippon Mining & Metals Corporation Ytterbium sputtering target and method for manufacturing the target
US8246903B2 (en) 2008-09-09 2012-08-21 H.C. Starck Inc. Dynamic dehydriding of refractory metal powders
US9120183B2 (en) 2011-09-29 2015-09-01 H.C. Starck Inc. Methods of manufacturing large-area sputtering targets
TWI623634B (zh) 2011-11-08 2018-05-11 塔沙Ｓｍｄ公司 具有特殊表面處理和良好顆粒性能之矽濺鍍靶及其製造方法
KR20160074577A (ko) * 2014-08-22 2016-06-28 미쓰이금속광업주식회사 원통형 스퍼터링 타깃용 타깃재의 제조 방법 및 원통형 스퍼터링 타깃

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU8629491A (en) * 1990-08-30 1992-03-30 Materials Research Corporation Pretextured cathode sputtering target and method of preparation thereof and sputtering therewith
US5482611A (en) * 1991-09-30 1996-01-09 Helmer; John C. Physical vapor deposition employing ion extraction from a plasma
US5687600A (en) * 1994-10-26 1997-11-18 Johnson Matthey Electronics, Inc. Metal sputtering target assembly
JPH09209135A (ja) * 1996-02-01 1997-08-12 Mitsubishi Materials Corp マグネトロンスパッタリング用ターゲット
DE19634312A1 (de) * 1996-08-24 1998-02-26 Behringwerke Ag Verfahren zur Herstellung von Faktor V-Mangelplasma und ein so erhaltenes Mangelplasma
JP3755559B2 (ja) * 1997-04-15 2006-03-15 株式会社日鉱マテリアルズ スパッタリングターゲット
US6139701A (en) * 1997-11-26 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Copper target for sputter deposition
WO2000032347A1 (en) 1998-12-03 2000-06-08 Tosoh Smd, Inc. Insert target assembly and method of making same
JP2000233865A (ja) * 1999-02-16 2000-08-29 Chuo Densetsu Kk 粘着テープのディスペンサー
US6283357B1 (en) * 1999-08-03 2001-09-04 Praxair S.T. Technology, Inc. Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets
US6342133B2 (en) * 2000-03-14 2002-01-29 Novellus Systems, Inc. PVD deposition of titanium and titanium nitride layers in the same chamber without use of a collimator or a shutter
JP4761605B2 (ja) * 2000-05-09 2011-08-31 株式会社東芝 スパッタリングターゲット
US6503380B1 (en) * 2000-10-13 2003-01-07 Honeywell International Inc. Physical vapor target constructions
US6887356B2 (en) * 2000-11-27 2005-05-03 Cabot Corporation Hollow cathode target and methods of making same
JP2002302762A (ja) * 2001-04-04 2002-10-18 Tosoh Corp Ｉｔｏスパッタリングターゲット
US20040245099A1 (en) * 2001-11-26 2004-12-09 Atsushi Hukushima Sputtering target and production method therefor
US7297247B2 (en) * 2003-05-06 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Electroformed sputtering target

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8702912B2 (en) 2008-04-17 2014-04-22 Kennametal Inc. Coating process, workpiece or tool and its use
CN111421063A (zh) * 2020-04-10 2020-07-17 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种锅形靶材加工成型方法
CN111421063B (zh) * 2020-04-10 2022-02-18 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种锅形靶材加工成型方法

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