CN102791903B - 溅射用钽制线圈及该线圈的加工方法 - Google Patents

溅射用钽制线圈及该线圈的加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102791903B
CN102791903B CN201180013804.XA CN201180013804A CN102791903B CN 102791903 B CN102791903 B CN 102791903B CN 201180013804 A CN201180013804 A CN 201180013804A CN 102791903 B CN102791903 B CN 102791903B
Authority
CN
China
Prior art keywords
coil
sputtering
tantalum
convex
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201180013804.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102791903A (zh
Inventor
塚本志郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Publication of CN102791903A publication Critical patent/CN102791903A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102791903B publication Critical patent/CN102791903B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3471—Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation

Abstract

一种溅射用钽制线圈，该钽制线圈配置在基板和溅射靶之间，其特征在于，具有使该线圈表面的表面粗糙度Rz为150μm以上且横向为15~30TPI（Threads per inch/每英寸螺纹数）、纵向为10~30TPI的凹凸。其课题是，为了在基板和溅射靶之间配置的钽制线圈中防止在线圈的表面堆积的溅射粒子剥离、其薄片飞散到基板表面并附着、而成为产生微粒及产生电弧的原因，提供一种采取了用于抑制在该线圈的表面堆积的溅射粒子的剥落的对策，由此提高电子零件的质量和生产性并可稳定地提供半导体元件及设备的技术。

Description

溅射用钽制线圈及该线圈的加工方法
技术领域
本发明涉及一种溅射用钽制线圈及该线圈的加工方法，其用于防止成为产生微粒及产生电弧的原因的情况，可有效抑制在溅射装置中使用的线圈表面所堆积的溅射粒子的剥落。
该溅射用钽制线圈如下述附图所示，具有弯曲的曲面，但线圈的表面无论是内表面还是外表面，哪一个表面均成为对象。因此，下述“线圈的表面”是指线圈的内表面和外表面这两者。以下相同。
背景技术
近年来，易于控制膜厚、成分的溅射法作为电子/电气零件用材料的成膜法之一被广泛使用。
该溅射法使用了以下原理：使由正的电极和负的电极构成的靶材相对，在惰性气体气氛下，对该基板和靶材之间施加高压而产生电场，此时，电离了的电子和惰性气体碰撞而形成等离子体，该等离子体中的阳离子与靶材(负的电极)表面碰撞，敲击靶材构成原子，该飞出的原子附着到相对的基板表面而形成膜。
作为近来的溅射技术存在以下技术：在溅射靶和基板之间配置线圈，提高等离子体的密度，且使飞舞的溅射粒子尽量朝向基板方向。其结果是，溅射速度变快，膜的均一性变得良好，可综合性地提高向基板堆积的膜的质量。
该线圈存在被溅射的情况，也存在不被溅射的情况。其根据对线圈的偏压而变化(参照专利文献1、2)。
总之，一般情况下，线圈的材料大多使用与靶材相同的材料，或者使用构成形成在基板上堆积的溅射膜的材料的一部分的材料。但是，特别地，线圈材料只要是不污染基板上的薄膜的材料，就无特别限定。并且，线圈的形状也包括圆形到螺旋式的形状(参照专利文献1、2、3)，也存在将其配置成多段的例子。
在基于这种溅射法的薄膜形成时，问题在于微粒的产生。一般情况下，微粒存在堆积在基板以外的薄膜形成装置的内壁、位于内部的设备的任意地方的可能性。靶材的侵蚀部以外的面及侧面上，溅射粒子也会堆积。并且，从位于这样的薄膜形成装置内的部件等剥离的薄片直接飞散到基板表面并附着的情况被认为是产生微粒的重要原因之一。
近来，LSI半导体设备的集成度提高(16M位，64M位、进而256M位)，另一方面，因布线宽度变为0.25μm以下等而正在细微化，因此上述那样的微粒造成的布线断线、短路的问题，变得较频繁发生。
这样，随着电子设备电路的高集成化、细微化的进展，微粒的产生成为更大的问题。
然而，在靶材和基板之间配置上述线圈、提高等离子体的密度、且使飞舞的溅射粒子尽量朝向基板方向时，向基板以外的薄膜形成装置的内壁、位于内部的设备飞舞的量减少，但存在堆积到线圈本身的问题。
为避免这样的问题，在上述专利文献3中提出了以下方案：在线圈的上端，削减线圈的内面一侧的上端，减少内周的厚度。此时，进行说明的话，线圈的上端部朝上，变为尖锐的形状，因此应堆积在线圈顶部的堆积物被拂下，不会滞留，并且新的溅射粒子碰撞，因而可清洁化。
但是，通过溅射而堆积的部位不只是线圈的上端。也可能堆积在线圈的表面，即外表面及内表面上。这种情况下，从溅射粒子堆积的线圈表面剥离的薄片直接飞散到基板表面并附着，成为微粒产生的原因，但并未有对此的措施。如上所述，因电子设备电路的高集成化、细微化的要求，这些地方产生微粒也会造成较大问题。
为解决这种问题，提出了对靶材侧面及底板的附近部分进行喷砂处理，通过固着效果提高附着力的方案。
但这种情况下，新产生喷砂材料的残留造成的污染产品的问题、残留喷砂材料上堆积的附着粒子的剥离问题、进而附着膜的选择性且不均一的成长造成的剥离问题，不是根本性的解决方法。尤其是，当线圈是钽这样的硬质材料时，喷砂处理的程度连设置凹凸都困难，无法获得有效的附着力增强效果。
并且，专利文献4公开了：在靶材的凸缘、侧壁、护罩、遮蔽等中使用的线圈上，通过滚花加工形成钻石状或网状(网格状)的图案。此时，深度为0.350mm～1.143mm，但加工面的凹凸是简单的形状，因此有可能无法获得充分的固着效果。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2005－538257号公报
专利文献2：日本特开2001－214264号公报
专利文献3：日本特表2008－534777号公报
专利文献4：WO2009/099775(PCT/US2009/031777)
发明内容
发明要解决的问题
本发明的课题是，为了在基板和溅射靶之间配置的钽制线圈中防止在线圈的表面堆积的溅射粒子剥离、其薄片飞散到基板表面并附着、而成为产生微粒及产生电弧的原因，提供一种采取了用于抑制在该线圈的表面堆积的溅射粒子的剥落的对策，由此提高电子零件的质量和生产性并可稳定地提供半导体元件及设备的技术。
用于解决问题的手段
因此，本发明中：
1)一种溅射用钽制线圈，该钽制线圈配置在基板和溅射靶之间，其特征在于，具有使该线圈表面的表面粗糙度Rz为150μm以上，且横向为15～30TPI(该TPI是“Threads per inch/每英寸螺纹数”的意思，以下记载为“TPI”)、纵向为10～30TPI的凹凸。
2)根据上述1)所述的溅射用钽制线圈，其特征在于，表面粗糙度Rz为200μm以上。
3)根据上述1)所述的溅射用钽制线圈，其特征在于，表面粗糙度Rz为250μm以上。
4)根据上述1)～3)中的任意一项所述的溅射用钽制线圈，其特征在于，所述凹凸中的凸的前端的R为10～500μm，或所述凹凸中的凸的前端具有10～500μm宽度的平坦面。
上述TPI(Threads per inch)是指，每1英寸(25.4mm)的山数(螺纹山数)。
并且，本发明中：
5)一种溅射用钽制线圈的加工方法，其特征在于，通过对配置在基板和溅射靶之间的钽制线圈进行滚花加工，形成使该线圈表面的表面粗糙度Rz为150μm以上，且横向为15～30TPI、纵向为10～30TPI的凹凸。
6)根据上述5)所述的溅射用钽制线圈的加工方法，其特征在于，使表面粗糙度Rz为200μm以上。
7)根据上述5)所述的溅射用钽制线圈的加工方法，其特征在于，使表面粗糙度Rz为250μm以上。
8)根据上述5)～7)中的任意一项所述的溅射用钽制线圈的加工方法，其特征在于，使所述凹凸中的凸的前端的R为10～500μm，或使所述凹凸中的凸的前端形成10～500μm宽度的平坦面。
发明效果
因此，本发明为了防止在基板和溅射靶之间配置的钽制线圈的表面上所堆积的溅射粒子剥离、其薄片飞散到基板表面并附着、而成为产生微粒的原因，并抑制电弧的产生，提供一种可有效抑制在该线圈的表面堆积的溅射粒子的剥落，提高电子零件的质量和生产性并可稳定地提供半导体元件及设备的技术。
附图说明
图1是进行了实施例1的切削式滚花加工的线圈的外观照片(A)和线圈的表面的外观照片(B)。
图2是进行了实施例1的切削式滚花加工的线圈的表面的SEM照片(A)和线圈表面的深度方向(截面)的SEM照片(B)。
图3是进行了比较例1的滚花加工的线圈的外观照片(A)和线圈的表面的外观照片(B)。
图4是进行了比较例1的滚花加工的线圈表面的SEM照片(A)和线圈表面的深度方向(截面)的SEM照片(B)。
图5是进行了实施例4的推压式滚花加工的线圈表面的SEM照片(A)和线圈表面的深度方向(截面)的SEM照片(B)。
具体实施方式
在将钽制线圈配置在基板和溅射靶之间的溅射装置中，例如在使用钽靶时，从该钽靶溅射的粒子除了晶圆以外，也沉积并堆积到位于靶材周围的钽制线圈的表面。并且，该线圈在溅射中受热膨胀。
当线圈表面的堆积厚度增加时，由于应力增加而使膜剥离，其飞散到基板上并附着，成为产生微粒、产生电弧的原因。
为防止这一现象，对线圈进行滚花加工，进行使表面粗糙化的加工，进行提高耐剥离性的作业。该滚花加工通过将压花强力推压到工件上而形成凹凸，但因钽较硬，所以可形成的粗糙度有限度。
因此，当沉积膜堆积一定程度时，存在在较短时间内产生膜剥离的问题。为提高薄膜的质量，需要停止溅射操作，更换线圈，成为使生产效率降低的原因。
并且还存在以下问题：即使进行滚花加工，以怎样的程度在表面形成凹凸可防止溅射粒子从线圈表面剥离，是不明确的。
一般情况下，线圈使用薄的材料，也存在使用5mm左右厚度的情况，因此当进行强度的滚花加工时，线圈自身会变形，另外在弱度的滚花加工中，成为粗糙度不充分的结果。
本发明为研究这一情况进行了多次试验，并改变滚花加工的方法和滚花加工的强度，寻找出了最适条件。
其结果发现：对配置在基板和溅射靶之间的钽制线圈进行滚花加工，形成使该线圈表面的表面粗糙度Rz为150μm以上，且横向为15～30TPI、纵向为10～30TPI的凹凸，从而可飞跃性地防止沉积膜的膜剥离。滚花加工包括切削式滚花加工和推压式滚花加工，但通过适当设定条件，哪一种都可使用。
本发明提供如上获得的溅射用钽制线圈。脱离上述哪一个条件，均无法防止溅射粒子从线圈表面剥离，不能实现本发明的目的。
此外，表面粗糙度Rz更优选为200μm以上。这是因为，使凹凸更粗，可牢固地附着。并且进而优选：使所述凹凸中的凸的前端的R为10～500μm，或使所述凹凸中的凸的前端形成10～500μm宽度(该尺寸也可称为“直径”)的平坦面。本发明的溅射用钽制线圈提供将它们包括在内的技术。
线圈的厚度、宽度、长度根据溅射装置的设计可任意替换，并且将线圈设置成多段、或使线圈为螺旋状也是溅射装置设计上的问题，能够容易理解可任意设计。
实施例
接着说明实施例。此外，本实施例用于易于理解发明，并不限制本发明。即，本发明的技术思想范围内的其他实施例及变形包含在本发明中。
(实施例1)
通过切削式滚花加工，制成线圈表面的表面粗糙度Rz＝250μm，且横向为20TPI(Threads per inch/每英寸螺纹数)、纵向为13TPI、山的前端的R为100μm的钽线圈。
图1表示进行了实施例1的本发明的切削式滚花加工的线圈的外观照片(A)和线圈的外侧(外表面部)的外观照片(B)。并且，图2表示进行了本发明的切削式滚花加工的线圈的表面的SEM照片(A)和线圈表面的深度方向(截面)的SEM照片(B)。
如该图1及图2所示，虽然是钽制线圈，但凹凸的阶梯差较大，凹凸明显，可使附着到钽制线圈表面的沉积膜更牢固附着。
并且，使用该钽制线圈实施溅射时，现有技术中，当使用200kWh后必须进行线圈更换，但当使用本实施例1的钽制线圈时，可使用350kWh。因此可获得更大的效果。
(实施例2)
通过切削式滚花加工，制成线圈表面的表面粗糙度Rz＝150μm，且横向为20TPI、纵向为13TPI、山的前端的R为220μm的钽线圈。虽然是钽制线圈，但凹凸的阶梯差较大，凹凸明显，可使附着到钽制线圈表面的沉积膜更牢固附着。
并且，使用该钽制线圈实施溅射时，现有技术中，当使用200kWh后必须进行线圈更换，但当使用本实施例2的钽制线圈时，可使用300kWh。因此可获得更大的效果。但和实施例1相比，线圈表面的表面粗糙度Rz较小，所以使用寿命较短。
(实施例3)
通过切削式滚花加工，制成线圈表面的表面粗糙度Rz＝300μm，且横向为20TPI、纵向为13TPI、山的前端的R为5μm的钽线圈。虽然是钽制线圈，但凹凸的阶梯差较大，凹凸明显，可使附着到钽制线圈表面的沉积膜更牢固附着。
并且，使用该钽制线圈实施溅射时，现有技术中，当使用200kWh后必须进行线圈更换，但当使用本实施例的钽制线圈时，可使用300kWh。因此可获得更大的效果。
但是，由于山的前端的R稍小，所以当超过300kWh时，在山的前端部产生沉积膜的剥离。
(实施例4)
通过推压式滚花加工，制成线圈表面的表面粗糙度Rz＝250μm，且横向为18TPI、纵向为18TPI、位于山的前端的平坦面的宽度为200μm的钽线圈。
图5表示进行了本实施例4的推压式滚花加工的线圈的表面的SEM照片(A)和线圈的表面的深度方向(截面)的SEM照片(B)。此时，是位于山的前端的平坦面，但也可是10～500μm的R加工面。
如该图5所示，虽然是钽制线圈，但凹凸的阶梯差较大，凹凸明显，可使附着到钽制线圈表面的沉积膜更牢固附着。
并且，使用该钽制线圈实施溅射时，现有技术中，当使用200kWh后必须进行线圈更换，但当使用本实施例4的钽制线圈时，可使用350kWh。因此可获得更大的效果。
(比较例1)
通过推压式滚花加工，制成线圈表面的表面粗糙度Rz＝80μm，且横向为80TPI、纵向为32TPI、山的前端的R为200μm的钽线圈。图3表示进行了比较例1的滚花加工的线圈的外观照片(A)和线圈的表面的外观照片(B)。另外，图4表示进行了比较例1的推压式滚花加工的线圈的表面的SEM照片(A)和线圈的表面的深度方向(截面)的SEM照片(B)。
如该图3及图4所示，钽制线圈的表面的凹凸的阶梯差较小，无法实现附着到钽制线圈表面的沉积膜的更牢固的附着。
使用该钽制线圈实施溅射时，当使用200kWh后必须进行线圈更换。
(比较例2)
通过推压式滚花加工，制成线圈表面的表面粗糙度Rz＝20μm，且横向为80TPI、纵向为32TPI、山的前端的R为550μm的钽线圈。钽制线圈的表面的凹凸的阶梯差相当小，无法实现附着到钽制线圈的表面的沉积膜的更牢固的附着。使用该钽制线圈实施溅射时，当使用100kWh后必须进行线圈更换。
工业实用性
本发明可防止在配置于基板和溅射靶之间的钽制线圈的表面堆积的溅射粒子剥离、其薄片飞散到基板表面并附着、而成为产生微粒的原因的情况，并抑制产生电弧，因此提供一种可有效抑制在该线圈表面堆积的溅射粒子的剥落，提高电子零件的质量和生产性并可稳定地提供半导体元件及设备的技术，因此适用于使用了钽制线圈的溅射装置。

Claims (6)

1.一种溅射用钽制线圈，该钽制线圈配置在基板和溅射靶之间，其特征在于，
具有使该线圈表面的表面粗糙度Rz为150μm以上且横向为15～30TPI、纵向为10～30TPI的凹凸，
所述凹凸中的凸的前端的R为10～500μm，或所述凹凸中的凸的前端具有10～500μm宽度的平坦面。
2.根据权利要求1所述的溅射用钽制线圈，其特征在于，
表面粗糙度Rz为200μm以上。
3.根据权利要求1所述的溅射用钽制线圈，其特征在于，
表面粗糙度Rz为250μm以上。
4.一种溅射用钽制线圈的加工方法，其特征在于，
通过对配置在基板和溅射靶之间的钽制线圈进行滚花加工，形成使该线圈表面的表面粗糙度Rz为150μm以上，且横向为15～30TPI、纵向为10～30TPI的凹凸，
使所述凹凸中的凸的前端的R为10～500μm，或使所述凹凸中的凸的前端具有10～500μm宽度的平坦面。
5.根据权利要求4所述的溅射用钽制线圈的加工方法，其特征在于，
使表面粗糙度Rz为200μm以上。
6.根据权利要求4所述的溅射用钽制线圈的加工方法，其特征在于，
使表面粗糙度Rz为250μm以上。
CN201180013804.XA 2010-03-29 2011-03-14 溅射用钽制线圈及该线圈的加工方法 Active CN102791903B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010075373 2010-03-29
JP2010-075373 2010-03-29
PCT/JP2011/055916 WO2011122317A1 (ja) 2010-03-29 2011-03-14 スパッタリング用タンタル製コイル及び同コイルの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102791903A CN102791903A (zh) 2012-11-21
CN102791903B true CN102791903B (zh) 2015-04-01

Family

ID=44712038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180013804.XA Active CN102791903B (zh) 2010-03-29 2011-03-14 溅射用钽制线圈及该线圈的加工方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9371578B2 (zh)
EP (1) EP2554710B1 (zh)
KR (1) KR101385344B1 (zh)
CN (1) CN102791903B (zh)
TW (1) TWI510657B (zh)
WO (1) WO2011122317A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160067188A (ko) 2011-09-30 2016-06-13 제이엑스금속주식회사 스퍼터링용 탄탈제 코일의 재생 방법 및 그 재생 방법에 의해서 얻어진 탄탈제 코일
KR101882606B1 (ko) 2012-03-21 2018-07-26 제이엑스금속주식회사 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 그리고 동 타깃을 사용하여 형성한 반도체 배선용 배리어막
US9803274B2 (en) * 2013-11-14 2017-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Process kit of physical vapor deposition chamber and fabricating method thereof
US10655212B2 (en) 2016-12-15 2020-05-19 Honeywell Internatonal Inc Sputter trap having multimodal particle size distribution
US20180211819A1 (en) * 2017-01-20 2018-07-26 Honeywell International Inc. Particle trap for sputtering coil and method of making
US11183373B2 (en) * 2017-10-11 2021-11-23 Honeywell International Inc. Multi-patterned sputter traps and methods of making
CN108994525B (zh) * 2018-07-20 2020-08-11 宁波江丰电子材料股份有限公司 半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺
CN115319399A (zh) * 2022-08-26 2022-11-11 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种半导体溅射钽环的修复方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1806316A (zh) * 2003-06-11 2006-07-19 霍尼韦尔国际公司 沉积室中用于捕集粒子的阱
EP2111253A2 (en) * 2007-01-29 2009-10-28 Spinal Modulation Inc. Sutureless lead retention features
TW200946704A (en) * 2008-01-31 2009-11-16 Honeywell Int Inc Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4402359A (en) * 1980-09-15 1983-09-06 Noranda Mines Limited Heat transfer device having an augmented wall surface
US5474649A (en) 1994-03-08 1995-12-12 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus employing a textured focus ring
EP0954620A4 (en) 1997-01-16 2002-01-02 Bottomfield Layne F COMPONENTS FOR VACUUM EVAPORATION METALLIZATION AND RELATED METHODS
JP3449459B2 (ja) 1997-06-02 2003-09-22 株式会社ジャパンエナジー 薄膜形成装置用部材の製造方法および該装置用部材
US6162297A (en) * 1997-09-05 2000-12-19 Applied Materials, Inc. Embossed semiconductor fabrication parts
JPH11135442A (ja) * 1997-10-31 1999-05-21 Canon Inc 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法
US6315872B1 (en) 1997-11-26 2001-11-13 Applied Materials, Inc. Coil for sputter deposition
US20020043466A1 (en) * 1999-07-09 2002-04-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for patching electrochemically deposited layers using electroless deposited materials
US6376807B1 (en) 1999-07-09 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Enhanced cooling IMP coil support
US6503380B1 (en) * 2000-10-13 2003-01-07 Honeywell International Inc. Physical vapor target constructions
US6812471B2 (en) 2002-03-13 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method of surface texturizing
US20040206804A1 (en) * 2002-07-16 2004-10-21 Jaeyeon Kim Traps for particle entrapment in deposition chambers
US6955748B2 (en) 2002-07-16 2005-10-18 Honeywell International Inc. PVD target constructions comprising projections
TWI342582B (en) * 2003-07-17 2011-05-21 Applied Materials Inc Method of surface texturizing
US9659758B2 (en) 2005-03-22 2017-05-23 Honeywell International Inc. Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production
CN101565819A (zh) * 2009-06-04 2009-10-28 西北稀有金属材料研究院 磁控溅射环
KR101291822B1 (ko) 2010-07-30 2013-07-31 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 스퍼터링 타깃 및/또는 코일 그리고 이들의 제조 방법
KR20160067188A (ko) 2011-09-30 2016-06-13 제이엑스금속주식회사 스퍼터링용 탄탈제 코일의 재생 방법 및 그 재생 방법에 의해서 얻어진 탄탈제 코일

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1806316A (zh) * 2003-06-11 2006-07-19 霍尼韦尔国际公司 沉积室中用于捕集粒子的阱
EP2111253A2 (en) * 2007-01-29 2009-10-28 Spinal Modulation Inc. Sutureless lead retention features
TW200946704A (en) * 2008-01-31 2009-11-16 Honeywell Int Inc Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US20120318668A1 (en) 2012-12-20
CN102791903A (zh) 2012-11-21
TW201144466A (en) 2011-12-16
EP2554710B1 (en) 2017-02-22
KR101385344B1 (ko) 2014-04-14
WO2011122317A1 (ja) 2011-10-06
EP2554710A1 (en) 2013-02-06
KR20120099522A (ko) 2012-09-10
TWI510657B (zh) 2015-12-01
EP2554710A4 (en) 2016-08-10
US9371578B2 (en) 2016-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102791903B (zh) 溅射用钽制线圈及该线圈的加工方法
JP5921048B2 (ja) スパッタリング方法
JP5280589B1 (ja) スパッタリング用タンタル製コイルの再生方法及び該再生方法によって得られたタンタル製コイル
CN104746021A (zh) 环件结构及其制造方法
US20090194414A1 (en) Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof
US20220044918A1 (en) Multi-patterned sputter traps and methods of making
JP4763101B1 (ja) スパッタリング用タンタル製コイル及び同コイルの加工方法
JP2001295024A (ja) 薄膜形成装置用部材及びその製造方法
JP2015025170A (ja) シリコンターゲット
US11821077B2 (en) Sputtering target
JP4519416B2 (ja) 薄膜形成装置用汚染防止装置
JP6014818B1 (ja) スパッタリングターゲット
JP2001192818A (ja) 薄膜形成装置用部材及びその製造方法
KR20030050747A (ko) 물리기상증착 공정용 금속타겟

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: JX Nippon Mining & Metals Corporation

CP01 Change in the name or title of a patent holder