CN1645570A - 移除晶片上颗粒与金属颗粒的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种移除晶片上颗粒与金属颗粒的方法，其是揭露一种用以移除晶片表面可能污染元件的颗粒的电抛光法。此方法是包括将晶片浸润于一电抛光用的电解液中，并通过晶片与电解液间所产生的旋转摩擦力以及电解作用而将晶片表面的缺陷以及颗粒移除。此方法是有效于移除所有大小尺寸的孔洞开口处的颗粒，且包含具有宽度小于0.2μm的通孔开口。

Description

移除晶片上颗粒与金属颗粒的方法
技术领域
本发明是有关于一种于半导体晶片基底上制造集成电路的过程中将基底表面的颗粒污染物移除的方法，且本发明是特别有关于一种新的电抛光法(electropolishing method)，其可适用于在电镀(electroplate)晶片的金属沟渠(trenoh)与孔洞(via)内连线(interconnect)前，将晶片的沟槽与孔洞开口中种晶层(seed layer)上的金属颗粒以及缺陷移除。
背景技术
在半导体元件的制造过程中，为数众多的制程步骤，如有数百道步骤之多，其均必须于硅晶片上执行以完成晶片上的集成电路。大体而言，于硅晶片基底上制造集成电路的制程一般是牵涉利用氧化法(oxidation)或任何种种的化学气相沉积(chemicalvapor deposition)制程于晶片上沉积一薄介电层或导电薄膜、由微影(photolithography)制程于光阻材料层上形成电路图案、将光阻罩幕层(mask layer)对应于晶片上的电路图案放置、蚀刻晶片上的导电层的电路图案、以及去除晶片上的光阻罩幕层。
于晶片上沉积导电与绝缘薄膜前，晶片通常先遭受研磨操作以提供晶片一非常平坦的起始表面，而在接下来基底材的建构中，多种处理步骤是用于形成例如导电层以及介电层，而其它层则形成于其上以制造集成电路。由于构造逐渐更加微小，相关的复制制程(replication process)变得对基底表面的变化更加敏感，因此，如今再平坦(re-level)晶片的表面是已成为必要，即便是在集成电路的生产制程行进中。再平坦的操作是指如平坦化，且一般是利用化学机械研磨法(chemical mechanical planarization；CMP)而完成。
在化学机械研磨过程中，将研磨悬浮剂(abrasive suspensionagent)或研浆(slurry)施于一研磨表面上，在该研磨表面与晶片间的相对移动下则于晶片表面产生一结合机械与化学的作用力，而此制程将于晶片上产生高度平坦的表面。为去除化学机械研磨制程后可能残留于晶片的研浆中湿润的余留物与微小的表面缺陷，其必须使用一后化学机械研磨的清洗步骤，否则晶片表面平坦会被破坏。
化学机械研磨制程后所执行的清洗步骤之一即通过刷洗机(scrubber cleaner)内所启动的旋转洗涤刷(rotating scrubberbrushes)而有所帮助。因此，一种特殊的清洗液体以及多对洗涤刷的旋转移动可通过施予晶片上一接触式的压力而用以清洁晶片的两面。由于晶片经每一道后续的平坦化的操作后将相对地变得更有价值，因此后化学机械研磨刷洗在商业上为一重要的操作。
Dai Nippon Screen(DNS)刷洗机为化学机械研磨操作后常用以移除晶片基底残余物的一种常见的后化学机械研磨刷洗机。DNS刷洗机是利用结合冲洗、超音波清洗(megasonic rinsing)、以及刷洗等步骤用以清洗晶片。将先前已遭化学机械平坦化的晶片基底装载至一潮湿的环境中，其通常为水，之后再移至一连串的清洗槽中进行刷洗循环。刷洗循环是包括在高速下旋转晶片，一般约为每分钟1500转，此时一去离子水射流是喷洒于晶片上以趋离任何自化学机械研磨制程中所产生的松散的残屑，并同时利用绵刷(foam brush)加以刷洗晶片。
DNS刷洗方法除了在化学机械研磨制程后用以清洗晶片，并可于金属种晶层沉积于一般双镶嵌制程后用以移除沟槽以及孔洞中的金属颗粒。现有双镶嵌结构10是显示于图1中，并包含一形成于基底12中的金属线14；于基底12上沉积一下部绝缘层16，而该下部绝缘层16上则沉积一上部绝缘层18；蚀刻下部绝缘层16以形成一孔洞开口20，并且蚀刻该上部绝缘层18以形成一沟槽开口22，且位于孔洞开口20之上。
将一金属阻障层(barrier layer)24沉积于沟槽开口22的侧壁以及孔洞开口20的侧壁与底部，再将一金属种晶层26，其一般为铜，沉积于该阻障层24之上。最后，利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition；CVD)或金属电镀技术沉积铜金属(未示)于孔洞开口20以及沟槽开口22中，且位于种晶层26之上。
在双镶嵌制程中，颗粒28有时会自环境或种晶层26中落下，而掉至孔洞开口20以及/或沟槽开口22的底部。该些颗粒28对于孔洞开口20以及沟槽开口22中金属内连线(interconnect)的片电阻(Rs)与接触电阻(Rc)效能有不良的影响，因此经常在形成开口的种晶层后，以及电镀金属内连线于孔洞开口与沟槽开口前，使用DNS刷洗方法用以移除孔洞开口以及/或沟槽开口的颗粒污染物。
上述用以移除双镶嵌结构中孔洞开口的颗粒污染物的刷洗方法限制之一，即该方法对于移除宽度小于约0.2μm的孔洞或沟槽开口的颗粒效果不佳，因此，颗粒经常于后续电镀金属内连线的制程中残留于开口中，累及所完成的集成电路元件(IC device)内连线的功能完整(functional integrity)。有鉴于此，业者需要一种新的方法，其可用于移除形成于基底的孔洞开口以及/或沟槽开口的颗粒，且特别对于宽度小于约0.2μm的孔洞开口以及沟槽开口。
发明内容
本发明的一目的是提供一种方法，其可适用于清洗基底。
本发明的另一目的则提供一种方法，其适用于移除基底上孔洞开口以及/或沟槽开口的金属颗粒。
本发明的又另一目的为提供一种电抛光清洗方法，其具有增强半导体基板上IC元件片电阻与接触电阻的效能的潜质。
本发明又更另一目的是提供一种电抛光清洗方法，其利用一种新的电解液以移除沉积于沟槽与孔洞开口中种晶层的缺陷，并且溶解或移除可能残留于种晶层上的污染元件颗粒。
本发明的进一步目的则为提供一种电抛光清洗方法，其可应用于清洗晶片上不同尺寸的孔洞以及/或沟槽开口。
本发明的又另一目的则提供一种电抛光清洗方法，其是利用旋转机械力(rotational mechanical force)与一连串的电脉冲(electrical pulse)或连续的电脉冲结合以移除位于孔洞以及/或沟槽开口中种晶层的缺陷，并溶解或移除残留于种晶层上的可能污染元件的颗粒。
为达上述与其它目的，本发明是一种新的且具改善的电抛光清洗法，其可用于移除晶片上可能污染元件的颗粒。本方法特别适于在开口中形成种晶层后，以及电镀开口的内连线前，用以移除晶片上介电层中孔洞以及/或沟槽开口的金属颗粒。本发明包括将晶片浸润于一电抛光电解液中，并通过在该溶液中旋转晶片以移除种晶层的缺陷与颗粒，且同时施予一脉冲或连续电流以借着电解作用(electrolysis)移除种晶层上的金属。本方法对于移除所有尺寸的孔洞开口以及/或沟槽开口的颗粒至为有效，且包含具有宽度小于约0.2μm的开口。
于电解液中，一较佳具有约10mA/cm2脉冲电流密度(pulsecurrent density)的脉冲电流是反复变换晶片与金属电极间的极性而施于晶片。因此，晶片与金属电极在交替的脉冲相中轮流成为阴极与阳极，而此将导致重复且交替地将电解液中的金属电镀至种晶层上，以及将种晶层上的金属电解蚀刻至电解液中，而总体结果则导致一薄金属层、以及金属颗粒与缺陷自种晶层上移除。
使用一脉冲电流于晶片上，当晶片为阴极相时(晶片具有负电荷)，电解液中的金属阳离子(cation)将减少，且电镀至种晶层上；而当晶片为阳极相时(晶片具有正电荷)，金属则通过电解作用而蚀刻该种晶层。结合通过在电解液中旋转晶片而施于种晶层的磨擦力，电镀与电解作用所造成的总体效应将造成种晶层的金属总体损失的结果，一般而言约为小于200埃的等级。该金属移除及电镀的比例，依照该金属重量而言是介于比例2至5之间。因此，在种晶层沉积后所残留于孔洞以及/或沟槽开口的可能污染元件的金属颗粒将移除自上述开口中，并且自电解液中溶解或移除。
当连续电流应用于晶片中，其晶片为阳极，而电极为阴极。因此，种晶层的金属可通过电解作用蚀刻，而此电解作用(electrolytic effect)结合在电解液中旋转晶片而施于种晶层的摩擦力，其将导致种晶层金属的总体损失(一般是小于约200埃)。因此，在种晶层沉积后所残留于孔洞以及/或沟槽开口的可能污染元件的金属颗粒将移除自上述开口中，并且自电解液中溶解或移除。
电抛光电解液一般为酸性的硫酸铜(copper sulfate)/硫酸(sulfuric acid)的电解液，其pH值一般约为2.1。一表面活性剂(surfactant)可以浓度约14ppm存在于电解液中，而该表面活性剂是较佳为聚乙二醇(polyethylene glycol)、聚乙二醇衍生物(derivative)、聚丙二醇(polypropylene glycol)、或聚丙二醇衍生物，且具有分子量约介于200～50,000之间。表面活性剂可用于调整孔洞开口与沟槽开口的种晶层金属移除率的比例，以达到自孔洞以及/或沟槽开口移除污染物颗粒的目的。
附图说明
图1为蚀刻晶片上的介电层的沟槽开口与孔洞开口的剖面侧视图，其具有在种晶层沉积过程中可能污染元件的金属颗粒遗留于孔洞开口的底部；
图2为用以实施本发明的一电抛光装置的概略图式；
图3为根据本发明于基底上所建造的双镶嵌结构的剖面侧视图，于沟槽及孔洞开口中沉积种晶层后，将具有可能污染元件的金属颗粒于孔洞开口中；
图4为阐述本发明方法的一系列制程步骤；
图5为一图表，其中经由本发明方法后而残留于晶片孔洞开口中的颗粒数(Y轴)是对照于依照本方法自种晶层上所移除的物质厚度而绘图。
具体实施方式
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
本发明是特别适用于移除双镶嵌结构的孔洞开口以及/或沟槽开口的可能污染元件的金属颗粒，例如在沉积孔洞开口与沟槽开口的种晶层后。然而，虽然此处所举范例的参考是有关于孔洞开口以及沟槽开口颗粒的移除，但本发明并非受限于此应用，且同样适用于在半导体元件制造过程中用以移除晶片在其它阶段或结构时的可能污染元件的金属颗粒。
本发明是一种电抛光方法，其可有效于移除晶片上可能污染元件的颗粒，且特别是金属颗粒。本方法特别适于在孔洞以及沟槽开口的侧壁与底部沉积金属种晶层后，以及在孔洞中电镀金属内连线前，用以移除孔洞开口以及/或沟槽开口上的金属颗粒。该大抵缺乏电导通(electrically-conductive)的金属颗粒的金属内连线是可增强晶片上所建造的IC元件的片电阻以及接触电阻效能。
依照本发明，将晶片浸润于电抛光的电解液中，而种晶层的缺陷与晶片的孔洞开口以及/或沟槽开口中的金属颗粒则通过在上述溶液中旋转晶片而移除，且同时并施以一电流于晶片上。本方法可有效移除所有尺寸的孔洞与沟槽开口的颗粒，且包含在0.13μm、0.1μm或更先进的制程技术中具有宽度小于约0.2μm的开口。
一较佳实施例中，施于电解液中的晶片的电流为一脉冲电流。该脉冲电流以一连续且重复交替极性的方式施于晶片上，重复且交替地导致电解液中的铜电镀至种晶层上，以及电解蚀刻种晶层上的铜至电解液中。该脉冲电流一般约具有3伏特的电压，以及约为10mA/cm2的脉冲电流密度。通过替换电流于交替相间将有助于晶片交替极性，其晶片将交替成为阴极和阳极。
当脉冲电流为阴极相时，其晶片具有负电荷，而电解液中的金属阳离子将减少，且电镀至种晶层上；通常在晶片为电镀的阴极相时，约有10埃的金属会沉积于种晶层上。当脉冲电流为阳极相时，晶片具有正电荷，而金属则通过电解作用蚀刻自种晶层；通常当晶片为电解的阳极相时，约有20埃的金属会移除自种晶层上。
当使用脉冲电流于晶片时，晶片是旋转于电解液中，并导致晶片与溶液间的摩擦力。晶片一般是以转速约每分钟30转旋转。晶片的旋转移动，结合脉冲电流所施予的电镀及电解相，将导致种晶层金属的总体损失的效应，一般而言是小于约200埃的等级。而在种晶层沉积后所残留于孔洞以及/或沟槽开口中的可能污染元件的金属颗粒将自上述开口中移除，并且自电解液中溶解或移除。
本发明所述的第二实施例方法中是施以一连续电流于晶片上。此实施例中，晶片为阳极，而电极为阴极，因此，种晶层的金属可通过电解作用而移除；且同时晶片于电解液中以每分钟约30转的转速旋转，如此通常有小于约200埃的金属自种晶层移除，其将有助于同时移除孔洞以及/或沟槽开口的可能污染元件的金属颗粒，以及移除种晶层的表面的缺陷。该施予晶片的连续电流是具有一约为3伏特的电压，以及约10mA/cm2的电流密度。
一较佳实施例中，电抛光的电解液为一酸性的硫酸铜/硫酸的电解质水溶液。其硫酸铜以一含水硫酸铜(CuSO4·5H2O)存在于电解质水溶液中，浓度约每公升48.5克；而硫酸(H2SO4)则于电解质水溶液中约以每公升22克存在。而电解液是较佳具有酸性pH值约2.1，电抛光制程则在溶液温度约为14℃下执行。
表面活性剂添加剂(additive)可于电解液中存在以增强移除晶片上金属颗粒的效果。一实施例中，该表面活性剂添加剂为聚乙二醇或聚乙二醇衍生物；而另一实施例中则为聚丙二醇或聚丙二醇衍生物。
表面活性剂添加剂具有分子量约介于200至50,000之间，且较佳地介于约1,000至50,000之间。于电抛光清洗制程中，表面活性剂可用于调整位于孔洞开口以及沟槽开口中种晶层金属的移除率的比例，以达到移除孔洞开口的污染物颗粒的目的。表面活性剂添加剂约以浓度14ppm存在于电抛光的电解液中。
根据图2的概要图式，一用于实施本发明方法的电抛光装置32是包含：一溶液槽34，其用以容纳一电抛光的电解液36；一金属盘电极38，其可例如为钢铁，浸润于电解液36中；一晶片支架(wafer holder)40，其用以支托一浸润于电解液36中的晶片48，并与一旋转马达(rotation motor)42接合以借此旋转；一电压源44，其是电连接至晶片支架40与金属盘电极38；以及一颗粒排出口46，其可与溶液槽34液态相通，而其目的将于后阐述。
接着请参照图3，本发明适于在孔洞开口62以及沟槽开口60电镀填充内部的内连线68前，用以移除一双镶嵌结构50的孔洞开口62以及/或沟槽开口60的金属颗粒70。该双镶嵌结构50是包含形成于晶片基底48中的金属线54，而一下部介电层56是沉积于晶片基底48上，而一上部介电层58则沉积于该下部介电层56上。
现有的光蚀刻以及蚀刻技术可用于形成沟槽开口60于上部介电层58中，而孔洞开口62则形成于下部介电层56中。一金属阻障层64是通常沉积于沟槽开口60以及孔洞开口62的侧壁及底部上。一金属种晶层66，其通常为铜，则沉积于该阻障层64上。金属颗粒70具有自环境中或种晶层66落至孔洞开口62以及/或沟槽开口60的倾向。依照本发明的方法，于沟槽开口60以及孔洞开口62中电镀金属内连线68前，金属颗粒70是已自孔洞开口62以及/或沟槽开口60移除，如后所述。
参照图4，本发明方法的一较佳实施例是依以下方式实施。如图4所示的步骤S1以及图3，首先于上部介电层58中形成沟槽开口60，而于下部介电层56中形成孔洞开口62。此步骤一般可通过例如现有的光蚀刻以及蚀刻技术而完成。
如步骤S2所述，于沟槽开口60以及孔洞开口62的底部及侧壁上沉积一阻障层64，而阻障层64可为一金属，例如钽(tantalum；Ta)或氮化钽(tantalum nitride；TaN)。阻障层64可通过例如现有的化学气相沉积法或物理气相沉积法而形成。
接着，如步骤S3所示，于阻障层64上沉积一种晶层66，通常种晶层66可为铜，并可通过例如现有的化学气相沉积法或物理气相沉积法而完成。由于在接下来的电抛光制程中，金属量(小于200埃)将自种晶层66上移除，因此可能需于沉积制程中增加超过种晶层66目标厚度的相对量的金属。例如，假设种晶层66的目标厚度为1,500埃，而在电抛光制程中所预期自种晶层66移除的金属厚度为100埃，则一般形成于阻障层64上的种晶层66的厚度至少需约为1,600埃。
如步骤S4的所述以及图2图式，将晶片48架置于电抛光装置32的晶片支架40上，并且浸润于电抛光电解液36中。而依照步骤S5所述，电压源44将施以一脉冲电流或连续电流于晶片48；而同时，晶片支架40则通过旋转马达42的驱动，于每分钟约30转的转速下旋转晶片48。电解液36于电抛光制程中约维持于14℃的温度下。
本发明的第一实施例中，电压源44通过重复而交替地变换介于晶片与金属电极间的极性而施以一脉冲电流密度约10mA/cm2的脉冲电流于晶片上，晶片是交替成为阴极及阳极。当晶片为阴极相时，晶片48具有负电荷，因此电解液36中的金属阳离子将减少，并且电镀至种晶层66上(图3)。通常在晶片为阴极相时，约有10埃的金属会沉积于种晶层66上。
当晶片为阳极相时，晶片48具有正电荷，而金属则通过电解作用蚀刻自种晶层66；通常在晶片为阳极相时，约有20埃的金属会移除自种晶层66。在晶片为阴极相时，金属电镀至种晶层66的量与晶片为阳极相时，金属自种晶层66电解移除的比例约2～5，此乃当施以一脉冲电流于晶片48约0.5分钟后所完成的结果。
当施以脉冲电流于晶片48时，由旋转晶片48所产生的介于电解液与晶片间的摩擦力将导致种晶层66金属的移除。因此，由于结合旋转晶片48的机械作用以及施于晶片48的脉冲电流的电解作用，金属颗粒70是自孔洞开口62以及/或沟槽开口60中移除，并且溶解于电解液36中或经由颗粒排出口46而自溶液槽34中移出。再者，种晶层66表面的缺陷也可一并移除。
本发明第二实施例中，电压源44是施以一电流密度约10mA/cm2的连续电流于晶片48上。此实施例中，晶片48为带有正电荷的阳极，而金属盘电极38则为带有负电荷的阴极，因此，金属将通过电解作用而自种晶层66中移除。电解作用结合电解液36中旋转晶片48而施于种晶层的摩擦力，将导致有小于约200埃的金属自种晶层66中移除；而可能污染元件的金属颗粒70将自孔洞开口62中移除，并溶解于电解液36中，或经由颗粒排出口46而自溶液槽34中移除。连续电流一般是施于晶片48约0.5分钟。
而随着电抛光制程的步骤S5的结束，停止于电解液36中旋转晶片48以及施以一脉冲或连续电流于晶片48，晶片48将移出自电解液36中以进一步处置，如步骤S6所述。而最后，则如步骤S7所述，于孔洞开口62以及沟槽开口60中形成电镀的内连线68，此步骤是使用一般现有的电镀技术。
接着请参照图5，其是根据本发明的电抛光法所得的图表。其中残留于晶片的孔洞开口中的颗粒数(Y轴)是以该自种晶层所移除的金属量(厚度)(X轴)呈函数关系绘制。根据该图式，依照本发明方法自种晶层上移除约60埃的金属时，其将导致颗粒数自约45掉至10左右，而在约60埃至125埃区间时，此数字将有稍微增加，但随之在125埃至175埃区间时又将再度减少。因此，本发明的一般应用，是通常自种晶层移除小于约200埃以减少孔洞开口以及/或沟槽开口的颗粒量。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
附图中符号的简单说明如下：
10～双镶嵌结构
12～基底
14～金属线
16～下部绝缘层
18～上部绝缘层
20～孔洞开口
22～沟槽开口
24～金属阻障层
26～金属种晶层
28～颗粒
32～电抛光装置
34～溶液槽
36～电解液
38～金属盘电极
40～晶片支架
42～旋转马达
44～电压源
46～排出口
48～晶片
50～双镶嵌结构
54～金属线
56～底部介电层
58～上部介电层
60～沟槽开口
62～孔洞开口
64～金属阻障层
66～金属种晶层
68～金属内连线
70～颗粒
S1～于介电层中形成沟槽及孔洞开口
S2～于沟槽与孔洞侧壁及底部上沉积阻障层
S3～于阻障层上沉积种晶层
S4～将晶片放置于电抛光装置中
S5～使用连续或脉冲电流电抛光晶片
S6～将晶片自电抛光装置中移出
S7～在沟槽及孔洞开口中电镀金属内连线

Claims (13)

1.一种移除晶片上颗粒的方法，其特征在于包括下列步骤：
提供一电抛光用的电解液；
于该电解液中旋转该晶片；以及
施加一电流至该晶片以给予该晶片一正电荷。
2.根据权利要求1所述的移除晶片上颗粒的方法，其特征在于：
该电流是包含一脉冲电流，且更包括对晶片施以对该正电荷呈交替关系的负电荷的步骤。
3.根据权利要求1所述的移除晶片上颗粒的方法，其特征在于：
该电流更包含一连续电流。
4.根据权利要求1所述的移除晶片上颗粒的方法，其特征在于：
更包括于该电解液中加入一表面活性剂。
5.根据权利要求4所述的移除晶片上颗粒的方法，其特征在于：
该表面活性剂是包含以下材料之一或其组合：聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚丙二醇、或聚丙二醇衍生物。
6.一种移除晶片上金属层的颗粒的方法，其特征在于包括下列步骤：
提供一电抛光用的电解液；
于该电解液中旋转该晶片以提供该金属层与该电解液间的旋转摩擦力；以及
通过电解作用将该金属层表面的金属移除。
7.根据权利要求6所述的移除晶片上金属层的颗粒的方法，其特征在于：
更包括于该电解液中加入一表面活性剂；其中该表面活性剂是包含以下材料之一或其组合：聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚丙二醇、或聚丙二醇衍生物。
8.根据权利要求6所述的移除晶片上金属层的颗粒的方法，其特征在于：
更包括电镀金属于该金属层表面的步骤，该步骤是与通过电解作用而将金属层表面的金属移除的步骤呈交替关系进行。
9.根据权利要求8所述的移除晶片上金属层的颗粒的方法，其特征在于：
该金属自金属层表面移除以及该金属电镀至金属层表面的比例，其依照该金属重量而言是介于比例2至5之间。
10.一种移除晶片上依衬有种晶层的通孔开口的颗粒的方法，其特征在于包括下列步骤：
提供一包含有硫酸铜以及硫酸电抛光用的电解液；
于该电解液中旋转该晶片以提供该种晶层与电解液间的旋转摩擦力；以及
通过电解作用移除该种晶层表面的金属。
11.根据权利要求10所述的移除晶片上依衬有种晶层的通孔开口的颗粒的方法，其特征在于：
更包括于该电解液中加入一表面活性剂；其中该表面活性剂是包含以下材料之一或其组合：聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚丙二醇、或聚丙二醇衍生物。
12.根据权利要求10所述的移除晶片上依衬有种晶层的通孔开口的颗粒的方法，其特征在于：
更包括一电镀金属于该种晶层表面的步骤，该步骤是与该通过电解作用而将种晶层表面的金属移除的步骤呈交替关系进行。
13.根据权利要求12所述的移除晶片上依衬有种晶层的通孔开口的颗粒的方法，其特征在于：
该金属自金属层表面移除以及该金属电镀至金属层表面的比例，其依照该金属重量而言是介于比例2至5之间。
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