CN1202558C - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

半导体装置的制造方法，包含：准备具备半导体基片、p型半导体层、n型半导体层、被形成在半导体基片上的具有多个开口的绝缘膜、被形成在上述开口内以及上述绝缘膜上的导体的基体，在研磨衬垫表面与基体的器件面接触的状态下，一边向该研磨衬垫和该基体之间提供膏剂，一边进行化学式机械研磨，除去绝缘膜上的导体，在上述多个开口内分别形成配线，在使上述基体的器件面和上述研磨衬垫表面接触的状态下，在该研磨衬垫和该基体之间，提供从由阳极水、使水溶解具有酸性的气体的第1溶液、使水含有游离原子·分子的第2溶液、阴极水，以及使水溶解具有还原性的气体的第3溶液组成的组中选择出的至少1种液体，解除上述研磨衬垫对上述基体的紧密接触。

Description

半导体装置的制造方法
相关申请的交叉参考
本申请要求2001年9月11日提交的日本专利申请2001-275593的优先权，其全部内容包含于此以供参考。
技术领域
本发明涉及对经pn结电气连接的导体露出的状态的基体进行药液处理的半导体装置的制造方法。
背景技术
具有在半导体装置的pn结上照射光时，产生空穴和电子的特性。当前，在制造工序中，因产生空穴和电子而出现问题。用图8A和8B，说明在半导体装置的制造过程中，因在pn结上照射光而产生的问题。图8A和8B是展示半导体装置的制造工序中的镶嵌(ダマシン)工序中的工序断面图。
在图8A中，11是Si(硅)基片，12是被搀杂在n型中的n+阱，13是被搀杂在p型中的p+阱，14是绝缘膜，15是阻挡层金属(barrier metal)，16a、16b是金属配线，81是膏剂。配线16a与p+阱13连接。配线16b与n+阱12连接。配线16a和配线16b，在表面上露出分离开形成图案，但在图8A所示的状态中阻挡层金属15残留在器件表面。在该状态中，p+阱13和n+阱12，经阻挡层金属15电气导通。因而，即使在该器件上照射光，所产生的空穴和电子也在器件内被消耗。
但是如果CMP进行，则如图8B所示，变为阻挡层金属15被从器件表面除去的状态。如果在图8所示的状态下照射光，则在与n+阱12连接的配线16b的表面上引起正离子析出。另一方面，在与p+阱13连接的配线16a表面上引起金属的溶解。发生所谓的光腐蚀。因此，引起金属的变形和变质。由此，不能进行以后的工序，器件特性自身受到破坏。
在此是以CMP工序为例。但是，在溶液处理和图8B所示的构造阶段同样的器件的工序中，存在和上述一样的引起装置的溶解、析出反应的问题。例如，在开通孔(ヴイアホ一ル)后的药液处理工序等。
发明内容
(1)涉及本发明的一例的半导体装置的制造方法，准备具备半导体基片、被形成在该半导体基片上的p型半导体层、被形成在上述半导体基片上，和上述p型半导体层形成pn结的n型半导体层、被形成在上述半导体基片上的具有多个开口的绝缘膜、被形成在上述开口内以及上述绝缘膜上的，与上述p型半导体层以及n型半导体层电气连接的导体的基体；
在使研磨衬垫(パツド)表面接触把形成有上述导体的器件面朝下的上述基体的状态下，一边向该研磨衬垫和该基体之间提供膏剂，一边使上述基体和上述研磨衬垫相对移动进行化学式机械研磨，除去上述绝缘膜上的导体，在上述多个开口内分别形成配线；
在使上述基体的器件面和上述研磨衬垫表面紧密接触的状态下，向该研磨衬垫和该基体之间，提供从由电解纯水得到的阳极水、使纯水溶解具有氧化性的气体的第1溶液、使纯水含有游离原子或分子的第2溶液、电解纯水得到的阴极水，以及使纯水溶解具有还原性的气体的第3液体组成的组中选择出的至少1种液体，
解除上述研磨衬垫对上述基体的接触。
(2)涉及本发明一例的半导体装置的制造方法，准备具备半导体基片、被形成在该半导体基片上的p型半导体层、被形成在上述半导体基片上，和上述p型半导体层形成pn结的n型半导体层、被形成在上述半导体基片上的具有多个第1开口的第1绝缘膜、被形成在上述第1开口内，经上述pn结电气连接的多个导体、被形成在上述第1绝缘膜以及上述导体上的第2绝缘膜的基体；
在上述第2绝缘膜上形成各导体分别露出的多个第2开口；
向上述基体的形成有上述第2开口上的器件面提供包含电解液的药液；
在上述药液的供给中以及供给后的至少一方时，向上述基体的器件面，提供从由电解纯水得到的阳极水、使纯水溶解具有酸性的气体的第1溶液、使纯水含有游离原子或分子的第2溶液、电解纯水得到的阴极水，以及使纯水溶解具有还原性的气体的第3液体组成的组中选择出的至少1种液体。
(3)涉及本发明的一例的半导体装置的制造方法，准备具备半导体基片、被形成在该半导体基片上的p型半导体层、被形成在上述半导体基片上，和上述p型半导体层形成pn结的n型半导体层、被形成在上述半导体基片上，经上述pn结电气连接的配线的基体；
向上述配线露出的上述基体的器件面上，提供包含电解质的药液；
在上述药液的供给中以及供给后的至少一方时，向上述基体的器件面提供在纯水中添加有苯并三唑、苯并咪唑、N-N二乙基二硫代氨基甲酸铵、铜铁灵，以及皮考啉酸的至少一种的有机添加溶液。
附图说明
图1A、1B是展示涉及本发明的实施方式1的半导体装置的制造工序的工序断面图。
图2是在涉及本发明的实施方式1的半导体装置的制造工序的说明中使用的流程图。
图3A至3C是模式化展示实施方式1有关的半导体装置的制造工序的一部分的图。
图4是模式化展示在实施方式1有关的光腐蚀的发生防止中有效的半导体装置和在溶液中流过的电流的图。
图5是在涉及本发明的实施方式2的半导体装置的制造工序的说明中使用的流程图。
图6A至6C是模式化展示在实施方式2有关的半导体装置的制造工序的一部分的图。
图7A至7C是展示实施方式3有关的半导体装置的制造工序的工序断面图。
图8A和8B是展示在半导体装置的制造工序中的镶嵌工序的工序断面图。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。
(实施方式1)
在本实施方式中，说明对于图1A所示构造的半导体装置，进行CMP处理，如图1B所示形成镶嵌配线的工序。图1A、1B是展示本发明的实施方式1的半导体装置制造工序的工序断面图。
首先，说明图1A所示状态的半导体装置的构成。如图1A所示，在Si基片11的表面上形成n+阱12。在Si基片11的表面上形成有与n+阱12形成pn结的p+阱13。在Si基片11、n+阱12，以及p+阱13上形成绝缘膜14。在绝缘膜14上形成n+阱12或者p+阱13露出的沟。在绝缘膜14以及n+阱12以及p+阱13的表面上形成阻挡层金属15。在阻挡层金属15上形成在器件整个面上成膜的铜(导体)16。
用图2以及图3A至3C说明本实施方式的半导体装置的制造工序。图2是在本发明是关于实施方式1的半导体装置的制造工序的说明中使用的流程图。图3A至3C是模式化展示本发明的实施方式1的半导体装置的制造工序一部分的图。
(步骤S101：一次CMP处理)
如图3A所示，准备作为器件制造过程中的如图1A所示的半导体装置的晶片(ウエハ)33。在使晶片33的器件面(铜16形成面)朝下的状态下，把晶片33保持在CMP装置的晶片托架34上。而后，把晶片33的器件面按压在挂在研磨定盘32的上面的研磨衬垫31上。而后，一边向研磨衬垫31上从喷嘴提供膏剂35，一边使研磨定盘32以及晶片托架34自转，进行铜16的CMP处理。如果绝缘膜14上的阻挡层金属15露出，则停止提供膏剂35。
(步骤S102：二次CMP处理)
以下，在把晶片33按压在研磨衬垫31上的状态下，进行阻挡层金属15的CMP处理。在该化学式机械研磨处理中，一边提供和一次CMP处理(步骤S101)不同的膏剂35，一边使研磨定盘32以及晶片托架34自转。除去阻挡层金属15，如果绝缘膜14露出，则停止膏剂35的供给。在阻挡层金属是Ti(肽)化合物和W(钨)化合物的情况下，不进行2次CMP，因为可以用1次CMP直至阻挡层金属被除去，因此该步骤可以省略。
这时，阻挡层金属15被除去，如图1B所示，与p+阱13连接的配线16a，和与n+阱12连接的配线16b，变为在器件表面上不导通的状态。因此重要的是在从二次CMP后的研磨衬垫31拆下时，防止光腐蚀。
(步骤S103：膏剂·研磨屑去除处理)
以下，除去附着在晶片33的器件面上的膏剂以及研磨屑。在此，在把器件面按压在研磨衬垫31上的状态下，一边向研磨衬垫31上提供药液36以及纯水37，一边使研磨定盘32以及晶片托架34自转。
(步骤S104：阳极水供给)
以下，进行晶片33的器件面的洗净，在步骤S103中除去所使用的药液36。在此，在把器件面按压在研磨衬垫31上的状态下，一边向研磨衬垫31上提供电解纯水得到的阳极水(anode water)38，一边使研磨定盘32以及晶片托架34自转。在本实施方式中使用的阳极水，是电解超纯水的溶液。在此使用的超纯水，最好是电阻率在18MΩ/cm2以上，各金属不纯物的浓度在100ppt以下。在对铜16提供了电解纯水后的电解水的情况下，容易产生铜的腐蚀。进而，当使用Al(铝)和W(钨)作为导体的情况下，也可以使用纯水。进而，所谓阳极水，是电解水的情况下，在阳极侧得到的溶液。在本实施方式中，使用了未加电解质的阳极水。在步骤S103、104中，在晶片33的器件面被按压在研磨衬垫31上的状态下，在pn结上不会照射光。因而，不会发生光腐蚀。
(步骤S105：从晶片托架上卸下)
在洗净处理结束后，解除晶片33对研磨衬垫的按压。而后，从晶片托架34上拆下晶片33，使晶片33的器件面向上。这时，在pn结上照射光，光腐蚀发生的可能性最高。然而，在本实施方式中，因为在洗净处理中使用阳极水38，所以在晶片33的器件面上附着阳极水38。由于该阳极水38的附着，可以防止光腐蚀的发生。有关采用阳极水38的光腐蚀的发生防止效果后述。
(步骤S106：洗刷洗净处理)
如图3B所示，用可以洗净晶片33的两面那样的滚式刷子39，进行晶片33的刷洗洗净。这时，滚式刷子39转动，晶片33也用转动机构(未图示)驱动转动。洗净液通常使用纯水或者纯水稀释后的洗净药液，但在本实施方式中，代替纯水，使用阳极水38。进而，也可以并用阳极水38和纯水，而阳极水的使用时间长，并且适用浓度高时，光腐蚀的抑制效果大。
此外，虽然在图中晶片33和滚式刷子39被水平设置，但是垂直方向也可以。此外该洗净步骤不仅是1步，2步以上也可以。进而，刷子的形状也不限定于滚式。在洗净处理中，也可以使用超声波洗净(megasoniccleaning)等的非接触洗净。即使这种情况下，如果洗净液使用阳极水，也可以防止光腐蚀。
(步骤S107：干燥处理)
最后在晶片33上进行干燥处理。如图3C所示，在晶片33由晶片托架40保持的状态下，通过使晶片33高速转动，进行干燥处理。在进行干燥处理前，也可以对晶片33进行冲洗处理。即使在这种情况下如果代替在通常的冲洗处理中使用的纯水使用阳极水38，则在光腐蚀的防止中也有效果。
参照图4说明阳极水在光腐蚀的发生防止中有效的理由。图4是模式化展示流过溶液和半导体装置的电流的图。
如图4所示，在pn结上因0.7V以下的电位差存在电动势51。配线16a、16b在器件表面上露出。配线16a、16b与溶液55接触。
这时，电化学性电路可以如以下那样模型化。在配线16a、16b表面上，存在用电阻表示溶液和配线间引起反应困难程度的分极电阻52(52a，52b)。此外因为溶液在配线附近制造电气双层所以存在电气双层电容53(53a，53b)。进而，存在溶液自身的电阻成分54。
在电化学式模式化的该电路中，为了减小在电路中流过的电流，首先使pn结不产生电动势51即可。因此只要整个系统遮光即可，但在装置构成上，还存在许多困难。即使不能遮光的情况下，只要增大溶液电阻54或者分极电阻52，就可以抑制在电路中流过的电流值。
为了增大溶液电阻54，需要减少溶液中的电解质。但是，因为在蚀刻溶液和在CMP中使用的膏剂中靠电解质进行反应，所以除去电解质困难。但是，如果是在蚀刻和CMP后快速地把器件表面置换为不含电解质的溶液的状态下，在处理后没有不需要的电流流过电路。其结果，可以抑制光腐蚀的发生。
所谓不包含电解质的溶液，一般是脱离子化的超纯水。但是，如果采用阳极水、氧化性气体水溶液则可以得到优于超纯水的抑制效果。在阳极水、氧化性气体水溶液中与超纯水相比在液体中溶解有大量的气体。因此，Cu(铜)的表面进行氧化，双层电容53的电容量也增大。其结果，认为电流难以流过。在包含OH根的水的情况下，比超纯水，进而比气体溶解水容易进行Cu表面氧化，电流难以流过。即使在使用阳极水的情况下，通过经由超声波喷嘴提供，可以有效地产生OH根。因而，如果装置构成上是可能的话，则在步骤S106中组合超声波洗净和阳极水的方法有效。
进而作为阳极水的特点，具有可以比纯水更迅速地置换附着在器件表面上的硫磺化合物等的污染的效果。如果说明硫磺化合物的例子，则硫磺化合物除了作为CMP膏剂成分使用的情况外，还包含在CMP以外的一般的酸性处理药液中，进而因为还包含在抗蚀剂(レジスト)成分中，所以在通孔开口后的残渣中也存在。此外，硫磺化合物，在大气层中一般含有数十至数百ppb。如果硫磺化合物附着在Cu表面，则产生局部电池。其结果，产生腐蚀。即当在Cu表面上附着有硫磺化合物等的污染物的情况下，认为污染位置的电位比周围高，容易诱发腐蚀。同样，即使是光腐蚀，如果有污染位置因为电位差加大，所以光腐蚀容易从这部分进行。这些污染在步骤S103中的膏剂·研磨屑处理中有去除不充分的时候。但是，因为如果使用阳极水可以迅速除去残留的污染，所以可以防止这样的腐蚀。
在以上的说明中列举了使用阳极水的情况。但是，代替阳极水，即使使用纯水，或者在超纯水中溶解了氧、臭氧、一氧化碳、过氧化氢等的具有氧化性的气体的氧化性气体水溶液，在纯水，或者超纯水中含有游离O、OH根等游离分子或原子的含有自由基的溶液，也可以期待同样的效果。
如果向器件表面上，提供纯水，或者电解超纯水得到的阴极水，或者在纯水，或者在超纯水中溶解还原性气体的溶液(还原性气体水溶液)，则可以有效地除去残留在器件表面上的研磨粒子。在研磨粒子表面上存在电解质。在CMP后，由于提供阴极水或者还原性气体水溶液，因而可以除去驻留有电解质的研磨粒子。其结果，器件表面的溶液电阻增高，可以抑制腐蚀。进而，作为具有还原性的气体，有氢气、H2S、HNO2、H2SO3等。进而，所谓阴极水，是在电解水的情况下，在阴极侧得到的液体。
进而，和阳极水同样的原因，在向铜配线露出的器件表面提供溶液的情况下，理想的是在氧化性气体水溶液、含有自由基的溶液、阴极水，以及还原性气体水溶液的生成中使用超纯水。在阳极水、阴极水、氧化性气体水溶液，以及还原性气体水溶液的生成中所使用的纯水或者超纯水，理想的是不含电解质的水。
此外，在步骤S104、S106中，也可以同时向器件表面提供从由上述阳极水、上述氧化性气体水溶液，以及上述含有自由基溶液组成的组中选择1个以上的第1液体，和从由上述阴极水以及上述还原性气体水溶液组成的组中选择1个以上的第2液体。这种情况下，在氧化配线表面的同时，可以有效地去除研磨粒子，可以更好地抑制腐蚀。
通过以适宜的比例混合第1液体和第2液体，可以减小配线材料和阻挡层金属材料之间的表面电位差，可以防止腐蚀的发生。例如在配线是Cu、阻挡层金属是Ta(钽)的组合中，由阳极水混合许多阴极水，通过把溶液中的氧浓度减小到10ppm以下，把氢浓度设置在0.5ppm以上，可以减小Cu和Ta的电位差。
(实施方式2)
为了抑制光腐蚀的发生，在实施方式1中叙述了增大图4所示的等价电路的分极电阻52有效的情况。为了增大该分极电阻52，也可以使配线表面钝化(passivate)。具体地说，使配线表面吸附有机物。或者，氧化配线表面。在本实施方式中，说明使配线表面吸附有机物，防止光腐蚀的方法。
用图5以及图6A至6C说明本实施方式的半导体装置的制造工序。图5是在本发明的实施方式2的半导体装置的制造工序的说明中使用的流程图。图6A至6C是模式化展示本发明的实施方式2的半导体装置的制造工序的一部分的图。进而，在图5中和图2所示的流程图中的处理相同的处理上标注相同符号，并省略其说明。此外，在图6A至6C中在和图3A至3C相同的部位上标注同一符号，并省略其说明。
(步骤S204：洗净处理)
在二次CMP处理(步骤S102)结束后，如图6A所示，向研磨衬垫31上提供在纯水中添加了BTA(苯并三唑，benzotriazole)等有机物的有机物添加溶液48。提供有机物添加溶液48的定时，根据洗净对象和膏剂的种类而不同。例如，提供药液36除去在器件的配线上残留的膏剂和研磨屑等的异物等后，尽可能迅速地提供有机物添加溶液48。此外，和药液36的提供同时提供有机物添加溶液48。于是，在Cu和阻挡层金属上吸附有机物，因为妨碍器件表面上的电荷运动，所以可以防止光腐蚀。
同样，在和实施方式1中的刷洗洗净处理(步骤S106)同样的刷洗洗净处理(步骤S206)中，如图6B所示，和洗净药液一同提供有机物添加溶液48。
此外，在进行干燥处理(步骤S107)前，如图6C所示，如果需要可以提供有机物添加溶液48。但是，在纯水冲洗中已吸附的有机物几乎不能去掉。因而，重新提供有机物添加溶液的必要性减少。此外，因为在铜表面上附着有有机物，所以不用有机物溶液只用纯水也可以。
作为有机溶液，除了BTA以外，也可以使用添加了苯并咪唑(BI：benzimidazole)、N-N二乙基二硫代氨基甲酸铵(ammoniumdiethyldithiocarbamate)、铜铁灵(cupferron)，以及皮考啉酸(picolinicacid)等有机物的溶液。
进而，和实施方式1同样的理由，在向配线露出的器件表面提供溶液的情况下，理想的是在有机物添加溶液的生成中使用超纯水。此外，在有机物添加溶液的生成中所使用的纯水或者超纯水，理想的是不含电解质。
(实施方式3)
图7A至7C，是展示本发明的实施方式3的半导体装置的制造工序的工序断面图。在图7A至7C中，在和图1A及1B相同的部位上标注相同的符号，并省略其说明。
如图7A所示，在配线16a、16b，以及绝缘膜14上形成层间绝缘膜71。接着，在层间绝缘膜71上形成未图示的抗蚀剂图案(レジストパタ一ン)。把抗蚀剂图案作为掩膜通过使用蚀刻性气体的RIE法蚀刻层间绝缘膜71，在底面上形成配线16a、16b露出的通孔72a、72b。而后，除去抗蚀剂图案。
以下，如图7B所示，向器件面提供药液73进行药液处理。在层间绝缘膜71上开通孔72a、72b后，抗蚀剂残渣、配线或者绝缘膜的成分和气体反应后的反应性生成物大多附着在通孔内。因此，作为通孔72a、72b形成后的后处理，一般进行除去抗蚀剂残渣和反应生成物的药液处理。
在该药液处理中，药液73在通孔72a、72b内部与配线表面接触。药液73，因为大多是包含电解质的酸·碱溶液，所以在此状态下当光照射在器件上时，仍然在pn结上产生空穴和电子，引起配线的溶解·析出。因而希望药液处理室是暗室。
以下，如图7C所示，用在实施方式1中说明的阳极水74进行洗净处理。在该洗净处理中，阳极水74置换通孔72a、72b内部的药液73，具有配线16a、16b的溶解·析出反应的防止效果。
理想的是洗净处理也在暗室中进行而不会出现问题，但洗净室作为暗室有很多困难。进行晶片的出入的装载、卸载室，因为通常是装有透明窗可以从外面看见，所以把洗净处理装置的内部全部设置成黑暗在实际中有困难。洗净处理室通常和药液处理室分开，此外在更靠近卸载室位置的洗净处理室中，有光泄露。因而代替纯水洗净，希望使用阳极水。
此外，即使在药液处理中，也是根据药液种类，通过混合阳极水和药液，使配线的表面电位变化，由此具有溶解·析出反应的防止效果。因而，作为药液73的稀释液，也可以使用阳极水。
在以上的说明中，列举了使用阳极水的情况。但是代替阳极水，即使使用纯水，或者在超纯水中溶解了具有氧、臭氧、一氧化碳、过氧化氢等的氧化性的气体的氧化性气体水溶液，使纯水或者超纯水中含有游离O、OH根等游离分子·原子的含有自由基的溶液，也可以期待同样的效果。
进而，在药液处理后，也可以在器件表面上使用在阳极水，或者纯水或者使超纯水中溶解了还原性气体的还原性气体水溶液进行洗净处理。在附着于器件表面上的抗蚀剂残渣和反应生成物上，附着包含电解质的药液。阳极水以及还原性气体水溶液，可以有效地除去残留在器件表面上的抗蚀剂残渣以及反应生成物。其结果，器件表面的溶液的电阻提高，可以抑制腐蚀。
也可以同时向器件表面提供从由上述阳极水、上述氧化性气体水溶液，以及上述含有自由基的溶液组成的组中选择1个以上的第1液体，和从由上述阴极水以及上述还原性气体水溶液组成的组中选择1个以上的第2液体。这种情况下，在氧化配线表面的同时，可以有效地去除抗蚀剂残渣以及反应生成物，可以更好地抑制腐蚀。
和实施方式1一样，通过以适宜的比例混合第1液体和第2液体，可以减小配线材料和阻挡层金属材料之间的表面电位差，可以防止腐蚀的发生。
此外，代替阳极水，可以使用在纯水中添加有苯并三唑、苯并咪唑、N-N二乙基二硫代氨基甲酸铵、铜铁灵，以及皮考啉酸的至少一种的溶液。
进而，本发明并不限定于上述实施方式。例如，在上述各实施方式中，作为导体使用了铜，但作为导体可以使用包含硅、铝、钨、金，以及银的至少一种的金属或者合金。此外，在上述各实施方式中，展示对在直接与p型半导体以及n型半导体连接的第1层的镶嵌配线防止光腐蚀的方法，但对于第2层以上的上层镶嵌配线本发明也适用。此外，本发明在不脱离其主旨的范围中，可以有各种变形实施。

Claims (13)

1、一种半导体装置的制造方法，包含，
准备具备半导体基片、被形成在该半导体基片上的p型半导体层、被形成在上述半导体基片上，和上述p型半导体层形成pn结的n型半导体层、被形成在上述半导体基片上的具有多个开口的绝缘膜、被形成在上述开口内以及上述绝缘膜上的，与上述p型半导体层以及n型半导体层电气连接的导体的基体；
在使研磨衬垫表面与把形成有上述导体的器件面朝下的上述基体接触的状态下，一边向该研磨衬垫和该基体之间提供膏剂，一边使上述基体和上述研磨衬垫相对移动进行化学式机械研磨，除去上述绝缘膜上的导体，在上述多个开口内分别形成配线；
在使上述基体的器件面和上述研磨衬垫表面接触的状态下，向该研磨衬垫和该基体之间，提供由在电解纯水得到的阳极水、使纯水溶解具有氧化性的气体的第1溶液、使纯水含有游离原子或分子的第2溶液、电解纯水得到的阴极水、使纯水溶解具有还原性的气体的第3溶液、以及在水中添加有苯并三唑、苯并咪唑、N-N二乙基二硫代氨基甲酸铵、铜铁灵和皮考啉酸的至少一种的有机添加溶液组成的组中选择出的至少1种液体；
解除上述基体对上述研磨衬垫的紧密接触。
2、权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述阳极水或者上述阴极水，不包含电解质。
3、权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
上述第1溶液是在纯水中溶解从氧、臭氧、一氧化碳、过氧化氢中选择出的至少一种的溶液，
上述第3溶液，是在纯水中溶解从氢、H2S、HNO2、H2SO3中选择出的至少一种的溶液。
4、权利要求1所述的半导体装置的制造方法，进一步包含：
在解除上述研磨衬垫对上述基体的接触后，把上述基体的器件面设置成向上或者横向，
向上述基体的器件面提供从由上述阳极水、上述第1溶液、第2溶液、上述阴极水、上述第3溶液、以及在水中添加有苯并三唑、苯并咪唑、N-N二乙基二硫代氨基甲酸铵、铜铁灵和皮考啉酸的至少一种的有机添加溶液组成的组中选择出的至少一种液体。
5、权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
上述第1溶液是在纯水中溶解从氧、臭氧、一氧化碳、过氧化氢中选择出的至少一种的溶液，
上述第3溶液，是在纯水中溶解从氢、H2S、HNO2、H2SO3中选择出的至少一种的溶液。
6、权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
上述导体包含Cu，
作为上述纯水使用超纯水。
7、权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
作为上述液体，提供从由上述阳极水、第1溶液、第2溶液组成的组中选择一个以上的第1液体，和从由上述阴极水，以及第3溶液组成的组中选择一个以上的第2液体。
8、一种半导体装置的制造方法，包含：
准备具备半导体基片、被形成在该半导体基片上的p型半导体层、被形成在上述半导体基片上，和上述p型半导体层形成pn结的n型半导体层、被形成在上述半导体基片上的具有多个第1开口的第1绝缘膜、被形成在上述第1开口内，经上述pn结电气连接的多个导体、被形成在上述第1绝缘膜以及上述导体上的第2绝缘膜的基体；
在上述第2绝缘膜上形成各导体分别露出的多个第2开口；
向上述基体形成有上述第2开口的器件面提供包含电解质的药液；
在上述药液的供给中以及供给后的至少一个时间，向上述基体的器件面，提供由在电解纯水得到的阳极水、使具纯水溶解具有氧化性的气体的第1溶液、使纯水含有游离原子或分子的第2溶液、电解纯水得到的阴极水、使纯水溶解具有还原性的气体的第3溶液、以及在水中添加有苯并三唑、苯并咪唑、N-N二乙基二硫代氨基甲酸铵、铜铁灵和皮考啉酸的至少一种的有机添加溶液组成的组中选择出的至少1种液体。
9、权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：用上述药液，除去在第2开口形成时生成的抗蚀剂残渣以及反应生成物的至少一种。
10、权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
上述导体包含Cu，
作为上述纯水使用超纯水。
11、权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
作为上述液体，提供从由上述阳极水、第1溶液、第2溶液组成的组中选择一个以上的第1液体，和由上述阴极水以及第3溶液组成的组中选择一个以上的第2液体。
12、权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
上述第1溶液是在纯水中溶解从氧、臭氧、一氧化碳、过氧化氢中选择出的至少一种的溶液，
上述第3溶液，是在纯水中溶解从氢、H2S、HNO2、H2SO3中选择出的至少一种的溶液。
13、权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述阳极水或者阴极水不含电解质。
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