CN100429299C - 化学机械研磨后洗涤液组合物 - Google Patents

化学机械研磨后洗涤液组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN100429299C
CN100429299C CNB031314341A CN03131434A CN100429299C CN 100429299 C CN100429299 C CN 100429299C CN B031314341 A CNB031314341 A CN B031314341A CN 03131434 A CN03131434 A CN 03131434A CN 100429299 C CN100429299 C CN 100429299C
Authority
CN
China
Prior art keywords
cmp
copper
fluid composition
acid
scouring fluid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB031314341A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1458256A (zh
Inventor
阿部优美子
大和田拓央
石川典夫
青木秀充
富盛浩昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Kanto Chemical Co Inc
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kanto Chemical Co Inc, NEC Corp filed Critical Kanto Chemical Co Inc
Publication of CN1458256A publication Critical patent/CN1458256A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100429299C publication Critical patent/CN100429299C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02074Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/20Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2075Carboxylic acids-salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/26Organic compounds containing oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于,含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上,且pH不满3.0。

Description

化学机械研磨后洗涤液组合物
技术领域
本发明涉及一种洗涤液,特别是涉及有金属配线材料(特别是铜)露出的半导体基板表面的洗涤液。
本发明还涉及用于除去特别是在半导体制造步骤中化学机械研磨(CMP)后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的洗涤液。
背景技术
随着集成电路的高集成化,由于微量的粒子、金属杂质对器件的性能、合格率产生大的影响,所以要求严格的污染控制。即,要求严格控制在基板表面上附着的粒子或金属杂质,为此在半导体制造的各工序中使用各种洗涤液。
通常地,作为半导体用基板洗涤液,有硫酸-过氧化氢、氨-过氧化氢-水(SC-1)、盐酸-过氧化氢-水(SC-2)、稀氢氟酸等,根据具体用途各洗涤液可单独地或组合使用。另外,在最近,化学机械研磨技术已经可被导入至绝缘膜的平坦化、连接孔的平坦化、金属镶嵌(damascene)配线等半导体制造工序中。通常地,化学机械研磨就是一边供给作为研磨剂粒子和化学药品的混合物的浆液,一边将基片压着至称之为抛光轮的布上,通过使抛光轮旋转而同时产生化学作用和物理作用,将研磨层间绝缘膜和金属材料得到的膜平坦化的技术。由此,化学机械研磨后的基板是受到在研磨粒子中大量使用的以氧化铝粒子或氧化硅粒子为代表的粒子或金属杂质污染。所以,在进入至下一个工序之前,必须完全地除去这些污染物而使其变得清洁。作为化学机械研磨后洗涤液,以前在除去粒子时一直使用氨之类的碱水溶液。而且,特开平10-72594和特开平11-131093中提出了在除去金属污染时使用有机酸和配位剂的水溶液的技术。另外,特开2001-7071中提出了使用有机酸和表面活性剂组合物的洗涤用水溶液作为将金属污染和粒子污染同时除去的技术。
化学机械研磨在层间绝缘膜和连接孔的平坦化中设定的时机是在基板表面上耐药品性差的材料还没有露出时,所以可以适应于通过氟化铵的水溶液和前述的有机酸的水溶液洗涤。但是,作为进一步构成的半导体元件的高速响应化所必需的铜配线技术,在将镶嵌配线技术导入的同时,在层间绝缘膜中按规定使用低介电常数的芳香族芳基聚合物之类的有机膜、甲基倍半硅氧烷或氢倍半硅氧烷等硅氧烷膜、多孔质二氧化硅膜等。因为这些材料化学强度是不充分的,所以洗涤液并不限于上述的碱性洗涤液和氟化物。
另一方面,据认为,采用上述有机酸的洗涤液最优选是低介电常数的对绝缘膜和铜的腐蚀性小的那些。但是,在铜配线的形成过程中,出现了新的问题。一个问题是即使仅仅使用有机酸,也会刻蚀铜的表面。另一个问题是,在埋入铜配线的镶嵌过程中发生的铜的微小腐蚀缺陷。这时,通过将绝缘膜中形成的沟中被覆Ta、TaN之类的阻挡金属的同时还埋入铜、在表面上形成的覆盖铜由化学机械研磨方法研磨除去而形成铜配线。因此,有必要通过洗涤除去在化学机械研磨后在基板表面上附着的浆液引起的研磨粒子和由研磨引起的研磨屑、金属杂质。但是,在埋入的铜配线露出时,在与酸或碱的任一种药液接触的情况下,沿着Ta、TaN之类的阻挡金属和铜的界面就会引起楔状的铜的微小腐蚀,使得器件的可靠性降低。另外,随着器件的微细化,在铜配线的形成过程中,这样的铜配线和阻挡金属的界面在使用洗涤液时有时露出,这些腐蚀缺陷变得明显化,也降低了电气特性的性能和品质。这种腐蚀也称之为侧缝。
已知在以往不腐蚀的草酸、丙二酸、柠檬酸之类的有机酸的水溶液中也发生侧缝。
还有一个问题是涉及由添加了异种金属的铜合金构成的配线材料的腐蚀的问题。在铜合金中有与异种金属局部接触的部分,与前述的铜和Ta等阻挡金属接触的结构同样地具有危险性。即,如果露出这样的铜合金的配线,即使在以前的使用有机酸的场合,由于同有机酸水溶液接触,在铜与异种金属的界面上也易于产生腐蚀,也有引起铜合金的表面的皲裂或侧缝或点状的腐蚀缺陷的担忧。
特开2002-69405中记载了作为除去微小粒子或金属杂质而不腐蚀铜、钨等的配线材料的洗涤液,是含有还原剂并调整成pH3~12的洗涤液。但是,pH越高,越易于发生侧缝,且易于引起还原剂的分解,还有氨系化合物引起铜的微细的腐蚀的担忧等问题。
对于这样的历来的配线材料和层间绝缘膜,虽然得到了各种洗涤液,但现状是,对于铜配线露出,甚至对具有铜与异种金属接触的结构的半导体基板,还没有得到同时满足上述需要的洗涤液。
发明内容
因此,本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。而且,本发明特别是提供可以除去基板表面的金属杂质等、而不引起基板上露出的铜表面的腐蚀或侧缝的洗涤液。再者,本发明还提供在与铜和阻挡金属接触的基板和由铜合金实施金属配线的基板中,可以除去基板表面的金属杂质等,而不引起铜合金的表面的皲裂或侧缝或点状的腐蚀缺陷的洗涤液。
本发明者为解决上述课题进行了反复的锐意研究,从中发现,通过在草酸等有机酸溶液中组合特定的化合物,可以不腐蚀金属配线的表面地除去基板表面的金属杂质等,还出乎意料地发现,还可抑制在铜和Ta、TaN等的界面上发生的、作为铜的微小腐蚀缺陷的侧缝的发生,至此完成了本发明。
即,本发明涉及一种化学机械研磨后洗涤液组合物,其特征在于,含有:相对于该化学机械研磨后洗涤液组合物为0.01~30重量%的一种或两种以上脂肪族多元羧酸类,使用浓度相对于该化学机械研磨后洗涤液组合物的总重量为0.03~5.0重量%的从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种,和水,且pH不满3.0。
本发明还涉及脂肪族多元羧酸类是草酸、丙二酸、苹果酸、酒石酸或柠檬酸的前述化学机械研磨后洗涤液组合物。
再者,本发明还涉及特征还在于含有相对于化学机械研磨后洗涤液组合物为0.0001~10重量%的表面活性剂的前述化学机械研磨后洗涤液组合物。
本发明还涉及特征还在于不含有氨和有机碱性化合物的前述化学机械研磨后洗涤液组合物。
本发明还涉及前述化学机械研磨后洗涤液组合物在具有铜与异种金属接触的结构的基板中用于化学机械研磨后的具有铜配线的基板的用途,该洗涤液组合物用于除去化学机械研磨后的所述基板上附着的微细粒子或金属杂质。
本发明的化学机械研磨后洗涤液组合物通过含有脂肪族多元羧酸和上述特定的化合物,可以不腐蚀配线材料地除去化学机械研磨后的微小粒子和金属杂质。特别地,不仅不腐蚀铜配线,而且对由镶嵌方法埋入铜时形成的、在Ta、TaN等阻挡金属层的界面中的铜也不发生腐蚀,也就是说,抑制了侧缝的发生。而且,在通过铜合金实施金属配线的基板上,可以除去化学机械研磨后的微小粒子和金属杂质而不引起铜合金的表面的皲裂或侧缝或点状的腐蚀缺陷。因此,即使器件进一步微细化,也可得到不影响电气特性的性能的优良的基板。
附图说明
图1是显示本发明的化学机械研磨后洗涤液组合物和以前的洗涤液的比较的图形。
具体实施方式
图1是显示本发明的化学机械研磨后洗涤液组合物和以前的洗涤液的比较的图形。铜配线是在绝缘膜上Ta或TaN构成的阻挡金属膜上堆积铜膜(上图)、采用化学机械研磨、研磨除去覆盖铜而形成的。在化学机械研磨后的基板表面上残留有残留粒子或金属杂质(中图)。在使用以前的洗涤液进行洗涤的场合,虽然通过洗涤除去了残留粒子或金属杂质,但是沿着配线的铜和阻挡金属的边界铜发生溶解,从而形成侧缝(左下图)。与此相对,在采用本发明的洗涤液组合物进行洗涤的场合,可以除去残留粒子或金属杂质而不形成侧缝(右下图)。
而且,本发明的洗涤液组合物在采用表面活性剂时,可以改善特别是对低介电常数的层间绝缘膜的润湿性。
本发明的化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于,含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上,且pH不满3.0。特别是,对于具有铜和异种的金属例如Ta、TaN之类的阻挡金属接触的结构的基板或者具有添加了异种金属的铜合金的基板的化学机械研磨后有配线材料露出的基板,也可以适宜地采用本发明的洗涤液组合物用于除去在该基板表面上附着的微小粒子和金属杂质。
本发明的洗涤液组合物中所用的脂肪族多元羧酸类,具体地说,可以例举出:草酸、丙二酸等二羧酸类或酒石酸、苹果酸、柠檬酸等羟基多元羧酸类。特别地,草酸因为对金属杂质的除去能力高,优选作为本发明中所用的脂肪族多元羧酸类。
在洗涤液中的脂肪族多元羧酸类的浓度是根据溶解度、充分的洗涤效果和晶体的析出等而适宜地决定,但优选0.01~30重量%,更优选0.03~10重量%。
另外,作为本发明中使用的、发挥了防止金属配线的腐蚀、特别是防止了铜的侧缝的发生的优良效果的物质,有乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖、甘露糖等。已知它们是所谓的还原性物质,其结构中具有酮基、醛基或双键。通常,采用苯并三唑或苯并噻唑等用于防止金属配线的腐蚀。据认为,它们是通过在表面上形成与金属反应得到的不溶性膜而防止腐蚀。但是,由于这样的作用,Cu和Ta这样的异种金属接触的方式不能象铜的镶嵌配线那样发挥充分的功能。另一方面,乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖、甘露糖之类的化合物不仅抑制了铜表面的刻蚀,还具有抑制侧缝的效果。其机理还不明确,但是据认为是由于这些化合物是还原性的,通过自身的氧化,防止了金属的氧化、腐蚀。但是,作为还原性物质,还有肼或羟胺之类的胺类等,但它们有增长侧缝的倾向,所以并不是所有的还原性物质均可用于本发明的洗涤液组合物中。
为了得到充分的腐蚀防止效果,乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖、甘露糖的浓度优选是0.0005~10重量%,更优选是0.03~5重量%。
本发明的洗涤液为了赋予微粒子的除去能力对低介电常数(Low-K)之类的拒水性的膜具有亲和性。优选非离子型或阴离子型的表面活性剂用于该目的。
为了得到充分的粒子除去效果,表面活性剂的浓度优选是0.0001~10重量%,更优选是0.001~5重量%。
本发明的洗涤液为了不引起铜与异种金属接触的界面的微细的腐蚀,优选不含有可能引起这种腐蚀的氨或胺类等有机碱化合物。
本发明的化学机械研磨后洗涤液组合物用于在具有金属配线的半导体基板的制造工序的化学机械研磨后的基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质,特别是,对于耐药品性差的铜或铜合金的配线,也有优良的杂质除去性,且不腐蚀表面,所以可以适宜地采用。
实施例
以下,基于本发明的化学机械研磨后洗涤液组合物,通过实施例和比较例,对本发明进行详细地说明,但本发明不限于这些实施例。
(洗涤试验)
将带有氧化膜的硅基板浸渍在含有铁和铜的水溶液中,进行强制污染(铁污染量:6×1013个原子/cm2,铜污染量:6×1012个原子/cm2),然后用表1中所示的组成的洗涤液(比较例1~7和实施例1~12)进行洗涤,水洗干燥后,使用全反射荧光X线装置测定表面的铁、铜的浓度,调查除去性能(表2)。
洗涤条件:25℃、3分钟
(腐蚀试验)
在硅基片上实施铜镶嵌配线而得到的基片用表1中所示的组成的洗涤液(比较例1~7和实施例1~12)在25℃下浸渍处理10分钟,用超纯水进行流水漂洗处理,进行干燥后,通过电子显微镜确认对铜的腐蚀性(表面的皲裂、侧缝的有无)(表2)。
表1
Figure C0313143400091
表2
Figure C0313143400101
*1单位×1010个原子/cm2污染量6×1013个原子/cm2
*2单位×1010个原子/cm2污染量6×1012个原子/cm2
*3Cu表面皲裂  ◎:没有皲裂  △:稍微发生皲裂  ×:发生皲裂*4侧缝  ◎:没有侧缝  ×:有侧缝
乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖、甘露糖是可以防止铜的表面的腐蚀和作为微细的腐蚀缺陷的侧缝发生而不妨碍脂肪族多元羧酸的金属除去能力。
本发明的化学机械研磨后洗涤液组合物具有对化学机械研磨后的半导体用基板上附着的微细粒子或金属杂质的除去性优良,且具有抑制对配线材料的腐蚀的优良性质。特别是在即使使用铜作为配线材料时,也可充分地得到上述效果,可以抑制作为微细的腐蚀缺陷的侧缝的发生。而且,本发明的化学机械研磨后洗涤液组合物,在通过铜合金实施金属配线的基板中,具有抑制铜合金的表面的皲裂或侧缝或点状的腐蚀缺陷的优良性质。因此,使器件进一步微细化,也可得到不影响电气特性的性能的优良的基板。

Claims (5)

1、一种化学机械研磨后洗涤液组合物,其特征在于,含有:相对于该化学机械研磨后洗涤液组合物为0.01~30重量%的一种或两种以上脂肪族多元羧酸类,使用浓度相对于该化学机械研磨后洗涤液组合物的总重量为0.03~5.0重量%的从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种,和水,且pH不满3.0。
2、根据权利要求1的化学机械研磨后洗涤液组合物,其中脂肪族多元羧酸类是草酸、丙二酸、苹果酸、酒石酸或柠檬酸。
3、根据权利要求1或2的化学机械研磨后洗涤液组合物,其中还含有相对于该化学机械研磨后洗涤液组合物为0.0001~10重量%的表面活性剂。
4、根据权利要求1或2的化学机械研磨后洗涤液组合物,其中不含有氨和有机碱性化合物。
5、权利要求1或2的化学机械研磨后洗涤液组合物在具有铜与异种金属接触的结构的基板中用于化学机械研磨后的具有铜配线的基板的用途,该洗涤液组合物用于除去化学机械研磨后的所述基板上附着的微细粒子或金属杂质。
CNB031314341A 2002-05-16 2003-05-16 化学机械研磨后洗涤液组合物 Expired - Fee Related CN100429299C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-141003 2002-05-16
JP2002141003 2002-05-16
JP2002141003A JP4221191B2 (ja) 2002-05-16 2002-05-16 Cmp後洗浄液組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1458256A CN1458256A (zh) 2003-11-26
CN100429299C true CN100429299C (zh) 2008-10-29

Family

ID=29267807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031314341A Expired - Fee Related CN100429299C (zh) 2002-05-16 2003-05-16 化学机械研磨后洗涤液组合物

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7087562B2 (zh)
EP (1) EP1363321B1 (zh)
JP (1) JP4221191B2 (zh)
KR (1) KR100995316B1 (zh)
CN (1) CN100429299C (zh)
DE (1) DE60301907T2 (zh)
TW (1) TWI288175B (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040248405A1 (en) * 2003-06-02 2004-12-09 Akira Fukunaga Method of and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP3917593B2 (ja) * 2004-02-05 2007-05-23 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US7087564B2 (en) * 2004-03-05 2006-08-08 Air Liquide America, L.P. Acidic chemistry for post-CMP cleaning
JP4064943B2 (ja) * 2004-04-02 2008-03-19 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US20050247675A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Texas Instruments Incorporated Treatment of dies prior to nickel silicide formation
JP2005347587A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Sony Corp ドライエッチング後の洗浄液組成物および半導体装置の製造方法
KR100634401B1 (ko) * 2004-08-03 2006-10-16 삼성전자주식회사 반도체 제조공정의 기판 처리 방법
KR100630737B1 (ko) * 2005-02-04 2006-10-02 삼성전자주식회사 금속 cmp 후 세정액 및 이를 이용한 반도체 소자의금속 배선 형성 방법
US8257177B1 (en) 2005-10-04 2012-09-04 PICO Mobile Networks, Inc Proximity based games for mobile communication devices
US8411662B1 (en) 2005-10-04 2013-04-02 Pico Mobile Networks, Inc. Beacon based proximity services
JP2007220891A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Toshiba Corp ポストcmp処理液、およびこれを用いた半導体装置の製造方法
US9058975B2 (en) * 2006-06-09 2015-06-16 Lam Research Corporation Cleaning solution formulations for substrates
US7772128B2 (en) * 2006-06-09 2010-08-10 Lam Research Corporation Semiconductor system with surface modification
US8279884B1 (en) 2006-11-21 2012-10-02 Pico Mobile Networks, Inc. Integrated adaptive jitter buffer
US7970384B1 (en) 2006-11-21 2011-06-28 Picomobile Networks, Inc. Active phone book enhancements
US7951717B2 (en) * 2007-03-06 2011-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Post-CMP treating liquid and manufacturing method of semiconductor device using the same
TWI598468B (zh) * 2007-05-17 2017-09-11 恩特葛瑞斯股份有限公司 用於移除化學機械研磨後殘留物之清洗組成物、套組及方法
JP5192953B2 (ja) * 2007-09-14 2013-05-08 三洋化成工業株式会社 磁気ディスク用ガラス基板洗浄剤
JP5561914B2 (ja) 2008-05-16 2014-07-30 関東化学株式会社 半導体基板洗浄液組成物
JP5232675B2 (ja) * 2009-01-26 2013-07-10 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物
BR112012012250B8 (pt) * 2009-11-23 2022-10-18 MetCon LLC Métodos de micropolimento de uma superfície de uma peça de trabalho de metal não ferroso e de remoção de material de superfície controlada uniforme sobre uma peça de trabalho de metal não ferroso
US9380401B1 (en) 2010-02-03 2016-06-28 Marvell International Ltd. Signaling schemes allowing discovery of network devices capable of operating in multiple network modes
US8580103B2 (en) 2010-11-22 2013-11-12 Metcon, Llc Electrolyte solution and electrochemical surface modification methods
JPWO2013088928A1 (ja) * 2011-12-14 2015-04-27 旭硝子株式会社 洗浄剤、および炭化ケイ素単結晶基板の製造方法
CN104093824B (zh) 2012-02-06 2018-05-11 巴斯夫欧洲公司 包含具体含硫化合物和糖醇或多元羧酸的化学机械抛光后的清洗组合物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1210886A (zh) * 1997-08-12 1999-03-17 关东化学株式会社 洗涤液
CN1271000A (zh) * 1999-04-20 2000-10-25 关东化学株式会社 电子材料用基板洗净液

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4140649A (en) * 1976-09-27 1979-02-20 Eduard Bossert Method and composition for cleaning the surfaces of foods and fodder
US4199469A (en) * 1978-06-21 1980-04-22 Feldmann Chemie Composition and method for cleaning drinking water tanks
US6546939B1 (en) * 1990-11-05 2003-04-15 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment
US5981454A (en) 1993-06-21 1999-11-09 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine
JP2652320B2 (ja) * 1993-03-31 1997-09-10 住友シチックス株式会社 シリコンウェーハの洗浄方法
US6410494B2 (en) 1996-06-05 2002-06-25 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Cleaning agent
JP3219020B2 (ja) 1996-06-05 2001-10-15 和光純薬工業株式会社 洗浄処理剤
TW416987B (en) 1996-06-05 2001-01-01 Wako Pure Chem Ind Ltd A composition for cleaning the semiconductor substrate surface
JP3165801B2 (ja) 1997-08-12 2001-05-14 関東化学株式会社 洗浄液
US6593282B1 (en) * 1997-10-21 2003-07-15 Lam Research Corporation Cleaning solutions for semiconductor substrates after polishing of copper film
US6373999B2 (en) * 1998-07-22 2002-04-16 Hewlett-Packard Company Photoelectric imaging apparatus and method of using
JP3365980B2 (ja) * 1999-08-03 2003-01-14 花王株式会社 洗浄剤組成物
US6723691B2 (en) 1999-11-16 2004-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
JP2001284308A (ja) * 2000-01-24 2001-10-12 Mitsubishi Chemicals Corp 表面に遷移金属又は遷移金属化合物を有する半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法
JP2002069495A (ja) * 2000-06-16 2002-03-08 Kao Corp 洗浄剤組成物
US6326305B1 (en) * 2000-12-05 2001-12-04 Advanced Micro Devices, Inc. Ceria removal in chemical-mechanical polishing of integrated circuits
US7104869B2 (en) 2001-07-13 2006-09-12 Applied Materials, Inc. Barrier removal at low polish pressure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1210886A (zh) * 1997-08-12 1999-03-17 关东化学株式会社 洗涤液
CN1271000A (zh) * 1999-04-20 2000-10-25 关东化学株式会社 电子材料用基板洗净液

Also Published As

Publication number Publication date
CN1458256A (zh) 2003-11-26
DE60301907D1 (de) 2006-03-02
US7087562B2 (en) 2006-08-08
JP2003332290A (ja) 2003-11-21
TW200400257A (en) 2004-01-01
TWI288175B (en) 2007-10-11
JP4221191B2 (ja) 2009-02-12
DE60301907T2 (de) 2006-04-27
KR100995316B1 (ko) 2010-11-19
EP1363321B1 (en) 2005-10-19
EP1363321A2 (en) 2003-11-19
EP1363321A3 (en) 2003-12-03
KR20040014168A (ko) 2004-02-14
US20030216270A1 (en) 2003-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100429299C (zh) 化学机械研磨后洗涤液组合物
KR101331747B1 (ko) 반도체 기판 처리 조성물
EP1725647B1 (en) Improved acidic chemistry for post-cmp cleaning
TWI297730B (en) Alkaline post-chemical mechanical planarization cleaning compositions
CN101580774B (zh) 半导体基板洗涤液组合物
CN101146901B (zh) 用于半导体基片处理的组合物
CN1205655C (zh) 后化学-机械平面化(cmp)清洗组合物
EP0897975B1 (en) Cleaning solution
KR20100016470A (ko) 반도체 디바이스용 기판 세정액, 및 반도체 디바이스용 기판의 제조 방법
US6903015B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device using a wet process
KR20110088496A (ko) 구리 배선 표면 보호액 및 반도체 회로의 제조 방법
JP2008213113A (ja) ポストcmp処理液、およびこれを用いた半導体装置の製造方法
TW424002B (en) A cleaning method after finishing polishing process of Cu interconnection
TWI832902B (zh) 洗淨液組成物
JP2001244228A (ja) 半導体基板の洗浄液及び洗浄方法
JP3432754B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2002050606A (ja) 基板用リンス液及び基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Co-patentee after: Renesas Electronics Corporation

Patentee after: Kanto Kagaku K. K.

Address before: Tokyo, Japan

Co-patentee before: NEC Corp.

Patentee before: Kanto Kagaku K. K.

ASS Succession or assignment of patent right

Free format text: FORMER OWNER: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Effective date: 20150415

Owner name: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Free format text: FORMER OWNER: KANTO KAGAKU K. K.

Effective date: 20150415

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150415

Address after: Kanagawa

Patentee after: Renesas Electronics Corporation

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Kanto Kagaku K. K.

Patentee before: Renesas Electronics Corporation

CP02 Change in the address of a patent holder
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan, Japan

Patentee after: Renesas Electronics Corporation

Address before: Kanagawa

Patentee before: Renesas Electronics Corporation

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081029

Termination date: 20190516