JP3432754B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、特に、薄膜を形成した半導体ウエハを化学
機械研磨法により研磨する技術に関するものである。
方法に係り、特に、薄膜を形成した半導体ウエハを化学
機械研磨法により研磨する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の高集積化に伴い、配線の多
層化やメモリＬＳＩにおけるキャパシタセルの立体化に
よる、デバイス構造の３次元化が進みつつある。積層に
よる３次元化は結果として段差を生じるため、配線パタ
ーン切れやリソグラフィ工程における焦点深度マージン
不足の原因となる。これを防止するため、平坦化技術が
不可欠であるが、ミリメートルオーダの領域内を平坦化
するためには、化学機械研磨法（Chemical Mechanical
Polishing 、略してＣＭＰ）を用いる必要がある。この
手法については、例えば特開平８−２１６０２３号公報
等に記載がある。
層化やメモリＬＳＩにおけるキャパシタセルの立体化に
よる、デバイス構造の３次元化が進みつつある。積層に
よる３次元化は結果として段差を生じるため、配線パタ
ーン切れやリソグラフィ工程における焦点深度マージン
不足の原因となる。これを防止するため、平坦化技術が
不可欠であるが、ミリメートルオーダの領域内を平坦化
するためには、化学機械研磨法（Chemical Mechanical
Polishing 、略してＣＭＰ）を用いる必要がある。この
手法については、例えば特開平８−２１６０２３号公報
等に記載がある。
【０００３】化学機械研磨法を行うためには、スラリ
（微粒子）を含む研磨液を用いる必要がある。研磨液に
関しては、例えば特開平１０−４４０４７号公報等に記
載がある。研磨液中のスラリには、ＳｉＯ2 ，Ａｌ
2Ｏ3，ＣｅＯ2 等が用いられている。研磨対象としては
酸化膜および金属膜があるが、後者を研磨する場合、研
磨液中への酸化剤の配合が必須であり、このため金属が
腐食することがある。
（微粒子）を含む研磨液を用いる必要がある。研磨液に
関しては、例えば特開平１０−４４０４７号公報等に記
載がある。研磨液中のスラリには、ＳｉＯ2 ，Ａｌ
2Ｏ3，ＣｅＯ2 等が用いられている。研磨対象としては
酸化膜および金属膜があるが、後者を研磨する場合、研
磨液中への酸化剤の配合が必須であり、このため金属が
腐食することがある。
【０００４】腐食現象は金属の酸化としてとらえること
ができるが、金属が液中に溶出する場合と金属表面を酸
化膜とする場合とがある。前者は、金属が直接液中に溶
け出していく場合で、金属が液中で安定化されることが
必要である。このためには、当該金属と結合しキレート
等の液中で安定な物質を形成する物質の存在が必須であ
る。後者は、酸化剤の存在で反応が進むが、ｐＨによっ
ては形成された酸化膜が液中に溶解するという現象が生
ずる。腐食が問題となるのは、金属配線が液中に溶出し
たり、表面が絶縁性の酸化膜となることで、抵抗値の増
大や断線等の致命的不良を生ずるためである。従って、
研磨液中に各種腐食防止剤を添加することで、腐食を防
止している場合が多い。例えば、銅の研磨を行う場合は
ベンゾトリアゾールが適量添加されることが多い。
ができるが、金属が液中に溶出する場合と金属表面を酸
化膜とする場合とがある。前者は、金属が直接液中に溶
け出していく場合で、金属が液中で安定化されることが
必要である。このためには、当該金属と結合しキレート
等の液中で安定な物質を形成する物質の存在が必須であ
る。後者は、酸化剤の存在で反応が進むが、ｐＨによっ
ては形成された酸化膜が液中に溶解するという現象が生
ずる。腐食が問題となるのは、金属配線が液中に溶出し
たり、表面が絶縁性の酸化膜となることで、抵抗値の増
大や断線等の致命的不良を生ずるためである。従って、
研磨液中に各種腐食防止剤を添加することで、腐食を防
止している場合が多い。例えば、銅の研磨を行う場合は
ベンゾトリアゾールが適量添加されることが多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、金属の
腐食を防止するため、前記したように腐食防止剤を添加
していることが多いが、より一層複雑なデバイス構造を
形成する場合、電池効果等により腐食の発生が散見され
るようになってきた。これを防止するため腐食防止剤の
過度の添加を行うと、研磨速度を著しく低下させるとい
う、新たな問題点が生ずる。すなわち、研磨速度等を考
慮すると、腐食防止剤添加による腐食防止には限界があ
ると言える。
腐食を防止するため、前記したように腐食防止剤を添加
していることが多いが、より一層複雑なデバイス構造を
形成する場合、電池効果等により腐食の発生が散見され
るようになってきた。これを防止するため腐食防止剤の
過度の添加を行うと、研磨速度を著しく低下させるとい
う、新たな問題点が生ずる。すなわち、研磨速度等を考
慮すると、腐食防止剤添加による腐食防止には限界があ
ると言える。
【０００６】本発明の解決すべき技術的課題は、上記し
た従来技術のもつ問題点を解消することにあり、その目
的とするところは、腐食による金属配線の消失あるいは
抵抗増大を防止する方法を提供することにある。
た従来技術のもつ問題点を解消することにあり、その目
的とするところは、腐食による金属配線の消失あるいは
抵抗増大を防止する方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した目的は、化学機
械研磨法による研磨後に、還元剤を含む溶液に研磨面を
触れさせることにより達成できる。より好ましくは、研
磨する金属が溶出しない研磨液を用い、かつ、研磨後に
還元剤を含む溶液に研磨面を触れさせるようにする。研
磨する金属が溶出しない研磨液とは、金属とキレート等
を形成して溶出させるような物質を含まないものであ
る。さらには、対象金属により異なるが、金属酸化膜の
溶出しないｐＨにあり、かつ金属とキレート等を形成し
て溶出させるような物質を含まないものである。例えば
金属がタングステンの場合、研磨液のｐＨが４以下であ
り、タングステンと結合してキレート等を形成し水中で
安定化させる物質を含まないものである。銅の場合は、
研磨液のｐＨが７．５以上で１１．５以下であり、銅と
結合してキレート等を形成し水中で安定化させる物質を
含まないものである。
械研磨法による研磨後に、還元剤を含む溶液に研磨面を
触れさせることにより達成できる。より好ましくは、研
磨する金属が溶出しない研磨液を用い、かつ、研磨後に
還元剤を含む溶液に研磨面を触れさせるようにする。研
磨する金属が溶出しない研磨液とは、金属とキレート等
を形成して溶出させるような物質を含まないものであ
る。さらには、対象金属により異なるが、金属酸化膜の
溶出しないｐＨにあり、かつ金属とキレート等を形成し
て溶出させるような物質を含まないものである。例えば
金属がタングステンの場合、研磨液のｐＨが４以下であ
り、タングステンと結合してキレート等を形成し水中で
安定化させる物質を含まないものである。銅の場合は、
研磨液のｐＨが７．５以上で１１．５以下であり、銅と
結合してキレート等を形成し水中で安定化させる物質を
含まないものである。
【０００８】ここで言う「溶出しない」の定量的定義
は、当該金属の当該研磨液中でのエッチングレートとし
て、多くとも０．１ｎｍ／分以下、好ましくは０．０１
ｎｍ／分以下のものを指す。また、研磨後に用いる還元
剤については特に限定されるものではないが、当該金属
と結合してキレート等を形成し水中で安定化させるよう
な物質は含まれない。
は、当該金属の当該研磨液中でのエッチングレートとし
て、多くとも０．１ｎｍ／分以下、好ましくは０．０１
ｎｍ／分以下のものを指す。また、研磨後に用いる還元
剤については特に限定されるものではないが、当該金属
と結合してキレート等を形成し水中で安定化させるよう
な物質は含まれない。
【０００９】また、本発明で言う「研磨後」とは、薄膜
の平坦化を目的とする研磨の後を指し、従ってその後に
行われることのある、表面を平滑にする研磨（バフ研磨
と呼ばれることもある）中に、研磨面を還元剤に触れさ
せること等も本発明に含まれる。
の平坦化を目的とする研磨の後を指し、従ってその後に
行われることのある、表面を平滑にする研磨（バフ研磨
と呼ばれることもある）中に、研磨面を還元剤に触れさ
せること等も本発明に含まれる。
【００１０】前述したように、腐食現象は、金属が液中
に溶出する場合と金属表面を酸化膜とする場合とがあ
る。酸化膜が形成される場合も、ｐＨによっては形成さ
れた酸化膜が液中に溶解するという現象が生ずる。
に溶出する場合と金属表面を酸化膜とする場合とがあ
る。酸化膜が形成される場合も、ｐＨによっては形成さ
れた酸化膜が液中に溶解するという現象が生ずる。
【００１１】本発明の主眼は、腐食（酸化）を完全に防
止することには限界があると考え、金属の溶出は防止す
るものの、金属表面への酸化膜の形成についてはできる
だけ少なくするが、防止しなくても良いというものであ
る。ただし、形成された酸化膜の溶解は防止することが
不可欠で、その後の還元剤での処理により、もとの金属
に戻すというものである。このようにすることで、結果
として特性上問題のない半導体装置が実現できる。本発
明は、従来の腐食発生を完全に防止しようというものに
比べ、はるかに実用的（実現可能）なプロセスである。
止することには限界があると考え、金属の溶出は防止す
るものの、金属表面への酸化膜の形成についてはできる
だけ少なくするが、防止しなくても良いというものであ
る。ただし、形成された酸化膜の溶解は防止することが
不可欠で、その後の還元剤での処理により、もとの金属
に戻すというものである。このようにすることで、結果
として特性上問題のない半導体装置が実現できる。本発
明は、従来の腐食発生を完全に防止しようというものに
比べ、はるかに実用的（実現可能）なプロセスである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
用いて説明する。図１は本発明による研磨のプロセスフ
ローの１例を示しており、本例は、下層配線層上に配線
層を形成する場合の例であり、図１に示す工程の繰り返
しで、多層配線が形成できる。
用いて説明する。図１は本発明による研磨のプロセスフ
ローの１例を示しており、本例は、下層配線層上に配線
層を形成する場合の例であり、図１に示す工程の繰り返
しで、多層配線が形成できる。
【００１３】図１に示すように、下層配線層上に酸化膜
（層間絶縁膜）１を形成後、リソグラフィおよびドライ
エッチングにより、コンタクトホール２を形成する（図
１の（ａ））。コンタクトホール２の埋め込みメタルと
してタングステンを用い、タングステン膜３を成膜後
（図１の（ｂ））、タングステン膜３を、本発明で示さ
れる研磨液を用いて化学機械研磨法により研磨する。そ
して、コントクトホール２内のみタングステンが残るま
で研磨し、研磨を終了する（図１の（ｃ））。すると、
表面にタングステンの酸化膜４が形成されているので、
次の表１に示す還元剤にこの表面を触れさせることで、
タングステンの酸化膜４を金属に還元し、タングステン
埋め込み層５が形成される（図１の（ｄ））。
（層間絶縁膜）１を形成後、リソグラフィおよびドライ
エッチングにより、コンタクトホール２を形成する（図
１の（ａ））。コンタクトホール２の埋め込みメタルと
してタングステンを用い、タングステン膜３を成膜後
（図１の（ｂ））、タングステン膜３を、本発明で示さ
れる研磨液を用いて化学機械研磨法により研磨する。そ
して、コントクトホール２内のみタングステンが残るま
で研磨し、研磨を終了する（図１の（ｃ））。すると、
表面にタングステンの酸化膜４が形成されているので、
次の表１に示す還元剤にこの表面を触れさせることで、
タングステンの酸化膜４を金属に還元し、タングステン
埋め込み層５が形成される（図１の（ｄ））。
【００１４】
【表１】
【００１５】引き続き、図１の（ｄ）の工程の後に、酸
化膜１を成膜し（図１の（ｅ））、リソグラフィおよび
ドライエッチングにより配線パターンの溝６を形成する
（図１の（ｆ））。次に、配線材料として銅を用い、銅
膜７を成膜後（図１の（ｇ））、銅膜７を本発明で示さ
れる研磨液を用いて化学機械研磨法により研磨する。そ
して、溝６内のみ銅が残るまで研磨し、研磨を終了する
（図１の（ｈ））。すると、表面に銅の酸化膜８が形成
されているので、次の表２に示す還元剤にこの表面を触
れさせることで、銅の酸化膜８を金属に還元し、これに
より銅配線層９が完成される（図１の（ｉ））。
化膜１を成膜し（図１の（ｅ））、リソグラフィおよび
ドライエッチングにより配線パターンの溝６を形成する
（図１の（ｆ））。次に、配線材料として銅を用い、銅
膜７を成膜後（図１の（ｇ））、銅膜７を本発明で示さ
れる研磨液を用いて化学機械研磨法により研磨する。そ
して、溝６内のみ銅が残るまで研磨し、研磨を終了する
（図１の（ｈ））。すると、表面に銅の酸化膜８が形成
されているので、次の表２に示す還元剤にこの表面を触
れさせることで、銅の酸化膜８を金属に還元し、これに
より銅配線層９が完成される（図１の（ｉ））。
【００１６】
【表２】
【００１７】上述した図１の例では、タングステンの化
学機械研磨および銅の化学機械研磨を行う際への適用に
ついて述べたが、本発明のよる手法は、タングステン、
銅以外のメタルについても、同様の効果が期待できる。
学機械研磨および銅の化学機械研磨を行う際への適用に
ついて述べたが、本発明のよる手法は、タングステン、
銅以外のメタルについても、同様の効果が期待できる。
【００１８】本発明による製造手法を実現する装置とし
ては、例えば図２に示すようなものがある。図２におい
て、１２は定盤、１３はパッド、１４はリテーナリン
グ、１５は処理基板、１６はキャリア、１７は研磨液、
１８は液導入系、１９は開閉器、２０は研磨液供給系、
２１は還元剤供給系である。
ては、例えば図２に示すようなものがある。図２におい
て、１２は定盤、１３はパッド、１４はリテーナリン
グ、１５は処理基板、１６はキャリア、１７は研磨液、
１８は液導入系、１９は開閉器、２０は研磨液供給系、
２１は還元剤供給系である。
【００１９】図２に示すように、定盤１２とパッド１３
を回転させながら、研磨液供給系２０から液導入系１８
を介してパッド１３上に研磨液１７を供給し、キャリア
１６にリテーナリング１４を介して取り付けた処理基板
１５を、パッド１３上に摺接させることで、処理基板１
５の表面を研磨する。そして、研磨終了後、パッド１３
上への液の供給を、研磨液供給系２０から還元剤供給系
２１に切り変えることで、供給液を研磨液１７から還元
剤に切り変え、引き続き、同一装置で還元処理を行うよ
うになっている。
を回転させながら、研磨液供給系２０から液導入系１８
を介してパッド１３上に研磨液１７を供給し、キャリア
１６にリテーナリング１４を介して取り付けた処理基板
１５を、パッド１３上に摺接させることで、処理基板１
５の表面を研磨する。そして、研磨終了後、パッド１３
上への液の供給を、研磨液供給系２０から還元剤供給系
２１に切り変えることで、供給液を研磨液１７から還元
剤に切り変え、引き続き、同一装置で還元処理を行うよ
うになっている。
【００２０】なお、還元処理は、同一装置の他のプラテ
ンで行っても良いし、他の装置で行っても良い。その
際、装置の構造は限定されず、研磨面に還元剤を触れさ
れることができる機能を有すればよい。また、簡単な槽
に還元剤を満たし、処理基板１５を浸漬するというもの
でもかまわない。
ンで行っても良いし、他の装置で行っても良い。その
際、装置の構造は限定されず、研磨面に還元剤を触れさ
れることができる機能を有すればよい。また、簡単な槽
に還元剤を満たし、処理基板１５を浸漬するというもの
でもかまわない。
【００２１】（実験例１）タングステンによるコンタク
トホール埋め込みプロセスでの実験例について述べる。
本例は、図１に示したプロセスフローのうち、タングス
テン（埋め込みメタル）３を成膜した後、化学機械研磨
法により研磨し、生成されたタングステンの酸化膜４
を、還元剤処理によりタングステン金属に還元する工程
（図１の（ｂ）〜（ｄ））に相当するものである。
トホール埋め込みプロセスでの実験例について述べる。
本例は、図１に示したプロセスフローのうち、タングス
テン（埋め込みメタル）３を成膜した後、化学機械研磨
法により研磨し、生成されたタングステンの酸化膜４
を、還元剤処理によりタングステン金属に還元する工程
（図１の（ｂ）〜（ｄ））に相当するものである。
【００２２】研磨液には、従来品として、シリカ微粒子
を約１０％含みｐＨ２に調整された市販品に、過酸化水
素を約５％となるように加えたものを用いた（表１のＮ
ｏ．１８〜２０および比較例）。また、ｐＨによる差異
を調べるため、ｐＨ調整品として、シリカ微粒子約１０
％、過酸化水素約５％からなる溶液に、硫酸あるいは水
酸化ナトリウムを加えてｐＨ調整したものを用いた（表
１のＮｏ．１〜１７）。もちろん、本発明で有効なｐＨ
とするために用いる薬液については、上記の例に限られ
るものではない。研磨対象がタングステンの場合、タン
グステンとキレートを形成する適当な物質が見あたらな
かったため、そのような観点からは検討しなかった（当
該金属とキレート等を形成する物質の影響については、
後記の実験例２で述べる）。
を約１０％含みｐＨ２に調整された市販品に、過酸化水
素を約５％となるように加えたものを用いた（表１のＮ
ｏ．１８〜２０および比較例）。また、ｐＨによる差異
を調べるため、ｐＨ調整品として、シリカ微粒子約１０
％、過酸化水素約５％からなる溶液に、硫酸あるいは水
酸化ナトリウムを加えてｐＨ調整したものを用いた（表
１のＮｏ．１〜１７）。もちろん、本発明で有効なｐＨ
とするために用いる薬液については、上記の例に限られ
るものではない。研磨対象がタングステンの場合、タン
グステンとキレートを形成する適当な物質が見あたらな
かったため、そのような観点からは検討しなかった（当
該金属とキレート等を形成する物質の影響については、
後記の実験例２で述べる）。
【００２３】研磨後に用いた還元剤は、ジメチルアミン
ボラン（ＣＨ3）2ＮＨ・ＢＨ3 ，カテコールＯ−Ｃ6Ｈ4
（ＯＨ）2 ，ヒドロキノンＰ−Ｃ6Ｈ4（ＯＨ）2 ，硫酸
水素ナトリウムＮａＨＳＯ3 であり、それぞれの０．２
ｗｔ％水溶液を用いた。濃度については、それぞれの物
質の飽和溶解度以下であれば特に限定されない。また、
もちろん本発明の効果はこれらの還元剤に限定されるわ
けではない。
ボラン（ＣＨ3）2ＮＨ・ＢＨ3 ，カテコールＯ−Ｃ6Ｈ4
（ＯＨ）2 ，ヒドロキノンＰ−Ｃ6Ｈ4（ＯＨ）2 ，硫酸
水素ナトリウムＮａＨＳＯ3 であり、それぞれの０．２
ｗｔ％水溶液を用いた。濃度については、それぞれの物
質の飽和溶解度以下であれば特に限定されない。また、
もちろん本発明の効果はこれらの還元剤に限定されるわ
けではない。
【００２４】本発明の効果の確認方法としては、電子顕
微鏡による試料の観察および試料を割っての断面観察に
より行った。そして、観察結果に応じて、金属溶出によ
る配線形状の異常がほとんど見られないもの、一部見ら
れるが軽微なもの、一部見られるもの、明らかに見られ
るものの４つに分類した。一部見られるが軽微なもので
あれば、現時点での設計ルールでは、デバイス特性上問
題は生じないと考えられる。
微鏡による試料の観察および試料を割っての断面観察に
より行った。そして、観察結果に応じて、金属溶出によ
る配線形状の異常がほとんど見られないもの、一部見ら
れるが軽微なもの、一部見られるもの、明らかに見られ
るものの４つに分類した。一部見られるが軽微なもので
あれば、現時点での設計ルールでは、デバイス特性上問
題は生じないと考えられる。
【００２５】得られた結果を表１に示す。まず、Ｎｏ．
１８〜２０と比較例とを比べると、研磨液として従来品
を用いた場合でも、研磨後に還元剤処理を行うことで金
属溶出発生の防止できることがわかり、本発明の効果が
見られた。ただし、実験により結果にバラツキが見られ
た。
１８〜２０と比較例とを比べると、研磨液として従来品
を用いた場合でも、研磨後に還元剤処理を行うことで金
属溶出発生の防止できることがわかり、本発明の効果が
見られた。ただし、実験により結果にバラツキが見られ
た。
【００２６】次に、研磨液のｐＨと金属溶出との関係を
見ると、ｐＨが９以上で配線金属の一部溶出が見られ、
ｐＨが４を超えて９未満で、一部溶出が見られたが軽微
であった。また、ＰＨ４以下では、金属の溶出はほとん
どなかった。
見ると、ｐＨが９以上で配線金属の一部溶出が見られ、
ｐＨが４を超えて９未満で、一部溶出が見られたが軽微
であった。また、ＰＨ４以下では、金属の溶出はほとん
どなかった。
【００２７】以上の結果から、まず、単純に還元剤処理
を行うことで、本発明の効果が見られた。さらに、本例
では当該金属と結合して液中で安定化させる物質を研磨
液に加えていないため、広いｐＨ範囲で本発明の効果が
見られたが、特にタングステンの酸化膜が溶出しにくい
ｐＨ４以下で効果が大きかった。すなわち、当該金属と
結合して液中で安定化させる物質が存在しないことが、
本発明を実現する上で重要であり、さらに当該金属の酸
化膜が溶出しにくいｐＨでより大きな効果の得られるこ
とがわかった。
を行うことで、本発明の効果が見られた。さらに、本例
では当該金属と結合して液中で安定化させる物質を研磨
液に加えていないため、広いｐＨ範囲で本発明の効果が
見られたが、特にタングステンの酸化膜が溶出しにくい
ｐＨ４以下で効果が大きかった。すなわち、当該金属と
結合して液中で安定化させる物質が存在しないことが、
本発明を実現する上で重要であり、さらに当該金属の酸
化膜が溶出しにくいｐＨでより大きな効果の得られるこ
とがわかった。
【００２８】また、表１にそれぞれの研磨液によるタン
グステンベタ膜（ウエハ一面にタングステン膜を形成し
たものでパターニングを行っていないもの）のエッチン
グレートを示すが、本発明の効果が見られる研磨液のタ
ングステン膜エッチングレートの値は０．０５ｎｍ／分
以下であり、より効果の大きいものは０．０１ｎｍ／分
以下であった。
グステンベタ膜（ウエハ一面にタングステン膜を形成し
たものでパターニングを行っていないもの）のエッチン
グレートを示すが、本発明の効果が見られる研磨液のタ
ングステン膜エッチングレートの値は０．０５ｎｍ／分
以下であり、より効果の大きいものは０．０１ｎｍ／分
以下であった。
【００２９】（実験例２）銅による配線形成プロセスで
の実験例について述べる。本例は、図１に示したプロセ
スフローのうち、銅膜（配線層メタル）７を成膜した
後、化学機械研磨法により研磨し、生成された銅の酸化
膜８を還元剤処理により銅金属に還元する工程（図１の
（ｇ）〜（ｉ））に相当するものである。
の実験例について述べる。本例は、図１に示したプロセ
スフローのうち、銅膜（配線層メタル）７を成膜した
後、化学機械研磨法により研磨し、生成された銅の酸化
膜８を還元剤処理により銅金属に還元する工程（図１の
（ｇ）〜（ｉ））に相当するものである。
【００３０】研磨液には、従来品として、アルミナ微粒
子を約１０％含みｐＨ３に調整された市販品に、過酸化
水素を約５％となるように加え、銅の防食剤として知ら
れるベンゾトリアゾールＣ6Ｈ4Ｎ3Ｈ を約０．０１％添
加したものを用いた（表２の比較例）。また、ｐＨによ
る差異を調べるため、ｐＨ調整品として、アルミナ微粒
子約１０％、過酸化水素約５％、ベンゾトリアゾール約
０．０１％からなる溶液に、硫酸あるいは水酸化ナトリ
ウムを加えてｐＨ調整したもの（表２のＮｏ．２１〜２
７）を用いた。また、上記のｐＨ調整品に、銅とキレー
トを形成する物質の１例としてアンモニアを添加したも
の（表２のＮｏ．２８〜３０）を用いた。
子を約１０％含みｐＨ３に調整された市販品に、過酸化
水素を約５％となるように加え、銅の防食剤として知ら
れるベンゾトリアゾールＣ6Ｈ4Ｎ3Ｈ を約０．０１％添
加したものを用いた（表２の比較例）。また、ｐＨによ
る差異を調べるため、ｐＨ調整品として、アルミナ微粒
子約１０％、過酸化水素約５％、ベンゾトリアゾール約
０．０１％からなる溶液に、硫酸あるいは水酸化ナトリ
ウムを加えてｐＨ調整したもの（表２のＮｏ．２１〜２
７）を用いた。また、上記のｐＨ調整品に、銅とキレー
トを形成する物質の１例としてアンモニアを添加したも
の（表２のＮｏ．２８〜３０）を用いた。
【００３１】研磨後に用いた還元剤は、ジメチルアミン
ボランである。対象金属が銅の場合、カテコール，ヒド
ロキノン等の銅とキレートを形成する還元剤は、銅を溶
出してしまうため用いなかった。
ボランである。対象金属が銅の場合、カテコール，ヒド
ロキノン等の銅とキレートを形成する還元剤は、銅を溶
出してしまうため用いなかった。
【００３２】効果の評価法は、前記実験例１と同様であ
る。得られた結果を表２に示す。研磨液のｐＨと金属溶
出との関係を見ると、ｐＨが６未満で配線金属の一部溶
出が見られ、ｐＨが６以上でかつ７．５未満、および１
１．５を超える領域で一部溶出が見られたが軽微であっ
た。また、ＰＨ７．５以上でかつ１１．５以下で、金属
の溶出は見られなかった。ＰＨ７．５以上でかつ１１．
５以下は、銅の酸化膜の溶出しにくい領域と考えられ
る。また、アンモニア未添加で溶出が見られなかったｐ
Ｈでも、アンモニアを添加することで溶出するようにな
った（表２のＮｏ．２８〜３０）。すなわち、当該金属
と結合して液中で安定化させる物質が存在しないこと
が、本発明を実現する上で重要であり、さらに当該金属
の酸化膜が溶出しにくいｐＨでより大きな効果の得られ
ることがわかった。
る。得られた結果を表２に示す。研磨液のｐＨと金属溶
出との関係を見ると、ｐＨが６未満で配線金属の一部溶
出が見られ、ｐＨが６以上でかつ７．５未満、および１
１．５を超える領域で一部溶出が見られたが軽微であっ
た。また、ＰＨ７．５以上でかつ１１．５以下で、金属
の溶出は見られなかった。ＰＨ７．５以上でかつ１１．
５以下は、銅の酸化膜の溶出しにくい領域と考えられ
る。また、アンモニア未添加で溶出が見られなかったｐ
Ｈでも、アンモニアを添加することで溶出するようにな
った（表２のＮｏ．２８〜３０）。すなわち、当該金属
と結合して液中で安定化させる物質が存在しないこと
が、本発明を実現する上で重要であり、さらに当該金属
の酸化膜が溶出しにくいｐＨでより大きな効果の得られ
ることがわかった。
【００３３】また、表２にそれぞれの研磨液による銅ベ
タ膜のエッチングレートを示すが、本発明の効果が見ら
れる研磨液の銅膜エッチングレートの値は、０．１ｎｍ
／分以下であり、より効果の大きいものは０．０１ｎｍ
／分以下であった。
タ膜のエッチングレートを示すが、本発明の効果が見ら
れる研磨液の銅膜エッチングレートの値は、０．１ｎｍ
／分以下であり、より効果の大きいものは０．０１ｎｍ
／分以下であった。
【００３４】（実験例３）コンタクトホールと配線層を
同時に形成できる、デュアルダマシン法と呼ばれるプロ
セスでの実験例について述べる。
同時に形成できる、デュアルダマシン法と呼ばれるプロ
セスでの実験例について述べる。
【００３５】本例のプロセスは、図３に示すように、ま
ず、下層配線層上に酸化膜１を形成後、リソグラフィお
よびドライエッチングにより配線・コンタクトホールパ
ターンの溝１０を形成する（図３の（ａ））。配線材料
として銅を用い、銅膜７を成膜後（図３の（ｂ））、銅
膜７を本発明で示される研磨液を用いて化学機械研磨法
により研磨する。そして、溝１０内のみに銅が残るまで
研磨し、研磨を終了する（図３の（ｃ））。すると、表
面に銅の酸化膜８が形成されているので、次の表３に示
す還元剤にこの表面を触れさせることで、銅の酸化膜８
を銅金属に還元し、これにより銅配線・埋め込み層１１
が完成される（図３の（ｄ））。
ず、下層配線層上に酸化膜１を形成後、リソグラフィお
よびドライエッチングにより配線・コンタクトホールパ
ターンの溝１０を形成する（図３の（ａ））。配線材料
として銅を用い、銅膜７を成膜後（図３の（ｂ））、銅
膜７を本発明で示される研磨液を用いて化学機械研磨法
により研磨する。そして、溝１０内のみに銅が残るまで
研磨し、研磨を終了する（図３の（ｃ））。すると、表
面に銅の酸化膜８が形成されているので、次の表３に示
す還元剤にこの表面を触れさせることで、銅の酸化膜８
を銅金属に還元し、これにより銅配線・埋め込み層１１
が完成される（図３の（ｄ））。
【００３６】
【表３】
【００３７】先の実験例２と同様に評価した結果を表３
に示す。表３に示すように、実験例２で得られた結果と
同様のものが得られた。
に示す。表３に示すように、実験例２で得られた結果と
同様のものが得られた。
【００３８】
【発明の効果】以上の本発明によれば、化学機械研磨を
用いるプロセスで配線の消失および抵抗増大を防止する
ことができ、以って、製造歩留まりが大幅に向上し、半
導体製品を低コストで生産できる。
用いるプロセスで配線の消失および抵抗増大を防止する
ことができ、以って、製造歩留まりが大幅に向上し、半
導体製品を低コストで生産できる。
【図１】本発明の実施の形態に係るプロセスフローの１
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るプロセスを実施する
ための装置の１例を示す説明図である。
ための装置の１例を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るプロセスフローの他
の１例を示す説明図である。
の１例を示す説明図である。
１ 酸化膜（層間絶縁膜）
２ コンタクトホール
３ タングステン膜
４ タングステンの酸化膜
５ タングステンの埋め込み層
６ 配線パターンの溝
７ 銅膜
８ 銅の酸化膜
９ 銅配線層
１０ 配線・コンタクトホールパターンの溝
１１ 銅配線・埋め込み層
１２ 定盤
１３ パッド
１４ リテーナリング
１５ 処理基板
１６ キャリア
１７ 研磨液
１８ 液導入系
１９ 開閉器
２０ 研磨液供給系
２１ 還元剤供給系
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−207527（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−306915（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−298038（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−137155（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−172941（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−345792（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−251280（ＪＰ，Ａ)
特開2000−40679（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304
B24B 37/00
B24B 57/02
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された金属薄膜層を
化学機械研磨法により研磨する際、研磨後に、還元剤を
含む溶液に上記半導体基板の研磨面を触れさせることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成された金属薄膜層を
化学機械研磨法により研磨する際、研磨後、連続して同
一装置内で、還元剤を含む溶液を上記半導体基板の研磨
面に触れさせることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 半導体基板上に形成された金属薄膜層を
化学機械研磨法により研磨する際、当該金属と結合して
液中で当該金属を安定化させる物質を含まない研磨液を
用いて研磨を行い、かつ、研磨後に、還元剤を含む溶液
に上記半導体基板の研磨面を触れさせることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板上に形成された金属薄膜層を
化学機械研磨法により研磨する際、当該金属と結合して
液中で当該金属を安定化させる物質を含まない研磨液を
用いて研磨を行い、かつ、研磨後、連続して同一装置内
で、還元剤を含む溶液に上記半導体基板の研磨面を触れ
させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体基板上に形成された金属薄膜層を
化学機械研磨法により研磨する際、当該金属の酸化膜の
溶出しないｐＨにあると共に、当該金属と結合して液中
で当該金属を安定化させる物質を含まない研磨液を用い
て研磨を行い、かつ、研磨後に、還元剤を含む溶液に上
記半導体基板の研磨面を触れさせることを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 半導体基板上に形成された金属薄膜層を
化学機械研磨法により研磨する際、当該金属の酸化膜の
溶出しないｐＨにあると共に、当該金属と結合して液中
で当該金属を安定化させる物質を含まない研磨液を用い
て研磨を行い、かつ、研磨後、連続して同一装置内で、
還元剤を含む溶液に上記半導体基板の研磨面を触れさせ
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 半導体基板上に形成された金属薄膜層を
化学機械研磨法により研磨する際、当該金属のエッチン
グレートが０．０１ｎｍ／分以下である研磨液を用い、
かつ、研磨後に、還元剤を含む溶液に上記半導体基板の
研磨面を触れさせることを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項８】 半導体基板上に形成された金属薄膜層を
化学機械研磨法により研磨する際、当該金属のエッチン
グレートが０．０１ｎｍ／分以下である研磨液を用いて
研磨を行い、かつ、研磨後、連続して同一装置内で、還
元剤を含む溶液を上記半導体基板の研磨面に触れさせる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項５または６に記載の半導体装置の
製造方法において、前記金属薄膜層 がタングステンであり、研磨液のｐＨが
４以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項５または６に記載の半導体装置
の製造方法において、前記金属薄膜層 が銅であり、研磨液のｐＨが７．５以上
で１１．５以下であることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０の何れか１つに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記還元剤がジメチルアミンボランであることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29386298A JP3432754B2 (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29386298A JP3432754B2 (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124175A JP2000124175A (ja) | 2000-04-28 |
| JP3432754B2 true JP3432754B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=17800126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29386298A Expired - Fee Related JP3432754B2 (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3432754B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10054936C1 (de) * | 2000-11-06 | 2002-04-25 | Infineon Technologies Ag | Herstellungsverfahren für eine integrierte Schaltung unter zumindest teilweisem Umwandeln einer Oxidschicht in eine leitfähige Schicht |
| US7288021B2 (en) * | 2004-01-07 | 2007-10-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical-mechanical polishing of metals in an oxidized form |
-
1998
- 1998-10-15 JP JP29386298A patent/JP3432754B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000124175A (ja) | 2000-04-28 |
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