JP2003031529A - Ｃｍｐ用スラリー、およびこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
Ｃｍｐ用スラリー、およびこれを用いた半導体装置の製造方法Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エロージョンやスクラッチといった欠陥を極
力低減し、しかも十分に大きな研磨速度で、メタル等の
導電性を有する所望の層を研磨可能なＣＭＰ用スラリー
を提供する。 【解決手段】 一次粒子径５ｎｍ〜５０ｎｍの第１の粒
子と、一次粒子径５０ｎｍ〜１００ｎｍの第２の粒子と
を含有する分散液を含むＣＭＰ用スラリーである。分散
液中における第１の粒子の濃度は０．５〜５ｗｔ％であ
り、第２の粒子の濃度は０．０１〜０．１ｗｔ％である
ことを特徴とする。前記第１の粒子は、研磨中に小粒子
径化される研磨粒子であり、前記第２の粒子は、前記第
１の粒子を小粒子径化するアシスト粒子である。
力低減し、しかも十分に大きな研磨速度で、メタル等の
導電性を有する所望の層を研磨可能なＣＭＰ用スラリー
を提供する。 【解決手段】 一次粒子径５ｎｍ〜５０ｎｍの第１の粒
子と、一次粒子径５０ｎｍ〜１００ｎｍの第２の粒子と
を含有する分散液を含むＣＭＰ用スラリーである。分散
液中における第１の粒子の濃度は０．５〜５ｗｔ％であ
り、第２の粒子の濃度は０．０１〜０．１ｗｔ％である
ことを特徴とする。前記第１の粒子は、研磨中に小粒子
径化される研磨粒子であり、前記第２の粒子は、前記第
１の粒子を小粒子径化するアシスト粒子である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、特に、ＤＲＡＭや高速ロジックＬＳＩに搭
載されるＡｌ、Ｃｕ、Ｗなどのダマシン配線を形成する
ためのＣＭＰ用スラリー、およびこれを用いた半導体装
置の製造方法に関する。
方法に係り、特に、ＤＲＡＭや高速ロジックＬＳＩに搭
載されるＡｌ、Ｃｕ、Ｗなどのダマシン配線を形成する
ためのＣＭＰ用スラリー、およびこれを用いた半導体装
置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在のＬＳＩ製造分野において、ＣＭＰ
は必須のプロセスとされている。配線を形成する工程で
は、Ｃｕの加工や１μｍ以上の厚膜のメタル、特にＡｌ
の加工を、従来のＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ
Ｅｔｃｈｉｎｇ）プロセスにより行なうことは極めて困
難である。すなわち、次世代ＬＳＩには欠かせない配線
構造は、従来の方法で形成することができなくなりつつ
ある。
は必須のプロセスとされている。配線を形成する工程で
は、Ｃｕの加工や１μｍ以上の厚膜のメタル、特にＡｌ
の加工を、従来のＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ
Ｅｔｃｈｉｎｇ）プロセスにより行なうことは極めて困
難である。すなわち、次世代ＬＳＩには欠かせない配線
構造は、従来の方法で形成することができなくなりつつ
ある。
【０００３】これらを解決するため、ＣＭＰを用いた埋
め込み（ダマシン）配線プロセスの研究・開発が急速に
進められている。
め込み（ダマシン）配線プロセスの研究・開発が急速に
進められている。
【０００４】現在のＣＭＰ技術では、エロージョン（ｅ
ｒｏｓｉｏｎ）を小さく抑えるとともに、欠陥の少ない
ＣＭＰを行なうことが課題とされている。これは、配線
のデザインルールが小さくなってきたことに起因する。
例えば、次世代の配線幅は０．１μｍ程度であり、この
大きさは従来の研磨粒子の大きさと同程度か、あるいは
それよりも小さい。
ｒｏｓｉｏｎ）を小さく抑えるとともに、欠陥の少ない
ＣＭＰを行なうことが課題とされている。これは、配線
のデザインルールが小さくなってきたことに起因する。
例えば、次世代の配線幅は０．１μｍ程度であり、この
大きさは従来の研磨粒子の大きさと同程度か、あるいは
それよりも小さい。
【０００５】ＣＭＰ中に生じるスクラッチなどは粒子サ
イズに依存するので、これを低減するには、なるべく小
さい粒子を使用する必要がある。また、エロージョンを
抑制するためにも、小粒径粒子を用いることが有効であ
る。具体的には、従来は５０ｎｍ以下の小粒径でかつ、
粒子が単体で分散している（０．２μｍ以上の２次凝集
体を形成しない）粒子を用いて研磨を行なうことが試み
られている。
イズに依存するので、これを低減するには、なるべく小
さい粒子を使用する必要がある。また、エロージョンを
抑制するためにも、小粒径粒子を用いることが有効であ
る。具体的には、従来は５０ｎｍ以下の小粒径でかつ、
粒子が単体で分散している（０．２μｍ以上の２次凝集
体を形成しない）粒子を用いて研磨を行なうことが試み
られている。
【０００６】しかしながら、粒径の小さい粒子は、１次
粒子径のサイズコントロールが難しく、２次粒子径（凝
集体）の制御が困難であるといった問題を有している。
仮に粒径を制御できたとしても、その粒子サイズが現在
の研磨パッドの表面状態にフィットしていないために充
分な研磨速度を得ることができない。
粒子径のサイズコントロールが難しく、２次粒子径（凝
集体）の制御が困難であるといった問題を有している。
仮に粒径を制御できたとしても、その粒子サイズが現在
の研磨パッドの表面状態にフィットしていないために充
分な研磨速度を得ることができない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、エロ
ージョンやスクラッチといった欠陥を極力低減し、しか
も十分に大きな研磨速度で、メタル等の導電性を有する
所望の層を研磨可能なＣＭＰ用スラリーを提供すること
を目的とする。
ージョンやスクラッチといった欠陥を極力低減し、しか
も十分に大きな研磨速度で、メタル等の導電性を有する
所望の層を研磨可能なＣＭＰ用スラリーを提供すること
を目的とする。
【０００８】また本発明は、高性能のダマシン配線を有
する半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
する半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、一次粒子径５ｎｍ〜５０ｎｍの第１の粒
子と、一次粒子径５０ｎｍ〜１００ｎｍの第２の粒子と
を含有する分散液を含むＣＭＰ用スラリーであって、前
記分散液中における前記第１の粒子の濃度は０．５〜５
ｗｔ％であり、前記第２の粒子の濃度は０．０１〜０．
１ｗｔ％であることを特徴とするＣＭＰ用スラリーを提
供する。
に、本発明は、一次粒子径５ｎｍ〜５０ｎｍの第１の粒
子と、一次粒子径５０ｎｍ〜１００ｎｍの第２の粒子と
を含有する分散液を含むＣＭＰ用スラリーであって、前
記分散液中における前記第１の粒子の濃度は０．５〜５
ｗｔ％であり、前記第２の粒子の濃度は０．０１〜０．
１ｗｔ％であることを特徴とするＣＭＰ用スラリーを提
供する。
【００１０】また本発明は、コロイダルシリカ、コロイ
ダルアルミナ、コロイダルチタンオキサイド、コロイダ
ルセリア、およびコロイダルジルコニアからなる群から
選択される少なくとも１種を含む一次粒子径５ｎｍ〜５
０ｎｍの研磨粒子と、セリアおよびジルコニアからなる
群から選択される少なくとも１種を含む一次粒子径５０
〜１００ｎｍのアシスト粒子とを含有する分散液を含む
ＣＭＰ用スラリーであって、前記分散液中における前記
研磨粒子の濃度は０．５〜５ｗｔ％であり、前記アシス
ト粒子の濃度は０．０１〜０．１ｗｔ％であることを特
徴とするＣＭＰ用スラリーを提供する。
ダルアルミナ、コロイダルチタンオキサイド、コロイダ
ルセリア、およびコロイダルジルコニアからなる群から
選択される少なくとも１種を含む一次粒子径５ｎｍ〜５
０ｎｍの研磨粒子と、セリアおよびジルコニアからなる
群から選択される少なくとも１種を含む一次粒子径５０
〜１００ｎｍのアシスト粒子とを含有する分散液を含む
ＣＭＰ用スラリーであって、前記分散液中における前記
研磨粒子の濃度は０．５〜５ｗｔ％であり、前記アシス
ト粒子の濃度は０．０１〜０．１ｗｔ％であることを特
徴とするＣＭＰ用スラリーを提供する。
【００１１】さらに本発明は、半導体基板上に絶縁膜を
形成する工程と、前記絶縁膜に溝を形成する工程と、前
記溝の内部および前記絶縁膜の上に導電性材料を堆積し
て、導電性を有する層を形成する工程と、前記絶縁膜の
上に堆積された前記導電性材料を除去して前記絶縁膜の
表面を露出させることにより、前記導電性材料を前記溝
内部に残置する工程とを具備し前記絶縁膜上に堆積され
た前記導電性材料の除去は、前述のスラリーを用いたＣ
ＭＰにより行なわれることを特徴とする半導体装置の製
造方法を提供する。
形成する工程と、前記絶縁膜に溝を形成する工程と、前
記溝の内部および前記絶縁膜の上に導電性材料を堆積し
て、導電性を有する層を形成する工程と、前記絶縁膜の
上に堆積された前記導電性材料を除去して前記絶縁膜の
表面を露出させることにより、前記導電性材料を前記溝
内部に残置する工程とを具備し前記絶縁膜上に堆積され
た前記導電性材料の除去は、前述のスラリーを用いたＣ
ＭＰにより行なわれることを特徴とする半導体装置の製
造方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明者らは、ＣＭＰストレスを
受けることにより活性化および小粒子径化する研磨粒子
（第１の粒子）と、この研磨粒子の小粒径化を助けるア
シスト粒子（第２の粒子）とを、特定の濃度で配合する
ことによって、充分に大きな速度でメタルを研磨可能な
スラリーが得られることを見出した。
受けることにより活性化および小粒子径化する研磨粒子
（第１の粒子）と、この研磨粒子の小粒径化を助けるア
シスト粒子（第２の粒子）とを、特定の濃度で配合する
ことによって、充分に大きな速度でメタルを研磨可能な
スラリーが得られることを見出した。
【００１３】本発明のＣＭＰ用スラリーにおいて、基板
を研磨する研磨粒子としては、コロイダルシリカ、コロ
イダルアルミナ、コロイダルチタンオキサイド、コロイ
ダルセリア、コロイダルジルコニア、これらの混合物お
よび混晶物からなる群から選択することができる。ただ
し、研磨粒子の一次粒子径は５０ｎｍ以下であり、その
下限は５ｎｍ以上である。５ｎｍ未満の場合には、充分
に大きな研磨速度を確保することが困難となり、一方、
５０ｎｍを越えると、スクラッチやエロージョンの点で
性能が低下する。
を研磨する研磨粒子としては、コロイダルシリカ、コロ
イダルアルミナ、コロイダルチタンオキサイド、コロイ
ダルセリア、コロイダルジルコニア、これらの混合物お
よび混晶物からなる群から選択することができる。ただ
し、研磨粒子の一次粒子径は５０ｎｍ以下であり、その
下限は５ｎｍ以上である。５ｎｍ未満の場合には、充分
に大きな研磨速度を確保することが困難となり、一方、
５０ｎｍを越えると、スクラッチやエロージョンの点で
性能が低下する。
【００１４】こうした研磨粒子は、アシスト粒子によっ
て化学的あるいは機械的に活性化、小粒子径化される。
アシスト粒子としては、セリアおよびジルコニアの少な
くとも１種を用いることができ、これらはコロイダルお
よびヒュームドのいずれであってもよい。ただし、アシ
スト粒子の一次粒子径は、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下
である。研磨粒子の一次粒子径の上限が５０ｎｍなの
で、アシスト粒子がこれより小さい場合には、研磨粒子
を小粒子径化する効果を得ることができない。一方、１
００ｎｍを越えると、アシスト粒子自体が研磨粒子とし
て作用してしまうので、本来の研磨粒子が小粒子径化さ
れない。すなわち、アシスト粒子の一次粒子径が５０ｎ
ｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内であれば、研磨パッドと
良好に作用して、研磨粒子を活性化・小粒径化すること
ができる。
て化学的あるいは機械的に活性化、小粒子径化される。
アシスト粒子としては、セリアおよびジルコニアの少な
くとも１種を用いることができ、これらはコロイダルお
よびヒュームドのいずれであってもよい。ただし、アシ
スト粒子の一次粒子径は、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下
である。研磨粒子の一次粒子径の上限が５０ｎｍなの
で、アシスト粒子がこれより小さい場合には、研磨粒子
を小粒子径化する効果を得ることができない。一方、１
００ｎｍを越えると、アシスト粒子自体が研磨粒子とし
て作用してしまうので、本来の研磨粒子が小粒子径化さ
れない。すなわち、アシスト粒子の一次粒子径が５０ｎ
ｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内であれば、研磨パッドと
良好に作用して、研磨粒子を活性化・小粒径化すること
ができる。
【００１５】上述したような研磨粒子およびアシスト粒
子を任意に組み合わせて、水や有機溶剤等の溶媒に分散
してなる分散液を、本発明のＣＭＰ用スラリーとして用
いることができる。
子を任意に組み合わせて、水や有機溶剤等の溶媒に分散
してなる分散液を、本発明のＣＭＰ用スラリーとして用
いることができる。
【００１６】分散液中における研磨粒子の濃度は、実用
的な研磨速度を確保するために、０．５ｗｔ％以上５ｗ
ｔ％以下に制限される。０．５ｗｔ％未満の場合には、
研磨パッドの凹凸に研磨粒子が埋もれてしまうので、研
磨対象であるメタル等の導電性を有する層に作用する粒
子の数が少なくなる。その結果、充分に高い研磨速度を
得ることができない。一方、５ｗｔ％を越えると、研磨
中のメタル等に局所的な粒子溜りが生じやすく、エロー
ジョンが劣化する。
的な研磨速度を確保するために、０．５ｗｔ％以上５ｗ
ｔ％以下に制限される。０．５ｗｔ％未満の場合には、
研磨パッドの凹凸に研磨粒子が埋もれてしまうので、研
磨対象であるメタル等の導電性を有する層に作用する粒
子の数が少なくなる。その結果、充分に高い研磨速度を
得ることができない。一方、５ｗｔ％を越えると、研磨
中のメタル等に局所的な粒子溜りが生じやすく、エロー
ジョンが劣化する。
【００１７】また、分散液中におけるアシスト粒子の濃
度は、０．０１ｗｔ％以上０．１ｗｔ％以下である。ア
シスト粒子の濃度が０．０１ｗｔ％未満の場合には、研
磨粒子に作用してこれを小粒子径化するアシスト粒子が
少ないので、充分に高い研磨速度を確保することができ
ない。一方、０．１ｗｔ％を越えると、研磨が目的とさ
れる材料、すなわち導電性を有する層を選択的に研磨す
ることが不可能となる。
度は、０．０１ｗｔ％以上０．１ｗｔ％以下である。ア
シスト粒子の濃度が０．０１ｗｔ％未満の場合には、研
磨粒子に作用してこれを小粒子径化するアシスト粒子が
少ないので、充分に高い研磨速度を確保することができ
ない。一方、０．１ｗｔ％を越えると、研磨が目的とさ
れる材料、すなわち導電性を有する層を選択的に研磨す
ることが不可能となる。
【００１８】研磨粒子とアシスト粒子との配合割合は、
特に限定されず、分散液中における各粒子の濃度が上述
したような範囲内であれば、本発明の効果を得ることが
できる。
特に限定されず、分散液中における各粒子の濃度が上述
したような範囲内であれば、本発明の効果を得ることが
できる。
【００１９】特定の範囲内の一次粒子径を有する研磨粒
子とアシスト粒子とを、特定の濃度で含有した本発明の
スラリーは、絶縁膜に形成された溝に導電性材料を埋め
込んでダマシン配線を形成するプロセスに好適に用いら
れる。本発明のスラリーで研磨し得る導電性を有する層
はライナ材料と配線材料とを含むことができ、特にライ
ナ材料の研磨に、本発明のスラリーは好適に用いられ
る。
子とアシスト粒子とを、特定の濃度で含有した本発明の
スラリーは、絶縁膜に形成された溝に導電性材料を埋め
込んでダマシン配線を形成するプロセスに好適に用いら
れる。本発明のスラリーで研磨し得る導電性を有する層
はライナ材料と配線材料とを含むことができ、特にライ
ナ材料の研磨に、本発明のスラリーは好適に用いられ
る。
【００２０】なお、導電性を有する層は、Ｃｕ、Ａｌ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｒｕ、Ａｇ、あるい
はこれらを主成分とする合金、さらに、前述の金属の窒
化物、ホウ化物、または酸化物を含むことができる。ま
た、導電性を有する層は、これらの材料により形成され
た単層膜であっても積層膜であってもよい。
Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｒｕ、Ａｇ、あるい
はこれらを主成分とする合金、さらに、前述の金属の窒
化物、ホウ化物、または酸化物を含むことができる。ま
た、導電性を有する層は、これらの材料により形成され
た単層膜であっても積層膜であってもよい。
【００２１】以下、図面を参照して、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
【００２２】（実施例１）シリカ−セリア
研磨粒子としてのコロイダルシリカと、アシスト粒子と
してのコロイダルセリアとを含有する本発明の実施例１
のスラリーを、Ｃｕ−ＣＭＰのタッチアップに適用した
例について説明する。
してのコロイダルセリアとを含有する本発明の実施例１
のスラリーを、Ｃｕ−ＣＭＰのタッチアップに適用した
例について説明する。
【００２３】図１に、Ｃｕダマシン配線形成の工程図を
示す。
示す。
【００２４】まず、半導体基板１０上に、ｌｏｗ−Ｋ材
料などからなる絶縁膜１１を形成し、深さ８００ｎｍの
溝を設けた。なお、半導体基板１０は、バルク基板ある
いはＳＯＩ基板とすることができ、この基板には素子
（図示せず）が集積形成されている。次いで、ＴａＮラ
イナ１２を２０ｎｍ、およびＣｕ膜１３を１．２μｍ程
度スパッタリング（シード層）＋メッキ法により堆積し
た。
料などからなる絶縁膜１１を形成し、深さ８００ｎｍの
溝を設けた。なお、半導体基板１０は、バルク基板ある
いはＳＯＩ基板とすることができ、この基板には素子
（図示せず）が集積形成されている。次いで、ＴａＮラ
イナ１２を２０ｎｍ、およびＣｕ膜１３を１．２μｍ程
度スパッタリング（シード層）＋メッキ法により堆積し
た。
【００２５】Ｃｕ膜１３の不要部分はＣＭＰにより除去
して、図１（ａ）に示すようにＴａＮライナ１２を露出
させた。研磨をＴａＮライナ１２でストップさせること
によって、エロージョンを抑制し、絶縁膜１１、例えば
欠陥の生じ易いｌｏｗ−Ｋ材料（有機系の絶縁膜）への
ダメージを低減することができる（２ｎｄステッププロ
セス）。
して、図１（ａ）に示すようにＴａＮライナ１２を露出
させた。研磨をＴａＮライナ１２でストップさせること
によって、エロージョンを抑制し、絶縁膜１１、例えば
欠陥の生じ易いｌｏｗ−Ｋ材料（有機系の絶縁膜）への
ダメージを低減することができる（２ｎｄステッププロ
セス）。
【００２６】ＣＭＰに用いた研磨装置の構成の概略を、
図２に示す。
図２に示す。
【００２７】研磨パッド２２は、例えば約１００ｒｐｍ
で回転するテーブルに貼り付けられており、このパッド
２２上に、スラリー２３を例えば２００ｍｌ／ｍｉｎで
滴下する。これと同時に、ウェハーを保持したトップリ
ング２１を１００ｒｐｍで回転させながらパッド２２に
押し付けることによって、Ｃｕ膜１３の不要部分が研磨
される。
で回転するテーブルに貼り付けられており、このパッド
２２上に、スラリー２３を例えば２００ｍｌ／ｍｉｎで
滴下する。これと同時に、ウェハーを保持したトップリ
ング２１を１００ｒｐｍで回転させながらパッド２２に
押し付けることによって、Ｃｕ膜１３の不要部分が研磨
される。
【００２８】用いたスラリーは、酸化剤としての過硫酸
アンモニウム１ｗｔ％、酸化抑制剤としてのキナルジン
酸０．５ｗｔ％、研磨粒子としてのシリカ１ｗｔ％、お
よびｐＨ調製剤としてのＫＯＨ ０．４ｗｔ％を水に分
散してなる分散液を含み、研磨パッド２２としてＩＣ１
０００−ｐａｄ（ロデール社製）を用いて３分間研磨し
た。
アンモニウム１ｗｔ％、酸化抑制剤としてのキナルジン
酸０．５ｗｔ％、研磨粒子としてのシリカ１ｗｔ％、お
よびｐＨ調製剤としてのＫＯＨ ０．４ｗｔ％を水に分
散してなる分散液を含み、研磨パッド２２としてＩＣ１
０００−ｐａｄ（ロデール社製）を用いて３分間研磨し
た。
【００２９】引き続き、本実施例のスラリーを用いる以
外は前述と同様の手法により、ＴａＮライナ１２の不要
部分を除去した。
外は前述と同様の手法により、ＴａＮライナ１２の不要
部分を除去した。
【００３０】本実施例におけるスラリーは、一次粒子径
５０ｎｍのコロイダルシリカと粒径１００ｎｍのセリア
とを純水に分散してなる分散液であり、コロイダルシリ
カおよびセリアの濃度は、それぞれ５ｗｔ％および０．
０５ｗｔ％とした。こうしたスラリーを用いてＴａＮラ
イナ１２の研磨を行なったところ、ＴａＮの研磨速度は
４３ｎｍ／ｍｉｎと著しく大きかった。
５０ｎｍのコロイダルシリカと粒径１００ｎｍのセリア
とを純水に分散してなる分散液であり、コロイダルシリ
カおよびセリアの濃度は、それぞれ５ｗｔ％および０．
０５ｗｔ％とした。こうしたスラリーを用いてＴａＮラ
イナ１２の研磨を行なったところ、ＴａＮの研磨速度は
４３ｎｍ／ｍｉｎと著しく大きかった。
【００３１】これに関して、図３を参照して説明する。
分散液中では、ゼータ電位の関係から正（＋）に帯電し
たセリア粒子３１の周囲には、負（−）に帯電したコロ
イダルシリカ粒子３２が図３（ａ）に示すように吸着し
て存在する。セリアは、本来ＳｉＯ2（シリカ）を研磨
する粒子であるため、ＣＭＰストレスが加わることによ
りセリアとシリカとが反応する。その結果、図３（ｂ）
に示すようにシリカ粒子３２が活性化および小粒子化さ
れて、小粒径のシリカ粒子３３が生じた。こうして、理
想的な粒径および分散状態のシリカ粒子３３が、研磨対
象であるＴａＮに擦り付けられるために、充分に大きな
速度でＴａＮを研磨することができた。
分散液中では、ゼータ電位の関係から正（＋）に帯電し
たセリア粒子３１の周囲には、負（−）に帯電したコロ
イダルシリカ粒子３２が図３（ａ）に示すように吸着し
て存在する。セリアは、本来ＳｉＯ2（シリカ）を研磨
する粒子であるため、ＣＭＰストレスが加わることによ
りセリアとシリカとが反応する。その結果、図３（ｂ）
に示すようにシリカ粒子３２が活性化および小粒子化さ
れて、小粒径のシリカ粒子３３が生じた。こうして、理
想的な粒径および分散状態のシリカ粒子３３が、研磨対
象であるＴａＮに擦り付けられるために、充分に大きな
速度でＴａＮを研磨することができた。
【００３２】また、ここで用いたセリアは、一次粒子径
が１００ｎｍと大きくパッドとの相互作用が良好であ
る。このため、セリア粒子の表面に存在するコロイダル
シリカ粒子の研磨効率が高められたことも、ＴａＮの大
きな研磨速度の要因の一つと考えられる。
が１００ｎｍと大きくパッドとの相互作用が良好であ
る。このため、セリア粒子の表面に存在するコロイダル
シリカ粒子の研磨効率が高められたことも、ＴａＮの大
きな研磨速度の要因の一つと考えられる。
【００３３】なお、このようなタッチアップ工程におい
ては、ＴａＮ研磨速度は４０ｎｍ／ｍｉｎ程度（具体的
には４０±１０ｎｍ／ｍｉｎ）、ＳｉＯ2研磨速度は２
０ｎｍ／ｍｉｎ程度（具体的には２０±１０ｎｍ／ｍｉ
ｎ）であることが望ましい。また、研磨対象の下層に傷
が生じるのを避けるために、小粒径の粒子を用いて研磨
することが必要である。
ては、ＴａＮ研磨速度は４０ｎｍ／ｍｉｎ程度（具体的
には４０±１０ｎｍ／ｍｉｎ）、ＳｉＯ2研磨速度は２
０ｎｍ／ｍｉｎ程度（具体的には２０±１０ｎｍ／ｍｉ
ｎ）であることが望ましい。また、研磨対象の下層に傷
が生じるのを避けるために、小粒径の粒子を用いて研磨
することが必要である。
【００３４】ここで、研磨粒子としてのコロイダルシリ
カおよびアシスト粒子としてのセリア粒子を水に分散し
てなる分散液を用いた場合のＴａＮの研磨速度と、アシ
スト粒子の一次粒子径との関係を図４のグラフに示す。
なお、コロイダルシリカの一次粒子径は５０ｎｍとし、
分散液中における濃度は５ｗｔ％とした。セリア粒子の
一次粒子径は５０ｎｍから２００ｎｍの間で変化させ、
分散液中における濃度は０．０１ｗｔ％、０．１ｗｔ％
の２種類について示した。図４のグラフ中、ａおよびｂ
は、分散液中のセリア粒子の濃度がそれぞれ０．０１ｗ
ｔ％および０．１ｗｔ％の場合について表わしている。
カおよびアシスト粒子としてのセリア粒子を水に分散し
てなる分散液を用いた場合のＴａＮの研磨速度と、アシ
スト粒子の一次粒子径との関係を図４のグラフに示す。
なお、コロイダルシリカの一次粒子径は５０ｎｍとし、
分散液中における濃度は５ｗｔ％とした。セリア粒子の
一次粒子径は５０ｎｍから２００ｎｍの間で変化させ、
分散液中における濃度は０．０１ｗｔ％、０．１ｗｔ％
の２種類について示した。図４のグラフ中、ａおよびｂ
は、分散液中のセリア粒子の濃度がそれぞれ０．０１ｗ
ｔ％および０．１ｗｔ％の場合について表わしている。
【００３５】なお、１次粒子径が５０ｎｍのシリカ粒子
のみを、５ｗｔ％の濃度で含有する分散液でのＴａＮの
研磨速度は、２．８ｎｍ／ｍｉｎである。一方、一次粒
子径１００ｎｍのセリア粒子のみを、０．０５ｗｔ％の
濃度で含有する分散液でのＴａＮの研磨速度は、４．５
ｎｍ／ｍｉｎである。いずれの粒子も、単独で用いた場
合には実用的な研磨速度が得られない。これに対して、
図４に示されるように本実施例のスラリーでは、実用的
な研磨速度でＴａＮを研磨することが可能となった。
のみを、５ｗｔ％の濃度で含有する分散液でのＴａＮの
研磨速度は、２．８ｎｍ／ｍｉｎである。一方、一次粒
子径１００ｎｍのセリア粒子のみを、０．０５ｗｔ％の
濃度で含有する分散液でのＴａＮの研磨速度は、４．５
ｎｍ／ｍｉｎである。いずれの粒子も、単独で用いた場
合には実用的な研磨速度が得られない。これに対して、
図４に示されるように本実施例のスラリーでは、実用的
な研磨速度でＴａＮを研磨することが可能となった。
【００３６】図５のグラフには、研磨粒子としてのコロ
イダルシリカおよびアシスト粒子としてのセリア粒子を
含有する分散液を用いた場合のＳｉＯ2の研磨速度と、
アシスト粒子の粒径との関係を示す。コロイダルシリカ
の一次粒子径は５０ｎｍとし、分散液中における濃度は
５ｗｔ％とした。セリア粒子の一次粒子径は５０ｎｍか
ら２００ｎｍの間で変化させ、分散液中における濃度は
０．０１ｗｔ％、０．１ｗｔ％の２種類について示し
た。図５のグラフ中、ｃおよびｄは、分散液中のセリア
粒子の濃度がそれぞれ０．０１ｗｔ％および０．１ｗｔ
％の場合について表わしている。なお、１次粒子径が５
０ｎｍのシリカ粒子のみを、５ｗｔ％の濃度で含有する
分散液でのＳｉＯ2の研磨速度は、８ｎｍ／ｍｉｎであ
る。一方、一次粒子径１００ｎｍのセリア粒子のみを、
０．０５ｗｔ％の濃度で含有する分散液でのＳｉＯ2の
研磨速度は、１１ｎｍ／ｍｉｎである。また、グラフ中
には示していないが、一次粒子径５ｎｍのコロイダルシ
リカを５ｗｔ％、一次粒子径５０ｎｍのセリア粒子を
０．０１ｗｔ％含有する分散液を用いた場合には、Ｓｉ
Ｏ2の研磨速度は、２０ｎｍ／ｍｉｎ程度であった。
イダルシリカおよびアシスト粒子としてのセリア粒子を
含有する分散液を用いた場合のＳｉＯ2の研磨速度と、
アシスト粒子の粒径との関係を示す。コロイダルシリカ
の一次粒子径は５０ｎｍとし、分散液中における濃度は
５ｗｔ％とした。セリア粒子の一次粒子径は５０ｎｍか
ら２００ｎｍの間で変化させ、分散液中における濃度は
０．０１ｗｔ％、０．１ｗｔ％の２種類について示し
た。図５のグラフ中、ｃおよびｄは、分散液中のセリア
粒子の濃度がそれぞれ０．０１ｗｔ％および０．１ｗｔ
％の場合について表わしている。なお、１次粒子径が５
０ｎｍのシリカ粒子のみを、５ｗｔ％の濃度で含有する
分散液でのＳｉＯ2の研磨速度は、８ｎｍ／ｍｉｎであ
る。一方、一次粒子径１００ｎｍのセリア粒子のみを、
０．０５ｗｔ％の濃度で含有する分散液でのＳｉＯ2の
研磨速度は、１１ｎｍ／ｍｉｎである。また、グラフ中
には示していないが、一次粒子径５ｎｍのコロイダルシ
リカを５ｗｔ％、一次粒子径５０ｎｍのセリア粒子を
０．０１ｗｔ％含有する分散液を用いた場合には、Ｓｉ
Ｏ2の研磨速度は、２０ｎｍ／ｍｉｎ程度であった。
【００３７】図５のグラフに示されるように、アシスト
粒子の粒径が１００ｎｍを越えると、ＳｉＯ2の研磨速
度が大きくなりすぎる。また、アシスト粒子の濃度が
０．１ｗｔ％を越えてもＳｉＯ2の研磨速度が大きくな
りすぎ、ダマシン配線間のＳｉＯ2がなくなってしまい
凹凸が生じる。この凹凸は、ダマシン配線を多層化した
際に凹部にメタル残りが生じ、線間および層間のショー
トの原因となる。したがって、アシスト粒子であるセリ
ア粒子の濃度は、０．１ｗｔ％以下に制限される。
粒子の粒径が１００ｎｍを越えると、ＳｉＯ2の研磨速
度が大きくなりすぎる。また、アシスト粒子の濃度が
０．１ｗｔ％を越えてもＳｉＯ2の研磨速度が大きくな
りすぎ、ダマシン配線間のＳｉＯ2がなくなってしまい
凹凸が生じる。この凹凸は、ダマシン配線を多層化した
際に凹部にメタル残りが生じ、線間および層間のショー
トの原因となる。したがって、アシスト粒子であるセリ
ア粒子の濃度は、０．１ｗｔ％以下に制限される。
【００３８】以上、本実施例においては、研磨粒子とし
てのコロイダルシリカ粒子と、アシスト粒子としてのセ
リア粒子とを用い、各粒子の一次粒子径および濃度を規
定したスラリーについて説明した。こうしたスラリーを
用いてＴａＮライナをＣＭＰにより除去することによっ
て、エロージョンの小さく、スクラッチのないＣｕダマ
シン配線を形成することが可能となった。以上の例で
は、アシスト粒子としてコロイダルセリアを用いたが、
ヒュームドセリアを用いても同様の効果が得られる。
てのコロイダルシリカ粒子と、アシスト粒子としてのセ
リア粒子とを用い、各粒子の一次粒子径および濃度を規
定したスラリーについて説明した。こうしたスラリーを
用いてＴａＮライナをＣＭＰにより除去することによっ
て、エロージョンの小さく、スクラッチのないＣｕダマ
シン配線を形成することが可能となった。以上の例で
は、アシスト粒子としてコロイダルセリアを用いたが、
ヒュームドセリアを用いても同様の効果が得られる。
【００３９】なお、特表平７−５０２７７８号公報に記
載されているシリカ・セリア混合系スラリーにおいて
は、ＳｉＯ2の研磨速度の大きなセリア（一次粒子径５
０ｎｍ）の濃度は、最低でも３ｗｔ％である。この場
合、ＳｉＯ2研磨速度は２００ｎｍ／ｍｉｎと大きすぎ
る。また、ヒュームド法で形成されたシリカは２次凝集
が大きく、粒の形状も不揃いなので研磨対象の下層（例
えば絶縁膜）へのスクラッチが懸念される。いずれも、
上述したようなタッチアップ工程には適用することがで
きない。
載されているシリカ・セリア混合系スラリーにおいて
は、ＳｉＯ2の研磨速度の大きなセリア（一次粒子径５
０ｎｍ）の濃度は、最低でも３ｗｔ％である。この場
合、ＳｉＯ2研磨速度は２００ｎｍ／ｍｉｎと大きすぎ
る。また、ヒュームド法で形成されたシリカは２次凝集
が大きく、粒の形状も不揃いなので研磨対象の下層（例
えば絶縁膜）へのスクラッチが懸念される。いずれも、
上述したようなタッチアップ工程には適用することがで
きない。
【００４０】（実施例２）シリカ−ジルコニア
研磨粒子としてのコロイダルシリカと、アシスト粒子と
してのコロイダルジルコニアとを含有する本発明の実施
例２のスラリーを、Ｗ−ＣＭＰのタッチアップに適用し
た例について説明する。
してのコロイダルジルコニアとを含有する本発明の実施
例２のスラリーを、Ｗ−ＣＭＰのタッチアップに適用し
た例について説明する。
【００４１】図６を参照して、ここで用いる粒子の作用
について説明する。図６（ａ）に示されるように、ジル
コニア粒子４１の周囲には、コロイダルシリカ粒子４２
が吸着している。図６（ｂ）の拡大図に示されるよう
に、コロイダルシリカ粒子４２中には細孔４３が存在し
ており、ＣＭＰストレスを受けることによって、このコ
ロイダルシリカ粒子４２は粉砕される。こうして、図６
（ａ）に示されるような小粒径のシリカ粒子４４が生じ
る。この粒子は、理想的な粒径および分散状態で存在す
るので、研磨対象の研磨速度を高めることができる。
について説明する。図６（ａ）に示されるように、ジル
コニア粒子４１の周囲には、コロイダルシリカ粒子４２
が吸着している。図６（ｂ）の拡大図に示されるよう
に、コロイダルシリカ粒子４２中には細孔４３が存在し
ており、ＣＭＰストレスを受けることによって、このコ
ロイダルシリカ粒子４２は粉砕される。こうして、図６
（ａ）に示されるような小粒径のシリカ粒子４４が生じ
る。この粒子は、理想的な粒径および分散状態で存在す
るので、研磨対象の研磨速度を高めることができる。
【００４２】図７に、Ｗダマシン配線形成の工程図を示
す。
す。
【００４３】まず、図７（ａ）に示すように、半導体基
板５０上に絶縁膜５１を形成し、深さ２５０ｎｍの溝を
設けた。なお、半導体基板５０は、バルク基板あるいは
ＳＯＩ基板とすることができ、この基板には素子（図示
せず）が集積形成されている。次いで、ＴｉＮライナ５
２を２０ｎｍ、およびＷ膜５３を３００ｎｍ、ＣＶＤ法
により堆積した。
板５０上に絶縁膜５１を形成し、深さ２５０ｎｍの溝を
設けた。なお、半導体基板５０は、バルク基板あるいは
ＳＯＩ基板とすることができ、この基板には素子（図示
せず）が集積形成されている。次いで、ＴｉＮライナ５
２を２０ｎｍ、およびＷ膜５３を３００ｎｍ、ＣＶＤ法
により堆積した。
【００４４】Ｗ膜５３の不要部分はＣＭＰにより除去し
て、図７（ｂ）に示すようにＴｉＮライナ５２を露出さ
せた。研磨をＴｉＮライナ５２でストップさせることに
よって、エロージョンを小さく抑えることができる。
（２ｎｄステッププロセス）。
て、図７（ｂ）に示すようにＴｉＮライナ５２を露出さ
せた。研磨をＴｉＮライナ５２でストップさせることに
よって、エロージョンを小さく抑えることができる。
（２ｎｄステッププロセス）。
【００４５】１ｓｔポリッシュでのスラリーとしては、
従来用いられている酸化剤として硝酸鉄が４ｗｔ％配合
されたアルミナ分散液を用い、図２に示した装置により
３分間研磨した。
従来用いられている酸化剤として硝酸鉄が４ｗｔ％配合
されたアルミナ分散液を用い、図２に示した装置により
３分間研磨した。
【００４６】引き続き、本実施例のスラリーを用いる以
外は前述と同様の手法により、ＴｉＮライナ５２の不要
部分を除去した。
外は前述と同様の手法により、ＴｉＮライナ５２の不要
部分を除去した。
【００４７】本実施例におけるスラリーは、一次粒子径
１５ｎｍのコロイダルシリカと粒径１００ｎｍのジルコ
ニアとを純水に分散してなる分散液であり、コロイダル
シリカおよびジルコニアの濃度は、それぞれ３ｗｔ％お
よび０．０５ｗｔ％とした。こうしたスラリーを用いて
ＴｉＮライナ５２の研磨を行なったところ、ＴｉＮの研
磨速度は４０ｎｍ／ｍｉｎと著しく大きかった。
１５ｎｍのコロイダルシリカと粒径１００ｎｍのジルコ
ニアとを純水に分散してなる分散液であり、コロイダル
シリカおよびジルコニアの濃度は、それぞれ３ｗｔ％お
よび０．０５ｗｔ％とした。こうしたスラリーを用いて
ＴｉＮライナ５２の研磨を行なったところ、ＴｉＮの研
磨速度は４０ｎｍ／ｍｉｎと著しく大きかった。
【００４８】このように充分に大きな研磨速度を有して
いるので、０．１μｍダマシン配線を形成することがで
きる。
いるので、０．１μｍダマシン配線を形成することがで
きる。
【００４９】なお、一次粒子径が１５ｎｍのシリカ粒子
のみを、３ｗｔ％の濃度で含有する分散液でのＴｉＮの
研磨速度は、５ｎｍ／ｍｉｎである。一方、粒径１００
ｎｍのジルコニア粒子のみを、０．０５ｗｔ％の濃度で
含有する分散液でのＴｉＮの研磨速度は、５ｎｍ／ｍｉ
ｎ未満である。いずれの粒子も、単独で用いた場合に
は、実用的な研磨速度が得られない。
のみを、３ｗｔ％の濃度で含有する分散液でのＴｉＮの
研磨速度は、５ｎｍ／ｍｉｎである。一方、粒径１００
ｎｍのジルコニア粒子のみを、０．０５ｗｔ％の濃度で
含有する分散液でのＴｉＮの研磨速度は、５ｎｍ／ｍｉ
ｎ未満である。いずれの粒子も、単独で用いた場合に
は、実用的な研磨速度が得られない。
【００５０】本実施例においては、研磨粒子としてのコ
ロイダルシリカ粒子と、アシスト粒子としてのジルコニ
ア粒子とを用い、各粒子の一次粒子径および濃度を規定
したスラリーについて説明した。こうしたスラリーを用
いてＴｉＮライナをＣＭＰにより除去することによっ
て、エロージョンの小さく、スクラッチのないＷダマシ
ン配線を形成することが可能となった。以上の例では、
アシスト粒子としてコロイダルジルコニアを用いたが、
ヒュームドジルコニアを用いても同様の効果が得られ
る。
ロイダルシリカ粒子と、アシスト粒子としてのジルコニ
ア粒子とを用い、各粒子の一次粒子径および濃度を規定
したスラリーについて説明した。こうしたスラリーを用
いてＴｉＮライナをＣＭＰにより除去することによっ
て、エロージョンの小さく、スクラッチのないＷダマシ
ン配線を形成することが可能となった。以上の例では、
アシスト粒子としてコロイダルジルコニアを用いたが、
ヒュームドジルコニアを用いても同様の効果が得られ
る。
【００５１】本発明は、上述した実施例に限定されず、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形が可能であ
る。
本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形が可能であ
る。
【００５２】上述したような特定の研磨粒子とアシスト
粒子とを水等に分散してなる分散液に、必要に応じて通
常用いられる添加剤を配合して、本発明のＣＭＰ用スラ
リーを調製することもできる。具体的には、添加剤とし
ては、酸化剤、界面活性剤、酸化抑制剤、およびｐＨ調
整剤などが挙げられる。
粒子とを水等に分散してなる分散液に、必要に応じて通
常用いられる添加剤を配合して、本発明のＣＭＰ用スラ
リーを調製することもできる。具体的には、添加剤とし
ては、酸化剤、界面活性剤、酸化抑制剤、およびｐＨ調
整剤などが挙げられる。
【００５３】酸化剤としては、Ｈ2Ｏ2、（ＮＨ4）2Ｓ2
Ｏ8、Ｋ2Ｓ2Ｏ8、硝酸鉄、および硝酸アンモニウムセリ
ウムなどが挙げられる。
Ｏ8、Ｋ2Ｓ2Ｏ8、硝酸鉄、および硝酸アンモニウムセリ
ウムなどが挙げられる。
【００５４】界面活性剤としては、ドデシルスルホン酸
塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレ
ンラウリルエーテル、脂肪酸塩、およびポリオキシエチ
レンアルキルアミンなどが挙げられる。
塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレ
ンラウリルエーテル、脂肪酸塩、およびポリオキシエチ
レンアルキルアミンなどが挙げられる。
【００５５】酸化抑制剤としては、ＢＴＡ（ベンゾトリ
アゾール）、カルボキシ基を有するアミンなどが挙げら
れ、ｐＨ調整剤としては、アンモニア水、ＫＯＨ、硝
酸、クエン酸、シュウ酸、およびコハク酸などが挙げら
れる。
アゾール）、カルボキシ基を有するアミンなどが挙げら
れ、ｐＨ調整剤としては、アンモニア水、ＫＯＨ、硝
酸、クエン酸、シュウ酸、およびコハク酸などが挙げら
れる。
【００５６】こうした添加剤は、ＣＭＰ用スラリーに通
常使用される量で配合すればよい。
常使用される量で配合すればよい。
【００５７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
エロージョンやスクラッチといった欠陥を極力低減し、
しかも十分に大きな研磨速度で、メタル等の導電性を有
する所望の層を研磨可能なＣＭＰ用スラリーが提供され
る。また本発明によれば、高性能のダマシン配線を有す
る半導体装置の製造方法が提供される。
エロージョンやスクラッチといった欠陥を極力低減し、
しかも十分に大きな研磨速度で、メタル等の導電性を有
する所望の層を研磨可能なＣＭＰ用スラリーが提供され
る。また本発明によれば、高性能のダマシン配線を有す
る半導体装置の製造方法が提供される。
【００５８】本発明は、ＤＲＡＭや高速ロジックＬＳＩ
に搭載されるＡｌ、Ｃｕ、Ｗなどのダマシン配線の形成
に極めて有効に用いられ、その工業的価値は絶大であ
る。
に搭載されるＡｌ、Ｃｕ、Ｗなどのダマシン配線の形成
に極めて有効に用いられ、その工業的価値は絶大であ
る。
【図１】本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造方
法を表わす工程断面図。
法を表わす工程断面図。
【図２】実施例に用いた研磨装置の構成を表わす概略
図。
図。
【図３】本発明の一実施例にかかるスラリーにおける研
磨粒子およびアシスト粒子の作用を説明する図。
磨粒子およびアシスト粒子の作用を説明する図。
【図４】アシスト粒子の一次粒子径とＴａＮの研磨速度
との関係を説明するグラフ図。
との関係を説明するグラフ図。
【図５】アシスト粒子の一次粒子径とＳｉＯ2の研磨速
度との関係を説明するグラフ図。
度との関係を説明するグラフ図。
【図６】本発明の他の実施例にかかるスラリーにおける
研磨粒子およびアシスト粒子の作用を説明する図。
研磨粒子およびアシスト粒子の作用を説明する図。
【図７】本発明の他の実施例にかかる半導体装置の製造
方法を説明する工程断面図。
方法を説明する工程断面図。
１０…半導体基板
１１…溝を形成した絶縁膜
１２…ＴａＮライナ
１３…Ｃｕ膜
２１…トップリング
２２…研磨パッド
２３…スラリー
３１…コロイダルセリア粒子
３２…コロイダルシリカ粒子
３３…小粒径コロイダルシリカ粒子
４１…ジルコニア粒子
４２…コロイダルシリカ粒子
４３…細孔
４４…小粒径コロイダルシリカ粒子
５０…半導体基板
５１…溝を形成した絶縁膜
５２…ＴｉＮライナ
５３…Ｗ膜
Claims (6)
- 【請求項１】 一次粒子径５ｎｍ〜５０ｎｍの第１の粒
子と、一次粒子径５０ｎｍ〜１００ｎｍの第２の粒子と
を含有する分散液を含むＣＭＰ用スラリーであって、前
記分散液中における前記第１の粒子の濃度は０．５〜５
ｗｔ％であり、前記第２の粒子の濃度は０．０１〜０．
１ｗｔ％であることを特徴とするＣＭＰ用スラリー。 - 【請求項２】 前記第１の粒子は、研磨中に小粒子径化
される研磨粒子であり、前記第２の粒子は、前記第１の
粒子を小粒子径化するアシスト粒子であることを特徴と
する請求項１に記載のＣＭＰ用スラリー。 - 【請求項３】 コロイダルシリカ、コロイダルアルミ
ナ、コロイダルチタンオキサイド、コロイダルセリア、
およびコロイダルジルコニアからなる群から選択される
少なくとも１種を含む一次粒子径５ｎｍ〜５０ｎｍの研
磨粒子と、セリアおよびジルコニアからなる群から選択
される少なくとも１種を含む一次粒子径５０〜１００ｎ
ｍのアシスト粒子とを含有する分散液を含むＣＭＰ用ス
ラリーであって、前記分散液中における前記研磨粒子の
濃度は０．５〜５ｗｔ％であり、前記アシスト粒子の濃
度は０．０１〜０．１ｗｔ％であることを特徴とするＣ
ＭＰ用スラリー。 - 【請求項４】 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程
と、 前記絶縁膜に溝を形成する工程と、 前記溝の内部および前記絶縁膜の上に導電性材料を堆積
して、導電性を有する層を形成する工程と、 前記絶縁膜の上に堆積された前記導電性材料を除去して
前記絶縁膜の表面を露出させることにより、前記導電性
材料を前記溝内部に残置する工程とを具備し前記絶縁膜
上に堆積された前記導電性材料の除去は、請求項１ない
し３のいずれか１項に記載のスラリーを用いたＣＭＰに
より行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項５】 前記導電性を有する層は、ライナ材料と
配線材料とを含むことを特徴とする請求項４に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記導電性を有する層は、Ｃｕ、Ａｌ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｒｕ、Ａｇ、これら
を主成分とする合金、窒化物、ホウ化物、もしくは酸化
物を含む単層膜または積層膜であることを特徴とする請
求項４に記載の半導体装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005500173A (ja) * | 2001-08-20 | 2005-01-06 | サムソン コーニング カンパニー，リミテッド | シリカ−コーティングされたセリアを含む研磨スラリー |
| JP2005072499A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いる研磨方法 |
| WO2006025539A1 (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Showa Denko K.K. | Polishing slurry, production method of glass substrate for information recording medium and production method of information recording medium |
| JP2007273910A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | 研磨用組成液 |
| US7332104B2 (en) | 2003-06-18 | 2008-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Slurry for CMP, polishing method and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2009509784A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 研磨スラリー及び当該研磨スラリーを利用する方法 |
| JP2009218555A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-09-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨液及び研磨方法 |
| JP2010036290A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Jsr Corp | 回路基板の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、回路基板の製造方法、回路基板および多層回路基板 |
| JP2010519157A (ja) * | 2007-02-20 | 2010-06-03 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | セリウム酸化物およびコロイド状二酸化ケイ素を含む分散液 |
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| WO2017081835A1 (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤及びその製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003014251A1 (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-20 | Hitachi Maxell, Ltd. | Non-magnetic particles having a plate shape and method for production thereof, abrasive material, polishing article and abrasive fluid comprising such particles |
| US20080141594A1 (en) * | 2001-09-28 | 2008-06-19 | Mikio Kishimoto | Non-magnetic plate-form particles, method for producing the same, and abrasive, abrasive member and abrasive liquid comprising the same |
| TWI340060B (en) * | 2003-11-20 | 2011-04-11 | Doi Toshiro | Polishing apparatus and method of polishing work piece |
| JP2007266500A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | タッチアップｃｍｐ用スラリーおよび半導体装置の製造方法 |
| US7723234B2 (en) * | 2006-11-22 | 2010-05-25 | Clarkson University | Method for selective CMP of polysilicon |
| DE102007035992A1 (de) * | 2007-05-25 | 2008-11-27 | Evonik Degussa Gmbh | Ceroxid, Siliciumdioxid oder Schichtsilikat und Aminosäure enthaltende Dispersion |
| US8022025B1 (en) * | 2010-01-27 | 2011-09-20 | Nanophase Technologies Corporation | Heterocoagulate, and compositions and method for polishing and surface treatment |
| US9153451B2 (en) | 2012-12-12 | 2015-10-06 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a planar surface for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure |
| CN103992743B (zh) * | 2014-05-09 | 2018-06-19 | 杰明纳微电子股份有限公司 | 含有二氧化铈粉体与胶体二氧化硅混合磨料的抛光液及其制备工艺 |
| WO2019099655A1 (en) | 2017-11-15 | 2019-05-23 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Composition for conducting material removal operations and method for forming same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264010A (en) | 1992-04-27 | 1993-11-23 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces |
| US6217416B1 (en) * | 1998-06-26 | 2001-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates |
| JP3784988B2 (ja) | 1999-03-18 | 2006-06-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001298008A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Sony Corp | 研磨方法および研磨装置 |
| WO2002001616A1 (fr) * | 2000-06-29 | 2002-01-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de traitement d'une plaquette de semi-conducteur et plaquette de semi-conducteur |
| US20020173243A1 (en) * | 2001-04-05 | 2002-11-21 | Costas Wesley D. | Polishing composition having organic polymer particles |
-
2001
- 2001-07-18 JP JP2001218531A patent/JP3895949B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2002
- 2002-07-18 US US10/197,602 patent/US6896590B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005500173A (ja) * | 2001-08-20 | 2005-01-06 | サムソン コーニング カンパニー，リミテッド | シリカ−コーティングされたセリアを含む研磨スラリー |
| US7332104B2 (en) | 2003-06-18 | 2008-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Slurry for CMP, polishing method and method of manufacturing semiconductor device |
| JP4574140B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2010-11-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いる研磨方法 |
| JP2005072499A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いる研磨方法 |
| WO2006025539A1 (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Showa Denko K.K. | Polishing slurry, production method of glass substrate for information recording medium and production method of information recording medium |
| JP2006096977A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-04-13 | Showa Denko Kk | 研磨スラリー、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び情報記録媒体の製造方法 |
| US8029687B2 (en) | 2004-08-30 | 2011-10-04 | Showa Denko K.K. | Polishing slurry, production method of glass substrate for information recording medium and production method of information recording medium |
| JP2009509784A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 研磨スラリー及び当該研磨スラリーを利用する方法 |
| JP2007273910A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | 研磨用組成液 |
| JP2010519157A (ja) * | 2007-02-20 | 2010-06-03 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | セリウム酸化物およびコロイド状二酸化ケイ素を含む分散液 |
| JP2011507785A (ja) * | 2007-12-22 | 2011-03-10 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 酸化セリウム及びコロイド状二酸化ケイ素を含有する分散液 |
| JP2009218555A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-09-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨液及び研磨方法 |
| JP2010036290A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Jsr Corp | 回路基板の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、回路基板の製造方法、回路基板および多層回路基板 |
| WO2017081835A1 (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤及びその製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法 |
| JPWO2017081835A1 (ja) * | 2015-11-10 | 2018-08-30 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤及びその製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法 |
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