CN1882397A - 清洗掩模 - Google Patents

清洗掩模 Download PDF

Info

Publication number
CN1882397A
CN1882397A CNA2004800276340A CN200480027634A CN1882397A CN 1882397 A CN1882397 A CN 1882397A CN A2004800276340 A CNA2004800276340 A CN A2004800276340A CN 200480027634 A CN200480027634 A CN 200480027634A CN 1882397 A CN1882397 A CN 1882397A
Authority
CN
China
Prior art keywords
container
mask
cleaning solution
described method
gal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004800276340A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1882397B (zh
Inventor
萨曼莎·坦
王建齐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Quantum Global Technology Co ltd
Original Assignee
CHEMTRACE PREC CLEANING Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHEMTRACE PREC CLEANING Inc filed Critical CHEMTRACE PREC CLEANING Inc
Priority claimed from PCT/US2004/023596 external-priority patent/WO2005010947A2/en
Publication of CN1882397A publication Critical patent/CN1882397A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1882397B publication Critical patent/CN1882397B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/044—Cleaning involving contact with liquid using agitated containers in which the liquid and articles or material are placed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/102—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G3/00—Apparatus for cleaning or pickling metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

本发明涉及一种清洗掩模的设备和方法。该方法包括将掩模置于一清洗溶液内。该方法也包括以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。

Description

清洗掩模
技术领域
本发明涉及半导体工艺领域，特别是用于半导体工艺中的掩模清洗。
背景技术
半导体器件的一种形式为利用C凸块(C-bump)技术连接半导体器件及外部电路。为形成用于C凸块技术的导体，先将掩模直接放置在集成电路的晶圆上，并将传导性金属沉积在集成电路由掩模决定的位置上。C凸块技术可使集成电路与外部电路元件(例如其它集成电路或其它器件)间有更快(高频)的连接。然而，C凸块技术需要复杂且严密控制的制造过程以获得此效果。
正如所预期的，该等掩模有严格的容差范围。在一制程(process)中，掩模中的孔洞界定的直径为4mil(101.6μm)，容差范围为1％。此外，掩模每次使用后都必须清洗，且不能改变孔洞的尺寸使其超出制程容差范围。故，清洗掩模是一个具挑战性的问题。
另外，在某些制程中，掩模会经多次利用和清洗，有时每一掩模甚达十次之多。因此，对掩模孔洞有微小改变的清洗过程会相当有用。此外，半导体制造设备已知都是每天不停的运转，因此快速的清洗过程相当有用。而且，清洗掩模对制造而言是额外的费用。如果清洗的费用对于更换掩模的费用来说太高，清洗便不会是最经济的方式。在某些情况下，清洗掩模10次直到其为可用可能比更换掩模的费用少，故低费用的清洗过程亦相当有用。
图1为需要清洗的现有掩模的实例示意图。
掩模110有多个孔洞，其经精确设置以在集成电路上所需位置形成传导性凸块。在一种实施例中，掩模110是由高密度元素的钼(molybdenum)所制成。孔洞170以规则排列或非规则间隔方式设置在掩模110的预定位置。在一种实施例中，孔洞170以规则间隔排列的方式设置，在相邻孔洞之间保持间隔S。在某些实施例中，间隔S可能大约为120μm，且每一孔洞直径约为101.6μm。因此，掩模110的清洗相当困难且需精确的操作。
图2为图1中未沉积材料的现有掩模沿线A-A的横断面示意图。图2中所示的掩模110已清除掉先前沉积的材料或未经接触。在一实施方式中，清洗后D1的变化必须在清洗前D1的1％内，或101.6μm+/-1μm。此外，在一可更替的实施方式中，清洗后D1的变化必须在清洗前D1的0.1％内，或101.6μm+/-0.1μm，以使掩模110有几至十次的清洗。如图所示，D2是孔洞的外直径，且在直径的改变上有相似的容差范围。
图3为有沉积材料的现有掩模沿线A-A的横断面示意图。掩模110经设计接触一半导体器件，以图案化(patterning)沉积于半导体器件上的导体。图3并未按尺寸比例绘制，然应可理解掩模110为一相对较薄的盘状板体，其具有多个规律间隔且精确穿设的孔洞。
图3中，层120，130，140及150沉积于掩模110上。层120为一适宜黏附于集成电路的铬(Cr)层。层130为一传导性良好的铜(Cu)层。类似的，层140为传导性良好的金(Au)层。层150为一铅/锡(Pb/Sn)焊层，其与外部导体具有良好的传导性及接合性。
这些层沉积于半导体的背侧，其位置由贯穿掩模110的孔洞所界定，如图2或图3中央所示的孔洞。在一种实施例中，掩模110的孔洞规格为101.6μm宽(以第2图中D1表示)，其容差范围为1％。图4所示为现有掩模110在不适当清洗后沿线A-A的横断面图。由于过度蚀刻，D1’的直径变得太宽，且D2’的直径亦可能太宽，因此掩模110会超出可用于制造过程的预订的容差。此种不适当清洗可能会使掩模110无法使用，亦可能在生产线恢复操作前被迫需制作新的掩模。
通常，半导体制程中的清洗或蚀刻可利用多种材料或溶剂完成，包括各种有机或无机酸和碱性溶液。然而在未做实验的情况下很难去预测所需的蚀刻率，亦即不造成过度蚀刻但仍达到目的(如确实清洗掩模)的合理制程时间。不同酸或碱可与一些金属作适当反应，然却因蚀刻离子与欲清洗金属间的相互作用，而无法与其它金属发生反应。
此外，有时亦会使用辅助蚀刻，尽管辅助蚀刻过程中所增加的能量可能导致更多的高能原子及蚀刻液表面的紊流而使蚀刻液产生腐蚀性蒸汽，及随之增加的气态物质。众所周知，制程里包括使用酸以辅助电解的蚀刻。但不幸的是，这需要谨慎选择蚀刻金属，因为参与金属间的关系可能导致电镀和放热反应。电镀有强化结合并劣化清洗力的风险，而放热反应则会增加安全隐忧。因此，针对特定蚀刻制程选择正确的溶剂类型及正确的辅助方式(如果有)并不容易。
发明内容
本发明提供一种清洗掩模的方法和设备。在一实施例中，本发明为一种清洗掩模的方法。在一些实施例中，本发明包括在蚀刻溶液中放置掩模，并搅动溶液以蚀去沉积在掩模上的材料。在另一些实施例中，本发明包括装有蚀刻溶液的第一容器，容纳该第一容器于第二溶液中的第二容器，及与该第二容器耦接或连接的搅动器。在其它的实施例中，本发明包括将掩模放置于蚀刻溶液中以蚀去沉积在掩模上的材料，并也可包括周期性的擦洗该掩模。
在一实施例中，本发明为一种清洗有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法，其包括将钼掩模置于一包括氢氯酸的清洗溶液内。该方法也包括在一预定时间段后将前述钼掩模从清洗溶液移出。前述钼掩模可以具有一系列通孔。
在另一实施例中，本发明为一清洗掩模的设备。该设备包括具有一开放顶部的第一容器。该设备也包括具有一开放顶部的第二容器，该第二容器容纳该第一容器。该设备还包括一在第二容器内的搅动器。或者，该搅动器也可与该第二容器耦接或接触该第二容器的外部。
在另一实施例中，本发明为一种清洗掩模的方法。该方法包括将掩模放置于一清洗溶液中。该方法亦包括以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
在另一替代实施例中，本发明亦为一种清洗掩模的设备。该设备包括清洗掩模的第一装置。该设备包括支撑掩模的第二装置。该设备也包括一用于搅动该第一装置及该第二装置的第三装置。该设备还包括容纳该第一装置的第四装置。该设备亦包括一环绕该第四装置的第五装置。此外，该设备包括一用于支撑该第五装置及该第三装置的第六装置。
在另一替代实施例中，本发明为一种清洗掩模的方法。该方法包括将掩模置于一容器内。该方法亦包括将该容器置于一清洗溶液内。该清洗溶液置于第一容器中。该第一容器置于第二容器中。该第二容器包括环绕该第一容器的水溶液。
在本发明的另一替代实施例中，本发明为一种清洗有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法。本发明包括放置该钼掩模于清洗溶液中。该方法亦包括在一预定时间段后将钼掩模从该清洗溶液中移出。该方法可更包括以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。前述多种金属包括铬，铜，金和铅/锡化合物。
附图说明
所附附图包括于说明书中并组成说明书的一部分，表示出了本发明的实施例，并且连同发明内容共同用于阐释本发明。应当了解，这些附图仅用于说明，不应视为对本发明的限制。
图1所示为现有掩模的示例图。
图2所示为图1现有掩模未有材料沉积其上时沿线A-A的横断面示意图。
图3为图1现有掩模有材料沉积其上时沿线A-A的另一横断面示意图。
图4所示为图1现有掩模在材料未适当清洗后沿线A-A的横断面图。
图5所示为一种清洗系统实施例的示意图。
图6所示为沿图5线B-B所作的支撑掩模的晶圆支撑件实施例的示意图。
图7所示为沿图6线C-C的晶圆支撑件实施例的示意图。
图8所示为晶圆支撑件实施例的透视图。
图9所示为清洗掩模过程的一个实施例的流程图。
图10所示为清洗掩模过程的另一实施例流程图。
具体实施方式
本发明是关于清洗掩模的方法和设备。下文说明中已揭示许多特定细节以供完整了解本发明。然而应可领会的是，本领域技术人员亦可不需此等特定细节而实施本发明。在其它情况下，结构及装置均已绘示于流程图中以避免误解本发明。
在一些实施例中，本发明包括在蚀刻溶液中放置掩模，并搅动溶液以蚀去沉积在掩模上的材料。在另外的实施例中，本发明包括装有蚀刻溶液的第一容器，容纳该第一容器于第二溶液的第二容器，及与该第二容器耦接或连接的搅动器。在其它的实施例中，本发明包括将掩模放置于蚀刻溶液中以蚀去沉积在掩模上的材料，也可以包括周期性的擦洗该掩模。
在一实施例中，本发明包括清洗具有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法。该方法包括将钼掩模放置于一包括氢氯酸的清洗溶液内。该方法也包括在一预定时间段后将前述钼掩模从清洗溶液移出。前述钼掩模具有一系列通孔。
在另一实施例中，本发明为一清洗掩模的设备。该设备包括具有一开放顶部的第一容器。该设备也包括具有一开放顶部的第二容器，该第二容器容纳该第一容器。该设备更包括在第二容器内的搅动器。或者，该搅动器可以与该第二容器耦接或接触该第二容器的外部。
在另一实施例中，本发明为一种清洗掩模的方法。该方法包括放置掩模于一清洗溶液中。该方法亦包括以预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
在另一替代实施例中，本发明为一种清洗掩模的设备。该设备包括清洗掩模的第一装置。该设备包括支撑掩模的第二装置。该设备也包括搅动该第一装置及该第二装置的第三装置。该设备还包括容纳该第一装置的第四装置。该设备亦包括环绕该第四装置的第五装置。此外，该设备包括支撑该第五装置及该第三装置的第六装置。
在另一替代实施例中，本发明为一种清洗掩模的方法。该方法包括将掩模置于一容器内。该方法亦包括将该容器置于清洗溶液内。该清洗溶液置于第一容器中。该第一容器置于第二容器中。该第二容器包括环绕该第一容器的水溶液。
在本发明的另一实施例中，本发明为一种清洗有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法。本发明包括放置该钼掩模于一清洗溶液中。该方法亦包括在一预定时间段后将钼掩模从该清洗溶液中移出。该方法还可以包括以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。前述多种金属包括铬，铜，金和铅/锡化合物。
图5为一种清洗系统的实施例。经过多次实验后，发现掩模110及类似掩模可以利用蚀刻溶液清洗，且辅助蚀刻可能相当有用。第一或内部容器310容纳蚀刻溶液320并以一盖子330覆盖。在内部容器310中放置有晶圆舟340(wafer boat)，且晶圆舟340可支撑例如掩模110的掩模。较佳而言，晶圆舟340可一次装载几个掩模，同时允许掩模表面与液体接触。
内部容器310置于一基座360上，该基座360置于外部或第二容器350的底部。容器350可容纳水溶液370，并以一盖子380覆盖。外部容器350置于搅动器390上，该搅动器390例如可能为一与振动机构连接的平板。因此，蚀刻或清洗溶液320可以搅动器390搅动，其振动并经由容器350，基座360及容器310传递。搅动器390依据振动频率或振动的输出功率调整。
图6为沿图5中线B-B所视的支撑掩模的晶圆支撑件实施例的示意图。该晶圆支撑件410可为，例如，图3中晶圆舟340的一部分。晶圆支撑件410包括突块420，闩部430及铰链部440。在一实施例中，晶圆支撑件410是由特氟纶(Teflon)制成。在一替代实施例中，晶圆支撑件410由高密度聚乙烯制成。前述两种实施例中，晶圆支撑件410可能有适合掩模插入的沟槽(如一V形沟槽)。该等沟槽可能沿晶圆支撑件410的一个或多个内表面，以使掩模包覆可匹配(snug fit)与牢固，防止其弯曲变形。
图7为图6晶圆支撑件实施例沿线C-C的示意图。如图所示，沟槽450为晶圆支撑件410的内表面的一部分。图8为晶圆支撑件实施例的透视图。晶圆支撑件410A(包括突块420A，闩部430A及铰链部440A)与第二晶圆支撑件410B(包括突块420B，闩部430B及铰链部440B)连接。晶圆支撑件410A及410B共同组成如晶圆舟340所示的一整个晶圆舟或晶圆舟的一部分。需要注意的是，晶圆支撑件410的确切形状在维持晶圆支撑件的原则及范围的情况下可以是多变的。
该清洗系统及晶圆支撑件可以多种方式使用。图9为清洗掩模的过程流程图。在方框510处，接收一需要清洗的掩模，例如来自一生产线的掩模。在方框520处，将清洗系统或设备的外部容器填入如去离子水等液体。在方框530处，将该清洗设备的内部容器填入清洗溶液，例如蚀刻溶液，并将该内部容器置于该外部容器内。在方框540处，将掩模置于一容器内，如掩模或晶圆支撑件。在方框550处，将该容器置于该内部容器内，藉以将掩模浸于蚀刻溶液中。在方框560处，覆盖该内部容器，藉以减少蚀刻溶液的挥发和分子逸散。
在方框570处，搅动清洗系统以将能量引入系统，同时潜在的增加蚀刻溶液的蚀刻速度。在一预定时间后，在方框580处，由内部容器移出该容器。在方框590处，以去离子水清洗该掩模。在方框595处，以氮气干燥该掩模。因此，可制得去除先前沉积材料的掩模。
应注意的是，搅动过程并不是必需的。图10为清洗掩模过程的另一替代实施例。在方框610处，接收一需要清洗的掩模，例如来自一生产线的掩模。在方框620处，将清洗系统或设备的外部容器填入如去离子水等液体。在方框630处，将该清洗设备的内部容器填入清洗溶液，例如蚀刻溶液。将该内部容器置于该外部容器内，或可能已经固定于该处。在方框640处，将掩模置于一容器内，如掩模或晶圆支撑件。在方框650处，将该容器置于该内部容器内，藉以将掩模浸于蚀刻溶液中。
在方框655处，覆盖该内部容器，藉以减少蚀刻溶液的挥发和分子逸散。在在一预定时间过后，于方框660处，开启或揭开该内部容器，以允许介入该掩模。在方框665处，将该容器从内部容器移出。在方框670，擦洗掩模，以去除任何已形成的膜层(如一保护膜或钝化膜层)。在方框675处，判定掩模是否被洗净，如果没有，过程返回方框650，并将该容器重新放回该内部容器。
若掩模已洗净，在方框680处，以去离子水清洗掩模。在方框690处，以氮气干燥掩模。因此，可得到去除先前沉积材料的掩模。值得注意的是不同的蚀刻溶液可能需要、或不需要擦洗或搅动，且取决于掩模上沉积的材料，可能有不同的适宜清洗次数。
实施例1
在一种实施例中，使用氢氯酸蚀刻溶液(HCI)。并测试重量浓度从约10％到约37％的各种氢氯酸。测试发现，浓度37％的氢氯酸经过搅动尤为有效。以37％的浓度蚀刻并以每加仑液体25W的搅动功率进行20分钟，可以相对最小的掩模损耗(在+/-0.1μm规格内)快速去除其上沉积的材料。掩模损耗以SEM(扫描电子显微镜)检测。
搅动器从约5W/加仑到约50W/加仑的不同功率设置都经过尝试。搅动功率可以使用更高水平，例如100W/加仑。同样的，从几分钟到40分钟或更长的蚀刻时间亦经尝试，从约室温(25℃)到约40℃左右的温度亦经测试。
实施例2
在另一替代实施例中，使用氢氯酸蚀刻溶液。重量浓度约37％的氢氯酸被发现最为有效。此实施例未进行搅动。已经发现铅/锡层倾向与氯化物结合形成一不可溶物质，使得掩模需要20分钟以上的时间(其中一例中为20小时)方能达干净的蚀刻。
实施例3
在另一实施例中，使用氢氯酸蚀刻溶液。并发现重量浓度37％的氢氯酸最有效。此实施例中并未进行搅拌。已发现铅/锡层倾向与氯化物结合形成不可溶物质，使得掩模需要被重复擦洗以获得干净的蚀刻。整个过程发现需要20分钟以上，但小于20小时。
实施例4
在另一实施例中，使用氢氯酸及乙酸蚀刻溶液。已发现在蚀刻溶液总酸中重量浓度99％的氢氯酸最为有效，不过亦有测试重量浓度低至90％(氢氯酸与乙酸为9∶1)的氢氯酸。此实施例中亦未进行搅动。并发现铅/锡层倾向与氯化物结合，使得掩模需要20分钟以上(其中一例中为20小时)方能达干净的蚀刻。
其它实施例
其它实施例中尝试了其他不同蚀刻溶液。包括硝酸(HNO3)，磷酸(H2PO4)，氢氟酸(HF)，氢氧化钠(NaOH)，硫酸(H2SO4)及过氧化氢(H2O2)。此外，使用电解(利用掩模和溶液中电极之间的电场)以与多种碱结合使用。这些酸和碱与特定金属结合会产生不同的效果，且某些显示出以不同的金属组合可能相当有用。对于各种酸并测试从约5％到约99.9％等不同重量浓度范围。所测试浓度的某些范围如下表所示：
  酸   浓度范围
  硝酸   7％-70％
  乙酸   13％-99.9％
  磷酸   40％-86％
  氢氧化钠   5-10％(电解)
  硫酸   30％-96％
  氢氟酸   5％-49％
  过氧化氢   5％-30％
每种酸都已发现有不同程度的效果。应注意的是搅动可以震动频率为函数的方式进行测量或设置，且25-40kHz间的频率已发现尤其有效。同样的，应注意的是晶圆舟可以具有多种形式，且具顶部设计的舟形(boat and top design)及蛤壳形(clamshell)特别具有效果。
由前文应理解的是，以上所述者仅为示例目的的本发明的较佳特定实施例，然亦可在不悖离本发明精神及范围下进行各种变型。某些范例中可参照其它不同实施例中的特征，但该等特征不应视为本发明精神及范围的限制。在本申请附图及说明中，所示的结构均可在本发明精神及范围下采用不同方式形成或组合。同样的，本发明方法亦以流程图方式说明，然该等方法亦可在发明精神及范围下以不同顺序进行或实施。因此，本发明不应受限于所附权利要求范围的内容。

Claims (115)

1.一种清洗有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法，包括：
将所述钼掩模置于包括氢氯酸的清洗溶液内；以及
在一预定时间段后将所述钼掩模从清洗溶液移出。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
将所述钼掩模置于一容器内；且其中
将钼掩模置于清洗溶液内的步骤包括将所述容器放置于清洗溶液中。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：
封闭所述容器。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液装于第一容器中；
所述第一容器置于第二容器中；以及
所述第二容器还装有水溶液并环绕所述第一容器。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
以一盖子覆盖所述第一容器。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括：
以氮气干燥所述掩模。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
以去离子水清洗所述掩模。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为重量浓度至少为百分之五的氢氯酸溶液。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为重量浓度至少为百分之十五的氢氯酸溶液。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为重量浓度至少为百分之二十五但不超过百分之五十的氢氯酸溶液。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为重量浓度约37％的氢氯酸溶液。
13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述预定时间段为至少五分钟但不超过三百分钟。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，
所述预定时间段为至少十分钟但不超过一百分钟。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，
所述预定时间段为至少十五分钟但不超过四十分钟。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，
所述预定时间段为至少二十五分钟但不超过三十分钟。
17.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述搅动水准根据搅动频率量化。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，
所述搅动频率介于18kHz到2MHz之间。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，
所述搅动频率介于20kHz到1MHz之间。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，
所述搅动频率介于20kHz到100kHz之间。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，
所述搅动频率介于25kHz到50kHz之间。
22.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述搅动水准是根据搅动功率量化。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率介于1W/gal到100W/gal之间。
24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率介于2W/gal到50W/gal之间。
25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率介于5W/gal到40W/gal之间。
26.根据权利要求25所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率介于10W/gal到30W/gal之间。
27.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率介于20W/gal到30W/gal之间。
28.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率约为25W/gal。
29.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述预定时间段为至少五小时但不超过四十八小时。
30.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述钼掩模有一组通孔。
31.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述多种金属包括铬，铜，金和铅/锡化合物。
32.一种清洗掩模的方法，包括：
将掩模置于一清洗溶液内；以及
以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
33.根据权利要求32所述的方法，还包括：
将所述掩模置于一容器内；且其中
将掩模置于清洗溶液内的步骤包括放置所述容器于清洗溶液中。
34.根据权利要求33所述的方法，还包括：
封闭所述容器。
35.根据权利要求34所述的方法，还包括：
接收所述掩模。
36.根据权利要求32所述的方法，其特征在于，
所述掩模为一钼掩模。
37.根据权利要求32所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为一氢氯酸溶液。
38.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液装于第一容器中；
所述第一容器置于第二容器内；以及
所述第二容器还装有水溶液环绕所述第一容器。
39.根据权利要求38所述的方法，还包括：
以一盖子覆盖所述第一容器。
40.根据权利要求37所述的方法，还包括：
以氮气干燥所述掩模。
41.根据权利要求40所述的方法，还包括：
以去离子水清洗所述掩模。
42.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为重量浓度至少百分之五的氢氯酸溶液。
43.根据权利要求42所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为重量浓度至少百分之十五的氢氯酸溶液。
44.根据权利要求43所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为重量浓度至少百分之二十五但不超过百分之五十的氢氯酸溶液。
45.根据权利要求44所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为重量浓度约37％的氢氯酸。
46.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，
所述预定时间段为至少五分钟但不超过三百分钟。
47.根据权利要求46所述的方法，其特征在于，
所述预定时间段为至少十分钟但不超过一百分钟。
48.根据权利要求47所述的方法，其特征在于，
所述预定时间段为至少十五分钟但不超过四十分钟。
49.根据权利要求48所述的方法，其特征在于，
所述预定时间段为至少二十五分钟但不超过三十分钟。
50.根据权利要求46所述的方法，其特征在于，
所述预定时间段为至少十分钟但不超过一百分钟。
51.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，
所述搅动水准根据搅动频率量化。
52.根据权利要求51所述的方法，其特征在于，
所述搅动频率介于18kHz到2MHz之间。
53.根据权利要求52所述的方法，其特征在于，
所述搅动频率介于20kHz到1MHz之间。
54.根据权利要求53所述的方法，其特征在于，
所述搅动频率介于20kHz到100kHz之间。
55.根据权利要求54所述的方法，其特征在于，
所述搅动频率介于25kHz到50kHz之间。
56.根据权利要求55所述的方法，其特征在于，
所述搅动频率介于25kHz到40kHz之间。
57.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述搅动水准根据搅动功率量化。
58.根据权利要求57所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率介于1W/gal到100W/gal之间。
59.根据权利要求58所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率介于2W/gal到50W/gal之间。
60.根据权利要求59所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率介于5W/gal到40W/gal之间。
61.根据权利要求60所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率介于10W/gal到30W/gal之间。
62.根据权利要求61所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率介于20W/gal到30W/gal之间。
63.根据权利要求57所述的方法，其特征在于，
所述搅动功率约为25W/gal。
64.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，
所述容器由特氟纶制成。
65.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，
所述容器由实质上不与氢氯酸发生化学反应的材料制成。
66.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，
所述容器由高密度聚乙烯制成。
67.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，
执行所述方法的环境的温度介于20℃到70℃之间。
68.根据权利要求67所述的方法，其特征在于，
执行所述方法的环境的温度介于20℃到50℃之间。
69.根据权利要求68所述的方法，其特征在于，
执行所述方法的环境的温度介于25℃到40℃之间。
70.根据权利要求68所述的方法，其特征在于，
执行所述方法的环境的温度约为25℃。
71.根据权利要求68所述的方法，其特征在于，
执行所述方法的环境的温度约为30℃。
72.根据权利要求68所述的方法，其特征在于，
执行所述方法的环境的温度约为40℃。
73.一种清洗掩模的方法，包括：
将所述掩模置于一容器内；
将所述容器放置于一清洗溶液中；且其中
所述清洗溶液装于第一容器中；
所述第一容器置于第二容器内；以及
所述第二容器还装有水溶液环绕所述第一容器。
74.根据权利要求73所述的方法，还包括：
封闭所述容器。
75.根据权利要求74所述的方法，还包括：
以一盖子覆盖所述第一容器。
76.根据权利要求75所述的方法，还包括：
以去离子水清洗所述掩模。
77.根据权利要求76所述的方法，还包括：
以氮气干燥所述掩模。
78.根据权利要求77所述的方法，还包括：
接收所述掩模。
79.根据权利要求73所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为氢氯酸溶液。
80.根据权利要求79所述的方法，其特征在于，
所述掩模为钼掩模。
81.根据权利要求75所述的方法，还包括：
搅动所述清洗溶液。
82.一种清洗掩模的设备，包括：
第一容器，具有一开放顶部；
第二容器，具有一开放顶部，且所述第二容器容纳所述第一容器；及搅动器，置于所述第二容器内。
83.根据权利要求82所述的设备，还包括：
装于所述第二容器内的水溶液；及
装于所述第一容器内的清洗溶液。
84.根据权利要求83所述的设备，还包括：
盖子，可盖住所述第一容器的的开放顶部。
85.根据权利要求83所述的设备，还包括：
一容器，具有相当惰性，其尺寸适合支撑多个掩模且适合安设于所述第一容器内。
86.根据权利要求85所述的设备，其特征在于，
所述容器为蛤壳形。
87.根据权利要求85所述的设备，其特征在于，
所述容器包括具有开放顶部的容器及一尺寸适于覆盖所述容器的开放顶部的容器盖子。
88.根据权利要求83所述的设备，其特征在于，
所述清洗溶液为酸类溶液。
89.根据权利要求88所述的设备，其特征在于，
所述清洗溶液为氢氯酸。
90.根据权利要求83所述的设备，其特征在于，
所述清洗溶液为碱类溶液。
91.根据权利要求90所述的设备，其特征在于，
所述清洗溶液为氢氧化钠。
92.一种清洗掩模的设备，包括：
第一装置，用于清洗掩模；
第二装置，用以支撑掩模；
第三装置，用于搅动所述第一装置及第二装置；
第四装置，用于容纳所述第一装置；
第五装置，用于环绕所述第四装置；以及
第六装置，用于支撑所述第五装置及第三装置。
93.一种清洗有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法，包括：
将所述钼掩模放置于一清洗溶液中；以及
在一预定时间段后将所述钼掩模从清洗溶液中移出。
94.根据权利要求93所述的方法，还包括：
以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
95.根据权利要求94所述的方法，还包括：
将所述钼掩模置于一容器内；且其中
将钼掩模置于清洗溶液内的步骤包括将所述容器放置于所述清洗溶液中。
96.根据权利要求95所述的方法，还包括：
封闭所述容器。
97.根据权利要求96所述的方法，还包括：
接收所述掩模。
98.根据权利要求93所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为氢氯酸溶液。
99.根据权利要求98所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液装于第一容器中；
所述第一容器置于第二容器内；且
所述第二容器还装有水溶液环绕所述第一容器。
100.根据权利要求99所述的方法，还包括：
以一盖子覆盖所述第一容器。
101.根据权利要求100所述的方法，还包括：
以氮气干燥所述掩模。
102.根据权利要求101所述的方法，还包括：
以去离子水清洗所述掩模。
103.根据权利要求98所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为重量浓度至少百分之五的氢氯酸溶液。
104.根据权利要求93所述的方法，其特征在于，
所述多种金属包括铬，铜，金和铅/锡化合物。
105.一种清洗钼掩模的方法，其中所述钼掩模上沉积有包括铬，铜，金和铅/锡化合物的多种金属，所述方法包括：
将所述钼掩模置于一清洗溶液内；以及
在一预定时间段后将所述钼掩模从所述清洗溶液移出。
106.根据权利要求105所述的方法，还包括：
以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
107.根据权利要求106所述的方法，还包括：
将所述钼掩模置于一容器内；且其中
将钼掩模置于清洗溶液内的步骤包括将所述容器放置于清洗溶液中。
108.根据权利要求107所述的方法，还包括：
接收所述容器。
109.根据权利要求105所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为氢氯酸溶液。
110.根据权利要求109所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液装于第一容器中；
所述第一容器置于第二容器内；以及
所述第二容器还装有水溶液环绕所述第一容器。
111.根据权利要求110所述的方法，还包括：
以一盖子覆盖所述第一容器。
112.根据权利要求111所述的方法，还包括：
以氮气干燥所述掩模。
113.根据权利要求112所述的方法，还包括：
以去离子水清洗所述掩模。
114.根据权利要求105所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为重量浓度至少百分之五的氢氯酸溶液。
115.根据权利要求113所述的方法，其特征在于，
所述清洗溶液为重量浓度至少百分之五的氢氯酸溶液。
CN200480027634.0A 2003-07-24 2004-07-22 清洗掩模 Expired - Lifetime CN1882397B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/627,416 US7091132B2 (en) 2003-07-24 2003-07-24 Ultrasonic assisted etch using corrosive liquids
US10/627,416 2003-07-24
US10/696,492 US20050016565A1 (en) 2003-07-24 2003-10-28 Cleaning masks
US10/696,492 2003-10-28
PCT/US2004/023596 WO2005010947A2 (en) 2003-07-24 2004-07-22 Cleaning masks

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1882397A true CN1882397A (zh) 2006-12-20
CN1882397B CN1882397B (zh) 2014-06-04

Family

ID=34080634

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200480027634.0A Expired - Lifetime CN1882397B (zh) 2003-07-24 2004-07-22 清洗掩模
CNB200480027643XA Expired - Lifetime CN100449699C (zh) 2003-07-24 2004-07-23 一种用于化学蚀刻工件的超声蚀刻装置及方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200480027643XA Expired - Lifetime CN100449699C (zh) 2003-07-24 2004-07-23 一种用于化学蚀刻工件的超声蚀刻装置及方法

Country Status (7)

Country Link
US (3) US7091132B2 (zh)
JP (2) JP4603542B2 (zh)
KR (1) KR101120707B1 (zh)
CN (2) CN1882397B (zh)
SG (2) SG145689A1 (zh)
TW (1) TWI244693B (zh)
WO (1) WO2005010950A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110369383A (zh) * 2019-07-17 2019-10-25 海安光易通信设备有限公司 一种防尘帽清洗方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050161061A1 (en) * 2003-09-17 2005-07-28 Hong Shih Methods for cleaning a set of structures comprising yttrium oxide in a plasma processing system
US7581511B2 (en) * 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7754609B1 (en) 2003-10-28 2010-07-13 Applied Materials, Inc. Cleaning processes for silicon carbide materials
US20070275479A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Dileep Chintaman Joshi Method and materials for measuring the leachability of metals
JP5156752B2 (ja) * 2006-11-01 2013-03-06 クアンタム グローバル テクノロジーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー チャンバーコンポーネントを洗浄する方法及び装置
EP2135974B1 (en) * 2007-03-13 2014-05-07 Tohoku University Method of surface treatment for metallic glass part, and metallic glass part with its surface treated by the method
FR2932497B1 (fr) * 2008-06-12 2011-03-11 C & K Components Sas Procede de depot selectif d'un metal precieux sur un support par ablation ultrasonore d'un element de masquage et son dispositif
JP5796936B2 (ja) * 2010-06-01 2015-10-21 キヤノン株式会社 多孔質ガラスの製造方法
JP5941915B2 (ja) * 2010-09-01 2016-06-29 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 酸性水溶液及びエッチング液並びに単結晶及び多結晶シリコン基板の表面をしぼ加工する方法
JP6326379B2 (ja) 2012-03-08 2018-05-16 ディー−ウェイブ システムズ，インコーポレイテッド 超伝導集積回路の製作のためのシステムおよび方法
CN102842526B (zh) * 2012-07-31 2015-03-04 耿彪 高温蚀刻工艺槽
US9517873B1 (en) 2012-09-28 2016-12-13 Air Liquide Electronics U.S. Lp Clean storage packaging article and method for making and using
WO2014158320A1 (en) * 2013-03-14 2014-10-02 Applied Materials, Inc. Wet cleaning of chamber component
CN103449731B (zh) * 2013-09-06 2016-06-22 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种提升熔石英光学元件损伤阈值的方法
JP6028754B2 (ja) 2014-03-11 2016-11-16 トヨタ自動車株式会社 ＳｉＣ単結晶基板の製造方法
EP3174642A1 (en) * 2014-07-30 2017-06-07 Corning Incorporated Ultrasonic tank and methods for uniform glass substrate etching
EP3577700B1 (en) 2017-02-01 2022-03-30 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits
CN107342219A (zh) * 2017-06-29 2017-11-10 中国电子科技集团公司第十研究所 一种p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法
CN107671059B (zh) * 2017-10-24 2023-09-26 浙江绿维环境股份有限公司 一种酸雾收集装置
CN109950175A (zh) * 2017-12-21 2019-06-28 有研半导体材料有限公司 一种用于硅环腐蚀的装置及方法
CN108354678A (zh) * 2017-12-28 2018-08-03 南京康翱峰自动化科技有限公司 手术剪的清洗装置
CN108160598A (zh) * 2017-12-28 2018-06-15 南京康翱峰自动化科技有限公司 医疗器械清洗烘干装置
KR102181378B1 (ko) * 2018-10-11 2020-11-20 한양대학교 산학협력단 다공성 규소-저마늄 전극 소재의 제조방법 및 이를 이용한 이차전지
US20200152851A1 (en) 2018-11-13 2020-05-14 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for fabricating superconducting integrated circuits
CN111261542A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 有研半导体材料有限公司 一种碱腐蚀去除晶圆表面损伤的装置与方法
US12102017B2 (en) 2019-02-15 2024-09-24 D-Wave Systems Inc. Kinetic inductance for couplers and compact qubits
CN111689458A (zh) * 2019-03-13 2020-09-22 北京大学 一种高深宽高对称性高表面光滑度硅微半球曲面的制备系统及其工艺方法
CN111438133A (zh) * 2020-04-30 2020-07-24 深圳市路维光电股份有限公司 铬版清洗治具及清洗方法
WO2022205480A1 (zh) * 2021-04-02 2022-10-06 眉山博雅新材料有限公司 一种组合晶体制备方法和系统
CN111719154A (zh) * 2020-06-08 2020-09-29 江苏双环齿轮有限公司 一种齿轮磨削后表面回火的浸蚀检验装置
CN111863582B (zh) * 2020-07-24 2022-04-22 北方夜视技术股份有限公司 超声悬浮旋转式微通道板腐蚀方法

Family Cites Families (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3992454A (en) * 1971-04-26 1976-11-16 Joseph W. Aidlin Protective coating for articles
US3764379A (en) * 1971-04-26 1973-10-09 Cogar Corp Diminishing mask wearout during terminal formation
US4101386A (en) * 1971-05-07 1978-07-18 Siemens Aktiengesellschaft Methods of coating and surface finishing articles made of metals and their alloys
US3969195A (en) * 1971-05-07 1976-07-13 Siemens Aktiengesellschaft Methods of coating and surface finishing articles made of metals and their alloys
US3775202A (en) * 1972-03-13 1973-11-27 Dea Prod Inc Etching control system
JPS49115663A (zh) * 1973-03-07 1974-11-05
JPS5144912B2 (zh) 1973-12-09 1976-12-01
US4078963A (en) * 1973-12-10 1978-03-14 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device, having a pattern of conductors on a supporting body
US4232060A (en) * 1979-01-22 1980-11-04 Richardson Chemical Company Method of preparing substrate surface for electroless plating and products produced thereby
US3986653A (en) * 1974-09-03 1976-10-19 Tribotech Method for coating bonding tools and product
JPS5150833A (ja) * 1974-10-30 1976-05-04 Hitachi Ltd Choonpashindoetsuchingusochi
US4530120A (en) * 1975-06-30 1985-07-23 Kenji Etani Methods and apparatus for bathing
US4519914A (en) * 1975-06-30 1985-05-28 Kenji Etani Method for treating swimming pool water
US4139348A (en) * 1975-11-28 1979-02-13 Massachusetts Institute Of Technology Electrochemical process and apparatus to control the chemical state of a material
US4023936A (en) * 1976-06-14 1977-05-17 Lukens Steel Company Titanium clad steel and process for making
DE2656015A1 (de) * 1976-12-10 1978-06-15 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen
JPS54115645A (en) * 1978-02-28 1979-09-08 Ngk Insulators Ltd Electrochemical treatment
US4272612A (en) * 1979-05-09 1981-06-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Erosion lithography to abrade a pattern onto a substrate
US4327134A (en) * 1979-11-29 1982-04-27 Alloy Surfaces Company, Inc. Stripping of diffusion treated metals
US4367119A (en) * 1980-08-18 1983-01-04 International Business Machines Corporation Planar multi-level metal process with built-in etch stop
US4447824A (en) * 1980-08-18 1984-05-08 International Business Machines Corporation Planar multi-level metal process with built-in etch stop
US4459155A (en) * 1981-01-10 1984-07-10 The British Petroleum Company Limited Method of producing corrosion inhibitors
CA1200624A (en) * 1981-08-10 1986-02-11 Susumu Muramoto Method for the manufacture of semiconductor device using refractory metal in a lift-off step
US4579569A (en) * 1982-10-14 1986-04-01 Fume-Klean Apparatus for neutralizing and removing fumes
US4638553A (en) * 1982-12-08 1987-01-27 International Rectifier Corporation Method of manufacture of semiconductor device
US4449800A (en) * 1983-01-26 1984-05-22 Buhl Industries, Inc. Portable overhead projector
US4699082A (en) * 1983-02-25 1987-10-13 Liburdi Engineering Limited Apparatus for chemical vapor deposition
JPS636729U (zh) * 1986-06-30 1988-01-18
US4863561A (en) * 1986-12-09 1989-09-05 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for cleaning integrated circuit wafers
JPS63182656A (ja) * 1987-01-26 1988-07-27 Hitachi Ltd 洗浄装置
US4971590A (en) * 1987-12-02 1990-11-20 Zenith Electronics Corporation Process for improving the emissivity of a non-based tension shadow mask
JPH0296334A (ja) * 1988-10-01 1990-04-09 Nisso Eng Kk 高温エッチング液の循環方法
US4957583A (en) * 1989-04-28 1990-09-18 Analog Devices, Inc. Apparatus for etching patterned substrates
JPH0317288A (ja) * 1989-06-13 1991-01-25 Daicel Chem Ind Ltd スタンパー用電解洗浄液
JP2984007B2 (ja) * 1989-10-09 1999-11-29 エス・イー・エス株式会社 洗浄処理装置
JP2550248B2 (ja) * 1991-10-14 1996-11-06 株式会社東芝 半導体集積回路装置およびその製造方法
US5152878A (en) * 1991-12-31 1992-10-06 International Business Machines Corporation Method for electrochemical cleaning of metal residue on molybdenum masks
JPH05243204A (ja) * 1992-02-26 1993-09-21 Nec Corp 半導体ウェハの浸液処理装置
US5221421A (en) * 1992-03-25 1993-06-22 Hewlett-Packard Company Controlled etching process for forming fine-geometry circuit lines on a substrate
JPH06224177A (ja) * 1993-01-22 1994-08-12 Nec Kansai Ltd 半導体製造装置
US5593339A (en) * 1993-08-12 1997-01-14 Church & Dwight Co., Inc. Slurry cleaning process
US5840402A (en) * 1994-06-24 1998-11-24 Sheldahl, Inc. Metallized laminate material having ordered distribution of conductive through holes
US5516399A (en) * 1994-06-30 1996-05-14 International Business Machines Corporation Contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching
US5516730A (en) * 1994-08-26 1996-05-14 Memc Electronic Materials, Inc. Pre-thermal treatment cleaning process of wafers
US5665473A (en) * 1994-09-16 1997-09-09 Tokuyama Corporation Package for mounting a semiconductor device
US5614027A (en) * 1994-09-23 1997-03-25 Church & Dwight Co., Inc. Metal cleaner with novel anti-corrosion system
US5853492A (en) * 1996-02-28 1998-12-29 Micron Display Technology, Inc. Wet chemical emitter tip treatment
US6012966A (en) * 1996-05-10 2000-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Precision polishing apparatus with detecting means
US5891354A (en) * 1996-07-26 1999-04-06 Fujitsu Limited Methods of etching through wafers and substrates with a composite etch stop layer
US5766979A (en) * 1996-11-08 1998-06-16 W. L. Gore & Associates, Inc. Wafer level contact sheet and method of assembly
US5966593A (en) * 1996-11-08 1999-10-12 W. L. Gore & Associates, Inc. Method of forming a wafer level contact sheet having a permanent z-axis material
US5744214A (en) * 1997-01-30 1998-04-28 International Business Machines Corporation Corrosion resistant molybdenum mask
US6391067B2 (en) * 1997-02-04 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus
WO1998035765A1 (en) * 1997-02-18 1998-08-20 Scp Global Technologies Multiple stage wet processing chamber
JP3831877B2 (ja) * 1997-02-21 2006-10-11 株式会社丸和製作所 半導体基体の製造方法
US6767840B1 (en) * 1997-02-21 2004-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method
US5888308A (en) * 1997-02-28 1999-03-30 International Business Machines Corporation Process for removing residue from screening masks with alkaline solution
US5929521A (en) * 1997-03-26 1999-07-27 Micron Technology, Inc. Projected contact structure for bumped semiconductor device and resulting articles and assemblies
US5789363A (en) * 1997-05-06 1998-08-04 Church & Dwight Co., Inc. Aqueous alkaline cleaning composition containing surfactant mixture of N-octyl-2-pyrrolidone and N-coco-beta-aminocarboxylic (C2 -C4) acid for cleaning substrates and method of using same
US6187216B1 (en) * 1997-08-27 2001-02-13 Motorola, Inc. Method for etching a dielectric layer over a semiconductor substrate
JPH11290805A (ja) 1998-04-15 1999-10-26 Tietech Co Ltd メタルマスク洗浄装置
US6145096A (en) * 1998-05-06 2000-11-07 Motive Communications, Inc. Method, system and computer program product for iterative distributed problem solving
JP2000064070A (ja) * 1998-08-25 2000-02-29 Sumitomo Metal Ind Ltd 金属の酸洗液および酸洗方法
US6185606B1 (en) * 1998-11-09 2001-02-06 Motive Communications, Inc. Adaptive messaging method, system and computer program product
JP2000150495A (ja) * 1998-11-10 2000-05-30 Canon Inc 多孔質体のエッチング方法及び装置
US6477531B1 (en) * 1998-12-18 2002-11-05 Motive Communications, Inc. Technical support chain automation with guided self-help capability using active content
US6615240B1 (en) * 1998-12-18 2003-09-02 Motive Communications, Inc. Technical support chain automation with guided self-help capability and option to escalate to live help
US6353885B1 (en) * 1999-01-26 2002-03-05 Dell Usa, L.P. System and method for providing bios-level user configuration of a computer system
JP2000322283A (ja) * 1999-05-06 2000-11-24 Fujitsu Ltd 電子計算機の障害検出方法
US6542898B1 (en) * 1999-05-12 2003-04-01 Motive Communications, Inc. Technical support chain automation with guided self-help capability using active content developed for specific audiences
US6368410B1 (en) * 1999-06-28 2002-04-09 General Electric Company Semiconductor processing article
US6606716B1 (en) * 1999-10-06 2003-08-12 Dell Usa, L.P. Method and system for automated technical support for computers
US6560726B1 (en) * 1999-08-19 2003-05-06 Dell Usa, L.P. Method and system for automated technical support for computers
US6564220B1 (en) * 1999-10-06 2003-05-13 Dell Usa, L.P. System and method for monitoring support activity
US6539499B1 (en) * 1999-10-06 2003-03-25 Dell Usa, L.P. Graphical interface, method, and system for the provision of diagnostic and support services in a computer system
US6574615B1 (en) * 1999-10-06 2003-06-03 Dell Usa, L.P. System and method for monitoring support activity
CA2327878C (en) * 1999-12-17 2005-02-15 Alcan International Limited Recycling of spent pot linings
TW572980B (en) * 2000-01-12 2004-01-21 Jsr Corp Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing process
KR100733201B1 (ko) * 2000-02-07 2007-06-27 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 제조장치용 석영 부재, 반도체 제조장치용 석영 부재의 제조방법, 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법
JP2001274131A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Toshiba Corp バッチ式処理装置およびバッチ式処理方法
US6506254B1 (en) * 2000-06-30 2003-01-14 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
US6569252B1 (en) * 2000-06-30 2003-05-27 International Business Machines Corporation Semi-aqueous solvent cleaning of paste processing residue from substrates
JP2002134459A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Sony Corp 洗浄装置およびその管理方法
JP2002192089A (ja) * 2000-12-25 2002-07-10 Nomura Micro Sci Co Ltd 洗浄方法
JP2002307312A (ja) * 2001-04-11 2002-10-23 Olympus Optical Co Ltd 研磨加工装置、研磨加工方法、研磨加工をコンピュータに実行させる制御プログラムおよび記録媒体
EP1310466A3 (en) * 2001-11-13 2003-10-22 Tosoh Corporation Quartz glass parts, ceramic parts and process of producing those
KR100514167B1 (ko) * 2002-06-24 2005-09-09 삼성전자주식회사 세정액 및 이를 사용한 세라믹 부품의 세정 방법
US20040000327A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-01 Fabio Somboli Apparatus and method for washing quartz parts, particularly for process equipment used in semiconductor industries
US6701826B2 (en) * 2002-06-28 2004-03-09 Eupa International Corporation Electric coffee maker for selectively brewing Espresso coffee and Americano coffee
US7250114B2 (en) * 2003-05-30 2007-07-31 Lam Research Corporation Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110369383A (zh) * 2019-07-17 2019-10-25 海安光易通信设备有限公司 一种防尘帽清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005010950A3 (en) 2005-07-07
CN1882397B (zh) 2014-06-04
JP5475599B2 (ja) 2014-04-16
CN1883034A (zh) 2006-12-20
US20060243390A1 (en) 2006-11-02
SG145689A1 (en) 2008-09-29
SG163440A1 (en) 2010-08-30
TW200520086A (en) 2005-06-16
WO2005010950A2 (en) 2005-02-03
JP2011017085A (ja) 2011-01-27
US7091132B2 (en) 2006-08-15
JP4603542B2 (ja) 2010-12-22
KR20060093323A (ko) 2006-08-24
KR101120707B1 (ko) 2012-03-23
JP2007500431A (ja) 2007-01-11
US20050016959A1 (en) 2005-01-27
US7377991B2 (en) 2008-05-27
CN100449699C (zh) 2009-01-07
US20050016565A1 (en) 2005-01-27
TWI244693B (en) 2005-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1882397A (zh) 清洗掩模
US6897152B2 (en) Copper bath composition for electroless and/or electrolytic filling of vias and trenches for integrated circuit fabrication
JP2008045179A (ja) めっき装置及びめっき方法
CN1444259A (zh) 半导体器件的制造方法
KR101820976B1 (ko) 플라즈마 챔버에서 사용되는 상부 전극으로부터 표면 금속 오염을 세정하는방법
CN1750250A (zh) 成膜方法、电子器件及电子仪器
JP4365143B2 (ja) めっき用処理液の撹拌方法及びめっき用処理装置
JP5035796B2 (ja) プラズマエッチング電極板の洗浄方法
JP2008106354A (ja) 金属除去液及びこれを用いた金属除去方法
US6066609A (en) Aqueous solution for cleaning a semiconductor substrate
CN113289959A (zh) 一种半导体etch设备静电吸盘部品陶瓷表面洗净方法
CN114496710A (zh) 一种半导体设备陶瓷窗氧化钇涂层清洗方法
CN1645570A (zh) 移除晶片上颗粒与金属颗粒的方法
CN1263094C (zh) 半导体器件的制造方法
CN1131888C (zh) 用于半导体衬底的清洗水溶液
WO2005010947A2 (en) Cleaning masks
JP3741682B2 (ja) メッキ方法、メッキ装置及び電子デバイスの製造方法
CN1577764A (zh) 半导体晶片的湿化学表面处理方法
CN1296973C (zh) 在制造半导体器件过程中清洗半导体晶片的镶嵌结构的方法
US4960493A (en) Plating on metallic substrates
CN1250772C (zh) 电镀预处理溶液和电镀预处理方法
CN1862786A (zh) 蚀刻残渣除去方法以及使用它的半导体器件的制造方法
KR101179118B1 (ko) 질화알루미늄-ｈ질화붕소 복합체를 기판으로 하는 열판 및 그 제조방법
JPH0878375A (ja) 炭化珪素製治具の洗浄方法
CN102513313B (zh) 具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: APPLIED MATERIALS INC.

Free format text: FORMER OWNER: CHEMTRACE PREC CLEANING INC.

Effective date: 20100726

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20100726

Address after: California, USA

Applicant after: APPLIED MATERIALS, Inc.

Address before: California, USA

Applicant before: Die Precision Cleaning Instrument Co.,Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: QUANTUM GLOBAL TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: APPLIED MATERIALS INC.

Effective date: 20120401

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20120401

Address after: American Pennsylvania

Applicant after: Quantum Global Technology Co.,Ltd.

Address before: California, USA

Applicant before: APPLIED MATERIALS, Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140604

CX01 Expiry of patent term