TWI291198B - Electropolishing method for removing particles from wafer surface - Google Patents

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TWI291198B TW093134626A TW93134626A TWI291198B TW I291198 B TWI291198 B TW I291198B TW 093134626 A TW093134626 A TW 093134626A TW 93134626 A TW93134626 A TW 93134626A TW I291198 B TWI291198 B TW I291198B
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Description

1291198 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於-種於半導體晶圓基底上製造積體電路的過程中將基 絲面之讀物移義妓，且本發嗎制有·—崎穎的電抛 光法(dectropolishing method)，其可適用於在電鍍 渠(trench)與孔洞(via)内連線(interco_t)前，將晶圓之溝槽與孔洞開口 ^ 晶層(seed layer)上的金屬顆粒以及缺陷移除。 【先前技術】 在半導體元件的製造過程中，為數眾多的製程步驟，如有數百道步驟 之多，其均必須於㈣圓上執行以完成晶圓上之積體電路。大體而言，於 石夕晶圓基底上製造積體電路的製程—般鱗涉則氧化法㈣細㈣或任 何種種的化學氣恤積(ehemieal vapw dep—)製程於晶圓上沉積一薄介 電層或導電義、由微影㈣祕嗯咖)製程於光時料層上形成電路圖 案、將光阻罩幕層(mask layer)對應於晶圓上的電路圖案放置、姓刻晶圓上 之導電層的電路圖案、以及去除晶圓上的光阻罩幕層。
於晶圓上沉積導電與絕緣薄膜前，晶圓通常先遭受研磨操作以提供晶 囫-非常平坦之起始表面，而在接下來基底材猶射，多種處理步驟係 用於形成例如導電層以及介，而其他層糊形成於其上以製造積體電 路。由於構造逐漸更加微小，相_複製製程㈣㈣如ρΓ〇㈣係變得對 基^表面的變化更加敏感，因此，如今再平坦㈣晶圓的表面係已成為 必要’即便是在賴電路敝練綺進巾。再平坦輯作储如平坦化， 且一般係利用化學機械研磨法(chemical 卩⑽她η T
0503-A30400TWF 5
I i 1291198 圓表面產±、结合機械與化學的作用力，而此製程將於晶圓上產生高度平 坦之表面。為去除化學機械研磨製程後可能殘留於晶圓之研聚中濕潤的餘 留物與微小的表面缺陷，其必須使用一後化學機械研磨的清洗步驟，否則 晶圓表面平坦會被破壞。 化子機械研磨製程後所執行的清洗步驟之一即藉由刷洗機㈣祕沉 cleaner)内所啟動之旋轉洗滌刷(_心scrubb过而有所幫助。因 此’種特殊的清洗雜以及多對洗滌刷雜轉鶴可藉由施予晶圓上一 接觸式的壓力而用以清潔晶圓之兩面。由於晶圓經每一道後續之平坦化的 操作後將相對地變得更有價值，因此後化學機械研磨刷洗在商業上為一重 要的操作。
Dai ΜΡΡ〇η Screen (DNS)刷洗機為化學機械研磨操作後常用以移除晶 圓基底殘餘物之-種常見的後化學機械研磨刷洗機。刪刷洗機係利用結 合冲洗、超音波清洗(megas〇nic rinsing)、以及刷洗等步驟用以清洗晶圓。 將先前已遭化學機械平坦化的晶圓基底絲至—紐的環境巾，其通常為 水，之後再移至-連串的清洗槽中進行刷洗循環。刷洗循環係包括在高速 下旋轉晶圓，一般約為每分鐘1500轉，此時-去離子水射流係噴灑於晶圓 上以趨離任何自化學機械研磨製程中所產生之鬆散的殘屑，並同時利用綿 刷(foam brush)加以刷洗晶圓。 DNS刷洗方法除了在化學機械研磨製程後用以清洗晶圓，並可於金屬 種晶層沉積於一般雙鑲嵌製程後用以移除溝槽以及孔洞中的金屬顆粒。習 知雙職結構1G係顯示於第丨射，並包含—形成於基底12巾的金屬線 14，於基底12上沉積一下部絕緣層16，而該下部絕緣層16上則沉積一上 部絕緣層18 ;蝕刻下部絕緣層16以形成一孔洞開口20，並且蝕刻該上部 絕緣層18以形成一溝槽開口 22，且位於孔洞開口 2〇之上。
將一金屬阻障層(barrier iayer)24沉積於溝槽開口 22之側壁以及孔洞開 口 20之側壁與底部，再將一金屬種晶層26，其一般為銅，沉積於該阻障層 0503-A30400TWF 6 1291198 “ 最後利用化學氣相沉積法(chemical vapor deposition ; CVD)或金 屬電鍍技術沉積鋼金屬(未示)於孔洞開口 2〇以及溝槽開口 22中，且位於種 晶層26之上。 、在雙鑲絲程中，顆粒28有時會自環境或種晶層26巾落下，而掉至 孔洞開口 2〇以及/或溝槽開口 η之底部。該些顆粒π對於孔洞開口㈤以 及溝槽開口 22中金屬内連線(inter_邮的片電阻⑽)與接觸電阻㈣效能 有不良之影響，因此經常在形賴口之種晶層後，以及電鍍金屬内連線於 孔洞開口與溝槽開口前，使用腿刷洗方法用以移除孔洞開口以及/或溝槽 開口的顆粒污染物。 上3C用以錄雙鑲嵌結射孔觸口之顆粒污染物的刷洗方法限制之 力即該方法對於移除寬度小於約〇2_之孔洞或溝槽開口的顆粒乃效用 金树賴程钱咖口中，累 device) ^ ^ ^ ^ ^ (functional 峨要—種新穎的方法，其可用於移除形成於基底 開口以及溝槽‘的顆粒，且特別職度小糊的孔洞 【發明内容】 目的乃提供一新穎的方法，其可適用於清洗基底。 口以及/機開口目的r:，的方法，其適用於移除基底上孔洞開 、，本u之又另-目的為提供一種新穎的電抛光清洗方 亡 半導體基板上1C元件片電阻與接觸電阻之效能的潛質。/W 本發明又更另-目的乃提供—種麵 能殘留於種晶層上的污染元件顆粒。 雄或移除可
0503-A30400TWF 7 1291198 本發明之進一步目的則為提供一種新穎的電拋光清洗方法，其可麻用 於清洗晶圓上不同尺寸之孔洞以及/或溝槽開口。 〜 本發明之又另一目的則提供一種新穎的電拋光清洗方法，其係利用旋 轉機械力(rotational mechanical force)與一連串之電脈衝(electrieal pulse)戋連 續的電脈衝結合以移除位於孔取及/或溝槽開口帽晶層的缺陷，並溶解 或移除殘留於種晶層上之可能污染元件的顆粒。 為達上述與其他目的，本發明大體而言係為一種新穎且具改善的電撤 光清洗法，其可用於移除晶圓上可能污染元件的齡。本方法特別適於在 開口中形成種晶層後，以及電鐘開口之内連線前，用以移除晶圓上介電層 中孔洞以及/或溝· 口的金屬顆粒。本發明包括將晶圓浸潤於—電抱光^ 解液中，並藉由在該洛液中旋轉晶圓以移除種晶層的缺陷與顆粒，且同時 施予一脈衝或連續電流以藉著電解作用(decir〇lysis)移除種晶層上的金屬。 本方法對於移除所有尺寸之孔洞開π以及/或溝槽開口的顆粒至為有效，且 包含具有寬度小於約〇·2μηι之開口。 於電解液中，-較佳具有約10心咖2脈衝電流密度晴她 density)的脈衝電係反覆變換晶圓與金屬電極間的極性而施於晶圓。因 此’晶圓與金屬電極在交替的脈衝相巾輪流成為陰極與陽極，而此將導致 重複且父替地將電解液中的金屬電舰種晶層上，以及將種晶層上的金屬 電解钱刻至電驗巾，而總體結果則導致_薄金屬層、以及顆粒與缺 陷自種晶層上移除。 使用一脈衝電流於晶圓上，當晶圓為陰極相時(晶圓具有負電荷），電解 液中的金屬陽離子(cation)將減少，且電鍍至種晶層上；❿當晶圓為陽極相 日守(晶圓具有正電荷），金屬職由電解_而侧該種晶層。結合藉由在電 解液中旋轉晶圓祕於種晶層之雜力，魏與電解作賴造成的總體效 應將造成種晶層之金屬總體損失的結果，一般而言約為小於2〇〇埃之等級。 因此，在種晶層沉碰_留於孔、取及/或溝觸π之可能污染元件的金
0503-A30400TWF 8 1291198 屬顆粒將移除自上述開口中，並且自電解液中溶解或移除。 當連績電流應用於晶圓中，其晶圓為陽極，而電極為陰極。因此，種 曰曰層之金屬可猎由電解作用蝕刻，而此電解作用結合在電 解液中旋轉晶_施於種晶層之摩擦力，其將導致種晶層金屬之總體損失 (叙係小於約200埃）。因此，在種晶層沉積後所殘留於孔洞以及/或溝槽 開之了此/亏染元件的金屬顆粒將移除自上述開口中，並且自電解液中溶 解或移除。 電拋光電解液一般為酸性的硫酸銅(c〇pper sulfate)/硫酸㈣免如㈣)之 電解液’其pH值一般約為2·ι。一界面活性劑(surfactant)可以濃度約14卯^ ^在於電解液中，而該界面活性劑係較佳為聚乙二 水乙一醇衍生物(denvatlve)、聚丙二醇_邓哪yi⑽加〇丨)、或聚丙二醇衍 生物，且具有分子量約介於細〜5〇，_之間。界面活性劑可用於調整孔洞 開’、溝槽開口之種晶層金屬移除率的比例，以達到自孔洞以及域溝槽開 口移除污染物顆粒之目的。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特 舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下： 【實施方式】 &本^明係特別適用於移除雙鑲喪結構之孔洞開口以及/或溝槽開口之可 Μ染树的金屬顆粒，例如在沉積孔测口與溝槽開口之種晶層後。然 而，雖然此處所舉範例之參考係有關於孔洞開口以及溝槽開口顆粒之移 除、’但本發明並非受限於此應用，且同樣適用於在半導體元件製造過程中 用以移除晶圓在其鋪段或結構時之可能污染元件的金屬顆粒。 九—本^縣思忖-種新綱電拋光方法，其可有效於移除晶圓上可能污 —牛的顆*且特別疋金屬顆粒。本方法特別適於在孔洞以及溝槽開口 之側壁與底部沉積金屬種晶層後，以及在孔洞中電錄金屬内連線前，用以
0503-A30400TWF
• I i 1291198 移除孔洞開口以及/或溝槽開口上的金屬顆粒。該大抵缺乏電導通 (electriCally_conductive)之金屬顆粒的金屬内連線係可增強晶圓上所建造之 1C元件的片電阻以及接觸電阻效能。 依照本發明，將晶圓浸潤於電拋光的電解液中，而種晶層的缺陷與晶 圓之孔洞開口以及/或溝槽開口中的金屬顆粒則藉由在上述溶液中旋轉晶曰圓曰 而移除’且_並献-電流於·上。本方法可有效移除所有尺寸的孔 洞與溝槽開口之顆粒，聽含在、叫m歧先進的製程技術中具 有寬度小於約〇·2μτη之開口。 一較佳實施例中，施於電解液中的晶圓之電流為一脈衝電流。該脈衝 電流以一連續且重複交替極性的方式施於晶圓上，重複且交替地導致電解 液中的銅電鍍至種晶層上，以及電解蝕刻種晶層上的銅至電解液中。該脈 衝電流一般約具有3伏特的電壓，以及約為10mA/cm2的脈衝電流密度。藉 由替換電流於交替_將有助於晶圓交替極性，其晶圓將交替成為陰極和 陽極。 當脈衝電流為陰極相時，其晶圓具有負電荷，而電解液中的金屬陽離 子將減夕，且電鍍至種晶層上；通常在晶圓為電鑛之陰極相時，約有10埃 的金屬會沉積於種晶層上。當脈衝電流為陽極相時，晶圓具有正電荷，而 金屬則藉由電解作用蝕刻自種晶層；通常當晶圓為電解之陽極相時，約有 20埃的金屬會移除自種晶層上。 §使用脈衝電流於晶圓時，晶圓係旋轉於電解液中，並導致晶圓與溶 ’夜間的摩擦力。晶圓一般係以轉速約每分鐘30轉旋轉。晶圓的旋轉移動， 結合脈衝電流所施予的電鍍及電解相，將導致種晶層金屬之總體損失的效 應’ 一般而言係小於約200埃之等級。而在種晶層沉積後所殘留於孔洞以 及/或溝槽開口中之可能污染元件的金屬顆粒將自上述開口中移除，並且自 電解液中溶解或移除。 本發明所述之第二實施例方法中係施以一連續電流於晶圓上。此實施 0503-A30400TWF ln 1291198
L 例=’晶圓為陽極，而電極為陰極，因此，種晶層之金屬可藉由電解作用 而和除，且同日^圓於電解液巾以每分鐘、約％轉的轉速旋轉，如此通常有 J於、、勺200埃的金屬自種晶層移除，其將有助於同時移除孔洞以及/或溝槽 =之可能污染磁的金屬顆粒，以及移除種晶層之表面的缺陷。該施予 晶圓的連續電流係具有—約為3伏特的電壓，以及約iQmAW的電流密度。 …佳貫施例巾’ f拋光之電解液為_雜的硫酸銅/硫酸之電解質水 溶液。其硫酸銅以-含水硫酸銅(CuS〇4 ·犯2〇)存在於電解質水溶液中，濃 度約每公升船克；而硫_2S0·於電解f水溶液巾約以每公升22克 存在。而電解液係較佳具有酸性pH值約21，電抛光製程則在溶液溫度約 為14°C下執行。 ，界面活性齡M_itive)可於電解液巾存在以增齡除晶圓上金屬 顆津的^例中’該界面活性劑添加劑為聚乙二醇或聚乙二醇衍 生物，而另貝施例中則為聚丙二醇或聚丙二醇衍生物。 界面活性劑添加劑具有分子量約介於綱至5〇，_之間，且較佳地介 於、勺1’000至50,000之間。於電抛光清洗製程中，界面活性劑可用於調整 位於孔洞開π以及溝槽開种種晶層金屬之移除率的_以達到移除孔 同開之污木物顆粒的目的。界面活性劑添加劑約以濃度Μ鹏存在於電 拋光之電解液中。 根據第2圖之概要圖式，一用於實施本發明方法的馳光設備32心 厂-溶液槽34，其用以容納一電抛光之電解液％ ; 一金屬盤電極％，^ 可例如為鋼鐵，顏於電驗36七-邮顿_ h。琴G，其心 支托-浸齡電舰36中的晶圓48，並與—旋轉馬達(處―偷輯 5以藉此旋轉；-電壓源44，其係電連接至晶圓支架4〇與金屬盤電極犯 以及-顆粒排出π 46，其可與溶液槽34液態相通，而其目的將於制述 接者請參照第3圖，本發明適於在孔洞開口 Q以及溝槽開口 6〇電在 填充内部之内連線68前，肋移除—雙鑲嵌結構5Q之孔酬口以以及
0503-A30400TWF 11 1291198 或溝槽開口 6〇的金屬顆粒70。該雙鑲嵌結構50係包含形成於晶圓基底48 中的金屬線54，而一下部介電層56係沉積於晶圓基底48上，而一上部介 電層58則沉積於該下部介電層56上。 習知之光蝕刻以及蝕刻技術可用於形成溝槽開口 6〇於上部介電層5g 中，而孔洞開口 62則形成於下部介電層56中。一金脣阻障層料係通常沉 積於溝槽開口 60以及孔洞開口 62的側壁及底部上。一金屬種晶層％，其 通常為銅，則沉積於該阻障層64上。金屬顆粒70具有自環境中或種晶層 66落至孔洞開口 62以及/或溝槽開口 60之傾向。依照本發明之方法，於溝 槽開口 60以及孔洞開口 62中電錢金屬内連線68前，金屬顆粒7〇係已自 孔洞開口 62以及/或溝槽開口 60移除，如後所述。 參照第4圖，本發明方法之一較佳實施例係依以下方式實施。如第4 圖所示之步驟S1以及第3圖圖示，首先於上部介電層58中形成溝槽開口 60，而於下部介電層56中形成孔洞開口 62。此步驟一般可藉由例如習知之 光鍅刻以及姓刻技術而完成。 如步驟S2所述，於溝槽開口 60以及孔洞開口 62之底部及侧壁上沉積 一阻障層64，而阻障層64可為一金屬，例如钽(tantalum; Ta)或氮化艇 (tantalumnitride; TaN)。阻障層64可藉由例如習知之化學氣相沉積法或物 理氣相沉積法而形成。 接著，如步驟S3所示，於阻障層64上沉積一種晶層66，通常種晶層 66可為銅，並可藉由例如習知之化學氣相沉積法或物理氣相沉積法而完 成。由於在接下來的電拋光製程中，金屬量(小於200埃)將自種晶層66上 移除，因此可能需於沉積製程中增加超過種晶層66目標厚度之相對量的金 屬。例如，假設種晶層66之目標厚度為1，500埃，而在電拋光製程中所預 期自種晶層66移除的金屬厚度為100埃，則一般形成於阻障層64上之種 晶層66的厚度至少需約為1，6〇〇埃。 如步驟S4之所述以及第2圖圖式，將晶圓48架置於電拋光設備32的 0503-A30400TWF 12 1291198 晶圓支架40上，並且浸潤於電拋光電解液％中。而依照步驟％所述，電 壓源44將施以一脈衝電流或連續電流於晶圓48;而同時，晶圓支架仙則 藉由旋轉馬達42的驅動，於每分鐘約3〇轉之轉速下旋轉晶圓48。電驗 36於電拋光製程中約維持於i4°C之溫度下。 本發明之第一實施例中，電壓源44藉由重複而交替地變換介於晶圓與 金屬電極_極性而施以—脈衝電流密賴1GmA/em2的脈衝電流於晶圓 上，晶圓係交替成為陰極及陽極。當晶圓為陰極相時，晶圓48具有負電荷， 因此電解液36中的金屬陽離子將減少，並且電鍍至種晶層％上(第3圖）。 通#在晶圓為陰極相時，約有1〇埃的金屬會沉積於種晶層上。 當晶圓為陽極相時，晶圓48具有正電荷，而金屬則藉由電解作用钱刻 自種晶層66;通常在晶圓為陽極相時，約有2〇埃的金屬會移除自種晶層 64。在晶圓為陰極相時，金屬電鍍至種晶層66的量與晶圓為陽極相時，金 屬自種晶層66電解移除之比例約2〜5，此乃當施以一脈衝電流於晶圓牝 約〇·5分鐘後所完成之結果。 當施以脈衝電流於晶圓48時，由旋轉晶圓48所產生之介於電解液與 晶圓間的摩擦力將導致種晶層66金屬之移除。因此，由於結合旋轉晶圓牝 的機械作用以及施於晶圓48之脈衝電流的電解作用，金屬顆粒7〇係自孔 洞開口 62以及/或溝槽開口 60中移除，並且溶解於電解液36中或經由顆粒 排出口 46而自溶液槽34中移出。再者，種晶層66表面之缺陷也可一併移 除。 本發明第二實施例中，電壓源44係施以一電流密度約1〇mA/cm2的連 續電流於晶圓48上。此實施例中，晶圓48為帶有正電荷之陽極，而金屬 盤電極38則為帶有負電荷之陰極，因此，金屬將藉由電解作用而自種晶層 66中私除。電解作用結合電解液36中旋轉晶圓48而施於種晶層之摩擦力， 將導致有小於約200埃的金屬自種晶層66中移除；而可能污染元件的金屬 顆粒70將自孔洞開口 62中移除，並溶解於電解液36中，或經由顆粒排出 0503-A30400TWF 13 1291198 口 46而自溶液槽34中移除。連續電流一般係施於晶圓48約0·5分鐘。 而隨著電拋光製程之步驟S5的結束，停止於電解液36中旋轉晶圓48 以及施以一脈衝或連續電流於晶圓48，晶圓48將移出自電解液36中以進 一步處置，如步驟S6所述。而最後，則如步驟S7所述，於孔洞開口 62以 及溝槽開口 60中形成電鍍之内連線68,此步驟係使用一般習知之電鍍技術。 接著請參照第5圖，其係根據本發明之電拋光法所得之圖表。其中殘 留於晶圓之孔洞開口中的顆粒數(γ軸)係以該自種晶層所移除之金屬量(厚 度XX軸)呈函數關係繪製。根據該圖式，依照本發明方法自種晶層上移除 約60埃的金屬時，其將導致顆粒數自約45掉至1〇左右，而在約6〇埃至 125埃區間時，此數字將有稍微增加，但隨之在125埃至175埃區間時又將 再度減少。因此，本發明之一般應用，係通常自種晶層移除小於約2〇〇埃 以減少孔洞開口以及/或溝槽開口之顆粒量。 雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發 明’任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作些許之 更動與稱，因此本發明之賴顧#視_之巾請專娜騎界定者為 準〇 【圖式簡單說明】 第1圖為_晶圓上的介電層之溝槽開口與孔洞開Π的剖面侧視圖， =有在種晶層沉積過程中可能污染元件的金屬顆粒遺留於孔洞開口的底 第2圖為⑽實施本發明之__電拋光設備的概略圖式。 側視圖，於 顆粒於孔洞 第3圖為根據本發明於基底上所建造之雙鑲嵌結構的剖面 溝槽及孔_ 口中％積種晶層後，將具有可能污染树的金屬 第4圖為闡述本發财法之-系顺程步驟。
0503-A30400TWF 1291198 第5圖為一圖表’其中經由本發明方法後而殘留於晶圓孔洞開口中的 顆粒數(Y軸)係對照於依照本方法自種晶層上所移除之物質厚度而繪圖。 【主要元件符號說明】 10〜雙鑲欲結構； 12〜基底; 14〜金屬線； 18〜上部絕緣層; 22〜溝槽開口； 26〜金屬種晶層; 32〜電抛光設備; 36〜電解液； 40〜晶圓支架； 44〜電壓源； 48〜晶圓； 54〜金屬線； 58〜上部介電層; 62〜孔洞開口； 66〜金屬種晶層; 16〜下部絕緣層; 20〜孔洞開口； 24〜金屬阻障層; Μ〜顆粒； 34〜溶液槽； 38〜金屬盤電極； 42〜旋轉馬達； 46〜排出口； 50〜雙鑲嵌結構; 56〜底部介電層; 60〜溝槽開口； 64〜金屬阻障層; 68〜金屬内連線； 丫 U〜顆粒; 、 μ〜π汁電層中形成溝槽及孔洞開 S2〜於溝槽與孔洞侧壁及底部上沉積阻障層； S3〜於阻障層上沉積種晶層；S4〜將晶圓^置於電抛光設備中； S5〜使用連續或脈衝電流電拋光晶圓； S6〜將晶圓自電拋光設備中移出； S7〜在溝槽及孔洞開口中電鍍金屬内連線。
0503-A30400TWF 15

Claims (1)

1291198 ______ 第簡626说申睛專利範圍修正月办條(^)正替換頁修正曰期：％ 7 μ 十、申請專利範圍： 1: -種移除晶圓上顆粒的方法，包括下列步驟： =供-晶11 ’該晶15包括—通孔開π，且該開口依襯有—晶種層； 提供一電拋光用之電解液； 於該電解液中旋轉該晶圓；以及 轭加一連續電流至該晶圓以給予該晶圓一正電荷。 2.如申睛專利範圍第丨項所述之移除晶圓上顆粒的方法，其中更包括 於該電解液中加入一界面活性劑。 3·如申睛專她’ 2項所述之移除晶圓上顆粒的方法，其中該界面 活性劑係包含以下材料之一或其組合：聚乙二醇(糾穴邮哪咖⑷、 聚乙二醇衍生物(derivative)、聚丙二醇㈣胸如灘 glycol)、或聚 丙一*醇· 生物。 4·如申請專利範®第3項所述之移除晶圓上顆粒的方法，其中該界面 活性劑係具有一分子量大體介於200至50, 〇〇〇。 5·種移除晶圓上金屬層之顆粒的方法，包括下列步驟： 提供-晶®，該晶圓包括-通孔開口，且該開口依襯有_晶種層； 提供一電拋光用之電解液； 於該電解液中旋轉該晶圓以提供該金屬層與該電解液間的旋轉摩擦 力；以及 藉由提供-連續電流之電解作用_金屬層表面之金屬移除。 6·如申請專利範圍第5項所述之移除晶圓上金屬層之顆粒的方法，其 更包括於該電解液中加人-界面活性劑；其中該介面活性劑係包含以下材 料之-或其組合：聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚丙二醇、或聚丙二醇衍 生物。 7·—種移除晶圓上依襯有種晶層之通孔開口的顆粒之方法，包括下列 步驟： 0503-A30400TWFl/JYChen 16 1291198 第93134626號申請專利範圍修正本
疹正日期：96.7.25 提供-晶圓，該晶圓包括-通關口，且該開口依襯有—晶種層； 提供-包含有硫酸銅(copper sulfate)以及硫酸(sulfuric acid)電抛 光用之電解液； 於該電解液巾旋轉該晶圓以提供該種晶層與電解賴的旋轉摩擦力； 以及 藉由提供-連續電流之電解作用移除該種晶層表面之金屬。 8.如申請專利範圍第7項所述之移除晶圓上依襯有種晶層之通孔開口 的顆粒之方法，其更包括於該電解液中加人—界面活性劑；其中該介面活 性劑係包含以下材料之-或其組合：聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚丙二 醇、或聚丙二醇衍生物。 0503-A30400TWFl/JYChen 17 129119¾34626號圖式修正頁 修正日期：96.7.25
-44 第2圖
1291 134626號圖式修正頁 修正曰期·· 96.7.25 __1 - ......... — 私年)月(更)_£替換頁
第4圖
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