JPH04314858A - マグネトロンスパッタリング方法 - Google Patents
マグネトロンスパッタリング方法Info
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- JPH04314858A JPH04314858A JP233891A JP233891A JPH04314858A JP H04314858 A JPH04314858 A JP H04314858A JP 233891 A JP233891 A JP 233891A JP 233891 A JP233891 A JP 233891A JP H04314858 A JPH04314858 A JP H04314858A
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウエハ等の基
板の表面にマグネトロンスパッタリングにより薄膜を形
成する方法に関する。
板の表面にマグネトロンスパッタリングにより薄膜を形
成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスの製造工程に於い
て、スパッタリングにより基板に薄膜を形成することは
一般的に行われており、この場合マグネトロン放電を発
生させてスパッタリングを行なうマグネトロンスパッタ
リングも一般的に行われている。マグネトロンスパッタ
リングは、通常、真空室内に、例えばシリコンウエハの
基板を取付けたアノード電極と該基板に対向してターゲ
ットを取付けたカソード電極とを設け、該カソード電極
の背後に設けた電磁石又は永久磁石、或いは電磁石と永
久磁石の両方により該ターゲットの前面に電界と直交す
る磁界を発生させ乍ら行われる。
て、スパッタリングにより基板に薄膜を形成することは
一般的に行われており、この場合マグネトロン放電を発
生させてスパッタリングを行なうマグネトロンスパッタ
リングも一般的に行われている。マグネトロンスパッタ
リングは、通常、真空室内に、例えばシリコンウエハの
基板を取付けたアノード電極と該基板に対向してターゲ
ットを取付けたカソード電極とを設け、該カソード電極
の背後に設けた電磁石又は永久磁石、或いは電磁石と永
久磁石の両方により該ターゲットの前面に電界と直交す
る磁界を発生させ乍ら行われる。
【０００３】マグネトロンスパッタリングの一例は、図
１に示す如くであり、ＲＦ電源ａに接続された真空室ｂ
内のカソード電極ｃの背後に永久磁石ｄを設け、該カソ
ード電極ｃの表面に電界ｇと直交する磁界ｅを形成しな
がら該カソード電極ｃの表面に取付けたターゲットｆを
スパッタリングするもので、該ターゲットｆの表面付近
に該磁界ｅにより電子を収束することにより高密度プラ
ズマ領域を形成し、該高密度プラズマ領域内に発生する
多くのイオンで該ターゲットｆをスパッタすることによ
り迅速に該ターゲットｆに対向して設けられた基板（図
示してない）に薄膜を形成することができる。
１に示す如くであり、ＲＦ電源ａに接続された真空室ｂ
内のカソード電極ｃの背後に永久磁石ｄを設け、該カソ
ード電極ｃの表面に電界ｇと直交する磁界ｅを形成しな
がら該カソード電極ｃの表面に取付けたターゲットｆを
スパッタリングするもので、該ターゲットｆの表面付近
に該磁界ｅにより電子を収束することにより高密度プラ
ズマ領域を形成し、該高密度プラズマ領域内に発生する
多くのイオンで該ターゲットｆをスパッタすることによ
り迅速に該ターゲットｆに対向して設けられた基板（図
示してない）に薄膜を形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】マグネトロンスパッタ
リングは、スパッタリングの進行に伴ない、高密度プラ
ズマ領域に面したターゲットｆの部分が他の部分よりも
多くスパッタされて図示のように消耗し、永久磁石ｄが
外側の環状の磁石とその中心部の柱状の磁石で構成され
ている場合、その消耗部分（エロージョン領域）はドー
ナッツ状になり、その部分からスパッタされたターゲッ
ト物質の一部が消耗部分以外のターゲットｆの表面に堆
積するようになる。
リングは、スパッタリングの進行に伴ない、高密度プラ
ズマ領域に面したターゲットｆの部分が他の部分よりも
多くスパッタされて図示のように消耗し、永久磁石ｄが
外側の環状の磁石とその中心部の柱状の磁石で構成され
ている場合、その消耗部分（エロージョン領域）はドー
ナッツ状になり、その部分からスパッタされたターゲッ
ト物質の一部が消耗部分以外のターゲットｆの表面に堆
積するようになる。
【０００５】この堆積した物質は、比較的剥離しやすい
ため剥離してダストとなり、基板に付着してしまうこと
がしばしば発生し、成膜不良の基板が製造されてしまう
欠点があった。ターゲットｆがストレス（内部応力）の
大きい高融点金属の場合、この欠点が著しく、基板に高
融点金属の薄膜を形成するときの大きな問題になってい
る。
ため剥離してダストとなり、基板に付着してしまうこと
がしばしば発生し、成膜不良の基板が製造されてしまう
欠点があった。ターゲットｆがストレス（内部応力）の
大きい高融点金属の場合、この欠点が著しく、基板に高
融点金属の薄膜を形成するときの大きな問題になってい
る。
【０００６】本発明は、マグネトロンスパッタリングに
於けるターゲットへスパッタされた物質が再付着するこ
とにより発生する前記欠点を解決することをその目的と
するものである。
於けるターゲットへスパッタされた物質が再付着するこ
とにより発生する前記欠点を解決することをその目的と
するものである。
【０００７】本発明の他の目的は、高融点金属の薄膜を
マグネトロンスパッタリングで形成する際の成膜不良の
発生を防止することにある。
マグネトロンスパッタリングで形成する際の成膜不良の
発生を防止することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記の各目
的を達成するために、真空室内に、成膜を施す基板を取
付けた電極と該基板に対向してターゲットを取付けたカ
ソード電極とを設け、該カソード電極の背後に磁石を設
けて該ターゲットの前面に電界と直交する磁界を発生さ
せ乍らスパッタリングを行なう方法に於いて、スパッタ
リングの作動を開始してから所定の時間が経過すると、
該ターゲットの前面の磁界を一旦実質的に消磁させて該
ターゲットの全面に亘るスパッタリングを行なって該タ
ーゲットの全表面をクリーニングするようにした。
的を達成するために、真空室内に、成膜を施す基板を取
付けた電極と該基板に対向してターゲットを取付けたカ
ソード電極とを設け、該カソード電極の背後に磁石を設
けて該ターゲットの前面に電界と直交する磁界を発生さ
せ乍らスパッタリングを行なう方法に於いて、スパッタ
リングの作動を開始してから所定の時間が経過すると、
該ターゲットの前面の磁界を一旦実質的に消磁させて該
ターゲットの全面に亘るスパッタリングを行なって該タ
ーゲットの全表面をクリーニングするようにした。
【０００９】この場合、必要ならば、該ターゲットの前
面の磁界を一旦実質的に消磁させると共に該真空室内の
圧力を上げて該ターゲットの前面に亘るスパッタリング
を行ない、該ターゲットの全表面をクリーニングする。
面の磁界を一旦実質的に消磁させると共に該真空室内の
圧力を上げて該ターゲットの前面に亘るスパッタリング
を行ない、該ターゲットの全表面をクリーニングする。
【００１０】
【作用】真空室内を真空排気したのち不活性ガスを導入
して圧力を調整し、電源からターゲットを取付けたカソ
ード電極に電力を投入すると、カソード電極と基板を取
付けた電極の間にプラズマが発生する。該プラズマ中の
電子は、カソード電極の背後に設けた磁石により該ター
ゲットの前面に発生する電界と直交する磁界に拘束され
てマグネトロン運動を行い、該ターゲットの表面付近に
於いて高密度プラズマが形成される。高密度プラズマ領
域の内部に於いては、多くのイオンが発生するが、その
イオンの大部分はカソード電極の負の電位に引かれてタ
ーゲットに突入し、該ターゲットの物質がスパッタされ
て基板に比較的高速で薄膜状に堆積する。プラズマ密度
は、磁石の磁極の中間部分に対応した箇所に於いて高ま
るために、ターゲットは磁極の中間部分が激しくスパッ
タされて大きく消耗するが、それ以外のターゲットの部
分はスパッタされることが少なく、部分によっては、殆
どスパッタされることがない。
して圧力を調整し、電源からターゲットを取付けたカソ
ード電極に電力を投入すると、カソード電極と基板を取
付けた電極の間にプラズマが発生する。該プラズマ中の
電子は、カソード電極の背後に設けた磁石により該ター
ゲットの前面に発生する電界と直交する磁界に拘束され
てマグネトロン運動を行い、該ターゲットの表面付近に
於いて高密度プラズマが形成される。高密度プラズマ領
域の内部に於いては、多くのイオンが発生するが、その
イオンの大部分はカソード電極の負の電位に引かれてタ
ーゲットに突入し、該ターゲットの物質がスパッタされ
て基板に比較的高速で薄膜状に堆積する。プラズマ密度
は、磁石の磁極の中間部分に対応した箇所に於いて高ま
るために、ターゲットは磁極の中間部分が激しくスパッ
タされて大きく消耗するが、それ以外のターゲットの部
分はスパッタされることが少なく、部分によっては、殆
どスパッタされることがない。
【００１１】そのため、スパッタされた物質の一部が、
ターゲットのスパッタされない或いはスパッタされるこ
との少ない部分に付着する。この付着物はスパッタ時間
が長くなると多くなり、やがては剥離して飛散してダス
トとなり、基板に付着するようになり、成膜不良の基板
が製造されてしまう。
ターゲットのスパッタされない或いはスパッタされるこ
との少ない部分に付着する。この付着物はスパッタ時間
が長くなると多くなり、やがては剥離して飛散してダス
トとなり、基板に付着するようになり、成膜不良の基板
が製造されてしまう。
【００１２】本発明では、このターゲットの消耗されな
い部分に付着するスパッタ物質を除去するために、ター
ゲットの前面の磁界を一旦実質的に消磁させてスパッタ
リングを行なうもので、該ターゲットの前面の磁界を消
磁することによりプラズマがターゲットの表面全体に広
がり、ターゲットの全面に亘るスパッタリングが行われ
、該ターゲットの表面に付着したスパッタ物質がスパッ
タにより除去されて全表面がクリーニングされる。
い部分に付着するスパッタ物質を除去するために、ター
ゲットの前面の磁界を一旦実質的に消磁させてスパッタ
リングを行なうもので、該ターゲットの前面の磁界を消
磁することによりプラズマがターゲットの表面全体に広
がり、ターゲットの全面に亘るスパッタリングが行われ
、該ターゲットの表面に付着したスパッタ物質がスパッ
タにより除去されて全表面がクリーニングされる。
【００１３】このクリーニングは、マグネトロンスパッ
タリングで基板に成膜した時間が一定時間経過したとき
に真空室を開けることなく行なえ、真空装置を止める必
要がないので、そのクリーニングを終了したのち直ちに
再びマグネトロンスパッタリングにより基板への成膜作
業に移ることが出来る。
タリングで基板に成膜した時間が一定時間経過したとき
に真空室を開けることなく行なえ、真空装置を止める必
要がないので、そのクリーニングを終了したのち直ちに
再びマグネトロンスパッタリングにより基板への成膜作
業に移ることが出来る。
【００１４】マグネトロンスパッタリングを行なってい
たときの真空圧のまま該ターゲットの前面の磁界を消磁
してスパッタリングを行なおうとすると、プラズマが発
生し難くなることがあるが、この場合には該真空室内の
圧力をマグネトロンスパッタリングのときよりも一桁程
度上げることにより安定したプラズマが発生する。
たときの真空圧のまま該ターゲットの前面の磁界を消磁
してスパッタリングを行なおうとすると、プラズマが発
生し難くなることがあるが、この場合には該真空室内の
圧力をマグネトロンスパッタリングのときよりも一桁程
度上げることにより安定したプラズマが発生する。
【００１５】
【実施例】本発明の実施に使用した装置を先ず図２に基
ずき説明すると、同図に於いて、符号１は真空ポンプに
連なる真空排気口２とＡｒ ガス等の不活性ガスを導入
するガス導入口３を備えた金属製の真空室を示し、該真
空室１内の下方には、シリコンウエハから成る基板４を
取付けたアノード電極５が設けられ、該真空室１の上方
には、該基板４に平行に対向して金属或いは非金属から
成るターゲット６を取付けたカソード電極７が設けられ
る。該基板４が円形である場合、その直径に合致した円
形のアノード電極５、ターゲット６及びカソード電極７
が用意される。該アノード電極５は例えばアースに接続
され、該カソード電極７は負の電位となるように例えば
高周波電源８に接続される。
ずき説明すると、同図に於いて、符号１は真空ポンプに
連なる真空排気口２とＡｒ ガス等の不活性ガスを導入
するガス導入口３を備えた金属製の真空室を示し、該真
空室１内の下方には、シリコンウエハから成る基板４を
取付けたアノード電極５が設けられ、該真空室１の上方
には、該基板４に平行に対向して金属或いは非金属から
成るターゲット６を取付けたカソード電極７が設けられ
る。該基板４が円形である場合、その直径に合致した円
形のアノード電極５、ターゲット６及びカソード電極７
が用意される。該アノード電極５は例えばアースに接続
され、該カソード電極７は負の電位となるように例えば
高周波電源８に接続される。
【００１６】該カソード電極７の背後には、ターゲット
６の表面に電界９と直交する磁界１０を発生させるため
の磁石１１が設けられる。該磁石１１は、電磁石、又は
永久磁石、或いは電磁石と永久磁石を組合せた磁石が使
用される。電磁石が設けられたカソード電極７の詳細は
図３及び図４に示す如くであり、この例では、磁石１１
を環状の電磁石１１ａ、１１ｂを内外２重に組合せて構
成し、中心のヨーク１２と周囲のヨーク１３との間に磁
界１０が発生するようにし、各電磁石１１ａ、１１ｂは
各電源１４ａ、１４ｂへの接続回路に介在させた連動ス
イッチ１５をオン・オフすることにより励磁と消磁が行
われる。また、永久磁石が設けられたカソード電極７の
詳細は図５に示す如くであり、この例では、磁石１１を
中心の柱状の永久磁石１１ｃとその周囲の環状の永久磁
石１１ｄとで構成し、該カソード電極７の背後の真空室
１に、該磁石１１がカソード電極７から後退するための
空間１６を設け、適当なアクチュエータにより往復移動
するロッド１７に磁石１１を連結してその後退を行なう
ようにした。該磁石１１は、ロッド１７によりターゲッ
ト６の表面から実質的に磁界が消磁した状態になる位置
まで後退する。
６の表面に電界９と直交する磁界１０を発生させるため
の磁石１１が設けられる。該磁石１１は、電磁石、又は
永久磁石、或いは電磁石と永久磁石を組合せた磁石が使
用される。電磁石が設けられたカソード電極７の詳細は
図３及び図４に示す如くであり、この例では、磁石１１
を環状の電磁石１１ａ、１１ｂを内外２重に組合せて構
成し、中心のヨーク１２と周囲のヨーク１３との間に磁
界１０が発生するようにし、各電磁石１１ａ、１１ｂは
各電源１４ａ、１４ｂへの接続回路に介在させた連動ス
イッチ１５をオン・オフすることにより励磁と消磁が行
われる。また、永久磁石が設けられたカソード電極７の
詳細は図５に示す如くであり、この例では、磁石１１を
中心の柱状の永久磁石１１ｃとその周囲の環状の永久磁
石１１ｄとで構成し、該カソード電極７の背後の真空室
１に、該磁石１１がカソード電極７から後退するための
空間１６を設け、適当なアクチュエータにより往復移動
するロッド１７に磁石１１を連結してその後退を行なう
ようにした。該磁石１１は、ロッド１７によりターゲッ
ト６の表面から実質的に磁界が消磁した状態になる位置
まで後退する。
【００１７】次に、本発明の方法の実施例を説明すると
、まず真空室１内を真空排気口２から真空に排気したの
ちガス導入口３からＡｒ ガスを導入して圧力を調整し
、磁石１１によりターゲット６の前面に電界９と直交す
る磁界１０を発生させておき、高周波電源８からカソー
ド電極７に電力を投入すると、ターゲット６の前方に磁
界１０で拘束されたプラズマが発生し、従来と同様のマ
グネトロンスパッタリングが行われ、基板４にターゲッ
ト６からスパッタされた物質が高速で薄膜状に堆積する
。
、まず真空室１内を真空排気口２から真空に排気したの
ちガス導入口３からＡｒ ガスを導入して圧力を調整し
、磁石１１によりターゲット６の前面に電界９と直交す
る磁界１０を発生させておき、高周波電源８からカソー
ド電極７に電力を投入すると、ターゲット６の前方に磁
界１０で拘束されたプラズマが発生し、従来と同様のマ
グネトロンスパッタリングが行われ、基板４にターゲッ
ト６からスパッタされた物質が高速で薄膜状に堆積する
。
【００１８】該ターゲット６がスパッタにより消耗され
る部分は、磁石１１のＮＳ極の中間例えば図３に符号１
８で示す消耗部分であり、多数枚例えば３０００枚の基
板４に薄膜の形成を続けるとスパッタ物質の一部がター
ゲット６の消耗部分１８以外の表面の部分１９に付着す
るようになるが、この時に磁界１０を実質的にターゲッ
ト６の前面から消滅させると、それまで磁界１０の作用
により収束していたプラズマはターゲット６の全面に広
がり、ターゲット６の表面全体がスパッタされるように
なる。このスパッタでターゲット６の消耗部分１８以外
の部分１９に付着したスパッタ物質が除去され、ターゲ
ット６の表面全体がクリーニングされる。
る部分は、磁石１１のＮＳ極の中間例えば図３に符号１
８で示す消耗部分であり、多数枚例えば３０００枚の基
板４に薄膜の形成を続けるとスパッタ物質の一部がター
ゲット６の消耗部分１８以外の表面の部分１９に付着す
るようになるが、この時に磁界１０を実質的にターゲッ
ト６の前面から消滅させると、それまで磁界１０の作用
により収束していたプラズマはターゲット６の全面に広
がり、ターゲット６の表面全体がスパッタされるように
なる。このスパッタでターゲット６の消耗部分１８以外
の部分１９に付着したスパッタ物質が除去され、ターゲ
ット６の表面全体がクリーニングされる。
【００１９】磁界１０を消磁した結果、プラズマの発生
が不安定になるときには、ガス導入口３からＡｒ ガス
を導入して真空室１内の圧力を一桁高めて例えば５Ｐａ
以上に調整すれば安定したプラズマの発生が得られる
。
が不安定になるときには、ガス導入口３からＡｒ ガス
を導入して真空室１内の圧力を一桁高めて例えば５Ｐａ
以上に調整すれば安定したプラズマの発生が得られる
。
【００２０】このスパッタリングによるクリーニングが
完了すると、再びターゲット６の前面に磁界１０を発生
させてマグネトロンスパッタリングにより基板４の成膜
が行なわれるが、該ターゲット６の表面にはスパッタ物
質が付着していないので、成膜される基板４にターゲッ
ト６から剥離したスパッタ物質が付着することがなく、
成膜不良の基板４が製造されることがない。
完了すると、再びターゲット６の前面に磁界１０を発生
させてマグネトロンスパッタリングにより基板４の成膜
が行なわれるが、該ターゲット６の表面にはスパッタ物
質が付着していないので、成膜される基板４にターゲッ
ト６から剥離したスパッタ物質が付着することがなく、
成膜不良の基板４が製造されることがない。
【００２１】磁界１０を消磁するには、磁石１１が電磁
石の場合には、連動スイッチ１５を切ることにより行わ
れ、磁石１１が永久磁石の場合には、ロッド１７でカソ
ード電極７の表面から永久磁石を遠ざけ、該ターゲット
６の前面の磁界１０をマグネトロンスパッタリングが発
生しない１００ ガウス以下の実質的に消磁した状態と
することにより行われる。尚、磁石１１が電磁石の場合
でも、永久磁石のときのように、電力の投入の調節によ
って実質的に消磁した状態とすることが可能である。
石の場合には、連動スイッチ１５を切ることにより行わ
れ、磁石１１が永久磁石の場合には、ロッド１７でカソ
ード電極７の表面から永久磁石を遠ざけ、該ターゲット
６の前面の磁界１０をマグネトロンスパッタリングが発
生しない１００ ガウス以下の実質的に消磁した状態と
することにより行われる。尚、磁石１１が電磁石の場合
でも、永久磁石のときのように、電力の投入の調節によ
って実質的に消磁した状態とすることが可能である。
【００２２】ターゲット６がＴｉ 、Ｗなどの高融点金
属の場合、３０００枚を越える基板４に３０００オング
ストローム程度の薄膜を継続してマグネトロンスパッタ
リングにより形成すると、従来は図６の曲線Ａで示すよ
うに、基板４に付着するダストの個数が急激に増加する
が、本発明の方法を３０００枚の基板４の処理を終えた
時点で実施したのち再びマグネトロンスパッタリングを
開始すれば、点線の曲線Ｂで示すように再び基板４に付
着するダストの個数が減少する。従って、３０００枚の
基板４の成膜を終える毎に本発明の方法を実施すれば、
従来の何倍かの基板４に薄膜を形成し続けることが可能
になる。
属の場合、３０００枚を越える基板４に３０００オング
ストローム程度の薄膜を継続してマグネトロンスパッタ
リングにより形成すると、従来は図６の曲線Ａで示すよ
うに、基板４に付着するダストの個数が急激に増加する
が、本発明の方法を３０００枚の基板４の処理を終えた
時点で実施したのち再びマグネトロンスパッタリングを
開始すれば、点線の曲線Ｂで示すように再び基板４に付
着するダストの個数が減少する。従って、３０００枚の
基板４の成膜を終える毎に本発明の方法を実施すれば、
従来の何倍かの基板４に薄膜を形成し続けることが可能
になる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によるときは、マ
グネトロンスパッタリングを行なうためにカソード電極
の背後に設けられた磁石を、スパッタリングの作動を開
始してから所定の時間が経過したとき一旦実質的に消磁
するようにしたので、プラズマがカソード電極のターゲ
ットの全面に広がってターゲットの全表面がクリーニン
グされ、スパッタ物質がターゲットから剥離して基板に
付着することが少なくなり、成膜不良の基板の製造が防
止され、このクリーニングのためのスパッタリングは、
真空室を開放する必要がないので、引き続きマグネトロ
ンスパッタリングを行なうことができ、短時間に簡単な
操作でクリーニング出来る等の効果がある。
グネトロンスパッタリングを行なうためにカソード電極
の背後に設けられた磁石を、スパッタリングの作動を開
始してから所定の時間が経過したとき一旦実質的に消磁
するようにしたので、プラズマがカソード電極のターゲ
ットの全面に広がってターゲットの全表面がクリーニン
グされ、スパッタ物質がターゲットから剥離して基板に
付着することが少なくなり、成膜不良の基板の製造が防
止され、このクリーニングのためのスパッタリングは、
真空室を開放する必要がないので、引き続きマグネトロ
ンスパッタリングを行なうことができ、短時間に簡単な
操作でクリーニング出来る等の効果がある。
【図１】従来のカソード電極の截断側面図
【図２】本発
明の実施に使用した装置の截断側面図
明の実施に使用した装置の截断側面図
【図３】カソード
電極部分の拡大截断側面図
電極部分の拡大截断側面図
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線
部分に沿った底面図
部分に沿った底面図
【図５】カソード電極部分の変形例
の截断側面図
の截断側面図
【図６】基板の処理枚数とダスト数の関係
を示す線図
を示す線図
１ 真空室 ４ 基板 ５
アノード電極 ６ ターゲット ７ カソード電極 ９ 電界
１０ 磁界 １１ 磁石 １１ａ、１１ｂ 電磁石 １１ｃ、１１ｄ
永久磁石 １４ａ、１４ｂ 電極
アノード電極 ６ ターゲット ７ カソード電極 ９ 電界
１０ 磁界 １１ 磁石 １１ａ、１１ｂ 電磁石 １１ｃ、１１ｄ
永久磁石 １４ａ、１４ｂ 電極
Claims (4)
- 【請求項１】 真空室内に、成膜を施す基板を取付け
た電極と該基板に対向してターゲットを取付けたカソー
ド電極とを設け、該カソード電極の背後に磁石を設けて
該ターゲットの前面に電界と直交する磁界を発生させ乍
らスパッタリングを行なう方法に於いて、スパッタリン
グの作動を開始してから所定の時間が経過すると、該タ
ーゲットの前面の磁界を一旦実質的に消磁させて該ター
ゲットの全面に亘るスパッタリングを行なって該ターゲ
ットの全表面をクリーニングすることを特徴とするマグ
ネトロンスパッタリング方法。 - 【請求項２】 真空室内に、成膜を施す基板を取付け
た電極と該基板に対向してターゲットを取付けたカソー
ド電極とを設け、該カソード電極の背後に磁石を設けて
該ターゲットの前面に電界と直交する磁界を発生させ乍
らスパッタリングを行なう方法に於いて、スパッタリン
グの作動を開始してから所定の時間が経過すると、該タ
ーゲットの前面の磁界を一旦実質的に消磁させると共に
該真空室内の圧力を上げ、該ターゲットの全面に亘るス
パッタリングを行なって該ターゲットの全表面をクリー
ニングすることを特徴とするマグネトロンスパッタリン
グ方法。 - 【請求項３】 前記カソード電極の背後に設けた磁石
が電磁石であり、該電磁石への通電を一時的に停止又は
電流を下げて磁界を消磁することによりターゲットの全
表面をクリーニングすることを特徴とする請求項１又は
２に記載のマグネトロンスパッタリング方法。 - 【請求項４】 前記カソード電極の背後に設けた磁石
が永久磁石であり、該永久磁石を該カソード電極の表面
から機械的手段により遠ざけて該ターゲットの前面の磁
界を実質的に消磁することによりターゲットの全表面を
クリーニングすることを特徴とする請求項１又は２に記
載のマグネトロンスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP233891A JPH04314858A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | マグネトロンスパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP233891A JPH04314858A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | マグネトロンスパッタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314858A true JPH04314858A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=11526519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP233891A Withdrawn JPH04314858A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | マグネトロンスパッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04314858A (ja) |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP233891A patent/JPH04314858A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |