WO2014098200A1 - 基板ホルダ及びこれを用いた全面成膜基板の製造方法 - Google Patents

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WO2014098200A1
WO2014098200A1 PCT/JP2013/084152 JP2013084152W WO2014098200A1 WO 2014098200 A1 WO2014098200 A1 WO 2014098200A1 JP 2013084152 W JP2013084152 W JP 2013084152W WO 2014098200 A1 WO2014098200 A1 WO 2014098200A1
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substrate
main surface
holder
film
unit
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PCT/JP2013/084152
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French (fr)
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英明 宮澤
赤尾　安彦
健輔 藤井
悟 高木
藤原　晃男
Original Assignee
旭硝子株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
    • C03C27/10—Joining glass to glass by processes other than fusing with the aid of adhesive specially adapted for that purpose

Definitions

  • the present invention relates to a substrate holder and a method for manufacturing an entire surface film-deposited substrate using the same.
  • sputtering is a technique for depositing target particles emitted from a target placed opposite to a substrate in a vacuum to form a film on the substrate.
  • Sputtering methods are broadly classified into so-called vertical types in which film formation is performed with the target and the substrate standing, and so-called horizontal types in which film formation is performed in a state where both are horizontal. Further, the horizontal type is roughly classified into a sputter up system in which a target is disposed below the substrate and a sputter down system in which the target is disposed above the substrate.
  • the spatter down method often employs the vertical sputtering method or the sputter up method because the possibility that foreign matter will drop and adhere to the substrate is higher than other methods.
  • a substrate holder that holds the substrate is used because the substrate cannot be sputtered by placing it on a flat surface.
  • FIG. 4 is a front view showing an example of a conventional substrate holder.
  • a substrate holder 51 shown in FIG. 4 has a plurality of bar frames 52 arranged in parallel.
  • the rod-shaped frames 52 form a space slightly wider than the width of the first main surface 72a of the substrate 71 in one direction, and the grip portion 53 is integrated with the rod-shaped frame 52 toward the space. Is provided.
  • the substrate 71 is disposed between the rod-shaped frames 52, and the edge of the substrate 71 is gripped by the grip portion 53.
  • the substrate 71 can be held on the first main surface 72a while being held up or with the first main surface 72a facing downward.
  • FIG. 5A and 5B show another example of a conventional substrate holder, in which FIG. 5A is a front view and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG.
  • the substrate holder 61 shown in FIG. 5 is mainly composed of a thick plate frame 62, and the plate frame 62 is formed with a recess 63 that allows the substrate 71 to be dropped from one side.
  • An opening 64 having a smaller area than the main surface of the substrate 71 and substantially similar to the substrate 71 is formed on the bottom surface.
  • the outer periphery of the first main surface 72a hidden by the plate-like frame 62 is indicated by a broken line.
  • the plate frame 62 in which the substrate 71 is dropped into the recess 63 is placed in a state in which the opening 64 faces downward, or the opening 64 is slightly downward. In such a state (see FIG. 5B). At this time, the substrate 71 exposes the first main surface 72 a from the opening 64 without falling because the opening 64 has a smaller area than the substrate 71. A film can be formed on the first main surface 72 a exposed from the opening 64.
  • each part has a fixed structure, and the shape and structure are unchanged, so that it is used for glass substrates having different sizes and shapes. In this case, it is necessary to prepare another substrate holder each time. Furthermore, since the replacement of the substrate holder, the setting of the substrate, and the film formation are repeated, a decrease in productivity in the total is inevitable.
  • FIG. 6 is a front view showing a film formation substrate manufactured using the substrate holder shown in FIG. 4
  • FIG. 7 is a front view showing a film formation substrate manufactured using the substrate holder shown in FIG.
  • FIG. 4 when the substrate holder 51 is used, film formation is performed with a part of the edge of the substrate 71 being held by the holding portion 53. Therefore, as shown in FIG.
  • the film formation region 77 is formed on the first main surface 76a of the obtained film formation substrate 75, the region held by the holding part 53 is not formed.
  • a film region 78 is formed. Further, as described with reference to FIG. 5, when the substrate holder 61 is used, the film formation is performed only on a part exposed from the opening 64 having a smaller area than the first main surface 72a. Therefore, as shown in FIG. 7, a non-film formation region 78 surrounding the film formation region 77 is formed on the outer periphery of the first main surface 76a of the film formation substrate 75 to be obtained.
  • the present inventor has focused attention on the curable silicone resin composition disclosed in, for example, Patent Documents 1 to 3 as a method for fixing the back side of the substrate to the carrier, and applied this composition on a flat carrier.
  • An attempt was made to form a cured silicone resin layer by curing.
  • the process of applying and curing the curable silicone resin composition on a relatively large carrier surface on which a plurality of substrates are arranged is very laborious and expensive, and also improves productivity. It did not lead to.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a substrate holder that improves the productivity of the entire surface-deposited substrate and a method for manufacturing the entire surface-deposited substrate using the substrate. To do.
  • the present inventors can flexibly cope with glass substrates of different sizes and shapes by using a substrate holder having a specific configuration, thereby reducing the number of steps and labor. As a result, it was found that an entire surface film-deposited substrate could be manufactured, and the present invention was completed.
  • the gist of the present invention is the following (1) to (10).
  • the adhesive layer is a cured silicone resin layer formed by curing a curable silicone resin composition on the first main surface of the unit substrate, as described in (1) or (2) above.
  • Substrate holder. (4) The substrate holder according to any one of (1) to (3), wherein the adhesion layer has a thickness of 10 to 100 ⁇ m.
  • the substrate holder according to any one of (1) to (4), wherein the substrate is a glass substrate having a thickness of 0.5 to 5 mm.
  • the substrate includes a substrate main body on which the first main surface is entirely formed, and a protective layer provided on the second main surface side of the substrate main body and constituting the second main surface of the substrate.
  • substrate as described in said (7) which is a board
  • the protective layer is disposed between the base film constituting the second main surface of the substrate and the base film and the substrate body, and adheres to the base film and the substrate body. And a pressure-sensitive adhesive layer having a peelable surface.
  • (11) The above (7) to (10), wherein a gap is provided between one substrate and at least one of the plurality of other substrates adjacent to the substrate when the substrates are brought into close contact with each other.
  • substrate in any one of.
  • the substrate holder of the present invention and the method of manufacturing the entire surface-deposited substrate using the same, it is possible to flexibly cope with glass substrates of different sizes and shapes, reducing the number of steps and labor, Productivity can be improved.
  • FIG. 1 An example of the state in which the substrate holder of the present invention is holding a substrate is shown, (A) is a front view, and (B) is a sectional view taken along line AA of (A). It is a front view which shows another example of the state in which the substrate holder of this invention is holding the board
  • FIG. 1A and 1B show an example of a state in which a substrate holder of the present invention holds a substrate.
  • FIG. 1A is a front view
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • the substrate holder 11 shown in FIG. 1 is mainly composed of a plurality of holder units 21 and a carrier 31 to which the holder units 21 are fixed, and holds a plurality of substrates 41. .
  • the substrate holder 11 is sputtered by the vertical sputtering method or the sputter-up method with the held substrate 41 standing upright or with the first main surface 42a facing downward, and the substrate 41 The main surface 42a is formed.
  • each configuration of the substrate holder 11 (the carrier 31 and the holder unit 21) will be described.
  • the substrate 41 has a pair of main surfaces 42 (a first main surface 42a and a second main surface 42b), and the first main surface 42a is formed on the entire surface.
  • substrate 41 the glass substrate used as a cover glass etc. in a smart phone etc. is mentioned, for example.
  • the manufacturing method of a glass substrate is not specifically limited, It can manufacture by a conventionally well-known method. For example, it can be manufactured by melting a conventionally known glass raw material to form a molten glass, and then forming it into a plate shape by a float method, a fusion method, a slot down draw method, a redraw method, a pulling method or the like.
  • the composition of the glass substrate is not particularly limited, and for example, conventionally known alkali glass (soda lime glass or the like), alkali-free glass, or the like is used. At this time, the characteristics of the glass substrate such as the thermal shrinkage rate and chemical resistance are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the application.
  • the shape will not be limited, but it is preferable that it is a rectangle.
  • the rectangle is substantially a rectangle, and includes a shape in which the corners of the peripheral portion are cut off (corner cut) as shown in FIG.
  • the size of the main surface 42 of the substrate 41 is not limited, for example, in the case of a rectangle, 10 mm ⁇ 30 mm to 1000 mm ⁇ 1500 mm is preferable, and 30 mm ⁇ 50 mm to 800 mm ⁇ 1000 mm is more preferable.
  • the thickness of the substrate 41 (the length in the vertical direction in FIG.
  • the main surface 42 of the substrate 41 may be a polished surface that has been subjected to polishing treatment, or may be a non-etched surface (fabric surface) that has not been subjected to polishing treatment, and is appropriately selected depending on the application.
  • the substrate 41 may be a substrate with a protective layer as shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a state in which the substrate holder of the present invention holds a substrate with a protective layer.
  • a substrate 41 that is a substrate with a protective layer includes a substrate body 43 having a first main surface 44 a and a second main surface 44 b, and a protective layer 45.
  • the substrate main body 43 has a first main surface 44a formed on the entire surface, and is substantially the same as the substrate 41 described above.
  • the protective layer 45 is provided on the second main surface 44b side of the substrate body 43, and constitutes the second main surface 42b in the substrate 41 that is a substrate with a protective layer. Details of such a substrate with a protective layer will be described later.
  • the carrier 31 is a member having a unit fixing surface 32 having a larger area than a main surface 25 (first main surface 25a and second main surface 25b) of a unit base 24 described later. .
  • One or more holder units 21 are fixed to the unit fixing surface 32 of the carrier 31 such that the unit fixing surface 32 and the second main surface 25b of the unit base 24 face each other.
  • the material of the carrier 31 is not particularly limited as long as it has a strength enough to maintain a vertical state or a horizontal state while holding the substrate 41. From the viewpoint of industrial availability, for example, metal, A glass etc. are mentioned suitably.
  • the type is not particularly limited, and examples thereof include stainless steel and aluminum alloy.
  • the manufacturing method is not particularly limited and can be manufactured by a conventionally known method.
  • a conventionally known method For example, after melt
  • the composition of the glass is not particularly limited, and for example, conventionally known alkali glass (soda lime glass or the like), alkali-free glass, or the like is used. At this time, characteristics such as heat shrinkage and chemical resistance of the glass are not particularly limited.
  • the shape of the carrier 31 is not limited as long as it has the unit fixing surface 32, but is preferably rectangular.
  • the rectangle is substantially a rectangle and includes a shape obtained by cutting off the corners of the peripheral portion (corner cut).
  • the size of the unit fixing surface 32 of the carrier 31 is larger than the main surface 25 of the unit base 24 described later (this main surface 25 is a surface having a smaller area than the main surface 42 of the substrate 41).
  • this main surface 25 is a surface having a smaller area than the main surface 42 of the substrate 41.
  • 400 mm x 500 mm to 1200 mm x 1500 mm is preferable, and 500 mm x 600 mm to 1500 mm x 1800 mm is more preferable.
  • the thickness of the carrier 31 (length in the vertical direction in FIG.
  • the unit fixing surface 32 of the carrier 31 may be a polished surface that has been polished or a non-etched surface (fabric surface) that has not been polished.
  • the holder unit 21 includes a unit base 24 and an adhesion layer 27.
  • the unit base 24 is a plate-like member having a main surface 25 (first main surface 25a and second main surface 25b) having a smaller area than the main surface 42 of the substrate 41.
  • the adhesion layer 27 is a layer having a peelable surface 28 that is fixed to the first main surface 25a of the unit base 24 and adheres to the second main surface 42b of the substrate 41 so as to be peelable.
  • the holder unit 21 is fixed to the unit fixing surface 32 so that the second main surface 25b of the unit base 24 and the unit fixing surface 32 of the carrier 31 face each other.
  • the substrate 41 is held by the substrate holder 11 by attaching the second main surface 42b of the substrate 41 to the peelable surface 28 of the adhesion layer 27 of the holder unit 21.
  • the example of FIG. 1A is an example in which a plurality of holder units 21 are arranged and a plurality of substrates 41 are held.
  • each substrate 41 is held by one holder unit 21, but the number of holder units 21 used for holding one substrate 41 is not particularly limited as long as the substrate 41 can be held. .
  • one substrate 41 may be held by a plurality of holder units 21. For example, in a case where the size of the substrate 41 is large, stable holding can be performed by using a plurality of holder units 21.
  • the arrangement of the plurality of holder units 21 on the carrier 31 is such that, when the substrate holder 11 on which the substrate 41 is placed is viewed in plan view, the substrates 41 do not overlap each other, and all the substrates 41 do not overlap the substrate holder 11. It suffices to fit within the size of the carrier 31. When there is only one substrate 41, it is sufficient that it is within the size of the carrier 31. Since the first main surface 42a of the substrate 41 is not gripped or covered by each part of the substrate holder 11, a film can be formed on the entire surface of the first main surface 42a.
  • the “fixing” adhesion force between the second main surface 25b of the unit base 24 of the holder unit 21 and the unit fixing surface 32 is applied to an adhesion layer 27 described later and the second main surface 42b of the substrate 41. It may be stronger than the adhesion (peeling strength) and equal to or greater than the adhesive force (peeling strength) between the first main surface 25a of the unit base 24 and the adhesion layer 27.
  • the fixing means for realizing the “fixing” between the second main surface 25b of the unit base 24 and the unit fixing surface 32 as described above is not particularly limited.
  • a heat-resistant adhesive or heat-resistant Kapton Conventionally known fixing means such as a registered double-sided tape can be used.
  • the plurality of holder units 21 can be fixed to the unit fixing surface 32 of the carrier 31 in any arrangement by the fixing means described above, and the arrangement can be easily changed.
  • FIG. 2 is a front view showing another example of the state in which the substrate holder of the present invention holds the substrate. Even in such a case, the arrangement of the holder unit 21 can be easily changed to an arrangement in which the substrates 41 do not overlap each other. For this reason, it is not necessary to newly manufacture another substrate holder, and productivity is very excellent.
  • the conventional substrate holder described with reference to FIGS. 4 and 5 cannot form the entire surface, a method of fixing the substrate to the flat carrier using a double-sided tape or the like is adopted for the entire surface formation.
  • this method requires a step of preparing and bonding a double-sided tape each time a film is formed on each of a plurality of substrates, so that the number of steps is remarkably increased and the productivity is very poor.
  • an adhesive such as a double-sided tape may remain on the substrate 41.
  • substrate 41 of this invention is hold
  • FIG. 10 Further, since the substrate holder 11 including the holder unit 21 can be used repeatedly, the number of processes is reduced, and the productivity is very excellent. In addition, since the board
  • a cured silicone resin layer formed by curing a predetermined curable silicone resin composition can be used as the adhesion layer 27.
  • the adhesion layer 27 is formed on the entire surface of a large carrier such as the carrier 31.
  • the adhesion layer 27 may be formed only on the first main surface 25 a of the unit base 24 that is smaller than the carrier 31. That is, since the area where the adhesion layer 27 is formed is small compared to the case where the adhesion layer 27 is formed on the entire surface of the large carrier, it is easy to manufacture uniformly with a desired thickness. In addition, since a small amount of material is required to form the adhesion layer 27, the cost is low. Further, when the curable silicone resin composition is cured, a large apparatus is not required and the productivity is very excellent.
  • the thickness T of the holder unit 21 is preferably 0.1 to 10 mm, more preferably 0.5 to 5 mm, and further preferably 0.7 to 3 mm.
  • a fingertip or an instrument (both not shown) is usually provided in the gap between the second main surface 42b of the substrate 41 to be peeled off and the unit fixing surface 32. ) To remove.
  • the thickness T of the holder unit 21 is too thin, it is difficult to put a fingertip or the like into the gap, and the handling property of peeling may be inferior.
  • the thickness T of the holder unit 21 is thick, the handling property of peeling is improved.
  • the target particles released from the target during sputtering are the first main particles of the substrate 41.
  • the film is deposited not only on the surface 42 a but also on the second main surface 42 b (hereinafter also referred to as “back”), and is formed on the second main surface 42 b. If it does so, there exists a possibility that a malfunction may arise when processing the board
  • the unit base 24 is a plate-like member having a main surface 25 (first main surface 25a and second main surface 25b) having a smaller area than the main surface 42 of the substrate 41, and examples thereof include a glass substrate. .
  • the manufacturing method of a glass substrate is not specifically limited, It can manufacture by a conventionally well-known method. For example, it can be produced by melting a conventionally known glass raw material to obtain a molten glass, and then molding it into a plate shape by a float method, a fusion method, a slot down draw method, a redraw method, a pulling method or the like.
  • the composition of the glass substrate is not particularly limited, and for example, conventionally known alkali glass (soda lime glass or the like), alkali-free glass, or the like can be used. At this time, the characteristics of the glass substrate such as heat shrinkage and chemical resistance are not particularly limited.
  • the heat resistance is preferably high.
  • the temperature when the weight loss when the sample is heated at 10 ° C./min in an air atmosphere exceeds 5% of the sample weight is defined as the 5% heating weight loss temperature, This temperature is preferably 300 ° C. or higher, more preferably 350 ° C. or higher.
  • substrate 24 is a plate-shaped member which has the 1st main surface 25a and the 2nd main surface 25b, the shape will not be limited, but it is preferable that it is a rectangle.
  • the rectangle is substantially a rectangle and includes a shape obtained by cutting off the corners of the peripheral portion (corner cut).
  • the size of the main surface 25 of the unit base 24 is not particularly limited as long as it has a smaller area than the main surface 42 of the substrate 41.
  • 10 mm ⁇ 10 mm to 200 mm ⁇ 200 mm is preferable, and 50 mm ⁇ 50 mm to 100 mm ⁇ 100 mm is more preferable.
  • the thickness of the unit base 24 (the length in the vertical direction in FIG.
  • the thickness of the unit base 24 is preferably 0.1 to 10 mm, more preferably 0.5 to 5 mm, and even more preferably 0.7 to 3 mm.
  • the main surface 25 of the unit base 24 may be a polished surface that has been subjected to a polishing process, or may be a non-etched surface (fabric surface) that has not been subjected to a polishing process.
  • the adhesion layer 27 is a layer having a peelable surface 28 that is fixed to the first main surface 25a of the unit base 24 and is in close contact with the second main surface 42b of the substrate 41 in a releasable manner.
  • the adhesion layer 27 is, for example, a silicone resin layer (hereinafter also referred to as a cured silicone resin layer) formed by curing a curable silicone resin composition on the first main surface 25a of the unit base 24. And it is preferable because sufficient adhesion can be obtained by closely contacting the substrate.
  • the adhesion layer 27 as a cured silicone resin layer will be described.
  • the adhesion layer 27 is fixed on the first main surface 25a of the unit base 24, and in the substrate holder 11 holding the substrate 41, the adhesion layer 27 adheres to the second main surface 42b of the substrate 41 to generate an adhesive force. ing.
  • the peel strength between the second main surface 42 b of the substrate 41 and the adhesion layer 27 needs to be lower than the peel strength between the first main surface 25 a of the unit base 24 and the adhesion layer 27.
  • the adhesion layer 27 adheres to the second main surface 42b of the substrate 41, but has a surface characteristic that allows the substrate 41 to be easily peeled off. That is, the adhesion layer 27 adheres to the second main surface 42b of the substrate 41 with a certain degree of binding force to prevent the positional displacement of the substrate 41 and at the same time when the substrate 41 is peeled off.
  • the substrate 41 is attached with a bonding force that can be easily peeled without destroying the substrate 41.
  • the property that the surface of the adhesion layer 27 (peelable surface 28) can be easily peeled is called peelability.
  • the first main surface 25a of the unit base 24 and the adhesion layer 27 are attached with a bonding force that is relatively difficult to peel off.
  • the molecules in the adhesion layer 27 and the substrate 41 are not based on an anchor effect that is a mechanical bond or a strong bond such as a chemical interaction. Are preferably connected by a van der Waals force generated by the proximity of each other.
  • the adhesion force of the adhesion layer 27 to the first main surface 25a of the unit base 24 is relatively higher than the adhesion force of the substrate 41 to the second main surface 42b.
  • the coupling to the second main surface 42b of the substrate 41 is also referred to as “attachment”, and the coupling to the first main surface 25a of the unit base 24 is also referred to as “fixing”.
  • the adhesive silicone resin composition is cured on the first main surface 25a of the unit base 24 to form the adhesion layer 27 made of a cured silicone resin, and then the substrate 41 is placed on the adhesion layer 27 made of the cured silicone resin to adhere It is preferable to make it adhere.
  • the cured silicone resin itself used is a resin similar to the non-adhesive cured silicone resin used for release paper and the like, and even when adhered to the substrate 41, the peel strength is low.
  • the curable silicone resin composition before curing is applied onto the first main surface 25a of the unit base 24, the curable silicone resin composition exists on the first main surface 25a of the unit base 24. It enters a state along minute irregularities and holes.
  • interaction between the unit substrate 24 (first main surface 25a) and the curable silicone resin composition for example, an anchor effect occurs, and the cured silicone resin after curing. It is considered that the peel strength between the first main surface 25a and the first main surface 25a increases.
  • the adhesion area (grounding area) of the formed adhesion layer 27 can be simply placed later.
  • the one for the first main surface 25a of the unit base 24 is larger than that for the second main surface 42b of a certain substrate 41. Therefore, even if the substrate 41 and the unit base 24 are made of the same material (for example, glass), the peel strength between the adhesion layer 27 and the substrate 41 and between the adhesion layer 27 and the unit base 24 can be made different. .
  • the formation of the adhesion layer 27 having a difference between the peel strength with respect to the second main surface 42b of the substrate 41 and the peel strength with respect to the first main surface 25a of the unit base 24 is not limited to the above method.
  • the unit base 24 made of a material having a higher bonding strength to the cured silicone resin than the substrate 41 can be used.
  • adherence layer 27 can be improved by performing the process which raises the bond strength of the 1st main surface 25a of the unit base
  • the first main surface 25a of the unit base 24, which is a glass substrate, is exposed to atmospheric pressure plasma, corona, UV (ultraviolet light) / ozone, etc., thereby increasing the concentration of silanol groups to achieve close contact. Adhesion with the layer 27 can be improved.
  • a curable silicone resin composition used for formation of such a cured silicone resin layer does not specifically limit as a curable silicone resin composition used for formation of such a cured silicone resin layer.
  • a conventionally known curable silicone resin composition can be used.
  • a linear organopolysiloxane (a) having at least two alkenyl groups per molecule, at least three hydrogen atoms bonded to silicon atoms, and bonded to the silicon atoms A curable silicone resin composition comprising a linear organopolysiloxane (b) in which at least one hydrogen atom is present on a silicon atom at the molecular end; (A) a linear organopolysiloxane having an alkenyl group; (B) An organopolysiloxane having a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and (C) a platinum-based catalyst, and the content of the component (C) is the component (A) and the component (B).
  • An organopolysiloxane composition that cures by an addition reaction which is 900 to 3000 mass ppm in terms of platinum with respect to the total amount of the above; exceeding the first temperature Polyimide silicone having a crosslinking site capable of crosslinking reaction by heating in 2 temperature silicone moiety, and a solvent volatilization Drying lower than said second temperature first temperature, a resin composition; and the like.
  • curable silicone resin composition described in paragraphs [0041] to [0061] of Patent Literature 1 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-046174), Patent Literature 2 (Japanese Unexamined Patent Publication 2012).
  • the curable silicone resin composition is applied to the first main surface 25a of the unit substrate 24 to form a layer of the curable silicone resin composition, and then the curable silicone resin composition is cured to obtain a cured silicone resin. Form a layer.
  • conditions for curing the curable silicone resin composition optimum conditions are appropriately selected depending on the type of organopolysiloxane used.
  • the heating temperature is preferably 50 to 300 ° C.
  • the treatment time is preferably 5 to 300 minutes.
  • coating method of a curable silicone resin composition is not specifically limited, A conventionally well-known method is used.
  • the formation of the cured silicone resin layer is not limited to the above method.
  • a release treatment is performed so that a cured silicone resin layer after curing is not attached thereto. Curing may be performed under the above-described conditions in a state where the release treatment substrate is placed and the layer of the curable silicone resin composition is sandwiched between the release treatment substrate and the unit base 24.
  • the curable silicone resin composition When there is a volatile component in the curable silicone resin composition, there is a concern that the volatile component is accumulated as a gas and foams, and therefore it is preferable that the curable silicone resin composition does not contain a volatile component.
  • the mold release process a conventionally known process can be used. For example, a fluorine-based mold release agent or a silicone-type mold release agent is used.
  • substrate is peeled after hardening.
  • the thickness of the adhesion layer 27 which is a cured silicone resin layer is preferably 10 to 100 ⁇ m, more preferably 30 to 80 ⁇ m.
  • the adhesion force of the substrate 41 is expressed by the product of the adhesion force between the peelable surface 28 of the adhesion layer 27 and the substrate 41 and the adhesion area.
  • the adhesion between the peelable surface 28 of the adhesion layer 27 and the substrate 41 tends to increase as the adhesion layer 27 becomes thinner (FIG. 8).
  • the cured silicone resin layer is thinner than 10 ⁇ m, the substrate 41 may not be brought into close contact with the peelable surface 28 and sufficient adhesive force may not be generated.
  • the area of the peelable surface 28 of the adhesion layer 27, which is a cured silicone resin layer, is the area of the second main surface 42b of the substrate 41 from the viewpoint of the magnitude of the adhesion of the substrate 41 and the ease of attaching and detaching the substrate 41. On the other hand, it is preferably 10 to 99%, more preferably 20 to 90%.
  • the magnitude of the adhesion force of the substrate 41 is expressed as (adhesion force per unit area between the peelable surface 28 of the adhesion layer 27 and the substrate 41) ⁇ (adhesion area).
  • the adhesion between the peelable surface 28 of the adhesion layer 27 and the substrate 41 increases as the adhesion layer 27 becomes thinner.
  • the peel strength of the adhesive layer 27, which is a cured silicone resin layer, with respect to the substrate 41 is preferably 0.1 to 1.5 N / 25 mm, regardless of the above-described thickness and area, and preferably 0.5 to 1.2 N. More preferably, it is / 25 mm.
  • the peel strength is represented by the following measurement method.
  • the second main surface 25b of the unit base 24 of the sample is fixed to the end of the base with double-sided tape, and the center portion of the protruding portion (25 mm ⁇ 25 mm) of the substrate 41 is digitally gauged ( Using a product name: NP-200 (manufactured by Imada Co., Ltd.), the peel strength is measured.
  • adherence layer 27 which is a hardening silicone resin layer has heat resistance from viewpoints, such as suppressing degassing.
  • the thermal decomposition starting temperature is preferably 120 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher, further preferably 180 ° C. or higher, particularly 180 ° C. or higher and 280 ° C. or lower, with the substrate 41 being in close contact.
  • An evaluation sample is obtained by further laminating (1.1 to 1.3 mm). Next, this sample is placed on a hot plate heated to 100 ° C., heated at a heating rate of 10 ° C. per minute, and the temperature at which the foaming phenomenon is confirmed in the sample is defined as the thermal decomposition start temperature.
  • a method for manufacturing a full-surface film-formed substrate using the substrate holder 11 of the present invention (hereinafter, also referred to as “a method for manufacturing a full-surface film-formed substrate of the present invention”) will be described.
  • the manufacturing method of the entire surface film-formed substrate of the present invention first, the second main surface 42b of the substrate 41 is first adhered to the peelable surface 28 of the adhesion layer 27. As a result, the substrate 41 is held by the substrate holder 11. At this time, it is preferable that the position of the center of gravity of the substrate 41 is in close contact with the peelable surface 28.
  • the substrate can be securely adhered to easily obtain a necessary adhesion force, and the substrate can be held well even when the substrate is vertical or downward.
  • the substrate 41 is brought into close contact, as shown in FIGS. 1A and 2, between one substrate 41 and at least one of the plurality of other substrates 41 adjacent to the substrate 41. It is preferable to provide a gap. This is because not only can the substrates 41 not overlap each other, but also a fingertip or an instrument can be inserted into this gap as a trigger to peel off the adhered substrates 41 adhered.
  • the distance of the gap is not particularly limited as long as it is a distance that allows a tool or a finger to be used to enter.
  • the entire film is formed on the first main surface 42a of the attached substrate 41.
  • the method of forming the entire surface is not particularly limited, but it is preferable to employ the vertical sputtering method or the sputtering up method for the reasons described above. At this time, since each part of the substrate holder 11 is not gripped or covered, film formation can be performed on the entire first main surface 42a.
  • the substrate 41 formed on the entire surface is peeled off from the peelable surface 28 of the adhesion layer 27.
  • the fingertip is inserted between the second main surface 42b of the substrate 41 and the unit fixing surface 32 (see FIG. 1B) from the gap between the adjacent substrates 41, and the fingertip is placed on the edge of the substrate 41.
  • the substrate 41 is peeled off so as to be hooked. As a result, the substrate 41 formed on the entire surface is obtained.
  • the substrate 41 is attached from the holder unit 21 located at the upper stage in FIG.
  • film defects can be reduced.
  • the substrate holder 11 can be used repeatedly, but as the number of uses increases, target particles by sputtering are deposited on the unit fixing surface 32 of the carrier 31. Since the accumulated target particles can cause dusting and the like, the number of repeated uses is preferably about 20 to 100 times, and more preferably 50 to 100 times.
  • the substrate 41 may be held such that the second main surface 42 b of the substrate 41 formed by the protective layer 45 is in close contact with the peelable surface 28 of the adhesion layer 27. Accordingly, the total thickness (hereinafter also referred to as “total thickness”) including the substrate holder 11 and the substrate 41 is slightly increased, but it is suitable when the back of the target particles is not allowed.
  • the substrate 41 which is a substrate with a protective layer, is peeled from the substrate holder 11, and then the protective layer 45 is peeled to expose the second main surface 44b of the substrate body 43.
  • the protective layer 45 in contact with the second main surface 44b of the substrate body 43 has a peelable surface that is detachably adhered to the second main surface 44b of the substrate body 43. That is, the peel strength between the protective layer 45 and the second main surface 44 b of the substrate body 43 is preferably larger than the peel strength between the protective layer 45 and the peelable surface 28 of the adhesion layer 27.
  • a protective layer 45 for example, as shown in FIG. 3, it is disposed between the base film 47 constituting the second main surface 42b of the substrate 41, and between the base film 47 and the substrate body 43, What has the adhesion layer 48 which has the peelable surface closely_contact
  • the adhesive layer 48 included in the protective layer 45 is used by being attached to the second main surface 44 b of the substrate body 43.
  • the base film 47 a known film having heat resistance and self-supporting property can be used.
  • a polyester film or a polyvinyl chloride film can be used.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 48 include a layer made of a known heat-resistant pressure-sensitive adhesive, and it is preferable to use a pressure-sensitive adhesive such as acrylic, polyurethane, or silicone.
  • the protective layer 45 may be formed on the second main surface 44 b of the substrate body 43 by wet coating. For example, it can be formed by applying a polyvinyl ester resin on the substrate body 43 and curing it by heating. At this time, as the protective layer 45, for example, a UV curable resin such as an acrylic UV curable resin (trade name: GER-3000, manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) can be used. In the protective layer 45, the peel strength between the protective layer 45 and the second main surface 44 b of the substrate body 43 is larger than the peel strength between the protective layer 45 and the peelable surface 28 of the adhesion layer 27. What is necessary is just and it is not limited to the above.
  • the thickness of the protective layer 45 is preferably 5 to 500 ⁇ m, more preferably 20 to 300 ⁇ m, and even more preferably 30 to 200 ⁇ m. If the thickness of the protective layer 45 is 5 ⁇ m or more, the protective layer 45 having a peelable surface can be formed without difficulty. Moreover, if the thickness of the protective layer 45 is 500 micrometers or less, the protective layer 45 can be formed at low cost.
  • the curable silicone resin composition is dropped onto the first main surface 25a of the unit substrate 24 (100 mm ⁇ 100 mm) which is a glass substrate (trade name: Dragon Trail (registered trademark), manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., the same applies hereinafter). did.
  • the thickness of the unit base 24 is shown in Table 1 below. Further, the dropping amount of the composition was changed between Experimental Example I and Experimental Example II. On the dropped composition, a glass substrate (not shown) having the same size and shape as that of the unit base 24 was placed.
  • the mounted glass substrate is a release-treated substrate that has been subjected to a release treatment using a silicone oil-based release agent (trade name: dimethylpolysiloxane SH200, manufactured by Toray Dow Corning).
  • a silicone oil-based release agent trade name: dimethylpolysiloxane SH200, manufactured by Toray Dow Corning.
  • the adhesive layer 27 which is a cured silicone resin layer, was formed by heating and curing at 200 ° C. for 30 minutes in the air.
  • the release processing substrate was peeled off to manufacture three holder units 21 in which the adhesion layer 27 was fixed to the first main surface 25a of the unit base 24.
  • the second main surface 25b of the unit base 24 of the holder unit 21 was fixed to the unit fixing surface 32 of the carrier 31 (730 mm ⁇ 920 mm, thickness: 1.3 mm) which is a glass substrate.
  • Kapton double-sided tape (trade name: P-223, manufactured by Nitto Denko Corporation) was used. Thereby, the substrate holder 11 was manufactured.
  • the second main surface 42b of the substrate 41 (130 mm ⁇ 240 mm, thickness: 1.3 mm) which is a glass substrate is formed on the peelable surface 28 of the adhesion layer 27 of the holder unit 21 included in the manufactured substrate holder 11.
  • the evaluation was performed as follows. The results are shown in Table 1. ⁇ Time until contact [seconds]> When the spread of the ground contact area between the peelable surface 28 and the second main surface 42b of the substrate 41 stopped by visual observation, it was determined that “adhesion was complete”, and the time until this point was measured.
  • the substrate holder 11 holding the substrate 41 was erected to form a film by a so-called vertical sputtering method. Specifically, a TiO x (1 ⁇ x ⁇ 2) target was placed on the cathode as a sputtering target in the vacuum chamber, and the vacuum chamber was evacuated to 1.3 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less. . Next, a mixed gas of 96 sccm of argon gas and 4 sccm of oxygen gas was introduced as a sputtering gas. At this time, the pressure was 5.7 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa.
  • a reactive sputtering method was performed using a DC pulse power source, and a TiO 2 layer was formed on the first main surface 42a of the substrate 41 held by the substrate holder 11 installed in the vacuum chamber. A TiO 2 layer was entirely formed on the first main surface 42a.
  • ⁇ Peeling handling> When the substrate 41 was peeled off, the time required for peeling was measured in each holder unit 21. The time required for peeling is determined by peeling strength (adhesive strength) ⁇ ease of substrate handling. If the average time required for peeling is less than 5 seconds, it is evaluated as “Good” as excellent for peeling handling. If it was 5 seconds or more, it was evaluated as “ ⁇ ” as being somewhat inferior to the peeling handling.
  • the manufacturing method of the substrate holder and the entire surface deposition substrate of the present invention can flexibly cope with glass substrates having different sizes and shapes of glass substrates to be used, and can reduce the number of steps and labor. It can also be used for manufacturing glass substrates used as cover glasses for tablet PCs, smartphones, and the like.
  • Substrate holder 21 Holder unit 24: Unit base 25: Unit base main surface 25a: Unit base first main surface 25b: Unit base second main surface 27: Adhesive layer 28: Peelable surface 31: Carrier 32: Unit fixing surface 41: Substrate 42: Substrate main surface 42a: Substrate first main surface 42b: Substrate second main surface 43: Substrate body 44a: Substrate main body first main surface 44b: Substrate Second main surface 45 of the main body: protective layer 47: base film 48: adhesive layer
  • Substrate holder 52 Rod-like frame 53: Grasping part 61: Substrate holder 62: Plate-like frame 63: Recess 64: Opening 71: Substrate 72a: First main surface 75 of the substrate: Deposition substrate 76a: Deposition substrate First main surface 77: film formation region 78: non-film formation region T: thickness of holder unit

Abstract

　全面成膜基板の生産性を良好にする基板ホルダ、及び該基板ホルダを用いたた全面成膜基板の製造方法の提供。　第一の主面が全面成膜される基板を保持する基板ホルダであって、前記基板の主面よりも小面積の主面を有する板状部材であるユニット基体と、前記ユニット基体の第一の主面に固定され、前記基板の第二の主面に対して付着する剥離性表面を有する密着層と、から構成されるホルダユニットと、前記ユニット基体の主面よりも大面積のユニット固定面を有し、前記ユニット固定面と前記ユニット基体の第二の主面とが対面する向きで、複数個の前記ホルダユニットが前記ユニット固定面に固定された、キャリアと、を備える基板ホルダ、及びこれを用いた全面成膜基板の製造方法。

Description

基板ホルダ及びこれを用いた全面成膜基板の製造方法
　本発明は、基板ホルダ及びこれを用いた全面成膜基板の製造方法に関する。
　従来、ガラス基板などの基板に対して、反射防止膜などの種々の機能を有する膜を成膜する場合、例えば、スパッタリングが用いられる。ここで、スパッタリングとは、真空中で基板と対向配置したターゲットから放出されるターゲット粒子を、基板上に堆積させて成膜する技術である。
　スパッタリングの方式としては、ターゲットと基板とが起立した状態で成膜を行ういわゆる縦型と、両者が水平な状態で成膜を行ういわゆる横型とに大別される。さらに、横型は、基板の下方にターゲットを配置するスパッタアップ方式と、基板の上方にターゲットを配置するスパッタダウン方式とに大別される。
　これら方式のうち、スパッタダウン方式は、異物が基板上に落下して付着する可能性が他の方式に比べて高いことから、縦型スパッタ方式又はスパッタアップ方式を採用する場合が多い。
　縦型スパッタ方式又はスパッタアップ方式を採用する場合は、基板を平坦な面に載置してスパッタリングすることができないため、基板を保持する基板ホルダが使用される。
　図４は、従来の基板ホルダの一例を示す正面図である。図４に示す基板ホルダ５１は、並列配置された複数本の棒状フレーム５２を有している。棒状フレーム５２どうしは、基板７１が有する第一の主面７２ａの一方向の幅よりもわずかに幅広の間隔を形成しており、この間隔に向けて把持部５３が棒状フレーム５２と一体的に設けられている。
　基板ホルダ５１を用いて成膜を行う場合、棒状フレーム５２どうしの間に基板７１を配置して、その基板７１の縁を把持部５３に把持させる。これにより、基板７１を落下させることなく、基板７１を起立した状態又はその第一の主面７２ａを下向きにした状態で保持して、第一の主面７２ａに対して成膜できる。
　図５は、従来の基板ホルダの別の一例を示し、（Ａ）は正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＢ－Ｂ線断面図である。図５に示す基板ホルダ６１は、厚みのある板状フレーム６２を主体に構成され、板状フレーム６２には、一面側から基板７１の落とし込みを許容する凹部６３が形成されており、凹部６３の底面には、基板７１の主面よりも小面積かつ基板７１と略相似形の開口部６４が形成されている。なお、図５（Ａ）では、板状フレーム６２によって隠された第一の主面７２ａの外周が破線によって示されている。
　基板ホルダ６１を用いて成膜を行う場合、基板７１が凹部６３に落とし込まれた板状フレーム６２を、開口部６４が下向きとなる状態にするか、又は、開口部６４がやや下向きとなるように傾斜させた状態（図５（Ｂ）参照）にする。このとき、基板７１は、開口部６４が基板７１よりも小面積であるため落下することなく、第一の主面７２ａを開口部６４から露出させる。そして、開口部６４から露出した第一の主面７２ａに対して、成膜できる。
日本特開２０１１－０４６１７４号公報 日本特開２０１２－０８６５２７号公報 国際公開第２０１２／０５３５４８号
　近年、タブレット型ＰＣ（Personal Computer）やスマートフォン（以下、「スマートフォン等」ともいう）の需要が増大しており、スマートフォン等において、例えばカバーガラスとして使用されるガラス基板等の基板についても、生産性の拡大が急務である。
　スマートフォン等は、メーカーごとにサイズや形状が異なるため、使用されるガラス基板のサイズや形状もメーカーごとに異なる。さらに、同一メーカーであっても、製品ごとにガラス基板のサイズや形状が異なるうえ、その製品ライフサイクルも非常に速い。
　しかしながら、図４及び図５に基づいて説明した従来の基板ホルダにおいては、各部が固定的な構造であって、形状や構造が不変であることから、サイズや形状が異なるガラス基板に使用する場合には、その都度、別の基板ホルダを新たに用意する必要が生じる。さらに基板ホルダの交換、基板のセッティング（setting）、成膜を繰り返すのであるから、トータル（total）での生産性の低下は避けられない。
　また、スマートフォン等に使用されるガラス基板については、デザイン性等の観点から、一方の主面の全面が成膜される全面成膜の要求が高まっている。しかし、従来の基板ホルダを使用した場合には、以下に説明するように、その要求に応えることができない。
　図６は、図４の基板ホルダを用いて製造された成膜基板を示す正面図であり、図７は、図５の基板ホルダを用いて製造された成膜基板を示す正面図である。
　図４に基づいて説明したように、基板ホルダ５１を用いる場合には、基板７１の縁の一部が把持部５３に把持された状態で成膜が行われる。そのため、図６に示すように、得られる成膜基板７５の第一の主面７６ａには成膜領域７７が形成されるものの、把持部５３に把持されていた領域は、成膜されない非成膜領域７８となる。
　また、図５に基づいて説明したように、基板ホルダ６１を用いる場合には、第一の主面７２ａよりも小面積の開口部６４から露出した一部にのみ成膜が行われる。そのため、図７に示すように、得られる成膜基板７５の第一の主面７６ａの外周に、成膜領域７７を囲うような非成膜領域７８が形成される。
　このように、従来の基板ホルダでは、全面成膜を行うことができないため、現在、基板の全面成膜を行う場合には、例えば、平板状のキャリアに、両面テープ等を用いて、基板の裏面側を固定させるという手法が採用されている。
　しかし、この手法では、複数個の基板のそれぞれについて、成膜するたびに、両面テープを準備して接着させるという工程が必要となるため、工程数が著しく増加し、生産性が非常に劣る。また、器具や手で基板に触れる機会が増えることになるため、異物が付きやすくなってしまう。さらに、成膜後に両面テープを剥がした後も基板上に粘着剤の残渣等が残ってしまう、粘着剤残りの問題も生じる可能性がある。
　そこで、本発明者は、キャリアに基板の裏面側を固定させる手法として、例えば特許文献１～３に開示された硬化性シリコーン樹脂組成物に着目し、平板状のキャリア上に、この組成物を硬化させることにより硬化シリコーン樹脂層を形成することを試みた。
　しかし、複数個の基板が配置される比較的大型のキャリア面上に、硬化性シリコーン樹脂組成物を塗布し硬化させる工程は、非常に手間がかかるうえ、高コストであり、やはり、生産性向上には至らないものであった。
　本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであり、全面成膜基板の生産性を良好にする基板ホルダと、該基板を用いた全面成膜基板の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、特定の構成を有する基板ホルダを用いることで、サイズや形状が異なるガラス基板にも柔軟に対応でき、工程数や手間を軽減して、全面成膜基板を製造できることを見出し、本発明を完成させた。
　すなわち、本発明は、以下の（１）～（１０）を要旨とする。
　（１）第一の主面が全面成膜される基板を保持する基板ホルダであって、上記基板の主面よりも小面積の主面を有する板状部材であるユニット基体と、上記ユニット基体の第一の主面に固定され、上記基板の第二の主面に対して付着する剥離性表面を有する密着層と、から構成されるホルダユニットと、上記ユニット基体の主面よりも大面積のユニット固定面を有し、上記ユニット固定面と上記ユニット基体の第二の主面とが対面する向きで、複数個の上記ホルダユニットが上記ユニット固定面に固定された、キャリアと、を備えることを特徴とする基板ホルダ。
　（２）上記ホルダユニットの厚さが、０．１～１０ｍｍである、上記（１）に記載の基板ホルダ。
　（３）上記密着層が、硬化性シリコーン樹脂組成物を上記ユニット基体の第一の主面上で硬化させることにより形成された硬化シリコーン樹脂層である、上記（１）又は（２）に記載の基板ホルダ。
　（４）上記密着層の厚さが、１０～１００μｍである、上記（１）～（３）のいずれかに記載の基板ホルダ。
　（５）上記基板が、厚さ０．５～５ｍｍのガラス基板である上記（１）～（４）のいずれかに記載の基板ホルダ。
　（６）上記キャリアの厚さが、０．７～８ｍｍである上記（１）～（５）のいずれかに記載の基板ホルダ。
　（７）上記（１）～（６）のいずれかに記載の基板ホルダを用いて全面成膜基板を製造する方法であって、上記基板の第二の主面を上記剥離性表面に付着させ、上記剥離性表面に付着させた基板の第一の主面を全面成膜し、全面成膜された上記基板を上記剥離性表面から剥離する、全面成膜基板の製造方法。
　（８）上記基板が、第一の主面が全面成膜される基板本体と、上記基板本体の第二の主面側に設けられて上記基板の第二の主面を構成する保護層と、を有する保護層付き基板である、上記（７）に記載の全面成膜基板の製造方法。
　（９）上記保護層の厚さが、５～５００μｍである、上記（８）に記載の全面成膜基板の製造方法。
　（１０）上記保護層が、上記基板の第二の主面を構成するベースフィルムと、上記ベースフィルムと上記基板本体との間に配置されて上記ベースフィルムと上記基板本体とに対して付着する剥離性表面を有する粘着層と、を有する、上記（８）又は（９）に記載の全面成膜基板の製造方法。
　（１１）上記基板を密着させる際に、１つの上記基板と、この基板に隣接する他の複数の上記基板のうちの少なくとも１つと、の間に隙間を設ける、上記（７）～（１０）のいずれかに記載の全面成膜基板の製造方法。
　（１２）上記基板の重心位置を上記剥離性表面に付着させる、上記（７）～（１１）のいずれかに記載の全面成膜基板の製造方法。
　（１３）上記（７）～（１２）のいずれかに記載の全面成膜基板の製造方法により得られるガラス基板。
　本発明の基板ホルダ及びこれを用いた全面成膜基板の製造方法によれば、サイズや形状が異なるガラス基板に対しも柔軟に対応でき、工程数や手間を軽減して、全面成膜基板の生産性を良好にすることができる。
本発明の基板ホルダが基板を保持している状態の一例を示し、（Ａ）は正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ－Ａ線断面図である。 本発明の基板ホルダが基板を保持している状態の別の一例を示す正面図である。 本発明の基板ホルダが保護層付き基板を保持している状態の一例を示す断面図である。 従来の基板ホルダの一例を示す正面図である。 従来の基板ホルダの別の一例を示し、（Ａ）は正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＢ－Ｂ線断面図である。 図４の基板ホルダを用いて製造された成膜基板を示す正面図である。 図５の基板ホルダを用いて製造された成膜基板を示す正面図である。 シリコーン樹脂膜厚と付着力との関係を示すグラフである。
［基板ホルダ］
　図１は、本発明の基板ホルダが基板を保持している状態の一例を示し、（Ａ）は正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ－Ａ線断面図である。
　図１に示す基板ホルダ１１は、概略的には、複数個のホルダユニット２１と、ホルダユニット２１が固定されたキャリア３１とを主体に構成されており、複数個の基板４１を保持している。基板ホルダ１１は、保持した基板４１を垂直に起立した状態又はその第一の主面４２ａを下向きにした状態で、縦型スパッタ方式又はスパッタアップ方式によりスパッタリングが行われて、基板４１の第一の主面４２ａが成膜される。
　以下、基板４１を説明した後、基板ホルダ１１の各構成（キャリア３１、及びホルダユニット２１）について説明する。
 〔基板〕
　図１に示すように、基板４１は、一対の主面４２（第一の主面４２ａ、及び第二の主面４２ｂ）を有し、その第一の主面４２ａが全面成膜される。
　ここで、基板４１としては、例えば、スマートフォン等において、カバーガラス等として用いられるガラス基板が挙げられる。
　ガラス基板の製造方法は特に限定されず、従来公知の方法で製造できる。例えば、従来公知のガラス原料を溶解し溶融ガラスとした後、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、リドロー法、引き上げ法等によって板状に成形して製造できる。
　また、ガラス基板の組成は特に限定されず、例えば、従来公知のアルカリガラス（ソーダライムガラスなど）、無アルカリガラスなどが用いられる。このとき、ガラス基板の熱収縮率、耐薬品性等の特性も特に限定されず、その用途に応じて適宜選択できる。
　基板４１は、第一の主面４２ａ及び第二の主面４２ｂを有するものであれば、その形状は限定されないが、矩形であることが好ましい。ここで、矩形とは、実質的に略矩形であり、図１（Ａ）に示すように、周辺部の角を切り落とした（コーナーカットした）形状をも含む。
　基板４１の主面４２の大きさは限定されないが、例えば、矩形の場合は、１０ｍｍ×３０ｍｍ～１０００ｍｍ×１５００ｍｍが好ましく、３０ｍｍ×５０ｍｍ～８００ｍｍ×１０００ｍｍがより好ましい。
　また、基板４１の厚さ（図１（Ｂ）中、上下方向の長さ）は特に限定されないが、例えば、０．５～５ｍｍが好ましく、０．７～３ｍｍがより好ましい。
　なお、基板４１の主面４２は、研磨処理された研磨面でもよく、又は研磨処理されていない非エッチング面（生地面）であってもよく、用途に応じて適宜選択される。
　また、基板４１は、図３に示すように、保護層付き基板であってもよい。
　図３は、本発明の基板ホルダが保護層付き基板を保持している状態の一例を示す断面図である。図３に示すように、保護層付き基板である基板４１は、第一の主面４４ａ及び第二の主面４４ｂを有する基板本体４３と、保護層４５とからなる。基板本体４３は、第一の主面４４ａが全面成膜されるものであって、実質的に、上述した基板４１と同じものである。保護層４５は、基板本体４３の第二の主面４４ｂ側に設けられ、保護層付き基板である基板４１において、第二の主面４２ｂを構成する。
　このような保護層付き基板については、さらに詳細を後述する。
 〔キャリア〕
　図１に示すように、キャリア３１は、後述するユニット基体２４の主面２５（第一の主面２５ａ、及び第二の主面２５ｂ）よりも大面積のユニット固定面３２を有する部材である。キャリア３１のユニット固定面３２には、ユニット固定面３２とユニット基体２４の第二の主面２５ｂとが対面する向きで、１以上のホルダユニット２１が固定される。
　キャリア３１の材質としては、基板４１を保持したまま垂直状態又は水平状態を維持できる程度の強度を有するものであれば特に限定されず、工業的な入手の容易性の観点から、例えば、金属、ガラス等が好適に挙げられる。
　キャリア３１の材質として金属を採用する場合、その種類は特に制限されず、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム合金などが挙げられる。
　キャリア３１の材質としてガラスを採用する場合、その製造方法は特に限定されず、従来公知の方法で製造できる。例えば、従来公知のガラス原料を溶解し溶融ガラスとした後、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、リドロー法、引き上げ法等によって成形できる。
　また、ガラスの組成は特に限定されず、例えば、従来公知のアルカリガラス（ソーダライムガラスなど）、無アルカリガラスなどが用いられる。このとき、ガラスの熱収縮率、耐薬品性等の特性も特に限定されない。
　キャリア３１は、ユニット固定面３２を有するものであれば、その形状は限定されないが、矩形であることが好ましい。ここで、矩形とは、実質的に略矩形であり、周辺部の角を切り落とした（コーナーカットした）形状をも含む。
　キャリア３１のユニット固定面３２の大きさは、後述するユニット基体２４の主面２５（なお、この主面２５は、基板４１の主面４２よりも小面積の面である）よりも大面積であれば特に限定されず、また、使用されるスパッタリング装置の種類にもよるが、例えば、矩形の場合は、４００ｍｍ×５００ｍｍ～１２００ｍｍ×１５００ｍｍが好ましく、５００ｍｍ×６００ｍｍ～１５００ｍｍ×１８００ｍｍがより好ましい。
　また、キャリア３１の厚さ（図１（Ｂ）中、上下方向の長さ）は特に限定されないが、剛性及び重量の観点から、０．７～８ｍｍが好ましく、１．５～５ｍｍがより好ましい。
　なお、キャリア３１のユニット固定面３２は、研磨処理された研磨面でもよく、又は研磨処理されていない非エッチング面（生地面）であってもよい。
 〔ホルダユニット〕
　図１に示すように、ホルダユニット２１は、ユニット基体２４と密着層２７とから構成される。ユニット基体２４は、基板４１の主面４２よりも小面積の主面２５（第一の主面２５ａ、及び第二の主面２５ｂ）を有する板状部材である。
　密着層２７は、ユニット基体２４の第一の主面２５ａに固定され、基板４１の第二の主面４２ｂに対して剥離自在に付着する剥離性表面２８を有する層である。
　ホルダユニット２１は、そのユニット基体２４の第二の主面２５ｂとキャリア３１のユニット固定面３２とが対面する向きで、ユニット固定面３２に固定される。このようなホルダユニット２１が有する密着層２７の剥離性表面２８に、基板４１の第二の主面４２ｂを付着させることで、基板４１が基板ホルダ１１に保持される。
　図１（Ａ）の例は、複数個のホルダユニット２１を配置して複数の基板４１を保持した例である。図１（Ａ）では、各々の基板４１がそれぞれ１つのホルダユニット２１で保持されているが、１つの基板４１の保持に使うホルダユニット２１の数は、基板４１を保持できればよく、特に限定されない。もちろん、必要に応じ、複数個のホルダユニット２１で１つの基板４１を保持してもよい。例えば、基板４１のサイズが大きいケース等では、複数個のホルダユニット２１を使用することで安定した保持ができる。
　複数個のホルダユニット２１のキャリア３１上での配置は、基板４１が戴置された基板ホルダ１１を平面視したときに、基板４１どうしが重なり合わず、かつ、全ての基板４１が基板ホルダ１１内、すなわちキャリア３１のサイズ内に収まるようになっていればよい。基板４１が１枚のみの場合は、キャリア３１のサイズ内に収まっていればよい。
　基板４１の第一の主面４２ａは、基板ホルダ１１の各部による把持や被覆がなされていないため、第一の主面４２ａの全面に対して成膜できる。
　このとき、ホルダユニット２１のユニット基体２４の第二の主面２５ｂとユニット固定面３２との「固定」の付着力は、後述する密着層２７と基板４１の第二の主面４２ｂとの付着力（剥離強度）よりも強く、ユニット基体２４の第一の主面２５ａと密着層２７との付着力（剥離強度）と同等以上であればよい。
　上記のようなユニット基体２４の第二の主面２５ｂとユニット固定面３２との「固定」を実現する固定手段としては、特に限定されず、例えば、耐熱性接着剤や耐熱性を有するカプトン（登録商標）両面テープ等の従来公知の固定手段を使用できる。
　複数個のホルダユニット２１は、上記した固定手段によって、キャリア３１のユニット固定面３２に対して任意の配置で固定でき、かつ配置の変更も容易である。
　上述したように、図４及び図５に基づいて説明した従来の基板ホルダの場合、各部が固定的で形状や構造が不変であることから、サイズや形状が異なるガラス基板に対応するためには、その都度、別の基板ホルダを新たに製造する必要が生じ、生産性が非常に劣る。
　これに対して、本発明では、ホルダユニット２１の配置を任意に、かつ容易に変更できるため、後述する図２に示すように、サイズや形状が異なる複数の基板４１を同時に配置する場合にも、生産性を低下させることなく柔軟に対応できる。
　図２は、本発明の基板ホルダが基板を保持している状態の別の一例を示す正面図である。このような場合であっても、ホルダユニット２１の配置を、基板４１どうしが重なり合わないような配置に容易に変更できる。このため、別の基板ホルダを新たに製造する必要はなく、生産性が非常に優れる。
　また、図４及び図５に基づいて説明した従来の基板ホルダでは全面成膜できないため、全面成膜のためには、平板状のキャリアに両面テープ等を用いて基板を固定させるという手法が採用されている。しかし、この手法では、複数個の基板のそれぞれについて、成膜するたびに、両面テープを準備して接着させるという工程が必要となるため、工程数が著しく増加し、生産性が非常に劣る。また、基板４１を剥離する際に両面テープ等の粘着剤が基板４１上に残ってしまう場合がある。
　これに対して、本発明の基板４１は、あらかじめキャリア３１に配置されたホルダユニット２１の密着層２７の剥離性表面２８に載せるだけで保持される。また、ホルダユニット２１を含む基板ホルダ１１は繰り返し使用が可能であるため、工程数が減少し、生産性が非常に優れる。
　なお、基板４１は剥離性表面２８に載せるだけで保持されるため、不必要な基板４１への機械や人の手による接触が減って、基板４１には異物が付きにくくなる。また、両面テープ等の使用自体がなくなるため、両面テープ等の粘着剤残りの問題も解消される。
　さらに、後述するように、密着層２７として、所定の硬化性シリコーン樹脂組成物を硬化させることにより形成された硬化シリコーン樹脂層を使用できるが、例えば、キャリア３１のような大型なキャリアの全面にこの組成物を塗布して硬化させると、非常に手間がかかるうえ、高コストであり、生産性が非常に劣る。
　しかし、本発明においては、キャリア３１よりも小型のユニット基体２４の第一の主面２５ａのみに密着層２７を形成すればよい。すなわち、密着層２７を形成する面積が、大型のキャリア全面に形成する場合と比較して小さいため、所望の厚さで均一に製造しやすい。また、密着層２７を形成するために必要とされる材料も、少量で済むので低コストである。さらに、硬化性シリコーン樹脂組成物を硬化させる際にも、大型の装置を必要とせず、生産性が非常に優れる。
　なお、本発明においては、基板ホルダ１１の一部に不具合が生じても、問題のあるホルダユニット２１のみを修復や交換すればよく、基板ホルダ１１全体を交換する必要がない。このような観点からも、生産性が非常に優れる。
　図１（Ｂ）に示すように、ホルダユニット２１の厚さＴは、０．１～１０ｍｍが好ましく、０．５～５ｍｍがより好ましく、０．７～３ｍｍがさらに好ましい。
　剥離性表面２８に付着させた基板４１を剥離させる場合、通常、剥離させようとする基板４１の第二の主面４２ｂとユニット固定面３２との隙間に、指先や器具（いずれも図示せず）を入れて剥離を行う。このとき、ホルダユニット２１の厚さＴが薄すぎると、隙間に指先等を入れづらくなり、剥離のハンドリング（handling）性が劣る場合がある。
　一方、ホルダユニット２１の厚さＴが厚い場合には、剥離のハンドリング性は改善されるが、厚すぎると、スパッタリングの際に、ターゲットから放出されるターゲット粒子が、基板４１の第一の主面４２ａのみならず、第二の主面４２ｂにも堆積（以下、「裏回り」ともいう）して、第二の主面４２ｂにも成膜されてしまう。そうすると、基板４１を加工する際に不具合が生じたり、基板４１の歩留まりが低下したりするおそれがある。
　ホルダユニット２１の厚さＴが上記範囲内であれば、剥離のハンドリング性を良好に維持しつつ、ターゲット粒子の裏回りも実用上問題がない程度に抑制できるため、好ましい。
　以下、ホルダユニット２１を構成するユニット基体２４及び密着層２７について、より詳細に説明する。
　〈ユニット基体〉
　ユニット基体２４は、基板４１の主面４２よりも小面積の主面２５（第一の主面２５ａ、及び第二の主面２５ｂ）を有する板状部材であり、例えば、ガラス基板が挙げられる。
　ガラス基板の製造方法は特に限定されず、従来公知の方法で製造できる。例えば、従来公知のガラス原料を溶解し、溶融ガラスとした後、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、リドロー法、引き上げ法等によって板状に成形して製造できる。
　また、ガラス基板の組成は特に限定されず、例えば、従来公知のアルカリガラス（ソーダライムガラスなど）、無アルカリガラスなどが利用できる。このとき、ガラス基板の熱収縮率、耐薬品性等の特性も特に限定されない。
　なお、本発明においては、ユニット基体２４や上述したキャリア３１などにおいて、ガラス基板（ガラス）を用いる場合、その耐熱性は高いことが好ましい。具体的には、サンプルを空気雰囲気下、１０℃毎分のスピードで加熱して行った場合の重量減量がサンプル重量の５％を超えるときの温度を、５％加熱重量減温度と定義し、この温度が３００℃以上であることが好ましく、３５０℃以上であることがより好ましい。
　ユニット基体２４は、第一の主面２５ａ及び第二の主面２５ｂを有する板状部材であれば、その形状は限定されないが、矩形であることが好ましい。ここで、矩形とは、実質的に略矩形であり、周辺部の角を切り落とした（コーナーカットした）形状をも含む。
　ユニット基体２４の主面２５の大きさは、基板４１の主面４２よりも小面積であれば特に限定されない。例えば、矩形の場合は、１０ｍｍ×１０ｍｍ～２００ｍｍ×２００ｍｍが好ましく、５０ｍｍ×５０ｍｍ～１００ｍｍ×１００ｍｍがより好ましい。
　ユニット基体２４の厚さ（図１（Ｂ）中、上下方向の長さ）は、密着層２７の厚さが、例えば１０～１００μｍと相対的に薄いため、実質的にホルダユニット２１の厚さＴを構成するものである。具体的には、ユニット基体２４の厚さは０．１～１０ｍｍであるのが好ましく、０．５～５ｍｍであるのがより好ましく、０．７～３ｍｍであるのがさらに好ましい。
　なお、ユニット基体２４の主面２５は、研磨処理された研磨面でもよく、又は研磨処理されていない非エッチング面（生地面）であってもよい。
　〈密着層〉
　密着層２７は、ユニット基体２４の第一の主面２５ａに固定され、基板４１の第二の主面４２ｂに対して剥離自在に密着する剥離性表面２８を有する層である。
　密着層２７は、例えば、硬化性シリコーン樹脂組成物を、ユニット基体２４の第一の主面２５ａ上で、硬化させることにより形成されたシリコーン樹脂層（以下、硬化シリコーン樹脂層ともいう）であると、基板と密着させることで十分な付着力が得られるので、好ましい。
　以下、硬化シリコーン樹脂層としての密着層２７について説明する。
　密着層２７は、ユニット基体２４の第一の主面２５ａ上に固定され、基板４１が保持された基板ホルダ１１においては、基板４１の第二の主面４２ｂに密着し、付着力を発生させている。基板４１の第二の主面４２ｂと密着層２７との間の剥離強度は、ユニット基体２４の第一の主面２５ａと密着層２７との間の剥離強度よりも低いことが必要である。すなわち、基板４１とユニット基体２４とを分離する際には、基板４１の第二の主面４２ｂと密着層２７との界面で剥離し、ユニット基体２４の第一の主面２５ａと密着層２７との界面では剥離しにくいことが必要である。
　このため、密着層２７は基板４１の第二の主面４２ｂと付着するが、基板４１を容易に剥離することができる表面特性を有する。すなわち、密着層２７は、基板４１の第二の主面４２ｂに対してある程度の結合力で付着して、基板４１の位置ずれなどを防止していると同時に、基板４１を剥離する際には、基板４１を破壊することなく、容易に剥離できる結合力で付着している。
　本発明では、この密着層２７の表面（剥離性表面２８）の容易に剥離できる性質を剥離性という。一方、ユニット基体２４の第一の主面２５ａと密着層２７とは相対的に剥離しがたい結合力で付着している。
　密着層２７と基板４１とは、上記した剥離性を備えるために、機械的結合であるアンカー効果や、化学的相互作用のような強固な結合によってではなく、密着層２７中の分子と基板４１とが近接することで発生するファンデルワールス（Van der Waals force）力によって結合していることが好ましい。
　一方、密着層２７のユニット基体２４の第一の主面２５ａに対する付着力は、基板４１の第二の主面４２ｂに対する付着力よりも相対的に高い。本発明では、基板４１の第二の主面４２ｂに対する結合を「付着」ともいい、ユニット基体２４の第一の主面２５ａに対する結合を「固定」ともいう。
　密着層２７の基板４１の第二の主面４２ｂに対する剥離強度を相対的に低くし、密着層２７のユニット基体２４の第一の主面２５ａに対する剥離強度を相対的に高くするために、硬化性シリコーン樹脂組成物をユニット基体２４の第一の主面２５ａ上で硬化させて硬化シリコーン樹脂からなる密着層２７を形成し、その後に硬化シリコーン樹脂からなる密着層２７に基板４１を載せて密着させ、付着させることが好ましい。
　本発明において、使用される硬化シリコーン樹脂自体は、剥離紙などに使用される非粘着性の硬化シリコーン樹脂と同様の樹脂であり、基板４１と付着させても剥離強度は低い。しかし、硬化前の硬化性シリコーン樹脂組成物を、ユニット基体２４の第一の主面２５ａ上に塗布すると、硬化性シリコーン樹脂組成物が、ユニット基体２４の第一の主面２５ａ上に存在する微小な凹凸や孔に沿って入り込んだ状態になる。その状態で硬化性シリコーン樹脂組成物を硬化させると、ユニット基体２４（第一の主面２５ａ）と硬化性シリコーン樹脂組成物との相互作用、例えばアンカー効果が発生し、硬化後の硬化シリコーン樹脂と第一の主面２５ａとの剥離強度は高くなると考えられる。
　また、硬化性シリコーン樹脂組成物をユニット基体２４の第一の主面２５ａ上に塗布した後に硬化させることで、形成される密着層２７の付着面積（接地面積）は、後に単に載せられるだけである基板４１の第二の主面４２ｂに対するそれよりも、ユニット基体２４の第一の主面２５ａに対するそれの方が、大きくなるものと考えられる。したがって、基板４１とユニット基体２４とが同じ材質（例えばガラス）からなるものであっても、密着層２７と基板４１間、密着層２７とユニット基体２４間のそれぞれにおける剥離強度を異なるようにできる。
　なお、基板４１の第二の主面４２ｂに対する剥離強度と、ユニット基体２４の第一の主面２５ａに対する剥離強度に差を設けた密着層２７の形成は、上記方法に限られるものではない。例えば、硬化シリコーン樹脂に対する結合力が基板４１よりも高い材質のユニット基体２４を使用できる。また、ユニット基体２４の第一の主面２５ａの結合力を高める処理を施すことで、密着層２７に対する剥離強度を向上できる。具体的には、例えば、ガラス基板であるユニット基体２４の第一の主面２５ａを、常圧プラズマ、コロナ、ＵＶ（紫外線）／オゾンなどに曝すことによって、シラノール基の濃度を高めて、密着層２７との付着力を向上できる。
　このような硬化シリコーン樹脂層の形成に用いられる硬化性シリコーン樹脂組成物としては特に限定されない。例えば、従来公知の硬化性シリコーン樹脂組成物を使用できる。具体例としては、アルケニル基を１分子あたり少なくとも２個有する線状オルガノポリシロキサン（ａ）と、ケイ素原子に結合した水素原子を１分子あたり少なくとも３個有し、かつ、上記ケイ素原子に結合した水素原子の少なくとも１個が分子末端のケイ素原子に存在している線状オルガノポリシロキサン（ｂ）とを含む硬化性シリコーン樹脂組成物；（Ａ）アルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサンと、（Ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンと、（Ｃ）白金系触媒とを少なくとも含有し、上記（Ｃ）成分の含有量が、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の合計量に対して、白金換算で９００～３０００質量ｐｐｍである、付加反応で硬化するオルガノポリシロキサン組成物；第１温度を超える第２温度での加熱により架橋反応する架橋部位をシリコーン部分に有するポリイミドシリコーン、及び前記第２温度より低い第１温度での乾燥により揮発する溶媒を含む、樹脂組成物；等が挙げられる。
　具体的には、例えば、特許文献１（日本特開２０１１－０４６１７４号公報）の段落［００４１］～［００６１］に記載された「硬化性シリコーン樹脂組成物」、特許文献２（日本特開２０１２－０８６５２７号公報）の段落［００１８］～［００４５］に記載された「オルガノポリシロキサン組成物」、特許文献３（国際公開第２０１２／０５３５４８号）の段落［００１６］～［０１２３］に記載された「樹脂組成物」等が好適に使用できる。
　（硬化シリコーン樹脂層の形成）
　まず、硬化性シリコーン樹脂組成物を、ユニット基体２４の第一の主面２５ａに塗布して硬化性シリコーン樹脂組成物の層を形成し、次いで硬化性シリコーン樹脂組成物を硬化させて硬化シリコーン樹脂層を形成する。
　硬化性シリコーン樹脂組成物を硬化させる条件としては、使用されるオルガノポリシロキサンなどの種類によって、適宜最適な条件が選択される。典型的には、加熱温度としては５０～３００℃が好ましく、処理時間としては５～３００分が好ましい。
　なお、硬化性シリコーン樹脂組成物の塗布方法は、特に限定されず、従来公知の方法が用いられる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法等が挙げられる。
　また、硬化シリコーン樹脂層の形成は上記方法には限定されるものではない。例えば、硬化性シリコーン樹脂組成物を、ユニット基体２４の第一の主面２５ａに、滴下等により塗布した後、その上に、硬化後の硬化シリコーン樹脂層が付かないような離型処理が施された離型処理基板を載せ、硬化性シリコーン樹脂組成物の層を離型処理基板とユニット基体２４との間に挟持した状態で、上記した条件で硬化を行なってもよい。硬化性シリコーン樹脂組成物中に揮発成分があると、揮発成分がガスとなって溜まり、発泡してしまう懸念があるので、揮発性成分を含まないものであるのが好ましい。離型処理としては、従来公知の処理を利用でき、例えば、フッ素系離型剤やシリコーン系離型剤などが用いられる。なお、硬化後、使用された離型処理基板は剥離される。
　硬化シリコーン樹脂層である密着層２７の厚さとしては、１０～１００μｍが好ましく、３０～８０μｍがより好ましい。
　基板４１の付着力は、密着層２７の剥離性表面２８と基板４１との付着力と、付着面積との積であらわされる。
　密着層２７の剥離性表面２８と基板４１との付着力は、密着層２７が薄いほど大きくなる傾向がある（図８）。
　一方、硬化シリコーン樹脂層が１０μｍより薄いと、基板４１を剥離性表面２８に載せただけでは密着せず、十分な付着力が発生しない場合がある。これは、硬化シリコーン樹脂層が薄すぎると、その柔軟性が不足して、載せただけの基板４１には、剥離性表面２８が十分に接触しないためと考えられる。
　また、硬化シリコーン樹脂層が厚い場合には、柔軟性が増すため、基板４１を載せただけで密着するようになるが、１００μｍより厚いと、剥離性表面２８の基板４１に対する付着力が小さくなる。これは、硬化シリコーン樹脂層が厚すぎると、硬化時の熱収縮の影響が大きくなり、剥離性表面２８の凹凸が過大となって、基板４１との接触面積が減少するためと考えられる。
　しかしながら、硬化シリコーン樹脂層の厚さが上記範囲内であれば、基板４１を載せただけで密着し、また、その付着力も優れる。
　なお、本発明において、硬化シリコーン樹脂層である密着層２７の厚さは、触針式表面形状測定器（商品名：Ｄｅｋｔａｋ３０３０、Ｖｅｅｃｏ社製）により測定した。
　硬化シリコーン樹脂層である密着層２７の剥離性表面２８の面積は、基板４１の付着力の大きさ及び基板４１の着脱の容易さという観点から、基板４１の第二の主面４２ｂの面積に対して、１０～９９％であるのが好ましく、２０～９０％であるのがより好ましい。
　ここで、基板４１の付着力の大きさは、（密着層２７の剥離性表面２８と基板４１との単位面積あたりの付着力）×（付着面積）であらわされる。
　密着層２７の剥離性表面２８と基板４１との付着力は、密着層２７が薄いほど大きくなる。一方、上記した通り、密着層２７が薄くなるほど柔軟性の不足等により基板４１と密着するのに時間がかかる。すなわち、実用的な面からは、短時間で基板が密着すること、及びその密着で十分な付着力が得られることの両者を満たす、好ましい密着層２７の厚さ範囲が存在する。
　なお、硬化シリコーン樹脂層である密着層２７の基板４１に対する剥離強度は、上述した厚さや面積によらず、０．１～１．５Ｎ／２５ｍｍであるのが好ましく、０．５～１．２Ｎ／２５ｍｍであるのがより好ましい。
　本発明では、剥離強度は、次の測定方法により表される。
　２５ｍｍ×５０ｍｍ角のユニット基体２４（厚さ＝約１．１～１．３ｍｍ）の第一の主面２５ａの全面に、硬化シリコーン樹脂層である密着層２７（厚さ＝約２０～４０μｍ）を形成し、２５ｍｍ×７５ｍｍ角の基板４１（厚さ＝約１．１～１．３ｍｍ）を一方の２５ｍｍ辺を一致させて密着させたものをサンプルとする。次いで、このサンプルのユニット基体２４の第二の主面２５ｂを、両面テープで台の端に固定したうえで、基板４１のはみ出している部分（２５ｍｍ×２５ｍｍ）の中央部を、デジタルフォースゲージ（商品名：ＮＰ－２００、イマダ社製）を用いて垂直に突き上げ、剥離強度を測定する。
　また、硬化シリコーン樹脂層である密着層２７は、脱ガスを抑制する等の観点から、耐熱性を有するのが好ましい。具体的には、その熱分解開始温度が、基板４１を密着させた状態で、１２０℃以上が好ましく、１５０℃以上がより好ましく、１８０℃以上がさらに好ましく、特に、１８０℃以上２８０℃以下が好ましい。
　なお、熱分解開始温度は、次のように測定できる。
　５０ｍｍ角のユニット基体２４（厚さ＝約１．１～１．３ｍｍ）上に、硬化シリコーン樹脂層（厚さ＝約２０～４０μｍ）を形成し、同じく５０ｍｍ角の基板４１（厚さ＝約１．１～１．３ｍｍ）を、さらに積層した物（積層体）を評価サンプルとする。次いで、このサンプルを１００℃に加熱したホットプレートに載置し、１０℃毎分の昇温速度で加熱し、サンプル内に発泡現象が確認された温度を熱分解開始温度と定義する。
［全面成膜基板の製造方法］
　本発明の基板ホルダ１１を用いて全面成膜基板を製造する方法（以下、「本発明の全面成膜基板の製造方法」ともいう）について説明を行う。
　本発明の全面成膜基板の製造方法は、概略的には、まず、基板４１の第二の主面４２ｂを密着層２７の剥離性表面２８に密着させる。これにより、基板４１は基板ホルダ１１に保持されるが、このとき、基板４１の重心位置を剥離性表面２８に密着させるのが好ましい。これにより、基板が確実に密着して必要な付着力が得やすくなり、また基板が垂直や下向きになった場合でも基板保持が良好になる。
　また、基板４１を密着させる際、図１（Ａ）及び図２に示すように、１つの基板４１と、この基板４１に隣接する他の複数の基板４１のうちの少なくとも１つと、の間に隙間を設けるようにするのが好ましい。基板４１どうしが重なり合わないようにできるだけでなく、密着させ付着した基板４１を剥離させるきっかけとして、この隙間に指先や器具を入れることができるからである。この隙間の距離としては、使用する器具や指が入り込みを許容する距離であれば特に限定されない。
　次に、付着させた基板４１の第一の主面４２ａに対して全面成膜を行う。
　全面成膜の方法としては、特に限定されないが、上述した理由から、縦型スパッタ方式又はスパッタアップ方式のスパッタリングを採用するのが好ましい。このとき、基板ホルダ１１の各部による把持や被覆がなされていないため、第一の主面４２ａの全面に対して成膜を行うことができる。
　その後、全面成膜された基板４１を、密着層２７の剥離性表面２８から剥離する。このとき、例えば、隣り合う基板４１どうしの隙間から、基板４１の第二の主面４２ｂとユニット固定面３２との間（図１（Ｂ）参照）に指先を入れ、基板４１の縁に指先を引っ掛けるようにして、基板４１を剥離させる。これにより、全面成膜された基板４１が得られる。
　ここで、基板ホルダ１１に対する基板４１の密着及び剥離の順序（方向）としては、例えば、図１（Ａ）中、上段に位置するホルダユニット２１から基板４１の付着を行ない、反対に、下段の基板４１から剥離すると、膜欠陥を少なくすることができる。
　なお、基板ホルダ１１は繰り返し使用が可能であるが、使用回数が増えるに従い、キャリア３１のユニット固定面３２に、スパッタリングによるターゲット粒子が堆積する。堆積したターゲット粒子が発塵等の原因となり得ることから、繰り返し使用回数は、２０～１００回程度であるのが好ましく、５０～１００回がより好ましい。
　また、本発明の全面成膜基板の製造方法においては、基板４１として図３に示すような保護層付き基板を用いてもよい。すなわち、保護層４５が構成する基板４１の第二の主面４２ｂを、密着層２７の剥離性表面２８に密着させるようにして、基板４１を保持してもよい。これにより、基板ホルダ１１と基板４１とを含めた厚さの合計（以下、「総厚」ともいう）は少し大きくなるが、ターゲット粒子の裏回りが許されない場合に好適である。
　成膜完了後に保護層付き基板である基板４１を基板ホルダ１１から剥離した後、保護層４５を剥離して、基板本体４３の第二の主面４４ｂを露出させる。このため、基板本体４３の第二の主面４４ｂに接する保護層４５は、基板本体４３の第二の主面４４ｂに対して、剥離自在に密着する剥離性表面を有するのが好ましい。すなわち、保護層４５と基板本体４３の第二の主面４４ｂとの間の剥離強度は、保護層４５と密着層２７の剥離性表面２８との間の剥離強度よりも大きいことが好ましい。
　このような保護層４５としては、例えば、図３に示すように、基板４１の第二の主面４２ｂを構成するベースフィルム４７と、ベースフィルム４７と基板本体４３との間に配置されて、ベースフィルム４７と基板本体４３とに対して密着する剥離性表面を有する粘着層４８と、を有するものが挙げられる。この場合、保護層４５が有する粘着層４８を基板本体４３の第二の主面４４ｂに貼り付けて使用する。
　ベースフィルム４７としては、耐熱性及び自己支持性を有する公知のフィルムを使用できる。例えば、ポリエステル系、ポリ塩化ビニル系などのフィルムが挙げられる。
　粘着層４８としては、例えば、耐熱性を有する公知の粘着剤からなる層が挙げられ、アクリル系、ポリウレタン系、シリコーン系等の粘着剤を利用するのが好ましい。
　別の保護層４５の形態として、基板本体４３の第二の主面４４ｂ上に、ウエットコートで保護層４５を形成してもよい。例えば、ポリビニルエステル系の樹脂を基板本体４３上に塗布し、加熱により硬化させることで形成できる。このとき、保護層４５としては、例えば、アクリル系ＵＶ硬化樹脂（商品名：ＧＥＲ－３０００、太陽インキ社製）などのＵＶ硬化型樹脂も利用できる。
　なお、保護層４５は、保護層４５と基板本体４３の第二の主面４４ｂとの間の剥離強度が、保護層４５と密着層２７の剥離性表面２８との間の剥離強度よりも大きくできればよく、上記したものに限定されない。
　保護層４５の厚さは、５～５００μｍが好ましく、２０～３００μｍがより好ましく、３０～２００μｍがさらに好ましい。保護層４５の厚さが５μｍ以上であれば、剥離性表面を有する保護層４５を困難なく形成できる。また、保護層４５の厚さが５００μｍ以下であれば、低コストで保護層４５を形成できる。
　以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定して解釈されるものではない。実験例Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩのいずれもが実施例である。
［実験例Ｉ及びＩＩ］
 〔硬化性シリコーン樹脂組成物の調製〕
　まず、特許文献１（日本特開２０１１－０４６１７４号公報）の段落［０１０２］、［０１０３］、［０１０７］及び［０１０９］に記載された方法と同様にして、オルガノハイドロジェンシロキサン及びアルケニル基含有シロキサンとを含む硬化性シリコーン樹脂組成物を調製した。
 〔ホルダユニットの製造〕
　次に、ガラス基板（商品名：ドラゴントレイル（登録商標）、旭硝子社製、以下同様）であるユニット基体２４（１００ｍｍ×１００ｍｍ）の第一の主面２５ａに、硬化性シリコーン樹脂組成物を滴下した。なお、ユニット基体２４の厚さは下記第１表に示す。また、組成物の滴下量は実験例Ｉと実験例ＩＩとで変更した。
　滴下した組成物上に、ユニット基体２４と同じサイズ形状のガラス基板（図示せず）を載せた。載せたガラス基板は、シリコーンオイル系離型剤（商品名：ジメチルポリシロキサン・ＳＨ２００、東レ・ダウコーニング社製）による離型処理済みの離型処理基板である。
　その後、２００℃にて３０分間大気中で加熱硬化して、硬化シリコーン樹脂層である密着層２７を形成した。形成後、離型処理基板を剥離することで、ユニット基体２４の第一の主面２５ａに密着層２７が固定されたホルダユニット２１を、３個製造した。
 〔基板ホルダの製造〕
　次に、ガラス基板であるキャリア３１（７３０ｍｍ×９２０ｍｍ、厚さ：１．３ｍｍ）のユニット固定面３２に、ホルダユニット２１のユニット基体２４の第二の主面２５ｂを固定した。固定には、カプトン両面テープ（商品名：Ｐ－２２３、日東電工社製）を用いた。これにより、基板ホルダ１１を製造した。
 〔評価（初期）〕
　次に、製造した基板ホルダ１１が有するホルダユニット２１の密着層２７の剥離性表面２８に、ガラス基板である基板４１（１３０ｍｍ×２４０ｍｍ、厚さ：１．３ｍｍ）の第二の主面４２ｂを載せて、下記のように評価を行なった。結果を表１に示す。
　〈密着するまでの時間［秒］〉
　剥離性表面２８と基板４１の第二の主面４２ｂとの接地面積の広がりが、目視により、止まった時点で「密着が完了」したと判断し、この時点までの時間を測定した。
　〈密着面積［％］〉
　基板４１の第二の主面４２ｂを剥離性表面２８に載せて密着が完了した時点での剥離性表面２８の面積に対する密着面積を評価した。
　〈保持性〉
　基板４１が密着層２７に密着した状態で基板ホルダ１１を起立させて、後述するようにして縦型スパッタ方式で成膜を行い、基板４１が落下しなければ「○」と評価し、落下した場合には「×」と評価した。
　なお、実験例Ｉ及びＩＩにおいて、密着層２７の基板４１に対する剥離強度は、いずれも、０．７７～１．２０Ｎ／２５ｍｍであった。
 〔成膜〕
　次に、基板４１が保持された基板ホルダ１１を起立させて、いわゆる縦型スパッタ方式で、成膜を行なった。具体的には、真空槽内にＴｉＯｘ（１＜ｘ＜２）ターゲットをスパッタターゲット（Sputtering Target）としてカソード上に設置し、真空槽を１．３×１０－３Ｐａ以下となるまで排気した。次いで、スパッタガスとしてアルゴンガス９６ｓｃｃｍと酸素ガス４ｓｃｃｍとの混合ガスを導入した。このとき、圧力は５．７×１０－１Ｐａとなった。この状態で、ＤＣパルス電源を用いて反応性スパッタリング法を行い、真空槽内に設置した基板ホルダ１１に保持された基板４１の第一の主面４２ａ上に、ＴｉＯ２層を形成した。第一の主面４２ａ上には、ＴｉＯ２層が全面成膜された。
 〔評価（１０回後）〕
　上記成膜後、基板４１を剥離し、再び同様に基板４１を基板ホルダ１１に付着させて成膜を行なった。このような付着、成膜、剥離の流れを１０回繰り返し、その後における密着層２７の保持性について、上記評価（初期）と同様に評価を行なった。結果を表１に示す。
　なお、「１０回後」の「密着面積」は、「初期」の「密着面積」を１００％として算出したものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　上記第１表に示す結果から、いずれも、密着層２７の基板４１に対する保持性が優れることが分かった。
［実験例ＩＩＩ］
　次に、実験例Ｉ及びＩＩと同様のガラス基板を基板本体４３として、この基板本体４３の第二の主面４４ｂに、ポリエステルフィルムであるベースフィルム４７（厚さ：３８μｍ）にアクリル系粘着剤からなる粘着層４８（厚さ：２８μｍ）が付いている保護層４５（商品名：ＥＣ－９００００ＡＳＬ、スミロン社製）を貼り付けて、基板４１とした。
　続いて、基板ホルダ１１が有するホルダユニット２１の密着層２７の剥離性表面２８に、保護層付き基板である基板４１の保護層４５が構成する第二の主面４２ｂを載せて、以下のような評価を行った。
　上述した実験例Ｉと同様にして、５個のホルダユニット２１を製造し、基板ホルダ１１を製造した。このとき、下記第２表に示すように、ユニット基体２４の厚さを変更することで、ホルダユニット２１の厚さＴを変化させた。
 〔評価（１０回後）〕
　上記と同様にして、密着、成膜、剥離の流れを１０回繰り返し、その後における裏回りと剥離ハンドリング（handling）とについて、以下のように評価を行った。結果を表２に示す。
　〈裏回り〉
　各々のホルダユニット２１において、全面成膜された基板４１を１０個製造した。このうち、いずれの基板４１にも、第二の主面４２ｂへの成膜が目視により確認されなかった場合には、裏回りが抑制できたものとして「○」と評価し、１個以上の基板４１の第二の主面４２ｂに成膜が確認された場合には、裏回りの抑制にやや劣るものとして「△」と評価した。
　〈剥離ハンドリング〉
　基板４１の剥離を行う際に、各々のホルダユニット２１において、剥離に要した時間を測定した。剥離に要する時間は剥離強度（付着力の大小）×基板ハンドリングのし易さ、で決まり、剥離に要した平均時間が５秒未満であれば、剥離ハンドリングに優れるものとして「○」と評価し、５秒以上であれば、剥離ハンドリングにやや劣るものとして「△」と評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示す結果から、実験例ＩＩＩ－２～４は、ユニット基体２４の厚さを３ｍｍ未満とすることで、裏回りが抑制され、剥離ハンドリングにも優れていた。一方、実験例ＩＩＩ－１は剥離ハンドリングがやや劣り、実験例ＩＩＩ－５は裏回りの抑制にやや劣ることが分かった。
　なお、実験例ＩＩＩ－５においては、保護層付き基板である基板４１の第二の主面４２ｂに膜の付着が確認されたが、成膜完了後に基板４１を基板ホルダ１１から剥離した後、保護層４５を剥離することで、成膜されていない基板本体４３の第二の主面４４ｂを露出させることができた。
　このように保護膜を使うことで剥離ハンドリングの容易さと膜の裏周り防止が両立できる。
　本発明の基板ホルダ及び全面成膜基板の製造方法は、使用されるガラス基板のサイズや形状が異なるガラス基板に対しても柔軟に対応でき、工程数や手間を軽減することが可能で、生産性、経済性にも優れており、タブレット型ＰＣやスマートフォン等のカバーガラスとして使用されるガラス基板の製造に利用可能である。
　なお、２０１２年１２月２１日に出願された日本特許出願２０１２－２８００７９号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
１１：基板ホルダ
２１：ホルダユニット
２４：ユニット基体
２５：ユニット基体の主面
２５ａ：ユニット基体の第一の主面
２５ｂ：ユニット基体の第二の主面
２７：密着層
２８：剥離性表面
３１：キャリア
３２：ユニット固定面
４１：基板
４２：基板の主面
４２ａ：基板の第一の主面
４２ｂ：基板の第二の主面
４３：基板本体
４４ａ：基板本体の第一の主面
４４ｂ：基板本体の第二の主面
４５：保護層
４７：ベースフィルム
４８：粘着層
５１：基板ホルダ
５２：棒状フレーム
５３：把持部
６１：基板ホルダ
６２：板状フレーム
６３：凹部
６４：開口部
７１：基板
７２ａ：基板の第一の主面
７５：成膜基板
７６ａ：成膜基板の第一の主面
７７：成膜領域
７８：非成膜領域
Ｔ：ホルダユニットの厚さ

Claims (13)

  1. 　第一の主面が全面成膜される基板を保持する基板ホルダであって、
    　前記基板の主面よりも小面積の主面を有する板状部材であるユニット基体と、前記ユニット基体の第一の主面に固定され、前記基板の第二の主面に対して付着する剥離性表面を有する密着層と、から構成されるホルダユニットと、
    　前記ユニット基体の主面よりも大面積のユニット固定面を有し、前記ユニット固定面と前記ユニット基体の第二の主面とが対面する向きで、複数個の前記ホルダユニットが前記ユニット固定面に固定された、キャリアと、
    を備えることを特徴とする基板ホルダ。
  2. 　前記ホルダユニットの厚さが、０．１～１０ｍｍである、請求項１に記載の基板ホルダ。
  3. 　前記密着層が、硬化性シリコーン樹脂組成物を前記ユニット基体の第一の主面上で硬化させることにより形成された硬化シリコーン樹脂層である、請求項１又は２に記載の基板ホルダ。
  4. 　前記密着層の厚さが、１０～１００μｍである、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板ホルダ。
  5. 　前記基板が、厚さ０．５～５ｍｍのガラス基板である請求項１～４のいずれか１項に記載の基板ホルダ。
  6. 　前記キャリアの厚さが、０．７～８ｍｍである請求項１～５のいずれか１項に記載の基板ホルダ。
  7. 　請求項１～６のいずれか１項に記載の基板ホルダを用いて全面成膜基板を製造する方法であって、
    　前記基板の第二の主面を前記剥離性表面に付着させ、
    　前記剥離性表面に付着させた基板の第一の主面を全面成膜し、
    　全面成膜された前記基板を前記剥離性表面から剥離する、
    全面成膜基板の製造方法。
  8. 　前記基板が、第一の主面が全面成膜される基板本体と、前記基板本体の第二の主面側に設けられて前記基板の第二の主面を構成する保護層と、を有する保護層付き基板である、請求項７に記載の全面成膜基板の製造方法。
  9. 　前記保護層の厚さが、５～５００μｍである、請求項８に記載の全面成膜基板の製造方法。
  10. 　前記保護層が、前記基板の第二の主面を構成するベースフィルムと、前記ベースフィルムと前記基板本体との間に配置されて前記ベースフィルムと前記基板本体とに対して付着する剥離性表面を有する粘着層と、を有する、請求項８又は９に記載の全面成膜基板の製造方法。
  11. 　前記基板を密着させる際に、１つの前記基板と、当該基板に隣接する他の複数の前記基板のうちの少なくとも１つと、の間に隙間を設ける、請求項７～１０のいずれか１項に記載の全面成膜基板の製造方法。
  12. 　前記基板の重心位置を前記剥離性表面に付着させる、請求項７～１１のいずれか１項に記載の全面成膜基板の製造方法。
  13. 　請求項７～１２のいずれか１項に記載の全面成膜基板の製造方法により得られるガラス基板。
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