TW201430160A - 基板支持件及使用其之整面成膜基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係提供一種使整面成膜基板之生產性為良好之基板支持件及使用該基板支持件之整面成膜基板之製造方法。本發明係一種基板支持件及使用其之整面成膜基板之製造方法，該基板支持件為保持第一主面會被整面成膜之基板者，且具備：支持單元，係由單元基體與固定於前述單元基體之第一主面上之密著層所構成，該單元基體為板狀零件，其具有面積較前述基板之主面更小的主面，且該密著層具有對前述基板之第二主面附著的剝離性表面；及載體，具有面積較前述單元基體之主面更大的單元固定面，且複數個前述支持單元係以前述單元固定面與前述單元基體之第二主面呈面對面的方向，固定於前述單元固定面上。

Description

基板支持件及使用其之整面成膜基板之製造方法 發明領域

本發明係有關基板支持件及使用其之整面成膜基板之製造方法。

發明背景

以往，在對玻璃基板等基板，成膜抗反射膜等具有各種功能之膜的情況下，可使用例如濺鍍。在此，所謂濺鍍，係使在真空中自與基板對向配置之靶材放出之靶材粒子，堆積於基板上進行而成膜的技術。

濺鍍的方式，可大致分為在靶材與基板為立起狀態下進行成膜之縱型，及在兩者為水平狀態下進行成膜之橫型。再者，橫型可大致分為於基板下方配置靶材之上濺鍍(sputter up)方式，及於基板上方配置靶材之下濺鍍(sputter down)方式。

在此等方式中，下濺鍍方式係由於異物掉落在基板上而附著的可能性與其他方式相比較高，因此採用縱型濺鍍方式或上濺鍍方式的情況較多。

在採用縱型濺鍍方式或上濺鍍方式的情況下，由於無法將基板載置於平坦之面上進行濺鍍，因此使用可保持基 板之基板支持件。

圖4係表示習知基板支持件之一例的正面圖。圖4所示之基板支持件51具有經並列配置之複數根的棒狀框架52。棒狀框架52彼此係形成有寬度較基板71具有之第一主面72a之一方向稍寬的間隔，且把持部53係朝向此間隔以與棒狀框架52成為一體的方式設置。

在使用基板支持件51進行成膜的情況下，於棒狀框架52彼此間配置基板71，使該基板71之邊緣被把持部53把持住。藉此，可在不會讓基板71落下，使基板71立起的狀態或其第一主面72a朝下的狀態保持住，對第一主面72a進行成膜。

圖5係表示習知基板支持件之其他例，(A)為正面圖，(B)為(A)之B-B線剖面圖。圖5所示之基板支持件61為以具厚度之板狀框架62為主體所構成，於板狀框架62形成有可自一面側容許基板71放入之凹部63，且於凹部63之底面形成有面積較基板71之主面更小且與基板71略相似形狀之開口部64。另外，在圖5(A)，被板狀框架62遮蔽之第一主面72a的外緣係以虛線表示。

在使用基板支持件61進行成膜的情況下，係使基板71被放入至凹部63之板狀框架62，成為開口部64朝下的狀態，或者成為使開口部64微微朝下之傾斜的狀態(參考圖5(B))。此時，基板71由於開口部64的面積較基板71小而不會落下，且第一主面72a會自開口部64露出。然後，可對自開口部64露出之第一主面72a進行成膜。

先行技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-046174號公報

專利文獻2：日本特開2012-086527號公報

專利文獻3：國際公開第2012/053548號

發明概要

近年，平板型電腦(Personal Computer)或智慧型手機(以下稱為「智慧型手機等」)的需要增加，在智慧型手機等，例如關於被使用作為蓋玻璃之玻璃基板等基板，生產性之擴大乃為急務。

智慧型手機等，係由於大小或形狀依各製造商而不同，因此所使用之玻璃基板的大小或形狀亦依各製造商而不同。再者，即使為同一製造商，不僅各製品之玻璃基板的大小或形狀會不同，該製品壽命週期亦非常短。

然而，在根據圖4及圖5所說明之習知的基板支持件，由於各部為固定性構造，形狀或構造為不變，因此在使用尺寸或形狀不同之玻璃基板的情況下，每次都有要重新準備不同基板支持件的必要。再者由於要重複進行基板支持件之交換、基板之設置(setting)、成膜，因此無法避免整體(total)之生產性的降低。

此外，關於被使用於智慧型手機等之玻璃基板，從設計性等的觀點，其中一主面的整面被進行成膜之整面成膜的要求持續增加。然而，在使用習知之基板支持件的 情況下，如以下說明，係無法回應該要求。

圖6係表示使用圖4之基板支持件所製造之成膜基板的正面圖，圖7係表示使用圖5之基板支持件所製造之成膜基板的正面圖。

如根據圖4所作之說明，在使用基板支持件51的情況下，係在基板71邊緣的一部分被把持部53把持的狀態下進行成膜。因此，如圖6所示，雖然係於所製得之成膜基板75之第一主面76a形成成膜區域77，但被把持部53把持的區域，則成為沒有被成膜之非成膜區域78。

此外，如根據圖5所作之說明，在使用基板支持件61的情況下，係僅於自面積較第一主面72a小之開口部64露出的一部分進行成膜。因此，如圖7所示，係在所製得之成膜基板75之第一主面76a的外緣，形成如同包圍成膜區域77之非成膜區域78。

如此，以習知之基板支持件來說，由於不能進行整面成膜，則現在在進行基板之整面成膜的情況下，係採用例如使用雙面膠帶等，使基板之背面側固定於平板狀之載體，的手法。

然而，以此手法，則就複數個基板之各個基板來說，由於每次成膜都必須進行準備雙面膠帶以使接著的步驟，因此步驟數顯著增加，而生產性非常差。此外，由於以器具或手接觸基板的機會增加，因此異物會變得容易附著。再者，亦會產生於成膜後剝離雙面膠帶後在基板上仍殘留黏著劑殘渣等黏著劑殘留之問題的可能性。

在此，本發明人等，作為使基板之背面側固定於載體的手法，係著眼於例如專利文獻1至3所揭示之硬化性聚矽氧樹脂組成物，其係嘗試於平板狀之載體上，藉由使此組成物硬化來形成硬化聚矽氧樹脂層。

然而，在配置有複數個基板之較大型的載體面上，塗布硬化性聚矽氧樹脂組成物並使其硬化的步驟，不僅非常費工，且為高成本，果然為無法達到生產性提升者。

本發明係有鑑於以上各點者，目的在於提供使整面成膜基板之生產性為良好之基板支持件，及使用該基板之整面成膜基板之製造方法。

本發明人等為了達成上述目的而努力檢討之結果，發現藉由使用具有特定構成之基板支持件，可柔性對應尺寸或形狀不同之玻璃基板，而可減少步驟數或工夫來製造整面成膜基板，而得以完成本發明。

亦即，本發明係以以下之(1)至(10)為要點。

(1)一種基板支持件，係保持第一主面會被整面成膜之基板者；該基板支持件之特徵在於具備：支持單元，係由單元基體與固定於上述單元基體之第一主面上之密著層所構成，該單元基體為板狀零件，其具有面積較上述基板之主面更小的主面，且該密著層具有對上述基板之第二主面附著的剝離性表面；及載體，具有面積較上述單元基體之主面更大的單元固定面，且複數個上述支持單元係以上述單元固定面與上述單元基體之第二主面呈面對面的方向， 固定於上述單元固定面上。

(2)如上述(1)所記載之基板支持件，其中上述支持單元之厚度為0.1~10mm。

(3)如上述(1)或(2)所記載之基板支持件，其中上述密著層為硬化聚矽氧樹脂層，且該硬化聚矽氧樹脂層係使硬化性聚矽氧樹脂組成物在上述單元基體之第一主面上硬化而形成者。

(4)如上述(1)至(3)中任一項所記載之基板支持件，其中上述密著層的厚度為10~100μm。

(5)如(1)至(4)中任一項所記載之基板支持件，其中上述基板係厚度0.5~5mm的玻璃基板。

(6)如(1)至(5)中任一項所記載之基板支持件，其中上述載體的厚度為0.7~8mm。

(7)一種整面成膜基板之製造方法，係使用如(1)至(6)中任一項所記載之基板支持件來製造整面成膜基板者；該方法係使上述基板之第二主面附著於上述剝離性表面上；將已附著於上述剝離性表面上之基板的第一主面進行整面成膜；將已整面成膜之上述基板自上述剝離性表面剝離。

(8)如(7)所記載之整面成膜基板之製造方法，其中上述基板為附保護層之基板，其具有基板本體與保護層，該基板本體之第一主面會被整面成膜，而該保護層係設置於上述基板本體之第二主面側而構成上述基板之第二主面。

(9)如(8)所記載之整面成膜基板之製造方法，其中上述保護層的厚度為5~500μm。

(10)如(8)或(9)所記載之整面成膜基板之製造方法，其中上述保護層具有：構成上述基板之第二主面的基底薄膜；及，黏著層，其係配置於上述基底薄膜與上述基板本體之間，且具有對上述基底薄膜與上述基板本體附著之剝離性表面。

(11)如(7)至(10)中任一項所記載之整面成膜基板之製造方法，其於使上述基板密著時，會在1個上述基板與鄰接該基板之其他多數上述基板中的至少1個基板之間設置空隙。

(12)如(7)至(11)中任一項所記載之整面成膜基板之製造方法，其係使上述基板之重心位置附著於上述剝離性表面。

(13)一種玻璃基板，係利用如(7)至(12)中任一項所記載之整面成膜基板之製造方法而製得者。

根據本發明之基板支持件及使用其之整面成膜基板之製造方法，即使對於尺寸或形狀不同之玻璃基板亦可柔性地對應，而可減少步驟數或工夫，使整面成膜基板之生產性為良好。

11‧‧‧基板支持件

21‧‧‧支持件單元

24‧‧‧單元基體

25‧‧‧單元基體之主面

25a‧‧‧單元基體之第一主面

25b‧‧‧單元基體之第二主面

27‧‧‧密著層

28‧‧‧剝離性表面

31‧‧‧載體

32‧‧‧單元固定面

41‧‧‧基板

42‧‧‧基板之主面

42a‧‧‧基板之第一主面

42b‧‧‧基板之第二主面

43‧‧‧基板本體

44a‧‧‧基板本體之第一主面

44b‧‧‧基板本體之第二主面

45‧‧‧保護層

47‧‧‧基底薄膜

48‧‧‧黏著層

51‧‧‧基板支持件

52‧‧‧棒狀框架

53‧‧‧把持部

61‧‧‧基板支持件

62‧‧‧板狀框架

63‧‧‧凹部

64‧‧‧開口部

71‧‧‧基板

72a‧‧‧基板之第一主面

75‧‧‧成膜基板

76a‧‧‧成膜基板之第一主面

77‧‧‧成膜區域

78‧‧‧非成膜區域

T‧‧‧支持件單元之厚度

圖1係表示本發明之基板支持件保持基板之狀態的一例，(A)為正面圖，(B)為(A)之A-A線剖面圖。

圖2係表示本發明之基板支持件保持基板之狀態之其他例的正面圖。

圖3係表示本發明之基板支持件保持著附保護層之基板之狀態之一例的剖面圖。

圖4係表示習知之基板支持件之一例的正面圖。

圖5係表示習知之基板支持件之其他例，(A)為正面圖，(B)為(A)之B-B線剖面圖。

圖6係表示使用圖4之基板支持件所製造之成膜基板的正面圖。

圖7係表示使用圖5之基板支持件所製造之成膜基板的正面圖。

圖8係表示聚矽氧樹脂膜厚與附著力之關係的圖。

用以實施發明之形態

[基板支持件]

圖1係表示本發明之基板支持件保持基板之狀態的一例，(A)為正面圖，(B)為(A)之A-A線剖面圖。

圖1所示之基板支持件11概略而言，係由複數個支持件單元21，與固定有支持件單元21之載體31構成主體，且保持有複數個基板41。基板支持件11係在使保持的基板41為垂直起立狀態或其第一主面42a為朝下的狀態，藉由縱型濺鍍方式或上濺鍍方式進行濺鍍，使基板41之第一主面42a成膜。

以下，在說明基板41後，說明關於基板支持件11之各構成(載體31及支持件單元21)。

[基板]

如圖1所示，基板41具有一對主面42(第一主面42a及第二主面42b)，且其第一主面42a會被整面成膜。

在此，作為基板41，可舉出例如在智慧型手機等，被使用作為蓋玻璃等的玻璃基板。

玻璃基板之製造方法無特別限定，可藉由以往公知之方法製造。例如，可在將以往公知之玻璃原料熔解為熔融玻璃後，藉由浮製法、熔融法、流孔下引法、再延伸法、引上法等成形為板狀進行製造。

此外，玻璃基板之組成係無特別限定，可使用例如以往公知之鹼玻璃(鈉鈣玻璃等)、無鹼玻璃等。此時，玻璃基板之熱收縮率、耐藥性等特性亦無特別限定，可因應用途適當選擇。

基板41係只要為具有第一主面42a與第二主面42b者，其形狀並無特別限定，但以為矩形為佳。在此，所謂矩形，實質上為略矩形，如圖1(A)所示，亦包含切下周緣部之角(已去角)的形狀。

基板41之主面42大小無特別限定，例如在矩形的情況下，以10mm×30mm~1000mm×1500mm為佳，以30mm×50mm~800mm×1000mm為較佳。

此外，基板41之厚度(圖1(B)中，上下方向的長度)無特別限定，例如以0.5~5mm為佳，以0.7~3mm為較佳。

另外，基板41之主面42係可為經研磨處理之研磨面，亦可為未研磨處理之非蝕刻面(未處理面)，應因應用途進行適當選擇。

此外，基板41係如圖3所示，亦可為附保護層之基板。

圖3係表示本發明之基板支持件保持著附保護層之基板之狀態之一例的剖面圖。如圖3所示，為附保護層之基板之基板41，係由具有第一主面44a及第二主面44b之基板本體43，及保護層45所構成。基板本體43為第一主面44a會被整面成膜者，實質上為與上述基板41相同者。保護層45係被設置於基板本體43之第二主面44b側，且在為附保護層基板之基板41，係構成第二主面42b。

關於如此之附保護層之基板，於之後進一步說明詳細內容。

[載體]

如圖1所示，載體31係具有面積較後述之單元基體24之主面25(第一主面25a、及第二主面25b)大之單元固定面32的零件。在載體31之單元固定面32上，係以單元固定面32與單元基體24之第二主面25b面對面的方向，固定有1個以上的支持件單元21。

作為載體31的材質，只要為具有可保持住基板41並維持在垂直狀態或水平狀態程度之強度者便無特別限定，從工業上入手之容易性的觀點，可舉出例如金屬、玻璃等。

在載體31之材質採用金屬的情況下，其種類係無特別限制，可舉出例如不鏽鋼、鋁合金等。

在載體31之材質採用玻璃的情況下，其製造方法係無特別限定，可使用以往公知的方法製造。例如，可在將以往公知之玻璃原料熔解為熔融玻璃後，藉由浮製法、熔融法、流孔下引法、再延伸法、引上法等進行成形。

此外，玻璃的組成係無特別限定，可使用例如以往公知之鹼玻璃(鈉鈣玻璃等)、無鹼玻璃等。此時，玻璃的熱收縮率、耐藥性等特性亦無特別限定。

載體31係雖只要為具有單元固定面32者，其形狀便無特別限定，但以為矩形為佳。在此，所謂矩形，實質上為略矩形，亦包含切下周緣部之角(已去角)的形狀。

載體31之單元固定面32之大小係只要面積較後述之單元基體24之主面25(另外，此主面25為面積較基板41之主面42小的面)大便無特別限定，此外，亦與所使用之濺鍍裝置的種類有關，例如在矩形的情況下，以400mm×500mm~1200mm×1500mm為佳，以500mm×600mm~1500mm×1800mm為較佳。

此外，載體31之厚度(圖1(B)中，上下方向的長度)無特別限定，但從剛性及重量的觀點來看，以0.7~8mm為佳，以1.5~5mm為較佳。

另外，載體31之單元固定面32係可為經研磨處理之研磨面，亦可為未研磨處理之非蝕刻面(未處理面)。

[支持件單元]

如圖1所示，支持件單元21係由單元基體24與密著層27所構成。單元基體24為具有面積較基板41之主面42小之主面25(第一主面25a、及第二主面25b)的板狀零件。

密著層27為被固定於單元基體24之第一主面25a，且具有對基板41之第二主面42b以可自由剝離方式附著之剝離性表面28的層。

支持件單元21，其單元基體24之第二主面25b與載體31之單元固定面32係以面對面的方向，被固定於單元固定面32。藉由使基板41之第二主面42b附著於如此之支持件單元21所具有之密著層27的剝離性表面28的方式，使基板41被基板支持件11保持。

圖1(A)的例係配置複數個支持件單元21來保持複數之基板41之例。在圖1(A)中，各個基板41係分別被1個支持件單元21所保持，但用以保持1個基板41所使用之支持件單元21的數量，只要可保持基板41即可，並無特別限定。當然，因應必要，亦可用複數個基板支持件21保持1個基板41。例如，在基板41之尺寸很大的案例等中，藉由使用複數個基板支持件21的方式可穩定保持。

複數個支持件單元21在載體31上的配置，係於將載置有基板41之基板支持件11進行平面視時，基板41彼此不會重疊，且所有基板41可被收容在基板支持件11內，亦即可被收容在載體31之尺寸內即可。在基板41僅有1個的情況下，只要有收容在載體31之尺寸內即可。

基板41之第一主面42a，由於不會被基板支持件11之各部把持或包覆，因此可對第一主面42a的整面進行成膜。

此時，支持件單元21之單元基體24的第二主面25b與單元固定面32之「固定」的附著力，只要為較後述之密著層27與基板41之第二主面42b的附著力(剝離強度)更強，且與單元基體24之第一主面25a與密著層27的附著力(剝離強度)為同等以上即可。

作為實現如上述之單元基體24之第二主面25b與單元固定面32之「固定」的固定手段係無特別限定，例如可使用耐熱性接著劑或具有耐熱性之KAPTON(註冊商標)雙面膠帶等以往公知的固定手段。

複數個支持件單元21係可藉由上述之固定手段，對載體31之單元固定面32以任意的配置固定，且配置的變更亦為容易。

如上述，在根據圖4及圖5所說明之習知的基板支持件的情況下，由於各部為固定且形狀或構造為不變，因此為了對應尺寸或形狀不同之玻璃基板，每次都必須重新製造其他的基板支持件，故生產性非常差。

對此，在本發明中，由於支持件單元21之配置可任意且容易進行變更，因此如後述之圖2所示，即使在同時配置尺寸或形狀不同之複數基板41的情況下，亦可柔性地對應而不會使生產性降低。

圖2係表示本發明之基板支持件保持基板之狀態之其他例的正面圖。即使在如此之情況下，支持件單元21之配置，亦可容易變更為使基板41彼此不會重疊的配置。因此，沒有重新製造其他基板支持件的必要，故生產性非常優良。

此外，由於以根據圖4及圖5所說明之習知的基板支持件無法整面成膜，因此為了整面成膜，係採用在平板狀載體使用雙面膠帶等固定基板的手法。然而，在此手法中，由於就複數個基板之各個基板，每次成膜都需要準備 雙面膠帶進行接著的步驟，因此步驟數明顯增加，而使生產性非常差。此外，於剝離基板41時會有雙面膠帶等黏著劑殘留在基板41上的情況。

對此，本發明之基板41只要放在已預先配置於載體31之支持件單元21之密著層27的剝離性表面28便可被保持。此外，包含支持件單元21之基板支持件11由於可重複使用，因此步驟數會減少，故生產性非常優良。

另外，由於基板41只要放在剝離性表面28便可被保持，故可減少機械或人手對基板41之不必要的接觸，使異物難以附著在基板41上。此外，由於不用使用雙面膠帶等，因此雙面膠帶等的黏著劑殘留問題亦可被消解。

再者，如後述，密著層27雖可使用藉由使預定之硬化性聚矽氧樹脂組成物硬化而形成之硬化聚矽氧樹脂層，但例如若在如載體31之大型載體的整面塗布此組成物並使其硬化，不僅非常費工，且為高成本，故生產性非常差。

然而，在本發明中，僅需於較載體31小型之單元基體24之第一主面25a形成密著層27即可。亦即，形成密著層27的面積，由於與形成在大型載體之整面的情況相比為較小，因此容易以預期之厚度均一進行製造。此外，用以形成密著層27所需的材料，亦僅需少量故為低成本。再者，在使硬化性聚矽氧樹脂組成物硬化時，亦不需要大型裝置，故生產性非常優良。

另外，在本發明中，即使基板支持件11的一部分 產生問題，亦僅需修復或更換有問題的支持件單元21，沒有必要更換整個基板支持件11。從如此之觀點來看，生產性亦為非常優良。

如圖1(B)所示，支持件單元21之厚度T係以0.1~10mm為佳，以0.5~5mm為較佳，以0.7~3mm為更佳。

在將附著於剝離性表面28之基板41剝離的情況下，通常，會於欲剝離之基板41之第二主面42b與單元固定面32之縫隙，插入指尖或器具(皆不圖示)進行剝離。此時，若支持件單元21之厚度T太薄，則縫隙難以使指尖等插入，會有剝離之操作(handling)性不良的情況。

另一方面，在支持件單元21之厚度T為厚的情況下，雖然剝離之操作性會被改善，但若太厚，則在濺鍍時，自靶材放出的靶材粒子，不僅會堆積在基板41之第一主面42a，亦會堆積在第二主面42b(以下亦稱為「繞至後方」)，而在第二主面42b亦進行成膜。如此一來，會有在基板41進行加工時產生問題，或基板41之產率降低的疑慮。

基板支持件21之厚度T若在上述範圍內，則由於可在維持剝離之操作性良好的同時，亦將靶材粒子繞至後方的情形抑制到在實用上沒有問題的程度，因此為佳。

以下，關於構成支持件單元21之單元基體24及密著層27，進行更詳細的說明。

<單元基體>

單元基體24係具有面積較基板41之主面42小之主面25(第一主面25a、及第二主面25b)的板狀零件，可舉出例如 玻璃基板。

玻璃基板之製造方法係無特別限定，可藉由以往公知之方法製造。例如，可在將以往公知之玻璃原料熔解為熔融玻璃後，藉由浮製法、熔融法、流孔下引法、再延伸法、引上法等成形為板狀進行製造。

此外，玻璃基板之組成係無特別限定，可使用例如以往公知之鹼玻璃(鈉鈣玻璃等)、無鹼玻璃等。此時，玻璃基板之熱收縮率、耐藥性等特性亦無特別限定。

另外，在本發明中，於單元基體24或上述之載體31等使用玻璃基板(玻璃)的情況下，其耐熱性以高為佳。具體而言，將在使樣本於空氣環境下，以每分鐘10℃之速度進行加熱的情況下重量損失量超過樣本重量之5%時的溫度，定義為5%加熱重量損失溫度，且此溫度以300℃以上為佳，以350℃以上為較佳。

單元基體24，係只要為具有第一主面25a及第二主面25b的板狀零件，其形狀便不被限定，但以為矩形為佳。在此，所謂矩形，實質上為略矩形，亦包含切下周緣部之角(已去角)的形狀。

單元基體24之主面25的大小，係只要面積較基板41之主面42小便無特別限定。例如在矩形的情況下，以10mm×10mm~200mm×200mm為佳，以50mm×50mm~100mm×100mm為較佳。

單元基體24之厚度(圖1(B)中，上下方向的長度)，係由於密著層27的厚度相對上較薄，例如為10~100μm，因此為 實質上構成支持件單元21之厚度T者。具體而言，單元基體24之厚度以為0.1~10mm為佳，以為0.5~5mm為較佳，以為0.7~3mm為更佳。

另外，單元基體24之主面25係可為經研磨處理之研磨面，亦可為未研磨處理之非蝕刻面(未處理面)。

<密著層>

密著層27係被固定於單元基體24之第一主面25a，且具有對基板41之第二主面42b以可自由剝離方式附著之剝離性表面28的層。

密著層27係例如使硬化性樹之組成物，在單元基體24之第一主面25a上，藉由硬化的方式所形成的聚矽氧樹脂層(以下亦稱為硬化聚矽氧樹脂層)，且藉由使與基板密著的方式可獲得充分的附著力，因此為佳。

以下，說明有關為硬化聚矽氧樹脂層之密著層27。

密著層27係在被固定於單元基體24之第一主面25a上，且保持有基板41之基板支持件11中，密著於基板41之第二主面42b，而產生有附著力。基板41之第二主面42b與密著層27之間的剝離強度，必須較單元基體24之第一主面25a與密著層27之間的剝離強度低。亦即，在分離基板41與單元基體24時，有在基板41之第二主面42b與密著層27的界面剝離，且在單元基體24之第一主面25a與密著層27的界面難以剝離的必要。

因此，密著層27雖與基板41之第二主面42b附著，但具 有可容易剝離基板41之表面特性。亦即，密著層27對基板41之第二主面42b係以一定程度的結合力附著，在防止基板41之位置偏移等的同時，以於剝離基板41時不會破壞基板41可容易剝離之結合力附著。

在本發明，將此密著層27之表面(剝離性表面28)的可容易剝離性質稱為剝離性。另一方面，單元基體24之第一主面25a與密著層27係以相對上難以剝離的結合力附著。

密著層27與基板41為了具備上述之剝離性，不以藉由為機械性結合之定錨效應或如化學性相互作用之強固結合進行結合，而係以藉由透過使密著層27中之分子與基板41靠近而產生之凡得瓦力(Van der Waals force)進行結合為佳。

另一方面，密著層27之對單元基體24之第一主面25a的附著力，係相對上較對基板41之第二主面42b的附著力高。在本發明中，亦將對基板41之第二主面42b的結合稱為「附著」，將對單元基體24之第一主面25a的結合稱為「固定」。

為了使密著層27對基板41之第二主面42b的剝離強度相對上降低，並使密著層27對單元基體24之第一主面25a的剝離強度相對上提高，係以使硬化性聚矽氧樹脂組成物在單元基體24之第一主面25a上硬化而形成由硬化聚矽氧樹脂構成的密著層27，且於其後將基板41放在由硬化聚矽氧樹脂構成的密著層27上使其密著而附著的方式為佳。

在本發明中，所使用之硬化聚矽氧樹脂本身，係與被使用於剝離紙等非黏著性之硬化聚矽氧樹脂相同的樹脂， 因此即使與基板41附著，剝離強度亦低。然而，若將硬化前之硬化性聚矽氧樹脂組成物塗布在單元基體24之第一主面25a上，則硬化性聚矽氧樹脂組成物會成為進入存在於單元基體24之第一主面25a上之微小凹凸或孔的狀態。若在此狀態使硬化性聚矽氧樹脂組成物硬化，則可預期會發生單元基體24(第一主面25a)與硬化性聚矽氧樹脂組成物之相互作用，例如發生定錨效應，而使硬化後之硬化性聚矽氧樹脂組成物與第一主面25a的剝離強度變高。

此外，藉由在將硬化性聚矽氧樹脂組成物塗布於單元基體24之第一主面25a後使其硬化的方式，所形成之密著層27之附著面積(接觸面積)，係可預期相較於對之後單純僅為放上去之基板41之第二主面42b的附著面積，其對單元基體24之第一主面25a的附著面積為較大者。因此，即使基板41為與單元基體24相同之材質(例如玻璃)所構成者，亦可使密著層27與基板41之間、密著層27與單元基體24之間之各別的剝離強度為不同。

另外，在對基板41之第二主面42b的剝離強度，與對單元基體24之第一主面25a的剝離強度有差異之密著層27的形成，係不被上述方法所限定。例如，可使用對硬化聚矽氧樹脂之結合力較基板41高之材質的單元基體24。此外，藉由實施提高單元基體24之第一主面25a之結合力的處理，可提升對密著層27的剝離強度。具體而言，例如，將為玻璃基板之單元基體24之第一主面25a，藉由暴露於常壓電漿、電暈、UV(紫外線)/臭氧等方式，可提高矽醇基的 濃度，而提升與密著層27的附著力。

在如此之硬化聚矽氧樹脂層之形成所使用的硬化性聚矽氧樹脂組成物係無特別限定。例如，可使用以往公知之硬化性聚矽氧樹脂組成物。作為具體例，可舉出：硬化性聚矽氧樹脂組成物，其含有每個分子至少具有2個烯基之線狀有機聚矽氧烷(a)，及線狀有機聚矽氧烷(b)，係每分子至少具有3個與矽原子結合之氫原子，且至少1個與上述矽原子結合之氫原子存在於分子末端之矽原子上；有機聚矽氧烷組成物，其係藉由加成反應硬化而成，且至少含有：(A)具有烯基之直鏈狀有機聚矽氧烷，(B)具有與矽原子鍵結之氫原子的有機聚矽氧烷，及(C)白金類觸媒，係相對於上述(A)成分及上述(B)成分之合計量，上述(C)成分的含有量以白金換算為900~3000質量ppm；樹脂組成物，其含有聚醯亞胺矽氧，係於矽氧部分具有藉由以超過第1溫度之第2溫度加熱進行交聯反應之交聯部位；及會因以較前述第2溫度低之第1溫度進行乾燥而揮發的溶媒等。

具體而言，適合使用例如專利文獻1(日本特開2011-046174號公報)之段落[0041]~[0061]所記載的「硬化性聚矽氧樹脂組成物」、專利文獻2(日本特開2012-086527號公報)之段落[0018]~[0045]所記載的「有機聚矽氧烷組成物」、專利文獻3(國際公開第2012/053548號)之段落[0016]~[0123]所記載的「樹脂組成物」。

(硬化聚矽氧樹脂層之形成)

首先，將硬化性聚矽氧樹脂組成物塗布於單元基體24 之第一主面25a而形成硬化性聚矽氧樹脂組成物的層，接著使硬化性聚矽氧樹脂組成物硬化而形成硬化聚矽氧樹脂層。

使硬化性聚矽氧樹脂組成物硬化的條件，係依據所使用之有機聚矽氧烷等的種類選擇最適宜的條件。典型上，加熱溫度以50~300℃為佳，處理時間以5~300分鐘為佳。

另外，硬化性聚矽氧樹脂組成物之塗布方法係無特別限定，可使用以往公知的方法。例如，可舉出噴塗法、膜具塗布法、旋塗法、浸漬塗布法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹版印刷法等。

此外，硬化聚矽氧樹脂層之形成係不被限定為上述方法。例如，亦可在將硬化性聚矽氧樹脂組成物，於單元基體24之第一主面25a藉由滴下等進行塗布後，於其上放置已實施不會附著至硬化後之硬化聚矽氧樹脂層之離型處理的離型處理基板，在將硬化性聚矽氧樹脂組成物的層挾持於離型處理基板與單元基體24之間的狀態，以上述之條件進行硬化。由於若硬化性聚矽氧樹脂組成物中有揮發成分，則有揮發成分變成氣體而積蓄並造成發泡的懸念，因此以為不含有揮發性成分者為佳。離型處理可利用以往公知的處理，例如，可使用氟類離型劑或聚矽氧類離型劑等。另外，硬化後，所使用之離型處理基板會被剝離。

為硬化聚矽氧樹脂層之密著層27的厚度，係以10~100μm為佳，以30~80μm為較佳。

基板41之附著力，係以密著層27之剝離性表面28與基 板41之附著力，與附著面積的積來表示。

密著層27之剝離性表面28與基板41之附著力，係有密著層27越薄則越大的傾向(圖8)。

另一方面，若硬化聚矽氧樹脂層薄於10μm，則會有僅將基板41放置在剝離性表面28上而不會密著，故無法產生充分之附著力的情況。此被認為原因在於若硬化聚矽氧樹脂層太薄，則其柔軟性不足，因此剝離性表面28無法充分接觸僅為放置上去的基板41。

此外，在硬化性聚矽氧樹脂層很厚的情況下，由於柔軟性增加，因此僅將基板41放上便可密著，但若厚於100μm，則剝離性表面28對基板41的附著性會變小。此被認為原因在於若硬化聚矽氧樹脂層太厚，則硬化時之熱收縮的影響變大，使剝離性表面28之凹凸變得過大，而使與基板41的接觸面積變小。

然而，只要硬化聚矽氧樹脂層的厚度在上述範圍內，則僅將基板41放上便可密著，此外，其附著力亦為優良。

另外，在本發明中，為硬化聚矽氧樹脂層之密著層27的厚度，係藉由探針式輪廓儀(商品名：Dektak3030，Veeco公司製)進行測定。

為硬化聚矽氧樹脂層之密著層27之剝離性表面28的面積，從基板41之附著力大小及基板41之裝卸容易度的觀點來看，係相對於基板41之第二主面42b的面積，以為10~99%為佳，以為20~90%為較佳。

在此，基板41之附著力大小，係以(密著層27之剝離性 表面28與基板41之單位面積的附著力)×(附著面積)表示。

密著層27之剝離性表面28與基板41的附著力，係當密著層27越薄則越大。另一方面，如同上述，密著層27越薄則會由於柔軟性不足等使其與基板41在密著上花費更多時間。亦即，從實用性上來看，存在有適宜之密著層27的厚度範圍，可同時滿足在短時間使基板密著，及其密著可獲得充分之附著力。

另外，為硬化聚矽氧樹脂層之密著層27對基板41的剝離強度，係無關於上述之厚度或面積，而以為0.1~1.5N/25mm為佳，以為0.5~1.2N/25mm為較佳。

在本發明中，剝離強度係藉由以下之測定方法表示。

以下述者為樣本：在25mm×50mm四方之單元基體24(厚度=約1.1~1.3mm)之第一主面25a的整面，形成為硬化聚矽氧樹脂層之密著層27(厚度=約20~40μm)，且使25mm×75mm四方之基板41(厚度=約1.1~1.3mm)對齊其中一25mm的邊而密著。接著，將該樣本之單元基體24之第二主面25b，以雙面膠帶固定於台座的邊緣，再將基板41之露出部分(25mm×25mm)的中央部，使用電子推拉力計(商品名：NP-200，IMADA公司製)垂直往上推，測定剝離強度。

此外，為硬化聚矽氧樹脂層之密著層27，從抑制除氣等觀點來看，係以有耐熱性為佳。具體而言，其熱分解開始溫度，在使基板41密著的狀態下，係以120℃以上為佳，以150℃以上為較佳，以180℃以上為更佳，尤其以180℃以上280℃以下為佳。

另外，熱分解開始溫度，可如以下方式測定。

在50mm四方之單元基體24(厚度=約1.1~1.3mm)上，形成硬化聚矽氧樹脂層(厚度=約20~40μm)，且再積層同樣為50mm四方之基板41(厚度=約1.1~1.3mm)，將此積層而成之物(積層體)作為評價樣本。接著，將此樣本載置於已加熱至100℃之加熱板，以每分鐘10℃之升溫速度加熱，將於樣本內確認到發泡現象的溫度定義為熱分解開始溫度。

[整面成膜基板之製造方法]

說明關於使用本發明之基板支持件11製造整面成膜基板的方法(以下亦稱為「本發明之整面成膜基板之製造方法」)。

本發明之整面成膜基板之製造方法，概略而言，首先，使基板41之第二主面42b密著於密著層27之剝離性表面28。藉此，基板41會被基板支持件11保持，此時，以使基板41之重心位置密著於剝離性表面28為佳。藉此，基板會確實地密著而容易獲得必要的支持力，此外即使在基板為垂直或朝下的情況下基板保持亦為良好。

此外，在使基板41密著時，如圖1(A)及圖2所示，以在1個基板41，及與此基板41相鄰之其他複數基板41中至少1個之間設置縫隙為佳。原因在於不僅可使基板41彼此不會重疊，亦可作為將已使密著而附著之基板41剝離的起點，使指尖或器具進入此縫隙。此縫隙的距離，只要為容許使用之器具或手指進入的距離便無特別限定。

接著，對附著之基板41之第一主面42a進行整面 成膜。

作為整面成膜的方法係無特別限定，但從上述之理由，以採用縱型濺鍍方式或上濺鍍方式之濺鍍為佳。此時，由於沒有被基板支持件11之各部把持或包覆，因此可對第一主面42a的整面進行成膜。

之後，將經整面成膜之基板41，自密著層27之剝離性表面28剝離。此時，例如，自相鄰之基板41彼此間的縫隙，將指尖插入基板41之第二主面42b與單元固定面32之間(參照圖1(B))，以用指尖勾住基板41之邊緣的方式，將基板41剝離。藉此，可製得經整面成膜的基板41。

在此，基板41對基板支持件11之密著及剝離的順序(方向)，例如，圖1(A)中，自位於上段之基板支持件21進行基板41之附著，相反的，若自下段之基板41進行剝離，則可使膜缺陷減少。

另外，基板支持件11雖可重複使用，但隨著使用次數增加，於載體31之單元固定面32會堆積濺鍍產生的靶材粒子。由於堆積之靶材粒子有可能會成為發塵等的原因，因此重複使用次數以在20~100次左右為佳，以在50~100次為較佳。

此外，在本發明之整面成膜基板之製造方法中，基板41亦可使用如圖3所示之附保護層之基板。亦即，亦可藉由使保護膜45構成之基板41的第二主面42b，密著於密著層27之剝離性表面28的方式，來保持基板41。藉此，包含基板支持件11與基板41之厚度的合計(以下亦稱為「總厚」) 會變得稍大，但在不允許靶材粒子繞至後方的情況下為適宜。

於成膜結束後將為附保護層之基板的基板41自基板支持件11剝離後，剝離保護層45，使基板本體43之第二主面44b露出。因此，與基板本體43之第二主面44b相接的保護層45，係對基板本體43之第二主面44b，以具有以可自由剝離的方式進行密著的剝離性表面為佳。亦即，保護層45與基板本體43之第二主面44b之間的剝離強度，以較保護層45與密著層27之剝離性表面28之間的剝離強度大為佳。

如此之保護層45，可舉出例如，如圖3所示，具有構成基板41之第二主面42b的基底薄膜47；及黏著層48，其係配置於基底薄膜47與基板本體43之間，且具有對基底薄膜47與基板本體43附著之剝離性表面。在此情況下，將保護層45具有之黏著層48黏貼至基板本體43之第二主面44b來使用。

基底薄膜47，係可使用具有耐熱性及自承性(self supporting)之公知的薄膜。例如，可使用聚酯類、聚氯乙烯類等薄膜。

黏著層48，係可舉出例如具有耐熱性之公知的黏著劑所構成的層，以利用丙烯酸類、聚胺甲酸酯類、聚矽氧類等黏著劑為佳。

其他保護層45的形態，亦可為於基板本體43之第二主面44b上，以濕塗布形成保護層45。例如，可將聚乙烯酯類樹脂塗布在基板本體43上，以藉由加熱硬化的方式形 成。此時，保護層45亦可利用例如丙烯酸類UV硬化樹脂(商品名：GER-3000，太陽INK公司製)等UV硬化型樹脂。

另外，保護層45係只要為可使保護層45與基板本體43之第二主面44b之間的剝離強度，較保護層45與密著層27之剝離性表面28之間的剝離強度大者即可，而不被上述者所限定。

保護層45的厚度以5~500μm為佳，以20~300μm為較佳，以30~200μm為更佳。只要保護層45的厚度為5μm以上，便可簡單形成具有剝離性表面之保護層45。此外，只要保護層45的厚度為500μm以下，便可用低成本形成保護層45。

實施例

以下，舉出實施例以具體說明本發明。然而，本發明不被此等所限定及解釋。實驗例I、II、III之任一者皆為實施例。

[實驗例I及II]

[硬化性聚矽氧樹脂組成物之調製]

首先，以與專利文獻1(日本特開2011-046174號公報)之段落[0102]、[0103]、[0107]、及[0109]所記載之方法同樣的方式，調製含有有機氫矽氧烷及含烯基矽氧烷的硬化性聚矽氧樹脂組成物。

[支持件單元之製造]

接著，在為玻璃基板(商品名：Dragontrail(註冊商標)，旭硝子公司製，以下相同)之單元基體24(100mm×100mm)之第一主面25a，滴下硬化性聚矽氧樹脂組成物。另外，單 元基體24的厚度如下述表1所示。此外，組成物之滴下量係於實驗例I與實驗例II進行變更。

於滴下之組成物上，放置與單元基體24相同尺寸形狀的玻璃基板(不圖示)。放置之玻璃基板，為已藉由聚矽氧油類離型劑(商品名：二甲基聚矽氧烷‧SH200，TORAY DOW CORNING公司製)進行離型處理的離型處理基板。

之後，以200℃且30分鐘於大氣中進行加熱硬化，而形成為硬化聚矽氧樹脂層之密著層27。形成後，藉由將離型處理基板剝離，而製造3個密著層27被固定於單元基體24之第一主面25a的支持件單元21。

[基板支持件之製造]

接著，於為玻璃基板之載體31(730mm×920mm，厚度：1.3mm)的單元固定面32，固定支持件單元21之單元基體24之第二主面25b。固定時使用KAPTON雙面膠帶(商品名：P-223，日東電工公司製)。藉此，而製造基板支持件11。

[評價(初始)]

接著，於具有所製造之基板支持件11的支持件單元21之密著層27的剝離性表面28，放置為玻璃基板之基板41(130mm×240mm，厚度：1.3mm)之第二主面42b，並以下述方式進行評價。將結果表示於表1。

<到密著為止之時間[秒]>

將剝離性表面28與基板41之第二主面42b之間的接地面積之擴展，藉由目視，在其停止的時間點判斷為「密著完成」，且測定到該時間點為止的時間。

<密著面積[%]>

將基板41之第二主面42b放置於剝離性表面28，對相對於密著完成之時間點的剝離性表面28面積的密著面積進行評價。

<保持性>

在基板41密著於密著層27的狀態下使基板支持件11立起，如後述以縱型濺鍍方式進行成膜，若基板41未落下則評價為「○」，在落下的情況下則評價為「×」。

另外，在實驗例I及II中，密著層27對基板41的剝離強度，皆為0.77~1.20N/25mm。

[成膜]

接著，使保持有基板41之基板支持件11立起，以所謂縱型濺鍍方式進行成膜。具體而言，在真空槽內將TiO_x(1<x<2)靶材作為濺鍍靶(Sputtering Target)設置於陰極，且將真空槽排氣至成為1.3×10^-3Pa以下為止。接著，作為濺鍍氣體導入氬氣96sccm與氧氣4sccm的混合氣體。此時，壓力變為5.7×10-1Pa。在此狀態下，使用直流脈衝電源進行反應性濺鍍法，而在被設置於真空槽內之基板支持件11保持之基板41之第一主面42a上形成TiO₂層。在第一主面42a上，則被整面成膜為TiO₂層。

[評價(10次後)]

上述成膜後，將基板41剝離，且再次以同樣方式將基板41附著於基板支持件11進行成膜。關於將所述之附著、成膜、剝離的流程重複10次後之密著層27的保持性，以與 上述評價(初始)同樣的方式進行評價。將結果表示於表1。

另外，「10次後」之「密著面積」，係以「初使」之「密著面積」為100%所算出者。

從上述表1所示之結果來看，可知密著層27對基板41的保持性皆為優良。

[實驗例III]

接著，將與實驗例I及II同樣之玻璃基板作為基板本體43，並於該基板本體43之第二主面44b黏貼保護層45(商品名：EC-90000ASL，SUMIRON公司製)，作為基板41，其中該保護層45係在為聚酯薄膜之基底薄膜47(厚度：38μm)上附有由丙烯酸類黏著劑構成之黏著層48(厚度：28μm)者。

然後，於基板支持件11所具有支持件單元21之密著層27的剝離性表面28，放置為附保護層之基板的基板41的保護層45所構成之第二主面42b，並用以下方式進行評價。

以與上述實驗例I同樣的方式，製造5個支持件單元21，而製造基板支持件11。此時，如下述表2所示，藉由變更單元基體24的厚度，使支持件單元21之厚度T產生變化。

[評價(10次後)]

以與上述同樣的方式，就將所述之附著、成膜、剝離的流程重複10次後之繞至後方與剝離操作(handling)，如以下方式進行評價。將結果表示於表2。

<繞至後方>

在各個支持件單元21，製造10個經整面成膜的基板41。在其中任一基板41，皆無法藉由目視確認有對第二主面42b成膜的情況下，認定為可抑制繞至後方者而評價為「○」，在有1個以上的基板41之第二主面42b確認有成膜的情況下，認定為繞至後方之抑制略差者而評價為「△」。

<剝離操作>

在進行基板41之剝離時，於各個支持件單元21，測定剝離所需之時間。剝離所需之時間係以剝離強度(附著力大小)×基板操作之容易度決定，若剝離所需之平均時間不到5秒，則認定為剝離操作優良者而評價為「○」，若為5秒以上，則認定為剝離操作略差者而評價為「△」。

從表2所示之結果來看，實驗例III-2~4因使單元基體24之厚度為未達3mm，而繞至後方受到抑制，剝離操作亦為優良。另一方面，可知實驗例III-1在剝離操作略差，實驗例III-5在繞至後方之抑制略差。

另外，在實驗例III-5中，於為附保護層之基板的基板41之第二主面42b雖確認有膜附著，但在成膜完成後將基板41自基板支持件11剝離後，藉由剝離保護層45，可使未被成膜之基板本體43之第二主面44b露出。

如此藉由使用保護膜可同時兼顧剝離操作之容易度與防止膜之繞至後方。

產業上之可利用性

本發明之基板支持件及整面成膜基板之製造方法，係即使對所使用之玻璃基板的尺寸或形狀不同的玻璃基板亦可柔性地對應，而可減少步驟數或工夫，於生產性、經濟性亦為優良，可利用在作為平板型電腦或智慧型手機 等蓋玻璃使用之玻璃基板的製造。

另外，將2012年12月21日申請之日本特許出願2012-280079號之說明書、請求項、圖式、以及發明摘要的所有內容引用於此，作為本發明之說明書的揭露內容。

11‧‧‧基板支持件

21‧‧‧支持單元

24‧‧‧單元基體

25‧‧‧單元基體之主面

25a‧‧‧單元基體之第一主面

25b‧‧‧單元基體之第二主面

27‧‧‧密著層

28‧‧‧剝離性表面

31‧‧‧載體

32‧‧‧單元固定面

41‧‧‧基板

42‧‧‧基板之主面

42a‧‧‧基板之第一主面

42b‧‧‧基板之第二主面

Claims (13)

1. 一種基板支持件，係保持第一主面會被整面成膜之基板者；該基板支持件之特徵在於具備：支持單元，係由單元基體與固定於前述單元基體之第一主面上之密著層所構成，該單元基體為板狀零件，其具有面積較前述基板之主面更小的主面，且該密著層具有對前述基板之第二主面附著的剝離性表面；及載體，具有面積較前述單元基體之主面更大的單元固定面，且複數個前述支持單元係以前述單元固定面與前述單元基體之第二主面呈面對面的方向，固定於前述單元固定面上。
2. 如請求項1之基板支持件，其中前述支持單元之厚度為0.1~10mm。
3. 如請求項1或2之基板支持件，其中前述密著層為硬化聚矽氧樹脂層，且該硬化聚矽氧樹脂層係使硬化性聚矽氧樹脂組成物在前述單元基體之第一主面上硬化而形成者。
4. 如請求項1至3中任一項之基板支持件，其中前述密著層的厚度為10~100μm。
5. 如請求項1至4中任一項之基板支持件，其中前述基板係厚度0.5~5mm的玻璃基板。
6. 如請求項1至5中任一項之基板支持件，其中前述載體的厚度為0.7~8mm。
7. 一種整面成膜基板之製造方法，係使用如請求項1至6中任一項之基板支持件來製造整面成膜基板者；該方法之特徵在於：使前述基板之第二主面附著於前述剝離性表面上；將已附著於前述剝離性表面上之基板的第一主面進行整面成膜；將已整面成膜之前述基板自前述剝離性表面剝離。
8. 如請求項7之整面成膜基板之製造方法，其中前述基板為附保護層之基板，其具有基板本體與保護層，該基板本體之第一主面會被整面成膜，而該保護層係設置於前述基板本體之第二主面側而構成前述基板之第二主面。
9. 如請求項8之整面成膜基板之製造方法，其中前述保護層的厚度為5~500μm。
10. 如請求項8或9之整面成膜基板之製造方法，其中前述保護層具有：構成前述基板之第二主面的基底薄膜；及，黏著層，其係配置於前述基底薄膜與前述基板本體之間，且具有對前述基底薄膜與前述基板本體附著之剝離性表面。
11. 如請求項7至10中任一項之整面成膜基板之製造方法，其於使前述基板密著時，會在1個前述基板與鄰接該基板之其他多數前述基板中的至少1個基板之間設置空隙。
12. 如請求項7至11中任一項之整面成膜基板之製造方法，其係使前述基板之重心位置附著於前述剝離性表面。
13. 一種玻璃基板，係利用如請求項7至12中任一項之整面 成膜基板之製造方法而製得者。