JP2016210157A

JP2016210157A - ガラス積層体および電子デバイスの製造方法

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Publication number: JP2016210157A
Application number: JP2015098383A
Authority: JP
Inventors: 玲大臼井; Reo Usui
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2015-05-13
Filing date: 2015-05-13
Publication date: 2016-12-15
Also published as: TW201704020A; KR20160134503A; CN106142762A

Abstract

【課題】高温条件下の長時間の処理の後でもガラス基板を容易に剥離できるガラス積層体の提供。
【解決手段】支持基板１２及び支持基板１２上に配置された無機層１４を有する無機層１４付き支持基板１６と、無機層１４上に剥離可能に積層されたガラス基板１８と、を備え、無機層１４のマルテンス硬さが３０００Ｎ／ｍｍ²以下であり、好ましくは、上記無機層１２中の水分濃度が１．５原子％以上であり、無機層１２の厚さが７０ｎｍ以下である、ガラス積層体１０。
【選択図】図１

Description

本発明は、ガラス積層体および電子デバイスの製造方法に関する。

近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などの電子デバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらの電子デバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。一方、薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、電子デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。

そこで、最近では、上記の課題に対応するため、無機薄膜付き支持ガラスの無機薄膜上にガラス基板を積層した積層体を用意し、積層体のガラス基板上に素子の製造処理を施した後、積層体からガラス基板を分離する方法が提案されている（特許文献１）。

特開２０１１−１８４２８４号公報

近年、電子デバイスの高性能化の要求に伴い、電子デバイスの製造の際により高温条件下での処理の実施が望まれている。
本発明者らは、特許文献１に具体的に記載された積層体を用いて、高温条件下（例えば４００℃以上）での処理を施したところ、処理後に積層体からガラス基板を剥離できない場合があることを明らかにした。この態様では、高温条件下でのデバイス製造後に、素子が形成されたガラス基板を積層体から剥離できないという問題が生じる。

本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであり、高温条件下の長時間処理の後であっても、ガラス基板を容易に剥離できるガラス積層体を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、支持基板上に特定の無機層を形成することにより、ガラス基板を容易に剥離できることを見出し、本発明を完成させた。

すなわち、本発明は、以下の［１］〜［５］を提供する。
［１］支持基板および上記支持基板上に配置された無機層を有する無機層付き支持基板と、上記無機層上に剥離可能に積層されたガラス基板と、を備え、上記無機層のマルテンス硬さが３０００Ｎ／ｍｍ²以下である、ガラス積層体。
［２］上記無機層中の水分濃度が１．５原子％以上である、上記［１］に記載のガラス積層体。
［３］上記無機層の厚さが７０ｎｍ以下である、上記［１］または［２］に記載のガラス積層体。
［４］上記無機層が金属フッ化物を含有する、上記［１］〜［３］のいずれかに記載のガラス積層体。
［５］上記［１］〜［４］のいずれかに記載のガラス積層体が備える上記ガラス基板の上記無機層側とは反対側の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、上記電子デバイス用部材付き積層体から上記無機層付き支持基板を剥離し、上記ガラス基板および上記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。

本発明によれば、ガラス基板を容易に剥離できるガラス積層体を提供できる。

本発明のガラス積層体の一実施形態を示す模式的断面図である。本発明の電子デバイスの製造方法の好適実施態様における各工程を順に示す模式的断面図である。

以下、本発明のガラス積層体および電子デバイスの製造方法の好適形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。

以下においては、まず、ガラス積層体の好適態様について詳述し、その後、このガラス積層体を使用した電子デバイスの製造方法の好適態様について詳述する。

［ガラス積層体］
図１は、本発明のガラス積層体の一実施形態を示す模式的断面図である。
図１に示すように、ガラス積層体１０は、支持基板１２および無機層１４からなる無機層付き支持基板１６と、ガラス基板１８とを有する。
ガラス積層体１０においては、無機層付き支持基板１６の無機層１４の第１主面１４ａ（無機層１４の支持基板１２側とは反対側の表面）と、ガラス基板１８の第１主面１８ａ（ガラス基板１８の無機層１４側の表面）とを積層面として、無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とが剥離可能に積層している。
つまり、無機層１４は、その一方の面が支持基板１２の層に固定されると共に、その他方の面がガラス基板１８の第１主面１８ａに接し、無機層１４とガラス基板１８との界面は剥離可能に密着されている。言い換えると、無機層１４は、ガラス基板１８の第１主面１８ａに対して易剥離性を具備している。

本発明において、上記固定と上記（剥離可能な）密着とは剥離強度（すなわち、剥離に要する応力）に違いがあり、固定は密着に対し剥離強度が大きいことを意味する。具体的には、無機層１４と支持基板１２との界面の剥離強度が、無機層１４とガラス基板１８との界面の剥離強度よりも大きくなる。
また、剥離可能な密着とは、剥離可能であると同時に、固定されている面の剥離を生じさせることなく剥離可能であることも意味する。つまり、ガラス積層体１０において、ガラス基板１８と支持基板１２とを分離する操作を行った場合、密着された面（無機層１４とガラス基板１８との界面）で剥離し、固定された面では剥離しないことを意味する。したがって、ガラス積層体１０をガラス基板１８と支持基板１２とに分離する操作を行うと、ガラス積層体１０はガラス基板１８と無機層付き支持基板１６との２つに分離される。

もっとも、ガラス積層体１０に対して高温条件下（例えば４００℃以上）での処理を施した場合には、無機層１４とガラス基板１８との界面の剥離強度が、無機層１４と支持基板１２との界面の剥離強度と同程度まで高くなり、その結果、ガラス積層体１０からのガラス基板１８の剥離が困難になる可能性もある。
しかしながら、本発明においては、無機層１４のマルテンス硬さを３０００Ｎ／ｍｍ²以下とすることで、ガラス積層体１０に対して高温条件下での処理を施した後にガラス基板１８を剥離する場合にも、その剥離の際に無機層１４自身に凝集破壊が生じ（図２（Ｂ）参照）、ガラス積層体１０からガラス基板１８を容易に剥離できる。

以下では、まず、ガラス積層体１０を構成する無機層付き支持基板１６およびガラス基板１８について詳述し、その後ガラス積層体１０の製造の手順について詳述する。

〔無機層付き支持基板〕
無機層付き支持基板１６は、支持基板１２と、その表面上に配置（固定）される無機層１４とを備える。無機層１４は、後述するガラス基板１８と剥離可能に密着するように、無機層付き支持基板１６中の最外側に配置される。
以下に、支持基板１２、および、無機層１４の態様について詳述する。

〈支持基板〉
支持基板１２は、第１主面と第２主面とを有し、第１主面上に配置された無機層１４と協働して、ガラス基板１８を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板１８の変形、傷付き、破損などを防止する基板である。
支持基板１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板などの金属板などが用いられる。支持基板１２は、部材形成工程が熱処理を伴う場合、ガラス基板１８との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１８と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基板１２はガラス板であることが好ましい。特に、支持基板１２は、ガラス基板１８と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。

支持基板１２の厚さは、後述するガラス基板１８よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板１８の厚さ、無機層１４の厚さ、および後述するガラス積層体１０の厚さに基づいて、支持基板１２の厚さが選択される。
例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１８の厚さおよび無機層１４の厚さの和が０．１ｍｍの場合、支持基板１２の厚さを０．４ｍｍとする。支持基板１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。

支持基板１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。

支持基板１２とガラス基板１８との２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差は、好ましくは５００×１０^-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０^-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０^-7／℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体１０が激しく反るおそれがある。ガラス基板１８の材料と支持基板１２の材料とが同じ場合、このような問題が生じるのを抑制できる。

〈無機層〉
無機層１４は、ガラス積層体１０において、支持基板１２の主面上に配置（固定）され、ガラス基板１８の第１主面１８ａと直接接触する層である。

そして、上述したように、本発明においては、無機層１４のマルテンス硬さを３０００Ｎ／ｍｍ²以下とする。なお、マルテンス硬さ（ＩＳＯ１４５７７）は、試験荷重が負荷された状態で測定される硬さであり、負荷増加時の荷重−押込み深さ曲線の値から求められる。
これにより、ガラス積層体１０に対して高温条件下（例えば４００℃以上）での処理を施した後にガラス積層体１０からガラス基板１８を剥離する場合にも、その剥離の際に比較的脆弱な無機層１４自身に凝集破壊が生じることで（図２（Ｂ）参照）、ガラス積層体１０からガラス基板１８を容易に剥離できる。すなわち、剥離性に優れる。
なお、剥離したガラス基板１８の第１主面１８ａには、凝集破壊した無機層１４の残渣が付着し得るが、無機層１４を薄膜にすることで、残渣の付着量はわずかとなり、実用上の問題は生じない。
剥離性がより優れるという理由から、無機層１４のマルテンス硬さは、２８００Ｎ／ｍｍ²以下が好ましく、２５００Ｎ／ｍｍ²以下がより好ましい。一方、下限は特に限定されないが、無機層１４が脆弱すぎないという観点からは、例えば、２００Ｎ／ｍｍ²以上である。

また、無機層１４は、その水分濃度を高くすることにより、高温条件下（例えば４００℃以上）での処理を経ても脆弱性を維持しやすくなり、無機層１４自身の凝集破壊による剥離性がより良好になる。
したがって、無機層１４の水分濃度は、１．５原子％以上が好ましく、２．０原子％以上がより好ましく、２．２原子％以上がさらに好ましい。一方、上限は特に限定されないが、無機層１４の構造が崩れにくいという観点からは、例えば、１０原子％以下である。
なお、本発明における無機層１４の水分濃度の測定方法は、後出の［実施例］において詳述する。

無機層１４の第１主面１４ａの表面粗さ（Ｒａ）は、２．０ｎｍ以下が好ましく、１．２ｎｍ以下がより好ましい。下限値は特に制限されないが例えば０ｎｍ超である。上記範囲であれば、ガラス基板１８との密着性が良好となり、ガラス基板１８の位置ずれなどをより抑制することができると共に、ガラス基板１８の剥離性もより優れる。
Ｒａは、ＪＩＳＢ０６０１（２００１年改正）に従って測定される。

また、上述したように、ガラス基板１８の第１主面１８ａには凝集破壊した無機層１４の残渣が付着し得る。残渣の付着量は、無機層１４が薄いほど少なくなり好ましい。
したがって、無機層１４の厚さは、７０ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ましい。一方、下限は特に限定されないが、例えば、５ｎｍ以上である。
なお、無機層１４は、図１では単層として示されているが、２層以上の積層であってもよい。２層以上の積層の場合、各層ごとが異なる組成であってもよい。この場合、「無機層の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

無機層１４は、通常、図１に示すように、支持基板１２の一方の主面の全体に設けられるが、本発明の効果を損なわない範囲で、支持基板１２の一方の主面の一部に設けられていてもよい。

このような無機層１４は、Ｆを含有するＦ含有無機層を含有することが好ましい。無機層１４は、Ｆ含有無機層のみから構成されていてもよいし、Ｆ含有無機層以外の無機層を含有する複数層であってもよい。なお、無機層１４が複数層である場合、無機層１４の厚さ方向におけるＦ含有無機層の位置は特に限定されないが、ガラス基板１８の第１主面１８ａと接する最表層であることが好ましい。

また、無機層１４が含有するＦ含有無機層は、金属フッ化物およびフッ素ドープ金属酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有することがより好ましい。金属フッ化物およびフッ素ドープ金属酸化物は、それぞれ、１種単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。

フッ素ドープ金属酸化物としては、例えば、フッ素ドープ酸化スズ、フッ素ドープ酸化亜鉛、フッ素ドープ酸化チタン、フッ素ドープ酸化アルミニウム、フッ素ドープ酸化ケイ素、フッ素ドープ石英等が挙げられ、なかでも、フッ素ドープ酸化スズが好ましい。

金属フッ化物の組成は特に制限されないが、ガラス基板１８の剥離性がより優れる点で、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ｓｃ、Ｙ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎおよびランタノイドからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
ここで、アルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられる。
また、アルカリ土類金属としては、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａが挙げられる。
また、ランタノイドは、ＬａからＬｕまでであり、例えば、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ等が挙げられる。
より具体的には、金属フッ化物としては、例えば、ＲＦ、Ｒ′Ｆ₂、ＳｃＦ₃、ＶＦ₃、ＣｒＦ₃、ＭｎＦ₂、ＦｅＦ₃、ＣｏＦ₂、ＮｉＦ₂、ＣｕＦ₂、ＺｎＦ₂、ＡｌＦ₃、ＧａＦ₃、ＩｎＦ₃およびＬＦ₃などが挙げられる。ここで、Ｒはアルカリ金属、Ｒ′はアルカリ土類金属、Ｌはランタノイドを指す。
なお、金属フッ化物は、その一部が酸化されていてもよい。

金属フッ化物は脆い場合が多いことから、無機層１４は、少なくとも金属フッ化物を含有することが好ましい。より具体的には、無機層１４全量に対する金属フッ化物の総含有量は、５０質量％以上が好ましく、５５質量％以上がより好ましく、６０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に限定されないが、９５質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８５質量％以下がさらに好ましい。

無機層１４が金属フッ化物を含有する場合において、無機層１４の形成過程で取り込まれる酸素（Ｏ）の濃度が一定程度まで高くなると、高温条件下（例えば４００℃以上）での処理後における、無機層１４自身の凝集破壊による剥離性がより良好になる。
したがって、無機層１４が金属フッ化物を含有する場合において、無機層１４における酸素濃度は、１．５原子％以上が好ましく、２．５原子％以上がより好ましく、５．５原子％以上がさらに好ましく、８．０原子％以上が特に好ましい。一方、上限は、例えば、２０．０原子％以下が好ましい。

すなわち、無機層１４が金属フッ化物を含有する場合、金属フッ化物以外の含有成分としては、例えば、金属酸化物が挙げられる。この金属酸化物は、金属フッ化物と同様に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ｓｃ、Ｙ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎおよびランタノイドからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
無機層１４全量に対する金属酸化物の総含有量は、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましく、１５質量％以上がさらに好ましい。上限は特に限定されないが、５０質量％以下が好ましく、４５質量％以下がより好ましく、３５質量％以下がさらに好ましい。

〈無機層付き支持基板の製造方法〉
支持基板１２上に無機層１４を形成する方法としては、蒸着法または特定条件下でのスパッタリング法が好適に挙げられる。

スパッタリング法は、一般的には、真空中にＡｒガスなど不活性ガスを導入しながら、基板とターゲットとの間に直流高電圧を印加し、イオン化したＡｒをターゲットに衝突させて、はじき飛ばされたターゲット物質を基板に成膜させる方法である。
本発明におけるスパッタリング法では、不活性ガスと共に、酸素（Ｏ₂）ガスを導入することが好ましい。これにより、例えば金属フッ化物を含有する無機層１４を形成する場合において、無機層１４に酸素が取り込まれ、酸素濃度が高くなる。上述したように、無機層１４の酸素濃度が一定程度まで高くなると、高温条件下での処理後における剥離性がより良好になる。

本発明におけるスパッタリング法において、酸素ガスと不活性ガスとの体積流量比（酸素ガス／不活性ガス）は、０．００５〜０．２５が好ましく、０．０１〜０．１０がより好ましい。
なお、不活性ガスとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガス、窒素（Ｎ₂）ガス等が挙げられる。

無機層１４を形成した後、無機層１４の第１主面１４ａに対して、アルカリ処理、プラズマ処理、ＵＶ処理などの親水化処理を施してもよい。アルカリ処理の後は、純水でリンスし、次いで、乾燥させることが好ましい。なお、無機層１４に親水化処理を施した後は、なるべく短時間でガラス基板１８を積層させることが好ましい。
その他に、必要に応じて、支持基板１２上に形成された無機層１４の表面性状（例えば、表面粗さＲａ）を制御するために、無機層１４の表面を削る処理を施してもよく、そのような処理としては、例えば、研磨、イオンスパッタリング法などが挙げられる。

〔ガラス基板〕
ガラス基板１８の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤなどの表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板１８は耐薬品性、耐透湿性に優れ、かつ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳＲ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。

ガラス基板１８は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。

ガラス基板１８のガラスは、特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラス等も使用できる。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。

ガラス基板１８のガラスとしては、デバイスの種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板１８のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。

ガラス基板１８の厚さは、特に限定されないが、ガラス基板１８の薄型化および／または軽量化の観点から、例えば０．８ｍｍ以下であり、好ましくは０．３ｍｍ以下であり、より好ましくは０．１５ｍｍ以下である。０．８ｍｍ超の場合、ガラス基板１８の薄型化および／または軽量化の要求を満たせない場合がある。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板１８に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１８をロール状に巻き取ることが可能である。また、ガラス基板１８の厚さは、ガラス基板１８の製造が容易であること、ガラス基板１８の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上が好ましい。

ガラス基板１８は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。この場合、「ガラス基板の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

なお、ガラス積層体１０において、無機層１４の第１主面１４ａと、ガラス基板１８の第１主面１８ａとは、直接接触していることが好ましい。すなわち、ガラス基板１８の第１主面１８ａ（無機層１４側の面）上には、無機薄膜層が設けられておらず、特に、金属フッ化物からなる無機薄膜層が設けられていないことが好ましい。
ガラス基板の第１主面上に例えば金属フッ化物からなる層が設けられている場合、金属フッ化物層付きガラス基板と無機層付き支持基板との密着性は、高温処理後に悪くなり、両者が自発的に剥離をしてしまい、ガラス積層体としては使用できない。

〔ガラス積層体の製造方法〕
ガラス積層体１０の製造方法は特に制限されないが、具体的には、常圧環境下で無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とを重ねた後、ロールやプレスを用いて圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とがより密着するので好ましい。また、ロールまたはプレスによる圧着により、無機層付き支持基板１６とガラス基板１８との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が好ましく行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。

無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とを剥離可能に密着させる際には、無機層１４およびガラス基板１８の互いに接触する側の面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。

さらに、得られたガラス積層体１０には、例えば４００℃以上の高温条件下での処理が施され得る。温度条件の上限は特に限定されないが、通常、７００℃以下の場合が多い。

ガラス積層体１０は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、この用途では、ガラス積層体１０が高温条件（例えば、４００℃以上）で曝される（例えば、１０分間以上）場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネル等が含まれる。

［電子デバイスおよびその製造方法］
次に、電子デバイスおよびその製造方法の好適実施態様について詳述する。
図２は、本発明の電子デバイスの製造方法の好適実施態様における各工程を順に示す模式的断面図であり、図２（Ａ）は部材形成工程を示し、図２（Ｂ）は分離工程を示す。すなわち、本発明の電子デバイスの製造方法は、部材形成工程および分離工程を備える。
以下に、図２を参照しながら、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。まず、部材形成工程について詳述する。

〔部材形成工程〕
部材形成工程は、ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成する工程である。
より具体的には、図２（Ａ）に示すように、ガラス基板１８の第２主面１８ｂ上に電子デバイス用部材２０が形成され、電子デバイス用部材付き積層体２２が製造される。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２０について詳述し、その後工程の手順について詳述する。

〈電子デバイス用部材（機能性素子）〉
電子デバイス用部材２０は、ガラス基板１８の第２主面１８ｂ上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材が挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル等が含まれる。

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用部材としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。

〈工程の手順〉
上述した電子デバイス用部材付き積層体２２の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス基板１８の第２主面１８ｂの表面上に、電子デバイス用部材２０を形成する。
なお、電子デバイス用部材２０は、ガラス基板１８の第２主面１８ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。また、全部材付きガラス基板には、その剥離面（第１主面）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から無機層付き支持基板１６を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて電子デバイスを組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の無機層付き支持基板１６を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。

例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、ガラス基板１８の第２主面１８ｂの表面上に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。

また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法は、ガラス積層体１０のガラス基板１８の第２主面１８ｂ上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッタ法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程、別のガラス積層体１０のガラス基板１８の第２主面１８ｂ上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程、ならびに、ＴＦＴ付きデバイス基板とＣＦ付きデバイス基板とを積層する貼り合わせ工程等の各種工程を有する。

ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板１８の第２主面１８ｂにＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板１８の第２主面１８ｂを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。

貼り合わせ工程では、ＴＦＴ付き積層体と、ＣＦ付き積層体との間に液晶材を注入して積層する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。

なお、部材形成工程では、例えば４００℃以上の高温条件下での処理が施される。

〔分離工程〕
分離工程は、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から無機層付き支持基板１６を剥離して、電子デバイス用部材２０およびガラス基板１８を含む電子デバイス２４（電子デバイス用部材付きガラス基板）を得る工程である。つまり、電子デバイス用部材付き積層体２２を、無機層付き支持基板１６と電子デバイス２４とに分離する工程である。

ところで、前工程である部材形成工程で高温条件下での処理が施された場合には、無機層１４とガラス基板１８との界面の剥離強度が、無機層１４と支持基板１２との界面の剥離強度と同程度まで高くなり、分離が困難になる可能性がある。
しかしながら、この際、無機層１４に凝集破壊が生じることによって、無機層付き支持基板１６と電子デバイス２４とに分離する。

無機層付き支持基板１６と電子デバイス２４とに分離する方法は、特に限定されない。
例えば、無機層１４近辺に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２２の支持基板１２が上側、電子デバイス用部材２０側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２０側を定盤上に真空吸着し（両面に支持基板が積層されている場合は順次行う）、この状態でまず刃物を侵入させる。そして、その後に支持基板１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると、無機層１４に凝集破壊が起こって無機層付き支持基板１６を容易に剥離できる。

電子デバイス２４を剥離する際の剥離強度は、特に制限されないが、工業的な点からは、２．０Ｎ／２５ｍｍ以下が好ましく、１．２Ｎ／２５ｍｍ以下がより好ましい。
なお、電子デバイス２４を剥離する際の剥離強度は、ガラス基板１８を剥離する際の剥離強度とも言い換えることができる。

上記工程によって得られた電子デバイス２４は、携帯電話、スマートフォン、タブレット型ＰＣなどのモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。

なお、上記手順にて分離された無機層付き支持基板１６に新たなガラス基板１８を積層して、新たなガラス積層体１０としてもよい。

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

以下の実施例および比較例では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦１００ｍｍ、横１００ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。
また、支持基板としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦１００ｍｍ、横１００ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-７／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。

〈実施例１〉
まず、支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後アルカリ洗浄して清浄化した。
次いで、清浄化した支持基板の一方の主面に、ＲＦスパッタリング法（室温成膜、成膜圧力：３ｍＴｏｒｒ、Ｏ₂ガスとＡｒガスとの体積流量比（Ｏ₂／Ａｒ）：０．０２、パワー密度：５．３Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ２０ｎｍのＭｇＦ₂含有層（無機層に相当）を形成し、ガラス積層体Ａ１用の無機層付き支持基板を得た。
なお、無機層の厚さは、触針式膜厚計により測定した（以下、同様）。
また、無機層の組成（不純物を除く）は、ＭｇＦ₂：６９質量％、ＭｇＯ：３１質量％であった。無機層の組成は、Ｘ線光電子分光装置（ＰＨＩ５０００ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ、アルバックファイ社製）を用いて測定した（以下、同様）。

（表面粗さ（Ｒａ））
得られた無機層付き支持基板の無機層の第１主面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．４ｎｍであった。表面粗さ（Ｒａ）は、ＡＦＭ（機種：Ｌ−ｔｒａｃｅ（Ｎａｎｏｎａｖｉ）、日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて、ＪＩＳＢ０６０１（２００１年改正）に準拠して、測定した（以下、同様）。

（マルテンス硬さ）
得られた無機層付き支持基板の無機層のマルテンス硬さは、１２４７Ｎ／ｍ²であった。マルテンス硬さは、ＩＳＯ１４５７７に準拠して、微小硬さ試験機（ＰＩＣＯＤＥＮＴＯＲＨＭ５００、ＦＩＳＣＨＥＲ社製）を用い、０．５Ｎ／ｓの速度で荷重をかけ、クリープは５秒として測定し、１０点の測定結果の平均値とした（以下、同様）。

（水分濃度）
得られた無機層付き支持基板の無機層の水分濃度は、２．２原子％であった。水分濃度は、高分解能ＥＲＤＡ（ＨｉｇｈＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎＥｌａｓｔｉｃＲｅｃｏｉｌＤｅｔｅｃｔｉｏｎＡｎａｌｙｓｉｓ（ＨＲ−ＥＲＤＡ））法により測定した。
測定には、ＨＲＢＳ５００（神戸製鋼所社製）を用いた。測定時の帯電を防ぐため、試料である無機層の表面（試料面）には、数ｎｍのカーボン膜を蒸着した。
４８０ｋｅＶのＮ⁺イオンを、試料面法線に対して７０度の角度で入射し、反跳水素イオンを設定散乱角３０度にて検出した。
蒸着カーボン膜には炭素および水素のみが存在すると仮定し、水素濃度既知試料の測定値を用いて校正し、厚さ方向の水素濃度分布を算出した。
算出においては、蒸着カーボン膜の密度を２．２５ｇ／ｃｍ³と仮定し、ＭｇＦ₂の密度を３．１５ｇ／ｃｍ³、ＭｇＯの密度を３．５８ｇ／ｃｍ^３と仮定した。
厚さ方向に算出された水素濃度分布のうち、蒸着カーボン膜の影響がなくなり濃度が一定となった領域の平均濃度を、無機層の水分濃度とした（以下、同様）。

（酸素濃度）
得られた無機層付き支持基板の無機層の酸素濃度は、１５．８原子％であった。酸素濃度は、Ｘ線光電子分光装置（ＰＨＩ５０００ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ、アルバックファイ社製）を用いて測定した（以下、同様）。

（積層性）
次に、ガラス基板の一方の主面を純水洗浄し、その後アルカリ洗浄して清浄化した。次いで、無機層付き支持基板の無機層の第１主面と、ガラス基板の清浄化した第１主面とを、室温下で真空プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Ａ１を得た。
得られたガラス積層体Ａ１においては、無機層付き支持基板とガラス基板とは、気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。

（剥離性（５５０℃））
幅２５ｍｍ×長さ７０ｍｍのガラス積層体Ａ１を１０個用意して、窒素雰囲気にて、５５０℃で１０分間加熱処理を施した。次いで、オートグラフＡＧ−２０／５０ｋＮＸＤｐｌｕｓ（島津製作所社製）を用いて、ガラス基板の剥離を行った。
具体的には、加熱処理後のガラス積層体Ａ１の無機層近辺に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製ナイフを挿入させて剥離のきっかけ部を形成した後、ガラス基板を完全に固定し、支持基板を引き上げることで、ガラス基板の剥離を行った。なお、剥離速度は３０ｍｍ／ｍｉｎとした。
その結果、１０個全ての試験体で、支持基板やガラス基板に割れが生じることなく、ガラス基板を剥離することができた。
この剥離に際しては、無機層が凝集破壊した。剥離したガラス基板および支持基板の表面上には、凝集破壊した無機層の残渣の付着が確認された。

このとき、５５０℃の加熱処理後においてガラス基板を剥離できた試験体の剥離強度は、０．５Ｎ／２５ｍｍであった。荷重を検知した地点を０とし、その位置から２．０ｍｍ引き上げた位置での剥離強度を測定値とした（以下、同様）。

（剥離性（６００℃））
幅２５ｍｍ×長さ７０ｍｍのガラス積層体Ａ１を１０個用意して、窒素雰囲気にて、６００℃で１０分間加熱処理を施した。次いで、上記と同様にして、ガラス基板の剥離を行った。
その結果、１０個全ての試験体で、支持基板やガラス基板に割れが生じることなく、ガラス基板を剥離することができた。

〈実施例２〉
まず、支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後アルカリ洗浄して清浄化した。
次いで、清浄化した支持基板の一方の主面に、蒸着法により、厚さ３０ｎｍのＣａＦ₂含有層（無機層に相当）を形成し、ガラス積層体Ａ２用の無機層付き支持基板を得た。
無機層の形成には真空蒸着装置（昭和真空社製、ＳＥＣ−１６ＣＭ）を用いた。蒸着源にＣａＦ₂のペレットを用い１０^-5Ｔｏｒｒ以下まで排気した後に、室温にて成膜を行った。
無機層の組成（不純物を除く）は、ＣａＦ₂：９３質量％、ＣａＯ：７質量％であった。

（表面粗さ（Ｒａ）、マルテンス硬さ、水分濃度、および、酸素濃度）
得られた無機層付き支持基板の無機層について、表面粗さ（Ｒａ）、マルテンス硬さ、水分濃度、および、酸素濃度を測定した。測定結果は以下の表１に示す。
なお、水分濃度の測定においては、ＣａＦ₂の密度を３．１８ｇ／ｃｍ³、ＣａＯの密度を３．３５ｇ／ｃｍ³と仮定した。

（積層性）
実施例１と同様にして、無機層付き支持基板の無機層の第１主面と、ガラス基板の第１主面とを貼り合わせ、ガラス積層体Ａ２を得た。
得られたガラス積層体Ａ２においては、無機層付き支持基板とガラス基板とは、気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。

（剥離性）
ガラス積層体Ａ２について、実施例１と同様にして、剥離強度を測定すると共に、剥離性を評価した。
その結果、５５０℃の加熱処理後においては、１０個全ての試験体で支持基板やガラス基板に割れが生じることなくガラス基板を剥離することができたが、６００℃の加熱処理後においては５個の試験体で割れが生じた。なお、剥離したガラス基板および支持基板の表面上には、凝集破壊した無機層の残渣の付着が確認された。
なお、５５０℃の加熱処理後における剥離強度は、０．４Ｎ／２５ｍｍであった。

〈実施例３〉
まず、支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後アルカリ洗浄して清浄化した。
次いで、清浄化した支持基板の一方の主面に、実施例２と同様にして、蒸着法により、厚さ３０ｎｍのＣｅＦ₃含有層（無機層に相当）を形成し、ガラス積層体Ａ３用の無機層付き支持基板を得た。
無機層の組成（不純物を除く）は、ＣｅＦ₃：９４質量％、ＣｅＯ₂：６質量％であった。

（表面粗さ（Ｒａ）、マルテンス硬さ、水分濃度、および、酸素濃度）
得られた無機層付き支持基板の無機層について、表面粗さ（Ｒａ）、マルテンス硬さ、水分濃度、および、酸素濃度を測定した。測定結果は以下の表１に示す。
なお、水分濃度の測定においては、ＣｅＦ₃の密度を６．１６ｇ／ｃｍ³、ＣｅＯ₂の密度を７．６５ｇ／ｃｍ³と仮定した。

（積層性）
実施例１と同様にして、無機層付き支持基板の無機層の第１主面と、ガラス基板の第１主面とを貼り合わせ、ガラス積層体Ａ３を得た。
得られたガラス積層体Ａ３においては、無機層付き支持基板とガラス基板とは、気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。

（剥離性）
ガラス積層体Ａ３について、実施例１と同様にして、剥離強度を測定すると共に、剥離性を評価した。
その結果、５５０℃の加熱処理後においては、１０個全ての試験体で支持基板やガラス基板に割れが生じることなくガラス基板を剥離することができたが、６００℃の加熱処理後においては４個の試験体で割れが生じた。なお、剥離したガラス基板および支持基板の表面上には、凝集破壊した無機層の残渣の付着が確認された。
なお、５５０℃の加熱処理後における剥離強度は、０．４Ｎ／２５ｍｍであった。

〈比較例１〉
まず、支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後アルカリ洗浄して清浄化した。
次いで、清浄化した支持基板の一方の主面に、マグネトロンスパッタリング法（室温成膜、成膜圧力：３ｍＴｏｒｒ、Ｏ₂ガスとＡｒガスとの体積流量比（Ｏ₂／Ａｒ）：０．２０、パワー密度：１．６５Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ３０ｎｍのＣｅＯ₂層を形成し、ガラス積層体Ｂ１用の無機層付き支持基板を得た。

（表面粗さ（Ｒａ）、および、マルテンス硬さ）
得られた無機層付き支持基板の無機層について、表面粗さ（Ｒａ）、および、マルテンス硬さを測定した。測定結果は以下の表１に示す。

（積層性）
実施例１と同様にして、無機層付き支持基板の無機層の第１主面と、ガラス基板の第１主面とを貼り合わせ、ガラス積層体Ｂ１を得た。
得られたガラス積層体Ｂ１においては、無機層付き支持基板とガラス基板とは、気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。

（剥離性）
ガラス積層体Ｂ１について、実施例１と同様にして、剥離性を評価したところ、５５０℃および６００℃のいずれの加熱処理後においても、１０個全ての試験体に割れが発生した。したがって、剥離強度の測定はできなかった。

〈比較例２〉
まず、支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後アルカリ洗浄して清浄化した。
次いで、清浄化した支持基板の一方の主面に、マグネトロンスパッタリング法（室温成膜、成膜圧力：３ｍＴｏｒｒ、Ｏ₂ガスとＡｒガスとの体積流量比（Ｏ₂／Ａｒ）：０．２０、パワー密度：１．６５Ｗ／ｃｍ²）厚さ２０ｎｍのＺｒＯ₂層を形成し、ガラス積層体Ｂ２用の無機層付き支持基板を得た。

（積層性）
実施例１と同様にして、無機層付き支持基板の無機層の第１主面と、ガラス基板の第１主面とを貼り合わせ、ガラス積層体Ｂ２を得た。
得られたガラス積層体Ｂ２においては、気泡の発生および歪み状欠点が確認された。

（剥離性）
ガラス積層体Ｂ２について、実施例１と同様にして、剥離性を評価したところ、５５０℃および６００℃のいずれの加熱処理後においても、１０個全ての試験体に割れが発生した。したがって、剥離強度の測定はできなかった。

〈比較例３〉
Ｏ₂ガスとＡｒガスとの混合ガスではなく、Ａｒガスのみを用いた以外は、実施例１と同様の手順に従って、厚さ３０ｎｍのＭｇＦ₂層を形成し、ガラス積層体Ｂ３用の無機層付き支持基板を得た。

（表面粗さ（Ｒａ）、マルテンス硬さ、水分濃度、および、酸素濃度）
得られた無機層付き支持基板の無機層について、表面粗さ（Ｒａ）、マルテンス硬さ、水分濃度、および、酸素濃度を測定した。測定結果は以下の表１に示す。

（積層性）
実施例１と同様にして、無機層付き支持基板の無機層の第１主面と、ガラス基板の第１主面とを貼り合わせ、ガラス積層体Ｂ３を得た。
得られたガラス積層体Ｂ３においては、無機層付き支持基板とガラス基板とは、気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。

（剥離性）
ガラス積層体Ｂ３について、実施例１と同様にして、剥離性を評価したところ、５５０℃および６００℃のいずれの加熱処理後においても、１０個全ての試験体に割れが発生した。したがって、剥離強度の測定はできなかった。

〈比較例４〉
まず、支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後アルカリ洗浄して清浄化した。
次いで、清浄化した支持基板の一方の主面に、マグネトロンスパッタリング法（加熱温度：３００℃、成膜圧力：５ｍＴｏｒｒ、Ｏ₂ガスとＡｒガスとの体積流量比（Ｏ₂／Ａｒ）：０．１０、パワー密度：４．９Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ２０ｎｍのＩＴＯ層（酸化インジウムスズ層）を形成し、ガラス積層体Ｂ４用の無機層付き支持基板を得た。

（積層性）
実施例１と同様にして、無機層付き支持基板の無機層の第１主面と、ガラス基板の第１主面とを貼り合わせ、ガラス積層体Ｂ４を得た。
得られたガラス積層体Ｂ４においては、無機層付き支持基板とガラス基板とは、気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。

（剥離性）
ガラス積層体Ｂ４について、実施例１と同様にして、剥離性を評価したところ、５５０℃および６００℃のいずれの加熱処理後においても、１０個全ての試験体に割れが発生した。したがって、剥離強度の測定はできなかった。

上記実施例１〜３および比較例１〜４の結果を以下の表１にまとめて示す。
以下の表１中、「積層性」の欄には、気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった場合には「○」を記載し、それ以外の場合には「×」を記載した。実用上、「○」であることが好ましい。
また、以下の表１中、「剥離性」の欄には、全ての試験体で支持基板やガラス基板に割れが生じることなくガラス基板を剥離することができた場合には「○」を記載しそれ以外の場合には「×」を記載した。実用上、「○」であることが好ましい。
なお、以下の表１中、「水分濃度」および「剥離強度」の欄には、水分濃度および剥離強度を測定しなかった（測定できなかった）場合には「−」を記載した。

表１に示すように、無機層のマルテンス硬さが３０００Ｎ／ｍｍ²以下である実施例１〜３は、高温条件下の処理後においても、ガラス基板を容易に剥離することができ、
剥離性が良好であった。
また、実施例１〜３を対比すると、５００℃の処理後における剥離性は同等であったが、６００℃の処理後における剥離性は、実施例２および３よりも、無機層の酸素濃度が高い実施例１の方が、より良好であった。
これに対して、無機層のマルテンス硬さが３０００Ｎ／ｍｍ²以下ではない比較例１〜４は、高温条件下の処理後における剥離性が不十分であった。

〈実施例４〉
本例では、実施例１で製造された、加熱処理前のガラス積層体Ａ１を用いてＯＬＥＤを作製した。なお、以下のプロセスにおける加熱処理温度としては４００℃以上の処理が実施される。
より具体的には、ガラス積層体Ａ１におけるガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、ｎ型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース／ドレイン電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜して、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。
続いて、ガラス基板の第２主面側に、さらに蒸着法により正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ₃をこの順に成膜した。次に、ガラス基板の第２主面側にスパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成した。次に、対向電極を形成したガラス基板の第２主面上に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止した。上記手順によって得られた、ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有するガラス積層体は、電子デバイス用部材付き積層体に相当する。
続いて、電子デバイス用部材付き積層体の封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、コーナー部の無機層近辺に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、無機層付き支持基板を分離して、ＯＬＥＤパネル（電子デバイスに相当。以下パネルＡという）を得た。作製したパネルＡにＩＣドライバを接続し、常温常圧下で駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。

〈実施例５〉
本例では、実施例１で製造された、加熱処理前のガラス積層体Ａ１を用いてＬＣＤを作製した。なお、以下のプロセスにおける加熱処理温度としては４００℃以上の処理が実施される。
ガラス積層体Ａ１を２枚用意し、まず、片方のガラス積層体Ａ１におけるガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、ｎ型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース／ドレイン電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。次に、画素電極を形成したガラス基板の第２主面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。得られたガラス積層体を、ガラス積層体Ｘ１と呼ぶ。
次に、もう片方のガラス積層体Ａ１におけるガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成した。次に、遮光層を設けたガラス基板の第２主面側に、さらにダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成した。次に、ガラス基板の第２主面側に、さらにスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成した。次に、対向電極を設けたガラス基板の第２主面上に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成した。次に、柱状スペーサを形成したガラス基板の第２主面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。次に、ガラス基板の第２主面側に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上述したガラス積層体Ｘ１を用いて、２枚のガラス積層体のガラス基板の第２主面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりＬＣＤパネルを有する積層体を得た。ここでのＬＣＤパネルを有する積層体を以下、パネル付き積層体Ｘ２という。
次に、実施例４と同様に、パネル付き積層体Ｘ２から両面の無機層付き支持基板を分離し、ＴＦＴアレイを形成した基板およびカラーフィルタを形成した基板からなるＬＣＤパネルＢ（電子デバイスに相当）を得た。
作製したＬＣＤパネルＢにＩＣドライバを接続し、常温常圧下で駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。

１０ガラス積層体
１２支持基板
１４無機層
１４ａ第１主面（無機層の支持基板側とは反対側の表面）
１６無機層付き支持基板
１８ガラス基板
１８ａ第１主面（ガラス基板の無機層側の表面）
１８ｂ第２主面（ガラス基板の無機層側とは反対側の表面）
２０電子デバイス用部材
２２電子デバイス用部材付き積層体
２４電子デバイス（電子デバイス用部材付きガラス基板）

Claims

支持基板および前記支持基板上に配置された無機層を有する無機層付き支持基板と、
前記無機層上に剥離可能に積層されたガラス基板と、を備え、
前記無機層のマルテンス硬さが３０００Ｎ／ｍｍ²以下である、ガラス積層体。
前記無機層中の水分濃度が１．５原子％以上である、請求項１に記載のガラス積層体。
前記無機層の厚さが７０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載のガラス積層体。
前記無機層が金属フッ化物を含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス積層体。
請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス積層体が備える前記ガラス基板の前記無機層側とは反対側の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
前記電子デバイス用部材付き積層体から前記無機層付き支持基板を剥離し、前記ガラス基板および前記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、
を備える電子デバイスの製造方法。