CN103290355B - 物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法 - Google Patents

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Abstract

一种物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法。该方法包括下列步骤:清洗该反应室腔体零件;对该反应室腔体零件进行涂膜以形成一中介层;以及当所述中介层表面累积一特定厚度的金属镀膜发生破裂或剥落后,去除所述中介层。通过本发明能增加该反应室腔体零件的使用寿命。

Description

物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法
技术领域
本发明系关于一种清洁方法,特别是有关一种用于物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)的反应室腔体的清洁方法。
背景技术
请参阅附图1,所示为现有技术中物理气相沉积的反应室腔体实施物理气相沉积工艺的示意图。物理气相沉积工艺主要是在一基板100上沉积一薄膜102。首先利用一直流电源104分别电学连接至一背板106及一遮覆板108,通过所述背板106及所述遮覆板108于所述反应室腔体内形成电场将离子枪束110击向靶材112,其中所述靶材112为纯金属的材质所制成。所述离子枪束110撞击所述靶材112后,会将所述靶材112上的金属溅射在所述基板100上而形成所述薄膜102。
而物理气相沉积的反应室腔体在使用一段时间后,会在反应室腔体中所述遮覆板108及母材114的表面形成金属镀膜(未图示),因此必须对反应室腔体进行洗净与再生,防止金属镀膜破裂或剥落所产生的粉尘粒子散布至所述基板100而影响良率。所谓洗净是指针对反应室腔体中所述遮覆板108及所述母材114的金属镀膜的材质选用适当的方法与材料予以去除,例如以酸性或碱性的化学溶液浸泡反应室腔体,将形成于所述遮覆板108及所述母材114表面的金属镀膜溶解分离。所谓再生是指洗净后再以喷砂及整形等方式恢复所述遮覆板108及所述母材114的原有外形与表面特性。然而上述洗净及再生皆会侵蚀与损耗反应室腔体中所述遮覆板108及所述母材114的本体厚度,造成使用寿命减短。
此外,对于反应室腔体中的螺丝孔(未图示),例如锁固于所述母材114之间的螺丝孔,上述以化学溶液浸泡反应室腔体、对所述遮覆板108及所述母材114喷砂及整形等步骤会使螺丝孔产生扩孔现象,因此在多次进行洗净及再生后,会造成螺丝孔尺寸与原先尺寸有所差异,导致螺丝孔与螺丝在组合时误差过大而使得锁固功能不佳甚至无法继续使用。
并且,由于在前述洗净等过程中,必须使用大量的酸性或碱性的化学溶液,浸泡遮覆板108及母材114,以溶解金属镀膜,使其与遮覆板108及母材114分离。由于不可避免地必须使用大量的酸性或碱性的化学溶液,不仅洗净成本大幅提高。使用大量酸性或碱性的化学溶液,对于自然环境也不可避免地造成一定程度的影响。在当今环境保护意识明确,尽力避免人类科技发展与经济活动对环境造成危害,而能永续经营且平衡生态是为当今人类的一大课题。
因此,确有需要对上述反应室腔体因洗净及再生导致使用寿命减短,同时酸碱化学溶液大量使用对环境造成影响的问题提出解决方法。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,其能增加物理气相沉积的反应室腔体的使用寿命。
本发明的又一目的在于提供一种物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,能简化反应室腔体零件表面形成的金属镀膜的去除过程。
为达到上述目的,根据本发明之一特点是提供一种物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,包括:清洗所述反应室腔体零件;对所述反应室腔体零件进行涂膜以形成一中介层;以及当所述中介层表面累积的金属镀膜发生破裂或剥落后,去除所述中介层。
本发明之物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法通过所述中介层来增加所述反应室腔体零件及所述金属镀膜两者之间的黏着力,防止所述金属镀膜的掉落。此外,当去除所述金属镀膜时,所述中介层作为一接口防止破坏所述反应室腔体零件且能简化去除过程。
附图说明
附图1所示是现有技术物理气相沉积的反应室腔体实施物理气相沉积工艺示意图。
附图2所示是根据本发明物理气相沉积反应室腔体零件的清洁方法流程图。
附图3A至3E所示是所述反应室腔体零件的清洁方法示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的技术方案进行详细说明。
请参阅附图1及附图3A至3E,附图2所示是根据本发明物理气相沉积反应室腔体零件300的清洁方法流程图,附图3A至3E所示是所述反应室腔体零件300的清洁方法示意图。
于步骤S200中,清洗所述反应室腔体零件300,以去除其表面的粉尘粒子及副生成物,清洗完成后如附图3A所示。所述反应室腔体零件300是指反应室腔体内部的构成组件,例如附图1所示的所述遮覆板40或所述母材70。所述遮覆板40用以承载附图1的基板10。所述母材70包括形成反应室腔体空间之一底壁及多个侧壁。
于步骤S210中,对所述反应室腔体零件300进行涂膜以形成一中介层302,如附图3B所示。涂膜的材质为可悬浮于非酸性化学溶液的材质或非碱性化学溶液的材质。
所述中介层302可以通过将悬浮有涂膜材质的非酸性化学溶液或非碱性化学溶液均匀喷涂或刷涂所述反应室腔体零件300表面来形成。此外,所述反应室腔体零件300表面除洁净度要求外,于形成所述中介层302的步骤之前,可以进一步对所述反应室腔体零件300表面进行前置处理以增加所述中介层302的附着能力、均热性、厚度均匀性,例如利用喷砂来增加或控制所述反应室腔体零件300表面的粗糙度。所述中介层302的厚度可以因应各种物理气相沉积工艺而作不同的变化,使得所述中介层302的制造成本与所述反应室腔体零件300的清洁周期两者之间达到最佳化之设计。
步骤S220中,当所述中介层302表面累积因实施物理气相沉积工艺所产生的金属镀膜304达特定厚度时,所述金属镀膜304会发生破裂或剥落,如附图3C所示,通过去除所述中介层302可同时去除所述金属镀膜304,如附图3D所示。去除完成后如附图3E所示,仅留下去除过程中未经破坏的所述反应室腔体零件300。所述金属镀膜304可例如为实施物理气相沉积时所形成。
所述中介层302是作为所述反应室腔体零件300与所述金属镀膜304间的中间物质,用以增进两者间的黏着力,防止因实施物理气相沉积工艺所产生的所述金属镀膜304剥落至如附图1的基板100。此外,当去除所述中介层302时,所述中介层302是作为一接口,使得所述金属镀膜304能随着所述中介层302剥离,大幅简化所述金属镀膜304从所述反应室腔体零件300剥离的过程。剥离的过程是以非酸性溶液或非碱性溶液浸润覆盖所述金属镀膜304的所述反应室腔体零件300,或以加压水柱或加压空气冲灌所述反应室腔体零件300以将所述金属镀膜304剥离。此外,可以进一步利用辅助工具使所述金属镀膜304更快速地被剥离。当所述金属镀膜304剥离后,若残留部份未剥离的金属镀膜304可以重复上述步骤即可完全去除。
经过剥离后之金属镀膜是呈固态块状或颗粒状,以重力方式将其与污水分离后可完整收集,经纯化后可再回收使用,由于再回收的过程无需经过任何化学溶解过程,因此回收再生效益极高且不会产生任何废弃物及污染。
又,涂膜的材质可以进一步选择具有下列至少一特性的材质:(1)符合反应室腔体使用环境的耐温特性的材质,使得所述中介层302于实施物理气相沉积工艺时不易被破坏;(2)能增加所述金属镀膜304及所述反应室腔体零件300两者之间黏合性的材质,其中所述金属镀膜304如铝、钼、氧化铟锡、铜,所述反应室腔体零件300如铝、不锈钢;(3)水溶性材质;(4)可悬浮于醇类、丙酮类、异丙酮类或水的材质,例如氮化硼或具有与氮化硼类似的耐酸碱、不导电(高介电系数)、导热性佳、高融点等特性的物质,使得所述中介层302的去除过程更加快速。
本发明是针对物理气相沉积工艺,因此可应用至相关产业,包括但不限于液晶薄膜显示器产业、半导体组件制造产业、光学零件镀膜产业及金属材料镀膜产业。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,其特征在于,包括:
清洗所述反应室腔体零件;
对所述反应室腔体零件进行涂膜以形成一中介层,其中所述中介层通过将悬浮有涂膜材质的非酸性化学溶液或非碱性化学溶液均匀喷涂或刷涂所述反应室腔体零件表面来形成;以及
当所述中介层表面累积因实施物理气相沉积工艺产生金属镀膜时,通过去除所述中介层以同时去除所述金属镀膜,在此过程中,以非酸性溶液或非碱性溶液浸润覆盖所述金属镀膜的所述反应室腔体零件;以加压水柱或加压空气冲灌所述反应室腔体零件以将所述金属镀膜剥离。
2.根据权利要求1所述的物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,其特征在于,所述反应室腔体零件为一遮覆板,用以承载实施物理气相沉积工艺时的一基板。
3.根据权利要求1所述的物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,其特征在于,所述反应室腔体零件系为形成反应室腔体空间之一底壁及复数个侧壁构成群组中之其一。
4.根据权利要求1所述的物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,其特征在于,涂膜的材质是符合实施物理气相沉积制程时的耐温特性的材质。
5.根据权利要求1所述的物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,其特征在于,涂膜的材质是增加所述金属镀膜及所述反应室腔体零件两者之间黏合性的材质。
6.根据权利要求1所述的物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,其特征在于,涂膜的材质系为水溶性的材质。
7.根据权利要求1所述的物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,其特征在于,涂膜的材质是可悬浮于醇类、丙酮类、异丙酮类或水的材质。
8.根据权利要求1所述的物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,其特征在于,涂膜的材质为氮化硼。
9.根据权利要求1所述的物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,其特征在于,在对所述反应室腔体零件进行涂膜以形成所述中介层的步骤之前,进一步包括控制所述反应室腔体零件表面的粗糙度的步骤。
10.根据权利要求1所述的物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法,其特征在于,是利用喷砂来控制所述反应室腔体零件表面的粗糙度。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104614933A (zh) * 2014-12-24 2015-05-13 信利(惠州)智能显示有限公司 一种金属成膜掩膜板的清洗方法
CN105296927A (zh) * 2015-10-29 2016-02-03 云南汇恒光电技术有限公司 一种光学真空镀膜机内腔清洁方法
CN105274465B (zh) * 2015-11-17 2018-01-30 沈阳仪表科学研究院有限公司 真空镀膜腔内部件洁净粗糙表面的再生方法
CN107043919A (zh) * 2017-04-18 2017-08-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 防着板及其表面处理方法、材料回收方法以及薄膜沉积设备
CN114481042A (zh) * 2020-10-27 2022-05-13 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种电子束蒸发台坩埚组件的清理方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1447397A (zh) * 2001-12-11 2003-10-08 联华电子股份有限公司 减少反应室杂质含量的方法
CN1939666A (zh) * 2005-09-30 2007-04-04 佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司 镁合金表面前处理方法
CN101024213A (zh) * 2006-02-21 2007-08-29 陈国栋 晶片承载盘保护层的制造方法
CN101154559A (zh) * 2006-09-30 2008-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 减少反应室颗粒的工艺方法
CN101290865A (zh) * 2007-04-20 2008-10-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法
CN101643895A (zh) * 2008-08-04 2010-02-10 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 等离子体反应腔室预处理方法
CN101752214A (zh) * 2008-12-17 2010-06-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体加工腔室部件及其制造方法及半导体加工设备
CN101764044A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子装置工艺腔预处理的方法
CN102051585A (zh) * 2009-10-28 2011-05-11 向熙科技股份有限公司 溅镀emi金属层或外观装饰镀膜于塑料基材的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6902628B2 (en) * 2002-11-25 2005-06-07 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a coated process chamber component

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1447397A (zh) * 2001-12-11 2003-10-08 联华电子股份有限公司 减少反应室杂质含量的方法
CN1939666A (zh) * 2005-09-30 2007-04-04 佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司 镁合金表面前处理方法
CN101024213A (zh) * 2006-02-21 2007-08-29 陈国栋 晶片承载盘保护层的制造方法
CN101154559A (zh) * 2006-09-30 2008-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 减少反应室颗粒的工艺方法
CN101290865A (zh) * 2007-04-20 2008-10-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法
CN101643895A (zh) * 2008-08-04 2010-02-10 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 等离子体反应腔室预处理方法
CN101752214A (zh) * 2008-12-17 2010-06-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体加工腔室部件及其制造方法及半导体加工设备
CN101764044A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子装置工艺腔预处理的方法
CN102051585A (zh) * 2009-10-28 2011-05-11 向熙科技股份有限公司 溅镀emi金属层或外观装饰镀膜于塑料基材的方法

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