CN110060912B - 防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其工艺方法 - Google Patents
防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其工艺方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110060912B CN110060912B CN201910484130.XA CN201910484130A CN110060912B CN 110060912 B CN110060912 B CN 110060912B CN 201910484130 A CN201910484130 A CN 201910484130A CN 110060912 B CN110060912 B CN 110060912B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lower electrode
- layer
- glass substrate
- dry
- preventing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 26
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 19
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 18
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 claims description 5
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 4
- 238000006748 scratching Methods 0.000 claims description 3
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
- C23C4/11—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
- C23C4/134—Plasma spraying
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
本发明公开了一种防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其制备方法，包括介质层和玻璃基板，所述结构还包括设于介质层与玻璃基板之间用于降低接触硬度的复合层。本发明在传统下电极介质层上增加了Y2O3和Al2O3复合层，将表面硬度控制在HV300～500范围内，涂层硬度随着Y2O3含量增加而降低，使得下电极表面硬度低于玻璃硬度，有效的防止了玻璃背部刮痕和凹坑的而出现。
Description
技术领域
本发明属于干刻下电极表面处理技术领域，具体涉及一种防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其工艺方法。
背景技术
干刻机台是液晶面板和半导体制备过程中的关键设备，下电极是干刻机台中的关键部件，下电极为典型的三明治结构，见图1所示。刻蚀机台工作时，玻璃基板放置在下电极表面，与下电极介质层直接接触，直流电源通过下电极背部的直流电极柱连接到W层使其带正电荷，玻璃下表面则产生感应负电荷，正电荷和负电荷之间产生库伦应力使玻璃吸附在下电极表面，防止基板在刻蚀过程中产生移动，保证刻蚀工艺的有效和稳定性，玻璃基板上表面与刻蚀腔体中等离子气体产生化学和物理作用蚀刻掉多余的膜层形成所需的电路图。
随着面板代次逐渐提高到G8.5，G10.5以及高制程LTPS(低温多晶硅)和AMOLED(柔性有机发光二极管)面板的普及，则需要更大的库仑力吸附玻璃基板，另外高代次刻蚀功率高，刻蚀时等离子体对玻璃基板作用力加大。目前下电极表面介质层为Al2O3，硬度在HV900±100，而玻璃基板的硬度在HV600±50，由于库仑力和等离子作用力的增大，高硬度的介质层导致玻璃下表面产生划痕和凹坑，导致产品报废，严重降低了良率。因此，迫切需求一种新的工艺方法的提出来解决此种问题，提高产品性能稳定性和良率。
发明内容
本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题。为此，本发明提供一种防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其工艺方法，目的是防止玻璃基板下表面产生划痕和凹坑。
为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
一种防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构，包括介质层和玻璃基板，所述结构还包括设于介质层与玻璃基板之间用于降低接触硬度的复合层。
所述复合层包括设于介质层上的致密层和设于致密层上的顶层接触层，玻璃基板设于顶部接触层上。
所述致密层为三氧化二钇和三氧化二铝的复合涂层。
所述顶部接触层为三氧化二钇和三氧化二铝的复合涂层。
所述三氧化二钇和三氧化二铝的复合涂层中三氧化二钇所占的质量百分比为80-100％。
制备所述防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构的工艺方法，包括如下步骤：
步骤一、对下电极进行清洗、干燥；
步骤二、在下电极表面上进行等离子喷涂三氧化二钇及三氧化二铝的复合粉末以形成致密层；
步骤三、在致密层上进行等离子喷涂三氧化二钇及三氧化二铝的复合粉末以形成顶部接触层；
步骤四、研磨处理；
步骤五、清洗、干燥。
所述步骤二中的喷涂工艺参数为：主气Ar流量40～60L/min，次气H2流量8～15L/min，电压36～40V，电流800～900A，送粉量为10～20g/min，喷涂距离100～150mm，喷涂层厚度达到10～20μm，结合力达到10MPa以上。
所述步骤三中的喷涂工艺参数为：主气Ar流量30～60L/min，次气H2流量6～15L/min，电压36～40V，电流700～900A，送粉量为10～40g/min，喷涂距离100～150mm，涂层厚度达到10～50μm。
所述研磨处理是去除Y2O3和Al2O3复合涂层表面的尖端和松动颗粒，研磨使用白刚玉砂纸，研磨力度为20N～50N。
步骤五中的干燥是在1000级以上洁净室内，将下电极放入烘箱，60～80℃干燥48～72h；冷却后使用高纯氮气或Ar吹扫并双层真空包装。
本发明的有益效果：
1、本发明在传统下电极介质层上增加了Y2O3和Al2O3复合层，将表面硬度控制在HV300～500范围内，涂层硬度随着Y2O3含量增加而降低，使得下电极表面硬度低于玻璃硬度，有效的防止了玻璃背部刮痕和凹坑的而出现。
2、Y2O3和Al2O3复合层分为两层，致密层涂层结构致密，能够保证复合层与下电极介质层强力的结合，结合力大于10MPa，防止下电极工作时复合层脱落；顶部接触复合层能够保证涂层粗糙度在Ra 2～6μm范围内(最优为Ra3～5μm)，防止使用过程中粗糙度偏低造成玻璃粘附在下电极表面无法分离。
附图说明
本说明书包括以下附图，所示内容分别是：
图1是现有技术中的下电极结构示意图；
图2是本发明的下电极结构示意图。
图中标记为：
1、绝缘层，2、W层，3、介质层，4、玻璃基板，5、直流电极柱，6、致密层，7、顶部接触层。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本发明的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。
如图2所示，下部电极的基材上依次为Al2O3绝缘层1和W层2，直流电源通过下电极背部的直流电极柱5连接到W层2。为了改善干刻下电极表面硬度，防止玻璃基板背刮，设计了一种防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构，包括介质层3和玻璃基板4，该结构还包括设于介质层3与玻璃基板4之间用于降低接触硬度的复合层。介质层3为Al2O3介质层。复合层包括设于介质层3上的致密层6和设于致密层上的顶层接触层7，玻璃基板4设于顶部接触层上。致密层为三氧化二钇和三氧化二铝的复合涂层。顶部接触层为三氧化二钇和三氧化二铝的复合涂层。三氧化二钇和三氧化二铝的复合涂层中三氧化二钇所占的质量百分比为80-100％。该方案中，通过在传统下电极介质层上增加了Y2O3和Al2O3复合层，将表面硬度控制在HV300～500范围内，涂层硬度随着Y2O3含量增加而降低，使得下电极表面硬度低于玻璃硬度，有效的防止了玻璃背部刮痕和凹坑的而出现。
制备防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构的工艺方法，具体步骤如下：
步骤一、清洗干燥：使用高压水洗清洗下电极，高压水洗使用的去离子水电阻率大于4MΩ*cm，压力为80～150bar，然后使用压缩气孔将下电极表面吹干，最后在烘箱内进行60～80℃干燥12～24h。
步骤二、等离子喷涂致密层：等离子喷涂使用是Y2O3和Al2O3的复合粉末，其中Y2O3含量在80％～100％(wt.)范围内，等离子喷涂时使用六轴机械手操控喷枪移动，喷涂工艺参数为：主气Ar流量40～60L/min，次气H2流量8～15L/min，电压36～40V，电流800～900A，送粉量为10～20g/min，喷涂距离100～150mm，喷涂层厚度达到10～20μm，结合力达到10MPa以上。
步骤三、等离子喷涂顶部接触层：等离子喷涂使用是Y2O3和Al2O3的复合粉末，其中Y2O3含量在80％～100％(wt.)范围内，等离子喷涂时使用六轴机械手操控喷枪移动，喷涂工艺参数为：主气Ar流量30～60L/min，次气H2流量6～15L/min，电压36～40V，电流700～900A，送粉量为10～40g/min，喷涂距离100～150mm，喷涂30～50个pass，涂层厚度达到10～50μm。
步骤四、研磨处理：研磨处理去除Y2O3和Al2O3复合涂层表面的尖端和松动颗粒，研磨使用白刚玉砂纸粒度为2000#～4000#，研磨力度为20N～50N。
步骤五、清洗：使用高压水洗清洗下电极，高压水洗使用的去离子水电阻率大于4MΩ*cm，压力为80～150bar，然后使用压缩气孔将下电极表面吹干。
步骤六、最终处理：在1000级以上洁净室内，将下电极放入烘箱，60～80℃干燥48～72h，随炉冷却后立即使用高纯氮气或Ar吹扫并双层真空包装。
下面通过具体的优选实施例进行详细说明：
实施例1
一种防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的工艺方法，具体步骤如下：
步骤一、清洗干燥：使用高压水洗清洗下电极，高压水洗使用的去离子水电阻率大于4MΩ*cm，压力为100bar，然后使用压缩气孔将下电极表面吹干，最后在烘箱内进行60℃干燥24h。
步骤二、等离子喷涂致密层：等离子喷涂使用是Y2O3和Al2O3的复合粉末，其中Y2O3含量在80％(wt.)，等离子喷涂时使用六轴机械手操控喷枪移动，喷涂工艺参数为：主气Ar流量40L/min，次气H2流量10L/min，电压36V，电流800A，送粉量为10g/min，喷涂距离100mm，喷涂层厚度达到10μm，结合力达到10MPa以上。
步骤三、等离子喷涂顶部接触层：等离子喷涂使用是Y2O3和Al2O3的复合粉末，其中Y2O3含量在95％(wt.)范围内，等离子喷涂时使用六轴机械手操控喷枪移动，喷涂工艺参数为：主气Ar流量60L/min，次气H2流量15L/min，电压40V，电流900A，送粉量为40g/min，喷涂距离150mm，喷涂50个pass，涂层厚度达到45μm。
步骤四、研磨处理：研磨处理去除Y2O3和Al2O3复合涂层表面的尖端和松动颗粒，研磨使用白刚玉砂纸粒度为3000#，研磨力度为50N。
步骤五、清洗：使用高压水洗清洗下电极，高压水洗使用的去离子水电阻率大于4MΩ*cm，压力为150bar，然后使用压缩气孔将下电极表面吹干。
步骤六、最终处理：在1000级以上洁净室内，将下电极放入烘箱，70℃干燥72h，随炉冷却后立即使用高纯氮气或Ar吹扫并双层真空包装。
实施例2
一种防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的工艺方法，具体步骤如下：
步骤一、清洗干燥：使用高压水洗清洗下电极，高压水洗使用的去离子水电阻率大于4MΩ*cm，压力为150bar，然后使用压缩气孔将下电极表面吹干，最后在烘箱内进行80℃干燥12h。
步骤二、等离子喷涂致密层：等离子喷涂使用是Y2O3和Al2O3的复合粉末，其中Y2O3含量在85％(wt.)，等离子喷涂时使用六轴机械手操控喷枪移动，喷涂工艺参数为：主气Ar流量60L/min，次气H2流量15L/min，电压40V，电流900A，送粉量为18g/min，喷涂距离150mm，喷涂层厚度达到20μm，结合力达到10MPa以上。
步骤三、等离子喷涂顶部接触层：等离子喷涂使用是Y2O3和Al2O3的复合粉末，其中Y2O3含量在90％(wt.)范围内，等离子喷涂时使用六轴机械手操控喷枪移动，喷涂工艺参数为：主气Ar流量35L/min，次气H2流量7L/min，电压37V，电流750A，送粉量为15g/min，喷涂距离100mm，喷涂40个pass，涂层厚度达到15μm。
步骤四、研磨处理：研磨处理去除Y2O3和Al2O3复合涂层表面的尖端和松动颗粒，研磨使用白刚玉砂纸粒度为2000#，研磨力度为25N。
步骤五、清洗：使用高压水洗清洗下电极，高压水洗使用的去离子水电阻率大于4MΩ*cm，压力为100bar，然后使用压缩气孔将下电极表面吹干。
步骤六、最终处理：在1000级以上洁净室内，将下电极放入烘箱，75℃干燥50h，随炉冷却后立即使用高纯氮气或Ar吹扫并双层真空包装。
对比例1
本对比例与实施例1的不同点在于，仅通过等离子喷涂致密层，不进行喷涂顶部接触层。
由于喷涂致密涂层使用的功率高，粉末熔化状态好，形成的涂层孔隙率低，涂层表面粗糙度Ra较低，经过研磨去除松动颗粒后，涂层粗糙度会进一步降低到Ra 2μm以下，这样玻璃面板与下电极接触面的接触面积增大，静电吸附时剥离面板更易粘附在下电极接触面，导致吸附力释放剥离顶出时产生破片。
对比例2
本对比例与实施例1的不同点咋样，Al2O3含量大约为30％(wt.)，复合涂层HV大于HV500，下电极使用时剥离背板出现轻微刮伤；
复合涂层完成喷涂后未进行打磨去除松动颗粒，下电极使用过程中出现Particel(颗粒)问题，导致玻璃基板报废。
结果表明，使用实施例1及实施例2工艺方法制备的下电极表面粗糙度在Ra2～6μm范围内，表面硬度在HV300～500之间，能够有效防止涂层脱落和玻璃粘片的同时有效的避免了玻璃基板下表面划痕和凹坑的出现，保证了产品稳定性和良率。底层致密层能够有效解决两种不同材料之间更好的结合，提高界面结合强度，防止使用过程中复合涂层脱落，造成复合涂层功能失效；顶层满足硬度使用要求防止刮伤玻璃的同时能够有效提高涂层表面粗糙度，防止粘片、破片情况发生。
以上结合附图对本发明进行了示例性描述。显然，本发明具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未经改进，将本发明的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种制备防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、对下电极进行清洗、干燥；
步骤二、在下电极表面上进行等离子喷涂三氧化二钇及三氧化二铝的复合粉末以形成致密层，所述三氧化二钇和三氧化二铝的复合涂层中三氧化二钇所占的质量百分比为80-100%；所述步骤二中的喷涂工艺参数为：主气Ar流量40~60 L/min，次气H2流量8~15 L/min，电压36~40V，电流800~900A，送粉量为 10~20 g/min，喷涂距离100~150mm，喷涂层厚度达到10~20μm，结合力达到10MPa以上；
步骤三、在致密层上进行等离子喷涂三氧化二钇及三氧化二铝的复合粉末以形成顶部接触层，所述三氧化二钇和三氧化二铝的复合涂层中三氧化二钇所占的质量百分比为80-100%；所述步骤三中的喷涂工艺参数为：主气Ar流量30~60 L/min，次气H2流量6~15 L/min，电压36~40V，电流700~900A，送粉量为 10~40 g/min，喷涂距离100~150mm，涂层厚度达到10~50μm；
步骤四、研磨处理；
步骤五、清洗、干燥；
经过上述处理后，下电极表面的粗糙度在Ra 2~6μm范围内，使表面硬度在HV300~500之间。
2.根据权利要求1所述制备防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构的工艺方法，其特征在于，所述研磨处理是去除Y2O3和Al2O3复合涂层表面的尖端和松动颗粒，研磨使用白刚玉砂纸，研磨力度为20N~50N。
3.根据权利要求1所述制备防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构的工艺方法，其特征在于，步骤五中的干燥是在1000级以上洁净室内，将下电极放入烘箱，60~80℃干燥48~72h；冷却后使用高纯氮气或Ar吹扫并双层真空包装。
4.一种防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构，运用如权利要求1~3任意一项工艺方法制备，包括介质层和玻璃基板，其特征在于，所述结构还包括设于介质层与玻璃基板之间用于降低接触硬度的复合层。
5.根据权利要求4所述防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构，其特征在于，所述复合层包括设于介质层上的致密层和设于致密层上的顶层接触层，玻璃基板设于顶部接触层上。
6.根据权利要求5所述防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构，其特征在于，所述致密层为三氧化二钇和三氧化二铝的复合涂层。
7.根据权利要求5所述防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构，其特征在于，所述顶部接触层为三氧化二钇和三氧化二铝的复合涂层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910484130.XA CN110060912B (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其工艺方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910484130.XA CN110060912B (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其工艺方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110060912A CN110060912A (zh) | 2019-07-26 |
| CN110060912B true CN110060912B (zh) | 2021-08-03 |
Family
ID=67325609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910484130.XA Active CN110060912B (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其工艺方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110060912B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111564356A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-21 | 芜湖通潮精密机械股份有限公司 | 一种下电极表面介质层及其制作工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011150311A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Praxair Technology, Inc. | Substrate supports for semiconductor applications |
| CN103325725A (zh) * | 2012-03-21 | 2013-09-25 | 高美科株式会社 | 静电卡盘 |
| CN103794445A (zh) * | 2012-10-29 | 2014-05-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于等离子体处理腔室的静电夹盘组件及制造方法 |
-
2019
- 2019-06-05 CN CN201910484130.XA patent/CN110060912B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011150311A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Praxair Technology, Inc. | Substrate supports for semiconductor applications |
| CN103325725A (zh) * | 2012-03-21 | 2013-09-25 | 高美科株式会社 | 静电卡盘 |
| CN103794445A (zh) * | 2012-10-29 | 2014-05-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于等离子体处理腔室的静电夹盘组件及制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110060912A (zh) | 2019-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101497985B1 (ko) | 트윈 와이어 아크 스프레이 코팅의 적용을 위한 방법 및장치 | |
| KR102378196B1 (ko) | 부착물 제거 방법 | |
| KR100447369B1 (ko) | 부착막 회수 장치 및 부착막의 회수 방법 | |
| CN110060912B (zh) | 防止干刻下电极表面玻璃基板背刮的结构及其工艺方法 | |
| US20040081746A1 (en) | Method for regenerating container for plasma treatment, member inside container for plasma treatment, method for preparing member inside container for plasma treatment, and apparatus for plasma treatment | |
| JP2008120638A (ja) | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 | |
| CN108103430B (zh) | 一种电弧工艺铝熔射层表面尖端毛刺的控制方法 | |
| KR20130136431A (ko) | 서포트 기판 | |
| CN111892285A (zh) | 一种电子玻璃的火焰抛光装置及火焰抛光方法 | |
| CN105417538A (zh) | 一种采用射流预处理制备石墨烯的方法 | |
| CN105023841B (zh) | 一种晶圆表面撕金去胶方法 | |
| CN109082623B (zh) | 一种干法刻蚀下部电极表面凸点的制作方法 | |
| CN102299052A (zh) | 晶片的制作方法 | |
| CN103290355B (zh) | 物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法 | |
| CN113122795A (zh) | 一种半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法 | |
| CN1563473A (zh) | 用于镁合金工件表面处理的方法 | |
| WO2007091351A1 (ja) | スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット材およびこれらの製造方法 | |
| KR20100011586A (ko) | 내 플라즈마 세라믹 코팅막 형성방법 | |
| CN111564356A (zh) | 一种下电极表面介质层及其制作工艺 | |
| CN209665092U (zh) | 一种浮法tft-lcd玻璃面研磨剥片装置 | |
| CN116727341A (zh) | 熔射涂层的清洗方法 | |
| JP2011063856A (ja) | 成膜装置用部品の付着膜除去方法 | |
| CN202062379U (zh) | 太阳能硅片烧结用卸料机械手 | |
| CN215713327U (zh) | 一种镀膜机用金属mask掩膜板 | |
| US20170100753A1 (en) | Sheet material surface treatment method and system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |