CN101290865A - 一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法 - Google Patents
一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101290865A CN101290865A CNA2007100397887A CN200710039788A CN101290865A CN 101290865 A CN101290865 A CN 101290865A CN A2007100397887 A CNA2007100397887 A CN A2007100397887A CN 200710039788 A CN200710039788 A CN 200710039788A CN 101290865 A CN101290865 A CN 101290865A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reaction chamber
- etching processing
- wafers
- blemish
- processing procedure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供了一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法,涉及晶圆的刻蚀工艺。现有的刻蚀制程中,由于反应腔侧壁上聚合物淀积不够紧密,容易出现淀积物脱落,造成晶圆表面缺陷的问题。本发明的方法主要用于解决刻蚀制程中的表面缺陷问题,该刻蚀制程包括在反应腔中分别执行步骤一和步骤二;执行步骤一时,会在反应腔侧壁上形成紧密的聚合物淀积;执行步骤二时,会在反应腔侧壁上形成疏松的聚合物淀积,所述方法在同一反应腔内运行数批不同的晶圆时,每运行一批需要执行步骤二的晶圆之前,都要先运行至少两批需要执行步骤一的晶圆。本发明的方法通过合理安排晶圆在反应腔内的运行顺序,可有效改善反应腔侧壁的聚合物淀积程度,防止表面缺陷的产生。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制造工艺,尤其涉及晶圆的刻蚀工艺。
背景技术
在半导体器件制造工艺中,需要对曝有电路图形的晶圆进行刻蚀,该刻蚀制程在反应腔中执行,通过采用不同的气体与晶圆表面的薄膜进行反应,以将薄膜去除至特定的厚度。反应过程中产生的副产物大部分被真空系统抽走,少部分会淀积在反应腔的侧壁上,当大量的晶圆在反应腔中反应完毕后(例如连续反应80小时),需要更换一个新的侧壁。
在某些刻蚀制程,例如电容孔刻蚀(C1-ETCH)制程中,包括如下两个步骤:第一步采用含碳量高的气体与晶圆表面的薄膜进行反应,可在反应腔侧壁上形成紧密的聚合物淀积,而且反应时间越久,聚合物淀积得越紧密;第二步采用含碳量低的气体进行反应,会在反应腔侧壁上形成疏松的聚合物淀积,这些淀积物容易在反应过程中从侧壁上脱落,掉在晶圆上形成表面缺陷(surfacedefect)。
由于制造部的工作人员是随机选取一批晶圆在反应腔内运行的,如果正好连续拿到几批需要执行第二步反应的晶圆,则由于聚合物淀积疏松,在反应过程中很可能发生淀积物脱落的情况,造成晶圆的表面缺陷,影响产品的良率。
为了防止表面缺陷的问题,一种方法是在执行第二步之前先采用其它的工程晶圆运行一下,来加固反应腔侧壁的聚合物淀积程度。然而,采用此方法,不仅浪费工程晶圆,也占用反应时间,不利于产能的提升。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法,以有效防止表面缺陷问题的产生,从而提升产能。
为了达到上述的目的,本发明提供一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法,所述的刻蚀制程包括在反应腔中分别执行的步骤一和步骤二;执行步骤一时,会在反应腔侧壁上形成紧密的聚合物淀积;执行步骤二时,会在反应腔侧壁上形成疏松的聚合物淀积,其实质性特点在于,本方法在同一个反应腔内运行数批不同的晶圆时,每运行一批需要执行步骤二的晶圆之前,都要先运行至少两批需要执行步骤一的晶圆。
在上述的方法中,步骤一采用含碳量高的气体进行反应,步骤二采用含碳量低的气体进行反应。
本发明的防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法,通过合理安排晶圆在反应腔内的运行顺序,可有效提高反应腔侧壁上聚合物淀积的紧密程度,从而防止表面缺陷的产生,同时,无需借助额外的工程晶圆,节约了反应时间,提高了产能。
具体实施方式
下面将对本发明的防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法作进一步的详细描述。
本发明的方法主要用于刻蚀制程,所述的刻蚀制程包括在反应腔中分别执行的步骤一和步骤二。由于使用不同的工艺气体,在执行步骤一时,会在反应腔的侧壁上形成紧密的聚合物淀积,而在执行步骤二时,会在反应腔的侧壁上形成疏松的聚合物淀积。
于本发明的具体实施例中,该刻蚀制程为C1-ETCH制程,步骤一采用C4F8、CH2F2、CF4、CO、Ar和O2的混合气体,其含碳量较高,故可在反应腔侧壁上形成紧密的聚合物淀积,而且反应时间越长,淀积得越牢固。步骤二采用CHF3、Ar和O2的混合气体,其含碳量较低,因此在反应腔侧壁上形成的聚合物淀积较疏松,容易脱落。
为了防止在反应过程中发生淀积物脱落造成晶圆的表面缺陷,本发明对晶圆的运行顺序作出了优化:在同一个反应腔内运行数批不同的晶圆时,每运行一批需要执行步骤二的晶圆之前,都要先运行至少两批需要执行步骤一的晶圆。
通过先在反应腔中对两批晶圆执行步骤一,可在反应腔的侧壁上形成紧密牢固的聚合物淀积,从而在对后一批晶圆执行步骤二的过程中,即使形成的聚合物淀积较为疏松,也不至于脱落。然后再对两批晶圆执行步骤一,以进一步加固淀积程度,才能运行下一批需要执行步骤二的晶圆。如此反复,即可确保在侧壁的使用期内,不会发生淀积物脱落的现象,有效解决了表面缺陷的问题。
采用本发明的方法,无需对原有的工艺进行改动,只需合理安排晶圆的运行顺序,即可防止表面缺陷的产生。
Claims (3)
1、一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法,所述的刻蚀制程包括在反应腔中分别执行的步骤一和步骤二;执行步骤一时,会在反应腔侧壁上形成紧密的聚合物淀积;执行步骤二时,会在反应腔侧壁上形成疏松的聚合物淀积,其特征在于:所述方法在同一个反应腔内运行数批不同的晶圆时,每运行一批需要执行步骤二的晶圆之前,都要先运行至少两批需要执行步骤一的晶圆。
2、如权利要求1所述的防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法,其特征在于:步骤一中采用含碳量高的气体进行反应。
3、如权利要求1所述的防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法,其特征在于:步骤二中采用含碳量低的气体进行反应。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200710039788A CN101290865B (zh) | 2007-04-20 | 2007-04-20 | 一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200710039788A CN101290865B (zh) | 2007-04-20 | 2007-04-20 | 一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101290865A true CN101290865A (zh) | 2008-10-22 |
CN101290865B CN101290865B (zh) | 2010-05-19 |
Family
ID=40035058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200710039788A Expired - Fee Related CN101290865B (zh) | 2007-04-20 | 2007-04-20 | 一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101290865B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103290355A (zh) * | 2012-02-14 | 2013-09-11 | 金文焕 | 物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法 |
CN106373876A (zh) * | 2016-11-18 | 2017-02-01 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1743504A (zh) * | 2004-09-02 | 2006-03-08 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 反应室性能的改良方法 |
-
2007
- 2007-04-20 CN CN200710039788A patent/CN101290865B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103290355A (zh) * | 2012-02-14 | 2013-09-11 | 金文焕 | 物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法 |
CN103290355B (zh) * | 2012-02-14 | 2016-03-02 | 金文焕 | 物理气相沉积的反应室腔体零件的清洁方法 |
CN106373876A (zh) * | 2016-11-18 | 2017-02-01 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法 |
CN106373876B (zh) * | 2016-11-18 | 2019-03-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101290865B (zh) | 2010-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7553518B2 (en) | Substrate processing method | |
US8361813B1 (en) | Method for generating graphene structures | |
CN107268076A (zh) | 一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法 | |
JP2007531304A5 (zh) | ||
CN113675295B (zh) | PECVD制备硅片复合膜的方法和TOPCon电池的制备方法 | |
TW200801254A (en) | Process for producing a free-standing III-N layer, and free-standing III-N substrate | |
CN101290865B (zh) | 一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法 | |
WO2006077986A1 (ja) | 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置並びにその製膜方法 | |
CN1945793A (zh) | 使用等离子体处理衬底的装置和方法,以及制造半导体器件的设备 | |
US20140166049A1 (en) | Cleaning method of process chamber | |
CN102560438A (zh) | 一种提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法 | |
CN110643977A (zh) | 一种整合pecvd和pvd镀膜制造hit电池的设备 | |
CN100359646C (zh) | 一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法 | |
CN102024676A (zh) | 单室反应器中制造半导体器件的方法 | |
CN111554593A (zh) | 一种槽式清洗制绒后硅片烘干的方法 | |
KR102541657B1 (ko) | 사이클 반복형 기판 처리 장치 | |
RU2614080C1 (ru) | Пассивация поверхности кремниевых пластин методом магнетронного распыления | |
CN101333653A (zh) | 一种可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法 | |
CN103255388B (zh) | 一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法 | |
CN114524431B (zh) | 一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法 | |
CN111399348B (zh) | 一种抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法 | |
CN101393866A (zh) | 干法蚀刻制程中晶圆缺陷的改善方法 | |
KR200193954Y1 (ko) | 자연 산화막 제거 기능을 갖춘 화학 기상 침적 설비 | |
CN116005133A (zh) | 一种ald反应腔保养方法 | |
CN102270579A (zh) | 一种遮挡晶片制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100519 Termination date: 20190420 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |