CN1945793A - 使用等离子体处理衬底的装置和方法,以及制造半导体器件的设备 - Google Patents

使用等离子体处理衬底的装置和方法,以及制造半导体器件的设备 Download PDF

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CN1945793A CNA2006101412945A CN200610141294A CN1945793A CN 1945793 A CN1945793 A CN 1945793A CN A2006101412945 A CNA2006101412945 A CN A2006101412945A CN 200610141294 A CN200610141294 A CN 200610141294A CN 1945793 A CN1945793 A CN 1945793A
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Abstract

使用多种不同类型等离子体源来处理衬底。等离子体源可与单个处理室相关。在这种情况下，选择性地操作等离子体源，来处理在处理室中的衬底。或者，等离子体源分别与集成的制造设备中的各个处理室相关联。根据本发明，等离子体源的操作参数，例如使用顺序，构成额外的可以调节的处理参数，最大化处理效率。

Description

使用等离子体处理衬底的装置 和方法，以及制造半导体器件的设备
技术领域
本发明涉及用于处理衬底的方法和装置。更具体，本发明涉及用于使用等离子体处理衬底的方法和装置。
背景技术
各种处理用于制造使用例如晶片的衬底的半导体器件。许多处理，例如淀积、蚀刻和清洗工序，使得从处理气体生成等离子体，并将等离子体提供到衬底。因此，用于执行等离子体处理工序的装置包括处理室和等离子体生成器，该等离子体生成器生成等离子体并将等离子体提供到处理室中的衬底。蚀刻装置的等离子体生成器可以是电容耦合等离子体(CCP)生成器、电感耦合等离子体(ICP)生成器、反应物离子蚀刻等离子体(RIE)生成器、磁增强的反应物离子蚀刻(MERIE)等离子体生成器、电子回旋共振(ECR)等离子体生成器、直接等离子体生成器或远程等离子体生成器。
图1A至1G分别说明具有电容耦合等离子体(CCP)、电感耦合等离子体(ICP)、反应物离子蚀刻等离子体(RIE)、磁增强的反应物离子蚀刻等离子(MERIE)、直接等离子体、远程等离子体和电子回旋共振(ECR)等离子体生成器的等离子体处理装置的实例。在图1A至1G中，参考标号10、12、14和16分别指示处理室、上电极、下电极、和高频电源。参照图1A，电容耦合等离子体(CCP)生成器向上电极12和下电极14提供高频交流(AC)。参照图1B，电感耦合等离子体(ICP)生成器向围绕处理室10的线圈18提供高频交流(AC)。参照图1C，反应物离子蚀刻等离子体(RIE)生成器向下电极14提供高频交流(AC)，而上电极12接地。参照图1D，磁增强的反应物离子蚀刻(MERIE)等离子体生成器包括与电感耦合等离子体(ICP)生成器相同的结构，并且还包括处理室10之外的磁体20。参照图1E，直接等离子体生成器向上电极12提供交流(AC)，而下电极14接地。参照图1G，远程等离子体生成器在处理室10之外生成等离子体，然后将等离子体提供到处理室10中。电子回旋共振(ECR)等离子体生成器包括微波生成器24a和电磁体24b。等离子体生成器的具体结构在本领域中基本上是公知的。因此，将省略其进一步详细说明。
影响蚀刻工序的效率的因素包括执行处理的压力和温度、处理气体的总量和类型、所施加的高频电磁场的持续时间和幅度等。在蚀刻工序期间调节这些因素，例如，试图最大化处理的效率。通常，等离子体处理装置仅具有上述的一个等离子体生成器。因此，仅通过调节这些因素仅能如此地增加蚀刻工序的效率。此外，等离子体蚀刻装置具有限制数目的应用。即，由装置所应用的等离子体生成器限制了装置能够执行的不同类型的处理的数目。
发明内容
本发明的目的是提供能够有效地处理衬底的等离子处理装置或设备。
相似地，本发明的目标是提供使用等离子体处理衬底的有效方法。
本发明的另一目标是提供能够在衬底上执行各种等离子体处理工序的等离子体处理装置或设备。
根据本发明的一个方面，等离子体处理装置包括处理室、以及包括至少两个不同类型等离子体生成器的等离子体生成系统。在处理室中设置衬底支撑，用于当处理时支撑衬底。装置还包括气体供应系统，用于供应处理气体，从该处理气体形成等离子体。等离子生成系统还可包括控制器。控制器控制等离子生成器在使用等离子体处理衬底的工序期间选择性地一一操作。例如，控制器可以控制等离子生成器，使得等离子源可以开关，用于处理中间的使用。
优选地，每个等离子生成器是电容耦合等离子体(CCP)生成器、电感耦合等离子体(ICP)生成器、反应物离子蚀刻等(RIE)离子体生成器、磁增强的反应物离子蚀刻(MERIE)等离子体生成器、电子回旋共振(ECR)等离子体生成器、直接等离子体生成器或远程等离子体生成器。
根据本发明的另一方面，用于制造半导体器件的设备等包括传输室、设置在传输室中的传输机器人、以及连接传输室的多个等离子处理装置，其中至少一个等离子处理装置包括与至少一个其它等离子体处理装置的等离子生成器不同类型的等离子生成器。用于制造半导体器件等的设备可进一步包括连接到传输室的灰化装置和湿法剥离装置。
根据本发明另外其他方面，处理衬底的方法包括初始地使用第一等离子生成器制造的等离子体处理衬底，以在衬底上形成部分特性，并后续地使用与第一等离子生成器不同类型的第二等离子生成器形成的等离子体处理衬底，以在衬底上形成特性的延续。
在其中该方法应用到蚀刻工序的情况下，优选地以小于其中由使用第一等离子体生成器形成的等离子体蚀刻衬底上的材料的速率，由使用第二等离子生成器形成的等离子体蚀刻衬底上的材料。这样，可以使用第二等离子体生成器形成电容耦合等离子体(CCP)，以及使用第一等离子体生成器形成电感耦合等离子体(ICP)。此外，当将被蚀刻的材料包括多个不同的层时，不同类型的等离子体生成器可分别用于产生用于蚀刻这些层的等离子体。
根据本发民明的另外其他方面，通过使用第一等离子体生成器形成的等离子体仅蚀刻衬底上的单层的部分厚度，以及后续地通过使用第二等离子体生成器形成的等离子体继续蚀刻衬底上的单层，该第二等离子体生成器的类型不同于第一等离子体生成器的类型。
这样，可以通过使用第一等离子体生成器形成的等离子体和使用第二等离子体生成器形成的等离子体，在单个处理室中蚀刻衬底上的材料单层。或者，可以在不同的处理室中蚀刻衬底上的材料单层。
附图说明
从下面参照附图做出的详细说明，本发明的上述和其他目标、特性和优势将变得更加显而易见，在附图中：
图1A至1G是各种传统等离子体处理装置的原理图；
图2是根据本发明的等离子体处理装置的实施例的框图；
图3是图2的等离子体处理装置的实施例的截面图；
图4至图6是图2的等离子体处理装置的不同实施例的原理图；
图7是说明使用根据本发明的实施例的等离子处理装置的氧化物层的等离子蚀刻的部分衬底的示例图；
图8是说明使用根据本发明的实施例的等离子处理装置的氧化物层和多层的蚀刻的部分衬底的示例图；以及
图9是用于制造包括根据本发明的等离子处理装置的半导体器件的设备的原理平面图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地说明本发明。蚀刻装置将用于描述本发明的实施例。然而，应理解，本发明可以等效地应用到其他使用等离子的处理装置，例如清洗装置或淀积装置。此外，晶片W将用作目标的实例，其可以由根据本发明的装置处理，但是很明显本发明可以用于处理其他类型的衬底，例如玻璃衬底。
图2说明本发明的等离子体处理装置的实施例。参照图2，等离子体处理装置包括处理室100和等离子体生成系统200。处理室100提供空间，在该空间中执行处理。等离子体生成系统200包括多个(两个或更多)等离子体生成器220和控制器240，用于控制等离子体生成器220。
等离子体生成器220是各种类型。例如，每个等离子体生成器220可以是电容耦合等离子体(CCP)生成器、电感耦合等离子体(ICP)生成器、反应物离子蚀刻等离子体(RIE)生成器、磁增强的反应物离子蚀刻(MERIE)等离子体生成器、电子回旋共振(ECR)等离子体生成器、直接等离子体生成器或远程等离子体生成器。在图1a至1g中示出这种等离子体生成器的结构，并且其本质上是公知的。因此，将省略等离子体生成器220的详细说明。然而，等离子体生成器220不限制于这些类型。
控制器240选择等离子体生成器220的一个或多个，用于在具体工序中使用，以通过等离子体处理装置执行，并设置等离子体生成器/多个等离子体生成器的操作参数。当选择两个或多个等离子体生成器时，等离子体处理装置的控制器240不仅仅设置等离子体生成器220的操作参数，还切换在(蚀刻)处理期间的等离子体生成器220的使用(顺序)。本发明的等离子体处理装置的等离子体生成器220因此用作控制除了通用处理参数例如压力和温度、处理气体的总量和类型、所施加高频电磁场的持续时间和幅度等之外的处理。即，等离子体生成器220的操作顺序和它们的操作参数在处理期间是固定的或变化的，如通用操作参数，以更有效地蚀刻晶片。因此，相比于传统技术，蚀刻工序的效率增加，由于等离子体生成器220扩展了可以控制和调整的处理参数的范围。
图3说明本发明的等离子体处理装置的实施例。参照图3，等离子体处理装置包括处理室100和等离子体生成系统200。处理室100包括处理室100a和排出(discharge)室100b。处理室100a提供其中执行(蚀刻)工序的空间，以及排出室100b提供空间，通过该空间从处理室100排出在反应室100a等中发生的反应的副产品。在排出室100b之上设置处理室100a。在处理室100a的中部设置衬底支撑120。衬底支撑120配置为支撑晶片W。排出盘160位于衬底120之下，并分隔处理室100内的空间，以将处理室100a和排出室100b彼此分开。
这样，排出盘160通常是环形的。排出盘160的内周边部分接触衬底支撑120，以及排出盘160的外周边部分接触处理室100的内壁。多个排出孔160a通过排出盘160垂直延伸。在处理室100a中发生的反应的副产品通过排出孔160a排出到排出室100b。在排出室100b中安装泵(未示出)，以控制处理室100中的压力。排出线170连接到排出室100b。通过排出线170向外排空反应的副产品。
该装置还包括气体供应系统140，包括喷头142和多个气体供应线146、148。喷头142设置在处理室100a中，朝向衬底支撑120。喷头142包括注入盘142a和侧壁120b。注入盘142a与处理室100a的上壁隔离。侧壁142b从注入盘142a的外圆周边缘延伸到接触处理室100a的上壁。注入盘142a具有相似于晶片W的直径。注入盘142a具有通过其垂直延伸的多个气体注入孔。
气体供应线146、148用于将处理气体从外部气体存储管(未示出)提供到喷头142。更具体，处理气体从气体供应线146、148引入由处理室100的上壁和喷头142限定并在处理室100的上壁和喷头142之间的空间143。尽管示出两个气体供应线146、148，可以提供多于两个气体供应线。在任何情况下，通过气体供应线提供不同类型的气体。同样，各个闸门阀146a、146b可以设置在每个气体供应线146、148中，用于选择性地关闭和打开该线。相似地，各个流量控制器146b、148b可以设置在每个气体供应线146、148中，用于控制处理气体流过气体供应线146、148的速率。
如上参照图2的说明所述，等离子体处理装置还包括等离子体生成系统，包括多个等离子体生成器，以及用于控制等离子体生成器的控制器。在图3的实施例中，等离子体生成器220是电容耦合等离子体(CCP)生成器220a和电感耦合等离子体(ICP)生成器220b。CCP源220a包括第一高频线223a、连接到第一高频线223a的高频电源222a、第二高频线225a、以及连接到第二高频线225a的高频电源224a。第一高频线223a连接到上电极142’，以及第二高频线225a连接到下电极120’。下电极120’设置在衬底支撑120中，以及喷头142用作上电极142’。这样，喷头142是金属材料。ICP生成器220b包括设置在处理室100之外的线圈226b、高频线223b、连接到高频线223b的高频电源222b、以及接地线228b。线圈226b的一端通过高频线223b连接到高频电源222b。因此，线圈226b生成高频电磁场。线圈226b的另一端连接到接地线228b。
控制器240可以控制等离子生成器220a、220b，使得在(蚀刻)工序期间仅操作所选择的一个等离子体生成器220。更具体，控制器240控制等离子体生成器220a、220b，使得等离子体生成器220a、220b之一用于初始时间周期，然后等离子体生成器220a、220b的另一个用于处理期间。或者，控制器240控制等离子体生成器220a、220b，使得在整个处理期间仅使用等离子体生成器220a、220b的一个。
图4至图6分别说明根据本发明的等离子体处理装置的其他实施例。在这些图中，为了清楚起见，概略地说明处理室100和上电极142’以及下电极120’。将在下文详细地简要说明等离子体处理装置，焦点放在等离子生成系统。
在图4的实施例中，等离子体处理装置的等离子体生成系统包括CCP生成器220a、直接等离子体生成器220c以及控制器240。CCP生成器220a包括第一高频线223a、连接到第一高频线223a的高频电源222a、第二高频线225a、以及连接到第二高频线225a的高频电源224a。第一高频线223a还连接到上电极142’，以及第二高频线225a连接到下电极120’。直接等离子体生成器220c包括高频线223c、连接到高频线223c的高频电源222c、接地线225c、以及与接地线225c同线设置的开/关开关224c。高频线223c还连接到上电极142’，以及接地线225c连接到下电极120’。
在(蚀刻)工序期间，控制器240选择地操作等离子体生成器220a、220c。例如，当通过CCP生成器220a从处理气体生成等离子体时，控制器240将在接地线225c中的开关224c关闭。另一方面，当通过直接等离子体生成器220c从处理气体生成等离子体时，控制器240将开关224c开启。
图5示出具有包括直接等离子体生成器220c、反应物离子蚀刻(RIE)等离子体生成器220d和控制器240的等离子体生成器的等离子体处理装置的基本结构。直接等离子体生成器220c包括高频线223c、连接到高频线223c的高频电源222c、接地线225c、以及与接地线225c同线设置的开/关开关224c。高频线223c还连接到上电极142’，以及接地线225c连接到下电极120’。RIE等离子体生成器220d包括高频线225d、连接到高频线225d的高频生成器224d、接地线222d、以及与接地线222d共线设置的开/关开关223d。高频线225d还连接到下电极120’，以及接地线222d连接到上电极142’。控制器240选择性地操作等离子源220c、220d，使得在(蚀刻)工序期间一次仅使用一个等离子生成器。
图6示出具有包括远程等离子体生成器203e和磁增强的反应物离子蚀刻(MERIE)等离子体生成器220f的等离子体生成系统的等离子体处理装置的实施例的基本结构。远程等离子体生成器220e位于处理室100之外，并在处理气体进入处理室100之前，从处理气体生成等离子体。MERIE等离子体生成器220f包括高频线224f、连接到高频线224f的高频电源225f、接地线222f、以及与接地线222f同线设置的开/关开关223f。高频线224f还连接到下电极120’，并且接地线222f连接到上电极142’。MERIE等离子体生成器220f还包括设置在处理室100之外的磁体226f。
在上述的图3至6的实施例中，等离子体处理装置每个仅包括两个等离子体生成器220。然而，根据本发明的等离子体处理装置可以具有三个或更多的等离子体生成器。此外，根据本发明的等离子体处理装置可具有两个等离子体生成器的组合，其不同于上述参照图3至6所述的等离子体生成器的组合的每一种。
在任何情况下，本发明的等离子体处理装置用于执行各种处理，由于装置不仅包括一个等离子生成器，而是包括多个等离子体生成器。例如，图3的等离子体处理装置不仅用于执行需要使用CCP等离子体生成器220a所生成的等离子体的处理，还用于执行需要使用ICP生成器220b所生成的等离子体的处理。因此，根据本发明，可以在处理期间改变等离子体生成器的使用。因此，等离子体源220的操作参数可以构成除了更通常和传统的处理参数例如处理气体种类和执行处理的压力和温度之外的处理参数。通过以这种方式扩展可以调节的处理因数的范围和数量，本发明允许使用相应地更高程度的有效应执行等离子体处理工序。
现在将解释使用根据本发明的等离子体处理装置执行蚀刻工序的例子。蚀刻工序在晶片W上的膜中形成孔或线的图形。使用能够提供更高蚀刻速率的等离子生成器来在处理的较不临界周期期间执行蚀刻工序，因而，在处理的临界周期期间使用允许以更低并且因此更可控的速率蚀刻的等离子体生成器。作为具体例子，在形成晶片W上的膜中的深接触孔的工序的起始周期期间，使用能够提供更高蚀刻速率的等离子体生成器。因此，可以在相对短的时间内执行处理的起始部分。然后，允许以较低蚀刻速率蚀刻膜的等离子体生成器用于完成蚀刻工序。因此，精细地调谐形成深接触孔。这不仅应用于蚀刻单层的膜，还用于多层的膜。
图7说明使用图3的等离子体处理装置的等离子体生成器220，同时在晶片W上的氧化物层中形成深接触孔23的顺序的例子。如图7所示，初始使用ICP生成器220b，并且在ICP生成器220b之后使用CCP生成器220a。除了等离子体源的操作时间之外，在处理期间可以改变其他影响蚀刻处理的因素，例如处理压力、温度、处理气体的类型、和持续时间及所施加的高频电磁场的幅度等。
图8说明蚀刻多层膜的顺序的例子。在这种情况下，可以在露出膜的子层的时间开关等离子体生成器220。例如，当使用图3的等离子体处理装置在氧化物层22中形成接触孔23以及在晶片W上形成多层24时，使用ICP生成器220b来蚀刻多层24，以及使用CCP生成器220a来蚀刻氧化物层22。在蚀刻处理期间还可以改变其他影响蚀刻处理的处理参数，例如处理压力、温度、处理气体的类型等。例如，氩(AR)、氦(He)和CF4可用作处理气体，以形成用于蚀刻多层24的等离子体，而Cl2、SF6、氧(O2)和氦(He)可以用作处理气体以形成用于蚀刻氧化物层22的等离子体。
上述的处理仅仅是本发明的应用的某些例子。根据执行的具体等离子体处理工序，处理等离子体生成器220，以及使用等离子体生成器220的顺序和其他处理参数可以与上述的不同。
图9说明制造包括根据本发明的多个等离子体处理装置360的半导体器件(或类似)的设备。参照图9，用于制造半导体器件300的设备包括传输室320、至少一个加载锁闭室340、以及多个等离子体处理装置360。在设备的中心设置传输室320，以及机器人322位于传输室320之内。机器人322在设备的多个室之间传输晶片。加载锁闭室(多个加载锁闭室)340和等离子体处理装置360在传输室320周围集束。用于制造半导体器件的设备300可包括其他用于在等离子处理之后处理晶片的装置。当设备的等离子处理装置360是例如用于蚀刻晶片的装置时，设备300还可以包括用于执行灰化处理的灰化装置380和用于执行湿法剥离的湿法剥离装置390，其中在已经蚀刻晶片之后，从晶片除去光刻胶层。此外，可以将显影装置(未示出)安装到传输室320。这种显影装置用于执行显影工序，其中在蚀刻晶片以形成在蚀刻工序中使用的掩模之前，从晶片除去曝光的光刻胶层的选择部分。
每个等离子体处理装置360包括单个等离子生成器，但是等离子体处理装置360的至少两个等离子体生成器类型不同。例如，在用于制造半导体器件300的设备的实施例中，以顺时针方向围绕处理室320设置第一加载锁闭室340a、具有第一等离子体生成器的第一等离子体处理装置360a、具有不同于第一等离子体生成器的类型的第二等离子体生成器的第二等离子体处理装置360b、灰化装置380、湿法剥离装置390、以及第二加载锁闭室340b。用于制造半导体器件300的设备执行蚀刻工序，以在晶片上的层中形成孔或线图形。第一等离子体处理装置360a的等离子体生成器是ICP生成器，以及第二等离子体处理装置360b的等离子体源是CCP生成器。在操作中，通过加载锁闭室340a将晶片引入设备中。然后顺序地由传输机器人322将晶片传输到第一等离子体处理装置360a、第二等离子体处理装置360b、灰化装置380、以及湿法剥离装置390。顺序地，即，当晶片的处理完成时，通过加载锁闭室340b将晶片传输到装置之外。
当在例如氧化物层的单层中形成接触孔时，初始地将晶片传输到第一等离子体处理装置360a。第一等离子体处理装置360a使用ICP生成器，以相对高的蚀刻速率蚀刻氧化物层。在过去特定时间周期之后，将晶片传输到第二等离子体处理装置360b。第二等离子体处理装置360b继续使用CCP生成器蚀刻氧化物，例如，以小于第一等离子体处理装置360a的ICP生成器所提供的蚀刻速率。可以使用相同的方法来在晶片的多层膜中形成接触孔，例如，在包括多层和氧化物层的膜中。在这种情况下，可以在第一等离子体处理装置360a中蚀刻多层，然后在第二等离子体处理装置360b中蚀刻氧化物层。
上面将图9的实施例具体描述为具有两个等离子体处理装置。然而，本发明不因此限制。根据本发明的用于制造半导体器件的设备或类似物可以使用分别具有彼此不同的类型的三个或更多的等离子体处理装置。
即，尽管参照其优选实施例描述了本发明，本发明不因此限制。而是，可以对优选实施例作出各种替换、改进和变化，而不背离由所附权利要求所限定的本发明的真正精神和范围。

Claims (20)

1.一种等离子体处理装置包括：
处理室；
半导体支撑，设置在处理室中并用于当在室中处理衬底时支撑衬底；
气体供应系统，连接到处理室；以及
等离子体生成系统，包括多个等离子体生成器，每个等离子体生成器独立可操作地使用由气体供应系统提供的处理气体产生等离子体，等离子体生成器是不同的类型。
2.如权利要求1的装置，其中等离子体生成系统还包括控制器，该控制器操作地连接到等离子体生成器，并配置为选择性地操作等离子体源。
3.如权利要求1的装置，其中等离子体生成器选自包括电容耦合等离子体(CCP)生成器、电感耦合等离子体(ICP)生成器、反应物离子蚀刻(RIE)等离子体生成器、磁增强的反应物离子蚀刻(MERIE)等离子体生成器、电子回旋共振(ECR)等离子体生成器、直接等离子体生成器或远程等离子体生成器的组。
4.如权利要求1的装置，其中等离子体生成器是电容耦合等离子体(CCP)生成器和电感耦合等离子体(ICP)生成器。
5.如权利要求1的装置，其中等离子体生成器每个包括至少一个单独电源，以及等离子体生成系统还包括控制器，该控制器操作地连接到电源，并配置为选择性地转换每个等离子生成器的电源彼此独立地开和关。
6.一种用于使用等离子体处理衬底的设备，该设备包括：
传输室；
传输机器人，设置在传输室中；以及
多个连接到传输室的等离子体处理装置，每个等离子体处理装置包括等离子体生成器，至少一个等离子体处理装置的等离子生成器的类型不同于另一个等离子处理装置的等离子生成器。
7.如权利要求6的设备，还包括：
灰化装置，连接到传输室；以及
湿法剥离装置，连接到传输室。
8.一种使用等离子体处理衬底的方法，该方法包括：
使用第一等离子体生成器形成等离子体，并初始地使用该等离子体处理衬底，以在衬底上形成部分特性；以及
使用不同于第一等离子体生成器的类型的第二等离子体生成器形成另一等离子体，并随后使用通过第二等离子体生成器形成的等离子体处理衬底，以在衬底上形成特征的延续。
9.如权利要求8的方法，其中使用第一等离子体生成器形成等离子体和使用第二等离子体生成器形成等离子体每个包括分别一个形成电容耦合等离子体(CCP)、电感耦合等离子体(ICP)、形成反应物离子蚀刻等离子体(RIE)、形成磁增强的反应物离子蚀刻等离子体(MERIE)、形成电子回旋共振(ECR)、仅通过将高频功率施加到处理室的电极形成等离子体，在该处理室中使用如此形成的等离子体处理衬底、以及在处理室外形成等离子体，在该处理室中使用如此形成的等离子体处理衬底。
10.如权利要求9的方法，其中使用通过第一等离子体生成器形成的等离子体处理衬底以及使用通过等离子体生成器形成的等离子体处理衬底每个包括蚀刻衬底上的材料。
11.如权利要求10的方法，其中使用通过第二等离子生成器形成的等离子体处理衬底包括以低于其中使用通过第一等离子体生成器形成的等离子体蚀刻衬底上的材料的速率来蚀刻衬底上的材料。
12.如权利要求11的方法，其中形成等离子体包括形成电容耦合等离子体(CCP)和电感耦合等离子体(ICP)。
13.如权利要求12的方法，其中通过第二等离子体生成器形成等离子体包括形成电容耦合等离子体(CCP)，以及通过第一等离子体生成器形成等离子体包括形成电感耦合等离子体(ICP)。
14.如权利要求10的方法，其中所蚀刻的材料包括不同材料的多个层，以及使用通过第一等离子体生成器形成的等离子体处理衬底包括蚀刻一个层，并且使用通过第二等离子体生成器形成的等离子体处理衬底包括蚀刻其他层。
15.一种使用等离子体处理衬底的方法，该方法包括：
通过使用第一等离子生成器形成等离子体，仅蚀刻衬底上的材料单层的部分厚度，以及初始地使用通过第一等离子体生成器形成的等离子体处理衬底；以及
通过使用第二等离子体生成器形成等离子体，顺序地继续蚀刻衬底上的材料单层，该第二等离子体生成器的类型不同于第一等离子体生成器，并使用通过第二等离子体生成器形成的等离子体处理衬底。
16.如权利要求15的方法，其中使用通过第一和第二等离子体生成器形成的等离子体，在相同的处理室中处理衬底，以及该方法包括在蚀刻材料单层期间切换等离子体生成器的使用。
17.如权利要求16的方法，还包括在多个处理室中传输衬底，并且其中在处理室之一中执行使用第一等离子体生成器仅蚀刻材料单层的部分厚度，并在其他处理室中执行使用第二等离子体生成器后续蚀刻材料单层。
18.如权利要求17的方法，其中使用第二等离子体处理衬底包括，以低于使用第一等离子体蚀刻衬底上的材料单层的速率蚀刻衬底上的材料单层。
19.如权利要求15的方法，其中通过第二等离子体生成器形成等离子体包括形成电容耦合等离子体(CCP)，以及通过第一等离子体生成器形成等离子体包括形成电感耦合等离子体(ICP)。
20.如权利要求16的方法，其中使用第一等离子体生成器形成等离子体和使用第二等离子体生成器形成等离子体每个包括分别一个形成电容耦合等离子体(CCP)、形成电感耦合等离子体(ICP)、形成反应物离子蚀刻(RIE)等离子体、形成磁增强的反应物离子蚀刻(MERIE)等离子体、形成电子回旋共振(ECR)、仅通过将高频功率施加到处理室中的电极形成等离子体，在该处理室中使用如此形成的等离子体处理衬底、以及在处理室外形成等离子体，在该处理室中使用如此形成的等离子体处理衬底。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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