CN101024213A

CN101024213A - 晶片承载盘保护层的制造方法

Info

Publication number: CN101024213A
Application number: CN 200610007915
Authority: CN
Inventors: 陈国栋
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2006-02-21
Filing date: 2006-02-21
Publication date: 2007-08-29

Abstract

一种晶片承载盘保护层的制造方法，用以在机台反应室中承载晶片进行晶片制造工艺或清洗程序时，提高该承载盘的抗蚀性，其中主要提供有以石墨与陶瓷基材为主要材质的晶片承载盘，该承载盘正面上设有用以容置承载晶片的容置空间，然后在欲涂布于承载盘表面的碳化硅加入具有耐高温特性的环氧树脂，组合成混合物，通过浸泡程序使该混合物直接覆盖于承载盘外表面，经过烘烤程序后形成均匀保护层，以降低承载盘表面产生剥落或形变的机会。

Description

晶片承载盘保护层的制造方法

技术领域

本发明涉及一种承载装置，特别涉及一种承载半导体晶片的承载盘。

背景技术

集成电路在我们日常生活中，几乎可以说是无所不在，其不仅应用于我们已经耳熟能详的计算机工业，而且已经广泛地应用在各种消费性的电子产品或通讯产品上，例如音响、电视、无线电话等，此外，集成电路在未来的运输工业(如汽车)及多媒体产业上的价值与影响力，也是难以估计，因此世界各国莫不倾全力投注在该高科技产业中。

然而，集成电路的制造技术非常复杂，需要经过相当多及冗长的步骤，且相当耗时，从晶片的拉晶、制造及切割等步骤，到细微的VLSI制造工艺及一些常见热处理程序，特别是现在VLSI制造工艺中所包括的化学气相淀积(CVD)，其为当今半导体制造工艺中最为重要且应用相当广泛的薄膜沉积工艺，传统的物理气相淀积(PVD)只能局限于金属薄膜的沉积，并且对于厚度及微细程度都无法有效控制，在半导体制造工艺的集成度持续提升的影响下，传统的物理气相淀积(PVD)已经无法满足需求。而化学气相淀积(CVD)是通过反应气体间的化学反应来形成所需的薄膜，其所产生的薄膜结晶性及材质特性都较容易精确控制，因此也带动后来化学气相淀积更广泛的应用和发展。

而在进行上述化学气相淀积制造工艺时，为了有效降低薄膜沉积工艺的温度，进而控制其热源，因此后来进一步发展出等离子体增强化学气相淀积(PECVD)，通过利用等离子体来帮助化学气相沉积反应的进行，其不但可降低进行沉积的反应温度，而且可有效减低所产生薄膜的内应力，并形成具有良好覆盖能力及导电性的薄膜。

一般而言，等离子体增强化学气相淀积除了使用热能外，还利用等离子体来帮助化学气相沉积的进行，并同时降低制造工艺中气体反应所产生的温度影响，通过适当调配等离子体的能量，来控制等离子体源对沉积薄膜所产生的离子轰击效应(ION BOMBARDMENT)，从而适时调整所形成薄膜的应力，及其结构的稳定性。此外，等离子体增强化学气相淀积是在密闭反应室1中进行(如图1所示)，并将晶片置放于承载盘11上，以便于进行化学气相沉积反应，而其所产生的反应生成物除了会沉积于晶片上外，也会沉积附着在承载晶片的承载盘11上，而这些沉积物质往往成为后续制造工艺中的微粒污染源，进而影响以后产品的成品率，因此在结束沉积反应后，会首先进行清洗程序，以便使沉积环境保持最佳情况，减少反应室1及承载盘11的微粒数量。

值得注意的是，一般的晶片承载盘11主要是以石墨或石英为主要材质制成，具有一定的硬度，但在进行化学气相沉积反应及清洗程序时，所使用的等离子体仍会对晶片承载盘11产生一定的损害，因此在制造工艺中，会先利用溅射工艺将原物料，如碳化硅，在承载盘11表面形成一保护层，以作为晶片承载盘11的保护层，从而有效降低等离子体对晶片承载盘101的损害，减少晶片承载盘11产生剥落或形变的机会。

但众所周知，溅射工艺为一种高成本的技术手段，其需要必要的设备，另外利用溅射工艺在晶片承载盘11表面生成的保护层经常产生厚度不一致的情形，特别是利用溅射工艺来生成保护层容易产生死角，使得承载盘11表面保护层生成不完全，从而在进行化学气相淀积反应时，依旧会损害到承载盘11，影响其使用周期及增加产生污染微粒的机会。因此，如何有效提高晶片承载盘11的使用寿命及表面保护层的生成完整性，进而大幅降低整体制作的成本，对于制造商而言成为当前一个待突破的问题。

发明内容

针对现有技术的上述缺点，本发明的主要目的在于提供一种形成承载盘保护层的制造方法，即通过将树脂加入欲涂布于承载盘表面的原物料，从而组成混合物，通过浸泡或喷洒程序将混合物直接覆盖于承载盘表面，再通过烘烤程序在承载盘表面形成均匀保护层，从而不但可以完全避免溅射工艺所产生的缺点，而且可以大幅降低制作时间和成本。

为了实现上述的目的，本发明提供了一种承载盘保护层的制造方法，其步骤主要包括提供制作成形的晶片承载盘，该承载盘正面上设有用以容置承载晶片的容置空间，然后将欲涂布于承载盘表面的原物料中加入树脂以组成混合物，通过浸泡或喷洒程序将该混合物直接覆盖于承载盘表面，再经过烘烤后形成均匀保护层，从而降低承载盘表面产生剥落或形变的机会。

附图说明

图1是传统的密闭反应室立体结构图；

图2是本发明的承载盘俯视图；

图3是本发明的承载盘剖视图；

图4是本发明的制作方法的方块流程图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、密闭反应室 11、晶片承载盘

111、容置空间 2、保护层

具体实施方式

本发明提供了一种晶片承载盘保护层的制造方法，一般而言，所使用的晶片承载盘的材质可选择任意适合的金属或非金属，如铝金属或石墨等，在本发明实施例中的晶片承载盘11以石墨和陶瓷为主要基材所制成，如图2所示，在承载盘11上设有多个容置空间111，用以容置晶片半成品。

接着提供欲覆盖于晶片承载盘11表面作为抗腐蚀的原物料，在本发明实施例中为碳化硅基材，并且在该原物料中加入具有耐高温特性的树脂，如玻璃纤维树脂、硅树脂或陶瓷环氧树脂等，将该原物料与树脂充分混合后形成混合物，同时树脂根据不同的类型占混合物的重量百分比在10％至70％之间，而该原物料则占混合物的重量百分比在90％至30％之间，之后，将该混有树脂成份的混合物置于大型容器中，并利用浸泡方式将承载盘11完全浸于该容器中，使该混有树脂的混合物可完全覆盖于承载盘11表面上，再通过烘烤程序使该混合物形成均匀保护层2，如图3所示，使承载盘11在承载晶片进行化学气相反应或清洗作业时，均不会产生晶片承载盘11受到严重侵蚀的现象，从而大大提高晶片承载盘11的使用寿命，并降低沉积工艺中产生污染微粒的机率。

另外，上述将原物料覆盖于晶片承载盘11上的方法，亦可采取喷洒方式，即将该混有树脂成份及碳化硅的混合物均匀喷洒在晶片承载盘11的表面，再通过烘烤程序使该原物料在该表面形成均匀保护层2。

图4以流程图的方式展现了上述承载盘保护层的制造方法，即提供已制作完成的承载盘结构(S1)，然后将树脂加入欲涂布于承载盘1表面的原物料并均匀混合(S2)形成混合物，再将该混合物通过浸泡或喷洒直接涂布于承载盘表面，经过烘烤程序在承载盘表面形成均匀保护层(S3)。

以上所述实施方式仅为本发明的优选实施例，例如实施例中所述的晶片承载盘的材质、或是欲作为保护层的材质仅为示例性的，并非用来限定本发明的实施范围。凡是在本发明申请专利范围内所做的同等变化与修饰，均包括在本发明的专利范围内。

Claims

1.一种晶片承载盘保护层的制造方法，包括下列步骤：

a)提供已成形的承载盘；

b)将已调制完成的混合物直接覆盖于所述承载盘的外表面上；

c)所述混合物在所述承载盘外表面形成保护层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中所述承载盘以石墨和陶瓷为主要材质。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中所述混合物由原物料与树脂混制而成。

4.如权利要求3所述的制造方法，其中所述原物料为碳化硅。

5.如权利要求3所述的制造方法，其中所述原物料占所述混合物的重量百分比为90％～30％。

6.如权利要求3所述的制造方法，其中所述树脂为玻璃纤维树脂、硅树脂和陶瓷环氧树脂等的任一种。

7.如权利要求3所述的制造方法，其中所述树脂占所述混合物的重量百分比为10％～70％。

8.如权利要求1所述的制造方法，其中利用浸泡技术将所述混合物直接覆盖于所述承载盘表面。

9.如权利要求1所述的制造方法，其中利用喷洒技术将所述混合物直接覆盖于所述承载盘表面。

10.如权利要求1所述的制造方法，其中经过烘烤程序形成所述保护层。