CN109072434B - 基板载体组件、基板载体以及用于这种基板载体组件的屏蔽段 - Google Patents

基板载体组件、基板载体以及用于这种基板载体组件的屏蔽段 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种基板载体组件，其用在通过化学气相沉积在半导体基板上生长外延层的系统中，所述基板载体组件包括：具有第一表面侧的基板载体，所述第一表面的一区域部分设置有凹陷兜孔，所述凹陷兜孔用于在使用期间容纳所述半导体基板，以及一个或多个屏蔽段，其被配置成可拆卸地定位的板形元件，所述板形元件具有覆盖表面侧，所述覆盖表面侧用于基本上覆盖邻近所述兜孔的所述第一表面的其余区域部分，以及互锁装置，其用于将所述一个或多个屏蔽段与所述基板载体互锁。而且，本发明还涉及一种基板载体以及用于该基板载体组件中的屏蔽段。

Description

基板载体组件、基板载体以及用于这种基板载体组件的屏 蔽段
技术领域
本发明涉及一种基板载体组件，所述基板载体组件用在通过化学气相沉积在半导体基板上生长外延层的系统中，所述基板载体组件包括具有第一表面侧的基板载体，所述第一表面的一区域部分设置有凹陷兜孔，所述凹陷兜孔用于在使用时容纳所述半导体基板，以及一个或多个屏蔽段，所述屏蔽段配置为可移除定位的板状元件，所述板状元件具有覆盖表面侧，覆盖表面侧用于基本上覆盖邻近所述兜孔的所述第一表面的其余区域部分，以及互锁装置，互锁装置用于将所述一个或多个屏蔽段与所述基板载体互锁。
此外，本发明还涉及一种基板载体以及用于这种基板载体组件的屏蔽段。
背景技术
如上定义的基板载体在用于制造半导体元件化学气相沉积(CVD)工艺中实施。在CVD工艺中，在硅、氮化镓或蓝宝石半导体基板(也称为晶片或晶片基板)上生长或沉积由诸如氮化镓的材料构成的薄层堆，该半导体基板被容纳在凹陷兜孔中，凹陷兜孔存在于基板载体的沉积表面中。
这种具有多个凹陷兜孔的圆形基板载体，每个凹陷兜孔用于在CVD工艺中容纳半导体基板例如在US2013/0276704A1或US-D695,242中公开。在这两个对比文件中，用于待处理的半导体基板的凹陷兜孔均匀地分布在基板载体的第一沉积表面侧上。在另一个实施方式中，凹陷兜孔存在于可拆卸定位的可旋转的副载体元件中，所述副载体元件沿外周分布在环中，位于圆形主载体元件的顶部。该基板载体系统通常被称为“行星载体”系统。
在CVD工艺期间的任一已知实施方式中，包括容纳在凹陷兜孔中的半导体基板的基板载体的整个沉积表面经受沉积气体的作用，这导致半导体层沉积在半导体基板的暴露表面侧上，但也在基板载体的、与凹陷兜孔(和基板)相邻的沉积表面侧的其余暴露区域部分。
尽管前一次沉积最终导致半导体最终产品沉积在半导体基板上，但后一次沉积被认为污染了基板载体，需要周期性地去除该沉积物。从基板载体去除这种不希望的沉积的作用对基板载体寿命具有负面影响。
至此，已知的基板载体组件可以包括一个或多个可移除定位的屏蔽段，所述屏蔽段配置为薄元件或板形元件，该元件用于基本上覆盖基板载体的、邻近所述兜孔的所述沉积表面侧的所述其余区域部分。在CVD工艺期间，一个或多个屏蔽段也经受半导体层的沉积，而不是基板载体的所述第一表面侧的所述其余区域部分的沉积，从而显著地避免和/或限制基板载体的污染，并因此延长其寿命。
由于在CVD工艺期间，容纳在凹陷兜孔中的半导体基板的基板载体被旋转，所以屏蔽段不能松散地放置在基板载体的沉积表面侧上。相反，使用单独的互锁装置，所述互锁装置通常由陶瓷销形成，所述陶瓷销放置在存在于基板载体的上表面和在屏蔽段的下表面中的孔中，以用于在CVD过程中、在载体旋转期间将屏蔽段保持在适当位置。
然而，在基板载体和屏蔽段中的孔的加工，与具有与基板载体和屏蔽段的材料中的任一者或两者不同热特性的不同材料的销相结合，导致材料变形、开裂，并最终缩短基板载体的寿命。另外，除去销还除去了额外材料在组件中的使用，进一步减少了潜在的腔室污染源，否则会对半导体沉积过程产生不利影响。
本发明的目的是提供一种根据前序部分的基板载体组件，其具有廉价且简单的结构并且不具有已知基板载体组件的缺点。
至此，所述互锁装置包括至少一对配合的第一互锁元件和第二互锁元件，第一互锁元件与所述基板载体形成整体部件，第二互锁元件与所述一个或多个屏蔽段形成整体部件。
由于所述互锁装置是所述基板载体和所述一个或多个屏蔽段的整体部分，故不再需要单独的部件，否则会(特别)不利地影响基板载体的寿命，并且还对半导体沉积过程产生不利影响。
特别地，互锁装置被设置为在基板载体的所述第一表面侧的所述其余区域部分和一个或多个屏蔽段的盖表面侧的配合变动件。这需要在基板载体和屏蔽段两者的接触表面侧的局部表面变动件，而不会显著改变两个组件部件的机械和材料特性，特别是基板载体的机械和材料特性。
在一个实施方式中，配合的互锁装置被配置为至少一个凹部和至少一个凸起。凹部和凸起可以容易地加工到基板载体和屏蔽段的表面侧，而不会在材料中产生寿命限制应力点或应力线。
特别地，在一个实施方式中，至少一个凹部和至少一个凸起可以呈现圆形配置，而在另一个实施方式中，至少一个凹部和至少一个凸起呈现部可以具有椭圆形配置。需要强调的是，匹配的凸起和凹部形状不限于前述实施方式中的形状。当将屏蔽段放置在基板载体上时，凸起-凹部配置呈现出自对准能力，同时，在半导体沉积过程期间，在保持屏蔽段在基板载体上的稳定定位的同时旋转。
当至少一个凹部和至少一个凸起呈现圆环配置时，获得改进的自对准和稳定定位。因此，存在双边缘，双边缘用于保持屏蔽元件在基板载体上的位置。
在示例性实施方式中，至少一个凸起的至少一部分外部尺寸比相配合的凹部的对应部分内部尺寸大得多。至少一个凸起的最大高度大于配合凹部的最大深度。通过选择比相配合的凹部的内部尺寸大得多的尺寸的至少一个凸起，当在使用期间，尺寸大得多的凸起停留在相配合的凹部中时，在基板载体的上表面和屏蔽元件的下表面之间保留存在小的预定裂缝或间隙。这允许间隙可控的冷却气体输送，以在基板载体的表面上建立最佳温度条件。应该注意的是，负责间隙高度定义的凸起/凹部配置可能在同一个屏蔽段上的元件之间不同。
为了在基板载体的上表面和屏蔽元件的下表面之间产生这种小的、预定的裂缝或间隙，至少一个凸起的至少一部分外部尺寸的尺寸可以设定成，即至少一个凸起的最大高度大于配合凹部的最大深度。
这种小的、预定的裂缝或间隙同样以其他配置形成，其中，至少一个凸起的最大直径大于配合凹部的最大内径，或者其中，相对于基板载体的平面，至少一个凸起的斜度大于配合凹部的内斜面。
在由于实施化学气相沉积(CVD)工艺所规定的特定条件，而不需要或甚至不期望这种小的、预定裂缝或间隙的实施方式中，至少一个凹部的至少一部分内部尺寸比相配合的凸起的对应部分外部尺寸是尺寸大得多。这里没有形成小的、预定裂缝或间隙，并且屏蔽元件的下表面搁置在(或抵靠)在基板载体的上表面上。
当至少一个凸起的最大深度大于相配合的凹部的最大高度时，或者当至少一个凸起的最大直径小于相配合的凹部的最大内径时，或者当相对于基板载体的平面，至少一个凸起的斜度小于相配合的凹部的内斜面，从而实现该效果(不存在裂缝或间隙)。
现在将参考附图更详细地解释本发明，其中：
图1a显示了基板载体的已知实施方式；
图1b显示了基板载体的另一个已知实施方式；
图2a示出了位于基板载体上的屏蔽元件的已知实施方式；
图2b示出了位于基板载体上的屏蔽元件的另一已知实施方式；
图3-5示出了根据本发明的基板载体组件中的互锁装置的放大视图；
图6示出了根据本发明的基板载体组件中的互锁装置的配置；
图7示出了根据本发明的基板载体组件中的互锁装置的另一配置；
图8示出了根据本发明的基板载体组件中的互锁装置的又一配置。
为了清楚地理解下面的详细描述，在附图中描绘的相同部件用相同的附图标记表示。
图1公开了根据例如在US-D695,242中公开的现有技术的基板载体的已知实施方式。基板载体用附图标记10表示，并且具有盘形配置，特别是由石墨制成。盘形基板载体10具有第一上表面侧11a和第二下表面侧11b，第二下表面侧11b与第一上表面侧11a相反。如图1a中所公开的，盘形基板载体10具有圆形外周边缘12。
基板载体10设置有多个兜孔13，在该实施方式中，兜孔13均匀地分布在第一表面侧11a上。兜孔13凹入盘形基板载体10的材料中，并且每个兜孔13由扁圆兜孔表面侧13a和陡峭边缘13b约束。
每个凹陷兜孔13用于在使用期间、化学气相沉积(CVD)工艺中容纳半导体基板(未示出)，半导体基板上沉积有半导体基板半导体层，以制造诸如LED的半导体元件。因此，利用多兜孔基板载体，可以在CVD工艺中同时处理一批次的几个半导体基板。
而在图1a中，凹陷兜孔13均匀地分布在基板载体10的沉积表面侧11a上，而另一个实施方式在图1b中示出。在图1b的实施方式中，凹陷兜孔13仅沿圆形基板载体10的外周边缘12以环形或圆形分布。图1b的实施方式通常表示为“行星架”。
当在CVD工艺批次中实施图1a和图1b的基板载体的两个实施方式时，包括容纳在凹陷兜孔13中的(未描述出的)半导体基板的基板载体10的完整沉积表面侧11a经受沉积气体，这导致在以下的区域中沉积半导体层：两个半导体基板、以及与兜孔13相邻的基板载体10的第一上沉积表面11a的其余暴露区域部分。如该本专利申请的引言部分所示，后一沉积过程不是所希望的，因为它不必要污染了用于随后的CVD工艺批次的基板载体10，因此限制了其寿命。
到此，如图2a和2b所示，已知的基板载体组件100还包括一个或多个屏蔽元件20'-20”-等等和200。这些屏蔽段被配置为薄元件或板形元件，该元件可以由以下材料制成，该材料例如但不限于石墨或石英，该材料基本上覆盖与兜孔13相邻的基板载体10的第一上沉积表面侧11a的其余区域部分。在图2a中，多个屏蔽段20'-20”-等等用于基本上覆盖或屏蔽第一上沉积表面侧11a的其余区域部分，而在图2b中公开了一个实施方式，其中，一个屏蔽段200基本上相当于图2a的多个屏蔽段20'-20”-等等，以基本上覆盖或屏蔽其余的区域部分。
因此，在CVD工艺期间，凹陷兜孔13被半导体基板(图2a和2b中未示出)占据，而几个屏蔽段20'-20”-等等基本上(或几乎完全)覆盖第一上沉积表面侧11a的其余部分，使得暴露表面侧11a的大部分(几乎全部)在CVD工艺期间与沉积气体隔离。因此，半导体层沉积在屏蔽段上，而不是在第一上表面侧11a的其余区域部分上。
不同于较昂贵的基板载体10，屏蔽段20'-20”-等等(图2a)和200(图2b)是较低成本的部件，并且可以容易地更换和丢弃，其将用于大量的CVD工艺运行。因此，基板载体10的生命周期显著延长。
在CVD工艺期间，当基板载体10旋转时，需要多个屏蔽段20'-20”-等等保持它们在基板载体10的第一上沉积表面侧11a上的位置。至此，已知基板载体组件100包括单独的互锁装置，其由陶瓷或金属销组成，其设置在对应孔中，所述对应孔施加在基板载体10的沉积(第一)表面侧11a以及每个屏蔽段20'-20”-等等(和200)的覆盖接触表面侧21a中。
与基板载体(和屏蔽段)的(石墨)材料相比，具有不同热特性的不同材料制造的这种销的使用导致局部材料变形和破裂，并最终导致基板载体10的寿命缩短，以及由于需要第三部件将屏蔽元件固定到其位置的需要，所以增加了成本。
在图3、图4、图5中，公开了根据本发明的基板载体10和配合屏蔽段20'-20”-等等(或200)之间的改进的互锁机构的实施方式。
特别地，互锁装置在图3、图4、图5中分别用附图标记30表示，并且为基板载体10和多个屏蔽段20'-20”-等等(或200)的整体部分。
如图3所示，互锁装置30设置为在基板载体10和屏蔽段20'-20”-等等(或200)的第一上沉积表面侧11a和覆盖下接触表面侧21a的配合变动件31-32。如图3所示，配合互锁装置30被配置成至少一个凹部31和配合凸起32，至少一个凹部31设置在基板载体10的第一上表面侧11a的其余部分中，并且配合凸起32设置在屏蔽段20'-20”-等等(或200)的下覆盖接触表面侧21a中。
在基板载体组件100的两个部分的相应表面侧中设置凹部31和凸起32是花费较低的解决方案，因为凹部31和凸起32都可以加工成制造基板载体10和制造屏蔽段20'-20”-等等(或200)的材料(主要是石墨材料)。
特别地，凹部31和凸起32在石墨材料的网格结构中表现出平滑的表面过渡，而没有离散过渡(如现有技术的互锁装置中的钻孔的情况)。因此避免了晶格结构中的这种材料应力点或应力线，否则，如在现有技术中，将由于在随后的CVD工艺批次期间的热影响(加热和冷却)而导致材料变形和破裂。
相反，凹部31和凸起32的平滑表面过渡允许将屏蔽段松动且稳定地定位在基板载体10上，从而避免由于沉积气体，而污染基板载体10的表面侧11a的其余区域部分。
特别地，具有平滑表面过渡的凹部31和凸起32的应用仅需要接触表面侧的局部表面变动件，而不会显著改变两个组件部分的机械和材料特性，特别是基板载体10的机械和材料特性。
如图4所示，凹部31和凸起32都可以应用于基板载体10或与所述基板载体10配合的多个屏蔽段20'-20”-等等(或200)。在一个实施方式中，如图3所示，基板载体10设置有多个凹部31，该凹部31施加在与几个凹陷兜孔13相邻的第一上沉积表面侧11a的其余区域部分中(见图2a和2b)，而将配合凸起32施加在各个屏蔽段20'-20”-等等(或200)的下覆盖接触表面侧21a中。
在另一个实施方式(未示出)中，将清楚的是，凸起32可以存在于基板载体10的第一上沉积表面侧11a的其余区域部分中，并且配合凹部31存在于各个屏蔽段20'-20”-等等(或200)的下覆盖接触表面侧21a中。
在又一个实施方式(未示出)中，基板载体10以及配合屏蔽段20'-20”-等等(或200)都可以设置有凹部31和凸起32。
如图4所示，凹部31和凸起32都具有圆形形状，而在另一个实施方式(未示出)中，凹部31和凸起32呈椭圆形配置。当将屏蔽段20'-20”-等等(或200)放置在基板载体10上时，凹部31和凸起32的圆形和椭圆形配置都表现出自对准能力。圆形和椭圆形配置保证将屏蔽段20'-20”-等等(或200)稳定地定位在基板载体10上，同时在半导体沉积工艺(CVD)期间使后者旋转。
如图3清楚公开，凸起32的外部尺寸，特别是凸起32的最大高度Y小于相应的配合凹部31的最大深度X(内部尺寸)。凸起32完全容纳在凹部31内部，在凹部31和凸起32之间仅存在小裂缝或间隙40。基板载体10的第一上侧11a和配合屏蔽段20'-20”-等等(或200)的下覆盖接触表面21a彼此相邻接触。
同样地，凸起32的外围尺寸，特别是凸起形状的应用半径(或外部尺寸)不同于凹部31的内径(或内部尺寸)。换句话说，凸起32的外部形状(外部尺寸)优选地不同于凹部31的内部形状(内部尺寸)，使得凸起32的外部形状或轮廓不完全随着(或对齐)凹部31的内部形状或轮廓。当屏蔽段20'-20”-等等(或200)放置在基板载体10上时，由于凹口31和凸起32的非互补或非全等形状，保持了裂缝或间隙40。
在如图5所示的另一个实施方式中，互锁装置30的凸起和凹部呈现圆环配置。在图5中，公开了凹部320处于以下位置中：在基板载体10的表面侧11a或屏蔽段20'-20”-等等(或200)的表面侧21a中，其具有位于凹部320中的内环形凸起321。配合的匹配环形凸起310(见图6)设置在具有内环形凹部311的所述凸起310的中间部分，其用于容纳环形凹部320的内环形凸起321。
在如图6所示的该实施方式中，凸起和配合凹部的配置是这样的，即凹部320的至少一部分内部尺寸(内部轮廓或形状)比凸起310(的相应部分)外部尺寸大得多。由于凹部320的尺寸大得多，圆环形凸起310的最大高度Y小于圆环形凹部320的最大高度(或深度)X，因此在凸起和凹部两者之间形成裂缝或间隙40，这导致配合屏蔽元件20'-20”-等等(或200)的下接触表面21a与基板载体10的第一上表面11a完全邻接(抵靠)。
这允许在化学气相沉积(CVD)工艺期间，在基板载体10和配合屏蔽元件20'-20”-等等(或200)之间适当且稳定的接触，这是在基板载体和屏蔽元件组件正在旋转时进行接触。
通过配置凹部320的大得多的内部尺寸(与凸起310的外部尺寸相比)，使得凸起310的最大直径D小于凹部320的最大内径E，也可以获得配合屏蔽元件20'-20”-等等(或200)的下接触表面21a与基板载体10的第一上表面11a的完全邻接(抵靠)。因此，凸起310的(外表面)完全落入由凹部320的(内部尺寸)形成的空间内，导致配合屏蔽元件20'-20”-等等(或200)的下接触表面21a与基板载体10的第一上表面11a完全邻接(抵靠)，且没有形成裂缝或间隙41，并且不存在裂缝41。
通过配置凸起310的斜度(相对于基板载体10的第一上表面侧11a形成的水平面)，也可以产生在配合的屏蔽元件20'-20”-等等(或200)与基板载体10之间不存在裂缝或间隙41，使得比凹部和凸起310的斜面更陡的凸起的斜面完全容纳在凹部(由凹部形成的空间或孔)中。
在如图7所示的实施方式中，凸起和配合凹部的配置是这样的，即与凸起310的(相应部分)外部尺寸相比，凹部320的至少一部分内部尺寸(凹部轮廓或形状)尺寸较小。或者换句话说，与凹部320(的相应部分)内部尺寸相比，凸起310的至少一部分外部尺寸(外部轮廓或形状)尺寸大得多。
由于凸起310的尺寸大得多，圆环形凸起310的最大高度Y大于圆环形凹部320的最大高度(或深度)X，因此在凸起和凹部之间产生裂缝或间隙40，以及在基板载体10的第一上表面11a和配合屏蔽元件20'-20”-等等(或200)的下接触表面21a之间形成裂缝或间隙41。通过所述裂缝或间隙40和41，可以引导冷却气体(经由通过管道供应的未描绘的气体，管道设置成通过基板载体10、从下表面侧11b朝向上表面侧11a)，以建立跨越基板载体10的最佳的所需温度梯度，特别是在第一上表面侧11a上，多个半导体基板位于兜孔13中。
这样的裂缝或间隙40和41也可以通过配置凸起310的大得多的尺寸(与凹部320的内部尺寸相比)来获得，使得凸起310的最大直径D大于凹部320的最大内径E。因此，凸起310的外表面搁置在接触表面环上的凹部320的内壁上，并且以与高度X和Y的差异类似的方式，配合的屏蔽元件20'-20”-等等(或200)从基板载体10上升，从而在基板载体10的整个表面区域上形成裂缝或间隙40和41。
这样的裂缝或间隙40和41也可以通过以与凹部320的相应斜度相比不同的方式(更小)配置凸起310的斜度(相对于由基板载体10的第一上表面侧11a形成的水平面)来产生。通过将凸起的斜度配置成比凹部的斜度不太陡，凸起仅可以更小的程度容纳在凹部中，使得配合的屏蔽元件20'-20”-等等(或200)从基板载体10升起，从而在基板载体10的整个表面区域上形成裂缝或间隙40和41。
在如图8所示的实施方式中，凸起和配合凹部的配置如此使得凹部320的内部尺寸(凹部轮廓或形状)与凸起310(的相应部分)外部尺寸相同。由此，还获得了基板载体10的第一上表面11a和配合的屏蔽元件20'-20”-等等(或200)的下接触表面21a的完全邻接。
对于本领域普通技术人员显而易见的是，除了(SiC涂覆的)石墨之外的其他材料可以用作屏蔽元件的材料。在MOCVD处理工具中通常用于屏蔽元件的另一种材料是石英，屏蔽元件用于覆盖涂覆有SiC的石墨基板载体。应注意，所呈现的实施方式不限制本发明的范围。本发明可以在基板载体和屏蔽元件材料组合的所有组合上实施。

Claims (15)

1.一种基板载体组件，用在通过化学气相沉积在半导体基板上生长外延层的系统中，所述基板载体组件包括：
基板载体，其具有第一表面侧，所述第一表面侧的一区域部分设置有凹陷的兜孔，所述兜孔用于在使用期间容纳所述半导体基板，以及
一个或多个屏蔽段，其被配置成可拆卸地定位的板形元件，所述板形元件具有覆盖表面侧，所述覆盖表面侧用于覆盖所述基板载体的所述第一表面侧的邻近所述兜孔的其余区域部分，以及
互锁装置，其用于将所述一个或多个屏蔽段与所述基板载体互锁，其中，所述互锁装置包括至少一对配合的第一互锁元件和第二互锁元件，所述第一互锁元件与所述基板载体形成整体部件，并且所述第二互锁元件与所述一个或多个屏蔽段形成整体部件，
配合的所述第一互锁元件和第二互锁元件被配置为至少一个凹部和至少一个凸起，所述至少一个凹部和所述至少一个凸起表现出平滑的表面过渡。
2.根据权利要求1所述的基板载体组件，其中，一对配合的所述第一互锁元件和第二互锁元件设置为在所述基板载体的所述第一表面侧的所述其余区域部分和所述一个或多个屏蔽段的所述覆盖表面侧的配合变动件。
3.根据权利要求1所述的基板载体组件，其中，所述至少一个凹部和所述至少一个凸起呈现圆形配置。
4.根据权利要求1所述的基板载体组件，其中，所述至少一个凹部和所述至少一个凸起呈现椭圆形配置。
5.根据权利要求3或4所述的基板载体组件，其中，所述至少一个凹部和所述至少一个凸起呈现圆环配置。
6.根据权利要求1所述的基板载体组件，其中，所述至少一个凸起的至少一部分外部尺寸大于相配合的凹部的对应部分内部尺寸。
7.根据权利要求6所述的基板载体组件，其中，所述至少一个凸起的最大高度大于所述相配合的凹部的最大深度。
8.根据权利要求6或7所述的基板载体组件，其中，所述至少一个凸起的最大直径大于所述相配合的凹部的最大内径。
9.根据权利要求6或7所述的基板载体组件，其中，相对于所述基板载体的平面，所述至少一个凸起的斜度大于所述相配合的凹部的内斜度。
10.根据权利要求1所述的基板载体组件，其中，所述至少一个凹部的至少一部分内部尺寸大于相配合的凸起的对应部分外部尺寸。
11.根据权利要求10所述的基板载体组件，其中，所述至少一个凹部的最大深度大于所述相配合的凸起的最大高度。
12.根据权利要求10或11所述的基板载体组件，其中，所述至少一个凹部的最大内径大于所述相配合的凸起的最大直径。
13.根据权利要求10或11所述的基板载体组件，其中，相对于所述基板载体的平面，至少一个凸起的斜度小于相配合的凹部的内斜度。
14.一种基板载体，其是用在通过化学气相沉积在半导体基板上生长外延层的系统中的基板载体组件的一部分，其中所述基板载体具有第一表面侧，所述第一表面侧的一区域部分设置有凹陷的兜孔，所述兜孔用于在使用期间容纳所述半导体基板，
所述基板载体还具有与所述基板载体形成整体部件的至少一个第一互锁元件，所述至少一个第一互锁元件连同至少一个配合的第二互锁元件形成用于使一个或多个屏蔽段与所述基板载体互锁的互锁装置，
所述第一互锁元件被配置为表现出平滑的表面过渡的至少一个凹部。
15.一种屏蔽段，其是用在通过化学气相沉积在半导体基板上生长外延层的系统中的基板载体组件的一部分，其中所述屏蔽段被配置为板形元件，
所述屏蔽段还具有与所述屏蔽段形成整体部件的至少一个第二互锁元件，所述至少一个第二互锁元件连同至少一个配合的第一互锁元件形成用于使所述屏蔽段与所述基板载体组件的所述基板载体互锁的互锁装置，
所述第二互锁元件被配置为表现出平滑的表面过渡的至少一个凸部。
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