JP6643029B2 - 単結晶炭化ケイ素基板の加熱処理容器及びエッチング方法 - Google Patents

単結晶炭化ケイ素基板の加熱処理容器及びエッチング方法 Download PDF

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Description

本発明は、主要には、単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板をエッチング処理するときに用いる加熱処理容器に関する。
炭化ケイ素（ＳｉＣ）に対しては、ケイ素（Ｓｉ）やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の既存の半導体材料では実現できない、高温、高周波、耐電圧及び耐環境性を実現することが可能な次世代のパワーデバイス、高周波デバイス用半導体の材料として、大きな期待が寄せられている。
特許文献１は、この種の円板状のＳｉＣ基板をエッチング処理する場合に用いられる加熱処理容器を開示する。この加熱処理容器では、円板状の単結晶ＳｉＣ基板と加熱処理容器の内底面との間に複数個のスペーサが介在され、当該スペーサによりＳｉＣ基板が支持されている。このような構成により、ＳｉＣ基板の主面の両方の面（上面と下面、Ｓｉ面とＣ面）が、加熱処理容器の内部空間に対し十分露出し、Ｓｉの蒸気圧の下で加熱処理をすること等により両方の主面がエッチング処理されるようになっている。
特開２００８−１６６９１号公報
しかしながら、特許文献１の構成では、スペーサがＳｉＣ基板の一方の主面（下面）に小さくない面積で接触した状態でエッチング処理することにより、ＳｉＣ基板側に跡が残ってしまう。具体的には、ＳｉＣ基板の一方の主面（下面）に、マスキング効果による相対的な突起が形成される。この突起は、エッチング処理の後にＳｉＣ基板に対して行われるエピタキシャル層を成長させる処理や、プラズマドライエッチング処理において、サセプタとの密着性の低下を引き起こしたり、真空チャック不良を引き起こしたりする場合があった。そこで、特許文献１の構成では、スペーサが接触した主面と反対側の主面（即ち、上面）を被処理面（デバイス等を実装する面）としていた。
しかしながら、特許文献１の構成のようにスペーサと反対側の主面を被処理面とした場合、被処理面に塵埃等が付着し易くなり、ＳｉＣ基板の品質が劣化してしまうという問題があった。
本発明は以上の事情に鑑みてされたものであり、その目的は、ＳｉＣ基板を支持することによってＳｉＣ基板側に形成される跡がＳｉＣ基板の品質に及ぼす影響を無くし、また、被処理面に塵埃等が付着することを抑制することにある。
課題を解決するための手段及び効果
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段とその効果を説明する。
本発明の第１の観点によれば、以下の構成の加熱処理容器が提供される。即ち、この加熱処理容器は、対象物である円板状のＳｉＣ基板をエッチング処理するときに当該ＳｉＣ基板を支持する支持部材を備える。前記支持部材は、前記ＳｉＣ基板の下面の端を支持するための、下方に行くに従って当該ＳｉＣ基板の中心線に近づくように傾く傾斜部を有する。前記加熱処理容器の底部をなす底板を更に備える。前記支持部材は前記底板上に着脱可能に取り付けられる。
これにより、支持部材がＳｉＣ基板の下面の端のみに接触した状態で当該ＳｉＣ基板を支持するので、支持部材に接触したときにＳｉＣ基板側にできる跡が、その後の処理により捨てられる端の領域以外の部分には残らない。そのため、被処理面が下向きとなるようにＳｉＣ基板を支持することができ、そうすることにより被処理面に塵埃が付着することを抑制できる。また、例えば、加熱処理容器内にＳｉを付与する処理を行う間は、支持部材を底板から取り外して加熱処理容器の外に出しておくことにより、支持部材の表面がＳｉの付与に伴って化学変化してエッチング処理時にＳｉＣ基板に固着することを防止することができる。よって、ＳｉＣ基板が割れることを防止することができる。
前記の加熱処理容器においては、以下の構成とすることが好ましい。即ち、前記傾斜部は、平面状、円柱面状、円錐面状、又は稜線状に形成されている。前記傾斜部の上下中途部が前記ＳｉＣ基板の下面の端に接触する。
これにより、対象物であるＳｉＣ基板を、安定した状態で支持部材によって保持することができる。
前記の加熱処理容器においては、以下の構成とすることが好ましい。即ち、前記支持部材はタンタルカーバイド又はニオブカーバイドからなる。前記底板の内底面及び前記加熱処理容器の内部空間に露出している表面は、タンタルシリサイドからなる。
これにより、支持部材がＳｉＣ基板に固着してしまうことを防止しつつ、底板の内底面及び加熱処理容器の内部空間に露出している表面をＳｉ供給源として、加熱処理容器内にＳｉの雰囲気を効率良く形成し、ＳｉＣ基板をエッチング処理することができる。
前記の加熱処理容器においては、以下の構成とすることが好ましい。即ち、前記支持部材の下端部には軸状の差込部又は差込孔のうちの一方が形成される。前記底板には、前記軸状の差込部又は差込孔のうちの一方に対応する差込孔又は軸状の差込部が形成される。
これにより、軸状の差込部を差込孔に差し込むだけで、支持部材を底板に対して装着したり取り外したりすることができ、支持部材を着脱する作業が簡単になる。
前記の加熱処理容器においては、以下の構成とすることが好ましい。即ち、前記軸状の差込部にはオネジが形成される。前記差込孔にはメネジが形成される。
これにより、支持部材を回転させるだけで、支持部材を底板に対して装着したり取り外したりすることができ、支持部材を着脱する作業が簡単となる。
前記の加熱処理容器においては、前記支持部材は、クリアランスを有する取付構造を介して前記底板に取り付けられることが好ましい。
これにより、底板及び支持部材の寸法が熱膨張により変化しても、その寸法変化を吸収するように支持部材が底板に対して移動するので、ＳｉＣ基板に応力が掛かることを抑制することができ、ＳｉＣ基板が反ったり割れたりすることを防止することができる。
前記の加熱処理容器においては、前記支持部材は、前記クリアランスによって前記傾斜部の傾きを変化させることが可能に構成されていることが好ましい。
これにより、ＳｉＣ基板が支持部材の傾斜部に接触するときの位置が上下方向に変化するので、底板及び支持部材の寸法が熱膨張により変化しても、ＳｉＣ基板が反ったり割れたりすることなく、支持部材によって安定した状態で支持することができる。
本発明の第２の観点によれば、前記の加熱処理容器を用いて、前記ＳｉＣ基板の被処理面を下方に向けた状態で、当該被処理面の端を前記支持部材により支持して、前記ＳｉＣ基板に対してエッチング処理を行うエッチング方法が提供される。
これにより、被処理面が下向きとなるようにＳｉＣ基板を支持してエッチング処理がされるので、被処理面に塵埃が付着することを抑制できる。
本発明の一実施形態に係る加熱処理容器の分解斜視図。 加熱処理容器に備えられる底板と支持部材の構成を示す斜視図。 加熱処理容器の側面断面図。 支持部材の傾斜面の傾きが変化する様子を示す側面断面図。 本発明の別実施形態に係る加熱処理容器の側面断面図。
次に、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る加熱処理容器１の分解斜視図である。図２は、加熱処理容器１に備えられる底板３と支持部材６の構成を示す斜視図である。図３は、加熱処理容器１の側面断面図である。図４は、支持部材６の傾斜面６Ｆの傾きが変化する様子を示す側面断面図である。
図１及び図３に示す加熱処理容器１は、円板状のＳｉＣ基板２をエッチング処理するときに、対象物である当該ＳｉＣ基板２を収容するために用いるものであり、外形が略円柱形状に形成されている。加熱処理容器１は、円板状の底板３と、円筒形状の胴部４と、蓋５と、を備える。加熱処理容器１は、底板３、胴部４及び蓋５を図１及び図３に示すように上下方向で重ね合わせることにより、内部空間が準密閉状態となるように構成されている。
この加熱処理容器１の内部にＳｉＣ基板２を収容して、内部をＳｉの蒸気圧で満たした状態で、１５００℃以上２２００℃以下、望ましくは１６００℃以上２０００℃以下の環境で加熱処理（アニール処理）することで、ＳｉＣ基板２の主面をエッチング処理することができる。なお、ここでいう「主面」とは、ＳｉＣ基板２の側面以外の面（平面状の主たる１対の面）を指す。
エッチング処理をしたＳｉＣ基板２はその後、エピタキシャル層を成長させる処理や、イオン注入処理がされて、イオン注入後の活性化により主面が十分な平坦度及び電気的活性を有する状態とされる。そして、円板状のＳｉＣ基板２の外周から数ｍｍ程度（例えば、ＳｉＣ基板２の外径が１００ｍｍのときは３ｍｍ程度）の領域が捨て領域（ｅｄｇｅ ｅｘｃｌｕｉｏｎ）とされ、残りの部分を利用して半導体素子が製造される。
次に、加熱処理容器１の詳細な構成について、図１から図３を参照して説明する。前述したように、加熱処理容器１は、外形が略円柱形状の容器である。別の観点から見れば、底板３と、胴部４と、蓋５と、を合わせたものは、坩堝を構成している。加熱処理容器（坩堝）１は、図略の加熱炉が備える支持台等に載せられた状態で、上記の温度で加熱される。
底板３、胴部４、及び蓋５のそれぞれにおいて、加熱処理容器１の内部に露出している表面には、タンタルシリサイド層（Ｔａ5Ｓｉ3）が形成されている。タンタルシリサイド層のすぐ外側にはタンタルカーバイド層（ＴａＣ及びＴａ2Ｃ）が形成されている。タンタルカーバイド層を挟んでタンタルシリサイド層と反対側にはタンタル層（Ｔａ）が形成されている。
図１及び図２に示すように、底板３の上面（即ち、加熱処理容器１の内底面）には、複数の支持部材６が配置される。ＳｉＣ基板２は、支持部材６を介して底板３に支持される。本実施形態において底板３は、ＳｉＣ基板２の外径よりも若干大きい外径の円板形状に形成されている。ＳｉＣ基板２は、平面視でその中心の位置が底板３の中心と一致する状態で、底板３と間隔をあけて当該底板３の上方に配置される。
前述の、加熱処理容器１の内部空間に露出している表面に形成されているタンタルシリサイド層は、加熱処理容器１の内部空間をＳｉの蒸気圧で満たすためのＳｉ供給源として機能する。このタンタルシリサイド層は、溶解させたＳｉを、加熱処理容器１の底板３、胴部４、及び蓋５の内部空間に露出している面に接触させて、１８００℃以上２０００℃以下程度で加熱することで形成される。これにより、Ｔａ5Ｓｉ3から構成されるタンタルシリサイド層を実現できる。なお、本実施形態では、３０μｍ以上５０μｍ以下の厚みのタンタルシリサイド層が形成されているが、内部空間の体積等に応じて、例えば１μｍ以上３００μｍ以下の厚みであっても良い。
また、本実施形態ではタンタルシリサイドとしてＴａ5Ｓｉ3が形成される構成であるが、他の化学式（例えば、ＴａＳｉ2）で表されるタンタルシリサイドが形成されていても良い。また、複数のタンタルシリサイドが重ねて形成されていても良い。
図２に示すように、底板３上には、複数（本実施形態では３個）の支持部材６が取り付けられている。支持部材６は、加熱処理容器１の一部を構成し、エッチング処理を行うときに、加熱処理容器１の底板３に対して間隔を空けてＳｉＣ基板２を支持するためのものである。支持部材６は、底板３に対して着脱可能に設けられている。
支持部材６は、円板状のＳｉＣ基板２の下面の端を複数箇所で支持するように、平面視で底板３の中心を中心とする仮想円上に、等間隔に（本実施形態では１２０°おきに）並べて配置されている。それぞれの支持部材６は例えば円錐状に形成されており、下方に行くに従ってＳｉＣ基板２の中心線Ｌ（図２参照）に近づくように傾く傾斜面（傾斜部）６Ｆを有する。言い換えれば、支持部材６は、ＳｉＣ基板２の中心から離れるほど高くなるように傾斜した傾斜面６Ｆを有する。
ここで、支持部材６の下端は、平面視においてＳｉＣ基板２の外周よりも中心線Ｌ側に近づいた位置に配置されている。従って、図３に示すように、支持部材６は、この傾斜面６Ｆで、ＳｉＣ基板２の下面の端２Ｅに接触してＳｉＣ基板２を支持することができる。即ち、支持部材６は、ＳｉＣ基板２の下面の端２Ｅ（側面２Ｓと下面２Ｕとの境界部分）を支持する。
より具体的には、本実施形態の支持部材６は、下方に行くに従って径が大きくなる円錐形状を有している。この支持部材６の外周面である円錐形状のテーパ面（円錐面）６Ｔが前記傾斜面６Ｆであり、この上下中途部がＳｉＣ基板２の下端の端２Ｅに接触することで、支持部材６によりＳｉＣ基板２を支持することができる。支持部材６をこのように上方に突出した円錐状とし、複数の傾斜面６Ｆ（テーパ面６Ｔ）の内側にＳｉＣ基板２を配置する構成とすることで、対象物であるＳｉＣ基板２を安定した状態で支持部材６によって保持することができる。
このように、本実施形態に係る加熱処理容器１では、支持部材６がＳｉＣ基板２の下面の端２Ｅのみに接触した状態でＳｉＣ基板２を支持するので、支持部材６と接触した状態でエッチング処理されることでＳｉＣ基板２側にできる跡が、このＳｉＣ基板２の下端の端２Ｅの近傍以外には残らない。そして、この跡の位置は、半導体素子を製造する過程におけるＳｉＣ基板２の捨て領域に含まれるので、製品の品質に影響を及ぼすことがない。このように、本実施形態の構成では、従来のようにＳｉＣ基板２の下面にマスキング効果による大きな突起等が形成されないので、デバイス等を実装する被処理面が下向きとなるように（フェースダウン状態で）ＳｉＣ基板２を支持することができる。この結果、被処理面に塵埃が付着することを抑制することができる。
支持部材６は、タンタルカーバイド（ＴａＣ）からなる。このように、加熱処理容器１の内部空間に露出している部材のうち、支持部材６のみがタンタルカーバイドで構成されており、その他の部材の表面（内部空間に露出している表面）にはタンタルシリサイド層が形成されている。このように構成することで、支持部材６がタンタルシリサイド化してＳｉＣ基板２に固着してしまうことを確実に防止することができる。また、加熱処理容器１の内部空間に露出している広い面積にわたるタンタルシリサイド層をＳｉ供給源として、加熱処理容器１の内部空間にＳｉの雰囲気を形成できるので、当該内部空間におけるＳｉの濃度を均一にすることができ、ひいてはＳｉＣ基板２の主面に対して均一にエッチング処理を施すことができる。
更に、加熱処理容器１の内部空間の表面に、溶解したＳｉを接触させてＳｉを付与する処理（エッチング処理の前処理）を行う間は、支持部材６を底板３から取り外して加熱処理容器１の外部に出しておくことにより、支持部材６の表面にＳｉが付着してシリサイド化してしまうことを防止することができる。これにより、エッチング処理時に支持部材６がＳｉＣ基板２に固着することを確実に防止することができ、ＳｉＣ基板２が割れてしまうことを防止することができる。
ただし、支持部材６を構成する材料は上記のタンタルカーバイドに限るものではなく、これに代えてニオブカーバイドからなるものとしても良い。この場合にも、支持部材６の表面にＳｉが付着してシリサイド化してしまうことを防止することができ、支持部材６とＳｉＣ基板２との固着を防止することができる。
次に、支持部材６が底板３に対して着脱可能となっている構成について、図３及び図４を参照して詳細に説明する。本実施形態において、支持部材６の下端部には、オネジが形成された軸６Ｓが下方に突出するように設けられている。また、上記のオネジに対応するメネジが形成された孔３Ｈが、底板３における前記仮想円に沿って等間隔（本実施形態では、３つ）で並べて設けられている。このメネジの孔３Ｈに支持部材６の下端部のオネジの軸６Ｓが捩じ込まれることにより、支持部材６を底板３に取り付けることができる。また、支持部材６を上記とは反対の方向に回すことにより、支持部材６を底板３から取り外すことができる。このように、支持部材６を回転させるだけで支持部材６を底板３に対して装着したり取り外したりすることができるので、着脱作業が簡単である。
ここで、底板３に形成されたメネジの孔３Ｈの寸法は、オネジの軸６Ｓに対して、適宜のクリアランス（遊び）を有するように設定されている。そのため、支持部材６の下端部の軸６Ｓは、底板３に対してクリアランス（遊び）を有する状態で、底板３に取り付けられる。
このようなクリアランスを有するネジ構造（取付構造）により、ＳｉＣ基板２、底板３及び支持部材６の寸法が加熱処理等による熱膨張により変化しても、それを吸収するように支持部材６が底板３に対して動くので、ＳｉＣ基板２に応力が掛かることを抑制することができる。これにより、熱膨張に伴ってＳｉＣ基板２が反ったり割れたりすることを防止することができる。
また、図４に示すように、支持部材６は、メネジの孔３Ｈの軸６Ｓに対するクリアランスに相当する分だけ動くことにより、全体的に傾いて、傾斜面６Ｆの傾きを変化させることができるように構成される。これにより、底板３及び支持部材６の寸法が熱膨張により変化しても、ＳｉＣ基板２が反ったり割れたりすることがないように傾斜面６Ｆの傾きを変化させることができる。
なお、支持部材６が底板３に対して着脱可能とするために、上記の構成に代えて、図５に示すような構成とすることもできる。図５は、本発明の別実施形態に係る加熱処理容器の側面断面図である。
図５の構成では、支持部材６の下端部にはメネジの孔６Ｘが形成されていて、これに対応するオネジを有する軸３Ｙが、底板３における前記仮想円に沿って等間隔（本実施形態では、３つ）で並べて設けられている。このように、支持部材６にメネジが、底板３にオネジが、それぞれ形成されている構成とすることもできる。
以上で説明したように、本実施形態の加熱処理容器１は、対象物である円板状のＳｉＣ基板２をエッチング処理するときに当該ＳｉＣ基板２を支持する支持部材６を備える。支持部材６は、ＳｉＣ基板２の下面の端２Ｅを支持するための、下方に行くに従ってＳｉＣ基板２の中心線Ｌに近づくように傾く傾斜面６Ｆを有する。
これにより、支持部材６がＳｉＣ基板２の下面の端２Ｅのみに接触した状態で当該ＳｉＣ基板２を支持するので、支持部材６に接触したときにＳｉＣ基板２側にできる跡が、その後の処理により捨てられる端の領域（捨て領域）以外の部分には残らない。そのため、被処理面が下向きとなるようにＳｉＣ基板２を支持することができ、そうすることにより被処理面に塵埃が付着することを抑制できる。
また、本実施形態の加熱処理容器１において、傾斜面６Ｆは、円錐面状に形成されている（テーパ面６Ｔ）。傾斜面６Ｆの上下中途部が前記ＳｉＣ基板２の下端の端２Ｅに接触する。
これにより、対象物であるＳｉＣ基板２を、安定した状態で支持部材６によって保持することができる。
また、本実施形態の加熱処理容器１は、加熱処理容器１の底部をなす底板３を更に備える。支持部材６は底板３に着脱可能に取り付けられる。
これにより、加熱処理容器１内にＳｉを付与する処理を行う間は、支持部材６を底板３から取り外して加熱処理容器１の外に出しておくことにより、支持部材６の表面がタンタルシリサイド化（シリサイド化）してエッチング処理時にＳｉＣ基板２に固着することを防止することができる。よって、ＳｉＣ基板２が割れることを防止することができる。
また、上記の加熱処理容器１において、支持部材６はタンタルカーバイド又はニオブカーバイドからなる。底板３の内底面及び加熱処理容器１の内部空間に露出している表面は、タンタルシリサイドからなる。
これにより、支持部材６がＳｉＣ基板２に固着してしまうことを防止しつつ、底板３の内底面及び加熱処理容器１の内部空間に露出している表面をＳｉ供給源として、加熱処理容器１内にＳｉの雰囲気を効率良く形成し、ＳｉＣ基板２をエッチング処理することができる。
また、上記の加熱処理容器１において、支持部材６の下端部には軸状の差込部（軸６Ｓ）が設けられ、底板３には、上記の軸６Ｓに対応する差込孔（孔３Ｈ）が設けられる。また、別の実施形態では、支持部材６の下端部に差込孔（孔６Ｘ）が設けられ、底板３には、上記の孔６Ｘに対応する軸状の差込部（軸３Ｙ）が設けられる。
これにより、軸６Ｓを孔３Ｈに（又は、軸３Ｙを孔６Ｘに）差し込むだけで、支持部材６を底板３に対して装着したり取り外したりすることができ、支持部材６を着脱する作業が簡単になる。
また、上記の加熱処理容器１において、軸６Ｓ及び軸３Ｙにはオネジが形成され、孔３Ｈ及び孔６Ｘにはメネジが形成される。
これにより、支持部材６を回転させるだけで、支持部材６を底板３に対して装着したり取り外したりすることができ、支持部材６を着脱する作業が簡単になる。
また、上記の加熱処理容器１においては、支持部材６は、クリアランス（遊び）を有するネジ構造を介して底板３に取り付けられる。
これにより、底板３及び支持部材６の寸法が熱膨張により変化しても、その寸法変化を吸収するように支持部材６が底板３に対して移動するので、ＳｉＣ基板２に応力が掛かることを抑制することができ、ＳｉＣ基板２が反ったり割れたりすることを防止することができる。
また、上記の加熱処理容器１においては、支持部材６は、前記クリアランスによって傾斜面６Ｆの傾きを変化させることが可能である。
これにより、ＳｉＣ基板２が支持部材６の傾斜面６Ｆに接触するときの位置が上下方向に変化するので、底板３及び支持部材６の寸法が熱膨張により変化しても、ＳｉＣ基板２が反ったり割れたりすることなく、支持部材６によって安定した状態で支持することができる。
また、本実施形態では、上記の加熱処理容器１を用いて、ＳｉＣ基板２の被処理面を下方に向けた状態で、当該被処理面（下面２Ｕ）の端２Ｅを支持部材６により支持して、ＳｉＣ基板２に対してエッチング処理が行われる。
これにより、被処理面が下向きとなるように（フェースダウン状態で）ＳｉＣ基板２を支持してエッチング処理がされるので、被処理面に塵埃が付着することを抑制できる。
以上に本発明の好適な実施の形態を説明したが、上記の構成は例えば以下のように変更することができる。
上記の実施形態では、支持部材６は円錐形状の部材であるものとしたが、支持部材の形状はこれに限るものではない。即ち、支持部材は、下方に行くに従ってＳｉＣ基板の中心線に近づくように傾く傾斜部を有するものであれば良く、例えば垂直方向に対して適宜に傾斜させた細い円柱状のワイヤや、平板状の部材等により構成しても良い。また、支持部材を、傾斜させた丸棒状の部材で構成し、その円柱面状の周面でＳｉＣ基板を支持しても良い。あるいは、支持部材の形状を、テーパ面を有する円錐形状の上部と、円柱形状の下部と、を組み合わせた形状としても良い。また、支持部材の形状を、例えば三角錐、六角錘や十二角錘のような多角錘としても良い。この場合、多角錐が有する傾斜状の平面でＳｉＣ基板を支持しても良いし、傾斜した稜線状の部分（ナイフエッジ状の部分）でＳｉＣ基板を支持しても良い。
上記の実施形態では、支持部材６の下端部のオネジの軸６Ｓと、底板３に形成されたメネジの孔３Ｈと、の間のクリアランス（遊び）によって支持部材６が若干動くものとしたが、クリアランスの形態はこれに限るものではない。即ち、例えばこれに代えて、ネジなしの軸状の差込部と差込孔からなる着脱可能な取付構造（ダボ構造）とし、軸状の差込部と差込孔との間にクリアランスを形成することもできる。また、底板３に、ＳｉＣ基板２の中心線Ｌに対して径方向に延びた溝を設け、当該溝内を支持部材がスライドするものとすることもできる。あるいは、回動軸やカム機構等を利用して、支持部材が底板に対して動くように構成することもできる。
上記の実施形態では、支持部材６は、底板３上の平面視でＳｉＣ基板２の外周に対応する位置に等間隔に３個設けられているものとしたが、支持部材６の個数はこれに限定するものではなく、例えば４個以上備えられるものとしても良い。また、支持部材６が不等の間隔で配置されても良い。
支持部材６は、底板３に突出状に設けられる構成に限定されず、胴部４や蓋５に設けられる構成としても良い。また、支持部材６が底板３等に着脱不能に取り付けられても良い。
上記の実施形態では胴部４と底板３が分割可能に構成されているが、胴部４と底板３が一体に形成されても良い。
ＳｉＣ基板２は、デバイス等を実装する面（被処理面）が上側となった状態で支持部材６によって支持されても良い。
上記の実施形態では、支持部材６は、ネジにより底板３に直接取り付けられるものとしたが、これに限るものではなく、例えばこれに代えて、底板３の内底面上に台座を配置し、当該台座を介して支持部材が間接的に底板に取り付けられるものとしても良い。その場合、台座にネジ孔が形成される構成とすることができる。
１ 加熱処理容器
２ ＳｉＣ基板
２Ｅ （ＳｉＣ基板の）下端の端
３ 底板
３Ｈ 孔
６ 支持部材
６Ｆ 傾斜面（傾斜部）
６Ｓ 軸
６Ｔ テーパ面

Claims (8)

  1. 対象物である円板状のＳｉＣ基板をエッチング処理するときに当該ＳｉＣ基板を支持する支持部材を備える加熱処理容器において、
    前記支持部材は、前記ＳｉＣ基板の下面の端を支持するための、下方に行くに従って当該ＳｉＣ基板の中心線に近づくように傾く傾斜部を有し、
    前記加熱処理容器の底部をなす底板を更に備え、
    前記支持部材は前記底板上に着脱可能に取り付けられることを特徴とする加熱処理容器。
  2. 請求項１に記載の加熱処理容器であって、
    前記傾斜部は、平面状、円柱面状、円錐面状、又は稜線状に形成されており、
    前記傾斜部の上下中途部が前記ＳｉＣ基板の下面の端に接触することを特徴とする加熱処理容器。
  3. 請求項１又は２に記載の加熱処理容器であって、
    前記支持部材はタンタルカーバイド又はニオブカーバイドからなり、
    前記底板の内底面及び前記加熱処理容器の内部空間に露出している表面は、タンタルシリサイドからなることを特徴とする加熱処理容器。
  4. 請求項１から３までの何れか一項に記載の加熱処理容器であって、
    前記支持部材の下端部には軸状の差込部又は差込孔のうちの一方が形成され、
    前記底板には、前記軸状の差込部又は差込孔のうちの一方に対応する差込孔又は軸状の差込部が形成されることを特徴とする加熱処理容器。
  5. 請求項４に記載の加熱処理容器であって、
    前記軸状の差込部にはオネジが形成され、
    前記差込孔にはメネジが形成されることを特徴とする加熱処理容器。
  6. 請求項１から５までの何れか一項に記載の加熱処理容器であって、
    前記支持部材は、クリアランスを有する取付構造を介して前記底板に取り付けられることを特徴とする加熱処理容器。
  7. 請求項６に記載の加熱処理容器であって、
    前記支持部材は、前記クリアランスによって前記傾斜部の傾きを変化させることが可能に構成されていることを特徴とする加熱処理容器。
  8. 請求項１に記載の加熱処理容器を用いて、前記ＳｉＣ基板の被処理面を下方に向けた状態で、当該被処理面の端を前記支持部材により支持して、前記ＳｉＣ基板に対してエッチング処理を行うことを特徴とするエッチング方法。
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