JP5950110B2 - サンプルホルダ - Google Patents

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本発明は、処理対象の基板を垂直に搭載してプロセス処理装置に格納されるサンプルホルダに関する。
半導体装置の製造における成膜やエッチングなどの処理工程で、シリコン(Si)基板などの処理対象の基板はサンプルホルダに搭載されてプロセス処理装置に搬入される。サンプルホルダには、基板を水平に搭載するカートタイプや、基板を垂直に搭載するボートタイプなどがある。処理効率を向上させるために、ボートタイプのサンプルホルダ(以下において、「ボート」という。)を用いて同時に処理できる基板の数を増やすことが有効である(例えば、特許文献1参照。)。例えば、基板が搭載される基板搭載面が定義された基板プレートを複数有するボートを使用することにより、多数の基板を同時に処理するプロセス処理装置のフットプリントを小さくすることができる
特開2002−75884号公報
ボートに基板を垂直に搭載するために、例えば、ボートの基板搭載面の外周に配置した固定ピンを基板支持具とする方法を用いることができる。一般的には、ボートの基板搭載面において、3本の固定ピンで基板が支持される。これは、プロセス処理に与える固定ピンの影響を抑制するためには固定ピンの個数ができるだけ少ないことが好ましい一方で、基板を垂直に安定して支持するためには、少なくとも基板の左辺、右辺及び下辺の3箇所に固定ピンを配置する必要があるためである。
ところで、成膜プロセスなどにおいてボートが高温(例えば480℃程度)になった場合において、基板がボートに搭載された際に熱反りを起こすことがわかっている。このため、3本の固定ピンによって基板をボートの基板搭載面で支持する場合に、基板が熱反りを起こして、自重によって基板が固定ピン間にずれ込むことがある。この場合、基板が基板搭載面に正しい姿勢で搭載されていない状況において、ロボットハンドによる基板の移載が行われる。その結果、反った状態の基板が基板搭載面に押し付けられるなどして、基板の割れが発生するという問題があった。
上記問題点に鑑み、本発明は、熱反りの生じた基板を基板搭載面に正しい姿勢で支持できるボートタイプのサンプルホルダを提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、(イ)基板が搭載可能な矩形状の搭載領域が定義された基板搭載面が垂直方向に延伸する基板プレートと、(ロ)搭載領域の左辺、右辺及び下辺にそれぞれ配置された第1の支持具、第2の支持具及び第3の支持具と、(ハ)搭載領域の下辺において、搭載領域に搭載された基板の重心を搭載領域の下辺に垂直に降ろした位置を挟んで第3の支持具と対向する位置に配置された第4の支持具とを備え、第1の支持具、第2の支持具、第3の支持具及び第4の支持具に支持されて基板が基板搭載面上に搭載されるサンプルホルダが提供される。
本発明によれば、熱反りの生じた基板を基板搭載面に正しい姿勢で支持できるボートタイプのサンプルホルダを提供できる。
本発明の実施形態に係るサンプルホルダの構成を示す模式的な断面図である。 本発明の実施形態に係るサンプルホルダの第3の支持具によって基板が支持される例を示す模式図である。 本発明の実施形態に係るサンプルホルダの第4の支持具によって基板を支持される例を示す模式図である。 比較例のサンプルホルダの基板搭載面に基板が搭載された例を示す模式図であり、図4(a)は上方から見た図、図4(b)は正面方向から見た図である。 比較例のサンプルホルダの基板搭載面に基板が支持された例を示す模式図であり、図5(a)は上方から見た図、図5(b)は正面方向から見た図である。 本発明の実施形態に係るサンプルホルダの基板搭載面に基板が搭載された例を示す模式図であり、図6(a)は上方から見た図、図6(b)は正面方向から見た図である。 本発明の実施形態に係るサンプルホルダが複数の基板搭載面を有する例を示す断面図である。 本発明の実施形態の変形例に係るサンプルホルダの構成を示す模式図であり、図8(a)は側面方向からみた模式図であり、図8(b)は上面方向からみた模式図である。
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
本発明の実施形態に係るサンプルホルダ10は、図1に示すように、基板100が搭載可能な矩形状の搭載領域101が定義された基板搭載面110が垂直方向に延伸する基板プレート11と、搭載領域101の左辺に配置された第1の支持具P1と、右辺に配置された第2の支持具P2と、下辺にそれぞれ配置された第3の支持具P3及び第4の支持具P4とを備える。第4の支持具P4は、搭載領域101の下辺において搭載領域101に搭載された基板100の重心を搭載領域101の下辺に垂直に降ろした位置を挟んで、第3の支持具P3と対向する位置に配置されている。
第1の支持具P1、第2の支持具P2、第3の支持具P3及び第4の支持具P4に支持されて、基板100が基板搭載面110上に搭載される。
第1の支持具P1、第2の支持具P2及び第3の支持具P3(以下において、「支持具P1〜P3」と総称する。)には、基板100を落下せずに安定して支持するために、基板搭載面110上に露出した部分の先端が広がっている構造が好ましい。例えば、支持具P1〜P3は、一方の端部が基板搭載面110に接続された軸部と、軸部の他方の端部に連結された頭部とをそれぞれ有する。そして、軸部が延伸する方向に垂直な頭部の断面積は軸部の断面積よりも広い。
具体例としては、図2に示すような平型タイプのピン30を支持具P1〜P3に採用可能である。ピン30の軸部32の先端の一部が、基板搭載面110に埋め込まれる。これにより生じるピン30の頭部31と基板搭載面110との隙間に露出する軸部32によって、図2に示すように、ピン30の頭部31と基板搭載面110との隙間で基板100が支持される。基板搭載面110上に露出する軸部32の長さtは、基板100の厚みと同等以上に設定される。例えば基板100の厚みが200μmである場合には、軸部32の長さtは200μm〜400μm程度である。軸部32の長さtを基板100の厚みよりも少し長くすることにより、ピン30の頭部31のテーパ部に接触することにより生じる基板100の端部の破損を抑制できる。
第4の支持具P4が基板100を支持する例を図3に示す。第4の支持具P4は、例えば軸方向の断面積が一定の軸形状であり、一方の端部が基板搭載面110に接続されている。第4の支持具P4には、断面積が一定の円柱形状などを採用可能である。
支持具P1〜P3と異なり第4の支持具P4には頭部がない。このため、例えば成膜処理において、基板100上において支持具P1〜P3の頭部の影になって成膜されない領域(以下において「ピンマーク」という。)の発生が抑制される。つまり、ピンマークをできる限り小さくすることにより、第4の支持具P4を追加したことによるピンマークの増大に対応している。このため、例えば基板100が太陽電池である場合に、太陽電池の変換領域外にピンマークが収まり、ピンマークが変換効率に影響を与えることはない。
第4の支持具P4は、熱反りが発生した基板100の自重による支持具P1〜P3間へのずれ込みを防止する位置に配置される。つまり、第4の支持具P4によって、支持具P1〜P3のみで基板100を支持した場合に発生する基板100のずれ込みが防止される。具体的には、搭載領域101の下辺において、搭載領域101に搭載された基板100の重心を搭載領域101の下辺に垂直に降ろした位置を挟んで第3の支持具P3と対向する位置に、第4の支持具P4が配置される。
なお、第4の支持具P4の基板搭載面110上に露出している部分の長さは、基板100を安定して支持するために、基板100の厚み以上であることが好ましい。例えば、支持具P1〜P3の基板搭載面110上に露出する部分の長さと同等程度とする。
図1に示した例では4つの搭載領域101が水平方向に配列されて基板搭載面110に定義されているが、基板搭載面110の面積や基板100のサイズなどに応じて基板搭載面110の搭載領域101の数は任意に設定可能である。1つの搭載領域101に1枚の基板100が搭載される。搭載領域101それぞれの左辺、右辺及び下辺に第1の支持具P1、第2の支持具P2及び第3の支持具P3が配置され、且つ、下辺に第4の支持具P4が配置される。
基板プレート11への基板100の移載は、例えばロボットアームによって行われる。このとき、基板100が支持具P1〜P3と第4の支持具P4にそれぞれ支持されるように、複数の基板100を同時に搭載領域101に搭載することが可能である。また、複数の基板100を同時に搭載領域101から取り外すことが可能である。
なお、搭載領域101に対する支持具P1〜P3及び第4の支持具P4の相対位置は、複数の搭載領域101において共通である。このため、基板プレート11に搭載された基板100にプロセス処理を施した場合に、支持具P1〜P3及び第4の支持具P4による各基板100への影響を同一にできる。例えばプラズマ化学気相成長(CVD)成膜装置による成膜処理が行われた場合には、ピンマークをすべての基板100で共通にできる。
3本の支持具P1〜P3のみによって基板100を支持する比較例のサンプルホルダ10Aにおける基板100移載時の状態を、図4(a)及び図4(b)に示す。一般的に、下端が水平方向から傾いた状態で基板100は基板搭載面110上に移動された後、搭載領域101と平行に基板100を回転させてから基板搭載面110に基板100を搭載する。このため、斜め方向から基板100を搭載領域101上に移動できるように、搭載領域101の下辺からの第1の支持具P1までの距離と第2の支持具P2までの距離は異なるように設定される。更に、第3の支持具P3は、搭載領域101の下辺からの距離が短い第2の支持具P2の方に近い位置に配置される。
図4(a)及び図4(b)に示すように、基板100をサンプルホルダ10Aに搭載する時に、或いは基板100をサンプルホルダ10Aから取り外す時に熱反りを起こした基板100が、自重によって支持具P1〜P3間にずれ込むことがある。図4(b)では、熱反りを起こした基板100が基板搭載面110上に正常に配置された状態を破線で示し、熱反りを起こした基板100が破線矢印で示したように第1の支持具P1と第3の支持具P3間にずれ込んだ状態を実線で示している。なお、図4(b)に示した矢印Wは、基板中心Xから延びる自重がかかる方向を示す(以下において同様。)。
図4(a)及び図4(b)に示した状態でサンプルホルダ10Aに搭載された基板100は、図5(a)、図5(b)に矢印で示す熱反り状態から戻ろうとする戻り力Fによって、第1の支持具P1と第2の支持具P2を突っ張る状態で固定され、正常な姿勢に戻らない。この状態でロボットハンドが基板100に接触する結果、基板100の割れが発生する。
しかし、図1に示したサンプルホルダ10では、第4の支持具P4が搭載領域101の下辺に配置されている。このため、図6(a)に示すように基板100が熱反りを起こした場合にも、基板100が支持具P1〜P3間にずれ込むことが図6(b)に示すように防止される。なお、図6(b)では熱反りを起こしていない基板100が支持された状態を破線で示し、熱反りを起こした基板100が支持された状態を実線で示している。
したがって、サンプルホルダ10によれば、基板100は基板搭載面110に傾いていない正常な姿勢で常に支持される。その結果、移載時にロボットハンドが基板100に接触しても、基板100は破損しない。
図4(b)などに示したように第1の支持具P1と第3の支持具P3との距離が第2の支持具P2と第3の支持具P3との距離よりも長い場合には、基板100の下端が第1の支持具P1と第3の支持具P3間にずれ込みやすい。
これに対し、本発明の実施形態に係るサンプルホルダ10では、図6(b)に示すように、第1の支持具P1と第3の支持具P3との距離d1と、第2の支持具P2と第3の支持具P3との距離d2が、略同一になるように第3の支持具P3の位置が決定される。即ち、第1の支持具P1と第2の支持具P2のうちの、搭載領域101の下辺からの距離が長い方が配置された辺に近い領域に、第3の支持具P3が配置されている。これにより、支持具P1〜P3間への基板100のずれ込みが抑制され、基板100内での熱反り量を可能な限り均等にすることができる。
支持具P1〜P3及び第4の支持具P4の材料には、ステンレス鋼(SUS)材などの金属材料を採用可能である。処理工程でサンプルホルダ10が高温になることなどを考慮すれば、SUS材を支持具P1〜P3及び第4の支持具P4に好適に使用できる。しかし、支持具P1〜P3及び第4の支持具P4の材料はSUS材に限定されることは無く、処理工程の温度において変形などをしない耐熱性を有する材料であれば採用可能である。処理工程が700℃程度で行われる場合を考慮して、支持具P1〜P3及び第4の支持具P4が700℃以上の耐熱性を有する材料からなることが好ましい。
なお、図7に示すように、基板搭載面110の面法線方向に沿って複数の基板プレート11が並列に並べられたボートタイプのサンプルホルダ10を使用できる。基板プレート11のそれぞれの底部は固定板12によって固定されている。図7では、支持具P1〜P3及び第4の支持具P4の図示を省略している。基板搭載面110を複数有するボートタイプのサンプルホルダ10を使用することにより、1回の成膜処理工程で処理できる基板1の枚数を増やすことができ、その結果、全体の処理時間を短縮することができる。
サンプルホルダ10は、太陽電池反射防止膜成膜装置に基板100を格納するためなどに使用可能である。例えば、サンプルホルダ10に搭載された基板100をプラズマCVD成膜装置に格納して成膜処理する場合には、サンプルホルダ10はアノード電極として使用される。
具体的には、基板100を搭載したサンプルホルダ10を格納したチャンバー内に原料ガスを導入する。そして、チャンバー内の原料ガスが所定の濃度に調整された後、サンプルホルダ10とカソード電極間に交流電力を供給して原料ガスをプラズマ状態にする。形成されたプラズマに基板100を曝すことにより、原料ガスに含まれる原料を主成分とする所望の薄膜が基板100の露出した表面に形成される。原料ガスを適宜選択することによって、シリコン半導体薄膜、シリコン窒化薄膜、シリコン酸化薄膜、シリコン酸窒化薄膜、カーボン薄膜などの所望の薄膜を基板100上に形成することができる。例えば、基板100が太陽電池である場合に、アンモニア(NH3)ガスとシラン(SiH4)ガスの混合ガスを用いて、基板100上に反射防止膜や絶縁膜として窒化シリコン(SiN)膜を形成できる。
なお、基板プレート11の互いに対向する2つの主面にそれぞれ基板搭載面110を定義することができる。このとき、図8(a)に示すように、基板プレート11の第1の主面S1に定義された基板搭載面110の下辺に配置された第3の支持具P3の先端部分を基板プレート11を貫通させて、第2の主面S2に露出させる。そして、露出させて先端部分を、第2の主面S2に定義された基板搭載面110の下辺に配置された第4の支持具P4として機能させることができる。
したがって、第1の主面S1と第2の主面S2における第3の支持具P3と第4の支持具P4の位置をそれぞれ対向させることにより、図8(b)に示すように、第1の主面S1に配置された第3の支持具P3の先端部分を第2の主面S2に配置された第4の支持具P4として使用し、第2の主面S2に配置された第3の支持具P3の先端部分を第1の主面S1に配置された第4の支持具P4として使用することができる。これにより、サンプルホルダ10の部品数の低減、及び部品取り付け工程の削減などが可能である。
以上に説明したように、本発明の実施形態に係るサンプルホルダ10では、第1の支持具P1、第2の支持具P2及び第3の支持具P3以外に、搭載領域101の下辺に配置された第4の支持具P4によって基板100が支持される。このため、基板100に熱反りが生じても、基板搭載面110の正常な搭載位置からの基板100の位置ずれが抑制される。したがって、サンプルホルダ10によれば、基板搭載面110に基板100が傾いた姿勢で固定されることを回避できる。その結果、移載時における基板100の割れ率が低減される。
更に、第4の支持具P4を頭部のない形状とすることにより、ピンマークの増大などの、第4の支持具P4を配置することによるプロセス処理への影響を抑制することができる。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
上記では、支持具P1〜P3が平型タイプのピンであり、第4の支持具P4が軸形状である場合を例示的に説明した。しかし、基板100を基板搭載面110上に安定して支持できるのであれば、支持具P1〜P3や第4の支持具P4はこれらの形状に限定されないことはもちろんであり、例えば断面が矩形状や多角形状であってもよい。
即ち、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
1…基板
10…サンプルホルダ
11…基板プレート
12…固定板
30…ピン
31…頭部
32…軸部
100…基板
101…搭載領域
110…基板搭載面
P1〜P4…第1〜第4の支持具

Claims (3)

  1. 基板が搭載可能な矩形状の搭載領域が定義された基板搭載面が垂直方向に延伸する基板プレートと、
    前記搭載領域の左辺、右辺及び下辺にそれぞれ配置された第1の支持具、第2の支持具及び第3の支持具と、
    前記搭載領域の下辺において、前記搭載領域に搭載された前記基板の重心を前記搭載領域の下辺に垂直に降ろした位置を挟んで前記第3の支持具と対向する位置に配置された第4の支持具と
    を備え、前記第1の支持具、前記第2の支持具、前記第3の支持具及び前記第4の支持具に支持されて前記基板が基板搭載面上に搭載され
    前記第1の支持具と前記第3の支持具間の距離と、前記第2の支持具と前記第3の支持具間の距離とが略同一であることを特徴とするサンプルホルダ。
  2. 基板が搭載可能な矩形状の搭載領域が定義された基板搭載面が垂直方向に延伸する基板プレートと、
    前記搭載領域の左辺、右辺及び下辺にそれぞれ配置された第1の支持具、第2の支持具及び第3の支持具と、
    前記搭載領域の下辺において、前記搭載領域に搭載された前記基板の重心を前記搭載領域の下辺に垂直に降ろした位置を挟んで前記第3の支持具と対向する位置に配置された第4の支持具と
    を備え、前記第1の支持具、前記第2の支持具、前記第3の支持具及び前記第4の支持具に支持されて前記基板が基板搭載面上に搭載され
    前記第1乃至第3の支持具のそれぞれが、軸部、及び該軸部の一方の端部に連結され、前記軸部の延伸方向に垂直な断面積が前記軸部よりも広い頭部を有し、前記軸部の他方の端部が前記基板搭載面に接続され、
    前記第4の支持具が、軸方向の断面積が一定の軸形状であり、一方の端部が前記基板搭載面に接続され、
    前記基板が、前記第1乃至前記第3の支持具の前記頭部と前記基板搭載面との隙間で前記軸部に支持されることを特徴とするサンプルホルダ。
  3. 基板が搭載可能な矩形状の搭載領域が定義された基板搭載面が垂直方向に延伸する基板プレートと、
    前記搭載領域の左辺、右辺及び下辺にそれぞれ配置された第1の支持具、第2の支持具及び第3の支持具と、
    前記搭載領域の下辺において、前記搭載領域に搭載された前記基板の重心を前記搭載領域の下辺に垂直に降ろした位置を挟んで前記第3の支持具と対向する位置に配置された第4の支持具と
    を備え、前記第1の支持具、前記第2の支持具、前記第3の支持具及び前記第4の支持具に支持されて前記基板が基板搭載面上に搭載され
    前記基板プレートの互いに対向する第1及び第2の主面に前記基板搭載面がそれぞれ定義され、前記第1の主面に配置された前記第3の支持具の先端部分が前記基板プレートを貫通して前記第2の主面上に露出し、該露出した先端部分が前記第2の主面に配置された前記第4の支持具として機能することを特徴とするサンプルホルダ。
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