JP5704261B2 - 基板移載システム及び基板移載方法 - Google Patents

基板移載システム及び基板移載方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5704261B2
JP5704261B2 JP2013555097A JP2013555097A JP5704261B2 JP 5704261 B2 JP5704261 B2 JP 5704261B2 JP 2013555097 A JP2013555097 A JP 2013555097A JP 2013555097 A JP2013555097 A JP 2013555097A JP 5704261 B2 JP5704261 B2 JP 5704261B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
fixing pin
side fixing
mounting
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013555097A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2013111358A1 (ja
Inventor
正久 東
正久 東
鈴木 正康
正康 鈴木
大輔 今井
大輔 今井
直也 武田
直也 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2013555097A priority Critical patent/JP5704261B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5704261B2 publication Critical patent/JP5704261B2/ja
Publication of JPWO2013111358A1 publication Critical patent/JPWO2013111358A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4587Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781Batch transfer of wafers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、処理対象の基板をサンプルホルダに移載する基板移載システム及び基板移載方法に関する。
半導体装置の製造工程において、高精度のプロセス制御が容易であるという利点から、成膜、エッチング、アッシングなどの処理にプラズマ処理装置が用いられている。例えば成膜装置として、平行平板を構成するカソード電極とアノード電極間にプラズマを形成して成膜処理を行うプラズマ化学気相成長(CVD)成膜装置が知られている。
プラズマ処理装置の基板処理方法は、基板を1枚ずつ処理する枚葉式と複数の基板を同時に処理するバッチ式に大別される。太陽電池は基板サイズが125mm〜156mm程度と小さく、また、1枚の基板当たりにかけられるコストが小さいために単位時間当たりの処理基板枚数を多くする必要がある。このため、太陽電池用の成膜装置ではバッチ式が用いられることが多い。
バッチ式では、複数の基板を同時に成膜処理室に搬送するために、基板を基板搭載装置に移載する。基板搭載装置には、水平な板に基板を水平に並べるカートタイプや、基板を垂直に複数並べるボートタイプなどがあるが、処理効率を向上させるために、ボートタイプのサンプルホルダを用いて同時に処理できる基板の数を増やすことが有効である。
このため、例えば複数の基板を主面の法線方向に並べた状態でボートタイプのサンプルホルダに搭載する基板移載方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開平11−121587号公報
ボートタイプのサンプルホルダは、搭載面が定義された基板プレートを搭載面の法線方向に配列した構成を有する。このため、複数の基板を主面の法線方向に並べた状態でサンプルホルダに移載する場合は、基板プレート間のピッチと搭載面の基板間のピッチのいずれについても調整する必要がある。このとき、例えば基板搭載時に基板を基板プレートにぶつけたり、基板プレートに搭載しそこなって基板を落下させたりしないために、基板プレートの歪みなどを考慮して基板プレート間のピッチに対してマージンを持たせる必要がある。このため、基板プレート間のピッチや基板間のピッチを高精度に合わせこんで、基板をサンプルホルダに精度よく移載することが困難である。
本発明は、ボートタイプのサンプルホルダに複数の基板を同時に、且つ高精度で移載できる基板移載システム及び基板移載方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、(イ)垂直方向に延伸し、且つ複数の矩形の基板搭載領域が水平方向に配列して定義された搭載面を有し、基板搭載領域それぞれの外周の左辺、右辺及び下辺に左辺固定ピン、右辺固定ピン及び下辺固定ピンがそれぞれ配置された基板プレートと、(ロ)それぞれの主面が同一平面レベルに配置された状態で複数の矩形の基板を保持する基板保持機構、水平方向から見て基板搭載領域に対して斜めの姿勢で、保持された複数の基板の主面を搭載面と近接して対向させる基板移動機構、及び1つの回転軸を中心にして搭載面に沿って複数の基板を同時に回転させる基板回転機構を有し、基板の左辺、右辺及び下辺が左辺固定ピン、右辺固定ピン及び下辺固定ピンにそれぞれ支持されるように複数の基板を複数の基板搭載領域に同時に搭載する基板搭載装置とを備える基板移載システムが提供される。
本発明の他の態様によれば、(イ)垂直方向に延伸し、且つ複数の矩形の基板搭載領域が水平方向に配列して定義された搭載面を有し、基板搭載領域それぞれの外周の左辺、右辺及び下辺に左辺固定ピン、右辺固定ピン及び下辺固定ピンがそれぞれ配置された基板プレートを用意するステップと、(ロ)それぞれの主面が同一平面レベルに配置された状態で複数の矩形の基板を保持するステップと、(ハ)水平方向から見て基板搭載領域に対して斜めの姿勢で、保持された複数の基板の主面を搭載面と近接して対向させるステップと、(ニ)1つの回転軸を中心にして搭載面に沿って複数の基板を同時に回転させて、基板の左辺、右辺及び下辺が左辺固定ピン、右辺固定ピン及び下辺固定ピンにそれぞれ支持されるように複数の基板を複数の基板搭載領域に同時に搭載するステップとを含む基板移載方法が提供される。
本発明によれば、ボートタイプのサンプルホルダに複数の基板を同時に、且つ高精度で移載できる基板移載システム及び基板移載方法を提供できる。
本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの構成を示す模式図である。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの動作を示す模式図である(その1)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの動作を示す模式図である(その2)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムによる基板の回転を示す模式図である(その1)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムによる基板の回転を示す模式図である(その2)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの基板プレートに配置される固定ピンの構造を示す模式図である。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムによる基板移載方法の例を説明するための模式図である(その1)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムによる基板移載方法の例を説明するための模式図である(その2)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムによる基板移載方法の例を説明するための模式図である(その3)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムによる基板移載方法の例を説明するための模式図である(その4)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムによる基板移載方法の例を説明するための模式図である(その5)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの回転軸の位置を説明するための模式図である(その1)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの回転軸の位置を説明するための模式図である(その2)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの回転軸の位置を説明するための模式図である(その3)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの回転軸の位置を説明するための模式図である(その4)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの回転軸の位置を説明するための模式図である(その5)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの回転軸の位置を説明するための模式図である(その6)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムによる回転角度の最大値を説明するための模式図である。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの回転軸の位置を設定する方法を説明するための模式図である(その1)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムの回転軸の位置を設定する方法を説明するための模式図である(その2)。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムにより複数の基板プレートに基板を移載する例を示す模式図である。 比較例の基板移載システムにより複数の基板プレートに基板を移載する例を示す模式図である。 本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムを適用可能なインライン式製造装置の構成を示す模式図である。 本発明の第2の実施形態に係る基板移載システムの構成を示す模式図である。 本発明の第2の実施形態に係る基板移載システムにより複数の基板プレートに基板を移載する例を示す模式図である。
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムは、図1に示すように、搭載面210を有する基板プレート21と、複数の矩形の基板100を搭載面210に同時に搭載する基板搭載装置10とを備える。
基板プレート21の搭載面210は垂直方向に延伸し、図2に示すように、複数の矩形の基板搭載領域211が水平方向に配列して定義されている。1つの基板搭載領域211に1枚の基板100が搭載される。更に、基板搭載領域211それぞれの外周の左辺、右辺及び下辺に左辺固定ピンP1、右辺固定ピンP2及び下辺固定ピンP3がそれぞれ配置されている。以下において、左辺固定ピンP1、右辺固定ピンP2及び下辺固定ピンP3を総称して「固定ピン」という。
なお、基板搭載領域211それぞれに対する左辺固定ピンP1、右辺固定ピンP2及び下辺固定ピンP3の相対位置は、複数の基板搭載領域211において共通である。このため、基板プレート21に搭載された基板100にプロセス処理を施した場合に、固定ピンによる各基板100への影響を同一にできる。例えば成膜処理が行われた場合には、固定ピンの影になって成膜されない領域をすべての基板100で共通にできる。
図1に示すように、基板搭載装置10は、基板移動機構11、基板回転機構13、及び基板保持機構15を有する。詳細は後述するが、基板搭載装置10によって、基板100の左辺、右辺及び下辺が左辺固定ピンP1、右辺固定ピンP2及び下辺固定ピンP3にそれぞれ支持されるように、複数の基板100が同時に基板搭載領域211に搭載される。
基板保持機構15は、吸着部151とアーム部152を有し、1枚の基板100に基板保持機構15が1つずつ用意されている。基板100の主面に接触させた吸着部151によって基板100が吸着され、基板保持機構15は、それぞれの主面が同一平面レベルに配置された状態で複数の基板100を保持する。吸着部151は、例えば真空吸着によって基板100を保持する。
基板移動機構11は、保持された複数の基板100の主面を搭載面210と近接して対向させる。図1に示した基板移動機構11は、支柱部111と、支柱部111の延伸する垂直方向を回転軸として支柱部111を回転させる支柱回転部112と、その回転の半径方向に支柱部111から延伸する梁部113を有する。梁部113の延伸する方向に沿って、複数の基板保持機構15が梁部113に取り付けられている。具体的には、基板保持機構15のアーム部152が梁部113に取り付けられており、梁部113におけるアーム部152の配置ピッチは搭載面210上の基板搭載領域211の配置ピッチに等しい。基板移動機構11は、基板保持機構15によって保持された複数の基板100を、基板100の主面が搭載面210と対向するように搭載面210上に移動する。このとき、図2に示したように、基板搭載領域211の斜め上方に、主面が搭載面210と平行で、且つ水平方向から見て基板搭載領域211に対して斜めの姿勢で基板100が配置される。その後、基板移動機構11は、図3に示すように、所定の位置まで基板100を垂直方向に搭載面210に沿って下方に移動させる。このとき、基板100は基板搭載領域211に対して斜めの姿勢のままである。具体的には、図4に示すように、斜めの姿勢の基板100の下辺と平行な直線と、基板搭載領域211の下辺と平行な直線とが、回転中心点Cにおいて角度θをなして交差するように基板100が保持される。
基板回転機構13は、1つの回転軸を中心にして搭載面210に沿って複数の基板100を同時に回転させる。具体的には、図4に示したように基板搭載領域211に対して斜めに保持されていた複数の基板100を、搭載面210の面法線方向と平行で、且つ回転中心点Cを通過する直線を回転軸として角度θだけ同時に回転させる。その結果、図5に示すように、複数の基板100が基板搭載領域211に同時に搭載される。このとき、基板100の左辺、右辺及び下辺が左辺固定ピンP1、右辺固定ピンP2及び下辺固定ピンP3にそれぞれ支持される。
固定ピンには、例えば図6に示すような平型タイプのピン30を採用可能である。ピン30の軸部分32の先端の一部が搭載面210に埋め込まれる。これにより生じるピン30の頭部31と搭載面210との隙間に露出する軸部分32によって、基板100が搭載面210で支持される。搭載面210上に露出する軸部分32の長さtは基板100の厚みと同等に設定され、例えば200μm程度である。
基板搭載領域211間の間隔は、ピン30の頭部31の直径が最小値である。つまり、ピン30の頭部31の直径が小さいほど基板搭載領域211間の間隔を小さくできるが、基板100を安定して保持するために、ピン30の頭部31の直径は2〜5mm程度、例えば3.6mm程度であることが好ましい。基板搭載領域211間の間隔は狭いほど好ましく、最大値は例えば10mm程度である。
以下に、主面を水平にして基板トレイに配列された基板100を基板プレート21に移載する場合について、基板搭載装置10の動作を説明する。
先ず、基板搭載装置10が処理対象の基板100を吸着する。基板100は、例えば図7に示すように、基板トレイ40の搭載面400に主面を上下方向に向けて配列された状態で平らに置かれている。この場合、図7、図8に示すように、基板搭載装置10は、基板保持機構15の吸着部151を基板100の主面に接触させる。図7は水平方向から見た側面図であり、図8は垂直方向から見た平面図である。このとき、図9に示すように基板保持機構15のアーム部152は水平方向に延伸する。図9は、梁部113の先端から見た側面図である。
その後、基板移動機構11が、基板100を基板プレート21の搭載面210上に移動する。即ち、垂直方向から見た図10に示すように、支柱回転部112によって支柱部111を回転軸として梁部113が回転して、基板100が基板トレイ40から基板プレート21に移動される。このとき、梁部113の延伸する方向を回転軸として梁部113が回転し、図11に示すように基板100の主面が垂直方向と平行になる。図11は、梁部113の先端から見た側面図である。つまり、基板搭載装置10は基板100を移動させながら、基板100の主面が基板プレート21の搭載面210と平行になるように基板100の主面を垂直にする。
そして、基板移動機構11は、図3に示したように、基板プレート21の搭載面210上に基板100を配置する。このとき、既に述べたように、基板100は、所定の角度θをなすように基板搭載領域211に対して斜めに保持される。そして、図4〜図5を参照して説明したように、基板回転機構13が、1つの回転軸を中心にして搭載面210に沿って複数の基板100を同時に回転させる。これにより、基板100の各辺と基板搭載領域211の各辺とがそれぞれ平行に調整されて、基板100が基板搭載領域211に配置される。
以上により、基板100の左辺、右辺及び下辺が固定ピンにそれぞれ支持されて、複数の基板100が同時に複数の基板搭載領域211に搭載される。
以下に、基板回転機構13が、複数の基板100を同時に回転させる場合の回転軸の位置、即ち、図4及び図5に示した回転中心点Cについて説明する。先ず、1枚の基板100について回転中心点Cの最適位置について検討する。
図2、図3を参照して説明したように、基板搭載装置10は、水平方向から見て基板搭載領域211に対して斜めの姿勢の基板100を、垂直方向に搭載面210に沿って下方に移動させる。このため、左辺固定ピンP1と右辺固定ピンP2の基板搭載領域211の下辺からの垂直方向距離は互いに異なるように設定される。搭載面210の上方から見て反時計方向に基板100を回転させる場合は、図4、図5などに示したように、基板搭載領域211の下辺から左辺固定ピンP1までの垂直方向距離よりも、基板搭載領域211の下辺から右辺固定ピンP2までの垂直方向距離が短く設定される。以下では、左辺固定ピンP1よりも右辺固定ピンP2の方が基板搭載領域211の下辺からの垂直方向距離が短い場合について説明する。
図12に示した例では、回転中心点Cの位置が、下辺固定ピンP3の位置を通過する垂直方向の直線L3よりも右辺固定ピンP2に近い位置で、且つ、左辺固定ピンP1と右辺固定ピンP2の位置をそれぞれ通過して水平方向に延伸する2つの直線L1、L2間に設定されている。図12に示した位置を回転中心点Cとした場合には、固定ピンのいずれにも接触することなく基板100を基板搭載領域211に沿って回転させることができる。
図13に示した例では、回転中心点Cの位置が、下辺固定ピンP3の位置を通過する直線L3よりも左辺固定ピンP1に近い位置で、且つ、左辺固定ピンP1と右辺固定ピンP2の位置をそれぞれ通過する直線L1と直線L2間に設定されている。図13に示した位置を回転中心点Cとした場合には、基板100を基板搭載領域211に沿って回転させると基板100が下辺固定ピンP3に接触する。このため、基板100を基板搭載領域211に配置することができない。
図14に示した例では、回転中心点Cの位置が、下辺固定ピンP3の位置を通過する直線L3よりも右辺固定ピンP2に近い位置で、且つ、左辺固定ピンP1の位置を通過する直線L1よりも上方に設定されている。図14に示した位置を回転中心点Cとした場合には、基板100を基板搭載領域211に沿って回転させると基板100が左辺固定ピンP1に接触する。このため、基板100を基板搭載領域211に配置することができない。
図15に示した例では、回転中心点Cの位置が、下辺固定ピンP3の位置を通過する直線L3よりも右辺固定ピンP2に近い位置で、且つ、右辺固定ピンP2の位置を通過する直線L2よりも下方に設定されている。図15に示した位置を回転中心点Cとした場合には、基板100を基板搭載領域211に沿って回転させると基板100が右辺固定ピンP2に接触する。このため、基板100を基板搭載領域211に配置することができない。
図16に示した例では、回転中心点Cの位置が、右辺固定ピンP2よりも右側の基板搭載領域211の外側で、且つ、左辺固定ピンP1と右辺固定ピンP2の位置をそれぞれ通過する2つの直線L1、L2間に設定されている。図16に示した位置を回転中心点Cとした場合には、固定ピンのいずれにも接触することなく基板100を基板搭載領域211に沿って回転させることができる。
したがって、固定ピンのいずれにも接触することなく基板100を基板搭載領域211に沿って回転させることができる回転中心点Cの位置は、下辺固定ピンP3の位置を通過する直線L3よりも右側であり、且つ、左辺固定ピンP1と右辺固定ピンP2の位置をそれぞれ通過する2つの直線L1、L2間である。この領域を、図17に領域Aとして示した。
なお、図18に示したように、基板搭載領域211を挟んで回転中心点Cの反対側に位置する左辺固定ピンP1の位置と回転中心点Cとをつなぐ直線と、回転中心点Cの位置を通過して水平方向に延伸する直線とがなす角度θMAXが、固定ピンに接触することなく基板100を回転させる角度の最大値である。角度θMAXよりも大きな角度で基板100を回転させるためには、左辺固定ピンP1と基板搭載領域211上の基板100との距離が広くなりすぎて安定して基板100を固定することができない。したがって、基板100を回転させる角度は角度θMAX以下である必要がある。
1枚の基板100を回転させる場合の上記の議論から、複数の基板100を同時に回転させる場合の回転軸の位置、即ち回転中心点Cの位置は以下のように設定される。つまり、図19に示すように、基板搭載領域211の下辺からの垂直方向距離が左辺固定ピンP1よりも短い右辺固定ピンP2側の最外縁、即ち最も右側に配置された基板搭載領域211の外側(右側)で、且つ、左辺固定ピンP1と右辺固定ピンP2の位置をそれぞれ通過する直線L1と直線L2間に、回転中心点Cが位置する。
なお、回転時においては、回転軸から最も離れた固定ピン、即ち最も左側に配置された基板100と左辺固定ピンP1との距離が、基板100と固定ピンとの最短距離である。最も右側に配置された基板搭載領域211の右辺固定ピンP2の位置に回転中心点Cがある場合に、回転時において基板100が基板搭載領域211の左辺固定ピンP1から離れる距離が最大である。図19に示した曲線rは、回転時の基板100の最外点の軌跡である。しかし、固定ピンの大きさを無限小にできないため、回転中心の右辺固定ピンP2が基板100と接触する。このため、図19に矢印で示したように、最も右側に配置された基板搭載領域211の右辺固定ピンP2の位置よりも外側(右側)に回転中心点Cをずらす必要がある。
なお、回転時における基板100と搭載面210との摺り量を少なくするためには、図20に矢印で示したように、回転中心点Cを上方にずらすことが好ましい。しかし、回転中心点Cを上方にずらすことにより回転量を減らすことができる一方で、図20に基板100の最外点の軌跡を曲線rで示したように、回転時に基板100が左辺固定ピンP1から離れる距離が小さくなる。このように、基板100と搭載面210との摺り量と、基板100と固定ピン間の距離とはトレードオフの関係にあるため、回転中心点Cの垂直方向の位置は、直線L1と直線L2の間で任意に設定される。
上記では基板100が搭載面210上で反時計方向に回転する例を示した。基板100が時計方向に回転する場合も、同様の議論が可能である。即ち、基板搭載領域211の下辺から右辺固定ピンP2までの垂直方向距離よりも、基板搭載領域211の下辺から左辺固定ピンP1までの垂直方向距離が短く設定される。そして、左辺固定ピンP1側の最外縁、即ち最も左側に配置された基板搭載領域211の外側(左側)で、且つ、左辺固定ピンP1と右辺固定ピンP2の位置をそれぞれ通過する直線L1と直線L2間に、回転中心点Cを設定する。
したがって、固定ピンのいずれにも接触することなく複数の基板100を基板搭載領域211に沿って回転させることができる回転軸の位置は、左辺固定ピンP1と右辺固定ピンP2のうちの垂直方向距離が短い側の最外縁の基板搭載領域211の外側で、且つ、左辺固定ピンP1と右辺固定ピンP2の位置をそれぞれ通過して水平方向に延伸する2つの直線L1、L2間の領域内である。
そして、複数の基板100を回転させる角度の最大値である角度θMAXは、左辺固定ピンP1及び右辺固定ピンP2の位置のうちの基板搭載領域211を挟んで回転軸の位置から最も遠い位置と回転軸の位置とをつなぐ直線と、回転軸の位置を通過して水平方向に延伸する直線とがなす角度である。
なお、基板100を回転させる角度θが大きいほど、基板100と搭載面210との摺り量が増大する。このため、基板100を回転させる角度θは小さいことが好ましい。例えば、基板100を回転させる角度を3度以内に設定する。しかし、角度θが小さいほど、回転時における基板100と固定ピン間の距離が小さくなる。このため、基板100が固定ピンに接触しないように、角度θが設定される。例えば、回転時における基板100と固定ピン間の距離の最小値が1mm程度以上になるように角度θを設定することが好ましい。
ボートタイプのサンプルホルダでは、図21に示すように複数の基板プレート21が搭載面210の面法線方向に沿って、互いに離間し且つ平行に配置されている。図1に示した基板搭載システムによれば、基板プレート21毎に複数の基板100が同時に搭載される。
これに対し、図22に示す比較例による基板搭載方法は、基板プレート21毎に1枚ずつの基板100を同時に複数の基板プレート21に搭載する。図22に示した基板搭載方法では、基板プレート21上で基板100を位置決めする精度の向上が困難である。これは、各基板プレート21上での搭載面210に沿った方向の位置決めに加えて、基板プレート21間の配置ピッチを考慮した搭載面210の法線方向に沿った方向の位置決めが必要なためである。基板プレート21にたわみが発生している可能性なども考慮して位置決め精度を決定するため、一定のマージンが必要である。したがって、図22に示した比較例の基板搭載方法では、基板100の停止位置の許容幅を広くせざるを得ない。このため、固定ピンのサイズも大きくする必要がある。その結果、搭載面210上での基板100間の間隔が広くなったり、固定ピンによる非成膜領域の面積が拡大したりするなどの問題が生じる。
一方、図21に示した図1の基板搭載システムによれば、基板プレート21毎に基板100を搭載するため、基板100の位置合わせ精度を向上することができる。このため、基板100の停止位置の許容幅を小さくすることができ、固定ピンのサイズを小さくすることができる。
図1に示した基板移載システムは、例えば図23に示すインライン式製造装置300に使用可能である。図23は、基板取込室301、処理室302、基板取出室303からなるインライン式製造装置である。処理室302において、例えば成膜処理、エッチング処理、スパッタ処理などが行われる。
図23に示したサンプルホルダ20は、複数の基板プレート21がそれぞれの底部を固定板22によって固定されて、搭載面210の面法線方向に沿って並列に並べられたボートタイプである。図23では基板プレート21が5枚である例を示したが、基板プレート21の枚数は5枚に限られない。ボートタイプのサンプルホルダ20により、1回の成膜処理工程で処理できる基板100の枚数を増やすことができ、その結果、全体の処理時間を短縮することができる。
インライン式製造装置300では、図1に示した基板移載システムによって基板100が搭載されたサンプルホルダ20が基板取込室301に取り込まれる。そして、サンプルホルダ20が基板取込室301から処理室302に搬送され、処理室302において所定の処理が行われる。例えば処理室302において基板100に薄膜が形成された後、サンプルホルダ20は処理室302から基板取出室303に搬送される。その後、基板取出室303からサンプルホルダ20が取り出される。
サンプルホルダ20は、図示を省略した搬送装置によってインライン式製造装置300の各室間を搬送される。例えば、基板取込室301と処理室302間、及び処理室302と基板取出室303間に開閉式のゲート(図示略)が配置され、これらのゲートを介してサンプルホルダ20が移動する。なお、インライン式製造装置が、基板取出室303を備えない、基板取込室301と処理室302からなる構造であってもよい。
例えば図23に示すインライン式製造装置300がプラズマ化学気相成長(CVD)成膜装置である場合には、サンプルホルダ20はアノード電極として使用される。処理室302内に原料ガスを導入後、サンプルホルダ20とカソード電極間に交流電力を供給して原料ガスをプラズマ状態にする。形成されたプラズマに基板100を曝すことにより、原料ガスに含まれる原料を主成分とする所望の薄膜が基板100の露出した表面に形成される。原料ガスを適宜選択することによって、シリコン半導体薄膜、シリコン窒化薄膜、シリコン酸化薄膜、シリコン酸窒化薄膜、カーボン薄膜などの所望の薄膜を基板100上に形成することができる。例えば、基板100が太陽電池である場合に、アンモニア(NH 3)ガスとシラン(SiH4)ガスの混合ガスを用いて、基板100上に反射防止膜や絶縁膜として窒化シリコン(SiN)膜を形成できる。
太陽電池反射防止膜の成膜処理などでは、処理対象の基板100の温度を予め決められた設定温度にした状態で、基板100に膜を形成する。このため、インライン式製造装置300で成膜処理する場合には、処理室302に搬入される前に、基板取込室301において基板100は予備加熱される。つまり、基板取込室301は予備加熱室を兼ねる。そして、設定温度に達した基板100が処理室302に搬入され、成膜処理が行われる。
以上に説明したように、本発明の第1の実施形態に係る基板移載システムによれば、基板プレート21の搭載面210上で複数の基板100を共通の1つの回転軸によって回転させることにより、基板100を同時に基板プレート21に搭載することができる。このため、ボートタイプのサンプルホルダに複数の基板100を同時に、且つ高精度で移載できる基板移載システム及び基板移載方法を提供できる。
(第2の実施形態)
図24及び図25に、本発明の第2の実施形態に係る基板移載システムの構成を示す。図24は、上方から見た平面図である。第2の実施形態に係る基板移載システムでは、基板搭載装置10の基板保持機構15が基板100の主面と平行な方向だけでなく、基板100の主面の法線方向にも配置されていることが第1の実施形態と異なる点である。つまり、第1の実施形態で説明した基板保持機構15が、保持された基板100の主面の法線方向に沿って複数配列されている。したがって、複数の基板100が上方から見てマトリクス状に基板保持機構15によってそれぞれ保持される。その他の構成については、第1の実施形態と同様である。
なお、配列される基板保持機構15は3列に限られないのはもちろんである。図24に示した基板移載システムでは、基板保持機構15が基板100の主面と平行な方向にのみ配置されている場合と比べて、同時に保持される基板100の枚数が多い。
基板100の主面の法線方向に沿ったアーム部152間の距離は、基板プレート21間の距離に対応させて固定でもよいし、或いは可変でもよい。例えば、基板トレイ40から基板100を取得する時において間隔を可変にするために、アクチュエータでアーム部152間の距離を可変にする。
第2の実施形態に係る基板移載システムでは、図25に示すように、搭載面210の面法線方向に複数の基板プレート21が配列されている。なお、図25では3枚の基板プレート21が配列されている例を示したが、配列される基板プレート21の枚数は3枚に限られない。基板保持機構15は連結アーム15Aによって接続されている。
基板搭載装置10は、それぞれの主面が同一平面レベルに配置された複数の基板100からなる基板列を、基板100の主面の面法線方向に沿って複数配列した状態で保持する。そして、搭載面210の面法線方向に沿って配列された複数の基板プレート21に、第1の実施形態で説明した方法と同様にして、複数の基板100を同時に搭載する。その結果、上方から見て複数の基板100がマトリクス状に配置される。
第2の実施形態に係る基板移載システムを用いることにより、複数の基板100を複数の基板プレート21に同時に搭載することができる。したがって、ボートタイプのサンプルホルダに同時に移載する基板100の枚数を増加させることができる。これにより、サンプルホルダに基板100を搭載する時間を短縮できる。同様に、複数の基板プレート21から複数の基板100を同時に取り外すことができる。他は、第1の実施形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
なお、図24に示したように複数の基板プレート21のそれぞれに基板100を同時に搭載するには、搭載面210が所定の場所に安定して位置していることが重要である。このため、基板プレート21間の距離やサンプルホルダ20の位置を所定の位置に高精度に固定する矯正装置などを使用することが好ましい。
(その他の実施形態)
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
例えば、基板プレート21の搭載面210に4つの基板搭載領域211が定義されている例を示したが、1つの搭載面210に定義される基板搭載領域211の数は4つに限られない。また、複数の基板100を搭載面210上で反時計方向に回転させる例を示したが、時計方向に回転させてもよい。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
本発明の基板移載システムは、複数の基板を同時にサンプルホルダに搭載する用途に利用可能である。

Claims (15)

  1. 垂直方向に延伸し、且つ複数の矩形の基板搭載領域が水平方向に配列して定義された搭載面を有し、前記基板搭載領域それぞれの外周の左辺、右辺及び下辺に左辺固定ピン、右辺固定ピン及び下辺固定ピンがそれぞれ配置された基板プレートと、
    それぞれの主面が同一平面レベルに配置された状態で複数の矩形の基板を保持する基板保持機構、前記水平方向から見て前記基板搭載領域に対して斜めの姿勢で、保持された前記複数の基板の前記主面を前記搭載面と近接して対向させる基板移動機構、及び1つの回転軸を中心にして前記搭載面に沿って前記複数の基板を同時に回転させる基板回転機構を有し、前記基板の左辺、右辺及び下辺が前記左辺固定ピン、前記右辺固定ピン及び前記下辺固定ピンにそれぞれ支持されるように前記複数の基板を前記複数の基板搭載領域に同時に搭載する基板搭載装置と
    を備えることを特徴とする基板移載システム。
  2. 前記左辺固定ピンと前記右辺固定ピンの前記基板搭載領域の下辺からの垂直方向距離が互いに異なり、前記左辺固定ピンと前記右辺固定ピンのうちの前記垂直方向距離が短い側の最外縁の前記基板搭載領域の外側で、且つ、前記左辺固定ピンと前記右辺固定ピンの位置をそれぞれ通過して前記水平方向に延伸する2つの直線間に、前記回転軸が位置することを特徴とする請求項1に記載の基板移載システム。
  3. 前記複数の基板を回転させる角度が、前記左辺固定ピン及び前記右辺固定ピンの位置のうちで前記複数の基板搭載領域を挟んで前記回転軸の位置から最も遠い位置と前記回転軸の位置とをつなぐ直線と、前記回転軸の位置を通過して前記水平方向に延伸する直線とがなす角度以下であることを特徴とする請求項2に記載の基板移載システム。
  4. 前記複数の基板を回転させる角度が3度以内であることを特徴とする請求項3に記載の基板移載システム。
  5. 前記基板搭載領域に対する前記左辺固定ピン、前記右辺固定ピン及び前記下辺固定ピンの相対位置が、前記複数の基板搭載領域において共通であることを特徴とする請求項1に記載の基板移載システム。
  6. 前記左辺固定ピン、前記右辺固定ピン及び前記下辺固定ピンが頭部及び前記頭部よりも断面積の小さい軸部分を有するピン構造であり、前記軸部分の先端方向の一部が前記搭載面に埋め込まれ、前記頭部と前記搭載面との間の前記軸部分で前記基板が支持されることを特徴とする請求項1に記載の基板移載システム。
  7. 前記基板プレートを複数有することを特徴とする請求項1に記載の基板移載システム。
  8. 前記基板搭載装置が、保持された前記基板の主面の法線方法に沿って配列された複数の前記基板保持機構を有し、
    前記基板搭載装置が、前記搭載面の面法線方向に沿って配列された複数の前記基板プレートに複数の前記基板を同時に搭載することを特徴とする請求項1に記載の基板移載システム。
  9. 垂直方向に延伸し、且つ複数の矩形の基板搭載領域が水平方向に配列して定義された搭載面を有し、前記基板搭載領域それぞれの外周の左辺、右辺及び下辺に左辺固定ピン、右辺固定ピン及び下辺固定ピンがそれぞれ配置された基板プレートを用意するステップと、
    それぞれの主面が同一平面レベルに配置された状態で複数の矩形の基板を保持するステップと、
    前記水平方向から見て前記基板搭載領域に対して斜めの姿勢で、保持された前記複数の基板の前記主面を前記搭載面と近接して対向させるステップと、
    1つの回転軸を中心にして前記搭載面に沿って前記複数の基板を同時に回転させて、前記基板の左辺、右辺及び下辺が前記左辺固定ピン、前記右辺固定ピン及び前記下辺固定ピンにそれぞれ支持されるように前記複数の基板を前記複数の基板搭載領域に同時に搭載するステップと
    を含むことを特徴とする基板移載方法。
  10. 前記左辺固定ピンと前記右辺固定ピンの前記基板搭載領域の下辺からの垂直方向距離が互いに異なり、前記左辺固定ピンと前記右辺固定ピンのうちの前記垂直方向距離が短い側の最外縁の前記基板搭載領域の外側で、且つ、前記左辺固定ピンと前記右辺固定ピンの位置をそれぞれ通過して前記水平方向に延伸する2つの直線間に、前記回転軸の位置が設定されていることを特徴とする請求項9に記載の基板移載方法。
  11. 前記複数の基板を回転させる角度が、前記左辺固定ピン及び前記右辺固定ピンの位置のうちで前記複数の基板搭載領域を挟んで前記回転軸の位置から最も遠い位置と前記回転軸の位置とをつなぐ直線と、前記回転軸の位置を通過して前記水平方向に延伸する直線とがなす角度以下であることを特徴とする請求項10に記載の基板移載方法。
  12. 前記複数の基板を回転させる角度が3度以内であることを特徴とする請求項11に記載の基板移載方法。
  13. 前記基板搭載領域に対する前記左辺固定ピン、前記右辺固定ピン及び前記下辺固定ピンの相対位置が、前記複数の基板搭載領域において共通であることを特徴とする請求項9に記載の基板移載方法。
  14. 前記左辺固定ピン、前記右辺固定ピン及び前記下辺固定ピンが頭部及び前記頭部よりも断面積の小さい軸部分を有するピン構造であり、前記軸部分の先端方向の一部が前記搭載面に埋め込まれ、前記頭部と前記搭載面との間の前記軸部分で前記基板が支持されることを特徴とする請求項9に記載の基板移載方法。
  15. それぞれの前記主面が前記同一平面レベルに配置された複数の前記基板からなる基板列を前記主面の面法線方向に沿って複数配列した状態で保持し、前記搭載面の面法線方向に沿って配列された複数の前記基板プレートに複数の前記基板を同時に搭載することを特徴とする請求項9に記載の基板移載方法。
JP2013555097A 2012-01-25 2012-05-23 基板移載システム及び基板移載方法 Expired - Fee Related JP5704261B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013555097A JP5704261B2 (ja) 2012-01-25 2012-05-23 基板移載システム及び基板移載方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012012648 2012-01-25
JP2012012648 2012-01-25
JP2013555097A JP5704261B2 (ja) 2012-01-25 2012-05-23 基板移載システム及び基板移載方法
PCT/JP2012/063185 WO2013111358A1 (ja) 2012-01-25 2012-05-23 基板移載システム及び基板移載方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5704261B2 true JP5704261B2 (ja) 2015-04-22
JPWO2013111358A1 JPWO2013111358A1 (ja) 2015-05-11

Family

ID=48873112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013555097A Expired - Fee Related JP5704261B2 (ja) 2012-01-25 2012-05-23 基板移載システム及び基板移載方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5704261B2 (ja)
KR (1) KR101555623B1 (ja)
CN (1) CN103858220B (ja)
WO (1) WO2013111358A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015033442A1 (ja) * 2013-09-06 2015-03-12 株式会社島津製作所 基板移載システム及び基板移載方法
JP6194733B2 (ja) * 2013-10-04 2017-09-13 株式会社島津製作所 基板移載システム
JP6156513B2 (ja) * 2013-11-22 2017-07-05 株式会社島津製作所 基板処理システム
JP6484823B2 (ja) * 2016-09-02 2019-03-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 部品移載機構及び部品搭載装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0250419A (ja) * 1988-08-12 1990-02-20 Hitachi Ltd プラズマcvd成膜装置
JPH0598449A (ja) * 1991-10-02 1993-04-20 Ibiden Co Ltd プラズマcvd装置のサセプタに使用されるウエハ保持ピン
JPH05218181A (ja) * 1992-01-31 1993-08-27 Canon Inc 半導体基体の位置決め機構
JPH07307374A (ja) * 1994-05-10 1995-11-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持チャック、基板保持ユニット及び基板処理装置
JP3357239B2 (ja) * 1996-04-08 2002-12-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH1197514A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Rohm Co Ltd ウエハー用表面処理装置におけるウエハー支持板の構造
JP2001185502A (ja) 1999-12-22 2001-07-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子製造工程における不純物拡散方法、同方法に用いる不純物拡散装置および同方法から製造された半導体素子
JP2004231999A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Kyocera Corp 連続式平行平板型プラズマcvd装置
CN1721302B (zh) * 2004-07-15 2011-02-23 奇美电子股份有限公司 一种用于序列式基板盒的基板搬运装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103858220A (zh) 2014-06-11
KR101555623B1 (ko) 2015-10-06
WO2013111358A1 (ja) 2013-08-01
CN103858220B (zh) 2016-05-04
KR20140047158A (ko) 2014-04-21
JPWO2013111358A1 (ja) 2015-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102245762B1 (ko) 홀더, 홀더를 갖는 캐리어, 및 기판을 고정시키기 위한 방법
JP5704261B2 (ja) 基板移載システム及び基板移載方法
JP2009038295A (ja) 汚染物質除去方法、汚染物質除去機構および真空薄膜形成加工装置
KR20120101653A (ko) 기판을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치
TWI278082B (en) Positioning table for substrate, positioning apparatus for substrate, and method for positioning substrate
KR20210081700A (ko) 성막장치 및 이를 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 방법
TW201607370A (zh) 基板邊緣遮罩系統、具有其之裝置與用以遮罩基板之邊緣的方法
US7503710B2 (en) Substrate processing system
KR20200049314A (ko) 흡착 및 얼라인먼트 방법, 흡착 시스템, 성막 방법, 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP2019121683A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2008158545A (ja) プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
TWI719228B (zh) 微光刻中的基板加載
KR20170074377A (ko) 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
KR20140058270A (ko) 배치식 기판처리장치
JP5920462B2 (ja) 基板移載装置及び基板移載方法
JP2014216592A (ja) 基板移載システム
JP6089920B2 (ja) 基板移載システム及び基板移載方法
US10395962B2 (en) Substrate arrangement apparatus and substrate arrangement method
JP6194733B2 (ja) 基板移載システム
US20210162562A1 (en) Substrate placing means and substrate treating device
JP7371662B2 (ja) ウエハ搬送装置
WO2024116600A1 (ja) 成膜装置及び成膜方法
KR101100833B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP6956244B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP5950110B2 (ja) サンプルホルダ

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150127

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150209

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5704261

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees