JPS636858A - 基板搬送機構 - Google Patents
基板搬送機構Info
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- JPS636858A JPS636858A JP61150740A JP15074086A JPS636858A JP S636858 A JPS636858 A JP S636858A JP 61150740 A JP61150740 A JP 61150740A JP 15074086 A JP15074086 A JP 15074086A JP S636858 A JPS636858 A JP S636858A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 34
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 7
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000481 breast Anatomy 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
分子線結晶装置に於ける基板の搬送機構であって、結晶
成長室以外の各室より延び、基板を設置した基板設置ブ
ロックを水平状態にして搬送し、結晶成長室内で直交す
るトランスファーロッドと、該直交したトランスファー
ロッドの間より上下方向に移動でき、基板設置ブロック
の側面に四箇所で接触する円錐状の突起部を有する基板
受け渡し機構とよりなり、前記結晶成長室内に搬送され
てきた基板設置ブロックに対して、前記基板受け渡し機
構を上昇させ、前記受け渡し機構の先端の円錐状の突起
部で基板設置ブロックの側面を詣らせながら円錐状の突
起部の底部の平板状の受け台に基板設置ブロックを設置
する。
成長室以外の各室より延び、基板を設置した基板設置ブ
ロックを水平状態にして搬送し、結晶成長室内で直交す
るトランスファーロッドと、該直交したトランスファー
ロッドの間より上下方向に移動でき、基板設置ブロック
の側面に四箇所で接触する円錐状の突起部を有する基板
受け渡し機構とよりなり、前記結晶成長室内に搬送され
てきた基板設置ブロックに対して、前記基板受け渡し機
構を上昇させ、前記受け渡し機構の先端の円錐状の突起
部で基板設置ブロックの側面を詣らせながら円錐状の突
起部の底部の平板状の受け台に基板設置ブロックを設置
する。
このようにすることで基板設置骨は台に短時間で煩雑な
操作を必要とないで、基板設置ブロックを設置すること
ができるので作業能率が向上する。
操作を必要とないで、基板設置ブロックを設置すること
ができるので作業能率が向上する。
本発明は基板搬送機構に係り、特に分子線結晶成長装置
の基板搬送機構に関する。
の基板搬送機構に関する。
ガリウム−砒素（ＧａＡｓ）等の化合物半導体基板にア
ルミニウムーガリウム−砒素（ＮＪ Ｇ ａ Ａ ｓ
）等の化合物半導体結晶層をヘテロ構造に形成し、Ｇａ
Ａｓ基板を用いた半導体装置を形成する工程に於いて、
師原子の含有量が所望の値に精度良く制御でき、かつＡ
ｇＧ ａ Ａ ｓの結晶層の厚さがａｍに精度良く制御
できる分子線結晶成長装置が用いられている。
ルミニウムーガリウム−砒素（ＮＪ Ｇ ａ Ａ ｓ
）等の化合物半導体結晶層をヘテロ構造に形成し、Ｇａ
Ａｓ基板を用いた半導体装置を形成する工程に於いて、
師原子の含有量が所望の値に精度良く制御でき、かつＡ
ｇＧ ａ Ａ ｓの結晶層の厚さがａｍに精度良く制御
できる分子線結晶成長装置が用いられている。
このような分子線結晶装置の構造について第４図を用い
て述べる。
て述べる。
第４図は分子線結晶装置の結晶成長室の要部を示す平面
図で、図示するように、ゲートバルブ１で仕切られた結
晶成長室２の内部にＧａＡｓのような半導体基板３を設
置したモリブデン（ＭＯ）製の基板設置ブロック４が回
転駆動する基板マニピュレータ５に垂直に設置され、こ
の結晶成長室２内が１０ 〜ＩＱ ｔｏｒｒ程度の高
真空に排気されている。
図で、図示するように、ゲートバルブ１で仕切られた結
晶成長室２の内部にＧａＡｓのような半導体基板３を設
置したモリブデン（ＭＯ）製の基板設置ブロック４が回
転駆動する基板マニピュレータ５に垂直に設置され、こ
の結晶成長室２内が１０ 〜ＩＱ ｔｏｒｒ程度の高
真空に排気されている。
そして半導体基板３は、基板マニピュレータ５に設けら
れたヒータにより６００〜７００℃に加熱される。
れたヒータにより６００〜７００℃に加熱される。
更に基板３に形成すべき化合物半導体結晶の成分を有す
る分、子線が分子線セル６より基Ｆｊ、４の方向に向か
って照射され、基Ｆｉａ上に所望の組成の化合物半導体
結晶が形成される。
る分、子線が分子線セル６より基Ｆｊ、４の方向に向か
って照射され、基Ｆｉａ上に所望の組成の化合物半導体
結晶が形成される。
ところで従来の基板搬送機構は、第５図に示すようにＧ
ａＡｓ基板３が設置され、６１１面の三箇所に嵌合ピン
７を有するモリブデン（Ｍｏ）製の基板設置ブロック４
と、第６図に示すように、この設置ブロック４を垂直方
向に設置し、基板設置ブロック４の嵌合ピン７が嵌合さ
れる凹所ｌＯを有するトランスファーロッド９と、前記
基板設置ブロック４の嵌合ピン７が嵌合される凹部１０
を有し、回転駆動できる基板マニピュレータ１１とから
構成されている。
ａＡｓ基板３が設置され、６１１面の三箇所に嵌合ピン
７を有するモリブデン（Ｍｏ）製の基板設置ブロック４
と、第６図に示すように、この設置ブロック４を垂直方
向に設置し、基板設置ブロック４の嵌合ピン７が嵌合さ
れる凹所ｌＯを有するトランスファーロッド９と、前記
基板設置ブロック４の嵌合ピン７が嵌合される凹部１０
を有し、回転駆動できる基板マニピュレータ１１とから
構成されている。
そして前記第４図に示したゲートバルブ１を介して結晶
成長室２に連なる結晶成長準備室内で、基板３がインジ
ウム（Ｉｎ）金属で貼りつけられた基板設置ブロック４
をトランスファーロッド９に装着した後、ゲートバルブ
１を開いてトランスファーロッド９を結晶成長室２に導
入する。
成長室２に連なる結晶成長準備室内で、基板３がインジ
ウム（Ｉｎ）金属で貼りつけられた基板設置ブロック４
をトランスファーロッド９に装着した後、ゲートバルブ
１を開いてトランスファーロッド９を結晶成長室２に導
入する。
次いで第６図に示すように、トランスファーロッド９を
回転駆動させて、基板設置ブロック４の側面の嵌合ピン
７を、基板マニピュレータ１１の凹部１０に押し込んで
嵌合させることで、前記基板設置ブロック４を基板マニ
ピュレータ１１に設置するようにしていた。
回転駆動させて、基板設置ブロック４の側面の嵌合ピン
７を、基板マニピュレータ１１の凹部１０に押し込んで
嵌合させることで、前記基板設置ブロック４を基板マニ
ピュレータ１１に設置するようにしていた。
然し、このような構造では、トランスファーロッドがか
なり長尺の寸法であるため、このトランスファーロッド
に歪が生じ、前記基板設置ブロック４の嵌合ピン７が、
基板マニピュレータ１１の凹部１０に容易に正確に嵌合
されない問題が生じる。
なり長尺の寸法であるため、このトランスファーロッド
に歪が生じ、前記基板設置ブロック４の嵌合ピン７が、
基板マニピュレータ１１の凹部１０に容易に正確に嵌合
されない問題が生じる。
そのため、嵌合ピン７が曲がったり、或いは折れたりす
る問題点を生じていた。
る問題点を生じていた。
また完全に位置合わせが出来ない状態で、嵌合ピン７を
凹部１０に嵌合させようとすると、基板マニピュレータ
１１内に設けているヒータ１２の断線や、基板設置ブロ
ック４が落下したりする問題がある。
凹部１０に嵌合させようとすると、基板マニピュレータ
１１内に設けているヒータ１２の断線や、基板設置ブロ
ック４が落下したりする問題がある。
更に、嵌合ピン７と基板マニピュレータ１１の凹部ｌＯ
を精度良く合致するように高精度に加工形成する必要が
あり、そのため、これ等の基板マニピュレータ１１、並
びに基板設置ブロック４の加工が困難で高価になる欠点
があった。
を精度良く合致するように高精度に加工形成する必要が
あり、そのため、これ等の基板マニピュレータ１１、並
びに基板設置ブロック４の加工が困難で高価になる欠点
があった。
本発明は上記した欠点を除去し、基板を設置した基板ブ
ロックが基板マニピュレータに高精度に短時間で容易に
的確に設置されるようにした基板搬送機構の提供を目的
とする。
ロックが基板マニピュレータに高精度に短時間で容易に
的確に設置されるようにした基板搬送機構の提供を目的
とする。
本発明の基板搬送機構は、分子線結晶装置の結晶成長室
以外の各室よりゲートバルブを介して結晶成長室に延び
、この結晶成長室内で交叉し、かつ基板の設置用ブロッ
クを設置するトランスファーロッドと、この結晶成長室
内へ垂直方向に挿入され、前記トランスファーロッドの
間より上下に移動する機構を有し、かつ先端に前記基板
設置ブロックの側面を支持する突起部と、該突起部の底
部に前記基板設置用ブロックを設置する平板状の受け台
を備えた基板受け渡し機構とより構成される。
以外の各室よりゲートバルブを介して結晶成長室に延び
、この結晶成長室内で交叉し、かつ基板の設置用ブロッ
クを設置するトランスファーロッドと、この結晶成長室
内へ垂直方向に挿入され、前記トランスファーロッドの
間より上下に移動する機構を有し、かつ先端に前記基板
設置ブロックの側面を支持する突起部と、該突起部の底
部に前記基板設置用ブロックを設置する平板状の受け台
を備えた基板受け渡し機構とより構成される。
本発明の基板搬送機構は、基板を設置する基板設置ブロ
ックを水平方向に搬送し、更に基板設置ブロックが受け
台に設置されるように上下に移動する移動機構を設けた
基板受け渡し機構を設け、この受け渡し機構の先端部の
円錐形状の突起部を、基板設置ブロックの側面に接触さ
せながら基板設置ブロックの自重によって簡単に短時間
で基板設置ブロックが基板設置機構の受け台に設置され
るようにする。
ックを水平方向に搬送し、更に基板設置ブロックが受け
台に設置されるように上下に移動する移動機構を設けた
基板受け渡し機構を設け、この受け渡し機構の先端部の
円錐形状の突起部を、基板設置ブロックの側面に接触さ
せながら基板設置ブロックの自重によって簡単に短時間
で基板設置ブロックが基板設置機構の受け台に設置され
るようにする。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の基板搬送機構の要部構造を示す模式図
、第２図は該基板搬送機構の要部構造を示す平面図、第
３図は本発明の基板搬送機構の動作状態を示す模式図で
ある。
、第２図は該基板搬送機構の要部構造を示す平面図、第
３図は本発明の基板搬送機構の動作状態を示す模式図で
ある。
第１図および第２図に示すように、本発明の基板搬送機
構は、分子線結晶装置の結晶成長室以外の各室よりゲー
トバルブ２１を介して結晶成長室２２に水平方向に延び
、該結晶成長室２２内の基板受け渡し機構２３上で直交
し、かつＧａＡｓの基Ｆｊ、２４を設置した基板設置用
ブロック２５を設置するトランスファーロッド２６と、
該直交するトランスファーロッド２６の間より上下に移
動する移動機構（図示せず）を有し、先端部が円錐状態
に尖り、該円錐状の底部に基板設置用ブロック２５を設
置する平板状の受け台２７を有する基板受け渡し機構２
３とよりなる。
構は、分子線結晶装置の結晶成長室以外の各室よりゲー
トバルブ２１を介して結晶成長室２２に水平方向に延び
、該結晶成長室２２内の基板受け渡し機構２３上で直交
し、かつＧａＡｓの基Ｆｊ、２４を設置した基板設置用
ブロック２５を設置するトランスファーロッド２６と、
該直交するトランスファーロッド２６の間より上下に移
動する移動機構（図示せず）を有し、先端部が円錐状態
に尖り、該円錐状の底部に基板設置用ブロック２５を設
置する平板状の受け台２７を有する基板受け渡し機構２
３とよりなる。
この基板受け渡し機構２３はベローズ２９を介して結晶
成長室２２内に垂直に挿入されている。
成長室２２内に垂直に挿入されている。
そして前記結晶成長準備室で、基板設置ブロック２５を
設置したトランスファーロッド２６を、ゲートバルブ２
１を開いて結晶成長室２２内に導入する。
設置したトランスファーロッド２６を、ゲートバルブ２
１を開いて結晶成長室２２内に導入する。
更に、第１図および第３図に示すように、基板２４を設
置した基板設置ブロック２５を結晶成長室２２に搬送後
、前記基板受け渡し機構２３を上部に移動させて前記基
板設置ブロック２５の側面に前記受け渡し機構２３の先
端部の円錐状部材２日を接触させる。
置した基板設置ブロック２５を結晶成長室２２に搬送後
、前記基板受け渡し機構２３を上部に移動させて前記基
板設置ブロック２５の側面に前記受け渡し機構２３の先
端部の円錐状部材２日を接触させる。
そして基板設置ブロック２５を、矢印Ａ方向に滑らせな
がら、前記基板設置ブロック２５を、基板受け渡し機構
２３の円錐状部材２８の底部の平板状の受け台２７に矢
印Ｂで示すように、自重で設置するようにする。
がら、前記基板設置ブロック２５を、基板受け渡し機構
２３の円錐状部材２８の底部の平板状の受け台２７に矢
印Ｂで示すように、自重で設置するようにする。
このようにすれば、受け台２７と基板設置ブロック２５
の間が位置ずれしても、基板設置ブロック２５が基板受
け渡し機構の先端の円錐状部材２８を自重で滑りながら
移動するので、基板受け台２７に基板設置ブロック２５
が落下するような事故が無い状態で設置でき、作業時間
が大幅に短縮できる。
の間が位置ずれしても、基板設置ブロック２５が基板受
け渡し機構の先端の円錐状部材２８を自重で滑りながら
移動するので、基板受け台２７に基板設置ブロック２５
が落下するような事故が無い状態で設置でき、作業時間
が大幅に短縮できる。
また分子線結晶装置では、結晶成長室、結晶準備室の他
に、分析室等多数の室を有するので、これらの各部屋よ
りトランスファーロッドが結晶成長室の方向へ延びるよ
うにし、かつ結晶成長室内で直交するように配置すれば
、基板設置プロ・ツクの搬送作業が高能率で実施できる
ようになる。
に、分析室等多数の室を有するので、これらの各部屋よ
りトランスファーロッドが結晶成長室の方向へ延びるよ
うにし、かつ結晶成長室内で直交するように配置すれば
、基板設置プロ・ツクの搬送作業が高能率で実施できる
ようになる。
以上述べたように、本発明の基板搬送機構によれば、基
板が基板マニュピレータに精度良く、かつ短時間に設置
できるため、作業能率が大幅に向上し、半導体結晶の形
成に要する工数が低減できる効果がある。
板が基板マニュピレータに精度良く、かつ短時間に設置
できるため、作業能率が大幅に向上し、半導体結晶の形
成に要する工数が低減できる効果がある。
第１図は本発明の基板搬送機構の構造を示す模式図、
第２図は本発明の基板搬送機構の構造を示す平面図、
第３図は本発明の基板搬送機構の動作状態の説明図、
第４図は分子線結晶成長装置の要部を示す平面図、
第５図は従来の基板ブロックの平面図、第６図は従来の
基板搬送機構の説明図を示す。 図に於いて、 ２１はゲートバルブ、２２は結晶成長室、２３は基板受
け渡し機構、２４は基板、２５は基板設置プロ・ツク、
２６はトランスファーロッド、２７は受け台、２８は突
起部、２９はベローズ、Ａ、Ｂは基板設置ブロックの移
動方向を示す矢印である。 澤２俳「わすむ複式′ｍ 第１図 ４遥（刀、ｌ−印判の手旬雪ｑ的図 第２図 第３図 分）！！＝鮎晶暮夏の＃部鱈７千句畠 第４図 横ζ乳め耘フーＤ−ｒ７ｑ子、ｉｓσ 第５図 第６図
基板搬送機構の説明図を示す。 図に於いて、 ２１はゲートバルブ、２２は結晶成長室、２３は基板受
け渡し機構、２４は基板、２５は基板設置プロ・ツク、
２６はトランスファーロッド、２７は受け台、２８は突
起部、２９はベローズ、Ａ、Ｂは基板設置ブロックの移
動方向を示す矢印である。 澤２俳「わすむ複式′ｍ 第１図 ４遥（刀、ｌ−印判の手旬雪ｑ的図 第２図 第３図 分）！！＝鮎晶暮夏の＃部鱈７千句畠 第４図 横ζ乳め耘フーＤ−ｒ７ｑ子、ｉｓσ 第５図 第６図
Claims (1)
- 分子線結晶装置の結晶成長室（２２）以外の各室よりゲ
ートバルブ（２１）を介して結晶成長室（２２）に延び
、該結晶成長室（２２）内で交叉し、かつ基板（２４）
の設置用ブロック（２５）を設置するトランスファーロ
ッド（２６）と、該結晶成長室（２２）内へ垂直方向に
挿入され、前記交叉するトランスファーロッド（２６）
の間より上下に移動する機構を有し、かつ先端に前記基
板設置ブロック（２５）の側面を支持する突起部（２８
）と、該突起部（２８）の底部に前記基板設置用ブロッ
ク（２５）を設置する平板状の受け台（２７）を有する
基板受け渡し機構（２３）とよりなることを特徴とする
基板搬送機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150740A JPS636858A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 基板搬送機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150740A JPS636858A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 基板搬送機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636858A true JPS636858A (ja) | 1988-01-12 |
| JPH0311101B2 JPH0311101B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15503378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150740A Granted JPS636858A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 基板搬送機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636858A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5387067A (en) * | 1993-01-14 | 1995-02-07 | Applied Materials, Inc. | Direct load/unload semiconductor wafer cassette apparatus and transfer system |
| WO2017061122A1 (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素基板の加熱処理容器及びエッチング方法 |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP61150740A patent/JPS636858A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5387067A (en) * | 1993-01-14 | 1995-02-07 | Applied Materials, Inc. | Direct load/unload semiconductor wafer cassette apparatus and transfer system |
| WO2017061122A1 (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素基板の加熱処理容器及びエッチング方法 |
| JP2018195598A (ja) * | 2015-10-06 | 2018-12-06 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素基板の加熱処理容器及びエッチング方法 |
| US10665485B2 (en) | 2015-10-06 | 2020-05-26 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Heat treatment vessel for single-crystal silicon carbide substrate and etching method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311101B2 (ja) | 1991-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |