JPH03101247A

JPH03101247A - 処理装置

Info

Publication number: JPH03101247A
Application number: JP1311592A
Authority: JP
Inventors: Masami Akumoto; 正巳飽本; Yoshio Kimura; 義雄木村; Osamu Hirakawa; 修平河; Noriyuki Anai; 穴井　徳行; Masanori Tateyama; 建山　正規; Yasuhiro Sakamoto; 泰大坂本
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1988-11-30
Filing date: 1989-11-30
Publication date: 1991-04-26
Anticipated expiration: 2015-11-06
Also published as: JP3107310B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、レジスト処理装置に関する。

（従来の技術）半導体素子の高集積度に伴い、半導体ウェハのレジスト
処理工程がより複雑化している。このため、レジスト処
理装置は、複数の処理機構、例えば、半導体ウェハをヘ
キサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）等の密着強化済を表面
処理する機構、これにレジスト液を塗布する機構、これ
をベーキング処理する機構５さらにこれを現像処理する
機構等を有する。

当初のレジスト処理装置は、各種処理機構（複数のレジ
スト塗布機構およびベーキング機構等）がローダ−機構
とアンローダ−機構との間に直列に配列され、各処理機
構の相互間にウェハ搬送用のハンドリング機構がそれぞ
れ配置されている。

このように各処理機構がライン状に配列されているため
に、処理工程の変更に対応することができないという欠
点がある。

上記のライン型レジスト処理装置の欠点を解消するため
に、改良型のレジスト処理装置は、装置全体をフレキシ
ブルな構成とすることにより、複雑な処理工程や工程の
変更に対して対処することができるようにしている。こ
の改良型のレジスト処理装置においては、レジスト処理
装置内にｉｌＭ（トラック）を設け、トラック内をハン
ドリング装置が移動することにより、塗布機構やベーキ
ング機構などの各処理機構のうちから必要なものを選択
することができるようにしている。

上記ハンドリング装置は、半導体ウェハを保持する部分
に吸着アームを有する。しかしながら、吸着アームによ
り多数枚の半導体ウェハを吸着保持すると、吸入口近傍
にダストが集積し、半導体ウェハに集積したダストが付
着しやすい。

また、レジスト処理装置の機構が複合化すると。

機構からのダスト発生量が増加し、クリーンルーム内が
汚染されやすい、この結果、ダストが半導体ウェハに付
着しやすくなり、半導体素子の良品率が悪化するおそれ
が生じる。

このような従来型のハンドリング装置の不都合を解消す
るためにＵ　Ｓ　Ｐ４，５０７，０７８号公報には、リ
ング状の部材を用いて半導体ウェハを保持するハンドリ
ング装置が開示されている。このようなハンドリング装
置によれば、半導体ウェハがリング状の部材に嵌まり込
むだけで保持されるので、半導体ウェハへのダスト付着
量が大幅に低減される。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、上記のハンドリング装置では、半導体ウ
ェハとリング状部材との相互接触部分を介して熱交換が
行われるので、半導体ウェハ周縁部と中央部とに温度差
が生じ、後工程に悪影響が及ぶ場合がある。通常、レジ
スト処理装置では、ＨＭＤＳ処理時、レジスト塗布時、
現像処理時などにおける半導体ウェハの温度がそれぞれ
異なるため、各処理工程の前工程でウェハを温度調整処
理する。しかし、各処理時の目標温度と実際のウェハ温
度とに差が生じる場合があり、レジスト処理時のウェハ
温度を厳密に管理することができず。

レジスト膜厚が目櫟厚さにならないなどの問題を生じる
という欠点がある。

この発明の目的は、搬送時におけるウェハの温度変化を
少なくすることができるレジスト処理装置の特にハンド
リング装置を提供することにある。

すなわち、加熱された被処理基板を搬送する際にこの被
処理基板から搬送アームに熱が流入し被処理基板が冷却
されたり、逆に、このようにして搬送アームに流入した
熱が常温の被処理基板を搬送する際に被処理基板に流入
し、被処理基板が加熱されてしまうことがあり、良好な
処理を行えない場合がある。

さらに、本発明は、搬送時に被処理基板から流出する熱
量、および被処理基板に流入する熱量を減少させること
ができ、所定の処理温度で良好な処理を行うことのでき
るレジスト処理装置を提供しようとするものである。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）すなわち本発明のレジスト処理装置は、被処理基板に所
定の処理を施す複数の処理機構と、これらの処理機構に
前記被処理基板を搬送するための搬送機構とを備えたレ
ジスト処理装置において、前記搬送機構は、複数の基板
保持用爪によって、前記被処理基板の周縁部を複数点で
保持する如く構成されていることを特徴とする。

（作　用）本発明のレジスト処理装置では、被処理基板を搬送する
搬送機構が、複数の基板保持用爪によって、被処理基板
の周縁部を複数点で保持する如く構成されている。すな
わち、搬送機構が被処理基板を点接触の状態で保持する
よう構成されている。

したがって、搬送時に被処理基板から流出する熱量、お
よび被処理基板に流入する熱量が減少させることができ
、所定の処理温度で良好な処理を行うことができる。

（実施例）以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

この実施例のハンドリング装置は、レジスト処理装置の
各処理機構に被処理基板例えば半導体ウェハを出し入れ
するためのものである。ハンドリング装置は、半導体ウ
ェハを保持するためのウェハ保持部材と、ウェハ保持部
材をレジスト塗布機構等に搬送するためのｘ−ｙ−ｚ−
θ駆動機構と。

を有する。ウェハ保持部材は、半導体ウェハを取り囲む
支持枠と、この支持枠に設けられ、半導体ウェハの周縁
部で部分的に当接するように半導体ウェハを支持する複
数個の支持部材とを有する。

支持部材と半導体ウェハとの接触面積が小さいので、半
導体ウェハを保持したときに、その温度変化が小さい。

すなわち、第１図に示すように、レジスト処理装置１は
ウェハステーション（プロセスユニット）２７およびカ
セットステーション３９で構成されている。両ステーシ
ョンに含まれる各種装置の動作は。

コンピュータシステム（図示せず）により自動制御され
るようになっている。

カセットステーション３９の後部にウェハ受は渡し台３
７が設けられ、ウェハ受は渡し台３７を介してカセット
ステーション３９からプロセスユニット２７に半導体ウ
ェハＷが受は渡されるようになっている。トラック８が
、プロセスユニット２７の中央をＹ軸に沿って延び、ウ
ェハ受は渡し台３７の後方から露光ユニット（図示せず
）の前方まで設けられている。トラック８にはレール９
が敷設され、ロボット７がレール９上に載置されている
。ロボット７は、半導体ウェハＷをプロセスユニット２
７の各機構１１．１３．１５．１７．１９．２１．２３
．２５に搬送し出し入れするための移動・ハンドリング
機構を有している。

次に、カセットステーション３９について詳しく説明す
る。

運搬ロボット（図示せず）により搬入されたカセット３
１がステーション３９の一方側の待機位置に載置されて
いる。各カセット３１には２５枚の未処理（レジスト処
理前）の半導体ウェハＷが収容されている。また、ステ
ーション３９の他方側の待機位置に複数のカセット３３
が載置されている。各カセット３３には処理済み（レジ
スト処理後）の半導体ウニＷが収容されている。

吸着アーム３５が、ウェハ受は渡し台３７および各カセ
ット３１．３３の間を移動可能に設けられている。

吸着アーム３５は、Ｘ軸移動機構４１、Ｙ軸移機構４３
、並びにθ回転機構４５に支持されている。

なお、各カセット３１．３３は昇降機構（図示せず）に
支持されており、それぞれの待機位置にて吸着アーム３
５に連動して各カセット３１．３３が上下動するように
なっている。この連動動作によってカセット３１．３３
と吸着アーム３５とのレベル調整がなされ、吸着アーム
３５によりカセット３１から未処理のウェハＷが取り出
され、また、カセット３３に処理済みのウェハＷが戻さ
れる。

ウェハ受は渡し台３７は、ガイドレール４７，１対のス
ライダ４９ａ、　４９ｂ、３本−組の支持ピン５１を有
する。スライダ４９ａ、　４９ｂの相互対向面は、ウェ
ハＷの外周に沿ってカーブし、上径が上程より小さいす
り鉢状のテーバに形成されている。１対のスライダ４９
ａ、　４９ｂは、駆動モータ（図示せず）によりガイド
レール４７上を互いに反対方向にスライドするように設
けられている。すなわち、スライダ４９ａ、　４９ｂを
スライドさせると１両者の間隔が広がったり縮ったすす
る。

３本の支持ピン５１が、スライダ４９ａ、　４９ｂの中
間位置の鉛直下方に立設され、ピン昇降装置（図示せず
）により上下動するように設けられている。

これらのピン５１およびスライダ４９ａ、　４９ｂによ
りウェハＷが、ロボット７に対してセンタリング（位置
決め）される。

次に、ウェハプロセスステーション２７について詳しく
説明する。

各種の処理機構がトラック８の両側に配置されている。

トラック８の一方側にはカセットステージ目ン３９に近
いほうから順に、ＨＭＤＳ処理機構１１、第１のプリベ
ーク機構１３、第１の冷却機構１５、第２のプリベーク
機構１７、第２の冷却機構１９が配列されている。また
、トラック８の他方側にはカセットステーション３９に
近いほうから順に、第１の塗布機構２１．第２の塗布機
構２３１表面被覆層塗布機構２５が配列されている。

ＨＭＤＳ処理機構１１は、親水性のＨＭＤＳ溶液を半導
体ウェハＷのパターン形成面に塗布し、レジスト膜の定
着性（付着力）を向上させるためのものである。第１の
プリベーク機構１３は、ウェハＷに塗布された第１層目
のレジスト中に残存する溶剤を加熱・蒸発させるための
ものである。第１の冷却機構１５は、第１のプリベーク
機構１３で加熱処理されたウェハＷを冷却するためのも
のである。

第２のプリベーク機構１７は、第２層目のレジスト中に
残存する溶剤を加熱処理するためのものである。

第１の塗布機構２１および第２の塗布機構２３は、第１
層目および第２層目のレジストをそれぞれスピンコーテ
ィングするためのものである。表面被覆塗布装置２５は
、既に塗布されたレジスト膜の上にさらにＣＥＬ膜など
の表面被覆層を塗布形成するためのものである。

次に、ロボット７について説明する。

ロボット７は、ウェハ保持部５０を備えたハンドリング
機構を含む、ウェハ保持部５０は、Ｘ−Ｙ・Ｚ・θテー
ブルに搭載されている。Ｘ−Ｙ−Ｚテーブルのそれぞれ
は、ステッピングモータで駆動されるポールスクリュウ
に連結され、リニアガイドに沿って移動可能になってい
る。また、θテーブルはステッピングモータで駆動され
るシャフトに連結されている。Ｙテーブルの上にθテー
ブルが載せられ、θテーブルによりハンドリング機構５
０が３６０°回転される。　θテーブルの上にはさらに
ＸテーブルおよびＺテーブルが載せられ、ウェハ保持部
５０がＸテーブルによりＸ方向に、ＺテーブルによりＺ
方向（上下方向）に、それぞれ移動される。

第２図に示すように、第１の実施例のウェハ保持部５０
のアーム５１の先端にリング状の支持枠５２が設けられ
ている。支持枠５２は、ウェハの直径より若干大きく、
６インチウェハの場合、リング先端部が約７２°の範囲
で切り欠かれている。この支持枠５２は、例えば、金属
アルミニウム板でつくられている。

３個の爪状の支持部材６０が、その先端の支持部６２が
支持枠５２の内方に向かって突出するように、はぼ等間
隔に取り付けられている。これらの支持部材６０は１発
塵しにくく、かつ、熱伝導率の小さな材料でつくられて
いることが好ましい。例えば、支持部材６０は、アルミ
ナ、窒化ケイ素等のセラミックス材料やテフロン（商品
名）でつくられている。

第３図に示すように、各支持部材６０は支持枠５２の裏
面側からネジ５３で支持枠５２に固定されている。

第４図および第５図を参照しながら、支持部材６０の支
持部６２について詳しく説明する。支持部６２の上部に
テーパエツジ６４が形成されている。このテーバエツジ
６４は先端に進むにしたがって下り勾配となっている。

支持部材６０のエツジ６４の傾斜角度は例えば２°であ
る。なお、支持部材６０のペース部６Ｉにネジ六６３が
形成されている。

次に、上記装置を用いて半導体ウェハＷをレジスト処理
する場合について説明する。

（１）吸着アーム３５を１つのウェハカセット３１の下
方に位置させ、カセット３Ｉを下降させて、最下段の半
導体ウェハＷを１枚だけ吸着保持する。次いで、吸着ア
ーム３５をＸ方向に移動させて半導体ウェハＷをカセッ
ト３１から取り出す。吸着アームを９（＋’回転させた
後に、Ｙ方向に移動させ、半導体ウェハＷをウェハ受は
渡し台３７の上に載置する。この′とき、半導体ウェハ
Ｗは、オリエンテーションフラット（０，Ｆ、）がトラ
ック８の反対側（カセットステーション３９の側）にな
るように台３７上に載置される。

（ｎ）３本のピン５１を上昇させ、１対のスライダ４９
ａ、　４９ｂの間隔を狭め、半導体ウェハＷをセンタリ
ングする。センタリング位置決め後、ロボット７を受は
渡し台３７の側に移動させ、ウェハ保持部５０の支持枠
５２を半導体ウェハＷの下方に位置させる。Ｚテーブル
を上昇させ、支持枠５２にょリウェハＷをピン５１から
持ち上げる。支持部材６ｏによりウェハＷが３点支持さ
れる。このとき１台３７上のウェハＷのセンターとウェ
ハ保持部５ｏのセンターとを一致させているので、第３
図に示すように、ウェハＷは支持部材６０のエツジ６４
に沿って支持枠５２内に滑り込み、正確に水平保持され
る。

（Ｉｆｆ）ロボット７をＹ軸方向に移動させ、ＨＭＤＳ
処理機ｉｌｌの前面に位置させる。次いで、ウェハ保持
部５０を９０”回転させた後に、Ｘ＃力方向移動させ、
さらに下降させて機構１１の受は入れ台（図示せず）上
にウェハＷを移載する。

（ｒＶ）ウェハ保持部５０の支持枠５２を機構１１から
撤去し、ウェハＷｔｒ、ＨＭＤＳ処理する。処理後、支
持枠５２を機構１１に装入して、ウェハＷを取り出す。

（Ｖ）次いで、ウェハ支持部５０を１８０°回転させて
、支持枠５２で保持されたウェハＷを第１の塗布機構２
１の前面に位置させる。ウェハ支持部材５０をＸ軸方向
に移動させ、下降させて、ウェハＷを第１の塗布機構２
１の受は入れ台上に移載する。

（ＶＩ）ウェハ保持部５０の支持枠５２を機構２１から
撤去し、ウェハＷにレジスト液を塗布する。塗布後。

支持枠５２を機構２１に装入して、ウェハＷを取り出す
。ロボット７をＹ軸方向に移動させ、第１のプリベーク
機構１３の前面に位置させる。

（■）次いで、ウェハ支持部５０を１８０°回転させ、
これをＸ軸方向に延ばし、ウェハＷを機構１３内の受は
入れ台に移載する。ウェハＷを機構１３内で所定温度に
加熱する。ベーキング処理後、ウェハＷを機構１３から
取り出す、ウェハＷを保持したときに、ウェハＷと支持
部材６０との接触部分の面積が極めて小さい（３点支持
）ので、ウェハＷが実質的に温度変化しなくなる。

（■）上記のように、ロボット７をトラック９上で走行
させ、各機構１１．２１．１３．　Ｉｓ、　２３．１７
．１９゜２５の順にウェハＷを移動させることにより、
ウェハＷのパターン形成面に所定のレジスト膜を形成す
る。

（ＥＫ）最後に機構２５にて表面被覆層塗布処理をウェ
ハＷに施した後に、ロボット７をＹ軸方向に移動させて
、処理済みのウェハＷを受は渡し台３７上に移載する０
台３７上でセンタリング後、吸着アーム３５でウェハＷ
を吸着保持する。吸着アーム３５をＹ軸移動、θ回転、
Ｘ軸移動、２軸移動させ、アンローディング側のウェハ
カセット３３に処理済みウェハＷを収納する。

上記第１の実施例によれば、支持部６２のテーバエツジ
６４にてウェハＷが３点支持されるので、ウェハＷと支
持部材６０との接触部分の面積が極めて小さくなる。こ
のため、ベーキング処理後のように、ウェハＷと保持部
材５０との温度差が７０〜８０℃もある場合であっても
、保持前後のウェハＷの温度変化を±０．３℃の範囲に
抑制することができる。

この結果、塗布むらを生じることなく、均一なレジスト
膜を得ることができる。

また、上記第１の実施例によれば、ウェハ受は渡し台３
７にて半導体ウェハＷをウェハ保持部材５０に対してプ
リアライメント（センタリング）することができるので
、支持部材６０が半導体ウェハＷに抵抗なく滑らかに接
触し、半導体ウェハＷを傷付けない。

さらに、半導体ウェハＷが支持部材６０のテーバエツジ
６４に沿って支持枠５２内に滑り込むので、半導体ウェ
ハＷをより高精度にセンタリングすることができる。

次に、第６図乃至第８図を参照しながら、第２の実施例
について説明する。なお、第２の実施例と上記第１の実
施例とが共通する部分についての説明および図示を省略
する。

第６図に示すように、第２の実施例のウェハ保持部７０
のアーム７１の先端にリング状の支持枠７２が設けられ
ている。支持枠７２は、その内径が例えば、６インチ径
のウェハＷより若干大きく、リング先端部が例えば約７
２°の範囲で切り欠かれている。

この支持枠７２は１例えば、金属アルミニウム板でつく
られている。

６個の爪状の支持部材７４が、その先端の支持部７８が
支持枠７２の内方に向かって突出するように、はぼ等間
隔に取り付けられている。これらの支持部材７４は、ア
ルミナ、窒化ケイ素等のセラミックス材料でつくられて
いる。

第７図および第８図を参照しながら、支持部材７４につ
いて詳しく説明する。支持部材７４は、ベース部７６、
テーバ部７７および支持部７８を有する。ベース部７６
にはネジ穴７５が形成されている。このネジ穴７５にネ
ジ（図示せず）がネジ込まれて、支持部材７４が支持枠
７２に固定される。ベース部７６の一辺の長さは数ミリ
である。

ガイドテーバ部７７は、ベース部７６と支持部７８との
間に設けられ、先端に進むにしたがって下り勾配となっ
ている。この場合に、ガイドテーバ部７７の傾斜角度は
４５°である。

支持部７８は、幅が１ｍで、長さが５ｍの角棒状をなし
、その上面７９に下り勾配のテーパが設けられている。

支持部７８の傾斜角度は１〜３°の範囲にあることが好
ましく、２°であることがより望ましい。

上記第２実施例の装置によれば、ウェハＷはテーパ部７
７に沿って案内され、支持部７８に落ち込み。

支持部７８の一部に当接した状態で支持される。このた
め、ウェハＷを確実に水平保持することができ、各処理
機構へのローディング時にウェハＷを位置決めしやすく
なる。

また、上記第２の実施例の装置によれば、支持部材７４
が支持枠７２に６個とりつけであるので、オリエンテー
ションフラット（０，Ｆ、）を有するウェハＷであって
も、０．Ｆ、の向きに関係なく、ウェハＷを確実に保持
することができる。

さらに、第３の実施例を第９図乃至第１１図に示す、第
９図に示すように３個の支持部材８４は、支持部８８が
枠８２の内方に突出するように等間隔に枠８２に取付け
られている０例えばネジ止めされる部材８４は弗化樹脂
で作られている。第１０図、第１１図に示すように各支
持部材８４は長いベース部８６．ガイドテーバ部８７．
支持部材８８を有する。ベース部８６には２つのネジ穴
８５が形成されている。ネジがネジ穴８５にネジ込まれ
て枠８２に部材８４が取付けられている。ガイドテーパ
部８７は、ベース部８６と支持部８８との間に設けられ
、先端に進むにしたがって下り勾配となっている。

なお、上記の第１および第２の実施例では、１つのウェ
ハ保持部材をロボット７に搭載した場合について説明し
たが、これに限られることなく、１台のロボットに２つ
のウェハ保持部材を上下二段に搭載し、一方のウェハ保
持部材により処理機構内にウェハＷを装入すると同時に
、他方のウェハ保持部材により処理機構から処理済みの
ウェハＷを取り出すこともできる。ロボットハンドリン
グ装装置に上下二段のウェハ保持部材を設けることによ
り、さらに迅速にレジスト処理することが可能になる。

以下に１本願発明の効果について、総括的に説明する。

本願発明のハンドリング装置によれば、ベーキング処理
後のように、ウェハ保持部材と半導体ウェハＷとの温度
差が大きい場合であっても、保持前後における半導体ウ
ェハＷの温度変化を大幅に抑制することができる。この
ため、レジストの塗布むらを生じることなく、半導体ウ
ェハＷ上に均一なレジスト膜を得ることができる。

また１本願発明のハンドリング装置によれば。

支持部材と半導体ウェハとの相互接触面積が従来より小
さくなるので、半導体ウェハのダストの付着量が低減さ
れる。

さらに、ウェハ受は渡し台にて半導体ウェハＷをウェハ
保持部材に対してプリアライメント（センタリング）す
ることができるので、支持部材が半導体ウェハＷに抵抗
なく滑らかに接触し、半導体ウェハＷを傷付けない。

本願発明の装置が上記のような種々の効果を有する結果
、レジストプロセス全体の信頼性が大幅に向上し、半導
体ウェハの生産性の向上を図ることができる。

以上説明したように、レジスト処理装置の各処理機構に
半導体ウェハを出し入れするためのハンドリング装置で
前記半導体ウェハを保持するためのウェハ保持部材と、
前記ウェハ保持部材を前記各処理機構に搬送する搬送手
段と、を有し、前記ウェハ保持部材が、前記半導体ウェ
ハを取り囲む支持枠と、この支持枠に設けられ、前記半
導体ウェハの周縁部で部分的に当接するように半導体ウ
ェハを支持する複数個の支持部材とを有する。

支持部材が半導体ウェハに当接する部分に、テーパエツ
ジが形成されていることが好ましい。当接部の形状をテ
ーパエツジとすることにより、半導体ウェハとの相互接
触面積が最小になり、保持したときの半導体ウェハの温
度変化が小さくなる。

この結果、半導体ウェハの全面にわたり均一なレジスト
膜厚を形成することができる。

テーパエツジは、水平を基準として３０°〜６０゜の角
度で傾斜していることが好ましく、４５’であることが
より好ましい。

また、支持部材がテーパ面を有する角棒を含み、このテ
ーパ面に半導体ウェハが当接するようにすることが好ま
しい、このテーパ面は、水平を基準として００〜２０°
の角度で傾斜していることが望ましく、傾斜角度がｌＯ
ｏであることが望ましい。

さらに、支持部材に、当接支持部とは別個に、半導体ウ
ェハを当接支持部にガイドするためのガイド用のテーパ
部を形成することが好ましい。

支持部材は１発塵しにくく、かつ、熱伝導率の小さな材
料でつくることが好ましく、窒化ケイ素やアルミナなど
のセラミックス材料あるいはテフロン系の樹脂材料でつ
くることがより好ましい。

セラミックよりテフロン系（樹脂）の方が熱伝導率は小
さい。

〔発明の効果〕

上述のように１本発明のレジスト処理装置では、従来に
較べて搬送時に被処理基板から流出する熱量、および被
処理基板に流入する熱量を減少させることができ、所定
の処理温度で良好な処理を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するためのレジスト処
理装置の全体構成を示す平面図、第２図は第１図のハン
ドリング装置のウェハ保持部分を説明するための平面図
、第３図は第２図の側方から見た断面図、第４図は第２
図の爪状の突起部材の側面図、第５図は第４図の平面図
、第６図は第２図の他の実施例説明図、第７図は第６図
の爪状突起部材の側面図、第８図は第７図の平面図、第
９図は第２図の他の実施例説明図、第１０図は第９図の
爪状突起部材側面図、第１１図は第１０図の平面図であ
る。図において、１・・・レジスト処理装置、７・・・ロボット。２７・・・プロセスユニット、３９・・・カセットステーション、６０・・・支持部材。

Claims

【特許請求の範囲】被処理基板に所定の処理を施す複数の処理機構と、これ
らの処理機構に前記被処理基板を搬送するための搬送機
構とを備えたレジスト処理装置において、前記搬送機構は、複数の基板保持用爪によって、前記被
処理基板の周縁部を複数点で保持する如く構成されてい
ることを特徴とするレジスト処理装置。