JP3107310B2 - 処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、レジスト処理装置のような基板に対して所
定の処理を施す処理装置に関する。

（従来の技術） 半導体素子の高集積度に伴い、半導体ウエハのレジス
ト処理工程がより複雑化している。このため、レジスト
処理装置は、複数の処理機構、例えば、半導体ウエハを
ヘキサメチルジシラン（HMDS）等の密着強化剤を表面処
理する機構、これにレジスト液を塗布する機構、これを
ベーキング処理する機構、さらにこれを現像処理する機
構等を有する。

当初のレジスト処理装置は、各種処理機構（複数のレ
ジスト塗布機構およびベーキング機構等）がローダー機
構とアンローダー機構との間に直列に配列され、各処理
機構の相互間にウエハ搬送用のハンドリング機構がそれ
ぞれ配置されている。このように各処理機構がライン状
に配列されているために、処理工程の変更に対応するこ
とができないという欠点がある。

上記のライン型レジスト処理装置の欠点を解消するた
めに、改良型のレジスト処理装置は、装置全体をフレキ
シブルな構成とすることにより、複雑な処理工程や工程
の変更に対して対処することができるようにしている。
この改良型のレジスト処理装置においては、レジスト処
理装置内に通路（トラック）を設け、トラック内をハン
ドリング装置が移動することにより、塗布機構やベーキ
ング機構などの各処理機構のうちから必要なものを選択
することができるようにしている。

上記ハンドリング装置は、半導体ウエハを保持する部
分に吸着アームを有する。しかしながら、吸着アームに
より多数枚の半導体ウエハを吸着保持すると、吸入口近
傍にダストが集積し、半導体ウエハに集積したダストが
付着しやすい。

また、レジスト処理装置の機構が複合化すると、機構
からのダスト発生量が増加し、クリーンルーム内が汚染
されやすい。この結果、ダストが半導体ウエハに付着し
やすくなり、半導体素子の良品率が悪化するおそれが生
じる。

このような従来型のハンドリング装置の不都合を解消
するためにUSP4,507,078号公報には、リング状の部材を
用いて半導体ウエハを保持するハンドリング装置が開示
されている。このようなハンドリング装置によれば、半
導体ウエハがリング状の部材に嵌まり込むだけで保持さ
れるので、半導体ウエハへのダスト付着量が大幅に低減
される。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記のハンドリング装置では、半導体
ウエハとリング状部材との相互接触部分を介して熱交換
が行われるので、半導体ウエハ周縁部と中央部とに温度
差が生じ、後工程に悪影響が及ぶ場合がある。通常、レ
ジスト処理装置では、HMDS処理時、レジスト塗布時、現
像処理時などにおける半導体ウエハの温度がそれぞれ異
なるため、各処理工程の前工程でウエハを温度調整処理
する。しかし、各処理時の目標温度と実際のウエハ温度
とに差が生じる場合があり、レジスト処理時のウエハ温
度を厳密に管理することができず、レジスト膜厚が目標
厚さにならないなどの問題を生じるという欠点がある。

一方、上記のハンドリング装置では、ウエハカセット
ステーションと処理ステーションとの間における半導体
ウエハの受け渡しがスムーズになされないおそれがあ
る。

この発明の目的は、搬送時におけるウエハの温度変化
を少なくすることができる処理装置を提供することにあ
る。

すなわち、加熱された被処理基板を搬送する際にこの
被処理基板から搬送アームに熱が流入して被処理基板が
冷却されたり、逆に、このようにして搬送アームに流入
した熱が常温の被処理基板を搬送する際に被処理基板に
流入し、被処理基板が加熱されてしまうことがあり、良
好な処理を行えない場合がある。

さらに、本発明は、搬送時に被処理基板から流出する
熱量、および被処理基板に流入する熱量を減少させるこ
とができ、所定の処理温度で良好な処理を行うことので
きる処理装置を提供しようとするものである。

さらにまた、本発明は、基板の受け渡しをスムーズに
行うことができる処理装置を提供することを目的とす
る。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 上記課題を解決するために、本発明は、以下の（１）
〜（７）を提供する。

（１） 基板に対して少なくともそれぞれ液処理および
熱処理を施す処理機構を含む複数の処理機構を有する処
理部と、各処理機構に対する基板の搬入出および各処理
機構間の基板の搬送を行うための搬送機構とを具備する
処理装置であって、 前記搬送機構は、内部空間が前記基板よりも大きい略
リング状をなす支持枠と、その支持枠から内方へ延び、
その上に前記基板が載置される爪状をなす複数の支持部
材とを有する基板支持部を備え、熱処理を施す処理機構
と液処理を施す機構との間で基板を搬送する際に支持枠
が前記基板に熱的影響を及ぼさないように、前記支持枠
と上下に重ならない状態で前記基板が支持部材により支
持されて搬送されることを特徴とする処理装置。

（２） 基板に対して少なくともそれぞれ液処理および
熱処理を施す処理機構を含む複数の処理機構を有する処
理部と、 処理前または処理後の基板を収納可能な基板収納容器
が載置される基板収納容器載置部と、 前記基板収納容器に対する基板の搬入出を行うための
第１の搬送機構と、 前記処理部の各処理機構に対する基板の搬入出および
各処理機構間の基板の搬送を行うための第２の搬送機構
と、 前記第１の搬送機構と前記第２の搬送機構との間で前
記基板の受け渡しを行うための受け渡し台と を具備し、 前記受け渡し台は、基板を支持する上下動可能な支持
ピンと、支持ピン上の基板を挟持可能に設けられた挟持
部材とを備え、これら支持ピンと挟持部材とで基板が位
置決めされ、 前記第２の搬送機構は、その内部空間が前記基板より
も大きい略リング状をなす支持枠と、その支持枠から内
方へ延び、その上に前記基板が載置される爪状をなす複
数の支持部材とを有する基板支持部を備え、熱処理を施
す処理機構と液処理を施す機構との間で基板を搬送する
際に支持枠が前記基板に熱的影響を及ぼさないように、
前記支持枠と上下に重ならない状態で前記基板が支持部
材により支持されて搬送されることを特徴とする処理装
置。

（３） （１）または（２）の処理装置において、前記
支持部材は、内側に向かって下り勾配のテーパー部を有
し、前記基板はそのテーパー部で支持されることを特徴
とする処理装置。

（４） （１）または（２）の処理装置において、前記
支持部材は、基板を支持する際に基板と接触する支持部
と、該支持部と前記支持枠との間に設けられ基板をガイ
ドするガイドテーパ部とを有し、前記支持部は内側に向
かって第１の角度の下り勾配を有し、前記ガイドテーパ
部は内側に向かって第１の角度より大きい第２の角度の
下り勾配を有することを特徴とする処理装置。

（５） （１）ないし（４）のいずれかの処理装置にお
いて、前記支持枠は、その先端に切り欠き部を有するこ
とを特徴とする処理装置。

（６） （１）ないし（５）のいずれかの処理装置にお
いて、前記支持枠はアルミニウム製であり、前記支持部
材はセラミックス製またはフッ素樹脂製であることを特
徴とする処理装置。

（７） （１）ないし（６）のいずれかの処理装置にお
いて、前記液処理を施す機構は、レジスト塗布機構であ
ることを特徴とする処理装置。

（作 用） 上記（１）の発明においては、少なくとも液処理機構
および熱処理機構を含む複数の処理機構に対して基板を
搬入出し、各処理機構間で基板を搬送する搬送機構が、
その内部空間が前記基板よりも大きい略リング状をなす
支持枠と、その支持枠から内方へ延び、その上に基板が
載置される爪状をなす複数の支持部材とを有する基板支
持部を備えており、熱処理を施す処理機構と液処理を施
す機構との間で基板を搬送する際に支持枠が前記基板に
熱的影響を及ぼさないように、基板が支持枠と上下に重
ならない状態で前記複数の支持部材により支持されるの
で、熱処理機構と液処理機構との間で基板を搬送する際
に、基板から流出する熱量、および基板に流入する熱量
を少なくすることができる。このため、熱の影響を受け
やすい液処理において、所定の処理温度で良好な処理を
行うことができる。特に（７）の発明のようなレジスト
塗布の場合には、著しく熱の影響を受けやすいので、こ
のように基板に熱的影響を及ぼさないように基板を支持
して搬送することが極めて有効である。

また、（２）の発明においては、基板収納容器に対す
る基板の搬入出を行う第１の搬送機構と各処理機構に対
する基板の搬入出および各処理機構間の基板の搬送を行
うための第２の搬送機構との間で前記基板の受け渡しを
行うための受け渡し台を設け、この受け渡し台は、基板
を支持する上下動可能な支持ピンと、支持ピン上の基板
を挟持可能に設けられた挟持部材とを備え、これら支持
ピンと挟持部材とで基板が位置決めされるので、基板の
受け渡しをスムーズに行うことができ、それとともに、
第２の搬送機構で基板を搬送する際に、上述のように基
板から流出する熱量、および基板に流入する熱量を減少
させることができ、所定の処理温度で良好な処理を行う
ことができる。

また、（３）の発明のように、支持部材が内側に向か
って下り勾配のテーパ部を有していることにより、基板
との接触面積を小さくすることができ、基板の温度変動
を一層小さくすることができる。さらに、（４）の発明
のように、ガイド用テーパ部を設けることにより基板の
位置決めが行いやすくなるといった利点が付加される。

（実施例） 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

この実施例のハンドリング装置は、レジスト処理装置
の各処理機構に被処理基板例えば半導体ウエハを出し入
れするためのものである。ハンドリング装置は、半導体
ウエハを保持するためのウエハ保持部材と、ウエハ保持
部材をレジスト塗布機構等に搬送するためのＸ−Ｙ−Ｚ
−θ駆動機構と、を有する。ウエハ保持部材は、半導体
ウエハを取り囲む支持枠と、この支持枠に設けられ、半
導体ウエハの周縁部で部分的に当接するように半導体ウ
エハを支持する複数個の支持部材とを有する。支持部材
と半導体ウエハとの接触面積が小さいので、半導体ウエ
ハを保持したときに、その温度変化が小さい。

すなわち、第１図に示すように、レジスト処理装置１
はウエハステーション（プロセスユニット）27およびカ
セットステーション39で構成されている。両ステーショ
ンに含まれる各種装置の動作は、コンピュータシステム
（図示せず）により自動制御されるようになっている。

カセットステーション39の後部にウエハ受け渡し台37
が設けられ、ウエハ受け渡し台37を介してカセットステ
ーション39からプロセスユニット27に半導体ウエハＷが
受け渡されるようになっている。トラック８が、プロセ
スユニット27の中央をＹ軸に沿って延び、ウエハ受け渡
し台37の後方から露光ユニット（図示せず）の前方まで
設けられている。トラック８にはレール９が敷設され、
ロボット７がレール９上に載置されている。ロボット７
は、半導体ウエハＷをプロセスユニット27の各機構11,1
3,15,17,19,21,23,25に搬送し出し入れするための移動
・ハンドリング機構を有している。

次に、カセットステーション39について詳しく説明す
る。

運搬ロボット（図示せず）により搬入されたカセット
31がステーション39の一方側の待機位置に載置されてい
る。各カセット31には25枚の未処理（レジスト処理前）
の半導体ウエハＷが収容されている。また、ステーショ
ン39の他方側の待機位置に複数のカセット33が載置され
ている。各カセット33には処理済み（レジスト処理後）
の半導体ウエＷが収容されている。

吸着アーム35が、ウエハ受け渡し台37および各カセッ
ト31,33の間を移動可能に設けられている。吸着アーム3
5は、Ｘ軸移動機構41、Ｙ軸移機構43、並びにθ回転機
構45に支持されている。

なお、各カセット31,33は昇降機構（図示せず）に支
持されており、それぞれの待機位置にて吸着アーム35に
連動して各カセット31,33が上下動するようになってい
る。この連動動作によってカセット31,33と吸着アーム3
5とのレベル調整がなされ、吸着アーム35によりカセッ
ト31から未処理のウエハＷが取り出され、また、カセッ
ト33に処理済みのウエハＷが戻される。

ウエハ受け渡し台37は、ガイドレール47、１対のスラ
イダ49a,49b、３本一組の支持ピン51を有する。スライ
ダ49a,49bの相互対向面は、ウエハＷの外周に沿ってカ
ーブし、下径が上径より小さいすり鉢状のテーパに形成
されている。１対のスライダ49a,49bは、駆動モータ
（図示せず）によりガイドレール47上を互いに反対方向
にスライドするように設けられている。すなわち、スラ
イダ49a,49bをスライドさせると、両者の間隔が広がっ
たり縮ったりする。

３本の支持ピン51が、スライダ49a,49bの中間位置の
鉛直下方に立設され、ピン昇降装置（図示せず）により
上下動するように設けられている。これらのピン51およ
びスライダ49a,49bによりウエハＷが、ロボット７に対
してセンタリング（位置決め）される。

次に、ウエハプロセスステーション27について詳しく
説明する。

各種の処理機構がトラック８の両側に配置されてい
る。トラック８の一方側にはカセットステーション39に
近いほうから順に、HMDS処理機構11、第１のプリベーク
機構13、第１の冷却機構15、第２のプリベーク機構17、
第２の冷却機構19が配列されている。また、トラック８
の他方側にはカセットステーション39に近いほうから順
に、第１の塗布機構21、第２の塗布機構23、表面被覆層
塗布機構25が配列されている。

HMDS処理機構11は、HMDS溶液を半導体ウエハＷのパタ
ーン形成面に塗布し、レジスト膜の定着性（付着力）を
向上させるためのものである。第１のプリベーク機構13
は、ウエハＷに塗布された第１層目のレジスト中に残存
する溶剤を加熱・蒸発させるためのものである。第１の
冷却機構15は、第１のプリベーク機構13で加熱処理され
たウエハＷを冷却するためのものである。第２のプリベ
ーク機構17は、第２層目のレジスト中に残存する溶剤を
加熱処理するためのものである。

第１の塗布機構21および第２の塗布機構23は、第１層
目および第２層目のレジストをそれぞれスピンコーティ
ングするためのものである。表面被覆塗布装置25は、既
に塗布されたレジスト膜の上にさらにCEL膜などの表面
被覆層を塗布形成するためのものである。

次に、ロボット７について説明する。

ロボット７は、ウエハ保持部50を備えたハンドリング
機構を含む。ウエハ保持部50は、Ｘ・Ｙ・Ｚ・θテーブ
ルに搭載されている。Ｘ・Ｙ・Ｚテーブルのそれぞれ
は、ステッピングモータで駆動されるボールスクリュウ
に連結され、リニアガイドに沿って移動可能になってい
る。また、θテーブルはステッピングモータで駆動され
るシャフトに連結されている。Ｙテーブルの上にθテー
ブルが載せられ、θテーブルによりハンドリング機構50
が360゜回転される。θテーブルの上にはさらにＸテー
ブルおよびＺテーブルが載せられ、ウエハ保持部50がＸ
テーブルによりＸ方向に、ＺテーブルによりＺ方向（上
下方向）に、それぞれ移動される。

第２図に示すように、第１の実施例のウエハ保持部50
のアーム51の先端にリング状の支持枠52が設けられてい
る。支持枠52は、ウエハの直径より若干大きく、６イン
チウエハの場合、リング先端部が約72゜の範囲で切り欠
かれている。この支持枠52は、例えば、金属アルミニウ
ム板でつくられている。

３個の爪状の支持部材60が、その先端の支持部62が支
持枠52の内方に向かって突出するように、ほぼ等間隔に
取り付けられている。これらの支持部材60は、発塵しに
くく、かつ、熱伝導率の小さな材料でつくられているこ
とが好ましい。例えば、支持部材60は、アルミナ、窒化
ケイ素等のセラミックス材料やテフロン（商品名）でつ
くられている。

第３図に示すように、各支持部材60は支持枠52の裏面
側からネジ53で支持枠52に固定されている。

第４図および第５図を参照しながら、支持部材60の支
持部62について詳しく説明する。支持部62の上部にテー
パエッジ64が形成されている。このテーパエッジ64は先
端に進むにしたがって下り勾配となっている。支持部材
60のエッジ64の傾斜角度は例えば２゜である。なお、支
持部材60のベース部61にネジ穴63が形成されている。

次に、上記装置を用いて半導体ウエハＷをレジスト処
理する場合について説明する。

（Ｉ）吸着アーム35を１つのウエハカセット31の下方に
位置させ、カセット31を下降させて、最下段の半導体ウ
エハＷを１枚だけ吸着保持する。次いで、吸着アーム35
をＸ方向に移動させて半導体ウエハＷをカセット31から
取り出す。吸着アームを90゜回転させた後に、Ｙ方向に
移動させ、半導体ウエハＷをウエハ受け渡し台37の上に
載置する。このとき、半導体ウエハＷは、オリエンテー
ションフラット（O.F.）がトラック８の反対側（カセッ
トステーション39の側）になるように台37上に載置され
る。

（II）３本のピン51を上昇させ、１対のスライダ49a,49
bの間隔を狭め、半導体ウエハＷをセンタリングする。
センタリング位置決め後、ロボット７を受け渡し台37の
側に移動させ、ウエハ保持部50の支持枠52を半導体ウエ
ハＷの下方に位置させる。Ｚテーブルを上昇させ、支持
枠52によりウエハＷをピン51から持ち上げる。支持部材
60によりウエハＷが３点支持される。このとき、台37上
のウエハＷのセンターとウエハ保持部50のセンターとを
一致させているので、第３図に示すように、ウエハＷは
支持部材60のエッジ64に沿って支持枠52内に滑り込み、
正確に水平保持される。

（III）ロボット７をＹ軸方向に移動させ、HMDS処理機
構11の前面に位置させる。次いで、ウエハ保持部50を90
゜回転させた後に、Ｘ軸方向に移動させ、さらに下降さ
せて機構11の受け入れ台（図示せず）上にウエハＷを移
載する。

（IV）ウエハ保持部50の支持枠52を機構11から撤去し、
ウエハＷをHMDS処理する。処理後、支持枠52を機構11に
装入して、ウエハＷを取り出す。

（Ｖ）次いで、ウエハ支持部50を180゜回転させて、支
持枠52で保持されたウエハＷを第１の塗布機構21の前面
に位置させる。ウエハ支持部材50をＸ軸方向に移動さ
せ、下降させて、ウエハＷを第１の塗布機構21の受け入
れ台上に移載する。

（VI）ウエハ保持部50の支持枠52を機構21から撤去し、
ウエハＷにレジスト液を塗布する。塗布後、支持枠52を
機構21に装入して、ウエハＷを取り出す。ロボット７を
Ｙ軸方向に移動させ、第１のプリベーク機構13の前面に
位置させる。

（VII）次いで、ウエハ支持部50を180゜回転させ、これ
をＸ軸方向に延ばし、ウエハＷを機構13内の受け入れ台
に移載する。ウエハＷを機構13内で所定温度に加熱す
る。ベーキング処理後、ウエハＷを機構13から取り出
す。ウエハＷを保持したときに、ウエハＷと支持部材60
との接触部分の面積が出来るだけ小さくなる様に、例え
ば３点で支持するので、ウエハＷが実質的に温度変化し
なくなる。

（VIII）上記のように、ロボット７をトラック９上で走
行させ、各機構11,21,13,15,23,17,19,25の順にウエハ
Ｗを移動させることにより、ウエハＷのパターン形成面
に所定のレジスト膜を形成する。

（IX）最後に機構25にて表面被覆層塗布処理をウエハＷ
に施した後に、ロボット７をＹ軸方向に移動させて、処
理済みのウエハＷを受け渡し台37上に移載する。台37上
でセンタリング後、吸着アーム35でウエハＷを吸着保持
する。吸着アーム35をＹ軸移動、θ回転、Ｘ軸移動、Ｚ
軸移動させ、アンローディング側のウエハカセット33に
処理済みウエハＷを収納する。

上記第１の実施例によれば、支持部62のテーパエッジ
64にてウエハＷが３点支持されるので、ウエハＷと支持
部材60との接触部分の面積が極めて小さくなる。このた
め、ベーキング処理後のように、ウエハＷと保持部材50
との温度差が70〜80℃もある場合であっても、保持前後
のウエハＷの温度変化を±0.3℃の範囲に抑制すること
ができる。この結果、塗布むらを生じることなく、均一
なレジスト膜を得ることができる。

また、上記第１の実施例によれば、ウエハ受け渡し台
37にて半導体ウエハＷをウエハ保持部材50に対してプリ
アライメント（センタリング）することができるので、
支持部材60が半導体ウエハＷに抵抗なく滑らかに接触
し、半導体ウエハＷを傷付けない。

さらに、半導体ウエハＷが支持部材60のテーパエッジ
64に沿って支持枠52内に滑り込むので、半導体ウエハＷ
をより高精度にセンタリングすることができる。

次に、第６図乃至第８図を参照しながら、第２の実施
例について説明する。なお、第２の実施例と上記第１の
実施例とが共通する部分についての説明および図示を省
略する。

第６図に示すように、第２の実施例のウエハ保持部70
のアーム71の先端にリング状の支持枠72が設けられてい
る。支持枠72は、その内径が例えば、６インチ径のウエ
ハＷより若干大きく、リング先端部が例えば約72゜の範
囲で切り欠かれている。この支持枠72は、例えば、金属
アルミニウム板でつくられている。

６個の爪状の支持部材74が、その先端の支持部78が支
持枠72の内方に向かって突出するように、ほぼ等間隔に
取り付けられている。これらの支持部材74は、アルミ
ナ、窒化ケイ素等のセラミックス材料でつくられてい
る。

第７図および第８図を参照しながら、支持部材74につ
いて詳しく説明する。支持部材74は、ベース部76、テー
パ部77および支持部78を有する。ベース部76にはネジ穴
75が形成されている。このネジ穴にネジ（図示せず）が
ネジ込まれて、支持部材74が支持枠72に固定される。ベ
ース部76の一辺の長さは数ミリである。

ガイドテーパ部77は、ベース部76と支持部78との間に
設けられ、先端に進むにしたがって下り勾配となってい
る。この場合に、ガイドテーパ部77の傾斜角度は45゜で
ある。

支持部78は、幅が1mmで、長さが5mmの角棒状をなし、
その上面79に下り勾配のテーパが設けられている。支持
部78の傾斜角度は１〜３゜の範囲にあることが好まし
く、２゜であることがより望ましい。

上記第２実施例の装置によれば、ウエハＷはテーパ部
77に沿って案内され、支持部78に落ち込み、支持部78の
一部に当接した状態で支持される。このため、ウエハＷ
を確実に水平保持することができ、各処理機構へのロー
ディング時にウエハＷを位置決めしやすくなる。

また、上記第２の実施例の装置によれば、支持部材74
が支持枠72に６個とりつけてあるので、オリエンテーシ
ョンフラット（O.F.）を有するウエハＷであっても、O.
F.の向きに関係なく、ウエハＷを確実に保持することが
できる。

さらに、第３の実施例を第９図乃至第11図に示す。第
９図に示すように３個の支持部材84は、支持部88が枠82
の内方に突出するように等間隔に枠82に取付けられてい
る。例えばネジ止めされる部材84は弗化樹脂で作られて
いる。第10図、第11図に示すように各支持部材84は長い
ベース部86、ガイドテーパ部87、支持部材88を有する。
ベース部86には２つのネジ穴85が形成されている。ネジ
がネジ穴85にネジ込まれて枠82に部材84が取付けられて
いる。ガイドテーパ部87は、ベース部86と支持部88との
間に設けられ、先端に進むにしたがって下り勾配となっ
ている。

なお、上記の第１および第２の実施例では、１つのウ
エハ保持部材をロボット７に搭載した場合について説明
したが、これに限られることなく、１台のロボットに２
つのウエハ保持部材を上下二段に搭載し、一方のウエハ
保持部材により処理機構内にウエハＷを装入すると同時
に、他方のウエハ保持部材により処理機構から処理済み
のウエハＷを取り出すこともできる。ロボットハンドリ
ング装置に上下二段のウエハ保持部材を設けることによ
り、さらに迅速にレジスト処理することが可能になる。

以下に、本願発明の効果について、総括的に説明す
る。

本願発明の一実施例によるハンドリング装置によれ
ば、ベーキング処理後のように、ウエハ保持部材と半導
体ウエハＷとの温度差が大きい場合であっても、保持前
後における半導体ウエハＷの温度変化を大幅に抑制する
ことができる。このため、レジストの塗布むらを生じる
ことなく、半導体ウエハＷ上に均一なレジスト膜を得る
ことができる。

また、本願発明の一実施例であるハンドリング装置に
よれば、支持部材と半導体ウエハとの相互接触面積が従
来より小さくなるので、半導体ウエハのダストの付着量
が低減される。

さらに、ウエハ受け渡し台にて半導体ウエハＷをウエ
ハ保持部材に対してプリアライメント（センタリング）
することができるので、支持部材が半導体ウエハＷに抵
抗なく滑らかに接触し、半導体ウエハＷを傷付けない。

本願発明の装置が上記のような種々の効果を有する結
果、レジストプロセス全体の信頼性が大幅に向上し、半
導体ウエハの生産性の向上を図ることができる。

以上説明したように、レジスト処理装置の各処理機構
に半導体ウエハを出し入れするためのハンドリング装置
で前記半導体ウエハを保持するためのウエハ保持部材
と、前記ウエハ保持部材を前記各処理機構に搬送する搬
送手段と、を有し、前記ウエハ保持部材が、前記半導体
ウエハを取り囲む支持枠と、この支持枠に設けられ、前
記半導体ウエハの周縁部で部分的に当接するように半導
体ウエハを支持する複数個の支持部材とを有する。

支持部材が半導体ウエハに当接する部分に、テーパエ
ッジが形成されていることが好ましい。当接部の形状を
テーパエッジとすることにより、半導体ウエハとの相互
接触面積が最小になり、保持したときの半導体ウエハの
温度変化が小さくなる。この結果、半導体ウエハの全面
にわたり均一なレジスト膜厚を形成することができる。

テーパエッジは、水平を基準として30゜〜60゜の角度
で傾斜していることが好ましく、45゜であることがより
好ましい。

また、支持部材がテーパ面を有する角棒を含み、この
テーパ面に半導体ウエハが当接するようにすることが好
ましい。このテーパ面は、水平を基準として０゜〜20゜
の角度で傾斜していることが望ましく、傾斜角度が10゜
であることが望ましい。

さらに、支持部材に、当接支持部とは別個に、半導体
ウエハを当接支持部にガイドするためのガイド用のテー
パ部を形成することが好ましい。

支持部材は、発塵しにくく、かつ、熱伝導率の小さな
材料でつくることが好ましく、窒化ケイ素やアルミナな
どのセラミックス材料あるいはテフロン系の樹脂材料で
つくることがより好ましい。セラミックスよりテフロン
系（樹脂）の方が熱伝導率は小さい。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によれば、熱処理機構で加熱さ
れた基板を搬送する際に、基板から流出する熱量、およ
び基板に流入する熱量を減少させることができ、所定の
処理温度で良好な処理を行うことができる。また、位置
決め機能を有する受け渡し台を設けることにより、基板
の受け渡しをスムーズに行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するためのレジスト処
理装置の全体構成を示す平面図、第２図は第１図のハン
ドリング装置のウエハ保持部分を説明するための平面
図、第３図は第２図の側方から見た断面図、第４図は第
２図の爪状の突起部材の側面図、第５図は第４図の平面
図、第６図は第２図の他の実施例説明図、第７図は第６
図の爪状突起部材の側面図、第８図は第７図の平面図、
第９図は第２図の他の実施例説明図、第10図は第９図の
爪状突起部材側面図、第11図は第10図の平面図である。 図において、 １……レジスト処理装置、 ７……ロボット、 27……プロセスユニット、 39……カセットステーション、 60……支持部材。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平河 修 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (72)発明者 穴井 徳行 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (72)発明者 建山 正規 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (72)発明者 坂本 泰大 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−149748（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−79274（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−115830（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−33828（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−54449（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−5519（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−160440（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−127846（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−13332（ＪＰ，Ａ)

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板に対して少なくともそれぞれ液処理お
   よび熱処理を施す処理機構を含む複数の処理機構を有す
   る処理部と、各処理機構に対する基板の搬入出および各
   処理機構間の基板の搬送を行うための搬送機構とを具備
   する処理装置であって、 前記搬送機構は、内部空間が前記基板よりも大きい略リ
   ング状をなす支持枠と、その支持枠から内方へ延び、そ
   の上に前記基板が載置される爪状をなす複数の支持部材
   とを有する基板支持部を備え、熱処理を施す処理機構と
   液処理を施す機構との間で基板を搬送する際に支持枠が
   前記基板に熱的影響を及ぼさないように、前記支持枠と
   上下に重ならない状態で前記基板が支持部材により支持
   されて搬送されることを特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】基板に対して少なくともそれぞれ液処理お
   よび熱処理を施す処理機構を含む複数の処理機構を有す
   る処理部と、 処理前または処理後の基板を収納可能な基板収納容器が
   載置される基板収納容器載置部と、 前記基板収納容器に対する基板の搬入出を行うための第
   １の搬送機構と、 前記処理部の各処理機構に対する基板の搬入出および各
   処理機構間の基板の搬送を行うための第２の搬送機構
   と、 前記第１の搬送機構と前記第２の搬送機構との間で前記
   基板の受け渡しを行うための受け渡し台と を具備し、 前記受け渡し台は、基板を支持する上下動可能な支持ピ
   ンと、支持ピン上の基板を挟持可能に設けられた挟持部
   材とを備え、これら支持ピンと挟持部材とで基板が位置
   決めされ、 前記第２の搬送機構は、内部空間が前記基板よりも大き
   い略リング状をなす支持枠と、その支持枠から内方へ延
   び、その上に前記基板が載置される爪状をなす複数の支
   持部材とを有する基板支持部を備え、熱処理を施す処理
   機構と液処理を施す機構との間で基板を搬送する際に支
   持枠が前記基板に熱的影響を及ぼさないように、前記支
   持枠と上下に重ならない状態で前記基板が支持部材によ
   り支持されて搬送されることを特徴とする処理装置。
3. 【請求項３】前記支持部材は、内側に向かって下り勾配
   のテーパー部を有し、前記基板はそのテーパー部で支持
   されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
   の処理装置。
4. 【請求項４】前記支持部材は、基板を支持する際に基板
   と接触する支持部と、該支持部と前記支持枠との間に設
   けられ基板をガイドするガイドテーパ部とを有し、前記
   支持部は内側に向かって第１の角度の下り勾配を有し、
   前記ガイドテーパ部は内側に向かって第１の角度より大
   きい第２の角度の下り勾配を有することを特徴とする請
   求項１または請求項２に記載の処理装置。
5. 【請求項５】前記支持枠は、その先端に切り欠き部を有
   することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれ
   か１項に記載の処理装置。
6. 【請求項６】前記支持枠はアルミニウム製であり、前記
   支持部材はセラミックス製またはフッ素樹脂製であるこ
   とを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項
   に記載の処理装置。
7. 【請求項７】前記液処理を施す機構は、レジスト塗布機
   構であることを特徴とする請求項１ないし請求項６に記
   載の処理装置。