CN109136837A - 一种镀膜方法、装饰盖板及终端 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种镀膜方法，通过提供一待镀基板，所述待镀基板上包括镀膜区与非镀膜区；在所述非镀膜区设置类金刚石镀层；对所述待镀基板上进行整面镀膜，得到整面被光学镀层覆盖的待镀基板；将经过整面镀膜的待镀基板加热至预设温度以上，待所述类金刚石层分解，附着在所述类金刚石层上方的所述光学镀层脱落，得到镀膜成品。本发明通过受热分解的类金刚石层，实现在不经由外力作用或化学药剂腐蚀的前提下，使部分光学镀层脱落的效果。本发明提供的方案，不会对镀膜区的光学镀层产生影响，成膜质量好。同时免去了现有技术中对待镀基板材料的限制，也不用额外增设抗腐蚀层，工艺简单易操作。本申请同时提供了一种具有上述优点的装饰盖板及终端。

Description

一种镀膜方法、装饰盖板及终端

技术领域

本发明涉及镀膜领域，特别是涉及一种镀膜方法、装饰盖板及终端。

背景技术

随着社会的发展，人们在追求实用性的同时，也开始留意设备的美观性，以手机为例，手机背盖往往需要做光学镀膜，以实现更好的外观效果，但在整个背板区域，往往有些地方是不需要镀膜的，比如摄像孔位置。

为了让该区域不镀膜，现有技术往往采用整面镀膜完毕后，利用腐蚀性药水腐蚀非镀膜区的方法来达到非镀膜区无光学镀层的效果。但此方法只适用于抗腐蚀材料制成的背盖，或者预先用抗腐蚀材料将整面背盖保护住。因此，此方法成膜质量较差，操作困难，工艺复杂，控制起来难度高。

发明内容

本发明的目的是提供一种镀膜方法、装饰盖板及终端，以解决现有技术中成膜质量较差、工艺复杂、控制难度高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种镀膜方法，包括：

提供一待镀基板，所述待镀基板上包括镀膜区与非镀膜区；

在所述非镀膜区设置类金刚石镀层；

对所述待镀基板上进行整面镀膜，得到整面被光学镀层覆盖的待镀基板；

将经过整面镀膜的待镀基板加热至预设温度以上，待所述类金刚石层分解，附着在所述类金刚石层上方的所述光学镀层脱落，得到镀膜成品。

可选地，在所述镀膜方法中，所述对所述待镀基板上进行整面镀膜包括：

对所述待镀基板上进行整面真空镀膜。

可选地，在所述镀膜方法中，在所述非镀膜区设置类金刚石镀层包括：

在所述非镀膜区通过低温成膜方法设置类金刚石镀层。

可选地，在所述镀膜方法中，所述低温成膜方法在20摄氏度至30摄氏度的环境中进行，包括端点值。

可选地，在所述镀膜方法中，所述低温成膜方法通过磁控溅射的方法设置类金刚石镀层。

可选地，在所述镀膜方法中，所述类金刚石层的厚度为3纳米至10纳米，包括端点值。

可选地，在所述镀膜方法中，在得到镀膜成品之后，还包括：

对所述镀膜成品进行冲洗，去除未完全脱落的所述类金刚石层上方的所述光学镀层。

本发明还提供了一种装饰盖板，所述装饰盖板包括光学镀层，所述光学镀层通过上述的方法制得。

可选地，在所述装饰盖板中，所述光学镀层的厚度为100纳米至800纳米，包括端点值。

本发明还提供了一种终端，所述终端包括上述的装饰盖板。

本发明所提供的镀膜方法，通过提供一待镀基板，所述待镀基板上包括镀膜区与非镀膜区；在所述非镀膜区设置类金刚石镀层；对所述待镀基板上进行整面镀膜，得到整面被光学镀层覆盖的待镀基板；将经过整面镀膜的待镀基板加热至预设温度以上，待所述类金刚石层分解，附着在所述类金刚石层上方的所述光学镀层脱落，得到镀膜成品。本发明通过受热分解的类金刚石层，实现在不经由外力作用或化学药剂腐蚀的前提下，使部分光学镀层脱落的效果。本发明提供的方案，不会对镀膜区的光学镀层产生影响，成膜质量好。同时免去了现有技术中对待镀基板材料的限制，也不用额外增设抗腐蚀层，工艺简单易操作。本申请同时提供了一种具有上述优点的装饰盖板及终端。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的镀膜方法的具体实施方式一的流程图；

图2为本申请提供的镀膜方法的具体实施方式一的待镀基板经过步骤S101的结构示意图；

图3为本申请提供的镀膜方法的具体实施方式一的待镀基板经过步骤S102的结构示意图；

图4为本申请提供的镀膜方法的具体实施方式一的待镀基板经过步骤S103的结构示意图；

图5为本申请提供的镀膜方法的具体实施方式一的待镀基板经过步骤S104的结构示意图；

图6为本申请提供的镀膜方法的具体实施方式二的流程示意图；

图7为本申请提供的镀膜方法的具体实施方式三的流程示意图。

具体实施方法

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方法对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

现有技术中针对待镀基板11上的非镀膜区112的处理方法通常为直接整面镀膜，之后再将非镀膜区112用试剂腐蚀掉，得到非镀膜区112不镀膜的盖板。但该方法有成膜质量较差，工艺复杂，控制复杂的缺点。

本发明的核心是提供一种镀膜方法，其对应的流程图如图1所示，包括：

步骤S101：提供一待镀基板11，所述待镀基板11上包括镀膜区111与非镀膜区112。

上述待镀基板11可包括多个镀膜区111和多个非镀膜区112。

此步骤中的待镀基板11的结构示意图如图1所示。

步骤S102：在所述非镀膜区112设置类金刚石镀层。

类金刚石镀层(Diamond-like carbon)是一种由碳元素构成、在性质上和钻石类似，同时又具有石墨原子组成结构的非晶态薄膜。

上述类金刚石镀层与上述待镀基板11接触设置。

上述类金刚石层12的厚度为3纳米至10纳米，包括端点值，如3.0纳米、7.5纳米或10.0纳米中任一个。

上述在所述非镀膜区112设置类金刚石镀层的方法具体为通过低温成膜技术在所述非镀膜区112设置类金刚石镀层。

需要注意的是，本步骤中的低温成膜技术具体为，在20摄氏度至30摄氏度的环境中，通过磁控溅射或对靶溅射的方法，在上述非镀膜区112沉积碳，期间不间断地向其中通入氢气，使其反应生成上述类金刚石镀膜。

更进一步说明，上述20摄氏度至30摄氏度包括端点值，如20.0摄氏度、25.5摄氏度或30.0摄氏度中的任一个。

经过本步骤的上述待镀基板11的结构示意图如图3所示。

步骤S103：对所述待镀基板11上进行整面镀膜，得到整面被光学镀层13覆盖的待镀基板11。

需要提醒的是，本步骤中的整面镀膜，指的是在对需要进行镀膜的表面进行镀膜，上述需要进行镀膜的表面包括上述镀膜区111，同时也包括被镀膜区111包围或半包围的非镀膜区112。

本步骤中的光学镀层13，指的是起装饰作用的镀层，通过对上在其表面的光线进行特定的反射起到装饰效果。

本步骤中的整面镀膜，即是镀的上述光学镀层13。

经过本步骤的上述待镀基板11的结构示意图如图4所示。

步骤S104：将经过整面镀膜的待镀基板11加热至预设温度以上，待所述类金刚石层12分解，附着在所述类金刚石层12上方的所述光学镀层13脱落，得到镀膜成品。

本步骤中的预设温度为200摄氏度，当然，在实际应用中，根据类金刚石层12的厚度不同或待镀基板11的材料不同，可作适当调整，但都必须不低于上述类金刚石层12开始自行分解的最低温度。

本发明所提供的镀膜方法，通过提供一待镀基板11，所述待镀基板11上包括镀膜区111与非镀膜区112；在所述非镀膜区112设置类金刚石镀层；对所述待镀基板11上进行整面镀膜，得到整面被光学镀层13覆盖的待镀基板11；将经过整面镀膜的待镀基板11加热至预设温度以上，待所述类金刚石层12分解，附着在所述类金刚石层12上方的所述光学镀层13脱落，得到镀膜成品。本发明通过受热分解的类金刚石层12，实现在不经由外力作用或化学药剂腐蚀的前提下，使部分光学镀层13脱落的效果。本发明提供的方案，不会对镀膜区111的光学镀层13产生影响，成膜质量好。同时免去了现有技术中对待镀基板11材料的限制，也不用额外增设抗腐蚀层，工艺简单易操作。

需要补充说明的是，现有技术中还有一种镀膜方法，通过先在非镀膜区丝印一层可剥胶，然后镀膜，然后再用外力的方式将可剥胶去除的方法，达到非镀膜区无光学镀层的效果。但这种方法中的可剥胶在镀膜过程中会“放气”，对附近的成膜质量造成影响，如颜色不均；另外，成膜后用外力去除，也容易对附近的膜层产生破坏，成膜质量较差。而具体实施例一提供的方法，由于类金刚石层不会“放气”，且在去除的过程中无外力，因此也可避免上述成膜质量差的问题。

在具体实施方式一的基础上，更进一步对上述光学镀层13的设置方法做限定，得到具体实施方式二，其流程图如图6所示，包括：

步骤S201：提供一待镀基板11，所述待镀基板11上包括镀膜区111与非镀膜区112。

步骤S202：在所述非镀膜区112设置类金刚石镀层。

步骤S203：对所述待镀基板11上通过真空镀膜进行整面镀膜，得到整面被光学镀层13覆盖的待镀基板11。

本步骤中的真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料，使其蒸发并凝结于上述待镀基板11表面而形成薄膜的一种方法。

根据实际应用中上述光学镀层13的材料不同，本步骤中的真空镀膜技术包括物理气相沉积法和化学气相沉积法。

步骤S204：将经过整面镀膜的待镀基板11加热至预设温度以上，待所述类金刚石层12分解，附着在所述类金刚石层12上方的所述光学镀层13脱落，得到镀膜成品。

本具体实施例中，将上述光学镀层13的设置方法限定为了真空镀膜法，真空镀膜法本质上是利用物理或化学的方法，将镀料(本申请中即为上述光学镀层13)气化成原子、分子或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上，对比其他物理或化学镀膜法，使得上述待镀基板11和上述光学镀层13的选料可以更广泛，且在真空环境下制备上述光学镀层13，环境清洁，不易受到污染，成膜质量高。

在具体实施方式二的基础上，对制得的镀膜成品进行进一步处理，得到具体实施方式三，其流程图如图7所示，包括：

步骤S301：提供一待镀基板11，所述待镀基板11上包括镀膜区111与非镀膜区112。

步骤S302：在所述非镀膜区112设置类金刚石镀层。

步骤S303：对所述待镀基板11上通过真空镀膜进行整面镀膜，得到整面被光学镀层13覆盖的待镀基板11。

本步骤中的真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料，使其蒸发并凝结于上述待镀基板11表面而形成薄膜的一种方法。

根据实际应用中上述光学镀层13的材料不同，本步骤中的真空镀膜技术包括物理气相沉积法和化学气相沉积法。

步骤S304：将经过整面镀膜的待镀基板11加热至预设温度以上，待所述类金刚石层12分解，附着在所述类金刚石层12上方的所述光学镀层13脱落，得到镀膜成品。

步骤S305：对所述镀膜成品进行冲洗，去除未完全脱落的所述类金刚石层12上方的所述光学镀层13。

本步骤中的冲洗可用对应的液体，也可为气体。

经过步骤S304，绝大部分上述类金刚石层12上方的光学镀层13已经脱落，但还有小部分上述光学镀层13由于光学镀层13自身内部的作用力未脱落，通过物理冲洗的方法，可将这部分光学镀层13残留去除，在不影响成膜质量的情况下使上述光学镀层13的边缘更平整光滑，提升上述镀膜成品的整体质量。

本发明还提供了一种装饰盖板，所述装饰盖板通过上述任一实施例中所介绍的镀膜方法得到，以实现上述有益效果，具体方法可参照上文，在此不再进行展开描述。

需要注意的是，上述装饰盖板中的光学镀层13的厚度为100纳米至800纳米，包括端点值，如100.0纳米、666.6纳米或800.0纳米中的任一个。

本发明还提供了一种终端，所述终端包括上述实施例中的装饰性盖板，以实现上述有益效果，所述装饰性盖板的具体结构可参照上文，在此不再进行展开描述。

本说明书中各个实施例采用递进的方法描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

以上对本发明所提供的镀膜方法、装饰盖板及终端进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方法进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种镀膜方法，其特征在于，包括：

提供一待镀基板，所述待镀基板上包括镀膜区与非镀膜区；

在所述非镀膜区设置类金刚石镀层；

对所述待镀基板上进行整面镀膜，得到整面被光学镀层覆盖的待镀基板；

将经过整面镀膜的待镀基板加热至预设温度以上，待所述类金刚石层分解，附着在所述类金刚石层上方的所述光学镀层脱落，得到镀膜成品。

2.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述对所述待镀基板上进行整面镀膜包括：

对所述待镀基板上进行整面真空镀膜。

3.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，在所述非镀膜区设置类金刚石镀层包括：

在所述非镀膜区通过低温成膜方法设置类金刚石镀层。

4.如权利要求3所述的镀膜方法，其特征在于，所述低温成膜方法在20摄氏度至30摄氏度的环境中进行，包括端点值。

5.如权利要求4所述的镀膜方法，其特征在于，所述低温成膜方法通过磁控溅射的方法设置类金刚石镀层。

6.如权利要求5所述的镀膜方法，其特征在于，所述类金刚石层的厚度为3纳米至10纳米，包括端点值。

7.如权利要求1至6任一项所述的镀膜方法，其特征在于，在得到镀膜成品之后，还包括：

对所述镀膜成品进行冲洗，去除未完全脱落的所述类金刚石层上方的所述光学镀层。

8.一种装饰盖板，其特征在于，所述装饰盖板包括光学镀层，所述光学镀层通过如权利要求1至7任一项所述的方法制得。

9.如权利要求8所述的装饰盖板，其特征在于，所述光学镀层的厚度为100纳米至800纳米，包括端点值。

10.一种终端，其特征在于，所述终端包括如权利要求8或9所述的装饰盖板。