KR20130128916A - 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치 - Google Patents

스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20130128916A
KR20130128916A KR1020120053110A KR20120053110A KR20130128916A KR 20130128916 A KR20130128916 A KR 20130128916A KR 1020120053110 A KR1020120053110 A KR 1020120053110A KR 20120053110 A KR20120053110 A KR 20120053110A KR 20130128916 A KR20130128916 A KR 20130128916A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
protrusion
sputtering
main
space
Prior art date
Application number
KR1020120053110A
Other languages
English (en)
Inventor
닝홍롱
김병범
박준용
정창오
신상원
이동민
주신
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120053110A priority Critical patent/KR20130128916A/ko
Priority to US13/617,741 priority patent/US20130306466A1/en
Publication of KR20130128916A publication Critical patent/KR20130128916A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 스퍼터링 공정의 진행 과정에서 패턴의 오염을 방지할 수 있는 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링용 타겟은 복수의 타겟을 포함하는 스퍼터링용 타겟에 있어서, 상기 복수의 타겟은 가장자리가 서로 중첩되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치{TARGET FOR SPUTTERING AND APPARATUS COMPRISING THEREOF}
본 발명은 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스퍼터링 공정의 진행 과정에서 패턴의 오염을 방지할 수 있는 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치에 관한 것이다.
반도체 소자, 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등을 제조하는 공정에서 금속 박막을 형성하기 위해서 스퍼터링(sputtering) 방식을 이용할 수 있다.
스퍼터링 공정은 진공증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 발생시켜 이온화한 아르곤 등의 가스를 가속하여 스퍼터링용 타켓에 충돌시켜 목적의 원자를 분출, 그 근방에 있는 기판상에 막을 만드는 방법을 말한다.
최근 표시 장치의 대형화 추세에 따라 스퍼터링 장치도 함께 대형화되어 가고 있다. 이러한 대형 스퍼터링 장치를 제작하기 위해서 대형 생산 설비가 필요하게 되고, 이에 따라 비용이 증가하게 된다.
스퍼터링용 타겟은 일정한 두께를 가지고 백킹 플레이트(backing plate)에 고정되어 있다. 종래에는 하나의 스퍼터링용 타겟을 백킹 플레이트에 고정시켜 사용하였으나, 이러한 대형화 추세에서 비용을 절감하기 위해 복수의 스퍼터링용 타겟을 백킹 플레이트에 고정시켜 사용하는 방안에 제시되었다.
스퍼터링용 타겟을 백킹 플레이트에 고정시키기 위해 스퍼터링용 타겟과 백킹 플레이트 사이에는 접착제를 형성하게 된다. 복수의 스퍼터링용 타겟 사이에는 공간이 발생하게 되고, 공간을 통해 접착제가 외부로 노출될 수 있다. 스퍼터링 공정이 진행되는 동안 플라즈마 또는 높은 온도에 의해 노출된 접착제가 공간 밖으로 빠져나올 수 있다. 이러한 접착제 성분은 기판 위에 형성되는 패턴을 오염시키는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 스퍼터링 공정의 진행 과정에서 패턴의 오염을 방지할 수 있는 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적에 따른 본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링용 타겟은 복수의 타겟을 포함하는 스퍼터링용 타겟에 있어서, 상기 복수의 타겟은 가장자리가 서로 중첩되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 복수의 타겟 중 적어도 하나의 타겟은 메인 타겟부; 및, 상기 메인 타겟부의 일 측면으로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부를 포함할 수 있다.
상기 복수의 타겟 중 적어도 하나의 타겟은 상기 메인 타겟부; 및, 상기 메인 타겟부의 일 측면으로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부를 포함할 수 있다.
상기 제1 돌출부를 포함하는 타겟과 상기 제2 돌출부를 포함하는 타겟은 상기 제1 돌출부 및 상기 제2 돌출부가 서로 중첩되도록 배치될 수 있다.
상기 제1 돌출부는 상기 메인 타겟부의 일 측면의 상반부로부터 돌출되어 있고, 상기 제2 돌출부는 상기 메인 타겟부의 일 측면의 하반부로부터 돌출될 수 있다.
상기 제1 돌출부를 포함하는 타겟은 상기 제1 돌출부의 아래에 위치하는 제1 공간부를 더 포함하고, 상기 제2 돌출부는 상기 제1 공간부에 삽입될 수 있다.
상기 제2 돌출부를 포함하는 타겟은 상기 제2 돌출부의 위에 위치하는 제2 공간부를 더 포함하고, 상기 제1 돌출부는 상기 제2 공간부에 삽입될 수 있다.
상기 복수의 타겟 중 적어도 하나의 타겟은 상기 메인 타겟부, 상기 제1 돌출부, 및 상기 제2 돌출부를 포함하고, 상기 제1 돌출부 및 상기 제2 돌출부는 상기 메인 타겟부의 서로 마주보는 양 측면으로부터 돌출될 수 있다.
상기 제1 돌출부를 포함하는 타겟은 상기 메인 타겟부의 일 측면으로부터 돌출되고, 상기 제1 돌출부와 이격되어 있는 제3 돌출부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 돌출부를 포함하는 타겟과 상기 제2 돌출부를 포함하는 타겟은 상기 제1 돌출부, 상기 제2 돌출부, 및 상기 제3 돌출부가 서로 중첩되도록 배치될 수 있다.
상기 제1 돌출부는 상기 메인 타겟부의 일 측면의 상반부로부터 돌출되어 있고, 상기 제2 돌출부는 상기 메인 타겟부의 일 측면의 중반부로부터 돌출되어 있고, 상기 제3 돌출부는 상기 메인 타겟부의 일 측면의 하반부로부터 돌출될 수 있다.
상기 제1 돌출부 및 상기 제3 돌출부를 포함하는 타겟은 상기 제1 돌출부와 상기 제3 돌출부의 사이에 위치하는 제1 공간부를 더 포함하고, 상기 제2 돌출부는 상기 제1 공간부에 삽입될 수 있다.
상기 제2 돌출부를 포함하는 타겟은 상기 제2 돌출부의 위에 위치하는 제2 공간부; 및, 상기 제2 돌출부의 아래에 위치하는 제3 공간부를 더 포함하고, 상기 제1 돌출부는 상기 제2 공간부에 삽입되어 있고, 상기 제2 돌출부는 상기 제3 공간부에 삽입될 수 있다.
상기 타겟은 IZO, ITO, GIZO, TIZO, InZTO, 및 a-IGZO 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링용 타겟 장치는 백킹 플레이트; 상기 백킹 플레이트 위에 형성되어 있는 복수의 타겟을 포함하는 스퍼터링용 타겟; 및, 상기 백킹 플레이트와 상기 스퍼터링용 타겟 사이에 형성되어 상기 스퍼터링용 타겟을 상기 백킹 플레이트에 고정시키는 접착 부재를 포함하고, 상기 복수의 타겟은 가장자리가 서로 중첩되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 접착 부재는 인듐으로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 타겟 중 적어도 하나의 타겟은 메인 타겟부; 및, 상기 메인 타겟부의 일 측면의 상반부로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부를 포함할 수 있다.
상기 복수의 타겟 중 적어도 하나의 타겟은 상기 메인 타겟부; 및, 상기 메인 타겟부의 일 측면의 하반부로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부를 포함할 수 있다.
상기 제1 돌출부를 포함하는 타겟과 상기 제2 돌출부를 포함하는 타겟은 상기 제1 돌출부 및 상기 제2 돌출부가 서로 중첩되도록 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링용 타겟 장치는 원통 형상으로 이루어진 몸체부; 상기 몸체부의 측면을 둘러싸도록 형성되어 있는 복수의 타겟을 포함하는 스퍼터링용 타겟; 및, 상기 백킹 플레이트와 상기 스퍼터링용 타겟 사이에 형성되어 상기 스퍼터링용 타겟을 상기 백킹 플레이트에 고정시키는 접착 부재를 포함하고, 상기 복수의 타겟은 가장자리가 서로 중첩되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치는 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치는 복수의 스퍼터링용 타겟 사이의 공간을 통해 접착제가 노출되지 않도록 함으로써, 스퍼터링 공정 진행시 패턴이 오염되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 어느 하나의 타겟의 돌출부가 다른 타겟의 공간부에 삽입되도록 형성함으로써, 별도의 정렬 수단을 이용하지 않더라도 돌출부와 공간부를 서로 맞춰줌으로써 정렬이 가능한 효과가 있다.
또한, 스퍼터링 공정 진행 과정에서 패턴이 오염되는 것을 방지함으로써, 패턴의 균일성을 향상시킬 수 있고, 스퍼터링용 타겟의 수명도 연장할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제1 타겟을 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제2 타겟을 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제3 타겟을 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치를 포함하는 스퍼터링 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제1 타겟을 나타낸 사시도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제2 타겟을 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제3 타겟을 나타낸 사시도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 사시도이다.
도 12는 도 11의 XII-XII선을 따라 나타낸 본 발명의 제3 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 단면도이다.
도 13은 도 11의 XIII-XIII선을 따라 나타낸 본 발명의 제3 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 단면도이다.
이하에서 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II선을 따라 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 단면도이다. 또한, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제1 타겟을 나타낸 사시도이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제2 타겟을 나타낸 사시도이며, 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제3 타겟을 나타낸 사시도이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 백킹 플레이트(backing plate, 100)와 백킹 플레이트(100)의 위에 형성되어 있는 스퍼터링용 타겟(150)으로 이루어진다.
백킹 플레이트(100)는 스퍼터링용 타겟(150)을 지지하는 역할을 한다. 백킹 플레이트(100)는 도전성 및 열전도성이 우수한 구리(Copper), 티타늄(Titanium), 스테인리스 스틸(Stainless still) 등으로 이루어질 수 있다.
스퍼터링용 타겟(150)을 백킹 플레이트(100)에 고정시키기 위해 스퍼터링용 타겟(150)과 백킹 플레이트(100) 사이에는 접착 부재(110)가 더 형성될 수 있다. 접착 부재(110)는 인듐(Indium) 또는 인듐-주석(Indium-Tin) 합금 등으로 이루어질 수 있다. 인듐은 녹는점이 약 156.8도로써, 비교적 높지 않아 스퍼터링용 타겟(150)을 백킹 플레이트(100)에 접착시키는 공정의 온도를 낮출 수 있으며, 취급성이 우수한 물질이다.
스퍼터링용 타겟(150)은 제1 타겟(120), 제2 타겟(130), 및 제3 타겟(140)을 포함한다. 도면에서는 스퍼터링용 타겟(150)이 세 개의 타겟(120, 130, 140)으로 이루어지는 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 타겟의 개수는 백킹 플레이트(100)의 크기, 복수의 타겟들의 크기, 및 패턴을 형성할 기판의 크기 등을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.
복수의 타겟(120, 130, 140)은 가장자리가 서로 중첩되도록 형성되어 있다. 스퍼터링용 타겟(150)의 좌측 가장자리에서부터 제1 타겟(120), 제2 타겟(130), 및 제3 타겟(140)의 순서대로 배열되어 있다. 제1 타겟(120)의 우측 가장자리와 제2 타겟(130)의 좌측 가장자리가 서로 중첩하고, 제2 타겟(130)의 우측 가장자리와 제3 타겟(140)의 좌측 가장자리가 서로 중첩한다.
스퍼터링용 타겟(150)의 물질은 패턴을 형성하고자 하는 금속의 물질에 따라 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면, IZO, ITO, GIZO, TIZO, InZTO, 및 a-IGZO 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
이하에서, 복수의 타겟(120, 130, 140) 각각의 형상에 대해 살펴본다.
도 3을 참조하면, 제1 타겟(120)은 메인 타겟부(121), 메인 타겟부(121)의 일 측면으로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부(122), 및 제1 돌출부(122)의 아래에 위치하는 제1 공간부(125)를 포함한다.
메인 타겟부(121)는 직육면체 형상으로 이루어져 있다. 예를 들면, 메인 타겟부(121)는 상부면이 평평하고 일정한 두께를 가지는 판의 형상으로 이루어질 수 있다.
제1 돌출부(122)는 메인 타겟부(121)의 일 측면의 상반부로부터 돌출되도록 형성되어 있다. 메인 타겟부(121)는 네 개의 측면을 포함하고, 제1 돌출부(122)는 메인 타겟부(121)의 우측 면으로부터 돌출되어 있다. 메인 타겟부(121)의 우측 면을 동일한 면적을 가지는 상반부와 하반부로 나누었을 때, 제1 돌출부(122)는 상반부 전체로부터 돌출되도록 형성될 수 있다.
제1 공간부(125)는 메인 타겟부(121)의 우측과 제1 돌출부(122)의 아래의 공간을 의미한다. 메인 타겟부(121)의 우측 면에서 제1 돌출부(122)가 형성되어 있지 않은 하반부의 우측에 위치하는 공간이 제1 공간부(125)를 가리킨다.
도 4를 참조하면, 제2 타겟(130)은 메인 타겟부(131), 메인 타겟부(131)의 일 측면으로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부(132), 및 제1 돌출부(132)의 아래에 위치하는 제1 공간부(135)를 포함한다. 또한, 제2 타겟(130)은 메인 타겟부(131)의 타 측면으로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부(133), 및 상기 제2 돌출부(133)의 위에 위치하는 제2 공간부(136)을 더 포함한다.
제2 타겟(130)의 메인 타겟부(131)의 형상은 제1 타겟(120)의 메인 타겟부(121)의 형상과 유사하게 이루어진다.
제2 타겟(130)의 제1 돌출부(132) 및 제1 공간부(135)의 형상도 제1 타겟(120)의 제1 돌출부(122) 및 제1 공간부(125)의 형상과 유사하게 이루어진다.
제1 돌출부(132)는 메인 타겟부(131)의 우측 면의 상반부로부터 돌출되도록 형성되어 있다. 제1 공간부(135)는 메인 타겟부(131)의 우측과 제1 돌출부(132)의 아래의 공간을 의미한다.
제2 돌출부(133)는 메인 타겟부(131)의 타 측면의 하반부로부터 돌출되도록 형성되어 있다. 메인 타겟부(131)의 좌측 면을 동일한 면적을 가지는 상반부와 하반부로 나누었을 때, 제2 돌출부(133)는 하반부 전체로부터 돌출되도록 형성될 수 있다.
제2 공간부(136)는 메인 타겟부(131)의 좌측과 제2 돌출부(133)의 위의 공간을 의미한다. 메인 타겟부(131)의 좌측 면에서 제2 돌출부(133)가 형성되어 있지 않은 상반부의 좌측에 위치하는 공간이 제2 공간부(136)를 가리킨다.
도 5를 참조하면, 제3 타겟(140)은 메인 타겟부(141), 메인 타겟부(141)의 일 측면으로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부(143), 및 제2 돌출부(143)의 위에 위치하는 제2 공간부(146)를 포함한다.
제3 타겟(140)의 메인 타겟부(141)의 형상은 제2 타겟(130)의 메인 타겟부(131)의 형상과 유사하게 이루어진다.
제3 타겟(140)의 제2 돌출부(143) 및 제2 공간부(146)의 형상도 제2 타겟(130)의 제2 돌출부(133) 및 제2 공간부(136)의 형상과 유사하게 이루어진다.
제2 돌출부(143)는 메인 타겟부(141)의 좌측 면의 하반부로부터 돌출되도록 형성되어 있다. 제2 공간부(146)는 메인 타겟부(141)의 좌측과 제2 돌출부(143)의 위의 공간을 의미한다.
다시 도 2 내지 도 5를 참조하여 제1 타겟(120), 제2 타겟(130), 및 제3 타겟(140)의 결합 관계에 대해 설명한다.
제1 타겟(120)의 우측 가장자리와 제2 타겟(130)의 좌측 가장자리가 중첩하면서, 제1 타겟(120)과 제2 타겟(130)이 서로 결합된다. 이때, 제1 타겟(120)의 제1 돌출부(122)는 제2 타겟(130)의 제2 돌출부(133)와 중첩된다. 제1 타겟(120)의 제1 돌출부(122)는 제2 타겟(130)의 제2 공간부(136)에 삽입된다. 제2 타겟(130)의 제2 돌출부(133)는 제1 타겟(120)의 제1 공간부(125)에 삽입된다.
제1 타겟(120)과 제2 타겟(130)의 결합 전후로 스퍼터링용 타겟(150)의 두께가 일정하게 유지되도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 스퍼터링용 타겟(150)의 상부가 평탄하도록 한다.
이를 위해 제1 타겟(120)의 제1 돌출부(122)의 두께(t12)와 제2 타겟(130)의 제2 돌출부(133)의 두께(t23)의 합이 제1 타겟(120)의 메인 타겟부(121)의 두께(t11) 또는 제2 타겟(130)의 메인 타겟부(131)의 두께(t21)와 실질적으로 동일하도록 형성할 수 있다.
제1 타겟(120)의 메인 타겟부(121)의 두께(t11)는 제2 타겟(130)의 메인 타겟부(131)의 두께(t21)와 실질적으로 동일하게 형성한다.
제1 타겟(120)의 제1 돌출부(122)의 두께(t12)는 제1 타겟(120)의 메인 타겟부(121)의 두께(t11)의 절반으로 이루어질 수 있다. 제2 타겟(130)의 제2 돌출부(133)의 두께(t23)는 제2 타겟(130)의 메인 타겟부(131)의 두께(t21)의 절반으로 이루어질 수 있다.
제2 타겟(130)과 제3 타겟(140)은 제2 타겟(130)의 우측 가장자리와 제3 타겟(140)의 좌측 가장자리가 중첩함으로써, 서로 결합된다. 이때, 제2 타겟(130)의 제1 돌출부(132)는 제3 타겟(140)의 제2 돌출부(143)와 중첩된다. 제2 타겟(130)의 제1 돌출부(132)는 제3 타겟(140)의 제2 공간부(146)에 삽입된다. 제3 타겟(140)의 제2 돌출부(143)는 제2 타겟(130)의 제1 공간부(135)에 삽입된다.
제2 타겟(130)과 제3 타겟(140)의 결합 전후로 스퍼터링용 타겟(150)의 두께가 일정하게 유지되도록 하는 것이 바람직하다.
이를 위해 제2 타겟(130)의 제1 돌출부(132)의 두께(t22)와 제3 타겟(140)의 제2 돌출부(143)의 두께(t32)의 합이 제2 타겟(130)의 메인 타겟부(131)의 두께(t21) 또는 제3 타겟(140)의 메인 타겟부(141)의 두께(t31)와 실질적으로 동일하도록 형성할 수 있다.
제2 타겟(130)의 메인 타겟부(131)의 두께(t21)는 제3 타겟(140)의 메인 타겟부(141)의 두께(t31)와 실질적으로 동일하게 형성한다.
제2 타겟(130)의 제1 돌출부(132)의 두께(t22)는 제2 타겟(130)의 메인 타겟부(131)의 두께(t21)의 절반으로 이루어질 수 있다. 제3 타겟(140)의 제2 돌출부(143)의 두께(t32)는 제3 타겟(140)의 메인 타겟부(141)의 두께(t31)의 절반으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 실시예의 제1 타겟(120)에는 제1 돌출부(122)가 형성되어 있고, 제3 타겟(140)에는 제2 돌출부(143)가 형성되어 있으며, 제2 타겟(130)에는 제1 돌출부(132) 및 제2 돌출부(133)가 형성되어 있다. 따라서, 제1 타겟(120)과 제3 타겟(140)이 제2 타겟(130)의 양측에 결합되는 형태를 가지고 있다.
본 발명의 제1 실시예를 변형하여 4개의 타겟으로 이루어진 스퍼터링용 타겟을 구현하고자 한다면, 제1 돌출부가 형성되어 있는 타겟 한 개, 제2 돌출부가 형성되어 있는 타겟 한개, 및 제1 돌출부 및 제2 돌출부가 형성되어 있는 타겟 두 개를 이용할 수 있다.
또한, 스퍼터링용 타겟을 구성하는 복수의 타겟의 형상은 얼마든지 변형이 가능하며, 다양한 변형을 통해 인접한 두 타겟이 서로 중첩되도록 형성할 수 있다.
다음으로, 도 6을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치를 포함하는 스퍼터링 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치를 포함하는 스퍼터링 장치의 단면도이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치를 포함하는 스퍼터링 장치는 진공 상태를 유지할 수 있는 챔버(10), 챔버(10) 내의 아래쪽에 위치하는 서셉터(20), 챔버(10) 내의 위쪽에 위치하는 백킹 플레이트(100)를 포함한다.
서셉터(20) 위에는 패턴을 형성하고자 하는 기판(30)이 안착되어 있고, 백킹 플렉이트(100) 위에는 스퍼터링용 타겟(150)이 위치하고 있다.
스퍼터링 공정을 진행하기 위해서는 서셉터(20)와 백킹 플레이트(100)에 직류 전압을 인가하고, 챔버(10) 내로 아르곤과 같은 가스를 주입한다. 서셉터(20)와 백킹 플레이트(100) 사이에는 플라즈마가 형성되고, 아르곤 가스의 이온이 스퍼터링용 타겟(150)에 충돌한다. 스퍼터링용 타겟(150)으로부터 원자가 방출되고 기판(30) 위에 부착되어, 기판(30) 위에 금속 박막이 증착된다. 이때, 서셉터(20)는 애노드(anode)의 기능을 수행하고, 백킹 플레이트(100)는 캐소드(cathode)의 기능을 수행할 수 있다.
스퍼터링용 타겟(150)의 제1 타겟(120)과 제2 타겟(130)의 연결 부분, 제2 타겟(130)과 제3 타겟(140)의 연결 부분에는 미세한 공간이 발생하고, 스퍼터링 공정을 진행하는 과정에서 그 공간 사이로 아르곤 가스의 이온이 들어와 영향을 미칠 수 있다.
이때, 제1 타겟(120)의 가장자리와 제2 타겟(130)의 가장자리가 서로 중첩하도록 형성됨으로써, 제1 타겟(120)과 제2 타겟(130) 사이의 공간으로 아르곤 가스의 이온이 들어오더라도 제2 타겟(130)에 충돌하게 되므로 접착 부재(110)에 까지 이르지 못한다. 또한, 제2 타겟(130)의 가장자리와 제3 타겟(140)의 가장자리가 서로 중첩하도록 형성됨으로써, 제2 타겟(130)과 제3 타겟(140) 사이의 공간으로 아르곤 가스의 이온이 들어오더라도 제3 타겟(140)에 충돌하게 되므로 접착 부재(110)에 까지 이르지 못한다.
따라서, 접착 부재(110) 성분의 유출이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 기판(30) 위에 형성되는 패턴이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 7 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치는 제1 실시예와 동일한 부분이 상당하므로, 이에 대한 설명은 생략하고 차이점이 있는 부분에 대해서만 이하에서 설명한다. 제1 실시예와 가장 큰 차이점은 각 타겟의 가장자리의 형상이며, 이하에서 더욱 상세히 설명한다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 단면도이다. 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제1 타겟을 나타낸 사시도이고, 도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제2 타겟을 나타낸 사시도이며, 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 제3 타겟을 나타낸 사시도이다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치는 도 7에 도시된 바와 같이, 백킹 플레이트(200)와 백킹 플레이트(200)의 위에 형성되어 있는 스퍼터링용 타겟(250)으로 이루어지고, 스퍼터링용 타겟(250)과 백킹 플레이트(200) 사이에는 접착 부재(210)가 형성된다.
스퍼터링용 타겟(250)은 제1 타겟(220), 제2 타겟(230), 및 제3 타겟(240)을 포함하고, 제1 내지 제3 타겟(220, 230, 240)은 가장자리가 서로 중첩되도록 형성된다.
도 8을 참조하면, 제1 타겟(220)은 메인 타겟부(221), 메인 타겟부(221)의 일 측면으로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부(222)와 제3 돌출부(224), 제1 돌출부(222)와 제3 돌출부(224) 사이에 위치하는 제1 공간부(225)를 포함한다.
메인 타겟부(221)는 상부면이 평평하고 일정한 두께를 가지는 판의 형상으로 이루어질 수 있다.
제1 돌출부(222)는 메인 타겟부(221)의 일 측면의 상반부로부터 돌출되도록 형성되어 있다. 메인 타겟부(221)는 네 개의 측면을 포함하고, 제1 돌출부(222)는 메인 타겟부(221)의 우측 면으로부터 돌출되어 있다. 메인 타겟부(221)의 우측 면을 동일한 면적을 가지는 상반부, 중반부, 및 하반부로 나누었을 때, 제1 돌출부(222)는 상반부 전체로부터 돌출되도록 형성될 수 있다.
제3 돌출부(224)는 제1 돌출부(222)와 이격되어 메인 타겟부(221)의 일 측면의 하반부 전체로부터 돌출되도록 형성될 수 있다.
제1 공간부(225)는 메인 타겟부(221)의 우측, 제1 돌출부(222)와 제3 돌출부(224) 사이의 공간을 의미한다. 메인 타겟부(221)의 우측 면에서 제1 돌출부(222) 및 제3 돌출부(224)가 형성되어 있지 않은 중반부의 우측에 위치하는 공간이 제1 공간부(225)를 가리킨다.
도 9를 참조하면, 제2 타겟(230)은 메인 타겟부(231), 메인 타겟부(231)의 일 측면으로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부(232)와 제3 돌출부(234), 및 제1 돌출부(232)와 제3 돌출부(234)의 사이에 위치하는 제1 공간부(235)를 포함한다. 또한, 제2 타겟(230)은 메인 타겟부(231)의 타 측면으로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부(233), 상기 제2 돌출부(233)의 위에 위치하는 제2 공간부(236), 및 상기 제2 돌출부(233)의 아래에 위치하는 제3 공간부(237)를 더 포함한다.
제2 타겟(230)의 메인 타겟부(231)의 형상은 제1 타겟(220)의 메인 타겟부(221)의 형상과 유사하게 이루어진다.
제2 타겟(230)의 제1 돌출부(232), 제3 돌출부(234), 및 제1 공간부(235)의 형상도 제1 타겟(220)의 제1 돌출부(222), 제3 돌출부(224), 및 제1 공간부(225)의 형상과 유사하게 이루어진다.
제1 돌출부(232)는 메인 타겟부(231)의 우측 면의 상반부로부터 돌출되도록 형성되어 있다. 제3 돌출부(234)는 메인 타겟부(231)의 우측 면의 하반부로부터 돌출되도록 형성되어 있다. 제1 공간부(235)는 메인 타겟부(231)의 우측, 제1 돌출부(232)와 제3 돌출부(234)의 사이의 공간을 의미한다.
제2 돌출부(233)는 메인 타겟부(231)의 타 측면의 중반부로부터 돌출되도록 형성되어 있다. 메인 타겟부(231)의 좌측 면을 동일한 면적을 가지는 상반부, 중반부, 및 하반부로 나누었을 때, 제2 돌출부(233)는 중반부 전체로부터 돌출되도록 형성될 수 있다.
제2 공간부(236)는 메인 타겟부(231)의 좌측과 제2 돌출부(233)의 위의 공간을 의미한다. 메인 타겟부(231)의 좌측 면에서 제2 돌출부(233)가 형성되어 있지 않은 상반부의 좌측에 위치하는 공간이 제2 공간부(236)를 가리킨다.
제3 공간부(237)는 메인 타겟부(231)의 좌측과 제2 돌출부(233)의 아래의 공간을 의미한다. 메인 타겟부(231)의 좌측 면에서 제2 돌출부(233)가 형성되어 있지 않은 하반부의 좌측에 위치하는 공간이 제3 공간부(237)를 가리킨다.
도 10을 참조하면, 제3 타겟(240)은 메인 타겟부(241), 메인 타겟부(241)의 일 측면으로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부(243), 제2 돌출부(243)의 위에 위치하는 제2 공간부(246), 및 제2 돌출부(243)의 아래에 위치하는 제3 공간부(247)를 포함한다.
제3 타겟(240)의 메인 타겟부(241)의 형상은 제2 타겟(230)의 메인 타겟부(231)의 형상과 유사하게 이루어진다.
제3 타겟(240)의 제2 돌출부(243), 제2 공간부(246), 및 제3 공간부(247)의 형상도 제2 타겟(230)의 제2 돌출부(233), 제2 공간부(236), 및 제3 공간부(247)의 형상과 유사하게 이루어진다.
제2 돌출부(243)는 메인 타겟부(241)의 좌측 면의 하반부로부터 돌출되도록 형성되어 있다. 제2 공간부(246)는 메인 타겟부(241)의 좌측과 제2 돌출부(243)의 위의 공간을 의미한다. 제3 공간부(247)는 메인 타겟부(241)의 좌측과 제2 돌출부(243)의 아래의 공간을 의미한다.
다시 도 7 내지 도 10을 참조하여 제1 타겟(220), 제2 타겟(230), 및 제3 타겟(240)의 결합 관계에 대해 설명한다.
제1 타겟(220)의 우측 가장자리와 제2 타겟(230)의 좌측 가장자리가 중첩하면서, 제1 타겟(220)과 제2 타겟(230)이 서로 결합된다. 이때, 제1 타겟(220)의 제1 돌출부(222) 및 제3 돌출부(224)는 제2 타겟(230)의 제2 돌출부(233)와 중첩된다. 제1 타겟(220)의 제1 돌출부(222)는 제2 타겟(230)의 제2 공간부(236)에 삽입된다. 제1 타겟(220)의 제3 돌출부(224)는 제2 타겟(230)의 제3 공간부(237)에 삽입된다. 제2 타겟(230)의 제2 돌출부(233)는 제1 타겟(220)의 제1 공간부(225)에 삽입된다.
제1 타겟(220)과 제2 타겟(230)의 결합 전후로 스퍼터링용 타겟(250)의 두께가 일정하게 유지되도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 스퍼터링용 타겟(250)의 상부가 평탄하도록 한다.
이를 위해 제1 타겟(220)의 제1 돌출부(222)의 두께(ta2), 제3 돌출부(224)의 두께(ta3), 및 제2 타겟(230)의 제2 돌출부(233)의 두께(tb3)의 합이 제1 타겟(220)의 메인 타겟부(221)의 두께(ta1) 또는 제2 타겟(230)의 메인 타겟부(231)의 두께(tb1)와 실질적으로 동일하도록 형성할 수 있다.
제1 타겟(220)의 메인 타겟부(221)의 두께(ta1)는 제2 타겟(230)의 메인 타겟부(231)의 두께(tb1)와 실질적으로 동일하게 형성한다.
제1 타겟(220)의 제1 돌출부(222)의 두께(ta2)는 제1 타겟(220)의 메인 타겟부(221)의 두께(ta1)의 1/3로 이루어질 수 있다. 제1 타겟(220)의 제3 돌출부(224)의 두께(ta3)는 제1 타겟(220)의 메인 타겟부(221)의 두께(ta1)의 1/3로 이루어질 수 있다. 제2 타겟(230)의 제2 돌출부(233)의 두께(tb3)는 제2 타겟(230)의 메인 타겟부(231)의 두께(tb1)의 1/3로 이루어질 수 있다.
제2 타겟(230)과 제3 타겟(240)은 제2 타겟(230)의 우측 가장자리와 제3 타겟(240)의 좌측 가장자리가 중첩함으로써, 서로 결합된다. 이때, 제2 타겟(230)의 제1 돌출부(232) 및 제3 돌출부(234)는 제3 타겟(240)의 제2 돌출부(243)와 중첩된다. 제2 타겟(230)의 제1 돌출부(232)는 제3 타겟(240)의 제2 공간부(246)에 삽입된다. 제2 타겟(230)의 제3 돌출부(234)는 제3 타겟(240)의 제3 공간부(247)에 삽입된다. 제3 타겟(240)의 제2 돌출부(243)는 제2 타겟(230)의 제1 공간부(235)에 삽입된다.
제2 타겟(230)과 제3 타겟(240)의 결합 전후로 스퍼터링용 타겟(250)의 두께가 일정하게 유지되도록 하는 것이 바람직하다.
이를 위해 제2 타겟(230)의 제1 돌출부(232)의 두께(tb2), 제2 타겟(230)의 제3 돌출부(234)의 두께(tb4), 및 제3 타겟(240)의 제2 돌출부(243)의 두께(tc2)의 합이 제2 타겟(230)의 메인 타겟부(231)의 두께(tb1) 또는 제3 타겟(240)의 메인 타겟부(241)의 두께(tc1)와 실질적으로 동일하도록 형성할 수 있다.
제2 타겟(230)의 메인 타겟부(231)의 두께(tb1)는 제3 타겟(240)의 메인 타겟부(241)의 두께(tc1)와 실질적으로 동일하게 형성한다.
제2 타겟(230)의 제1 돌출부(232)의 두께(tb2)는 제2 타겟(230)의 메인 타겟부(231)의 두께(tb1)의 1/3로 이루어질 수 있다. 제2 타겟(230)의 제3 돌출부(234)의 두께(tb4)는 제2 타겟(230)의 메인 타겟부(231)의 두께(tb1)의 1/3로 이루어질 수 있다. 제3 타겟(240)의 제2 돌출부(243)의 두께(tc2)는 제3 타겟(240)의 메인 타겟부(241)의 두께(tc1)의 1/3로 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 11 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치는 제1 실시예와 동일한 부분이 상당하므로, 이에 대한 설명은 생략하고 차이점이 있는 부분에 대해서만 이하에서 설명한다. 제1 실시예와 가장 큰 차이점은 스퍼터링용 타겟을 지지하는 몸체부의 형상이며, 이하에서 더욱 상세히 설명한다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 사시도이고, 도 12는 도 11의 XII-XII선을 따라 나타낸 본 발명의 제3 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 단면도이며, 도 13은 도 11의 XIII-XIII선을 따라 나타낸 본 발명의 제3 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치의 단면도이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 스퍼터링용 타겟 장치는 도 11 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 원통 형상으로 이루어진 몸체부(300), 몸체부(300)의 측면을 둘러싸도록 형성되어 있는 스퍼터링용 타겟(350)으로 이루어진다.
몸체부(300)는 스퍼터링용 타겟(350)을 지지하는 역할을 하고, 회전 가능하도록 형성될 수 있다.
스퍼터링용 타겟(350)을 몸체부(300)에 고정시키기 위해 스퍼터링용 타겟(350)과 몸체부(300) 사이에는 접착 부재(310)가 더 형성될 수 있다.
스퍼터링용 타겟(350)은 제1 타겟(320), 제2 타겟(330), 및 제3 타겟(340)을 포함한다.
제1 내지 제3 타겟(320, 330, 340)은 가장자리가 서로 중첩되도록 형성되어 있다. 제1 내지 제3 타겟(320, 330, 340)의 각각의 형상과 제1 내지 제3 타겟(320, 330, 340)의 결합 관계는 본 발명의 제1 실시예에서와 동일하게 이루어질 수 있다.
다만, 제1 실시예에서는 제1 내지 제3 타겟이 평평한 면 위에 형성되어 있는 반면에, 제3 실시예에서는 원통 형의 몸체부(300) 위에 제1 내지 제3 타겟(320, 330, 340)이 형성되고 있다는 차이점이 있다.
따라서, 제1 실시예에서의 제1 내지 제3 타겟을 유연하게 구부려서 몸체부(300)를 둘러싸도록 부착하면 제3 실시예에서의 제1 내지 제3 타겟(320, 330, 340)을 구현할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 챔버
20: 서셉터
30: 기판
100, 200: 백킹 플레이트
110, 210, 310: 접착 부재
120, 220, 320: 제1 타겟
121, 221: 제1 타겟의 메인 타겟부
122, 222: 제1 타겟의 제1 돌출부
125, 225: 제1 타겟의 제1 공간부
130, 230, 330: 제2 타겟
131, 231: 제2 타겟의 메인 타겟부
132, 232: 제2 타겟의 제1 돌출부
133, 233: 제2 타겟의 제2 돌출부
135, 235: 제2 타겟의 제1 공간부
136, 236: 제2 타겟의 제2 공간부
140, 240, 340: 제3 타겟
141, 241: 제3 타겟의 메인 타겟부
143, 243: 제3 타겟의 제2 돌출부
146, 246: 제3 타겟의 제2 공간부
150, 250, 350: 스퍼터링용 타겟
224: 제1 타겟의 제3 돌출부
234: 제2 타겟의 제3 돌출부
237: 제2 타겟의 제3 공간부
247: 제3 타겟의 제3 공간부

Claims (20)

  1. 복수의 타겟을 포함하는 스퍼터링용 타겟에 있어서,
    상기 복수의 타겟은 가장자리가 서로 중첩되어 있는,
    스퍼터링용 타겟.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 타겟 중 적어도 하나의 타겟은,
    메인 타겟부; 및,
    상기 메인 타겟부의 일 측면으로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부를 포함하는,
    스퍼터링용 타겟.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 타겟 중 적어도 하나의 타겟은,
    상기 메인 타겟부; 및,
    상기 메인 타겟부의 일 측면으로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부를 포함하는,
    스퍼터링용 타겟.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 돌출부를 포함하는 타겟과 상기 제2 돌출부를 포함하는 타겟은 상기 제1 돌출부 및 상기 제2 돌출부가 서로 중첩되도록 배치되어 있는,
    스퍼터링용 타겟.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 돌출부는 상기 메인 타겟부의 일 측면의 상반부로부터 돌출되어 있고,
    상기 제2 돌출부는 상기 메인 타겟부의 일 측면의 하반부로부터 돌출되어 있는,
    스퍼터링용 타겟.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 돌출부를 포함하는 타겟은,
    상기 제1 돌출부의 아래에 위치하는 제1 공간부를 더 포함하고,
    상기 제2 돌출부는 상기 제1 공간부에 삽입되어 있는,
    스퍼터링용 타겟.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 돌출부를 포함하는 타겟은,
    상기 제2 돌출부의 위에 위치하는 제2 공간부를 더 포함하고,
    상기 제1 돌출부는 상기 제2 공간부에 삽입되어 있는,
    스퍼터링용 타겟.
  8. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 타겟 중 적어도 하나의 타겟은 상기 메인 타겟부, 상기 제1 돌출부, 및 상기 제2 돌출부를 포함하고,
    상기 제1 돌출부 및 상기 제2 돌출부는 상기 메인 타겟부의 서로 마주보는 양 측면으로부터 돌출되어 있는,
    스퍼터링용 타겟.
  9. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 돌출부를 포함하는 타겟은,
    상기 메인 타겟부의 일 측면으로부터 돌출되고, 상기 제1 돌출부와 이격되어 있는 제3 돌출부를 더 포함하는,
    스퍼터링용 타겟.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 돌출부를 포함하는 타겟과 상기 제2 돌출부를 포함하는 타겟은 상기 제1 돌출부, 상기 제2 돌출부, 및 상기 제3 돌출부가 서로 중첩되도록 배치되어 있는,
    스퍼터링용 타겟.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 돌출부는 상기 메인 타겟부의 일 측면의 상반부로부터 돌출되어 있고,
    상기 제2 돌출부는 상기 메인 타겟부의 일 측면의 중반부로부터 돌출되어 있고,
    상기 제3 돌출부는 상기 메인 타겟부의 일 측면의 하반부로부터 돌출되어 있는,
    스퍼터링용 타겟.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 돌출부 및 상기 제3 돌출부를 포함하는 타겟은,
    상기 제1 돌출부와 상기 제3 돌출부의 사이에 위치하는 제1 공간부를 더 포함하고,
    상기 제2 돌출부는 상기 제1 공간부에 삽입되어 있는,
    스퍼터링용 타겟.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 돌출부를 포함하는 타겟은,
    상기 제2 돌출부의 위에 위치하는 제2 공간부; 및,
    상기 제2 돌출부의 아래에 위치하는 제3 공간부를 더 포함하고,
    상기 제1 돌출부는 상기 제2 공간부에 삽입되어 있고,
    상기 제2 돌출부는 상기 제3 공간부에 삽입되어 있는,
    스퍼터링용 타겟.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 타겟은 IZO, ITO, GIZO, TIZO, InZTO, 및 a-IGZO 중 어느 하나 이상으로 이루어지는,
    스퍼터링용 타겟.
  15. 백킹 플레이트;
    상기 백킹 플레이트 위에 형성되어 있는 복수의 타겟을 포함하는 스퍼터링용 타겟; 및,
    상기 백킹 플레이트와 상기 스퍼터링용 타겟 사이에 형성되어 상기 스퍼터링용 타겟을 상기 백킹 플레이트에 고정시키는 접착 부재를 포함하고,
    상기 복수의 타겟은 가장자리가 서로 중첩되어 있는,
    스퍼터링용 타겟 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 접착 부재는 인듐으로 이루어지는,
    스퍼터링용 타겟 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 복수의 타겟 중 적어도 하나의 타겟은,
    메인 타겟부; 및,
    상기 메인 타겟부의 일 측면의 상반부로부터 돌출되어 있는 제1 돌출부를 포함하는,
    스퍼터링용 타겟 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 복수의 타겟 중 적어도 하나의 타겟은,
    상기 메인 타겟부; 및,
    상기 메인 타겟부의 일 측면의 하반부로부터 돌출되어 있는 제2 돌출부를 포함하는,
    스퍼터링용 타겟 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 돌출부를 포함하는 타겟과 상기 제2 돌출부를 포함하는 타겟은 상기 제1 돌출부 및 상기 제2 돌출부가 서로 중첩되도록 배치되어 있는,
    스퍼터링용 타겟 장치.
  20. 원통 형상으로 이루어진 몸체부;
    상기 몸체부의 측면을 둘러싸도록 형성되어 있는 복수의 타겟을 포함하는 스퍼터링용 타겟; 및,
    상기 백킹 플레이트와 상기 스퍼터링용 타겟 사이에 형성되어 상기 스퍼터링용 타겟을 상기 백킹 플레이트에 고정시키는 접착 부재를 포함하고,
    상기 복수의 타겟은 가장자리가 서로 중첩되어 있는,
    스퍼터링용 타겟 장치.
KR1020120053110A 2012-05-18 2012-05-18 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치 KR20130128916A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120053110A KR20130128916A (ko) 2012-05-18 2012-05-18 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치
US13/617,741 US20130306466A1 (en) 2012-05-18 2012-09-14 Target for sputtering and apparatus including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120053110A KR20130128916A (ko) 2012-05-18 2012-05-18 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130128916A true KR20130128916A (ko) 2013-11-27

Family

ID=49580403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120053110A KR20130128916A (ko) 2012-05-18 2012-05-18 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20130306466A1 (ko)
KR (1) KR20130128916A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9337030B2 (en) * 2014-03-26 2016-05-10 Intermolecular, Inc. Method to grow in-situ crystalline IGZO using co-sputtering targets
CN115181939B (zh) * 2022-09-13 2022-12-27 苏州博志金钻科技有限责任公司 旋转式柱靶分层溅射制备纳米多层薄膜及合金薄膜的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63227773A (ja) * 1987-03-14 1988-09-22 Kobe Steel Ltd スパツタリング被膜形成方法
JPH10121232A (ja) * 1996-10-14 1998-05-12 Mitsubishi Chem Corp スパッタリングターゲット
JP4967202B2 (ja) * 2001-07-23 2012-07-04 大日本印刷株式会社 スパッタリング用ターゲット
ES2461493T3 (es) * 2009-01-30 2014-05-20 Praxair S.T. Technology, Inc. Objetivo tubular

Also Published As

Publication number Publication date
US20130306466A1 (en) 2013-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10036949B2 (en) Method for manufacturing photo mask and photo mask manufactured with same
US10964509B2 (en) Substrate side-deposition apparatus
TW200702468A (en) Improved magnetron sputtering system for large-area substrates
KR101600265B1 (ko) 화학기상증착장치
TW200702469A (en) Improved magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
TW201518532A (zh) 用於基板之支承配置及應用其之設備及方法
JP5654939B2 (ja) 成膜装置
KR20170000266U (ko) 기판 에지 마스킹 시스템
KR20160104194A (ko) 증착 장치
KR20130128916A (ko) 스퍼터링용 타겟 및 이를 포함하는 스퍼터링용 타겟 장치
JP2011127218A (ja) 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
KR20110033587A (ko) 증착 소스 및 유기 발광 소자 제조 방법
US11277930B2 (en) Method of manufacturing display substrate and display substrate motherboard
CN108026635A (zh) 用于在材料沉积工艺中承载基板的载体和用于承载基板的方法
KR101554466B1 (ko) 기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템
KR20140099340A (ko) 스퍼터링 장치 및 산화물 반도체 물질의 스퍼터링 방법
KR101456250B1 (ko) 냉각쉴드를 갖는 증착 소스 장치
KR20130039013A (ko) 마스크 프레임 조립체
JP2011099162A (ja) 薄膜形成装置、薄膜の製造方法及び電子素子の製造方法
KR20110122456A (ko) 액정표시장치의 제조장치 및 제조방법
WO2016107637A1 (en) Masking arrangement for masking a substrate during a deposition process, deposition apparatus for layer deposition on a substrate, and method for cleaning a masking arrangement
KR20180064505A (ko) 기판을 홀딩하기 위한 캐리어, 프로세싱 시스템에서의 캐리어의 사용, 캐리어를 이용하는 프로세싱 시스템, 및 기판의 온도를 제어하기 위한 방법
WO2015014410A1 (en) Holding arrangement for substrates
KR102279641B1 (ko) 스퍼터링 장치
KR20170061764A (ko) 스퍼터링 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application