TW201634717A - 用於在沉積製程期間遮蔽基板的遮罩裝置、用於在基板上之層沉積的沉積設備、及用於清洗遮罩裝置的方法 - Google Patents

Abstract

提供一種用於在一沉積製程期間遮蔽一基板(10)的遮罩裝置(100)。遮罩裝置(100)包含一或更多的表面區域(130)，配置為在沉積製程期間暴露於一材料沉積源，其中該一或更多的表面區域(130)係至少部份地塗佈有一焊料(140)。

Description

用於在沉積製程期間遮蔽基板的遮罩裝置、用於在基板上之層沉積的沉積設備、及用於清洗遮罩裝置的方法

本揭露書的實施例是關於一種用於在沉積製程期間遮蔽基板的遮罩裝置(masking arrangement)、一種用於在基板上之層沉積的沉積設備、和一種用於清洗遮罩裝置的方法。本揭露書的實施例特別是關於一種用於在濺鍍製程(sputter process)期間遮蔽基板的遮罩裝置、和一種用於在基板上之層濺鍍的沉積設備。

已知數種方法，用於沉積材料在基板上。舉例來說，基板可以藉由物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)製程、化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)製程、或電漿輔助化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition,  PECVD)製程、熱蒸鍍(thermal evaporation)製程等等來塗佈。製程能夠在放置待塗佈的基板的處理設備或處理室中進行。沉積材料係提供在該設備中。多種材料可以被使用於在基板上之沉積，但也可以使用其氧化物、氮化物、或碳化物。此外，能夠在處理室中進行其他處理步驟，像是蝕刻、建構(structuring)、退火、或類似處理步驟。被塗佈的基板能夠使用在數種應用中和數個技術領域中。舉例來說，一種應用落在電子領域。

基板在其處理期間能夠被支撐於載具上。一載具能夠形成為一框架或一平板，其沿著基板的周邊支撐基板的一表面，或是在後者的情況支撐該表面。用於在處理過程中遮蔽基板的遮罩裝置，能夠被連接固定到載具。一或更多的孔能夠提供在遮罩裝置的遮罩中，使得塗佈材料能夠被沉積到由孔所暴露的基板部分上。

遮罩裝置，或部分的遮罩裝置，應該偶爾地被清洗，以移除在沉積製程期間沉積於其上的塗佈材料。遮罩裝置，或部分的遮罩裝置，能夠例如藉由噴砂(sandblasting)來清洗。在噴砂期間，機械力或壓力係施加到遮罩裝置。這會導致遮罩裝置、或部分的遮罩裝置的彎曲或變形，使得遮罩裝置有時會無法使用。並且，當噴砂被用於遮罩裝置的清洗時，回收從遮罩裝置移除的塗佈材料會是具有挑戰性且昂貴的。另一種用於從遮罩裝置移除塗佈材料的清洗方法是使用化學物質。當貴金屬被用作為塗佈材料時，化學清洗是具有挑戰性或甚至不可能的。

基於上述情況，克服至少一些技術領域中之問題的新的用於在沉積製程期間遮蔽基板的遮罩裝置、用於在基板上之層沉積的沉積設備、和用於清洗遮罩裝置的方法，是有利的。特別是，本揭露書致力於提供新的遮罩裝置、沉積設備、和用於清洗遮罩裝置的方法，其減少或甚至避免至少部分之遮罩裝置如遮罩框架(mask frame)在其清洗期間的變形。

有鑑於上述情況，提供一種用於在沉積製程期間遮蔽基板的遮罩裝置、一種用於在基板上之層沉積的沉積設備、和一種用於清洗遮罩裝置的方法。本揭露書的其他方面、優點和特徵，係藉由請求項、說明書、和所附圖式而變得明朗。

根據本揭露書的一方面，提供一種用於在一沉積製程期間遮蔽一基板的遮罩裝置。該遮罩裝置包含一或更多的表面區域，其配置為在沉積製程期間暴露於一材料沉積源(material deposition source)，其中該一或更多的表面區域係至少部份地塗佈有一焊料。

根據本揭露書的另一方面，提供一種用於在一基板上之層沉積的沉積設備。該沉積設備包含：一處理室；一或更多的材料沉積源，提供在處理室中；以及一遮罩裝置，用於遮蔽基板，該遮罩裝置包含：一或更多的表面區域，其配置為在沉積製程期間暴露於材料沉積源，其中該一或更多的表面區域係至少部份地塗佈有一焊料。

根據本揭露書的又一方面，提供一種用於清洗一遮罩裝置的方法。該方法包含：加熱遮罩裝置的一或更多的表面區域，其中該一或更多的表面區域係至少部份地塗佈有一焊料，且其中該一或更多的表面區域係至少部份地被在一沉積製程期間沉積於該一或更多的表面區域上的一材料層所覆蓋；以及移除該材料層。

實施例也針對用於進行所揭露之方法的設備、和包含用於進行所述之方法方面的設備部分的設備。這些方法方面可以由硬體元件、以適當軟體編程的電腦、二者的組合、或以任何其他方式執行。再者，根據本揭露書的實施例也針對用於運作所述設備的方法。其包含用於實行設備之功能的方法方面。

現在將對於本揭露書的各種實施例進行詳細說明，本揭露書的一或多個示例係繪示於圖中。在以下對於圖式的敘述中，相同的元件符號是指示相同的元件。一般來說，只會對於個別實施例的不同之處進行敘述。各個示例的提供只是用以解釋本揭露書，而非欲用以限制本揭露書。此外，作為一實施例的一部分而被繪示或敘述的特徵，能夠被用於或結合其他實施例，以產生又另一實施例。所述內容意欲包含這樣的修改及變動。

第1圖示出根據這裡所述的實施例的一用於在沉積製程期間遮蔽基板的遮罩裝置100的示意圖。第2圖示出根據這裡所述的實施例的遮罩裝置100的遮罩框架110的一部份的示意圖。

用於在沉積製程期間遮蔽基板的遮罩裝置100包含一或更多的表面區域130，表面區域130配置為在沉積製程期間暴露於一材料沉積源，其中該一或更多的表面區域130係至少部份地塗佈有一焊料140。本揭露書的遮罩裝置100也能夠被稱為「屏障(shield)」或「塗佈屏障(coating shield)」。

根據一些實施例，遮罩裝置100包含一遮罩框架110和一遮罩120。遮罩框架110能夠被配置成用以沿著基板的周邊支撐基板的一表面。遮罩120能夠具有一特殊的圖案，其例如是由多個孔(apertures)如開口或洞所提供，使得塗佈材料通過該些孔，以沉積該塗佈材料之一結構化的層或膜至基板上。

該一或更多的表面區域130係至少部份地塗佈有焊料140，例如一在低溫熔融(melt)的焊料，比如InSn。在沉積製程期間，至少一部份的該一或更多的表面區域130能夠暴露於材料沉積源，且來自材料沉積源的塗佈材料係沉積在該一或更多的表面區域130上，以形成一材料層。焊料140能夠提供塗佈材料較佳的附著，並能夠避免剝落。在一清洗製程中，例如是在生產運行(production run)之後當要進行一清洗週期時，被塗佈的部分能夠在爐子中或在加熱台被加熱至高於焊料140的熔融溫度。材料層例如能夠被一整塊地剝除、或以一刮鏟(spattle)移除。這可以依照焊料140的類型和焊料140的厚度中至少一者而定。

本揭露書提供一能夠以簡單並有效的方式清洗的遮罩裝置100。特別是由於在清洗製程期間沒有施加會導致遮罩裝置100之變形或彎曲的機械壓力或力，遮罩裝置100，或部分的遮罩裝置100，能夠被重複使用。塗佈材料能夠被回收和重複使用。基於這點，本揭露書的遮罩裝置100能夠有利於其中進行要審慎處理的清洗和具有成本效益的回收的塗佈應用。

如這裡所使用的用詞「基板」，應特別囊括可撓性基板，例如軟質基材(web)或箔。然而，本揭露書並不受限於此，且用詞「基板」也可以囊括非可撓性基板，例如晶圓、透明結晶如藍寶石或類似物的薄片、或玻璃板。

材料沉積源能夠被配置成用以提供塗佈材料(例如藉由PVD、CVD、蒸鍍、濺鍍等等)，以在基板上進行沉積。塗佈材料能夠是貴金屬，例如金。遮罩裝置100能夠位在基板和材料沉積源之間。

根據一些能夠和這裡所述的其他實施例結合的實施例，基板和遮罩裝置100在沉積製程期間能夠被配置在一垂直方向。如本揭露書全文所使用的，用詞「垂直方向」，係理解成和「水平方向」有所區分。也就是說，「垂直方位」或「垂直方向」是關於例如遮罩裝置100和基板之一實質上垂直的方向，其中從一精準的垂直方向偏差幾度，例如高達10°或甚至高達15°，仍然被視為「實質上垂直的方向」。然而，本揭露書並不受限於如上所述之基板和遮罩裝置100的一垂直方向。作為例子，材料沉積源能夠被配置在基板上方，亦即，材料沉積源和基板能夠被定位在一水平配置。沉積製程，例如濺鍍，能夠接著從上到下地進行。在這樣的情況中，用詞「垂直方向」能夠例如是意指塗佈材料之移動的一主要方向。

根據一些能夠和這裡所述的其他實施例結合的實施例，該一或更多的表面區域130能夠至少部份地塗佈有一焊料140的層(「焊料層」)。焊料層能夠是一薄的焊料層。作為例子，焊料層能夠具有在0.01公釐到1公釐之範圍內的一厚度，特別是在0.01公釐到0.1公釐之範圍內，且更特別是在0.02公釐到0.05公釐之範圍內。

根據這裡所述的實施例的焊料140，能夠具有相對於該一或更多的表面區域的材料如銅或銅合金係有利的一潤濕性(wettability)。焊料140能夠是有延展性的(malleable)。在一些實施方案中，焊料140能夠被配置成用於補償熱膨脹差異，例如是該一或更多的表面區域的遮罩框架的熱膨脹差異。焊料140能夠具有低的蒸氣壓。

根據一些能夠和這裡所述的其他實施例結合的實施例，焊料140是軟焊料。作為例子，軟焊料能夠是在低溫熔融的焊料。用詞「軟焊料」，如本申請案全文所使用者，能夠被用於將本揭露書的焊料140從硬焊料區分。

在一些實施方案中，焊料140包含一金屬合金，特別是一易熔金屬合金(fusible metal alloy)。根據一些實施方案，焊料包含InSn，特別是In₅₀ Sn₅₀ 。In₅₀ Sn₅₀ 在潤濕性方面能夠是有利的。

根據一些實施例，焊料140具有在90°C到450°C之範圍內的熔點，特別是在90°C到200°C之範圍內，且更特別是在90°C到160°C之範圍內。在一些實施方案中，焊料140的熔點的溫度係低於材料沉積源所提供之塗佈材料的熔點的溫度。由於在清洗製程期間，只有焊料140熔融，而塗佈材料不熔融，這允許了塗佈材料之材料層的移除，例如是一整塊地被移除。

根據一些能夠和這裡所述的其他實施例結合的實施例，遮罩裝置100包含遮罩框架110。遮罩框架110能夠由銅或銅合金製成，或者能夠被銅或銅合金覆蓋或塗佈。在一些實施方案中，遮罩裝置100能夠包含被配置成用於在沉積製程期間遮蔽基板的遮罩120。作為例子，遮罩120能夠藉由夾持(clamping)、熔接(welding)、和磁性附著中的至少一者被連接至遮罩框架110。

在一些實施方案中，該一或更多的表面區域130係由遮罩框架110和遮罩120中的至少一者所提供。作為例子，該一或更多的表面區域130中的至少一者，係由遮罩框架110的至少一部份、和/或遮罩120的至少一部份所提供。

在一些實施例中，遮罩框架110包含一或更多的遮罩框架元件，其中該一或更多的表面區域130中的至少一表面區域，係由該一或更多的遮罩框架元件中的至少一者所提供。該一或更多的框架元件能夠包含一第一框架元件111、一第二框架元件112、一第三框架元件113、和一第四框架元件114。作為例子，第一框架元件111和第三框架元件113能夠分別被稱為頂部條和底部條。第一框架元件111和第三框架元件113也能夠被稱為水平框架元件。第二框架元件112和第四框架元件114能夠被稱為側邊條或垂直框架元件。在一些實施例中，第一框架元件111和第三框架元件113係平行配置，且/或第二框架元件112和第四框架元件114係平行配置。

根據一些能夠和這裡所述的其他實施例結合的實施例，該一或更多的框架元件可以定義一孔口(aperture opening)，該孔口被配置成用於容納遮罩120。該一或更多的框架元件能夠提供一遮罩支撐表面，其被配置成用於支撐遮罩120。在一些實施方案中，該一或更多的框架元件能夠是可連接以形成遮罩框架110的個別元件，或者能夠是一體地形成。在一些實施例中，遮罩框架110能夠具有一實質上為矩形的形狀。

該一或更多的表面區域130能夠是遮罩裝置100之一表面的複數部分，例如遮罩框架110之一表面和遮罩120之一表面中至少一者的複數部分。作為例子，該一或更多的表面區域130能夠被提供在遮罩框架110的前側，特別是在第一框架元件111、第二框架元件112、第三框架元件113、和第四框架元件114中至少一者的前側。遮罩框架110的前側能夠是一在沉積製程期間面向材料沉積源的表面。

根據一些能夠和這裡所述的其他實施例結合的實施例，至少部分的遮罩框架110，例如至少部分的遮罩框架110的前側，能夠被焊料140塗佈，以形成或提供該一或更多的表面區域130。作為例子，至少50%，特別是至少80%，且更特別是實質上約100%的遮罩框架110的前側，能夠被焊料140塗佈。在一些實施方案中，實質上整個遮罩框架110的前側係被焊料140塗佈，以形成或提供該一或更多的表面區域130。

根據一些實施例，該一或更多的表面區域130係由遮罩框架110所提供。作為例子，部分的遮罩框架110係塗佈有焊料，且遮罩120不具有任何被塗佈的部分。遮罩框架110能夠接著被清洗和重複使用，其中遮罩120能夠例如是由一新的遮罩所取代。

第3圖示出根據這裡所述的實施例的一遮蔽基板10的遮罩裝置100的剖面圖。

遮罩120係位在離基板10一段距離，以遮蔽或屏蔽基板10。遮罩120被示出為具有複數孔122。對於一些應用來說，基板10上由塗佈材料所形成的結構，應具有尖銳的特徵，例如尖銳的邊緣。尖銳的特徵能夠例如提供來改善形成在基板10上的結構的電性性質。為了提供尖銳的特徵，遮罩120應被放置在接近基板10處，例如在少於5公釐的一距離，特別是少於1公釐，且更特別是少於或約為0.3公釐。當遮罩框架110和/或遮罩120係由噴砂所清洗，會發生遮罩框架110和/或遮罩120的變形。遮罩120相對於基板10處在接近的位置在情洗之後不再是可能的，且/或遮罩120和基板10之間的距離會改變並在基板的寬度和/或長度上是不均勻的。

藉由本揭露書的遮罩裝置100，能夠減少或甚至避免遮罩框架110和/或遮罩120在清洗製程期間的變形，且遮罩120相對於基板10處在接近的位置是可能的。基板10上的結構能夠被形成為帶有尖銳的特徵如尖銳的邊緣，並且能夠達成改善所形成之結構的電性性質。

第4圖示出根據這裡所述的實施例的一用於清洗遮罩裝置的方法400的流程圖。第5A圖示出一被焊料140塗佈並具有材料層150於其上的遮罩框架110的剖面圖。第5B圖示出第5A圖的遮罩框架110在根據這裡所述的實施例的一清洗製程期間的剖面圖。

方法400包含：加熱遮罩裝置的一或更多的表面區域(方塊410)，其中該一或更多的表面區域係至少部份地塗佈有一焊料140，且其中該一或更多的表面區域係至少部份地被在一沉積製程期間沉積於該一或更多的表面區域上的一材料層150所覆蓋；以及移除材料層150(方塊420)。在一些實施例中，材料層150的一材料包含一貴金屬，特別是金。也就是說，由材料沉積源提供的塗佈材料能夠是一貴金屬，例如金。

在一些實施方案中，加熱該一或更多的表面區域包含將該一或更多的表面區域加熱(由第5B圖中的元件符號200所指示)至在90°C到450°C之範圍內的一溫度，特別是在90°C到200°C之範圍內，且更特別是約160°。該一或更多的表面區域能夠例如被加熱至高於焊料140的熔融溫度。材料層150能夠例如被一整塊地剝除、或以一刮鏟移除(由第5B圖中的元件符號210所指示)。這可以依照焊料140的類型和焊料140的厚度中至少一者而定。

根據一些能夠和這裡所述的其他實施例結合的實施例，該一或更多的表面區域的加熱，能夠使用爐子或加熱台來完成。作為例子，遮罩框架110能夠被放置在加熱台上，以加熱遮罩框架110，以熔融焊料140。當焊料140已被熔融，能夠移除材料層150。

根據一些實施例，方法400包含在已移除材料層之後，以焊料塗佈該一或更多的表面區域(方塊430)。這在當至少部分的焊料已伴隨著材料層150被移除時能夠是有利的。

根據這裡所述的實施例，用於清洗遮罩裝置的方法400，能夠藉由電腦程式、軟體、電腦軟體產品、和相關控制器的手段來進行，相關控制器能夠具有中央處理器、記憶體、使用者介面、和與用於處理大面積基板之設備的對應元件互通的輸入和輸出工具。

第6圖示出根據這裡所述的實施例的一用於在基板10上之層沉積的沉積設備600的示意圖。根據一些實施例，沉積設備被配置成用於濺鍍沉積。

沉積設備包含：一處理室612；一或更多的材料沉積源630，提供在處理室中；以及一遮罩裝置610，用於遮蔽基板10，遮罩裝置610包含：一或更多的表面區域，其配置為在沉積製程期間暴露於材料沉積源630，其中該一或更多的表面區域係至少部份地塗佈有一焊料。處理室612能夠具有一真空處理室。遮罩裝置610能夠被配置為根據這裡所述的實施例。

處理室612係適用於沉積製程，例如熱蒸鍍製程、PVD製程、CVD製程、濺鍍製程等等。基板10被示出為放置在一基板傳送裝置620上的一固持裝置(holding arrangement)或載具605、或者放置在其中。材料沉積源630係提供在處理室612中，面對待塗佈的基板10該側。材料沉積源630提供待沉積在基板10上的塗佈材料。

材料沉積源630可以是一其上帶有塗佈材料的靶材、或任何其他允許塗佈材料被釋放以沉積在基板10上的裝置。在一些實施例中，材料沉積源630可以是一可旋轉靶材。根據一些實施例，材料沉積源630可以是可移動的，以定位和/或更換材料沉積源630。根據其他實施例，材料沉積源630可以是一平面靶材。虛線665示例性地示出塗佈材料在處理室612運作期間的路徑。

根據一些實施例，沉積材料可以根據沉積製程和被塗佈的基板之後的應用來做選擇。作為例子，沉積材料能夠是一金屬，特別是一貴金屬。舉例而言，材料沉積源630的塗佈材料可以是金。

本揭露書提供一能夠以簡單並有效的方式清洗的遮罩裝置。特別是由於在清洗製程期間沒有施加機械壓力或力，遮罩裝置，或部分的遮罩裝置，能夠被重複使用。能夠是昂貴(例如金)的塗佈材料，能夠被回收和重複使用。基於這點，遮罩裝置能夠有利於其中進行要審慎處理的清洗和具有成本效益的回收的塗佈應用。

雖然上述內容是關於本揭露書的實施例，但可在不背離本揭露書的基本範圍的情況下，設計出本揭露書其他和更進一步的實施例，本揭露書的範圍係由下列的申請專利範圍而定。

10‧‧‧基板
100‧‧‧遮罩裝置
110‧‧‧遮罩框架
111‧‧‧第一框架元件
112‧‧‧第二框架元件
113‧‧‧第三框架元件
114‧‧‧第四框架元件
120‧‧‧遮罩
122‧‧‧孔
130‧‧‧表面區域
140‧‧‧焊料
150‧‧‧材料層
200‧‧‧元件符號
210‧‧‧元件符號
400‧‧‧方法
410‧‧‧方塊
420‧‧‧方塊
430‧‧‧方塊
600‧‧‧沉積設備
605‧‧‧固持裝置或載具
610‧‧‧遮罩裝置
612‧‧‧處理室
620‧‧‧基板傳送裝置
630‧‧‧材料沉積源
665‧‧‧虛線

為了能夠理解本揭露書上述特徵的細節，可以參照實施例，得到對於簡單總括於上之揭露內容更詳細的敘述。所附之圖式是關於本揭露書的實施例，並敘述如下： 第1圖示出根據這裡所述的實施例的一用於在沉積製程期間遮蔽基板的遮罩裝置的示意圖。 第2圖示出根據這裡所述的實施例的一遮罩裝置的遮罩框架的一部份的示意圖。 第3圖示出根據這裡所述的實施例的一遮蔽基板的遮罩裝置的剖面圖。 第4圖示出根據這裡所述的實施例的一用於清洗遮罩裝置的方法的流程圖。 第5A圖示出一被焊料塗佈並具有材料層於其上的遮罩框架的剖面圖。 第5B圖示出第5A圖的遮罩框架在根據這裡所述的實施例的一清洗製程期間的剖面圖。 第6圖示出根據這裡所述的實施例的一用於在基板上之層沉積的沉積設備的示意圖。

100‧‧‧遮罩裝置

110‧‧‧遮罩框架

111‧‧‧第一框架元件

112‧‧‧第二框架元件

113‧‧‧第三框架元件

114‧‧‧第四框架元件

120‧‧‧遮罩

130‧‧‧表面區域

Claims (20)

1. 一種用於在一沉積製程期間遮蔽一基板的遮罩裝置，該遮罩裝置包括： 一或更多的表面區域，配置為在該沉積製程期間暴露於一材料沉積源，其中該一或更多的表面區域係至少部份地塗佈有一焊料。
2. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩裝置，其中該焊料是軟焊料。
3. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩裝置，其中該焊料包含一金屬合金或一易熔金屬合金。
4. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩裝置，其中該焊料包含InSn或In₅₀ Sn₅₀ 。
5. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩裝置，其中該焊料具有在90°C到450°C之範圍內的一熔點。
6. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩裝置，其中該焊料的一熔點的溫度係低於該材料沉積源所提供之一塗佈材料的一熔點的溫度。
7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之遮罩裝置，包含一遮罩框架，該遮罩框架具有一或更多的遮罩框架元件，其中該一或更多的遮罩框架元件定義一孔口，該孔口被配置成用於容納一遮罩。
8. 如申請專利範圍第7項所述之遮罩裝置，其中該一或更多的表面區域中的至少一表面區域，係由該一或更多的遮罩框架元件中的至少一者所提供。
9. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之遮罩裝置，包含被配置成用於在該沉積製程期間遮蔽該基板的一遮罩。
10. 如申請專利範圍第7項所述之遮罩裝置，包含被配置成用於在該沉積製程期間遮蔽該基板的該遮罩。
11. 如申請專利範圍第9項所述之遮罩裝置，其中該一或更多的表面區域中的至少一者，係由該遮罩的至少一部份所提供。
12. 一種用於在一基板上之層沉積的沉積設備，包括： 一處理室； 一或更多的材料沉積源，提供在該處理室中；以及 一遮罩裝置，用於遮蔽該基板，該遮罩裝置包含： 一或更多的表面區域，配置為在一沉積製程期間暴露於該一或更多的材料沉積源，其中該一或更多的表面區域係至少部份地塗佈有一焊料。
13. 如申請專利範圍第12項所述之沉積設備，其中該遮罩裝置包含一遮罩框架，該遮罩框架具有一或更多的遮罩框架元件，其中該一或更多的遮罩框架元件定義一孔口，該孔口被配置成用於容納一遮罩，且其中該一或更多的表面區域中的至少一表面區域，係由該一或更多的遮罩框架元件中的至少一者所提供。
14. 如申請專利範圍第12項所述之沉積設備，其中該沉積設備被配置成用於濺鍍沉積。
15. 一種用於清洗一遮罩裝置的方法，包括： 加熱該遮罩裝置的一或更多的表面區域，其中該一或更多的表面區域係至少部份地塗佈有焊料，且其中該一或更多的表面區域係至少部份地被在一沉積製程期間沉積於該一或更多的表面區域上的一材料層所覆蓋；以及 移除該材料層。
16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中加熱該一或更多的表面區域包含： 將該一或更多的表面區域加熱至在90°C到450°C之範圍內的一溫度。
17. 如申請專利範圍第15項所述之方法，包含：     在已移除該材料層之後，以焊料塗佈該一或更多的表面區域。
18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，包含：     在已移除該材料層之後，以焊料塗佈該一或更多的表面區域。
19. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該材料層的一材料包含一貴金屬。
20. 如申請專利範圍第15至19項中任一項所述之方法，其中該遮罩裝置是如申請專利範圍第1項所述之遮罩裝置。