JPH09316643A - 物理蒸着装置の防着部品 - Google Patents
物理蒸着装置の防着部品Info
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- JPH09316643A JPH09316643A JP8180739A JP18073996A JPH09316643A JP H09316643 A JPH09316643 A JP H09316643A JP 8180739 A JP8180739 A JP 8180739A JP 18073996 A JP18073996 A JP 18073996A JP H09316643 A JPH09316643 A JP H09316643A
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- physical vapor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 物理蒸着装置を使用してCD−ROM、CD
−RまたはCD−E基板に金属、特に貴金属物理蒸着膜
を形成するに際し、物理蒸着膜を付着させない個所に使
用する防着部品、特にマスキング治具を提供する。 【解決手段】 マスキング治具2などの防着部品基体表
面に、表面粗さは、JIS B 0601で規定される
算術平均粗さ(以下、Raで示す):0.01〜1μ
m、厚さ:5〜100μm、融点:100〜450℃の
ハンダ膜を形成し、このハンダ膜の上にハンダメッキし
たCu線27またはハンダメッキしたCu箔テープ、A
l箔テープおよび合成樹脂テープの内の1種以上を剥離
可能に接着したことを特徴とする。
−RまたはCD−E基板に金属、特に貴金属物理蒸着膜
を形成するに際し、物理蒸着膜を付着させない個所に使
用する防着部品、特にマスキング治具を提供する。 【解決手段】 マスキング治具2などの防着部品基体表
面に、表面粗さは、JIS B 0601で規定される
算術平均粗さ(以下、Raで示す):0.01〜1μ
m、厚さ:5〜100μm、融点:100〜450℃の
ハンダ膜を形成し、このハンダ膜の上にハンダメッキし
たCu線27またはハンダメッキしたCu箔テープ、A
l箔テープおよび合成樹脂テープの内の1種以上を剥離
可能に接着したことを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、物理蒸着装置を
使用してCD−ROM(メモリー専用コンパクトディス
ク)、CD−R(記録・再生可能なコンパクトディス
ク)またはCD−E(消去可能なコンパクトディスク)
など(以下、これらをCDと総称する)の基板の表面に
反射膜としての金属物理蒸着膜、特に貴金属物理蒸着膜
を形成するに際し、物理蒸着膜を付着させたくない個所
に使用する防着部品(例えば、マスキング治具、シール
ドリング、シャッターなど)に関するものであり、また
この発明は、貴金属の内でも特にAuを物理蒸着するた
めの装置のマスキング治具に関するものである。
使用してCD−ROM(メモリー専用コンパクトディス
ク)、CD−R(記録・再生可能なコンパクトディス
ク)またはCD−E(消去可能なコンパクトディスク)
など(以下、これらをCDと総称する)の基板の表面に
反射膜としての金属物理蒸着膜、特に貴金属物理蒸着膜
を形成するに際し、物理蒸着膜を付着させたくない個所
に使用する防着部品(例えば、マスキング治具、シール
ドリング、シャッターなど)に関するものであり、また
この発明は、貴金属の内でも特にAuを物理蒸着するた
めの装置のマスキング治具に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、CD−ROM、CD−RまたはC
D−EなどのCDの基板の表面に反射膜としてAu物理
蒸着膜を形成して作製することは良く知られているとこ
ろであり、そのためのAu物理蒸着装置は、図1に示さ
れるように、Au物理蒸着装置の容器(図示せず)の内
壁にAu物理蒸着膜が付着するのを防止するためのシー
ルドリング5、CD基板1の表面にリング状のAu物理
蒸着膜4を形成してCDを作製したのち新しいCD基板
1と交換する時にAuターゲットから発生した活性Au
金属7の流れを一時遮断するためのシャッター6などを
有している。
D−EなどのCDの基板の表面に反射膜としてAu物理
蒸着膜を形成して作製することは良く知られているとこ
ろであり、そのためのAu物理蒸着装置は、図1に示さ
れるように、Au物理蒸着装置の容器(図示せず)の内
壁にAu物理蒸着膜が付着するのを防止するためのシー
ルドリング5、CD基板1の表面にリング状のAu物理
蒸着膜4を形成してCDを作製したのち新しいCD基板
1と交換する時にAuターゲットから発生した活性Au
金属7の流れを一時遮断するためのシャッター6などを
有している。
【0003】前記Au物理蒸着装置を用いてCD基板1
の表面にリング状のAu物理蒸着膜4を形成するには、
図1に示されるように、CD基板1の上にマスキング治
具2を載置した状態でAu物理蒸着装置のシールドリン
グ5内に設置し、Auターゲット3から発生した活性A
u金属7をCD基板1に物理蒸着させる。
の表面にリング状のAu物理蒸着膜4を形成するには、
図1に示されるように、CD基板1の上にマスキング治
具2を載置した状態でAu物理蒸着装置のシールドリン
グ5内に設置し、Auターゲット3から発生した活性A
u金属7をCD基板1に物理蒸着させる。
【0004】前記CD基板1に載置するマスキング治具
2は、いかなる金属材料で製造することも可能である
が、主としてCuまたはCu合金で作られており、図2
の斜視図に示されるように、円板状の中央遮蔽板21と
リング状の外周遮蔽板22を有しており、中央遮蔽板2
1とリング状外周遮蔽板22とは同心円状にかつ中央遮
蔽板21と外周遮蔽板22の間にリング状開口23を形
成するように取り付けられており、さらに前記中央遮蔽
板21は外周胴24から伸びた支持腕25により支柱2
6を介して支持されている構造になっている。
2は、いかなる金属材料で製造することも可能である
が、主としてCuまたはCu合金で作られており、図2
の斜視図に示されるように、円板状の中央遮蔽板21と
リング状の外周遮蔽板22を有しており、中央遮蔽板2
1とリング状外周遮蔽板22とは同心円状にかつ中央遮
蔽板21と外周遮蔽板22の間にリング状開口23を形
成するように取り付けられており、さらに前記中央遮蔽
板21は外周胴24から伸びた支持腕25により支柱2
6を介して支持されている構造になっている。
【0005】かかる構造のマスキング治具2をCD基板
1の上に載置してCD基板1の表面にリング状のAu物
理蒸着膜4を形成すると、載置したマスキング治具2の
表面にも当然Au物理蒸着膜4は付着する。このマスキ
ング治具2の表面に付着したAu物理蒸着膜4は回収す
るが、その回収方法として(イ)サンドブラスト処理な
どの機械的剥離による回収方法、(ロ)マスキング治具
の表面にアルミニウム膜を形成しておき、このアルミニ
ウム膜をNaOH水溶液により溶解することによりアル
ミニウム膜の上に形成されたAu物理蒸着膜を回収する
方法、(ハ)表面に白金族金属(Pt,Rh,Ir,R
uなど)の電気メッキ層を形成したマスキング治具を使
用し、このマスキング治具の表面に物理蒸着したAuを
市販の金剥離剤を用いて回収する方法、などが知られて
いる。
1の上に載置してCD基板1の表面にリング状のAu物
理蒸着膜4を形成すると、載置したマスキング治具2の
表面にも当然Au物理蒸着膜4は付着する。このマスキ
ング治具2の表面に付着したAu物理蒸着膜4は回収す
るが、その回収方法として(イ)サンドブラスト処理な
どの機械的剥離による回収方法、(ロ)マスキング治具
の表面にアルミニウム膜を形成しておき、このアルミニ
ウム膜をNaOH水溶液により溶解することによりアル
ミニウム膜の上に形成されたAu物理蒸着膜を回収する
方法、(ハ)表面に白金族金属(Pt,Rh,Ir,R
uなど)の電気メッキ層を形成したマスキング治具を使
用し、このマスキング治具の表面に物理蒸着したAuを
市販の金剥離剤を用いて回収する方法、などが知られて
いる。
【0006】これらの方法により物理蒸着したAuを回
収除去した後、マスキング治具は再利用される。したが
って、従来のマスキング治具としては、CuまたはCu
合金からなるマスキング治具基体のみからなるマスキン
グ治具、CuまたはCu合金からなるマスキング治具基
体の表面にアルミニウム膜を形成したマスキング治具、
CuまたはCu合金からなるマスキング治具基体の表面
に白金族金属(Pt,Rh,Ir,Ruなど)の電気メ
ッキ層を形成したマスキング治具などが知られている。
収除去した後、マスキング治具は再利用される。したが
って、従来のマスキング治具としては、CuまたはCu
合金からなるマスキング治具基体のみからなるマスキン
グ治具、CuまたはCu合金からなるマスキング治具基
体の表面にアルミニウム膜を形成したマスキング治具、
CuまたはCu合金からなるマスキング治具基体の表面
に白金族金属(Pt,Rh,Ir,Ruなど)の電気メ
ッキ層を形成したマスキング治具などが知られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、サンドブラス
ト処理などの機械的剥離による回収方法は、何度も繰り
返し回収を行うと、精密な寸法精度および水平度が要求
されるマスキング治具が変形したり寸法が小さくなった
りして使用寿命が極めて短くなり、高価なマスキング治
具を長期間再利用するには好ましくない。また、サンド
ブラスト処理粉からのAu回収はマスキング治具のCu
またはCu合金も含まれているために、回収に多くの工
程を必要とするので効率が悪い。
ト処理などの機械的剥離による回収方法は、何度も繰り
返し回収を行うと、精密な寸法精度および水平度が要求
されるマスキング治具が変形したり寸法が小さくなった
りして使用寿命が極めて短くなり、高価なマスキング治
具を長期間再利用するには好ましくない。また、サンド
ブラスト処理粉からのAu回収はマスキング治具のCu
またはCu合金も含まれているために、回収に多くの工
程を必要とするので効率が悪い。
【0008】一方、マスキング治具の表面にアルミニウ
ム膜を物理蒸着等により形成し、その上にAuを物理蒸
着する方法では、Au物理蒸着膜を回収してマスキング
治具を再利用するたびにアルミニウム膜を形成する必要
があり、さらに、形成したアルミニウム膜はアルミナ被
膜になりやすいので保管に注意が必要であり、また回収
の際のNaOH溶液への浸漬によりCu素地が腐食する
という欠点があった。
ム膜を物理蒸着等により形成し、その上にAuを物理蒸
着する方法では、Au物理蒸着膜を回収してマスキング
治具を再利用するたびにアルミニウム膜を形成する必要
があり、さらに、形成したアルミニウム膜はアルミナ被
膜になりやすいので保管に注意が必要であり、また回収
の際のNaOH溶液への浸漬によりCu素地が腐食する
という欠点があった。
【0009】したがって、現在では白金族金属の電気メ
ッキ層を形成したマスキング治具を使用し、Au物理蒸
着のマスキング治具を市販の金剥離剤とKCNとNaO
Hを溶解した水溶液に温度:50℃以下に保ちながら浸
漬し、物理蒸着したAuをシアン錯体として回収する前
記(ハ)の方法が最も多く使用されている。しかし白金
族金属の電気メッキ層は下地の形状に応じてメッキ層の
厚さが著しく異なり、均一な白金族金属の電気メッキ層
を得ることは困難であった。例えば、CuまたはCu合
金製マスキング治具の表面にピンホールまたは鋭角部分
があると、その部分の白金族金属の電気メッキ層は極端
に薄くなり、このメッキ層の薄い部分からCuまたはC
u合金製マスキング治具基体が溶解腐食し、マスキング
治具の再利用できる回数が減少するという課題があっ
た。
ッキ層を形成したマスキング治具を使用し、Au物理蒸
着のマスキング治具を市販の金剥離剤とKCNとNaO
Hを溶解した水溶液に温度:50℃以下に保ちながら浸
漬し、物理蒸着したAuをシアン錯体として回収する前
記(ハ)の方法が最も多く使用されている。しかし白金
族金属の電気メッキ層は下地の形状に応じてメッキ層の
厚さが著しく異なり、均一な白金族金属の電気メッキ層
を得ることは困難であった。例えば、CuまたはCu合
金製マスキング治具の表面にピンホールまたは鋭角部分
があると、その部分の白金族金属の電気メッキ層は極端
に薄くなり、このメッキ層の薄い部分からCuまたはC
u合金製マスキング治具基体が溶解腐食し、マスキング
治具の再利用できる回数が減少するという課題があっ
た。
【0010】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
前記従来のマスキング治具よりもAu物理蒸着膜の回収
が簡単に行えてかつ何回も再利用可能なマスキング治具
を得るべく研究を行った結果、(a)CuまたはCu合
金製マスキング治具基体の表面にハンダ膜を形成してお
くと、ハンダ膜表面にAu物理蒸着膜が付着しても、こ
のAu物理蒸着膜が付着したマスキング治具をハンダ剥
離剤に浸漬し必要に応じて揺動することによりマスキン
グ治具基体表面のハンダ膜を短時間で簡単に除去するこ
とができ、したがって、ハンダ膜の除去と同時にハンダ
膜の表面に付着したAu物理蒸着膜も短時間で簡単に剥
離することができる、(b)この時、CuまたはCu合
金を腐食することの少ないハンダ剥離剤を使用すること
によりマスキング治具基体の腐食を一層少なくすること
ができ、従来のマスキング治具に付着した物理蒸着Au
の回収方法と比べてマスキング治具の再利用回数が大幅
に増加する、(c)ハンダ膜は、従来のアルミニウム膜
および白金族金属膜よりも簡単に形成することができ
る、(d)前記表面にハンダ膜を形成したマスキング治
具を使用してAu物理蒸着を長持間行うと、Auがマス
キング治具のハンダ膜全面に付着して、ハンダ剥離剤と
ハンダ膜とが接触せず、Auが付着したマスキング治具
をハンダ剥離剤に浸漬して揺動しても、ハンダ膜がマス
キング治具から剥離せず、したがって貴金属を回収でき
ないことがあるが、この様な場合には、CuまたはCu
合金製マスキング治具基体の表面に形成したハンダ膜の
上面に、さらにハンダメッキしたCu線もしくはCu箔
テープ、Al箔テープまたは合成樹脂テープを接着剤を
介して剥離可能に張り付けておき、Au物理蒸着を行っ
た後、ハンダメッキしたCu線もしくはハンダメッキし
たCu箔テープ、Al箔テープまたは合成樹脂テープを
剥がすと、前記Cu線、Cu箔テープ、Al箔テープま
たは合成樹脂テープを張り付けた部分のマスキング治具
基体表面のハンダ膜が露出し、このハンダ膜が一部露出
したAu物理蒸着膜付着マスキング治具をハンダ剥離剤
に浸漬し必要に応じて揺動すると、露出したハンダ膜部
分からハンダ剥離が始まり、マスキング治具全体のハン
ダ膜の除去と同時にハンダ膜の表面に付着したAu物理
蒸着膜を一層短時間で簡単に剥離することができる、な
どの知見を得たのである。
前記従来のマスキング治具よりもAu物理蒸着膜の回収
が簡単に行えてかつ何回も再利用可能なマスキング治具
を得るべく研究を行った結果、(a)CuまたはCu合
金製マスキング治具基体の表面にハンダ膜を形成してお
くと、ハンダ膜表面にAu物理蒸着膜が付着しても、こ
のAu物理蒸着膜が付着したマスキング治具をハンダ剥
離剤に浸漬し必要に応じて揺動することによりマスキン
グ治具基体表面のハンダ膜を短時間で簡単に除去するこ
とができ、したがって、ハンダ膜の除去と同時にハンダ
膜の表面に付着したAu物理蒸着膜も短時間で簡単に剥
離することができる、(b)この時、CuまたはCu合
金を腐食することの少ないハンダ剥離剤を使用すること
によりマスキング治具基体の腐食を一層少なくすること
ができ、従来のマスキング治具に付着した物理蒸着Au
の回収方法と比べてマスキング治具の再利用回数が大幅
に増加する、(c)ハンダ膜は、従来のアルミニウム膜
および白金族金属膜よりも簡単に形成することができ
る、(d)前記表面にハンダ膜を形成したマスキング治
具を使用してAu物理蒸着を長持間行うと、Auがマス
キング治具のハンダ膜全面に付着して、ハンダ剥離剤と
ハンダ膜とが接触せず、Auが付着したマスキング治具
をハンダ剥離剤に浸漬して揺動しても、ハンダ膜がマス
キング治具から剥離せず、したがって貴金属を回収でき
ないことがあるが、この様な場合には、CuまたはCu
合金製マスキング治具基体の表面に形成したハンダ膜の
上面に、さらにハンダメッキしたCu線もしくはCu箔
テープ、Al箔テープまたは合成樹脂テープを接着剤を
介して剥離可能に張り付けておき、Au物理蒸着を行っ
た後、ハンダメッキしたCu線もしくはハンダメッキし
たCu箔テープ、Al箔テープまたは合成樹脂テープを
剥がすと、前記Cu線、Cu箔テープ、Al箔テープま
たは合成樹脂テープを張り付けた部分のマスキング治具
基体表面のハンダ膜が露出し、このハンダ膜が一部露出
したAu物理蒸着膜付着マスキング治具をハンダ剥離剤
に浸漬し必要に応じて揺動すると、露出したハンダ膜部
分からハンダ剥離が始まり、マスキング治具全体のハン
ダ膜の除去と同時にハンダ膜の表面に付着したAu物理
蒸着膜を一層短時間で簡単に剥離することができる、な
どの知見を得たのである。
【0011】この発明は、かかる知見に基づいてなされ
たものであって、(1)マスキング治具基体表面にハン
ダ膜を形成してなるAu物理蒸着装置のマスキング治
具、特にCuまたはCu合金製マスキング治具基体表面
にハンダ膜を形成してなるAu物理蒸着装置のマスキン
グ治具、に特徴を有するものである。
たものであって、(1)マスキング治具基体表面にハン
ダ膜を形成してなるAu物理蒸着装置のマスキング治
具、特にCuまたはCu合金製マスキング治具基体表面
にハンダ膜を形成してなるAu物理蒸着装置のマスキン
グ治具、に特徴を有するものである。
【0012】マスキング治具基体、特にCuまたはCu
合金製マスキング治具基体の表面に形成する前記(1)
記載のハンダ膜の膜厚は、5μm未満ではマスキング治
具基体の表面を十分に保護することができず、一方、1
00μmを越えるとハンダ膜の除去に時間がかかりすぎ
るので好ましくない。従って、マスキング治具基体の表
面に形成するハンダ膜の膜厚は5〜100μmに定め
た。このハンダ膜の膜厚の一層好ましい範囲は、10〜
50μmである。従って、この発明は、(2)マスキン
グ治具基体、特にCuまたはCu合金製マスキング治具
基体表面に膜厚:5〜100μmのハンダ膜を形成して
なるAu物理蒸着装置のマスキング治具、に特徴を有す
るものである。
合金製マスキング治具基体の表面に形成する前記(1)
記載のハンダ膜の膜厚は、5μm未満ではマスキング治
具基体の表面を十分に保護することができず、一方、1
00μmを越えるとハンダ膜の除去に時間がかかりすぎ
るので好ましくない。従って、マスキング治具基体の表
面に形成するハンダ膜の膜厚は5〜100μmに定め
た。このハンダ膜の膜厚の一層好ましい範囲は、10〜
50μmである。従って、この発明は、(2)マスキン
グ治具基体、特にCuまたはCu合金製マスキング治具
基体表面に膜厚:5〜100μmのハンダ膜を形成して
なるAu物理蒸着装置のマスキング治具、に特徴を有す
るものである。
【0013】そして前記ハンダ膜のハンダは、JIS
Z 3282−86で規定されるハンダであればいずれ
でも良いが、Au物理蒸着中のハンダ膜の耐熱性および
マスキング治具基体のCuとハンダに含まれるSnとの
金属間化合物生成を抑制するためにも融点が100℃以
上あるハンダを使用することが好ましく、従って、融
点:100〜450℃の軟ろうを使用することが好まし
い。従って、この発明は、(3)マスキング治具基体、
特にCuまたはCu合金製マスキング治具基体表面に融
点:100〜450℃の軟ろうからなるハンダ膜を形成
してなるAu物理蒸着装置のマスキング治具、および、
(4)マスキング治具基体、特にCuまたはCu合金製
マスキング治具基体表面に融点:100〜450℃の軟
ろうからなる膜厚:5〜100μmのハンダ膜を形成し
てなるAu物理蒸着装置のマスキング治具、に特徴を有
するものである。
Z 3282−86で規定されるハンダであればいずれ
でも良いが、Au物理蒸着中のハンダ膜の耐熱性および
マスキング治具基体のCuとハンダに含まれるSnとの
金属間化合物生成を抑制するためにも融点が100℃以
上あるハンダを使用することが好ましく、従って、融
点:100〜450℃の軟ろうを使用することが好まし
い。従って、この発明は、(3)マスキング治具基体、
特にCuまたはCu合金製マスキング治具基体表面に融
点:100〜450℃の軟ろうからなるハンダ膜を形成
してなるAu物理蒸着装置のマスキング治具、および、
(4)マスキング治具基体、特にCuまたはCu合金製
マスキング治具基体表面に融点:100〜450℃の軟
ろうからなる膜厚:5〜100μmのハンダ膜を形成し
てなるAu物理蒸着装置のマスキング治具、に特徴を有
するものである。
【0014】この発明のハンダ膜はAuだけでなく、A
u以外の貴金属(Ag、Pt、Pd、Rh)を物理蒸着
する装置のマスキング治具に形成することができ、また
物理蒸着装置のマスキング治具だけでなく、図1に示さ
れる物理蒸着装置のシールドリング5、シャッター6な
どの表面に形成することによりこれら各種部品の再利用
回数を増加させることができる。したがって、マスキン
グ治具、シールドリング、シャッターなど物理蒸着装置
における蒸着膜の付着防止部品のすべてを「防着部品」
と総称すると、この発明は、(5)金属製防着部品基
体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体の表面にハ
ンダ膜を形成してなる貴金属物理蒸着装置の防着部品に
特徴を有するものである。
u以外の貴金属(Ag、Pt、Pd、Rh)を物理蒸着
する装置のマスキング治具に形成することができ、また
物理蒸着装置のマスキング治具だけでなく、図1に示さ
れる物理蒸着装置のシールドリング5、シャッター6な
どの表面に形成することによりこれら各種部品の再利用
回数を増加させることができる。したがって、マスキン
グ治具、シールドリング、シャッターなど物理蒸着装置
における蒸着膜の付着防止部品のすべてを「防着部品」
と総称すると、この発明は、(5)金属製防着部品基
体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体の表面にハ
ンダ膜を形成してなる貴金属物理蒸着装置の防着部品に
特徴を有するものである。
【0015】この金属製防着部品基体、特にCuまたは
Cu合金製防着部品基体の表面に形成されるハンダ膜
は、前記マスキング治具基体表面に形成されるハンダ膜
と同じであるから、この発明は、(6)金属製防着部品
基体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に膜
厚:5〜100μmのハンダ膜を形成してなる貴金属物
理蒸着装置の防着部品、(7)金属製防着部品基体、特
にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に融点:10
0〜450℃の軟ろうからなるハンダ膜を形成してなる
貴金属物理蒸着装置の防着部品、(8)金属製防着部品
基体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に融
点:100〜450℃の軟ろうからなる膜厚:5〜10
0μmのハンダ膜を形成してなる貴金属物理蒸着装置の
防着部品、に特徴を有するものである。
Cu合金製防着部品基体の表面に形成されるハンダ膜
は、前記マスキング治具基体表面に形成されるハンダ膜
と同じであるから、この発明は、(6)金属製防着部品
基体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に膜
厚:5〜100μmのハンダ膜を形成してなる貴金属物
理蒸着装置の防着部品、(7)金属製防着部品基体、特
にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に融点:10
0〜450℃の軟ろうからなるハンダ膜を形成してなる
貴金属物理蒸着装置の防着部品、(8)金属製防着部品
基体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に融
点:100〜450℃の軟ろうからなる膜厚:5〜10
0μmのハンダ膜を形成してなる貴金属物理蒸着装置の
防着部品、に特徴を有するものである。
【0016】金属製防着部品基体は、耐熱性に優れたい
かなる金属材料で作製することもできるが、熱伝導性、
価格などを考慮すると、CuまたはCu合金で作ること
が好ましく、この防着部品基体の表面のハンダ膜は、電
気メッキ法、無電解メッキ法、物理蒸着法、ハンダぺー
スト塗布法などその他いずれの方法によっても形成する
ことができる。また、この発明のハンダ膜を有する防着
部品の表面に物理蒸着を施すことにより付着した金属膜
を除去するには、金属膜が付着した防着部品をハンダ剥
離剤の中に浸漬し、必要に応じて振動させれば良い。
かなる金属材料で作製することもできるが、熱伝導性、
価格などを考慮すると、CuまたはCu合金で作ること
が好ましく、この防着部品基体の表面のハンダ膜は、電
気メッキ法、無電解メッキ法、物理蒸着法、ハンダぺー
スト塗布法などその他いずれの方法によっても形成する
ことができる。また、この発明のハンダ膜を有する防着
部品の表面に物理蒸着を施すことにより付着した金属膜
を除去するには、金属膜が付着した防着部品をハンダ剥
離剤の中に浸漬し、必要に応じて振動させれば良い。
【0017】この発明のハンダ膜を有する防着部品は、
貴金属(Au、Ag、Pt、Pd、Rh)を物理蒸着す
る装置の防着部品だけでなく、貴金属以外のCr、N
i、Al、Cuなどの金属を物理蒸着する装置の防着部
品としても使用することができる。したがって、この発
明は、(9)金属製防着部品基体、特にCuまたはCu
合金製防着部品基体の表面にハンダ膜を形成してなる金
属物理蒸着装置の防着部品、(10)金属製防着部品基
体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に膜
厚:5〜100μmのハンダ膜を形成してなる金属物理
蒸着装置の防着部品、(11)金属製防着部品基体、特に
CuまたはCu合金製防着部品基体表面に融点:100
〜450℃の軟ろうからなるハンダ膜を形成してなる金
属物理蒸着装置の防着部品、(12)金属製防着部品基
体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に融
点:100〜450℃の軟ろうからなる膜厚:5〜10
0μmのハンダ膜を形成してなる金属物理蒸着装置の防
着部品、に特徴を有するものである。
貴金属(Au、Ag、Pt、Pd、Rh)を物理蒸着す
る装置の防着部品だけでなく、貴金属以外のCr、N
i、Al、Cuなどの金属を物理蒸着する装置の防着部
品としても使用することができる。したがって、この発
明は、(9)金属製防着部品基体、特にCuまたはCu
合金製防着部品基体の表面にハンダ膜を形成してなる金
属物理蒸着装置の防着部品、(10)金属製防着部品基
体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に膜
厚:5〜100μmのハンダ膜を形成してなる金属物理
蒸着装置の防着部品、(11)金属製防着部品基体、特に
CuまたはCu合金製防着部品基体表面に融点:100
〜450℃の軟ろうからなるハンダ膜を形成してなる金
属物理蒸着装置の防着部品、(12)金属製防着部品基
体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に融
点:100〜450℃の軟ろうからなる膜厚:5〜10
0μmのハンダ膜を形成してなる金属物理蒸着装置の防
着部品、に特徴を有するものである。
【0018】前記ハンダ膜を形成してなる金属物理蒸着
装置の防着部品は、いずれも優れた効果を奏するもので
あるが、貴金属が防着部品のハンダ膜全面に付着してい
ると、ハンダ剥離剤がハンダ膜と接触せず、貴金属が付
着した防着部品をハンダ剥離剤に浸漬して揺動しても、
ハンダ膜が防着部品から剥離しにくく、したがって貴金
属の回収に時間がかかることがある。このような場合に
は、防着部品の表面に形成したハンダ膜の上面に、予め
ハンダメッキしたCu線もしくはCu箔テープ、Al箔
テープまたは合成樹脂テープを接着剤を介して剥離可能
に接着しておき、Au物理蒸着を行った後、ハンダメッ
キしたCu線もしくはハンダメッキしたCu箔テープ、
Al箔テープまたは合成樹脂テープを剥がすと、その部
分のハンダ膜が露出し、このハンダ膜が一部露出したA
u物理蒸着膜付着マスキング治具をハンダ剥離剤に浸漬
し必要に応じて揺動することにより、ハンダ膜の除去と
同時にハンダ膜の表面に付着したAu物理蒸着膜を一層
短時間で簡単に剥離することができる。
装置の防着部品は、いずれも優れた効果を奏するもので
あるが、貴金属が防着部品のハンダ膜全面に付着してい
ると、ハンダ剥離剤がハンダ膜と接触せず、貴金属が付
着した防着部品をハンダ剥離剤に浸漬して揺動しても、
ハンダ膜が防着部品から剥離しにくく、したがって貴金
属の回収に時間がかかることがある。このような場合に
は、防着部品の表面に形成したハンダ膜の上面に、予め
ハンダメッキしたCu線もしくはCu箔テープ、Al箔
テープまたは合成樹脂テープを接着剤を介して剥離可能
に接着しておき、Au物理蒸着を行った後、ハンダメッ
キしたCu線もしくはハンダメッキしたCu箔テープ、
Al箔テープまたは合成樹脂テープを剥がすと、その部
分のハンダ膜が露出し、このハンダ膜が一部露出したA
u物理蒸着膜付着マスキング治具をハンダ剥離剤に浸漬
し必要に応じて揺動することにより、ハンダ膜の除去と
同時にハンダ膜の表面に付着したAu物理蒸着膜を一層
短時間で簡単に剥離することができる。
【0019】従って、この発明は、(13)マスキング治
具基体表面にハンダ膜を形成してなるAu物理蒸着装置
のマスキング治具、特にCuまたはCu合金製マスキン
グ治具基体表面にハンダ膜を形成してなるAu物理蒸着
装置のマスキング治具のハンダ膜の上に、ハンダメッキ
したCu線またはハンダメッキしたCu箔テープ、Al
箔テープおよび合成樹脂テープの内の1種以上を接着剤
を介して剥離可能に接着してなるAu物理蒸着装置のマ
スキング治具、に特徴を有するものである。
具基体表面にハンダ膜を形成してなるAu物理蒸着装置
のマスキング治具、特にCuまたはCu合金製マスキン
グ治具基体表面にハンダ膜を形成してなるAu物理蒸着
装置のマスキング治具のハンダ膜の上に、ハンダメッキ
したCu線またはハンダメッキしたCu箔テープ、Al
箔テープおよび合成樹脂テープの内の1種以上を接着剤
を介して剥離可能に接着してなるAu物理蒸着装置のマ
スキング治具、に特徴を有するものである。
【0020】マスキング治具基体、特にCuまたはCu
合金製マスキング治具基体の表面に形成されるハンダ膜
は、融点:100〜450℃の軟ろうからなる膜厚:5
〜100μmのハンダ膜であることが好ましいのは明ら
かであるから、この発明は、(14)マスキング治具基
体、特にCuまたはCu合金製マスキング治具基体表面
に融点:100〜450℃の軟ろうからなるハンダ膜を
形成してなるAu物理蒸着装置のマスキング治具のハン
ダ膜の上に、ハンダメッキしたCu線またはハンダメッ
キしたCu箔テープ、Al箔テープおよび合成樹脂テー
プの内の1種以上を接着剤を介して剥離可能に接着して
なるAu物理蒸着装置のマスキング治具、および、(1
5)マスキング治具基体、特にCuまたはCu合金製マ
スキング治具基体表面に融点:100〜450℃の軟ろ
うからなる膜厚:5〜100μmのハンダ膜を形成して
なるAu物理蒸着装置のマスキング治具のハンダ膜の上
に、ハンダメッキしたCu線またはハンダメッキしたC
u箔テープ、Al箔テープおよび合成樹脂テープの内の
1種以上を接着剤を介して剥離可能に接着してなるAu
物理蒸着装置のマスキング治具、に特徴を有するもので
ある。
合金製マスキング治具基体の表面に形成されるハンダ膜
は、融点:100〜450℃の軟ろうからなる膜厚:5
〜100μmのハンダ膜であることが好ましいのは明ら
かであるから、この発明は、(14)マスキング治具基
体、特にCuまたはCu合金製マスキング治具基体表面
に融点:100〜450℃の軟ろうからなるハンダ膜を
形成してなるAu物理蒸着装置のマスキング治具のハン
ダ膜の上に、ハンダメッキしたCu線またはハンダメッ
キしたCu箔テープ、Al箔テープおよび合成樹脂テー
プの内の1種以上を接着剤を介して剥離可能に接着して
なるAu物理蒸着装置のマスキング治具、および、(1
5)マスキング治具基体、特にCuまたはCu合金製マ
スキング治具基体表面に融点:100〜450℃の軟ろ
うからなる膜厚:5〜100μmのハンダ膜を形成して
なるAu物理蒸着装置のマスキング治具のハンダ膜の上
に、ハンダメッキしたCu線またはハンダメッキしたC
u箔テープ、Al箔テープおよび合成樹脂テープの内の
1種以上を接着剤を介して剥離可能に接着してなるAu
物理蒸着装置のマスキング治具、に特徴を有するもので
ある。
【0021】このハンダ膜は前記Au物理蒸着装置のマ
スキング治具だけでなく、Au以外の貴金属(Ag、P
t、Pd、Rh)を物理蒸着する装置のシールドリン
グ、シャッターなど各種防着部品の表面に形成すること
により防着部品の再利用回数を増加させることができ
る。従って、この発明は、(16)金属製防着部品基体、
特にCuまたはCu合金製防着部品基体の表面にハンダ
膜を形成してなる貴金属物理蒸着装置の防着部品のハン
ダ膜の上にハンダメッキしたCu線またはハンダメッキ
したCu箔テープ、Al箔テープまたは合成樹脂テープ
の内の1種以上を接着剤を介して剥離可能に接着してな
る貴金属物理蒸着装置の防着部品、に特徴を有するもの
である。
スキング治具だけでなく、Au以外の貴金属(Ag、P
t、Pd、Rh)を物理蒸着する装置のシールドリン
グ、シャッターなど各種防着部品の表面に形成すること
により防着部品の再利用回数を増加させることができ
る。従って、この発明は、(16)金属製防着部品基体、
特にCuまたはCu合金製防着部品基体の表面にハンダ
膜を形成してなる貴金属物理蒸着装置の防着部品のハン
ダ膜の上にハンダメッキしたCu線またはハンダメッキ
したCu箔テープ、Al箔テープまたは合成樹脂テープ
の内の1種以上を接着剤を介して剥離可能に接着してな
る貴金属物理蒸着装置の防着部品、に特徴を有するもの
である。
【0022】この金属製防着部品基体、特にCuまたは
Cu合金製防着部品基体の表面に形成されるハンダ膜
は、前記マスキング治具基体表面に形成されるハンダ膜
と同じであるから、この発明は、(17)金属製防着部品
基体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に膜
厚:5〜100μmのハンダ膜を形成してなる貴金属物
理蒸着装置の防着部品のハンダ膜の上にハンダメッキし
たCu線またはハンダメッキしたCu箔テープ、Al箔
テープおよび合成樹脂テープの内の1種以上を接着剤を
介して剥離可能に接着してなる貴金属物理蒸着装置の防
着部品、(18)金属製防着部品基体、特にCuまたはC
u合金製防着部品基体表面に融点:100〜450℃の
軟ろうからなるハンダ膜を形成してなる貴金属物理蒸着
装置の防着部品のハンダ膜の上にハンダメッキしたCu
線またはハンダメッキしたCu箔テープ、Al箔テープ
および合成樹脂テープの内の1種以上を接着剤を介して
剥離可能に接着してなる貴金属物理蒸着装置の防着部
品、(19)金属製防着部品基体、特にCuまたはCu合
金製防着部品基体表面に融点:100〜450℃の軟ろ
うからなる膜厚:5〜100μmのハンダ膜を形成して
なる貴金属物理蒸着装置の防着部品のハンダ膜の上にハ
ンダメッキしたCu線またはハンダメッキしたCu箔テ
ープ、Al箔テープおよび合成樹脂テープの内の1種以
上を接着剤を介して剥離可能に接着してなる貴金属物理
蒸着装置の防着部品、に特徴を有するものである。
Cu合金製防着部品基体の表面に形成されるハンダ膜
は、前記マスキング治具基体表面に形成されるハンダ膜
と同じであるから、この発明は、(17)金属製防着部品
基体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に膜
厚:5〜100μmのハンダ膜を形成してなる貴金属物
理蒸着装置の防着部品のハンダ膜の上にハンダメッキし
たCu線またはハンダメッキしたCu箔テープ、Al箔
テープおよび合成樹脂テープの内の1種以上を接着剤を
介して剥離可能に接着してなる貴金属物理蒸着装置の防
着部品、(18)金属製防着部品基体、特にCuまたはC
u合金製防着部品基体表面に融点:100〜450℃の
軟ろうからなるハンダ膜を形成してなる貴金属物理蒸着
装置の防着部品のハンダ膜の上にハンダメッキしたCu
線またはハンダメッキしたCu箔テープ、Al箔テープ
および合成樹脂テープの内の1種以上を接着剤を介して
剥離可能に接着してなる貴金属物理蒸着装置の防着部
品、(19)金属製防着部品基体、特にCuまたはCu合
金製防着部品基体表面に融点:100〜450℃の軟ろ
うからなる膜厚:5〜100μmのハンダ膜を形成して
なる貴金属物理蒸着装置の防着部品のハンダ膜の上にハ
ンダメッキしたCu線またはハンダメッキしたCu箔テ
ープ、Al箔テープおよび合成樹脂テープの内の1種以
上を接着剤を介して剥離可能に接着してなる貴金属物理
蒸着装置の防着部品、に特徴を有するものである。
【0023】この発明のハンダ膜を有する防着部品は、
貴金属(Au、Ag、Pt、Pd、Rh)を物理蒸着す
る装置の防着部品だけでなく、貴金属以外のCr、N
i、Al、Cuなどの金属を物理蒸着する装置の防着部
品としても使用することができる。したがって、この発
明は、(20)金属製防着部品基体、特にCuまたはCu
合金製防着部品基体の表面にハンダ膜を形成してなる金
属物理蒸着装置の防着部品のハンダ膜の上にハンダメッ
キしたCu線またはハンダメッキしたCu箔テープ、A
l箔テープおよび合成樹脂テープの内の1種以上を接着
剤を介して剥離可能に接着してなる金属物理蒸着装置の
防着部品、(21)金属製防着部品基体、特にCuまたは
Cu合金製防着部品基体表面に膜厚:5〜100μmの
ハンダ膜を形成してなる金属物理蒸着装置の防着部品の
ハンダ膜の上にハンダメッキしたCu線またはハンダメ
ッキしたCu箔テープ、Al箔テープおよび合成樹脂テ
ープの内の1種以上を接着剤を接着剤を介して剥離可能
に接着してなる金属物理蒸着装置の防着部品、(22)金
属製防着部品基体、特にCuまたはCu合金製防着部品
基体表面に融点:100〜450℃の軟ろうからなるハ
ンダ膜を形成してなる金属物理蒸着装置の防着部品のハ
ンダ膜の上にハンダメッキしたCu線またはハンダメッ
キしたCu箔テープ、Al箔テープおよび合成樹脂テー
プの内の1種以上を接着剤を介して剥離可能に接着して
なる金属物理蒸着装置の防着部品、(23)金属製防着部
品基体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に
融点:100〜450℃の軟ろうからなる膜厚:5〜1
00μmのハンダ膜を形成してなる金属物理蒸着装置の
防着部品のハンダ膜の上にハンダメッキしたCu線また
はハンダメッキしたCu箔テープ、Al箔テープおよび
合成樹脂テープの内の1種以上を接着剤を介して剥離可
能に接着してなる金属物理蒸着装置の防着部品、に特徴
を有するものである。
貴金属(Au、Ag、Pt、Pd、Rh)を物理蒸着す
る装置の防着部品だけでなく、貴金属以外のCr、N
i、Al、Cuなどの金属を物理蒸着する装置の防着部
品としても使用することができる。したがって、この発
明は、(20)金属製防着部品基体、特にCuまたはCu
合金製防着部品基体の表面にハンダ膜を形成してなる金
属物理蒸着装置の防着部品のハンダ膜の上にハンダメッ
キしたCu線またはハンダメッキしたCu箔テープ、A
l箔テープおよび合成樹脂テープの内の1種以上を接着
剤を介して剥離可能に接着してなる金属物理蒸着装置の
防着部品、(21)金属製防着部品基体、特にCuまたは
Cu合金製防着部品基体表面に膜厚:5〜100μmの
ハンダ膜を形成してなる金属物理蒸着装置の防着部品の
ハンダ膜の上にハンダメッキしたCu線またはハンダメ
ッキしたCu箔テープ、Al箔テープおよび合成樹脂テ
ープの内の1種以上を接着剤を接着剤を介して剥離可能
に接着してなる金属物理蒸着装置の防着部品、(22)金
属製防着部品基体、特にCuまたはCu合金製防着部品
基体表面に融点:100〜450℃の軟ろうからなるハ
ンダ膜を形成してなる金属物理蒸着装置の防着部品のハ
ンダ膜の上にハンダメッキしたCu線またはハンダメッ
キしたCu箔テープ、Al箔テープおよび合成樹脂テー
プの内の1種以上を接着剤を介して剥離可能に接着して
なる金属物理蒸着装置の防着部品、(23)金属製防着部
品基体、特にCuまたはCu合金製防着部品基体表面に
融点:100〜450℃の軟ろうからなる膜厚:5〜1
00μmのハンダ膜を形成してなる金属物理蒸着装置の
防着部品のハンダ膜の上にハンダメッキしたCu線また
はハンダメッキしたCu箔テープ、Al箔テープおよび
合成樹脂テープの内の1種以上を接着剤を介して剥離可
能に接着してなる金属物理蒸着装置の防着部品、に特徴
を有するものである。
【0024】前記金属製防着部品基体表面に形成された
ハンダ膜の表面の粗さがJIS B0601で規定され
る算術平均粗さ(以下、Raと記す):0.01μmよ
りも平滑すぎると、蒸着中に防着部品に堆積した蒸着金
属が剥離し、脱落してパーティクル発生の原因となり、
一方、金属製防着部品基体表面に形成されたハンダ膜の
表面の粗さがRa:1μmよりも粗すぎると、ハンダ膜
の表面に金属テープを張り付けるために使用した接着剤
がハンダ膜から金属テープを剥がす際にハンダ膜の凹部
に残留し、この残留している接着剤が物理蒸着後の防着
部品をハンダ剥離液に浸漬してもハンダ膜の化学的溶解
を妨げる結果となって好ましくない。従って、金属製防
着部品基体表面に形成されたハンダ膜の表面の粗さは、
Ra:0.01〜1μmの範囲内にあることが好まし
い。
ハンダ膜の表面の粗さがJIS B0601で規定され
る算術平均粗さ(以下、Raと記す):0.01μmよ
りも平滑すぎると、蒸着中に防着部品に堆積した蒸着金
属が剥離し、脱落してパーティクル発生の原因となり、
一方、金属製防着部品基体表面に形成されたハンダ膜の
表面の粗さがRa:1μmよりも粗すぎると、ハンダ膜
の表面に金属テープを張り付けるために使用した接着剤
がハンダ膜から金属テープを剥がす際にハンダ膜の凹部
に残留し、この残留している接着剤が物理蒸着後の防着
部品をハンダ剥離液に浸漬してもハンダ膜の化学的溶解
を妨げる結果となって好ましくない。従って、金属製防
着部品基体表面に形成されたハンダ膜の表面の粗さは、
Ra:0.01〜1μmの範囲内にあることが好まし
い。
【0025】従って、前記(1)〜(23)に記載され
た金属物理蒸着装置の防着部品に形成されたハンダ膜の
表面の粗さは、Ra:0.01〜1μm(好ましくは
0.1〜0.8μm)の範囲内にあることを特徴とする
ものである。
た金属物理蒸着装置の防着部品に形成されたハンダ膜の
表面の粗さは、Ra:0.01〜1μm(好ましくは
0.1〜0.8μm)の範囲内にあることを特徴とする
ものである。
【0026】
実施例1 旋盤仕上げ(3.2−S)のCD−ROM製造用Cu製
マスキング治具基体を用意した。このCD−ROM製造
用Cu製マスキング治具基体の表面粗さを測定したとこ
ろRa:0.58μmであった。さらに、 メタンスルフォン酸鉛:57gr/l、 メタンスルフォン酸錫:3gr/l、 遊離メタンスルフォン酸:0.72N、 市販平滑剤:33gr/l、 からなる組成のメッキ液も用意した。
マスキング治具基体を用意した。このCD−ROM製造
用Cu製マスキング治具基体の表面粗さを測定したとこ
ろRa:0.58μmであった。さらに、 メタンスルフォン酸鉛:57gr/l、 メタンスルフォン酸錫:3gr/l、 遊離メタンスルフォン酸:0.72N、 市販平滑剤:33gr/l、 からなる組成のメッキ液も用意した。
【0027】前記メッキ液を用い、 メッキ液温度:20℃、 撹拌条件:1000r.p.m.(マグネチックスター
ラーによる)、 陰極電流密度:5A/dm2 、 メッキ時間:5分、 の条件で前記Cu製マスキング治具基体の表面に厚さ:
10μm、表面粗さRa:0.75μmのPb−5%S
nハンダ(融点:310℃)膜を形成し、本発明マスキ
ング治具1を作製した。
ラーによる)、 陰極電流密度:5A/dm2 、 メッキ時間:5分、 の条件で前記Cu製マスキング治具基体の表面に厚さ:
10μm、表面粗さRa:0.75μmのPb−5%S
nハンダ(融点:310℃)膜を形成し、本発明マスキ
ング治具1を作製した。
【0028】この本発明マスキング治具1を使用してC
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具1表
面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこのマスキ
ング治具をハンダ剥離液(乳酸:50Vol%、残部:
水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に超音
波振動をかけながら浸漬した。
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具1表
面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこのマスキ
ング治具をハンダ剥離液(乳酸:50Vol%、残部:
水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に超音
波振動をかけながら浸漬した。
【0029】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に27分で完全に脱落した。ハンダ
剥離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾
別することにより容易に回収することができた。この様
なAu回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り
返し行い、マスキング治具基体の寸法精度および変形が
なくマスキング治具基体を再利用しうる回数(以下、再
利用回数という)を測定した結果、本発明マスキング治
具1の再利用回数は95回であった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に27分で完全に脱落した。ハンダ
剥離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾
別することにより容易に回収することができた。この様
なAu回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り
返し行い、マスキング治具基体の寸法精度および変形が
なくマスキング治具基体を再利用しうる回数(以下、再
利用回数という)を測定した結果、本発明マスキング治
具1の再利用回数は95回であった。
【0030】実施例2 実施例1で用意したCD−ROM製造用Cu製マスキン
グ治具基体を、 メタンスルフォン酸鉛:14.8gr/l、 メタンスルフォン酸錫:25.2gr/l、 遊離メタンスルフォン酸:0.72N、 市販平滑剤:33gr/l、 からなる組成のメッキ液に浸漬し、 メッキ液温度:20℃、 撹拌条件:1000r.p.m.(マグネチックスター
ラーによる)、 陰極電流密度:5A/dm2 、 メッキ時間:10分、 の条件でCu製マスキング治具基体の表面に厚さ:20
μm、表面粗さRa:0.75μmのPb−63%Sn
ハンダ(融点:183℃)膜を形成することにより、本
発明マスキング治具2を作製した。
グ治具基体を、 メタンスルフォン酸鉛:14.8gr/l、 メタンスルフォン酸錫:25.2gr/l、 遊離メタンスルフォン酸:0.72N、 市販平滑剤:33gr/l、 からなる組成のメッキ液に浸漬し、 メッキ液温度:20℃、 撹拌条件:1000r.p.m.(マグネチックスター
ラーによる)、 陰極電流密度:5A/dm2 、 メッキ時間:10分、 の条件でCu製マスキング治具基体の表面に厚さ:20
μm、表面粗さRa:0.75μmのPb−63%Sn
ハンダ(融点:183℃)膜を形成することにより、本
発明マスキング治具2を作製した。
【0031】この本発明マスキング治具2を使用してC
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具2表
面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこれらマス
キング治具をハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残
部:水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に
超音波振動をかけながら浸漬した。
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具2表
面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこれらマス
キング治具をハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残
部:水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に
超音波振動をかけながら浸漬した。
【0032】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に20分で完全に脱落し、脱落した
ハンダ剥離液中のAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生をを繰り
返し行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は6
2回であった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に20分で完全に脱落し、脱落した
ハンダ剥離液中のAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生をを繰り
返し行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は6
2回であった。
【0033】実施例3 実施例1で用意したCD−ROM製造用Cu製マスキン
グ治具基体をさらに研磨紙(#1500)で研磨処理す
ることにより表面粗さRa:0.07μmのマスキング
治具基体を作製した。このマスキング治具基体の表面
に、通常の条件の蒸着法により厚さ:50μmのPb−
5%In−5%Agハンダ(融点:290℃)膜を形成
し、本発明マスキング治具3を作製した。この本発明マ
スキング治具3のハンダ膜の表面粗さはRa:0.12
μmであった。
グ治具基体をさらに研磨紙(#1500)で研磨処理す
ることにより表面粗さRa:0.07μmのマスキング
治具基体を作製した。このマスキング治具基体の表面
に、通常の条件の蒸着法により厚さ:50μmのPb−
5%In−5%Agハンダ(融点:290℃)膜を形成
し、本発明マスキング治具3を作製した。この本発明マ
スキング治具3のハンダ膜の表面粗さはRa:0.12
μmであった。
【0034】この本発明マスキング治具3を使用してC
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具3の
表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこのマス
キング治具をハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残
部:水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に
超音波振動をかけながら浸漬した。
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具3の
表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこのマス
キング治具をハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残
部:水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に
超音波振動をかけながら浸漬した。
【0035】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に13分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は73
回であった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に13分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は73
回であった。
【0036】実施例4 実施例3の研磨紙(#1500)で研磨処理したCD−
ROM製造用Cu製マスキング治具基体をさらに1μm
φのダイヤモンド砥粒を用いてバフ研磨処理することに
より表面粗さRa:0.02μmのマスキング治具基体
を作製した。このマスキング治具基体の表面に、通常の
条件の蒸着法により厚さ:90μmのSn−5%Agハ
ンダ(融点:221℃)膜を形成し、本発明マスキング
治具4を作製した。この本発明マスキング治具4のハン
ダ膜の表面粗さはRa:0.10μmであった。
ROM製造用Cu製マスキング治具基体をさらに1μm
φのダイヤモンド砥粒を用いてバフ研磨処理することに
より表面粗さRa:0.02μmのマスキング治具基体
を作製した。このマスキング治具基体の表面に、通常の
条件の蒸着法により厚さ:90μmのSn−5%Agハ
ンダ(融点:221℃)膜を形成し、本発明マスキング
治具4を作製した。この本発明マスキング治具4のハン
ダ膜の表面粗さはRa:0.10μmであった。
【0037】この本発明マスキング治具4を使用してC
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具4表
面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこのマスキ
ング治具をハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残部:
水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に超音
波振動をかけながら浸漬した。
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具4表
面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこのマスキ
ング治具をハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残部:
水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に超音
波振動をかけながら浸漬した。
【0038】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に6分で完全に脱落し、ハンダ剥離
液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別す
ることにより容易に回収することができた。この様なA
u回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返し
行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は53回
であった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に6分で完全に脱落し、ハンダ剥離
液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別す
ることにより容易に回収することができた。この様なA
u回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返し
行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は53回
であった。
【0039】実施例5 実施例3で作製した表面粗さRa:0.07μmのCD
−ROM製造用Cu製マスキング治具基体を、 メタンスルフォン酸鉛:60gr/l、 遊離メタンスルフォン酸:0.72N、 市販平滑剤:33gr/l、 からなる組成のメッキ液に浸漬し、 メッキ液温度:20℃、 撹拌条件:1000r.p.m.(マグネチックスター
ラーによる)、 陰極電流密度:5A/dm2 、 メッキ時間:50分、 の条件でCu製マスキング治具基体の表面に、厚さ:1
00μ、表面粗さ:0.45μmの純Pbハンダ(融
点:328℃)膜を形成することにより、本発明マスキ
ング治具5を作製した。
−ROM製造用Cu製マスキング治具基体を、 メタンスルフォン酸鉛:60gr/l、 遊離メタンスルフォン酸:0.72N、 市販平滑剤:33gr/l、 からなる組成のメッキ液に浸漬し、 メッキ液温度:20℃、 撹拌条件:1000r.p.m.(マグネチックスター
ラーによる)、 陰極電流密度:5A/dm2 、 メッキ時間:50分、 の条件でCu製マスキング治具基体の表面に、厚さ:1
00μ、表面粗さ:0.45μmの純Pbハンダ(融
点:328℃)膜を形成することにより、本発明マスキ
ング治具5を作製した。
【0040】この本発明マスキング治具5を使用してC
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具5の
表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこのマス
キング治具をハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残
部:水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に
超音波振動をかけながら浸漬した。
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具5の
表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこのマス
キング治具をハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残
部:水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に
超音波振動をかけながら浸漬した。
【0041】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に23分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は84
回であった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に23分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は84
回であった。
【0042】実施例6 実施例3で作製した表面粗さRa:0.07μmのCD
−ROM製造用Cu製マスキング治具基体を、 メタンスルフォン酸錫:60gr/l、 遊離メタンスルフォン酸:0.72N、 市販平滑剤:33gr/l、 からなる組成のメッキ液に浸漬し、 メッキ液温度:20℃、 撹拌条件:1000r.p.m.(マグネチックスター
ラーによる)、 陰極電流密度:5A/dm2 、 メッキ時間:2.5分、 の条件でCu製マスキング治具基体の表面に厚さ:5μ
m、表面粗さ:0.25μmの純Snハンダ(融点:2
32℃)膜を形成し、本発明マスキング治具6を作製し
た。
−ROM製造用Cu製マスキング治具基体を、 メタンスルフォン酸錫:60gr/l、 遊離メタンスルフォン酸:0.72N、 市販平滑剤:33gr/l、 からなる組成のメッキ液に浸漬し、 メッキ液温度:20℃、 撹拌条件:1000r.p.m.(マグネチックスター
ラーによる)、 陰極電流密度:5A/dm2 、 メッキ時間:2.5分、 の条件でCu製マスキング治具基体の表面に厚さ:5μ
m、表面粗さ:0.25μmの純Snハンダ(融点:2
32℃)膜を形成し、本発明マスキング治具6を作製し
た。
【0043】この本発明マスキング治具6を使用してC
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具6の
表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこのマス
キング治具をハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残
部:水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に
超音波振動をかけながら浸漬した。
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具6の
表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点でこのマス
キング治具をハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残
部:水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に
超音波振動をかけながら浸漬した。
【0044】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に16分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は46
回であった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に16分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は46
回であった。
【0045】実施例7 Cu製マスキング治具基体の表面に厚さ:10μm、表
面粗さRa:0.75μmのPb−5%Snハンダ(融
点:310℃)膜を形成した実施例1の本発明マスキン
グ治具1の表面に、図3の平面図に示されるように、厚
さ:10μmのPb−5%Snハンダ(融点:310
℃)メッキ膜を形成したCu線27を微量の合成ゴム系
接着剤で支持腕25に剥離可能に接着し、本発明マスキ
ング治具7を作製した。
面粗さRa:0.75μmのPb−5%Snハンダ(融
点:310℃)膜を形成した実施例1の本発明マスキン
グ治具1の表面に、図3の平面図に示されるように、厚
さ:10μmのPb−5%Snハンダ(融点:310
℃)メッキ膜を形成したCu線27を微量の合成ゴム系
接着剤で支持腕25に剥離可能に接着し、本発明マスキ
ング治具7を作製した。
【0046】この本発明マスキング治具7を使用してC
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具7表
面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点で、このマス
キング治具のハンダ膜の上に接着したハンダメッキCu
線27を除去してマスキング治具基体の表面に形成され
たハンダ膜を一部露出させ、このマスキング治具をハン
ダ剥離液(乳酸:50Vol%、残部:水からなる水溶
液)5リットル(液温:40℃)に超音波振動をかけな
がら浸漬した。
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具7表
面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点で、このマス
キング治具のハンダ膜の上に接着したハンダメッキCu
線27を除去してマスキング治具基体の表面に形成され
たハンダ膜を一部露出させ、このマスキング治具をハン
ダ剥離液(乳酸:50Vol%、残部:水からなる水溶
液)5リットル(液温:40℃)に超音波振動をかけな
がら浸漬した。
【0047】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に17分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、マスキング治具基体の再利用回数を測定した結
果、本発明マスキング治具7の再利用回数は105回で
あった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に17分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、マスキング治具基体の再利用回数を測定した結
果、本発明マスキング治具7の再利用回数は105回で
あった。
【0048】実施例8 Cu製マスキング治具基体の表面に厚さ:20μm、表
面粗さRa:0.75μmのPb−63%Snハンダ
(融点:183℃)膜を形成した実施例2の本発明マス
キング治具2の表面に、図4の平面図に示されるよう
に、厚さ:10μmのPb−63%Snハンダ(融点:
183℃)メッキ膜を形成したCu線27を、裏面に接
着剤を塗布したAl箔テープ28で支持腕25に剥離可
能に接着固定することにより、本発明マスキング治具8
を作製した。
面粗さRa:0.75μmのPb−63%Snハンダ
(融点:183℃)膜を形成した実施例2の本発明マス
キング治具2の表面に、図4の平面図に示されるよう
に、厚さ:10μmのPb−63%Snハンダ(融点:
183℃)メッキ膜を形成したCu線27を、裏面に接
着剤を塗布したAl箔テープ28で支持腕25に剥離可
能に接着固定することにより、本発明マスキング治具8
を作製した。
【0049】この本発明マスキング治具8を使用してC
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具8表
面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点で、このマス
キング治具のハンダ膜の上に接着固定したハンダメッキ
Cu線27およびAl箔テープ28を除去してマスキン
グ治具基体の表面に形成されたハンダ膜を一部露出さ
せ、これをハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残部:
水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に超音
波振動をかけながら浸漬した。
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具8表
面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点で、このマス
キング治具のハンダ膜の上に接着固定したハンダメッキ
Cu線27およびAl箔テープ28を除去してマスキン
グ治具基体の表面に形成されたハンダ膜を一部露出さ
せ、これをハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残部:
水からなる水溶液)5リットル(液温:40℃)に超音
波振動をかけながら浸漬した。
【0050】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に14分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、再利用回数を測定した結果、本発明マスキング
治具8の再利用回数は72回であった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に14分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、再利用回数を測定した結果、本発明マスキング
治具8の再利用回数は72回であった。
【0051】実施例9 Cu製マスキング治具基体表面に通常の条件の蒸着法に
より厚さ:50μm、表面粗さRa:0.12μmのP
b−5%In−5%Agハンダ(融点:290℃)膜を
形成した実施例3の本発明マスキング治具3の表面に、
図5の平面図に示されるように、裏面に接着剤を塗布し
たAl箔テープ28を剥離可能に接着することにより本
発明マスキング治具9を作製した。
より厚さ:50μm、表面粗さRa:0.12μmのP
b−5%In−5%Agハンダ(融点:290℃)膜を
形成した実施例3の本発明マスキング治具3の表面に、
図5の平面図に示されるように、裏面に接着剤を塗布し
たAl箔テープ28を剥離可能に接着することにより本
発明マスキング治具9を作製した。
【0052】この本発明マスキング治具9を使用してC
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具9の
表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点で、このマ
スキング治具のハンダ膜の上に接着したAl箔テープ2
8を除去してマスキング治具基体の表面に形成されたハ
ンダ膜を一部露出させ、これをハンダ剥離液(酢酸:5
0Vol%、残部:水からなる水溶液)5リットル(液
温:40℃)に超音波振動をかけながら浸漬した。
D−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成することに
よりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具9の
表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点で、このマ
スキング治具のハンダ膜の上に接着したAl箔テープ2
8を除去してマスキング治具基体の表面に形成されたハ
ンダ膜を一部露出させ、これをハンダ剥離液(酢酸:5
0Vol%、残部:水からなる水溶液)5リットル(液
温:40℃)に超音波振動をかけながら浸漬した。
【0053】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に7分で完全に脱落し、ハンダ剥離
液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別す
ることにより容易に回収することができた。この様なA
u回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返し
行い、再利用回数を測定した結果、本発明マスキング治
具9の再利用回数は85回であった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に7分で完全に脱落し、ハンダ剥離
液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別す
ることにより容易に回収することができた。この様なA
u回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返し
行い、再利用回数を測定した結果、本発明マスキング治
具9の再利用回数は85回であった。
【0054】実施例10 Cu製マスキング治具基体の表面に厚さ:90μm、表
面粗さRa:0.10μmのSn−5%Agハンダ(融
点:221℃)蒸着膜を形成した実施例4の本発明マス
キング治具4の外周遮蔽板22のハンダ膜の上に、図6
のマスキング治具の平面図に示されるように、裏面に接
着剤を塗布したビニルテープ29を剥離可能に接着する
ことにより本発明マスキング治具10を作製した。
面粗さRa:0.10μmのSn−5%Agハンダ(融
点:221℃)蒸着膜を形成した実施例4の本発明マス
キング治具4の外周遮蔽板22のハンダ膜の上に、図6
のマスキング治具の平面図に示されるように、裏面に接
着剤を塗布したビニルテープ29を剥離可能に接着する
ことにより本発明マスキング治具10を作製した。
【0055】この本発明マスキング治具10を使用して
CD−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成すること
によりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具1
0表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点で、この
マスキング治具のハンダ膜の上に接着したビニルテープ
29を除去してマスキング治具基体の表面に形成された
ハンダ膜を一部露出させ、これをハンダ剥離液(酢酸:
50Vol%、残部:水からなる水溶液)5リットル
(液温:40℃)に超音波振動をかけながら浸漬した。
CD−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成すること
によりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具1
0表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点で、この
マスキング治具のハンダ膜の上に接着したビニルテープ
29を除去してマスキング治具基体の表面に形成された
ハンダ膜を一部露出させ、これをハンダ剥離液(酢酸:
50Vol%、残部:水からなる水溶液)5リットル
(液温:40℃)に超音波振動をかけながら浸漬した。
【0056】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に5分で完全に脱落し、ハンダ剥離
液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別す
ることにより容易に回収することができた。この様なA
u回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返し
行い、再利用回数を測定した結果、本発明マスキング治
具10の再利用回数は63回であった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に5分で完全に脱落し、ハンダ剥離
液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別す
ることにより容易に回収することができた。この様なA
u回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返し
行い、再利用回数を測定した結果、本発明マスキング治
具10の再利用回数は63回であった。
【0057】実施例11 Cu製マスキング治具基体の表面に厚さ:100μm、
表面粗さRa:0.45μmの純Pbハンダ(融点:3
28℃)膜を形成した実施例5の本発明マスキング治具
(図示せず)の支持腕のハンダ膜の上に、厚さ:10μ
mの純Pbメッキ膜を形成したCu箔テープ(図示せ
ず)を、裏面に接着剤を塗布したビニルテープで剥離可
能に接着し、本発明マスキング治具11を作製した。
表面粗さRa:0.45μmの純Pbハンダ(融点:3
28℃)膜を形成した実施例5の本発明マスキング治具
(図示せず)の支持腕のハンダ膜の上に、厚さ:10μ
mの純Pbメッキ膜を形成したCu箔テープ(図示せ
ず)を、裏面に接着剤を塗布したビニルテープで剥離可
能に接着し、本発明マスキング治具11を作製した。
【0058】この本発明マスキング治具11を使用して
CD−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成すること
によりCD−ROM記録媒体を作製し、本発明マスキン
グ治具11の表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時
点で、このマスキング治具のハンダ膜の上に接着したC
u箔テープおよびビニルテープを除去してマスキング治
具基体の表面に形成されたハンダ膜を一部露出させ、こ
れをハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残部:水から
なる水溶液)5リットル(液温:40℃)に超音波振動
をかけながら浸漬した。
CD−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成すること
によりCD−ROM記録媒体を作製し、本発明マスキン
グ治具11の表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時
点で、このマスキング治具のハンダ膜の上に接着したC
u箔テープおよびビニルテープを除去してマスキング治
具基体の表面に形成されたハンダ膜を一部露出させ、こ
れをハンダ剥離液(酢酸:50Vol%、残部:水から
なる水溶液)5リットル(液温:40℃)に超音波振動
をかけながら浸漬した。
【0059】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に20分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は82
回であった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に20分で完全に脱落し、ハンダ剥
離液中に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別
することにより容易に回収することができた。この様な
Au回収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返
し行い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は82
回であった。
【0060】実施例12 Cu製マスキング治具基体の表面に厚さ:5μm、表面
粗さRa:0.25μmの純Snハンダ(融点:232
℃)膜を形成することにより実施例6で作製したハンダ
膜被覆マスキング治具(図示せず)の支持腕および中央
遮蔽板のハンダ膜の上にそれぞれ裏面に接着剤を塗布し
たAl箔テープおよびビニルテープを剥離可能に接着
し、本発明マスキング治具12を作製した。
粗さRa:0.25μmの純Snハンダ(融点:232
℃)膜を形成することにより実施例6で作製したハンダ
膜被覆マスキング治具(図示せず)の支持腕および中央
遮蔽板のハンダ膜の上にそれぞれ裏面に接着剤を塗布し
たAl箔テープおよびビニルテープを剥離可能に接着
し、本発明マスキング治具12を作製した。
【0061】この本発明マスキング治具12を使用して
CD−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成すること
によりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具1
2の表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点で、こ
のマスキング治具のハンダ膜の上に接着したAl箔テー
プおよびビニルテープを除去することにより、マスキン
グ治具基体の表面に形成されたハンダ膜を一部露出さ
せ、これをアルキルスルフォン酸を主成分としたハンダ
剥離液(酢酸:50Vol%、残部:水からなる水溶
液)5リットル(液温:40℃)に超音波振動をかけな
がら浸漬した。
CD−ROM基板表面にAu物理蒸着膜を形成すること
によりCD−ROMを作製し、本発明マスキング治具1
2の表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点で、こ
のマスキング治具のハンダ膜の上に接着したAl箔テー
プおよびビニルテープを除去することにより、マスキン
グ治具基体の表面に形成されたハンダ膜を一部露出さ
せ、これをアルキルスルフォン酸を主成分としたハンダ
剥離液(酢酸:50Vol%、残部:水からなる水溶
液)5リットル(液温:40℃)に超音波振動をかけな
がら浸漬した。
【0062】その結果、マスキング治具基体表面のハン
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に14分で脱落し、ハンダ剥離液中
に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別するこ
とにより容易に回収することができた。この様なAu回
収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返し行
い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は85回で
あった。
ダ膜はハンダ剥離液中に溶解し、付着したAu物理蒸着
膜はハンダ剥離液中に14分で脱落し、ハンダ剥離液中
に脱落したAu物理蒸着膜はハンダ剥離液を濾別するこ
とにより容易に回収することができた。この様なAu回
収操作およびマスキング治具基体の再生を繰り返し行
い、再利用回数を測定した結果、再利用回数は85回で
あった。
【0063】従来例1 実施例1で用意したCD−ROM製造用Cu製マスキン
グ治具基体の表面に、通常の電気メッキ条件で厚さ:1
μmのRh膜を形成し、従来マスキング治具1を作製し
た。この従来マスキング治具1を使用してCD−ROM
基板表面にAu物理蒸着膜を形成することによりCD−
ROMを作製し、従来マスキング治具1の表面に1mmの
Au物理蒸着膜が付着した時点でこれらマスキング治具
を市販の金剥離剤を溶解した金剥離液(液温:30℃)
に5時間浸漬し、Auを回収するとともにマスキング治
具を再生を繰り返し行い、従来マスキング治具1の再利
用回数を測定した結果、再利用回数は8回であった。
グ治具基体の表面に、通常の電気メッキ条件で厚さ:1
μmのRh膜を形成し、従来マスキング治具1を作製し
た。この従来マスキング治具1を使用してCD−ROM
基板表面にAu物理蒸着膜を形成することによりCD−
ROMを作製し、従来マスキング治具1の表面に1mmの
Au物理蒸着膜が付着した時点でこれらマスキング治具
を市販の金剥離剤を溶解した金剥離液(液温:30℃)
に5時間浸漬し、Auを回収するとともにマスキング治
具を再生を繰り返し行い、従来マスキング治具1の再利
用回数を測定した結果、再利用回数は8回であった。
【0064】従来例2 実施例1で用意したCD−ROM製造用Cu製マスキン
グ治具基体の表面に通常の電気メッキ条件で厚さ:0.
5μmのPt膜を形成し、従来マスキング治具2を作製
した。この従来マスキング治具2を使用してCD−RO
M基板表面にAu物理蒸着膜を形成することによりCD
−ROM、CD−RまたはCDを作製し、従来マスキン
グ治具2の表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点
でこれらマスキング治具を市販の金剥離剤を溶解した金
剥離液(液温:30℃)に5時間浸漬し、Auを回収す
るとともにマスキング治具を再生を繰り返し行い、従来
マスキング治具1の再利用回数を測定した結果、再利用
回数は9回であった。
グ治具基体の表面に通常の電気メッキ条件で厚さ:0.
5μmのPt膜を形成し、従来マスキング治具2を作製
した。この従来マスキング治具2を使用してCD−RO
M基板表面にAu物理蒸着膜を形成することによりCD
−ROM、CD−RまたはCDを作製し、従来マスキン
グ治具2の表面に1mmのAu物理蒸着膜が付着した時点
でこれらマスキング治具を市販の金剥離剤を溶解した金
剥離液(液温:30℃)に5時間浸漬し、Auを回収す
るとともにマスキング治具を再生を繰り返し行い、従来
マスキング治具1の再利用回数を測定した結果、再利用
回数は9回であった。
【0065】実施例1〜12および従来例1〜2に示さ
れる結果から、(イ)ハンダ膜を形成した本発明マスキ
ング治具1〜12は、白金族膜を形成した従来マスキン
グ治具1〜2に比べていずれも再利用回数が大幅に増加
する、(ロ)厚さ:1mmの付着したAu物理蒸着膜を除
去する時間は、白金族膜を形成した従来マスキング治具
1〜2の場合、5時間を必要としているのに対し、本発
明マスキング治具1〜12は、30〜60分で剥離が可
能であり、剥離に要する時間が極めて短く効率的である
ことがわかる。
れる結果から、(イ)ハンダ膜を形成した本発明マスキ
ング治具1〜12は、白金族膜を形成した従来マスキン
グ治具1〜2に比べていずれも再利用回数が大幅に増加
する、(ロ)厚さ:1mmの付着したAu物理蒸着膜を除
去する時間は、白金族膜を形成した従来マスキング治具
1〜2の場合、5時間を必要としているのに対し、本発
明マスキング治具1〜12は、30〜60分で剥離が可
能であり、剥離に要する時間が極めて短く効率的である
ことがわかる。
【0066】以上、物理蒸着装置のマスキング治具に付
着したAu物理蒸着膜をマスキング治具から剥離する実
施例を従来例と比較しながら詳述したが、この発明は、
Auを物理蒸着する装置の防着部品に限定されるもので
はなく、Au以外の貴金属(Ag、Pt、Pd、R
h)、さらにCr、Ni、Al、Cuなどの金属を物理
蒸着する装置の防着部品としても適用することができ
る。
着したAu物理蒸着膜をマスキング治具から剥離する実
施例を従来例と比較しながら詳述したが、この発明は、
Auを物理蒸着する装置の防着部品に限定されるもので
はなく、Au以外の貴金属(Ag、Pt、Pd、R
h)、さらにCr、Ni、Al、Cuなどの金属を物理
蒸着する装置の防着部品としても適用することができ
る。
【0067】
【発明の効果】上述のように、この発明のハンダ膜が形
成されている物理蒸着装置の防着部品、特にマスキング
治具は、再利用回数が大幅に増加し、さらに付着した物
理蒸着膜を短時間で除去することができるのでコストの
削減に大いに貢献しうるものである。
成されている物理蒸着装置の防着部品、特にマスキング
治具は、再利用回数が大幅に増加し、さらに付着した物
理蒸着膜を短時間で除去することができるのでコストの
削減に大いに貢献しうるものである。
【図1】Au物理蒸着装置の構造を示す断面概略図であ
る。
る。
【図2】マスキング治具の斜視図である。
【図3】マスキング治具の平面図である。
【図4】マスキング治具の平面図である。
【図5】マスキング治具の平面図である。
【図6】マスキング治具の平面図である。
1 CD−ROM、CD−RまたはCD基板 2 マスキング治具 3 Auターゲット 4 Au物理蒸着膜 5 シールドリング 6 シャッター 7 活性Au金属 21 中央遮蔽板 22 外周遮蔽板 23 リング状開口 24 外周胴 25 支持腕 26 支柱 27 ハンダメッキしたCu線 28 Al箔テープ 29 ビニルテープ 30 ハンダ膜被覆マスキング治具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 頼重 兵庫県三田市テクノパ−ク12−6 三菱マ テリアル株式会社三田工場内
Claims (12)
- 【請求項1】 防着部品基体の表面にハンダ膜を形成し
てなることを特徴とする物理蒸着装置の防着部品。 - 【請求項2】 防着部品基体の表面に形成されたハンダ
膜の上に、ハンダメッキした金属線またはハンダメッキ
した金属箔テープを接着剤を介して剥離可能に接着して
なることを特徴とする物理蒸着装置の防着部品。 - 【請求項3】 防着部品基体の表面に形成されたハンダ
膜の上に、Al箔テープを接着剤を介して剥離可能に接
着してなることを特徴とする物理蒸着装置の防着部品。 - 【請求項4】 防着部品基体の表面に形成されたハンダ
膜の上に、ハンダメッキした金属線またはハンダメッキ
した金属箔テープを、片面に接着剤を塗布したAl箔テ
ープにより剥離可能に固定してなることを特徴とする物
理蒸着装置の防着部品。 - 【請求項5】 防着部品基体の表面に形成されたハンダ
膜の上に、合成樹脂テープを接着剤を介して剥離可能に
接着してなることを特徴とする物理蒸着装置の防着部
品。 - 【請求項6】 防着部品基体の表面に形成されたハンダ
膜の上に、ハンダメッキした金属線またはハンダメッキ
した金属箔テープを、片面に接着剤を塗布した合成樹脂
テープにより剥離可能に固定してなることを特徴とする
物理蒸着装置の防着部品。 - 【請求項7】 前記防着部品基体の表面に形成されたハ
ンダ膜は、融点:100〜450℃の軟ろうからなるハ
ンダで構成された膜厚:5〜100μmのハンダ膜であ
ることを特徴とする請求項1、2、3、4、5または6
記載の物理蒸着装置の防着部品。 - 【請求項8】 防着部品基体の表面に形成されたハンダ
膜の表面粗さは、JIS B 0601で規定される算
術平均粗さ(以下、Raで示す)が0.01〜1μmの
範囲内にあることを特徴とする請求項1、2、3、4、
5、6または7記載の物理蒸着装置の防着部品。 - 【請求項9】 前記防着部品基体は、銅または銅合金か
らなることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、
6、7または8記載の物理蒸着装置の防着部品。 - 【請求項10】 前記物理蒸着装置の防着部品は、貴金
属を物理蒸着するための装置の防着部品であることを特
徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8または
9記載の物理蒸着装置の防着部品。 - 【請求項11】 前記貴金属はAuであるとを特徴とす
る請求項10記載の物理蒸着装置の防着部品。 - 【請求項12】 前記防着部品はマスキング治具である
ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9、10または11記載の物理蒸着装置の防着部
品。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8180739A JPH09316643A (ja) | 1996-02-15 | 1996-07-10 | 物理蒸着装置の防着部品 |
TW085112906A TW402647B (en) | 1996-02-15 | 1996-10-22 | Deposition-preventing part for physical vapor deposition apparatuses |
SG1996010993A SG77122A1 (en) | 1996-02-15 | 1996-10-30 | Deposition-preventing part for physical vapor deposition apparatuses |
US08/738,660 US5954929A (en) | 1996-02-15 | 1996-10-30 | Deposition-preventing part for physical vapor deposition apparatuses |
EP97102254A EP0790327B1 (en) | 1996-02-15 | 1997-02-12 | Deposition-preventing part for physical vapor deposition apparatuses |
DE69700339T DE69700339D1 (de) | 1996-02-15 | 1997-02-12 | Beschichtungsabschirmung für PVD-Vorrichtung |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2758496 | 1996-02-15 | ||
JP8-68123 | 1996-03-25 | ||
JP6812396 | 1996-03-25 | ||
JP8-27584 | 1996-03-25 | ||
JP8180739A JPH09316643A (ja) | 1996-02-15 | 1996-07-10 | 物理蒸着装置の防着部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09316643A true JPH09316643A (ja) | 1997-12-09 |
Family
ID=27285858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8180739A Pending JPH09316643A (ja) | 1996-02-15 | 1996-07-10 | 物理蒸着装置の防着部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5954929A (ja) |
EP (1) | EP0790327B1 (ja) |
JP (1) | JPH09316643A (ja) |
DE (1) | DE69700339D1 (ja) |
SG (1) | SG77122A1 (ja) |
TW (1) | TW402647B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023177197A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材の製造方法、堆積物除去方法、有価金属回収方法、および成膜装置用部材の再生方法 |
JP2023177015A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8110489B2 (en) | 2001-07-25 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Process for forming cobalt-containing materials |
JP2005504885A (ja) | 2001-07-25 | 2005-02-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成 |
US20090004850A1 (en) | 2001-07-25 | 2009-01-01 | Seshadri Ganguli | Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications |
US9051641B2 (en) | 2001-07-25 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Cobalt deposition on barrier surfaces |
US20030029715A1 (en) | 2001-07-25 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems |
JP3982284B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2007-09-26 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
US6776887B2 (en) * | 2002-03-29 | 2004-08-17 | Imation Corp. | Method and apparatus for thin film center shielding |
TW200404484A (en) * | 2002-09-02 | 2004-03-16 | Furukawa Circuit Foil | Copper foil for soft circuit board package module, for plasma display, or for radio-frequency printed circuit board |
KR100591433B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 질화 티타늄(TiN) 스퍼터링 공정용 실드 및 코팅방법 |
US7938252B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-05-10 | Cinetic Sorting Corp. | Unstacking conveyor with floating surface |
CN107109619A (zh) * | 2014-12-29 | 2017-08-29 | 应用材料公司 | 用于沉积处理期间掩蔽基板的掩蔽布置、用于在基板上的层沉积的沉积设备、和用于清洁掩蔽布置的方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5659234A (en) * | 1979-10-19 | 1981-05-22 | Fujitsu Ltd | Mask reinforcing method |
JPS6024360A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属帯板用連続めつき方法 |
JPS60174874A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | メタルマスク |
JPH0744352B2 (ja) * | 1991-03-08 | 1995-05-15 | 株式会社フジタ | 電波シールドテープの製造方法 |
JPH0629298A (ja) * | 1992-07-07 | 1994-02-04 | Fujitsu Ltd | 半田バンプ形成方法 |
-
1996
- 1996-07-10 JP JP8180739A patent/JPH09316643A/ja active Pending
- 1996-10-22 TW TW085112906A patent/TW402647B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-10-30 US US08/738,660 patent/US5954929A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-30 SG SG1996010993A patent/SG77122A1/en unknown
-
1997
- 1997-02-12 DE DE69700339T patent/DE69700339D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-12 EP EP97102254A patent/EP0790327B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023177197A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材の製造方法、堆積物除去方法、有価金属回収方法、および成膜装置用部材の再生方法 |
JP2023177015A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5954929A (en) | 1999-09-21 |
EP0790327B1 (en) | 1999-07-28 |
SG77122A1 (en) | 2000-12-19 |
DE69700339D1 (de) | 1999-09-02 |
TW402647B (en) | 2000-08-21 |
EP0790327A1 (en) | 1997-08-20 |
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