JPS60174874A - メタルマスク - Google Patents

メタルマスク

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Publication number
JPS60174874A
JPS60174874A JP2295984A JP2295984A JPS60174874A JP S60174874 A JPS60174874 A JP S60174874A JP 2295984 A JP2295984 A JP 2295984A JP 2295984 A JP2295984 A JP 2295984A JP S60174874 A JPS60174874 A JP S60174874A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
alloy
melting point
mask
metal mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2295984A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Fujiwara
幸一 藤原
Masayoshi Asahi
朝日 雅好
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2295984A priority Critical patent/JPS60174874A/ja
Publication of JPS60174874A publication Critical patent/JPS60174874A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は基板上に薄膜等を被覆する場合、そのパターン
形成に用いられるメタルマスクに関する。
〈従来技術〉 メタルマスクは真空蒸着法等で微細パターンを形成する
のに用いられているが、使用に伴ないメタルマスク上に
パターン形成物質が堆積するため、ノ臂ターンの目詰シ
が生じ、反復使用に限度があった。とくに、メタルマス
ク沫で7リツプチツfd?ンデイング用のソルダバング
を形成する場合、ソルダの蒸着膜厚は約50μmでアシ
、メタルマスクの板厚と同程度の厚さに達するため、再
生処理を施さずに再使用するのは難かしい。
このため一般に上記゛メタルマスクを再生処理すること
が行なわれている。従来、メタルマスクの再生処理は、
メタルマスク上の蒸着物質を塩酸等の強酸あるいは強ア
ルカリなどを溶剤として溶出する方法によシ行なわれて
いる。この従来の化学処理による方法は、メタルマスク
を侵さず蒸着物質のみを溶解させる必要上、汎用性に欠
け、メタルマスクの材質と蒸着物質の組み合わせによシ
使用できる溶剤が限られ、場合によっては適切な溶剤が
無いため高価なメタルマスクを使い捨てにしなければな
らないという問題がある。
また従来の化学処理法の場合、塩酸、過酸化水素水等の
腐食性の強い薬品中で蒸着物質をエツチング除去するも
のであるから、再生に時間がかかるだけでなくエツチン
グ液の廃液処理上の問題がある。
〈発明の目的〉 本発明は上記従来の問題点を解消するため再生の容易な
メタルマスクを提供することを目的とする。
〈発明の構成〉 本発明は上記目的を達成するため、メタルマスクの表面
に該メタルマスクと合金を形成しない低融点金属を被覆
したことを特徴とする。
メタルマスクはモリブデン(Mo ) 、ステンレス、
Fe−Ni−Co 合金(商品名コバール)等によって
一般に形成されているが、本発明はこれらメタルマスク
の表面に該メタルマスクと合金を形成しない低融点金属
を被覆し被覆ごと蒸着付着物を除去することにより、メ
タルマスクに悪影響を与えず容易に再生できるようにし
たものである。
上記被覆用低融点金属としてはメタルマスクとは合金を
形成しない低融点のものであることが必要である。上記
金属としてはB1基の低融点合金、例えば融点60℃の
ウッド合金、融点7゜℃のリポウィック合金、融点60
℃のアナトミカル合金等種々のものが、Mo、ステンレ
ス、コバール等のメタルマスクの被覆に適用できる。
また、In基の低融点合金としては、実施例に示すもの
の他、融点11−7℃のIn −48%Sn合金モ、M
o1ステンレス、コバールから成るメタルマスクの被覆
に適用できる。
上記低融点合金は上記被援用金属として好適に用いるこ
とができる。本発明はこれら低融点合金のように通常メ
タルマスクに使用される材質よシも融点が極めて低い金
属は、一般にメタルマスクと合金化せず、メタルマスク
とのぬれ性が著しく劣る性質に着目し、この性質を積極
的に利用したものである。
即ち低融点合金の表面酸化皮膜前の汚染皮膜を除去し、
該低融点合金の表面張力を低下させる効果のあるフラッ
クスを該低融点付会に塗布しあるいは、該スラックス中
に該低融点合金被覆のメタルマスクを浸漬し、該低融点
合金の融点以上で加熱することによシ、円滑に該低融点
合金をメタルマスクから遊離させるものである。
これによシ被覆上に付着した蒸着物質は被覆と共に除去
され容易にメタルマスクが再生される。
〈実施例〉 板厚25μmのMoよ構成るメタルマスク上に、真空蒸
着法で厚さ2 fimのIn−33%B1−16%Sn
 三元共晶合金(融点60℃)を全面に均一に被覆し、
本発明のメタルマスクを得た(%は重量%を示す)。
該メタルマスクを使用し、Siデバイスチップ上に、C
r 、 Cu 、 Au の順序で各2000人真壁蒸
着し、さらにソルダとして、融点183℃のSn −3
7%pb二元共晶合金を厚さ30μm真空蒸着し、直径
40μm1ピツチ100μmの高密度微細ノルダパング
を形成した。このソルダパン1作製に使用したメタルマ
スクは使用後、ジメチルアミン塩酸塩2%、酒石酸8%
を活性剤とし、プチルセロンlf25 %、ポリエチレ
ングリコール(分子量ZOO)65%を溶媒とする水溶
性7ラツクス中に浸漬し、温度80℃で10分間、該メ
タルマスクを該スラックス中で攪拌することにより再生
処理した。
上記再生処理の結果、MOメタルマスク上に被覆した前
記のIn −33%Bi −16%、Sn 低融点合金
が溶出し、該低融点合金上に蒸着したCr 、 Cu 
、 Au及びSn −37%pb を完全に剥離するこ
とができた。尚、フラックスを使用しないで、単に該低
融点合金の融点以上に加熱するのみでは、該低融点合金
の溶出が不均一となシ、メタルマスクの目づまシが生じ
る等、実用に耐えなかった。又、本実施例のメタルマス
クについても再生処理をしなければ、1回しか使用に耐
えなかった。
再生法に使用するフラックスとしては、本実施例のもの
に限らず、公知のグルタミン酸塩酸塩と尿素を活性剤と
する水溶性フラックス等の有機ハロダン系7ラツクスの
他、フラックスとしては最も多用されているロジン系フ
ラックスのアルコール溶液等も効果があった8 〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明のメタルマスクは低融点合
金を被覆することによシ、メタルマスクの性能を低下さ
せることなく、該メタルマスクを極めて容易に再生でき
る。
しかも本発明は被覆金属をメタルマスク表面に施せばよ
いので汎用性があシ、かつその製造も容易でおる。更に
従来の化学処理法のように強酸性溶液で蒸着物質を溶か
す方法と異なり、使用するフラックスは非腐食性のもの
でもよく、フラックスの廃液および廃液中に含まれる重
金属による環境汚染を生じない利点り、ある。
特許出願人 日本電信電話公社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. メタルマスクの表面に該メタルマスクと合金を形成しな
    い低融点金属を被覆したことを特徴とするメタルマスク
JP2295984A 1984-02-13 1984-02-13 メタルマスク Pending JPS60174874A (ja)

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JP2295984A JPS60174874A (ja) 1984-02-13 1984-02-13 メタルマスク

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JP2295984A JPS60174874A (ja) 1984-02-13 1984-02-13 メタルマスク

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JPS60174874A true JPS60174874A (ja) 1985-09-09

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ID=12097134

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JP2295984A Pending JPS60174874A (ja) 1984-02-13 1984-02-13 メタルマスク

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0790327A1 (en) * 1996-02-15 1997-08-20 Mitsubishi Materials Corporation Deposition-preventing part for physical vapor deposition apparatuses
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WO2016107637A1 (en) * 2014-12-29 2016-07-07 Applied Materials, Inc. Masking arrangement for masking a substrate during a deposition process, deposition apparatus for layer deposition on a substrate, and method for cleaning a masking arrangement

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