TW402647B - Deposition-preventing part for physical vapor deposition apparatuses - Google Patents

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TW402647B
TW402647B TW085112906A TW85112906A TW402647B TW 402647 B TW402647 B TW 402647B TW 085112906 A TW085112906 A TW 085112906A TW 85112906 A TW85112906 A TW 85112906A TW 402647 B TW402647 B TW 402647B
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Taiwan
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solder
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physical
vaporization device
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TW085112906A
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Naoki Uchiyama
Munetaka Mashima
Makoto Kinoshita
Yorishige Hashimoto
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Mitsubishi Materials Corportio
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers

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Description

A7 B7 40264^ 五、發明説明(1 ) 〔發明所靥的技術領域〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係爲關於使用物理蒸著裝置,在CD - ROM (記憶專用CD) 、CD — R (記憶•再生可能CD)或 是CD — E (消去可能CD)等(以下,總稱CD)的基 板表面形成作爲反射膜的金靥物理蒸著膜,特別是在形成 貴金屬物理蒸著膜之際,使用在不使其附著物理蒸著膜的 處所之防附著零件(例如,遮罩治具、蔽環、擋板等), 另外是關於在貴金屬內,爲了物理蒸著A u的裝置之遮罩 治具。 〔先行技術〕 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 過去,在CD-ROM、CD — R或是CD — E等的 C D基板表面形成A u物理蒸著膜而製作作爲反射膜已是 皆知之事,其Au物理蒸著裝置,係如第1圖所示,具有 爲了防止在A u物理蒸著裝置的容器(未圖示)內壁附著 Au物理蒸著膜之蔽環5'及在CD基板1的表面形成環 狀A u物理蒸著膜4而作成C D後在與新C D基板更換時 爲了暫時遮蔽從A u標的所產生的活性A u金屬7流之擋 流6。 使用前述A u物理蒸著裝置而在C D基板1的表面形 成環狀物理蒸著膜4,係如第1圖所示,在CD基板1上 載置遮罩治具的狀態下設置於A u物理蒸著裝置的蔽環5 內,且使其將A u標的3所產生的活性A u金屬物理蒸著 在C D基板1。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 4 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 402^47 _B7_ 五、發明説明(2 ) 載置在前述CD基板1的遮罩治具2,以任何金屬製 造都有可能,但主要是以C u或是C u合金所作成,如第 2圖的斜視圖所示,具有圓板狀中央遮蔽板2 1及環狀外 周遮蔽板2 2,中央遮蔽板2 1及環狀外周遮蔽板2 2, 被安裝成同心圓狀且在中央遮蔽板2 1與外周遮蔽板2 2 之間形成環狀開口 2 3,進而前述中央遮蔽板2 1 ,係爲 以從周體2 4所延伸的支撐腕2 5介由支柱2 6而被支撐 之構造。 將此構造的遮罩治具之載置在C D基板1上而在C D 基板1面表形成環狀A u物理蒸著膜4,則在所載置的遮 罩治具2表面當然會附著A u物理蒸著膜4。回收附著在 該遮罩治具2表面的A u物理蒸著膜4,但其回收方法已 知有(A )以噴砂處理等的機械性脫離所形成之回收方法 ,(B)在遮罩治具表面形成鋁膜,以Na0H水溶液溶 解該鋁膜而回收被形成在鋁膜上的A u物理蒸著膜之方法 、(C)使用在表面形成白金族金屬(Pt 、Rh、I r 、R u等)的電鑛層之遮罩治具,使用市售的脫金劑而回 收物理蒸著在該遮罩治具表面的A u之方法。 以這些方法回收除去物理蒸著的A u後,遮罩治具被 再利用。因此,過去的遮罩治具,已知有只以C u或是 C u合金所形成的遮罩治具基體所形成之遮罩治具、在以 C u或是C u合金的遮罩治具基體表面形成鋁膜之遮罩治 具、在以C u或是C u合金所形成的遮罩治具基體表面形 成白金族金靥(Pt 、Rh、I r、Ru)等的電鑛層之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) ----------- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -5 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(3 ) 遮罩治具。 〔發明所欲解決之課題〕 但是,以噴砂處理等的機械性脫離所形成的回收方法 ,多次返復進行回收,則會造成所要求尺寸精度及水平度 的遮罩治具變形且尺寸變小而變成極短使用壽命,對於長 期再利用高價的遮罩治具不是理想。另外,從噴砂處理粉 末的A u回收,由於被含在遮罩治具C u或是C u合金, 因而必須較多的回收過程,造成效率變差》 另則,以物理蒸著等在遮罩治具的表面形成鋁膜,在 此膜上物理蒸著A u的方法,必須於再利用遮罩治具時形 成鋁膜,進而在所形成的鋁膜易於形成爲氧化鋁被膜, 所以必須注意保管,另外由於浸漬在回收時的N a 0H溶 液,因而會有腐蝕C u元素的缺點。 因此,現在使用形成白金族金屬的電銨層之遮罩治具 ,將A u物理蒸著的遮罩治具浸漬在保持溫度5 0°C以下 的溶解市售的金脫離劑及KCN及NaOH的水溶液,回 收物理蒸著過的A u作爲氰基錯體之前述(C )的方法最 多被使用。但是白金族金屬的電銨層因應於質層的形狀而 電鍍層厚度顯著不同,得有均一的白金族金靥的電鍍層會 有困難。 例如,在C u或是C u合金製遮罩治具的表面具有微 細孔或是銳角部分,則該部分的白金族金靥電鍍層變爲極 薄,從此電銨層的較薄部分開始溶解腐蝕C u或是C u合 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 jj. -6 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 4〇2(^γ_B7_ 五、發明説明(4 ) 金製遮罩治具基體,會有減少再利用遮罩治具的次數之課 題。 〔用以解決課題的手段〕 本發者進行研究,比過去的遮罩治具還簡單回收A u 物理蒸著膜且能多次再利用的遮罩治具,其結果如下。 (a )在C u或是C u合金製遮罩治具基體的表面形 成焊錫膜,再在焊錫膜表面附著A u物理蒸著膜,將附著 此A u物理蒸著膜的遮罩治具浸漬在焊錫脫離膜,由於因 應於所須而搖動而可以在短時間簡單的除去遮罩治具基體 表面的焊錫膜,因此與焊錫膜除去的同時,附著在焊錫膜 表面的A u物理蒸著膜也可以在短時間簡單的剝離。 (b)此時,由於使用腐蝕Cu或是Cu合金較少的 焊錫脫離劑因而可以更減少遮罩治具基體的腐蝕,與附著 在過去的遮罩治具的物理蒸著A u之回收方法作比較,而 大幅增加遮罩治具的再利用次數》 (c )焊錫膜係爲可以比過去的鋁膜及白金族金靥膜 還簡單的形成。 (d )在前述表面使用形成焊錫膜之遮罩治具而長時 間進行A u物理蒸著,則A u附著在遮罩治具的焊錫膜全 面,焊錫脫離劑與焊錫膜未接觸,將附著A u的遮罩治具 浸漬在焊錫脫離劑而搖動,則焊錫脫從遮罩治具脫離,因 此會有無法回收貴金颶的情形,但在這樣的情況,進而將 所鍍錫的C u線或是C u箔帶、Aj?箔帶或者是合成樹脂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) L----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 灯 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 __if) 2-647_-_ 五、發明説明(5 ) 帶介由接著劑而可脫離的張貼於形成在C u或是C u合金 製遮罩治具基體的表面之錫膜上面,進行A u物理蒸著後 ,脫離鍍錫過的C u線或是鍍錫過的C u箔帶、Ai^箔帶 或者是合成樹脂帶,則露出張貼前述C u線、C u箔帶、 A又箔帶或者是合成樹脂帶的部分之遮罩治具基體表面的 錫膜,將一部分露出該錫膜的A u物理蒸著膜附著遮罩治 具浸漬在錫脫離劑,因應於所須而搖動,則從露出的錫膜 部分開始脫離錫,在與遮罩治具全體之錫膜除去的同時, 可以在更短時間簡單的脫離附著在錫膜表面的A u物理蒸 著膜等,就可以得知》 本發明根據所得知的情況, (1 )其特徵爲:遮罩治具基體表面形成錫膜之Au 物理蒸著裝置的遮罩治具,特別是在C u或是C u合金製 遮罩治具基體表面形成焊錫膜而成之A u物理蒸著膜的遮 罩治具。 形成在遮罩治具基體,特別是形成在C u或是C u合 金製遮罩治具基體表面的前述(1 )記載的錫膜膜厚,未 滿5 則無法完全保護遮罩治具基體表面,另則超越 1 0 0 則因錫膜的除去過於耗時,所以是不理想。因 此,形成在遮罩治具基體表面的錫膜膜厚設定在5〜 1 0 0 。此焊錫膜的膜厚更理想的範圍爲1 〇〜5 0 μ m。因此,本發明 (2 )其特徵爲:在遮罩治具基體,特別是在C u或 是C u合金製遮罩治具基體表面形成膜厚爲5〜1 0 0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐> ' -8 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
__4〇2β47_Β7_ 五、發明説明(6 ) μ m的錫膜而成之A u物理蒸著裝置的遮罩治具。 前述錫膜的錫係爲以J IS Z 3282 — 86所規 定的錫亦可,但爲了控制A u物理蒸著中的焊錫膜抗熱性 、遮罩治具基體之C u與被含在焊錫的S η的金屬間化合 物生成,所以使用融點爲1 0 0°C以上的焊錫較爲理想, 因此使用融點爲1 0 0〜4 5 0 °C的軟錫更爲理想。因此 本發明 (3 )其特徵爲:在遮罩治具基體,特別是在C u或 是C u合金製遮罩治具基體表面形成以融點爲1 〇 〇〜 4 6 0°C的軟錫所形成的焊錫膜而成之A u物理蒸著裝置 的遮罩治具,及 (4 )在遮罩治具基體,特別是在C u或是C u合金 製遮罩治具基體表面,形成融點爲1 0 0〜4 5 0°C的軟 錫所形成的膜厚爲5〜1 0 0 Am的焊錫膜而成之A u物 理蒸著裝置的遮罩治具。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的焊錫膜不僅是可以形成在物理蒸著A u之外 ,且可以物理蒸著A u以外的貴金屬(Ag、Pt、Pd 、Rh)的裝置之遮罩治具,另外,由於形成在不僅是物 理蒸著裝置的遮罩治具,且形成在第1圖所示的物理蒸著 裝置之遮環5、擋板6等的表面,因而可以使其增加各種 零件的再利用次數。然且將蔽環、擋板等物理蒸著裝置之 蒸著膜的附著防止零件全部總稱爲「防附著零件」,則本 發明 (5 )其特徵爲:在金屬製防附著零件基體,特別是 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ ^02647 五、發明説明(7 ) 在C u或是C u合金製防附著零件基體的表面形成焊錫之. 貴金靥物理蒸著裝置的防附著零件。 被形成在此金靥製防附著零件基體,特別是在C u或 是C u合金製防附著零件基體表面之焊錫膜,因與被形成 在前述遮罩治具基體表面之焊錫膜相同,所本發明其特徵 爲 (6 )在金屬製防附著零件基體,特別是在C u或是 C u合金製防附著零件基體表面,形成膜厚爲5〜1 0 0 的焊錫膜之貴金屬物理蒸著裝置的防附著零件, (7 )在金屬製防附著零件基體,特別是在C u或是 C u合金製防附著零件基體表面,形成融點爲1 0 0〜 4 5 OeC的軟錫所形成的焊錫膜而成之貴金屬物理蒸著裝 置的防著零件。 (8 )在金屬製防附著零件基體,特別是在C u或是 C u合金製防附著零件基體表面,形成融點爲1 0 0〜 4 5 0 °C的軟錫所形成的膜厚爲5〜1 Ο Ο μιη的焊錫膜 而成之貴金靥物理蒸著裝置的防附著零件。 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 金屬製防附著零件基體,可以具抗熱性的金屬材料所 作成,但衡量到熱傳導性、價格等,則以C u或是C u合 金所作成較爲理想,此防附著零件基體表面的焊錫膜,也 能以電鍍法、無電解電鍍法、物理蒸著法、焊錫油脂塗敷 法等其他的任何方法形成》 另外,由於在具有本發明的焊錫膜之防附著零件表面 施予物理蒸著因而除去所附著的金餍膜*係爲將附著金靥 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210X297公嫠) -10 - ^0^647_B7____ 五、發明説明(8 ) 膜的防附著零件浸漬在焊錫脫離劑之中,因應於必要而使 其振動即可。 具有本發明的焊錫膜之防附著零件,不僅是可以作爲 物理蒸著貴金羼(Au、Ag、Pt、Pd、Rh)之裝 置的防附著零件,也可以作爲物理蒸著貴金靥以外的C r 、N i 、Aj?、Cu等的金靥之裝置的防附著零件,所使 用。因此本發明的特徵爲 (9 )在金靥製防附著零件基體*特別是在C u或是 C u合金製防附著零件基體的表面形成焊錫膜而成之金屬 物理蒸著裝置的防附著零件, (1 0 )在金靥製防附著零件基體,特別是在C u或 是C u合金製防附著零件基體表面,形成膜厚爲5〜 1 0 0 的焊錫膜而成之金靥物理蒸著裝置的防附著零 件, 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) (1 1 )在金屬製防附著零件基體,特別是在C u或 是C u合金製防附著零件基體表面,形成融點爲1 0 〇〜 4 5 0 °C的軟錫所形成之焊錫膜之金靥物理蒸著裝置的防 附著零件, (1 2 )在金屬製防附著零件基體,特別是在C u或 是C u合金製防附著零件基體表面,形成融點爲1 0 0〜 4 5 0 °C的軟錫所形成之膜厚爲5〜1 0 0 的焊錫膜 而成之金靥物理蒸著裝置的防附著零件》 形成前述焊錫膜之金屬物理蒸著裝置的防附著零件, 都具有良好的效果,但貴金靥附著在防附著零件的焊錫膜 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 _B7________ 五、發明説明(9 ) 全面,則焊錫脫離劑未與焊錫膜接觸,將附著貴金靥的防 附著零件浸漬在脫離劑而搖動,焊錫膜也難從防附著零件 脫離,因此會有貴金靥回收耗時的情形。在此樣的情況, 預先將鑛錫過的C u線或是C u箔帶、Α β箔帶或者是合 成樹脂帶介由接著劑能脫離的接著在形成於防附著零件表 面之焊錫膜的上面,進行A u物理蒸著後,脫離鍍錫過的 C u線或是鍍錫過的C u箔帶、Aj箔帶或者是合成樹脂 帶,則露出該部分的焊錫膜,由於將一部分露出該焊錫膜 之A u物理蒸著膜附著遮罩治具浸潰在焊錫脫離劑因應於 必要而搖動,因此在與焊錫膜除去的同時可以在更短時間 簡單的脫離附著在焊錫膜表面之A u物理蒸著膜。 因此,本發明的特徵 (1 3 )在遮罩治具基體表面形成焊錫膜而成之A u 物理蒸著裝置的遮罩治具,特別是在C u或是C u合金製 遮罩治具基體表面形成焊錫膜而成之A u物理蒸著裝置的 遮罩治具焊錫膜上,介由接著劑而能脫離的接著鍍錫過的 C u線或是鍍錫過的C u箔帶、Α ί箔帶及合成樹脂帶之 中的1種以上而成之A u物理蒸著裝置的遮罩治具。 被形成在遮罩治具基體,特別是被形成在C u或是C u合金製遮罩治具基體表面之焊錫膜,因已明白以融點爲 1 0 0〜4 5 0 °C的軟錫所形成的膜厚爲5〜1 0 0 jwm 的焊錫較爲理想,所以本發明的特徵 (1 3 )在遮罩治具基本表面形成焊錫膜而成之A u 物理蒸著裝置的遮罩治具,特別是在C u或是C u合金製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) L---------/^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1·1 -12 - A7 B7 402647 五、發明説明(10 ) 遮罩治具基體表面形成焊錫膜而成之A u物理蒸著裝置的 遮罩治具焊錫膜上,介由接著劑而能脫離的接著銨錫過的 C u線或是鍍錫過的c u箔帶、A又箔帶及合成樹脂帶之 中的一種以上而成之A u物理蒸著裝置的遮罩治具。 被形成在遮罩治具基體,特別是被形成在C u或是 C u合金製遮罩治具基體表面之焊錫膜,因已明白以融點 爲1 0 0〜4 5 0 °C的軟錫所形成的膜厚爲5〜1 00 私m的焊錫膜較爲理想,所以本發明的特徵爲 (1 4 )在遮罩治具基體,特別是在C u或是C u合 金製遮罩治具基體表面形成融點爲1 0 0〜4 5 0 °C的軟 錫所形成的焊錫膜而成之A u物理蒸著裝置的遮罩治具焊 錫膜上,介由接著劑而能脫離的接著銨錫過的C u線或是 鍍錫過的C u箔帶、Αί箔帶及合成樹脂帶之中的1種以 上而成之A u物理蒸著裝置的遮罩治具,及 (1 5 )在遮罩治具基體,特別是在C u或是C u合 金製遮罩治具基體表面形成融點爲1 0 0〜4 5 0°C的軟 錫所形成的膜厚爲5〜1 0 0 的焊錫膜而成之Au物 理蒸著裝置的遮罩治具焊錫膜上,介由接著劑而能脫離的 接著鍍錫過的Cu線或是鍍錫過的Cu箔帶、Αί箔帶及 合成樹脂帶之中的1種以上而成之A u物理蒸著裝置的遮 罩治具。 此焊錫膜由於不僅是形成在前述A u物理蒸著裝置的 遮罩治具,且形成在物理蒸著Au以外的貴金靥(Ag、 P t、Pd、Rh)的裝置之蔽環、擋板等各種防附著零 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4规格(210X297公嫠) L „ /k-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -13 - ^02647_B7__ 五、發明説明(11 ) 件的表面’因而可以使其增加防附著零件的再利用次數^ 因此本發明的特徵爲: (1 6 )在金屬防附著零件基體,特別是在C u或是 c U合金製防附著零件基體表面形成焊錫膜而成之貴金靥 物理蒸著裝置的防附著零件焊錫膜上,介由接著劑能脫離 的接著鍍錫過的C u線或是鍍錫過的C u箔帶、A又箔帶 或是合成樹脂帶中的1種以上而成之貴金屬物理蒸著裝置 的防附著零件。 被形成在該金屬製防附著零件基體,特別是被形成在 C u或是C u合金製防附著零件基體表面之焊錫膜,因與 被形成在前述遮罩治具基體表面之焊錫膜相同,所以本發 明的特徵爲: 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (1 7 )在金屬製防附著零件基體,特別是在C u或 是C u合金製防附著零件表面形成膜厚爲5〜1 0 0 的焊錫膜而成之貴金靥物理蒸著裝置的防附著零件焊錫膜 上,介由接著劑而能脫離的接著鍍錫過的C u線或是鍍錫 過的C u箔帶、A 5箔帶及合成樹脂帶之中的一種以上而 成之貴金屬物理蒸著裝置的防附著零件, (1 8 )在金屬製防附著零件基體,特別是在C u或 是C u合金製防附著零件基體表面形成融點爲1 〇 〇〜 4 5 0°C的軟錫所形成的焊錫膜而成之貴金屬物理蒸著裝 置的防附著零件焊錫膜上,介由接著劑而能脫離的接著鍍 錫過的C u線或是鍍錫過的C u箔帶、Ai?箔帶及合成樹 脂帶之中的1種以上而成之貴金靥物理蒸著裝置的防附著 本紙張尺度適用中ί國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ " -14 - A7 _402647_-__ 五、發明説明(12 ) 零件, (1 9 )在金屬製防附著零件基體,特別是在C u或 是Cu合金製防附著零件基體表面形成 融點爲1〇〇〜 4 5 0 °C的軟錫所形成的膜厚爲5〜1 0 0 的焊錫膜 而成之貴金靥物理蒸著裝置的防附著零件焊錫膜上,介由 接著劑而能脫離的接著鍍錫過的C u線或是鍍錫過的C u 箔帶、A 箔帶及合成樹脂之中的1種以上而成之貴金屬 物理蒸著裝置的防附著零件。 具有本發明的焊錫膜之防附著零件,不僅可以作爲物 理蒸著貴金靥(Au、Ag、Pt、Pd、Rh)之裝置 的防附著零件,且作爲物理蒸著貴金屬以外的C r、N i 、Aj?、Cu等的金屬之裝置的防附著零件,而使用。因 此本發明的特徵爲: 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 —Γ-n I I I - n n t I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} (2 0 )在金靥製防附著零件基體,特別是在C u或 是C u合金製防附著零件基體表面形成焊錫膜而成之金靥 物理蒸著裝置的防附著零件焊錫膜上,介由接著劑而能脫 離的接著鍍錫過的C u線或是鍍錫過的C u箔帶、Aj?箔 帶及合成樹脂帶之中的1種以上而成之金靥物理蒸著裝置 的防附著零件, (2 1 )在金屬製防附著零件基體,特別是在C u或 是C u合金製防附著零件基體表面形成膜厚爲5〜1 0 0 以m的焊錫膜而成之金屬物理蒸著裝置的防附著零件焊錫 膜上,介由接著劑而能脫離的接著鍍錫過的C u線或是鍍 錫過的C u箔帶、A j?箔帶及合成樹脂帶之中的1種以上 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) ,e -15 - . Αν __40264*?_Β7_ 五、發明説明(13 ) 而成之金靥物理蒸著裝置的防附著零件, (2 2 )在金靥製防附著零件基體,特別是在C u或 是C u合金製防附著零件基體表面形成融點爲1 0 0〜 4 5 0 °C的軟錫所形成的焊錫膜而成之金屬物理蒸著裝置 的防附著零件焊錫膜上,介由接著劑而可脫離的接著鍍錫 過的C u線或是銨錫過的C u箔帶、AJ?箔帶及合成樹脂 帶之中的1種以上而成之金屬物理蒸著裝置的防附著零件 > (2 3 )在金屬製防附著零件基體,特別是在C u或 是C u合金製防附著零件基體表面形成融點爲1 0 0〜 4 5 0 °C的軟錫所形成之膜厚爲5〜1 Ο Ο μιη的焊錫膜 而成之金靥物理蒸著裝置的防附著零件焊錫膜上,介由接 著劑而能脫離的接著鍍錫過的C u線或是鍍錫過的C u箔 帶、Α5箔帶及合成樹脂帶之中的1種以上而成之金屬物 理蒸著裝置的防附著零件。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 被形成在前述金屬製防附著零件基體表面之焊錫膜表 面的粗細比J IS B 0601所規定的算術平均粗細( 以下,以Ra表示):0. 01#m還平滑,則於蒸著中 脫離堆積在防附著零件之蒸著金屬,脫落而形成爲微粒發 生的原因,另則被形成在金屬製防附著零件基體表面之焊 錫膜的表面粗細比Ra:l#m還粗,則爲了在 焊錫膜 表面張貼金靥帶,所以在所使用的接著劑從焊錫脫離金屬 帶之際,殘留在焊錫膜的凹剖,此殘留的接著劑,造成將 物理蒸著後的防附著零件浸漬在焊錫脫離液而妨礙焊錫膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) ~ -16 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 402647 ^五、發明説明(14) 的化學性溶解之結果,係爲不良結果》因此被形成在金靥 製防附著零件基體表面之焊錫膜表面粗細,係爲在 0. 0 1〜l//m的範圍內較爲理想。 因此,其特徵爲:被形成在前述(1)〜(23)所 記載之金屬物理蒸著裝置的防附著零件其焊錫膜表面的粗 細,係爲Ra:0. 01〜l;um (理想的是0· 1〜 0. 8jwm)的範圍內。 〔發明之實施形態〕 <實施例1 > 準備車床加工(3. 2 - S)的CD — ROM製造用 C u製遮罩治具基體測定該CD — ROM製造用C u製遮 罩治具基體表面粗細,R爲0. 58#m。進而準備以 甲磺酸鉛:57gr/j? 甲磺酸錫:3gr/5 游離甲磺酸:0. 72N 市售平滑劑:33gr/芡 所形成的組合電鍍液,使用上述電鍍液*以下述的條件 電鍍液溫度:20°C 攪拌條件:1000r. p. m.(磁粒) 陰極電流密度:5A/dm2 電鍍時間:5分鐘 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐〉 -17 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 A7 ^02647_!Z_ 五、發明説明(15 ) 在前述C u製遮罩治具基體的表面形成厚度爲1 0 μπι,表面粗細Ra爲0. 75以m的Pb — 5%Sn焊 錫(融點爲3 1 0°C)膜,製作本發明的遮罩治具1。 由於使用本發明遮罩治具1,在CD—ROM基板表 面形成A u物理蒸著膜,而製作CD - ROM,在本發明 遮罩治具1表面附著1 mm的A u物理蒸著膜的時刻,將 此遮罩治具加諸超音波振動同時浸漬在5公升焊錫脫離液 (以乳酸爲5 0 V ο 1 %,剩餘部分爲水所形成的水溶液 )(液溫爲4 0 °C )。 其結果,遮罩治具基體表面的焊錫膜係爲溶解在焊錫 脫離液中,所附著的A u物理蒸著膜係在2 7分鐘完全的 脫落在焊錫脫離液中。脫落在焊錫脫離液中之A u物理蒸 著膜,由於過漉分離焊錫脫離液因而可以容易的回收。返 復進行此樣的A u回收操作及遮罩治具基體的再生,測定 遮罩治具基體的尺寸精度及再利用未變形的遮罩治具基體 之次數(以下,簡稱再利用次數)的結果,本發明遮罩治 具1的再利用次數爲9 5次。 實施例2 將在實施例1所準備的CD — ROM製造用C u遮罩 治具基體,浸漬在以 甲磺酸鉛:14. 8gr/j? 甲磺酸錫:25. 2gr/i 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本貰)
.V 訂 -18 - ^02647_B7 _ 五、發明説明(16 )
游離甲磺酸:0. 72N
市售平滑劑:33gr/芡 所形成的組合電鍍液,以下述的條件 電鍍液溫度:20°C 攪拌條件:lOOOr. p. m.(磁粒) 陰極電流密度:5A/drrf 電鍍時間:1 0分鐘 由於在C u製遮罩治具基體的表面形成厚度爲2 0 /zm, 表面粗細Ra爲〇_ 7 5卩m的Pb — 6 3%Sn焊錫( 融點爲1 8 3°C)膜,而製作本發明遮罩治具。 由於使用本發明遮罩治具2,在CD — ROM基板表 面形成A u物理蒸著脫而製作CD - ROM,在本發明之 遮罩治具2表面附著1 mm的A u物理蒸著脫的時刻,將 這些遮罩治具加諸超音波振動同時浸漬在5公升焊錫脫離 液(以醋酸爲5 0 V ο 1 % ;剩餘部分爲水所形成的水溶 液)(液溫:4 0 °C )。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 其結果,遮罩治具基體表面的焊錫膜係爲溶解在脫離 液中,所附著的A u物理蒸著膜在2 0分鐘完全的脫落在 焊錫脫離液中,所脫落的焊錫脫離液中之A u物理蒸著膜 ,由於過濾分離焊錫脫離液因而可以容易的回收。返復進 行此樣的A u回收操作及遮罩治具基體的再生’測定再利 用次數的結果,再利用次數爲6 2次》 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ 19 一 B7 --402647— 五、發明説明(17 ) 實施例3 (請先閲讀背面之注^K項再填寫本頁) 由於進而以研磨紙(#1 500)研磨處理在實施例 1所準備的C D - ROM製造用C u製遮罩治具基體,而 製作表面粗細Ra爲0. 07#m的遮罩治具基體。在此 遮罩治具基體的表面,以通常的條件之蒸著法形成厚度爲 50//m的Pb-5%1 n-5%Ag焊錫(融點爲 290 °C)膜,製作本發明遮罩治具3。本發明遮罩治具 3的焊錫膜之表面粗細Ra爲0.12em。 由於使用本發明遮罩治具3,在CD — ROM基板表 面形成A u物理蒸著膜而製作C D — ROM,在本發明遮 罩治具3的表面附著1 mm的A u物理蒸著膜之時刻,將 此遮罩治具加諸超音波振動同時浸漬在5公升焊錫脫離液 (以醋酸爲50V〇 1%,剩餘部分爲水所形成的水溶液 )(液溫:4 0 °C )。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 其結果,遮罩治具基體表面的焊錫係爲溶解在焊錫脫 離液中,所附著的A u物理蒸著膜係爲在1 3分鐘完全的 脫落在焊錫脫離液中,脫落在焊錫脫離液中的A u物理蒸 著膜,由於過濾分離焊錫脫離液,因而可以容易的回收。 返復進行此樣的A u回收操作及遮罩治具基體的再生,測 定再利用次數,再利用次數爲73次》 實施例4 由於進而使用1 φ的鑽石磨粒而研磨處理以實施 例3的研磨紙(# 1 5 0 0 )所研磨處理過的CD — 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 4 02ft 4 γ_b7___ 五、發明説明(is) ROM製造用C u製遮罩治具基體’而製作表面粗細r a 爲〇 · 0 2 ym的遮罩治具基體。在此遮罩治具基體的表 面,以通常的條件之蒸著法,形成厚度爲9 〇 的S η 一 5%Ag焊錫(融點爲2 2 1°C)膜,製作本發明遮罩 治具4。本發明遮罩治具4的焊錫膜表面粗細R a爲 0 . 1 〇 v m。 由於使用本發明遮罩治具4,在CD — ROM基板表 面形成A u物理蒸著膜而製作CD - ROM,在本發明遮 罩治具4表面附著1 mm之A u物理蒸著膜的時刻,將此 遮罩治具加諸超音波振動同時浸漬在5公升焊錫脫離液( 以醋酸爲50Vol%,剩餘部分爲水的水溶液)(液溫 :4 0 〇C )。 其結果,遮罩治具基體表面的焊錫膜係爲溶解在焊錫 脫離液中,所附著的A u物理蒸著膜在6分鐘完全的脫落 在焊錫脫離液中,脫落在焊錫脫離液中的A u物理蒸著膜 ,由於過濾分離焊錫脫離液,因而可以容易的回收。返復 進行此樣的A u回收操作及遮罩治具基體的再生,測定再 利用次數的結果,再利用次數爲5 3次。 實施例5 將以實施例3所製作的表面粗細Ra爲0· 0 7/^m 的CD — ROM製造用C u製遮罩治具基體,浸漬在以 甲磺酸鉛:6. Ogr/文 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ik -訂 -21 - A7 402^47_-___ 五、發明説明(l9 )
游離甲磺酸:〇· 72N 市售平滑劑:33gr/)2 所形成的合成電鍍液’以下述的條件 電鍍液溫度:2 0°C 攪拌條件:l〇〇〇r. p.m.(磁粒) 陰極電流密度:5A/diri 電鍍時間:5 0分 由於在C u製遮罩治具基體的表面,形成表面粗細爲 0 . 45μιη的純Pb焊錫(融點爲328 °C)膜,而製 作本發明遮罩治具5。 由於使用本發明遮罩治具5,在CD — ROM基板表 面形成A u物理蒸著膜而製作CD — ROM,在本發明遮 罩治具5的表面附著1 mm之A u物理蒸著膜的時刻,將 此遮罩治具加諸超音波振動同時浸漬在5公升焊錫脫離液 (以醋酸爲50V〇 1%,剩餘部分爲水所形成的水溶液 )(液溫:4 0 °C )。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先聞讀背面之注項再填寫本頁) 其結果,遮罩治具基體表面的焊錫膜係爲溶解在焊錫 脫離液中,所附著的A u物理蒸著膜在2 3分鐘完全的脫 落在焊錫脫離液中,脫落在焊錫脫離液中之A u物理蒸著 膜,由於過濾分離焊錫脫離液,因而可以容易的回收。返 復進行此樣的A u回收操作及遮罩治具基體的再生,測定 再利用次數的結果,再利用次數爲8 4次。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -22 - Μ 4〇264·7__Β7_ __ 五、發明説明(2〇 ) 實施例6 將以實施例3所製作的表面粗細Ra爲〇. 07 之CD — ROM製造用C u製遮罩治具基體,浸漬在以
甲磺酸錫:6〇gr/5 游離甲磺酸:0. 72N
市售平滑劑:33gr/又 所形成的組合電鍍液,以下述的條件 電鍍液溫度:2 0 °C 攪拌條件:1000r. P . m .(磁粒) 陰極電流密度:5A/dnf 電鍍時間:2 . 5分鐘 在C u製遮罩治具基體的表面,形成厚度爲5 /zm,表面 粗細爲0. 25众111的純511焊錫(融點爲232。(:)膜 ,製作本發明遮罩治具6。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 I!--.-----vk-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於使用本發明遮罩治具6,在CD — ROM基板表 面形成A u物理蒸著膜而製作CD — ROM,在本發明遮 罩治具6的表面附著1 mm之A u物理蒸著膜的時刻,將 此遮罩治具加諸超音波振動同時浸漬在5公升焊錫脫離液 (以醋酸爲5 0 V ο 1 %,剩餘部分爲水所形成的水溶液 )(液溫:4 0 °C )。 其結果,遮罩治具基體表面的焊錫膜係爲溶解在焊錫 脫離液中,所附著的A u物理蒸著膜在1 6分鐘完全的脫 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 2 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 4〇8647_b77五、發明説明(21 ) 落在焊錫脫離液中,脫落在焊錫脫離液中的A u物理蒸著 膜,由於過濾分離焊錫脫離液,因而可以容易的回收。反 復進行此樣的A u回收操作及遮罩治具基體的再生,測定 再利用次數的結果,再利用次數爲4 6次。 實施例7 在C u製遮罩治具基體的表面形成厚度爲1 〇 , 表面粗細Ra爲0. 75#m的Pb — 5%Sn焊錫(融 點爲3 1 0°C)膜其實施例7的本發明遮罩治具1表面, 如第3圓的平面圖所示,將形成厚度爲1〇#m的Pb-5%Sn焊錫(融點爲3 1 0°C)電鍍膜之Cu線27以 微量的合成橡膠系接著劑能脫離的接著在支撐腕2 5,製 作本發明遮罩治具。 使用本發明遮罩治具7,在CD — ROM基板表面形 成All物理蒸著膜而製作CD — ROM,在本發明遮罩治 具7表面附著1 mm之A u物理蒸著膜的時刻,除去接著 在此遮罩治具的焊錫膜上之焊錫電鍍Cu線2 7,而使其 一部分露出被形成在遮罩治具基體表面的焊錫膜,將此遮 罩治具加諸超音波振動同時浸漬在5公升焊錫脫離液(以 乳酸爲50Vol%,剩餘部分爲水的水溶液)(液溫: 4 0。。)。 4其結果,遮罩治具基體表面的焊錫膜係爲溶解在焊錫 脫離液中,所附著的A u物理蒸著膜在1 7分鐘完全的脫 落在焊錫脫離液中,脫落在焊錫脫離液中的A u物理蒸著 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) " -24 - L---·------vk-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ί —訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 402647 B7五、發明説明(22 ) 膜,由於過濾分離焊錫脫離液,因而可以容易的回收。返. 復進行此樣的A u回收操作及遮罩治具基體的再生,測定 遮罩治具基體之再利用次數的結果,本發明遮罩治具7的 再利用次數爲1 0 5次。 實施例8 在C u製遮罩治具基體的表面形成厚度爲2 0 μιη, 表面面粗細Ra爲0. 75#m的Pb — 63%Sn焊錫 (融點爲1 8 3°C)膜之實施例2的本發明遮罩治具2表 面,如第4圖的平面圖所示,將形成厚度爲1 0 //m的 Pb — 6 3%Sn焊錫(融點爲1 8 3°C)電鍍膜之Cu 線,以背面塗敷接著劑的Α ί箔帶2 8脫離可能的接著固 定在支撐腕2 5,而製作本發明遮罩治具》 使用本發明遮罩治具8,在CD — ROM基板表面形 成A u物理蒸著膜而製作CD — ROM,在本發明遮罩治 具8表面附著1 mm之A u物理蒸著膜的時刻,除去接著 固定在此遮罩治具的焊錫膜上之焊錫電鍍C u線2 7及 A发箔帶2 8,而使其一部分露出被形成在遮罩治具基體 表面之焊錫膜,將此遮罩治具加諸超音波振動同時浸漬在 5公升焊錫脫離液(以醋酸爲50V〇 1%,剩餘部分爲 水所形成的溶液)(液溫:40°C) » 其結果,遮罩治具基體表面的焊錫膜係爲溶解在焊錫 脫離液中,所附著的A u物理蒸著膜在1 4分鐘完全的脫 落在焊錫脫離液,脫落在焊錫脫離液中的A u物理蒸著膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)〇c -25 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 402647五、發明説明(23) ,由於過濾分離焊錫脫離液,而可以容易的回收。返復進 行此樣的A u回收操作及遮罩治具基體的再生,測定再利 用次數的結果,本發明遮罩治具8的再利用次數爲7 2次 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 實施例9 在C u製遮罩治具基體表面,以通常條件的蒸著法, 形成厚度爲50#m,表面粗細Ra爲0. 12/^m的 Pb — 5%Ι η — 5%Ag焊錫(融點爲290 °C)膜之 實施例3的本發明遮罩治具3表面,如第5圖的平面圖所 示,由於能脫離的接著背面塗敷接著劑之Aj?箔帶28, 而製作本發明遮罩治具9。 使用本發明遮罩治具9,由於在CD — ROM基板表 面形成A u物理蒸著膜,而製作CD — ROM,在本發明 遮罩治具9的表面附著1 mm之A u物理蒸著膜的時刻, 除去接著在此遮罩治具的焊錫膜上之Α β箔帶28,而使 其露出被形成在遮罩治具基體表面的焊錫膜,將此遮罩治 具加諸超音波振動同時浸潰在5 公升焊錫脫離液(以醋 酸爲5 0V ο 1 %,剩餘部分爲水所形成的水溶液)(液 溫:4 0 0C )。 其結果,遮罩治具基體表面的焊錫膜係爲溶解在焊錫 脫離液中,所附著的A u物理蒸著膜在7分鐘完全的脫落 在焊錫脫離液中,脫落在焊錫脫離液中的A u物理蒸著膜 ,由於過濾分離焊錫脫離液,因而可以容易的回收。返復 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -26 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 402647_l_五、發明说明(24) 進行此樣的A u回收操作及遮罩治具基體的再生,測定再. 利用次數的結果,本發明遮罩治具9的再利用次數爲8 5 次。 實施例1 0 在C u製遮罩治具基體的表面形成厚度爲9 0 jum, 表面粗細Ra爲0. 10em的Sn — 5%Ag焊錫(融 點爲2 2 1°C)蒸著膜之實施例4的本發明遮罩治具4之 外周遮蔽板2 2的焊錫膜上,如第6圖的遮罩治具平面圓 所示,由於能脫離的接著背面塗敷接著劑的乙烯基帶2 9 而製作本發明遮罩治具1 0。 使用本發明遮罩治具10,在CD — ROM基板表面 形成Au物理蒸著膜而製作CD -ROM,在本發明遮罩 治具1 0表面附著1mm之A u物理蒸著膜的時點,除去 接著在此遮罩治具的焊錫膜上之乙烯基帶2 9,而使其一 部分露出被形成在遮罩治具基體表面的焊錫膜,將此遮罩 治具加諸超音波振動同時浸漬在5公升焊錫脫離液(以醋 酸爲50Vol%,剩餘部分爲水所形成的水溶液)(液 溫:4 0 °C )。 其結果,遮罩治具基體表面的焊錫膜係爲溶解在焊錫 脫離液中,所附著的A u物理蒸著膜在5分鐘完全的脫落 在焊錫脫離液中,脫落在焊錫脫離液中的A u物理蒸著膜 ,由於過濾分離焊錫脫離液,而可以容易的回收。返復進 行此樣的A u回收操作及遮罩治具基體的再生,測定再利 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -27 - _ 4〇2647 e77 五、發ί月説明(25 ) 用次數的結果,本發明遮罩治具1 Ο的再利用次數爲6 3 次。 實施例1 1 在C U製遮罩治具基體的表面形成厚度爲1 0 〇 ,表面粗細Ra爲〇. 45vm的純Pb焊錫(融點爲 3 2 8 °C)膜之實施例5的本發明遮罩治具(未圖示)的 支撐腕之焊錫膜上,以背面塗敷接著劑的乙烯基帶能脫離 的接著形成厚度爲1 0 Mm的純P b電鍍膜之C u箔帶( 未圖示),製作本發明遮罩治具11。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用本發明遮罩治具1 1 ,由於在CD — ROM基板 表面形成A u物理蒸著膜,而製作C D — ROM記錄媒體 ,在本發明遮罩治具11的表面附著1mm之Au物理蒸 著膜的時刻,除去接著在此遮罩治具的焊錫膜上的C u箔 帶及乙烯基帶,而使其一部分露出被形成在遮罩治具基體 的表面,將此遮罩治具加諸超音波同時浸潰在5公升焊錫 脫離液(以醋酸爲50Vo 1%,剩餘部分爲水所形成的 水溶液)(液溫4 0 °C )。 其結果,遮罩治具基體表面的焊錫膜係爲溶解在焊錫 脫離液中,所附著的A u物理蒸著膜在2 0分鐘完全的脫 落在焊錫脫離液中,脫落在焊錫脫離液中的A u物理蒸著 膜,由於過濾分離焊錫脫離液,因而可以容易的回收。返 復進行此樣的A u回收操作及遮罩治具基體的再生,測定 再利用次數的結果,再利用次數爲8 2次。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ 402647五、發明视明(26 ) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 實施例1 2 由於在C u製遮罩基體的表面形成厚度爲5 ,表 面粗細Ra爲0. 25/im的純Sn焊錫(融點爲232 °C)膜,因而在以實施例6所製作的焊錫膜被覆遮罩治具 之支撐腕及中央遮蔽板的焊錫膜上,分別能脫離的接著背 面塗敷接著劑的A艾箔帶及乙烯基帶,製作本發明的遮罩 治具1 2。 使用本發明遮罩治具1 2,由於在CD — ROM基板 表面形成Au物理蒸著膜而製作CD — ROM,在本發明 遮罩治具12的表面附著1mm之Au物理蒸著膜的時刻 ,除去接著此遮罩治具12的焊錫膜上之Αβ箔帶及乙烯 基帶,而使其一部分露出被形成在遮罩治具基體表面的焊 錫膜,將此遮罩治具加諸超音波振動同時浸漬在5公升焊 錫脫離液(以醋酸爲50V〇 1%,剩餘部分爲水所形成 的水溶液)(液溫爲40°C)。 其結果,遮罩治具基體表面的焊錫膜係爲溶解在焊錫 脫離液中,所附著的A u物理蒸著膜在1 4分鐘脫落在焊 錫脫離液中,脫離在焊錫脫離液中的A u物理蒸著膜,用 以過濾分離焊錫脫離液而可以容易的回收。返復進行此樣 的A u回收操作及遮罩治具基體的再生,測定再利用次數 的結果,再利用次數爲8 5次。 過去例1 在以實施例所準備的CD — ROM製造用C u製遮罩 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -29 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 402647 - 鲁五、發明説明(27) 治具基體的表面’以通常電鍍條件下形成厚度爲1 的 R h膜,製作過去遮罩治具1。使用此過去遮罩治具1 , 由於在C D - R 0M基板表面形成物理蒸著膜而製作c D 一 ROM,在過去遮罩治具1的表面附著imm之Au物 理蒸著膜的時刻’將這些遮罩治具5小時浸漬在溶解市售 的金脫離劑之金脫離液(液溫爲3 0 °C),返復進行回收 A u同時再生遮罩治具,測定過去遮罩治具1的再利用次 數的結果,再利用的次數爲8次》 過去例2 在以實施例1所準備的CD — ROM製造用C u製遮 罩治具基體的表面,以通常的電鍍條件形成厚度爲0. 5 的p t膜,製作過去遮罩治具。使用此過去遮罩治具 2,由於在CD — ROM基板表面形成Au物理蒸著膜而 製作CD — ROM,在過去遮罩治具2的表面附著1mm 之A u物理蒸著膜的時刻,將遮罩治具5小時浸漬在溶解 市售的金脫離劑之金脫離液(液溫爲3 0 °C),返復進行 回收A u同時再生遮罩治具,測定過去遮罩治具1的再利 用次數之結果,再利用次數爲9次。 從實施例1〜12及過去例1〜2所示的結果已了解 (A) 形成焊錫的本發明遮罩治具1〜2,與形成白 金族膜的過去遮罩治具1〜2作比較,都大幅的增加再利 用次數, (B) 除去厚度爲lmm所附著的Au物理蒸著膜之 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ go _ A7 B7 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 ^02647 b7 五、發明説明(28) * 時間,在形成白金族膜的過去遮罩治具1〜2的情況,對 於必要5小時,本發明遮罩治具1〜1 2則爲6 0分鐘以 內,脫離所要的時爲極短且是有效率的。 以上,從遮罩治具脫離附著在物理蒸著裝置的遮罩治 具之A u物理蒸著膜的實施例,與過去例比較且說明過, 但本發明並不限於物理蒸著A u的裝置之防附著零件,除 了 Au以外的貴金屬(Ag、Pt 、Pd、Rh),進而 物理蒸著C r、N i 、Αβ、Cu等的金靥的裝置之防附 著零件也可以適用》 〔發明之效果〕 如上述,形成本發明的焊錫膜之物理蒸著裝置的防附 著零件,特別是遮罩治具,因可以大幅增加再利用次數, 進而可以在短時間除去附著物理蒸著膜,所以對成本的削 減具有很大的貢獻。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖係爲表示A u物理蒸著裝置的構造之斷面概略 圖。 第2圖係爲遮罩治具的斜視圖。 第3圖係爲遮罩治具的平面圖。 第4圖係爲遮罩治具的平面圖。 第5圖係爲遮罩治具的平面圓。 第6圖係爲遮罩治具的平面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Mrn vln nnl nn *1 1— n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -31 - 4〇264γ Α7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Β7五、發明説明(29 ) 〔圖號說明〕 1 : CD — ROM、CD — R、或是 CD 基板 2 :遮罩治具 3 : A u標的 4 : Au物理蒸著膜 5 :蔽環 6 :擋板 7 :活性A u金靥 2 1 :中央遮蔽板 2 2 :外周遮蔽板 2 3 :環狀開口 2 4 :外周體 2 5 :支撐腕 2 6 :支柱 27 :鍍錫過的Cu線 2 8 : A又箔帶 2 9 :乙烯基帶 3 0 :焊錫膜被覆遮罩治具 [I.------裝---: — 1—訂------J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -32 -

Claims (1)

  1. ^02647 A8 B8 C8 D8 六、申‘請專利範圍 民國88年12月修正 第85112906號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種物理蒸著裝置之防附著零件,其特徵利用於 爲物理蒸著貴金靥(金、銀、鉑)、銅、鉛、鎳等之各種單 體金屬或合金金屬的物理蒸著裝置的基體,於銅或銅合金 所成防附著零件及該表面上,形成錫、鉛之單體金屬或鉛 -錫-銦、鉛-錫等之合金,或其他之金屬、合金金屬的焊 錫膜者》 2. —種物理蒸著裝置之防附著零件,其特徵具有如 申請專利範圍第1項記載之物理蒸著裝置之防附著零件之 表面焊錫膜厚爲5〜lOGvm,且該表面粗糙度爲JIS B 0 6 0 1所規定之算術平均粗糙度(以下以Ra表之)爲0. 〇1〜1 // m範圍的表面焊錫膜者。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 3. —種物理蒸著裝置之防附著零件,其特徵係於具 有如申請專利範圍第1或2項記載之組成、構造的物理蒸著 裝置之防附著零件之表面焊錫膜上,將施以焊錫鍍層之金 屬線或金屬箔帶或鋁箔帶或合成樹脂帶,介由黏著劑,呈 可剝離黏著者。 4. —種物理蒸著裝置之防附著零件,其特徵係於具 有如申請專利範圍第1或2項記載之組成、構造的物理蒸著 裝置之防附著零件之表面焊錫膜上,將施以焊錫鍍層之金 屬線或金屬箔帶,於單面塗布黏著劑之合成樹脂、鋁箔帶 ,呈可剝離固定者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
    ^02647 A8 B8 C8 D8 六、申‘請專利範圍 民國88年12月修正 第85112906號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種物理蒸著裝置之防附著零件,其特徵利用於 爲物理蒸著貴金靥(金、銀、鉑)、銅、鉛、鎳等之各種單 體金屬或合金金屬的物理蒸著裝置的基體,於銅或銅合金 所成防附著零件及該表面上,形成錫、鉛之單體金屬或鉛 -錫-銦、鉛-錫等之合金,或其他之金屬、合金金屬的焊 錫膜者》 2. —種物理蒸著裝置之防附著零件,其特徵具有如 申請專利範圍第1項記載之物理蒸著裝置之防附著零件之 表面焊錫膜厚爲5〜lOGvm,且該表面粗糙度爲JIS B 0 6 0 1所規定之算術平均粗糙度(以下以Ra表之)爲0. 〇1〜1 // m範圍的表面焊錫膜者。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 3. —種物理蒸著裝置之防附著零件,其特徵係於具 有如申請專利範圍第1或2項記載之組成、構造的物理蒸著 裝置之防附著零件之表面焊錫膜上,將施以焊錫鍍層之金 屬線或金屬箔帶或鋁箔帶或合成樹脂帶,介由黏著劑,呈 可剝離黏著者。 4. —種物理蒸著裝置之防附著零件,其特徵係於具 有如申請專利範圍第1或2項記載之組成、構造的物理蒸著 裝置之防附著零件之表面焊錫膜上,將施以焊錫鍍層之金 屬線或金屬箔帶,於單面塗布黏著劑之合成樹脂、鋁箔帶 ,呈可剝離固定者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A8 B8 408647_§___ 六、申請專利範圍 5. —種物理蒸著裝置之防附著零件,其特徵係於如 申請專利範圍第1至第5項所記載之物理蒸著裝置之防附著 零件之表面上,經由具有焊錫鍍膜、剝離用帶’將蒸著於 表面之金屬膜,藉由以往噴砂法、鋁箔膜熔解法等’可容 易地將金屬膜剝離,且增大蒸著零件之重覆利用次數者。 T--IJ------- •裝--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) »1 ^1 ^1 ί I-*-°*JI I n n .^1 I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
JP2005504885A (ja) 2001-07-25 2005-02-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
JP3982284B2 (ja) * 2002-03-06 2007-09-26 住友電気工業株式会社 サブマウントおよび半導体装置
US6776887B2 (en) * 2002-03-29 2004-08-17 Imation Corp. Method and apparatus for thin film center shielding
TW200404484A (en) * 2002-09-02 2004-03-16 Furukawa Circuit Foil Copper foil for soft circuit board package module, for plasma display, or for radio-frequency printed circuit board
KR100591433B1 (ko) * 2004-12-29 2006-06-22 동부일렉트로닉스 주식회사 질화 티타늄(TiN) 스퍼터링 공정용 실드 및 코팅방법
US7938252B2 (en) 2007-12-21 2011-05-10 Cinetic Sorting Corp. Unstacking conveyor with floating surface
CN107109619A (zh) * 2014-12-29 2017-08-29 应用材料公司 用于沉积处理期间掩蔽基板的掩蔽布置、用于在基板上的层沉积的沉积设备、和用于清洁掩蔽布置的方法
JP7129581B1 (ja) * 2022-06-01 2022-09-01 田中貴金属工業株式会社 成膜装置用部材
JP7175420B1 (ja) * 2022-06-01 2022-11-18 田中貴金属工業株式会社 成膜装置用部材の製造方法、堆積物除去方法、有価金属回収方法、および成膜装置用部材の再生方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5659234A (en) * 1979-10-19 1981-05-22 Fujitsu Ltd Mask reinforcing method
JPS6024360A (ja) * 1983-07-20 1985-02-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 金属帯板用連続めつき方法
JPS60174874A (ja) * 1984-02-13 1985-09-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> メタルマスク
JPH0744352B2 (ja) * 1991-03-08 1995-05-15 株式会社フジタ 電波シールドテープの製造方法
JPH0629298A (ja) * 1992-07-07 1994-02-04 Fujitsu Ltd 半田バンプ形成方法

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