JP3276765B2 - チップ固定抵抗器の電極端子形成方法 - Google Patents
チップ固定抵抗器の電極端子形成方法Info
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ固定抵抗器の電
極端子形成方法に関するものである。
極端子形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップ固定抵抗器は、アルミナ等
の基体上に酸化ルテニウム系のペースト材料を印刷し、
焼成して抵抗体を形成し、その電極部に銀ペースト材料
を印刷し、約８００℃の温度で焼成して銀電極を形成し
ていた。そして、この銀電極部の上には、半田付け性を
保証し、かつ抵抗器としての信頼性を確保するために、
ニッケルめっき皮膜と半田めっき皮膜を形成している。
ニッケルめっき皮膜は、半田付け時の半田くわれを防止
するとともに、抵抗器がプリント基盤等に組込まれた後
の銀のマイグレーションによる短絡事故を防止するため
に、２μｍ以上の膜厚に形成される。また、半田めっき
皮膜は、良好な半田付け性を得るために設けられるもの
で、錫のウィスカーを防ぐため、錫比率６０〜９８重量
％の鉛−錫系の半田めっきにより２μｍ以上の膜厚に形
成される。
の基体上に酸化ルテニウム系のペースト材料を印刷し、
焼成して抵抗体を形成し、その電極部に銀ペースト材料
を印刷し、約８００℃の温度で焼成して銀電極を形成し
ていた。そして、この銀電極部の上には、半田付け性を
保証し、かつ抵抗器としての信頼性を確保するために、
ニッケルめっき皮膜と半田めっき皮膜を形成している。
ニッケルめっき皮膜は、半田付け時の半田くわれを防止
するとともに、抵抗器がプリント基盤等に組込まれた後
の銀のマイグレーションによる短絡事故を防止するため
に、２μｍ以上の膜厚に形成される。また、半田めっき
皮膜は、良好な半田付け性を得るために設けられるもの
で、錫のウィスカーを防ぐため、錫比率６０〜９８重量
％の鉛−錫系の半田めっきにより２μｍ以上の膜厚に形
成される。
【０００３】上記の酸化ルテニウムを抵抗体とするチッ
プ固定抵抗器は、銀電極を形成するために銀ペーストを
約８００℃で焼成するので、その熱によって酸化ルテニ
ウムの抵抗値が変化するという欠点がある。所定の抵抗
値を得るための熱処理温度の制御が困難であり、製品の
歩留りが悪く、抵抗値の許容差も１％程度と大きい。し
かし、前記のような欠点を許容しうる用途においては、
依然として需要がある。
プ固定抵抗器は、銀電極を形成するために銀ペーストを
約８００℃で焼成するので、その熱によって酸化ルテニ
ウムの抵抗値が変化するという欠点がある。所定の抵抗
値を得るための熱処理温度の制御が困難であり、製品の
歩留りが悪く、抵抗値の許容差も１％程度と大きい。し
かし、前記のような欠点を許容しうる用途においては、
依然として需要がある。
【０００４】一方、抵抗体にＮｉ−Ｃｒ−ＡｌなどのＮ
ｉ−Ｃｒ系合金の薄膜抵抗体を蒸着により形成し、更に
電極部も同様の合金皮膜により形成するチップ固定抵抗
器が提案されている。この構成によると、抵抗値許容差
は０．０１％程度と非常に小さく、かつ製品の歩留りも
優れたチップ固定抵抗器が得られる。
ｉ−Ｃｒ系合金の薄膜抵抗体を蒸着により形成し、更に
電極部も同様の合金皮膜により形成するチップ固定抵抗
器が提案されている。この構成によると、抵抗値許容差
は０．０１％程度と非常に小さく、かつ製品の歩留りも
優れたチップ固定抵抗器が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記Ｎｉ−Ｃｒ系薄膜
抵抗体を用いたチップ固定抵抗器は、その電極部のＮｉ
−Ｃｒ系合金膜が表面に強固な酸化皮膜（不動態酸化皮
膜）を有するため、通常のニッケルめっきを施しただけ
では、生成したニッケルめっき皮膜の密着性が確保でき
ず、テープ試験で皮膜剥がれを生じる。また、不動態膜
上にはニッケルが生成し難いために、めっき膜厚のばら
つきが大きくなる。そして、ニッケルめっき膜厚が２μ
ｍ程度以下のチップ抵抗器は、半田フローあるいはディ
ップによる実装工程において、半田くわれを生じ、抵抗
器として機能しなくなるなどの不都合が発生していた。
また、前記の酸化ルテニウムを抵抗体とするチップ固定
抵抗器においても、その銀電極の表面には汚れや酸化膜
が生成し、そのため通常のニッケルめっきを施しただけ
ではめっき皮膜の密着性を確保できず、上記と同様な不
都合が発生していた。本発明は、以上の問題に鑑み、チ
ップ固定抵抗器の電極部上に、均一かつ密着性に優れ、
半田くわれの生じないめっき皮膜を形成する方法を提供
することを目的とする。
抵抗体を用いたチップ固定抵抗器は、その電極部のＮｉ
−Ｃｒ系合金膜が表面に強固な酸化皮膜（不動態酸化皮
膜）を有するため、通常のニッケルめっきを施しただけ
では、生成したニッケルめっき皮膜の密着性が確保でき
ず、テープ試験で皮膜剥がれを生じる。また、不動態膜
上にはニッケルが生成し難いために、めっき膜厚のばら
つきが大きくなる。そして、ニッケルめっき膜厚が２μ
ｍ程度以下のチップ抵抗器は、半田フローあるいはディ
ップによる実装工程において、半田くわれを生じ、抵抗
器として機能しなくなるなどの不都合が発生していた。
また、前記の酸化ルテニウムを抵抗体とするチップ固定
抵抗器においても、その銀電極の表面には汚れや酸化膜
が生成し、そのため通常のニッケルめっきを施しただけ
ではめっき皮膜の密着性を確保できず、上記と同様な不
都合が発生していた。本発明は、以上の問題に鑑み、チ
ップ固定抵抗器の電極部上に、均一かつ密着性に優れ、
半田くわれの生じないめっき皮膜を形成する方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、チップ固定抵
抗器の電極部上に、金のストライクめっきをした後、ニ
ッケルめっき皮膜と半田めっき皮膜を順次形成すること
を特徴とする。ここで、金のストライクめっきには、塩
化物を用いない酸性金ストライクめっき浴が適してい
る。好ましい酸性金ストライクめっき浴およびめっき条
件を以下に示す。
抗器の電極部上に、金のストライクめっきをした後、ニ
ッケルめっき皮膜と半田めっき皮膜を順次形成すること
を特徴とする。ここで、金のストライクめっきには、塩
化物を用いない酸性金ストライクめっき浴が適してい
る。好ましい酸性金ストライクめっき浴およびめっき条
件を以下に示す。
【０００７】金ストライクめっき浴； シアン化第二金カリウムなどの 金塩を金濃度として １．０〜５．０ｇ／ｌ 硫酸コバルトなどのコバルト塩 をコバルト濃度として ０．１〜１．０ｇ／ｌ 硫酸 ５〜２０ｍｌ／ｌ りん酸 ５０〜１５０ｍｌ／ｌ ｐＨ １．０以下 浴温 ２０〜３５℃ 電流密度 ０．５〜１０Ａ／ｄｍ2 めっき膜厚 ０．０１〜１．０μｍ
【０００８】また、金のストライクめっきに先立って前
処理の脱脂工程において、グルコン酸などのキレート剤
を含む脱脂液を用いると、洗浄と同時に合金表面を溶解
し、めっき皮膜の密着性がより向上するので好ましい。
脱脂液のキレート剤含有量は５〜１５重量％が適当であ
る。特に、Ｎｉ−Ｃｒ系合金薄膜の膜厚の厚い低抵抗の
チップ抵抗器においては、表面の酸化不動態皮膜も厚い
ため、キレート剤を含有する脱脂液による処理は有効で
ある。
処理の脱脂工程において、グルコン酸などのキレート剤
を含む脱脂液を用いると、洗浄と同時に合金表面を溶解
し、めっき皮膜の密着性がより向上するので好ましい。
脱脂液のキレート剤含有量は５〜１５重量％が適当であ
る。特に、Ｎｉ−Ｃｒ系合金薄膜の膜厚の厚い低抵抗の
チップ抵抗器においては、表面の酸化不動態皮膜も厚い
ため、キレート剤を含有する脱脂液による処理は有効で
ある。
【０００９】
【作用】本発明の方法によると、金のストライクめっき
浴中で陰極電解処理を行うことによって、陰極となるＮ
ｉ−Ｃｒ系合金薄膜や銀などからなる電極部表面では、
以下の作用が同時に起こる。 （１）発生する水素が電極部表面の酸化膜を還元しそれ
を除去しようとする作用。 （２）金が貴な金属であるために、極めて高速に金を析
出しようとする作用。この処理をバレルで行うことによ
って、より均一に表面酸化膜除去を行い、密着性が良好
かつ均一な金皮膜生成が得られることになる。 ストライクめっき浴としては、塩化物系の浴もある。し
かし、塩化物系の浴は、電流効率がよくないために、陰
極電解によって発生する水素がかなり多く、Ｎｉ−Ｃｒ
系皮膜表面に孔食に似たピット等の欠陥部を生じさせ、
その後のニッケルめっき工程においてピンホールの形成
を促進することにより、半田くわれ、耐湿性および半田
濡れ性を低下させるおそれがある。また、塩化物浴は、
電流効率があまりよくないことから、析出速度が遅く、
付き回りも悪いため、均一な皮膜生成が得られにくい。
浴中で陰極電解処理を行うことによって、陰極となるＮ
ｉ−Ｃｒ系合金薄膜や銀などからなる電極部表面では、
以下の作用が同時に起こる。 （１）発生する水素が電極部表面の酸化膜を還元しそれ
を除去しようとする作用。 （２）金が貴な金属であるために、極めて高速に金を析
出しようとする作用。この処理をバレルで行うことによ
って、より均一に表面酸化膜除去を行い、密着性が良好
かつ均一な金皮膜生成が得られることになる。 ストライクめっき浴としては、塩化物系の浴もある。し
かし、塩化物系の浴は、電流効率がよくないために、陰
極電解によって発生する水素がかなり多く、Ｎｉ−Ｃｒ
系皮膜表面に孔食に似たピット等の欠陥部を生じさせ、
その後のニッケルめっき工程においてピンホールの形成
を促進することにより、半田くわれ、耐湿性および半田
濡れ性を低下させるおそれがある。また、塩化物浴は、
電流効率があまりよくないことから、析出速度が遅く、
付き回りも悪いため、均一な皮膜生成が得られにくい。
【００１０】一方、塩化物を用いない酸性金ストライク
めっき浴は、塩化物浴に比べ電流効率が良いため、水素
の過剰発生によるピンホール形成を増長させることな
く、極めて均一に不動態酸化皮膜の除去を行うととも
に、析出速度も塩化物浴に比べ速いことから、密着性に
優れた金皮膜を均一に生成することができる。上記の金
めっき皮膜上には、ワット浴により密着がよく、しかも
ばらつきの少ないニッケルめっき皮膜を形成することが
できるので、チップ固定抵抗器を用いる半田フローやデ
ィップによる実装工程において電極端子部分の半田くわ
れや剥がれのない高信頼性の製品を得ることが可能とな
る。本発明は、特にＮｉ−Ｃｒ系合金薄膜を抵抗体とす
るチップ固定抵抗器のＮｉ−Ｃｒ系合金電極部に有効で
あるが、酸化ルテニウムを抵抗体とする銀電極部など酸
化皮膜などにより通常のニッケルめっきで十分な密着性
の得られない電極部に適用することができる。
めっき浴は、塩化物浴に比べ電流効率が良いため、水素
の過剰発生によるピンホール形成を増長させることな
く、極めて均一に不動態酸化皮膜の除去を行うととも
に、析出速度も塩化物浴に比べ速いことから、密着性に
優れた金皮膜を均一に生成することができる。上記の金
めっき皮膜上には、ワット浴により密着がよく、しかも
ばらつきの少ないニッケルめっき皮膜を形成することが
できるので、チップ固定抵抗器を用いる半田フローやデ
ィップによる実装工程において電極端子部分の半田くわ
れや剥がれのない高信頼性の製品を得ることが可能とな
る。本発明は、特にＮｉ−Ｃｒ系合金薄膜を抵抗体とす
るチップ固定抵抗器のＮｉ−Ｃｒ系合金電極部に有効で
あるが、酸化ルテニウムを抵抗体とする銀電極部など酸
化皮膜などにより通常のニッケルめっきで十分な密着性
の得られない電極部に適用することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は本
実施例のチップ固定抵抗器を示す縦断面図である。１は
長方形のアルミナ製基体であり、その上面および下面に
はそれぞれ金のペーストを印刷し、約８５０℃で焼成す
ることにより金薄膜からなる一対の上面電極層２、２お
よび下面電極層３、３を形成し、さらに上面電極層２、
２間にまたがるように、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ合金のスパッ
タにより厚さ０．５μｍ以下の抵抗体層４を形成してい
る。５は、抵抗体層４の表面を被覆するエポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂からなる保護層である。この保護層を形
成した後、上面電極層２および下面電極層３と重なるよ
うに、かつ両電極層を連結するように、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａ
ｌ合金のスパッタにより膜厚０．５μｍ以下の端面電極
層６を形成している。
実施例のチップ固定抵抗器を示す縦断面図である。１は
長方形のアルミナ製基体であり、その上面および下面に
はそれぞれ金のペーストを印刷し、約８５０℃で焼成す
ることにより金薄膜からなる一対の上面電極層２、２お
よび下面電極層３、３を形成し、さらに上面電極層２、
２間にまたがるように、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ合金のスパッ
タにより厚さ０．５μｍ以下の抵抗体層４を形成してい
る。５は、抵抗体層４の表面を被覆するエポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂からなる保護層である。この保護層を形
成した後、上面電極層２および下面電極層３と重なるよ
うに、かつ両電極層を連結するように、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａ
ｌ合金のスパッタにより膜厚０．５μｍ以下の端面電極
層６を形成している。
【００１２】上記のように、Ｎｉ−Ｃｒ系合金薄膜から
なる抵抗体層４を保護層５により被覆し、電極部の露出
面をＮｉ−Ｃｒ系合金皮膜により構成したチップ固定抵
抗器に対して、酸性金ストライクめっき浴を用いて膜厚
２μ以下の金めっき皮膜７を形成する。この金めっき皮
膜は、通常１μｍ程度までで十分である。次いで、通常
のワット浴を用いて膜厚２〜２０μｍのニッケルめっき
皮膜８を形成し、さらに、半田めっき浴を用いて膜厚２
〜２０μｍの半田めっき皮膜９を形成する。こうして、
半田くわれおよび剥がれがなく、従来の耐湿性と半田濡
れ性を維持した電極端子が形成される。
なる抵抗体層４を保護層５により被覆し、電極部の露出
面をＮｉ−Ｃｒ系合金皮膜により構成したチップ固定抵
抗器に対して、酸性金ストライクめっき浴を用いて膜厚
２μ以下の金めっき皮膜７を形成する。この金めっき皮
膜は、通常１μｍ程度までで十分である。次いで、通常
のワット浴を用いて膜厚２〜２０μｍのニッケルめっき
皮膜８を形成し、さらに、半田めっき浴を用いて膜厚２
〜２０μｍの半田めっき皮膜９を形成する。こうして、
半田くわれおよび剥がれがなく、従来の耐湿性と半田濡
れ性を維持した電極端子が形成される。
【００１３】以下に、電極端子を形成する具体例を説明
する。上記の電極部がＮｉ−Ｃｒ系合金の皮膜からなる
チップ固定抵抗器を以下に示す脱脂液を用い、５０℃で
５分間処理して脱脂し、水洗する。
する。上記の電極部がＮｉ−Ｃｒ系合金の皮膜からなる
チップ固定抵抗器を以下に示す脱脂液を用い、５０℃で
５分間処理して脱脂し、水洗する。
【００１４】脱脂液； グルコン酸 ５ｇ／ｌ 水酸化ナトリウム ２５ｇ／ｌ りん酸ナトリウム ３ｇ／ｌ オルトけい酸ナトリウム １０ｇ／ｌ 界面活性剤 ２ｇ／ｌ
【００１５】次に、硫酸の５重量％水溶液に常温で１分
間浸漬して中和処理をし、次に、塩酸の１０重量％水溶
液に常温で３分間浸漬して活性化処理をし、水洗する。
以上のようにして前処理をしたチップ抵抗器を鉄製ダミ
ーの玉とともにバレルに入れ、以下に示すめっき浴およ
びめっき条件で金のストライクめっきをした。
間浸漬して中和処理をし、次に、塩酸の１０重量％水溶
液に常温で３分間浸漬して活性化処理をし、水洗する。
以上のようにして前処理をしたチップ抵抗器を鉄製ダミ
ーの玉とともにバレルに入れ、以下に示すめっき浴およ
びめっき条件で金のストライクめっきをした。
【００１６】 金ストライクめっき浴； ＫＡｕ（ＣＮ）4をＡｕ濃度として ２ｇ／ｌ ＣｏＳＯ4・７Ｈ2ＯをＣｏ濃度として ０．２ｇ／ｌ Ｈ2ＳＯ4 １０ｍｌ／ｌ Ｈ3ＰＯ4 １００ｍｌ／ｌ ｐＨ ０．６ 浴温 常温 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 めっき膜厚 ０．１μｍ
【００１７】水洗後、以下に示すワット浴を用いてニッ
ケルめっきをし、水洗後、半田めっき浴を用いて半田め
っきをし、水洗した。
ケルめっきをし、水洗後、半田めっき浴を用いて半田め
っきをし、水洗した。
【００１８】 ニッケルめっき浴； ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ ３００ｇ／ｌ ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ ７０ｇ／ｌ Ｈ3ＢＯ3 ５０ｇ／ｌ ｐＨ ３．５ 浴温 ５０℃ 電流密度 ０．５Ａ／ｄｍ2 めっき膜厚 ７μｍ
【００１９】 半田めっき浴； アルカノールスルホン酸第一錫 １０ｇ／ｌ アルカノールスルホン酸鉛 １ｇ／ｌ アルカノールスルホン酸 １００ｇ／ｌ 半光沢剤 ２０ｃｃ ｐＨ １．０以下 浴温 常温 電流密度 ０．５Ａ／ｄｍ2 めっき膜 ７μｍ
【００２０】次いで、変色防止処理として、Ｎａ3ＰＯ4
・１２Ｈ2Ｏの水溶液（濃度；５０ｇ／ｌ）により６０
℃で２分間処理した後、水洗、乾燥した。また、比較例
として、金のストライクめっきを省いた他は上記と同様
にニッケルめっきと半田めっきをして電極端子を形成し
た。
・１２Ｈ2Ｏの水溶液（濃度；５０ｇ／ｌ）により６０
℃で２分間処理した後、水洗、乾燥した。また、比較例
として、金のストライクめっきを省いた他は上記と同様
にニッケルめっきと半田めっきをして電極端子を形成し
た。
【００２１】以上のチップ固定抵抗器について、テープ
試験および半田耐熱試験をした。テープ試験は、抵抗器
をその保護層側を下にして両面接着テープ（ニチバンの
ＮＷ−１０）上に接着し、電極端子の一方をピンセット
で挟んで垂直方向に起こした際の上面電極層の剥がれの
有無を調べる試験である。また、半田耐熱試験は、３０
０℃に保持した噴流式半田槽に抵抗器を３０秒間浸漬
し、電極端子に半田くわれが生じるか否かを調べる試験
である。これらの試験の結果、電極層の剥がれや半田く
われなどの異常を生じた数の比較を表１に示す。
試験および半田耐熱試験をした。テープ試験は、抵抗器
をその保護層側を下にして両面接着テープ（ニチバンの
ＮＷ−１０）上に接着し、電極端子の一方をピンセット
で挟んで垂直方向に起こした際の上面電極層の剥がれの
有無を調べる試験である。また、半田耐熱試験は、３０
０℃に保持した噴流式半田槽に抵抗器を３０秒間浸漬
し、電極端子に半田くわれが生じるか否かを調べる試験
である。これらの試験の結果、電極層の剥がれや半田く
われなどの異常を生じた数の比較を表１に示す。
【００２２】また、実施例および比較例のチップ固定抵
抗器各５０個を樹脂に埋め込み、その断面を研磨した
後、金属顕微鏡でニッケルめっきの膜厚を測定した。そ
の結果を図２および表２に示す。
抗器各５０個を樹脂に埋め込み、その断面を研磨した
後、金属顕微鏡でニッケルめっきの膜厚を測定した。そ
の結果を図２および表２に示す。
【００２３】表１から明らかなように、本発明によるチ
ップ固定抵抗器は、テープ試験、半田耐熱試験いずれに
おいても異常なく、均一かつ密着性のよいニッケル皮膜
および半田めっき皮膜が形成されていることがわかる。
また、図２および表２から明らかなように、本発明によ
るチップ固定抵抗器は、金ストライクめっき皮膜が均一
に付いていることから、上層にニッケルめっき皮膜が析
出しやすく、同じめっき条件にもかかわらず膜厚が厚く
付き、しかもばらつきが低減されていることがわかる。
ップ固定抵抗器は、テープ試験、半田耐熱試験いずれに
おいても異常なく、均一かつ密着性のよいニッケル皮膜
および半田めっき皮膜が形成されていることがわかる。
また、図２および表２から明らかなように、本発明によ
るチップ固定抵抗器は、金ストライクめっき皮膜が均一
に付いていることから、上層にニッケルめっき皮膜が析
出しやすく、同じめっき条件にもかかわらず膜厚が厚く
付き、しかもばらつきが低減されていることがわかる。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、金のストライクめっき
工程を付加することにより、チップ固定抵抗器の電極部
に、均一かつ密着性のよいニッケルめっき皮膜および半
田めっき皮膜を析出できることにより、歩留りよく、半
田くわれや剥がれのない電極端子を形成することができ
る。また、Ｎｉ−Ｃｒ系合金薄膜を抵抗体とするチップ
固定抵抗器の電極部に適用することにより、抵抗値許容
差の小さい優れたチップ固定抵抗器を実現することがで
きる。
工程を付加することにより、チップ固定抵抗器の電極部
に、均一かつ密着性のよいニッケルめっき皮膜および半
田めっき皮膜を析出できることにより、歩留りよく、半
田くわれや剥がれのない電極端子を形成することができ
る。また、Ｎｉ−Ｃｒ系合金薄膜を抵抗体とするチップ
固定抵抗器の電極部に適用することにより、抵抗値許容
差の小さい優れたチップ固定抵抗器を実現することがで
きる。
【図１】本発明の実施例におけるチップ固定抵抗器の縦
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の実施例および比較例のチップ固定抵抗
器のニッケルめっき膜厚の度数分布の比較を示す。
器のニッケルめっき膜厚の度数分布の比較を示す。
１ 基体 ２ 上面電極層 ３ 下面電極層 ４ 抵抗体層 ５ 保護層 ６ 端面電極層 ７ 金めっき皮膜 ８ ニッケルめっき皮膜 ９ 半田めっき皮膜
Claims (5)
- 【請求項１】 チップ固定抵抗器の電極部上に、金のス
トライクめっきをした後、ニッケルめっき皮膜と半田め
っき皮膜を順次形成することを特徴とするチップ固定抵
抗器の電極端子形成方法。 - 【請求項２】 金のストライクめっきに用いるめっき浴
が、塩化物を含まない酸性金めっき浴である請求項１記
載のチップ固定抵抗器の電極端子形成方法。 - 【請求項３】 前記金のストライクめっき浴が、金濃度
として金塩を１．０〜５．０ｇ／ｌ、コバルト濃度とし
てコバルト塩を０．１〜１．０ｇ／ｌ、硫酸を５〜２０
ｍｌ／ｌ、りん酸を５０〜１５０ｍｌ／ｌ含み、ｐＨが
１．０以下である請求項２記載のチップ固定抵抗器の電
極端子形成方法。 - 【請求項４】 チップ固定抵抗器の電極部が、Ｎｉ−Ｃ
ｒ系合金からなる請求項１〜３のいずれかに記載のチッ
プ固定抵抗器の電極端子形成方法。 - 【請求項５】 Ｎｉ−Ｃｒ系合金がＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ合
金である請求項４記載のチップ固定抵抗器の電極端子形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01926594A JP3276765B2 (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | チップ固定抵抗器の電極端子形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01926594A JP3276765B2 (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | チップ固定抵抗器の電極端子形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230904A JPH07230904A (ja) | 1995-08-29 |
| JP3276765B2 true JP3276765B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=11994616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01926594A Expired - Fee Related JP3276765B2 (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | チップ固定抵抗器の電極端子形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3276765B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117300A (en) * | 1996-05-01 | 2000-09-12 | Honeywell International Inc. | Method for forming conductive traces and printed circuits made thereby |
| JP2001035740A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Taiyo Kagaku Kogyo Kk | 外部端子電極具備電子部品及びその製造方法 |
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| JP7349317B2 (ja) | 2019-10-18 | 2023-09-22 | Koa株式会社 | チップ部品およびチップ部品の製造方法 |
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- 1994-02-16 JP JP01926594A patent/JP3276765B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH07230904A (ja) | 1995-08-29 |
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