JPS58500765A - パラジウムと銅およびニツケルの少くとも一方の金属とを含むめつき層を化学的に剥離する方法および該方法に使用する浴 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 パラジウムと銅およびニッケルの少くとも一方の金属とを含むめっき層を化学的 に剥離する方法および該方法に使用する浴 技術分野 本発明は、パラジウムと銅およびニッケルの少くとも一方の金属とを含むめっき 層を、特に物体の無電解・電解組合せメタライジングに使用したランクから化学 的に剥離する方法に関する。さらに本発明は該方法に使用する浴に関する。

背景技術 無電解・電解組合せメタライジングは、絶縁した物体を金属めっき層で被覆する ために広い範囲で使用されている。通常の手順では、絶縁した物体の表面を１ず 活性剤、一般にはパラジウムで被覆し、後の工程で物体を無電解メタライジング 浴の中へ沈めるときに触媒として機能させる。無電解メタライジング浴にしばし ば付随する低いめっき率および低い安定度などの不利益のために、普通この方法 では薄いめっき層が形成される。このめっき層を電流源に結び、めっき層を必要 な厚さにまでガルバニ浴の中で増大させる。例としては、めっき貫通孔をもつ印 刷回路の製造およびプラスチック物体のニッケルめっき被覆がある。

記載した手順に従ってメタライジングを行うときは、メタライソングを施すべき 物体をコンベヤの上に据えつけたランクに取りつける。このランクは浴から浴へ 移し、その順序は使用するメタライジング方法によって決める。めっき貫通孔を もつ印刷回路を製造するときの順序の一例は、次のとおりである。脱脂−予備エ ノチングー予備活性化−活性化−活性剤の現示（ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　）− 無電解鋼めっき。この工程の後で、印刷回路カードを電解めっき用の特別の機械 の中で新しいラックへ移動させるか、または、前の工程を行ったと同じ機械の中 の特別のステーションにおいて電解めっきで処理を続けることができる。後者の 場合には処理を連続的に行うことができるので、当然最も経済的である。この場 合のラックの構成は、ランク中の個別の物体に電流を導き得るようにする必要が ある。電流がランクから浴中へ直接流れて望丑しくないめっきによりランクが損 傷するのを防ぐためには、ラックを絶縁層で被覆して、電流を物体へ適切な結合 装置を通して伝える余地だけを残すようにする。

発明の開示 めっきすべき物体を保持するためのラック上の絶縁層はプラスチックから成る。

この層は使用する浴からの化学的な影響に耐えるとともに、さらにその表面特性 は無電解メタライジング浴中で金属付着を生じさせないようなものとする。した がって第１の条件は、活性剤（パラジウム）が付着しないことである。材料を十 分に注意し工選んでも、活性剤をどこにも付着芒せないようにすることは、例え ば疲労または掻ききすのために難しい。確かに金属はこの活性化された部分に付 着し、１だ、ランクを無電解メタライジング浴に通すごとに、めっき層の厚さは 増す。さらに、新しい活性点が活性化浴の各通過の間に生じるために、遅かれ早 かれラック全体がめつきされる。

金属の付着は、実際、ガルバニ浴中の各サイクルの間にランクおよび結合装置の 電流伝導部分の上でも生じるが、このめっき層は各サイクルの後で特別の浴の中 でラックの接点を通る電流の流れを逆にすることにより除去される。浴にさらさ れる金蝿部分の腐食を減少させるために、その部分は普通チタンでつくる。チタ ンは普通に使用されるアルカリ性めっき浴に耐え、しかも「逆の」電解の間も溶 けない。本質的に結合装置に使用し得るいくつかの他の金属および金属合金、例 えば耐酸性の鋼は、アルカリ性の浴の中での逆の電解化（電解剥離）により激し く侵される。酸性の浴を使用するときには、結合装置を耐酸性の鋼重たはアルミ ニウムでつくってよい。

電解剥離処理を用いても、パラジウムの活性化めっき層および無電解めっき金属 の電解化電流源と接触しない部分は電解浴そのものには影響されないために、こ れらめっき層は除去されない。金属めつき庵そのものは、当該金属に適した周知 のエツチング液のどれか、例えば銅の場合には塩化銅により除去することができ る。しかしこれらエツチング液ではパラジウムめっき層は除去されず、成長し続 ける。この場合、パラジウムの痕跡量が無電解メタライソング浴の中へ放出され て沈殿の核となることにより浴が急速に損なわれる惧れが多分にある。周知の技 術では強い酸、例えば濃硝酸を使用する必要がある。しかしこのような酸はチタ ン結合装置を激しく侵す。さらに、窒素含有（ｎｉｔｒｏｕｓ）ヒユームによっ て環境上の問題が生じる。

本発明の方法によれば、ラックをいくつかのめつき処理に連続的に通し、しかも 、絶縁した表面の上にｙｓ。

ラジウムおよびめっき金属の層を生じ烙せず、結合装置の侵食および有害ヒユー ムの問題を避けることができる。本発明による実施態様は添付請求の範囲に示し たように特徴づけられる。

図面の簡単な説明 本発明を添付図面に関連してさらに詳しく説明する。

図面中第１図は取付は枠を示し、第２ａおよび２ｂ図は結合装置の部分断面投影 図を示す。

発明を実施するための形態 第１図中１１は枠を示し、耐食性の金属、好ましくはチタンから作られる。懸吊 および結合腕１２．１３を枠に取付けるとともに電気的に結び、それによって枠 を図示しないが本質的に周知のコンベヤに取付ける。

コンベヤにより、枠をメタライジング処理におい℃浴から浴へ移す。電解的処理 を行う浴において、結合枠１２．１３を電流源へ結ぶ。枠１１は第２ａおよび第 ２ｂ図に示すように、金属石２１の外側を絶縁層２２で被覆する。プラスチック 被膜は耐食性であって、その表面特性は無電解付着のための活性剤、普通はパラ ジウムによる付着を生じさせないようなものでなくてはならない。適切な材料は 可撓性ｐｖｃ−またはポリプロピレンである。

枠１１には、適切に間隔をおいた孔２３およびこの孔と結合する横溝２４を設け る。孔２３および溝２４には電気伝導性の弾力性クランプ２５を取付け、枠の金 属石２１と接触させる。メタライジングすべき物体、例えば印刷回路１４をクラ ンプ２５へ適切に取付けるために、鈎として形成したクランプの端２６を印刷回 路中の適切な孔の中へ入れる手段を用いる。

メタライゼーションの間、枠全体を選んだ方法において使用する異なった浴の中 へ沈める。無電解・電解組合せメタライジングとともに多数のこのような方法が 文献上知られており、それらは全て６つの主な工程、すなわち活性化、無電解め っきおよび電解めっきを含んでいる。めっきされる金属は、印刷回路に関しては 普通には銅であり、一方活性剤はパラジウムである。

メタライゼーションの後で印刷回路１４を枠１１かもはずす。クランプ２５およ び枠２１のうち金属性の部材が浴にさらされる部分は、金属めっき層で覆われて いる。このめっき層を後続のメタライジングサイクル中に成長させないためには 、枠を電解剥離浴に通す。

銅の場合にはこの浴は次のもので構成することかで゛　きる： １０体積％　硫酸 ５０　ｇ／ｌ　スルファミノ酸 １００〜２００　ｇ／ｌ！　スルファミン酸銅痕跡量の塩化物例えば塩化銅 電気分解は枠を陽極とし、銅を陰極として行う。枠の絶縁した表面２２の上で無 電解処理中に活性剤および銅が付着したはん点は電流源と接触しないために、こ の浴はこのはん点に影響を与えない。このはん点を後続のサイクルの間に増大さ せないためには、はん点をメタライジングサイクルの後で除去するのが好ましい 。この除去を行うには、枠を電解埴Ｊ離の後で無電解剥離浴中に浸して、無電解 めっき層とともに付着を生じさせたパラジウムの痕跡を浴で除去する。このよう な水性浴は少くとも次のものを含む： ２０〜２００９／ｌ　硝酸 １０〜１００１１／ｌｊ　過酸化水素 １〜５モル／ｌ　他の酸、特に硫酸 １．５〜５０１１／ｌ　酸化しにくく、特別の浴の中で窒素化合物を生じさせな い過酸化水 素安定剤、例えばアミノ安息香酸（ＡＢＳＢ２Ｏ２はめつき金属を溶かすときに ヒドロニウムイオン源および陰イオンとして機能し、しかもその陰イオンは浴中 で安定であるものとする。−例をあげると硫酸またはりん酸である。

浴の温度は２０℃と５０℃の間、好ましくは３５〜５０°Ｃとする。

同じ剥離浴を使用することができるものとし℃、無電解・電解組合せニッケルめ っき層、無電解付着鋼の上の電解ニッケルめっき層、無電解付着ニッケルの上の 電着銅、および銅および／またはニッケルを含む合金、例えば青銅、銅、ニッケ ルおよび黄銅の無電解・電解組合せめっき層がある。

例１．　銅積層印刷回路をメタライジングするときには、パラジウムを活性剤と して使用して無電解銅めっきを１μｍの厚さで付着させる。このめっき層を電着 銅により約３０μｍにまで増大させる。印刷回路をラックからはずした後で、ラ ックを指定された組成をもつ浴の中で電解剥離処理する。その後で、ランクを次 の水溶液を含む無電解剥離浴に浸した。

１００ｇ／ｌ　硝酸 １０ｇ／ｌ　過酸化水素 ５１１／１３　アミノ安息香酸（ＡＢＳ　）１００ｇ／ｌ　硫酸 浴の温度は４５℃とした。

ヨ）　処理時間は８分であった。

処理後、全ての付着した銅およびパラジウムは除去されていた。結合装置の侵食 は全く見られなかった。

例２．　プラスチックの物体をめっき処理する場合には、プラスチックの表面を パラジウムで活性化し、ニッケルの薄い層を本質的に周知の無電解めっき浴から 付着させる。ニッケルめっき層を電解的に増強した。物体をラックからはずした のち、主として前記と同じ組成をもつがただし銅塩を対応するニッケル塩で置き 替えた浴の中で電解剥離を行った。このときＰＨを２．０〜４．５の範囲内に保 ってガスの発性を防止した。その後で、ラックを次のものから成る浴に浸した。

１００９／ｌ　硝酸 １ｏｇ７ノ　過酸化水素 ３　ｇ／ｌ　アミノ安息香酸（ＡＢＢ）１００ｇ／ｌｊ　硫酸 浴の温度は４５℃とした。

処理時間は８分であった。

処理後、全ての沈殿したニッケルおよびパラジウムは除去されていた。結合装置 の侵食は全く見られなかった。

国際調査報告

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．　パラジウムと銅およびニッケルの少くとも一方の金属とを含むめっき層を 化学的に且つ選択的に剥離する方法において、硝酸２０〜２００　ｇ／ｌ、過酸 化水素１０〜１００ｇ／ｌ、硫酸またはりん酸１〜５モル／ｌの水溶液および場 合により過酸化水素安定剤を含む浴の中へめっき層を沈めることを特徴とする該 方法。 ２、安定剤はアミン安息香酸である請求の範囲第１項記載の方法。 ３、　浴温度は２０〜５０℃である請求の範囲第１項または第２項に記載の方法 。 ４、請求の範囲第１項記載の方法を実施するための浴であって、硝酸２０〜２０ ０　ｆｉ／Ｉｔ、過酸化水素１０〜１００　ｆ！／１１硫Ｉ！またはりん酸１〜 ５モル／ｌの水溶液および過酸化水素安定剤を含しことを特徴とする該浴。 ５、安定剤はアミン安息香酸である請求の範囲第４項記載の浴。