CN107435130A - 掩膜装置、蒸镀设备及蒸镀方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及掩膜装置、蒸镀设备以及蒸镀方法。该掩膜装置包括框架，所述框架包括外框架以及内框架，所述内框架设置于所述外框架的内部；其中，所述外框架与所述内框架为一体成型结构。这样设置后，内框架和外框架无需在各自加工完成后进行连接，而是两者在同一块材料上通过机械加工的方式加工而成，或者，两者采用浇铸或注塑的方式一次加工成型，因此，框架的结构稳定性得到提升，其中，内框架作为支撑掩膜，其在自身重力及掩膜板的重力共同作用下引起的下垂现象可以得到缓解，进而掩膜板上出现褶皱的情况会得到控制和改善。

Description

掩膜装置、蒸镀设备及蒸镀方法

技术领域

本申请涉及OLED制造技术领域，尤其涉及一种掩膜装置、蒸镀设备及蒸镀方法。

背景技术

基于OLED(Organic light emitting diodes，有机发光二极管)的显示技术在近几年得到了极大的关注，且在产品化方面有了重大突破。由于该显示技术涉及到有机膜层的制备，因此，真空蒸镀工艺被引入生产制程。蒸镀制程中，蒸镀材料被加热到一定温度后蒸发并沉积至玻璃基板上。

现有技术中，通常利用掩膜装置中的掩膜板来遮挡玻璃基板上特定位置的蒸镀材料以生成具有设计图案的薄膜结构。然而，现有技术中为了减小掩膜板因重力产生的重垂，除了采用支撑掩膜进行支撑外，还需要使用较大的拉力将掩膜绷紧；这导致掩膜板出现结构失稳并表现为褶皱，进而在后续的蒸镀过程中出现混色现象，严重降低了蒸镀段的良率。

发明内容

本申请提供了一种掩膜装置、蒸镀设备及蒸镀方法，能够降低分立掩膜出现褶皱的风险。

本申请提供了一种掩膜装置，包括框架，所述框架包括：

外框架；以及

内框架，所述内框架设置于所述外框架的内部；

其中，所述外框架与所述内框架为一体成型结构。

本申请的第二方面提供了一种蒸镀设备，该蒸镀设备包含上述任一项所述的掩膜装置，包括：

阵列基板，用于接受蒸镀；

以及蒸发源。

本申请的第三方面提供了一种蒸镀方法，利用上述所述的蒸镀设备进行蒸镀，包括以下步骤：

提供框架，所述框架包括一体成型的内框架和外框架，所述框架包括相对的第一侧面和第二侧面；

提供掩膜板，将所述掩膜板对位并固定于所述框架的所述第一侧面；

提供阵列基板，所述阵列基板设置于所述掩膜板远离所述框架的一侧；

提供蒸发源，所述蒸发源设置于所述框架远离所述阵列基板的一侧；

加热所述蒸发源，对所述阵列基板进行蒸镀。

本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：

本申请提供了一种掩膜装置，包括外框架和内框架，其中，内框架与外框架一体成型，这样设置后，内框架与外框架的稳定性提升，其在自身重力作用下的重垂量减小；将掩膜板张网在该掩膜装置上时，掩膜框架和掩膜板因重力产生的重垂量减小，向掩膜板施加的向两侧的拉力可以适当减小，从而降低掩膜板出现褶皱的风险。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。

附图说明

图1为现有技术中掩膜装置的示意图；

图2至图4为现有技术的掩膜装置中，分立掩膜上形成不同形态的褶皱的示意图；

图5为本申请实施例提供的掩膜装置中，框架为一体成型结构的示意图；

图6为本申请实施例提供的掩膜装置中，框架为一体成型结构的一种实施例的示意图；

图7为本申请实施例提供的掩膜装置中，框架为一体成型结构的另一种实施例的示意图；

图8为本申请实施例提供的掩膜装置中，框架为分体式结构的一种实施例的示意图；

图9为本申请实施例提供的掩膜装置中，框架为分体式结构的另一种实施例的示意图；

图10为本申请实施例提供的掩膜装置中，框架为分体式结构的又一种实施例的示意图；

图11为本申请实施例提供的蒸镀设备中，部分结构的示意图；

图12为本申请实施例提供的蒸镀设备中，内框架与显示面板保持距离至少为x的示意图；

图13为本申请实施例提供的蒸镀方法的流程图。

附图标记：

图1-4中：

1’-掩膜装置；

11’-掩膜框架；

12’-分立掩膜；

121’-褶皱；

13’-支撑掩膜；

14’-遮挡掩膜；

15’-侧翼掩膜；

16’-中心掩膜；

图5-13中：

100-掩膜装置；

102-框架；

1021-外框架；

1022-内框架；

10221-第一支撑杆；

10221a-第一凹槽；

10222-第二支撑杆；

10222a-第二凹槽；

1023-第一侧面。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。

具体实施方式

下面通过具体的实施例并结合附图对本申请做进一步的详细描述。

需要注意的是，本申请实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本申请实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一个元件“上”或者“下。

在有机显示面板的制程中，通常会采用热蒸镀工艺，将有机材料蒸镀在基板上，掩膜装置应热蒸镀工艺的加工要求而产生，以能够在基板的特定位置处形成具有设计图案的膜层。

请参见图1，图1示出了现有技术中的掩膜装置的示意图。

该掩膜装置1’包括掩膜框架11’、分立掩膜12’、支撑掩膜13’、遮挡掩膜14’、侧翼掩膜15’以及中心掩膜16’。其中，支撑掩膜13’设置在掩膜框架11’内，为分立掩膜12’提供支撑，遮挡掩膜14’和侧翼掩膜15’分别用来遮挡各分立掩膜12’之间的空隙和最外侧两条分立掩膜与外侧的空隙，中心掩膜16’用来遮挡分立掩膜12’在中心位置处的空隙。

在蒸镀制程之前，需进行张网制程，张网指的是，向各分立掩膜12’施加拉力并与掩膜框架11’进行对位，然后以焊接的方式将各分立掩膜12’焊接在掩膜框架11’上，分立掩膜12’通常为条状结构，其长度方向的两端与掩膜框架11’接触的部分与掩膜框架11’焊接，因此，拉力的作用线的方向为分立掩膜12’的长度方向(图1中的x方向)，焊接后的各分立掩膜12’通过支撑掩膜13’支撑。

然而，由于在现有的掩膜装置中，分立掩膜12’上容易出现结构失稳并表现出褶皱现象。

引起结构失稳的原因较为复杂，其中原因之一为，支撑掩膜13’的厚度尺寸较小，当掩膜框架11’的尺寸较大时，支撑掩膜13’的长度需相应增加，这就会导致支撑掩膜13’的刚度较弱，对分立掩膜12’的支撑作用不明显；张网时，需要对分立掩膜12’的两侧施加较大的拉力，以减小分立掩膜12’在重力作用下的下垂。然而，这会明显增高分立掩膜12’上出现褶皱的风险，即分立掩膜12’的表面出现不平整，从而出现混色不良的现象

此外，还有导致结构失稳的其它方面的原因，例如，支撑掩膜13’与掩膜框架11’焊接在一起，且为了减小支撑掩膜13’在重力作用下的重垂，在焊接前，还需用很大的力对支撑掩膜13’进行拉伸，该拉伸也容易造成支撑掩膜13’中出现较大的形变，进而在后续的张网中会进一步增加分立掩膜12’的不平整度。

请参见图2至图4，图2至图4分别示出了现有技术的掩膜装置中，分立掩膜上可能出现的不同形态褶皱的示意图。

由图2至图4可知，分立掩膜12’上的褶皱121’的形态各异，由于各种影响因素的不同，形成褶皱121’的幅度也大小不等，对于幅度较大的褶皱121’而言，其会严重影响蒸镀精度。

如图2所示，该褶皱121’关于分立掩膜12’的长度方向的中心线对称，且褶皱121’几乎贯穿整条分立掩膜12’。

如图3和图4所示，分立掩膜12’上的褶皱121’是不对称的，仅在分立掩膜12’的局部区域产生。

在图2至图4所示的实施例中，褶皱121’主要沿着分立掩膜12’的长度方向，当然，需要说明的是，根据分立掩膜12’的结构的不同，褶皱121’不仅限于图2至图4中所示出的情形，例如，根据分立掩膜12’上的开孔形状以及开孔密度的不同，褶皱121’的形态可以有所不同。

综上所述，当分立掩膜12’出现褶皱121’时，在蒸镀过程中，由于有机材料蒸镀图案与设计图案偏差太大，会导致混色现象，严重影响蒸镀精度并降低产品的良率。

为此，本申请提供一种掩膜装置100，该掩膜装置100可以降低分立掩膜12’出现褶皱的风险，提高蒸镀良率。

请参见图5，图5示出了掩膜装置100中，框架为一体成型结构的示意图。

具体的，该掩膜装置100包括框架102，框架102包括外框架1021以及内框架1022，内框架1022设置于外框架1021的内部，并且，外框架1021与内框架1022为一体成型结构。这样设置后，内框架1022和外框架1021无需再单独加工，更无需在各自加工完成后进行连接，而是两者在同一块材料上通过机加工的方式形成，或者，两者采用浇铸的方式一体成型，因此，框架102的结构稳定性得到提升，其中，内框架1022起支撑作用，内框架自身及位于其上的掩膜板在重力作用下引起的重垂现象可以得到缓解，并进而使得掩膜板出现褶皱的情况得到控制和改善。

掩膜装置100还包括掩膜板(图中未示出)，掩膜板固定设置在框架102上，并通过框架102支撑，掩膜板上通常设有开孔，蒸镀时，蒸镀材料穿过开孔并沉积在基板上，在除去开孔的其它位置处，蒸镀材料被掩膜遮挡，这样，就在基板上形成了具有图案的膜层。

框架102包括相对设置的第一侧面1023和第二侧面(图中未示出)，例如，第一侧面1023可以是框架102上表面，相应地，第二侧面可以是框架102的下表面，掩膜板固定于框架102的第一侧面1023上。在蒸镀过程中，掩膜板可以与基板平行设置，当蒸镀材料在一定的角度范围内射出，并经过设置在框架102的第一侧面上的掩膜板镀覆在基板上，在第一侧面1023上固定掩膜板可以有效遮挡蒸镀材料，确保图案化膜层顺利形成。

请参见图6，图6示出了框架的一种实施例的示意图。

框架102包括外框架1021和设置在外框架1021内部的内框架1022，内框架1022包括第一支撑杆10221，第一支撑杆10221的两端分别与外框架1021连接，在平行于掩膜板(第一侧面1023)所在的平面上，设定第一方向(图6中的x方向)和第二方向(图6中的y方向)，其中，第一方向可以设置成与第二方向相垂直，第一支撑杆10221均沿着第一方向延伸，第一支撑杆10221的数量为一个或多个。

外框架1021为封闭的矩形环，其包括平行设置的两个第一边框10211和平行设置的两个第二边框10212，第一边框10211和第二边框10212依次相接，其中，第一边框10211沿第一方向延伸，第二边框沿第二方向延伸。

需要说明的是，外框架1021的形状不仅限于图6中所示出的情况，在其它一些实施例中，外框架1021还可以设置成圆角矩形等，另外，第一支撑杆10221的数量也不仅限于三个，可以少于三个，最少为一个，也可以多于三个。

请参见图7，图7示出了框架的另一种实施例的示意图。

其中，外框架1021采用与图6中相同的矩形框，内框架1022包括第二支撑杆10222，第二支撑杆10222的两端固定于外框架1021，且第二支撑杆10222均沿第二方向延伸，第二支撑杆10222的数量可以至少设置为一个，本申请对第二支撑杆10222的具体数量不作限定，根据外框架1021的尺寸的不同和掩膜板设计尺寸的不同，第二支撑杆10222的数量可以根据实际需求做出选择。

在图6和图7所示的实施例中，各第一支撑杆10221和各第二支撑杆10222均沿同一方向延伸，即，各第一支撑杆10221相互平行且仅沿第一方向延伸，各第二支撑杆10222相互平行且仅沿第二方向延伸，此内框架1022的结构简单，制造和加工相对方便，制造难度小。

请继续参见图5，在图5所示的实施例中，进一步，内框架1022包括第一支撑杆10221和第二支撑杆10222，第一支撑杆10221和第二支撑杆10222的两端均定于外框架1021，其中，第一支撑杆10221沿第一方向延伸，第二支撑杆10222沿第二方向延伸，即，各第一支撑杆10221和各第二支撑杆10222垂直相交，以形成网格状结构。

此方案中，由于第一支撑杆10221与第二支撑杆10222均处于同一层，且两者垂直相接，因此，第一支撑杆10221和第二支撑杆10222不再是彼此分开，独立设置的结构，该结构使得框架102在稳定性方面获得较大提升，由重力造成的重垂会大幅减小；相应的，支撑于框架102上的掩膜板也会在很大程度上减小因重力作用造成的下垂，这样一来，在张网过程中，施加于掩膜板两侧的拉力可以适当减小，进而使得掩膜板中出现褶皱的风险进一步降低。

在图5所示的实施例中，第一支撑杆10221与第二支撑杆10222的数量均为多个，其中，每个第一支撑杆10221在多个位置处分别与各第二支撑杆10222相交叉，并且，每个第二支撑杆10222也在多个位置处分别与各第一支撑杆10221相交叉，各第一支撑杆10221与各第二支撑杆10222相辅相成，使得框架102的结构稳定性得到明显改善。

因此，容易理解的，随着框架102的结构稳定性，掩膜板张网在上述结构的框架102上时，在对位过程中，需要施加在掩膜板两侧的张力可以大幅度减小，掩膜板的伸缩率可以更接近100％，对位并焊接后，掩膜板上的褶皱明显减少，甚至消失。

掩膜板可以设置成一体式结构，即，掩膜板为一整张板，其面积相对较大，不利于包装、运输，且容易在包装、运输、张网等过程中产生褶皱，不利于蒸镀。较佳的，在蒸镀工艺中，更优选的方案是采用分立掩膜，即，掩膜板为分体式结构，其由多个部分拼接而成，例如，分立掩膜可以参照图1中示出的条形结构的分立掩膜12’设置，这样设置后，分立掩膜12中各部分的面积较小，便于运输和包装，且在振动过程中受到的损伤较小，出现褶皱的风险较小。当然，对于分立掩膜而言，在张网时需要对各个部分分别进行张网，并将分立掩膜板按一定顺序依次固定设置(例如，焊接)在框架102上。

当采用分立掩膜时，以各部分的长度方向为第一方向(图5中x方向)，各部分沿第二方向(图5中y方向)依次平行排布在框架102上为例，在各部分的排布方向(y方向)上，相邻两个第一支撑杆10221之间的间距应略小于分立掩膜中的各部分在此方向上的尺寸，该方案可以对分立掩膜中的各部分提供有效支撑；另外，在垂直于排布方向的方向上，即，x方向上，相邻两个第二支撑杆10222在此方向上的尺寸需对应分立掩膜上的面板排布，隔一个或多个面板，应有对应的第二支撑杆10222对面板进行支撑。

在现有技术中，为了遮挡各分立掩膜12’之间的空隙，还设置有遮挡掩膜14’，而在改进后的本申请中，例如，在图5所示的实施例中，各第一支撑杆10221不仅起到支撑作用，而且还可以起到遮挡掩膜的作用，由此，可以省略遮挡掩膜，简化蒸镀工艺和设备。

对网格状结构的内框架1022而言，其有多种设置方案，一种实施例，仅第一支撑杆10221与外框架1021为一体成型结构，而第二支撑杆10222则单独设置，此时，第一支撑杆10221与第二支撑杆10222相连接。具体的，第一支撑杆10221上与第二支撑杆10222交叉的部位开设有第一凹槽，第二支撑杆10222穿过第一凹槽，并与第一支撑杆10221垂直相接，其连接方式可以是粘接，但不仅限于此。第一凹槽的开设为第二支撑杆10222与第一支撑杆10221的交叉提供了空间，方便了第二支撑杆10222的设置。

另一种实施例，仅第二支撑杆10222与外框架1021为一体成型结构，而第一支撑杆10221则单独设置。具体的，在第二支撑杆10222上与第一支撑杆10221交叉的部位开设有第二凹槽，第一支撑杆10221穿过第二凹槽，并与第二支撑杆10222垂直相接，其连接方式可以是粘接，但不仅限于此。同上，第二凹槽的开设为第一支撑杆10221与第二支撑杆10222的交叉提供了空间，方便了第一支撑杆10221的设置。

对于矩形结构的外框架1021而言，在垂直于掩膜板所在平面的方向上，第一支撑杆10221的最大尺寸为δ₁，其中，设置25mm≥δ₁≥1mm，容易理解的，将δ₁设置在上述尺寸范围内，第一支撑杆10221的刚度会随着δ₁的增大，其刚度同步上升，由此，内框架1022在重力作用下的下垂会显著降低，即，其产生的挠曲变形会显著减小，从而使得内框架1022的稳定性得到提升。

为了进一步确定δ₁较优的取值范围，本申请对δ₁的影响进行模拟并作对比，具体数据见表1。在表1中，第一支撑杆的宽度设置为20mm。

表1

δ1(mm)	最大重垂量(mm)
		2	1.8958
3	1.11963
		4	0.7277
5	0.47697
		6	0.33602
7	0.24971
		8	0.19334
9	0.1544
		10	0.12624

由表1可知，在宽度一定时，随着δ₁的尺寸的增加，第一支撑杆10221在重力作用下的最大重垂量依次减小，当δ₁为5mm时，最大重垂量显著减小，其稳定性显著提高，由此，进一步设置20mm≥δ₁≥5mm。

同样的，对于第二支撑杆10222，在垂直于掩膜板所在平面的方向上，第二支撑杆10222的最大尺寸为δ₃，其中，可以参照第一支撑杆10221的δ₁尺寸，设置25mm≥δ₃≥1mm。

较佳的，在垂直于掩膜板所在平面的方向上，第一支撑杆10221的最大尺寸δ₁可以设置成与第二支撑杆10222的最大尺寸δ₃相等。

此外，为了进一步确定第一支撑杆10221在第二方向上尺寸的取值δ₂和第二支撑杆10222在第一方向上尺寸的取值δ₄较优的范围，本申请对两者的影响进行了模拟并作对比。通过调整内框架1022在此两个方向上的尺寸，可以得到第一支撑杆10221的尺寸δ₂、第二支撑杆10222的尺寸δ₄与最大重垂量的依赖关系，具体数据见表2。在表2中，第一支撑杆和第二支撑杆的厚度均设置为5mm。

表2

由表2可知，在第一支撑杆和第二支撑杆的厚度均为定值的情况下，第二支撑杆10222的尺寸δ₄增大时，重垂上升；第一支撑杆10221的尺寸δ₂增大时，重垂下降；第一支撑杆10221的尺寸δ₂和第二支撑杆10222的尺寸δ₄两者同时增大时，重垂下降。

对此，发明人经过丰富的实践验证，本申请提出，在第二方向上，设置第一支撑杆10221的尺寸范围为δ₂≥5mm，设置第二支撑杆10222的尺寸范围为δ₄≥3mm，以保证内框架1022的最大重垂处于合理的范围之内。优选的，根据表2，本申请还提出，在第二方向上，设置第一支撑杆10221的尺寸范围为30mm≥δ₂≥15mm，设置第二支撑杆10222的尺寸范围为30mm≥δ₄≥15mm，在最优化地兼顾掩膜装置版图利用空间的同时，进一步保证内框架的重垂稳定性，提高掩膜装置的性能。在实际应用环境中，根据外框架1021的尺寸大小，本领域技术人员可以分别对第一支撑杆10221的尺寸δ₂以及第二支撑杆10222的尺寸为δ₄选择设置。

请参见图8至图10，图8至图10分别示出了分体式结构的框架中，内框架为分体式结构的示意图。

如图8所示，内框架1022包括横纵交错的第一支撑杆10221和第二支撑杆10222，其中，第一支撑杆10221设置于第二支撑杆10222的下方，第一支撑杆10221朝向第二支撑杆10222的一侧表面与第二支撑杆10222朝向第一支撑杆10221的一侧表面相互贴合，第一支撑杆10221与第二支撑杆10222分别与外框架1021连接。

在图8所示的实施例中，第一支撑杆10221与第二支撑杆10222为搭接结构，即第一支撑杆10221支撑于第二支撑杆10222的下方，两者不处于同一层，分上下层设置，这样一来，用于支撑掩膜板的支撑面支撑形成于第二支撑杆10222的上表面。

如图10所示，内框架1022包括横纵交错的第一支撑杆10221和第二支撑杆10222，其中，第一支撑杆10221上开设有第一凹槽10221a，第一凹槽10221a沿第二支撑杆10222的延伸方向贯穿第一支撑杆10221，第二支撑杆10222插置于第一凹槽10221a内，并与第一支撑杆10221垂直交叉。

在图9所示的实施例中，为了保证第一支撑杆10221和第二支撑杆10222的上表面共同形成用于支撑掩膜板的支撑面，第二支撑杆10222的厚度相比第一支撑杆10221的厚度相对较小，第二支撑杆10222的厚度应与第一凹槽10221a的深度相等，这样，当第二支撑杆10222穿过第一凹槽10221a时，第一支撑杆10221和第二支撑杆10222的上表面平齐，以共同形成掩膜板的支撑面。

如图10所示，内框架1022包括横纵交错的第一支撑杆10221和第二支撑杆10222，其中，第一支撑杆10221上开设有第一凹槽10221a，第二支撑杆10222上开设有第二凹槽10222a，第一凹槽10221a沿第二支撑杆10222的延伸方向贯穿第一支撑杆10221，第二凹槽10222a沿第一支撑杆10221的延伸方向贯穿第二支撑杆10222，第一支撑杆10221插置于第二凹槽10222a内，第二支撑杆10222插置于第一凹槽10221a，两者在第一凹槽10221a和第二凹槽10222a处垂直交叉。

在图10所示的实施例中，第一支撑杆10221和第二支撑杆10222均在交叉处的厚度较小，而在其它位置处，两者的厚度相对较大，由此可知，图10中所示出的内框架1022的结构强度最高，其稳定性最好。

本申请的第二方面提供了一种蒸镀设备，该蒸镀设备包含上述任一实施例中的掩膜装置100，该蒸镀设备还包括阵列基板(图中未示出)以及蒸发源，其中，蒸发源经加热后产生气态的蒸镀材料，阵列基板用于接受蒸镀材料，在蒸镀过程中，阵列基板保持固定，蒸镀装置处于阵列基板下方一定距离并与阵列基板相对平行，掩膜装置100介于蒸镀源与阵列基板之间并在特定部位处对阵列基板进行遮挡，从而在阵列基板上形成具有设计图案的膜层。

请参见图11和图12，图11示出了蒸镀设备的部分结构的示意图；图12为内框架与显示面板保持距离至少为x的示意图。

这里需要说明的是，考虑到蒸镀材料从蒸镀源蒸发后受到蒸镀源的形状限制仅在角度为0～theta的范围内出射，经过高度为h的内框架1022遮挡后，在阵列基板上距离内框架1022为x的范围内的部分蒸镀材料是无法沉积的，因此，显示面板的显示区与内框架1022间应留下大小至少为x＝h×sin(theta)的空隙。

这样设置后，当内框架1022具有足够大的厚度尺寸时，在内框架1022和显示面板的显示区之间留有一定空隙，就不会造成掩膜板遮挡到需要蒸镀的区域，以保证蒸镀段的良率。

请参见图13，图13示出了蒸镀方法的流程图。

本申请的第三方面还提供了一种蒸镀方法，上述实施例所描述的蒸镀设备采用该蒸镀方法进行蒸镀，具体包括以下步骤：

步骤S20，提供框架102，框架102包括一体成型的外框架1021和内框架1022，框架102包括相对的第一侧面1023和第二侧面；

接下来，执行步骤S40，提供掩膜板，将掩膜板对位并固定于框架102的第一侧面1023，通常，在固定掩膜板时，利用夹爪夹住掩膜板的两端并提起，将其移动至框架102的上方进行初步定位，待初步定位完成后，掩膜板下降并置于框架102上，经再次对位确认后将掩膜板与框架102通过焊接的方式固定在一起，随后将掩膜板焊接区域以外的部分切除；

随后进入步骤S60，提供阵列基板，阵列基板设置于掩膜板远离框架102的一侧，阵列基板与分掩膜板所在的平面平行设置；

待阵列基板与框架102的位置调整好后，进入步骤S80，提供蒸发源，蒸发源设置于框架102远离阵列基板的一侧，蒸发源用于提供气态的蒸镀材料；

步骤S100，加热蒸发源，使得蒸镀材料在一定角度范围内从蒸发源射出，并蒸镀在阵列基板上，以此实现对阵列基板的蒸镀。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种掩膜装置，其特征在于，包括框架，所述框架包括：

外框架；以及

内框架，所述内框架设置于所述外框架的内部；

其中，所述外框架与所述内框架为一体成型结构。

2.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，还包括掩膜板；

所述框架包括相对的第一侧面和第二侧面；

所述掩膜板固定于所述框架的所述第一侧面。

3.根据权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述内框架包括至少一个第一支撑杆，在平行于所述掩膜板所在的平面上具有第一方向和第二方向，所述第一方向垂直于所述第二方向，

所述第一支撑杆沿所述第一方向延伸。

4.根据权利要求3所述的掩膜装置，其特征在于，所述内框架还包括至少一个第二支撑杆，所述第二支撑杆的两端固定于所述外框架，所述第二支撑杆沿所述第二方向延伸。

5.根据权利要求4所述的掩膜装置，其特征在于，所述第一支撑杆上与所述第二支撑杆交叉的部位开设有第一凹槽，所述第二支撑杆穿过所述第一凹槽。

6.根据权利要求5所述的掩膜装置，其特征在于，所述第二支撑杆上与所述第一支撑杆交叉的部位开设有第二凹槽，所述第一支撑杆穿过所述第二凹槽。

7.根据权利要求3所述的掩膜装置，其特征在于，所述外框架为矩形，

在垂直于所述掩膜板所在平面的方向上，所述第一支撑杆的最大尺寸为δ₁，其中25mm≥δ₁≥1mm。

8.根据权利要求7所述的掩膜装置，其特征在于，20mm≥δ₁≥5mm。

9.根据权利要求7所述的掩膜装置，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一支撑杆的最大尺寸为δ₂，其中δ₂≥5mm。

10.根据权利要求4所述的掩膜装置，其特征在于，在垂直于所述掩膜板所在平面的方向上，所述第二支撑杆的最大尺寸为δ₃，其中25mm≥δ₃≥1mm。

11.根据权利要求10所述的掩膜装置，其特征在于，在所述第二方向上，所述第二支撑杆的最大尺寸为δ₄，其中δ₄≥3mm。

12.根据权利要求4所述的掩膜装置，其特征在于，在垂直于所述掩膜板所在平面的方向上，所述第一支撑杆的最大尺寸δ₁等于所述第二支撑杆的最大尺寸为δ₃。

13.一种蒸镀设备，包含如权利要求1-12任一项所述的掩膜装置，其特征在于，还包括：

阵列基板，用于接受蒸镀；

以及蒸发源。

14.一种蒸镀方法，其特征在于，利用如权利要求13所述的蒸镀设备进行蒸镀，包括以下步骤：

提供框架，所述框架包括一体成型的内框架和外框架，所述框架包括相对的第一侧面和第二侧面；

提供掩膜板，将所述掩膜板对位并固定于所述框架的所述第一侧面；

提供阵列基板，所述阵列基板设置于所述掩膜板远离所述框架的一侧；

提供蒸发源，所述蒸发源设置于所述框架远离所述阵列基板的一侧；

加热所述蒸发源，对所述阵列基板进行蒸镀。