CN110894587A

CN110894587A - 掩膜框架组件

Info

Publication number: CN110894587A
Application number: CN201910546872.0A
Authority: CN
Inventors: 河在秀; 李秀奂; 徐成昊; 柳光泰
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2018-09-12
Filing date: 2019-06-24
Publication date: 2020-03-20
Also published as: US20200083451A1; US11939657B2; KR20200030712A

Abstract

本发明公开了一种掩膜框架组件。本发明可包括：掩膜框架；以及掩膜条，配备有沿第一方向延伸的第一掩膜条、沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二掩膜条、与第一掩膜条及第二掩膜条连接而定义多个沉积区域的多个第三掩膜条，其中，所述第一掩膜条的厚度与第二掩膜条的厚度不同，并且在所述第一掩膜条与第二掩膜条相互连接的部分可布置有部分蚀刻部。

Description

掩膜框架组件

技术领域

本发明涉及一种掩膜框架组件。

背景技术

通常，显示装置可利用于诸如智能手机、膝上型计算机、数码相机、摄像机、便携式信息终端、笔记本电脑、平板个人电脑等移动装置，或诸如台式计算机、电视、室外广告板、展示用显示装置、汽车仪表盘、平视显示器(head up display，HUD)等电子装置。

为了在基板上形成薄膜，显示装置使用多种方法。其中，沉积法为利用掩膜将沉积物质沉积于基板上的方法。掩膜包括布置有用于沉积发光层的多个图案孔的图形掩膜以及无需图案孔的开口掩膜。开口掩膜包括用于沉积通用层的开口。

为了便于制造，开口掩膜使用大型掩膜以同时制造多种尺寸的显示装置。开口掩膜被施加预定的拉力而焊接于掩膜框架。

发明内容

然而，在使用配备有多个分离的掩膜条的大型掩膜的情况下，在多个掩膜条相互连接的部分可能发生掩膜条的变形。

本发明的实施例的目的在于提供一种能够防止在多个掩膜条相互连接的部分的变形的混合型掩膜条以及应用其的掩膜框架组件。

根据本发明的一侧面的掩膜框架组件可包括：掩膜框架，具有开口；以及掩膜条，布置于所述掩膜框架上，并且配备有至少一个沿第一方向延伸的第一掩膜条、至少一个沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二掩膜条、与所述第一掩膜条及第二掩膜条的各个端部连接而定义多个沉积区域的多个第三掩膜条，其中，所述第一掩膜条的厚度与所述第二掩膜条的厚度不同，并且在所述第一掩膜条与所述第二掩膜条相互连接的部分可布置有部分蚀刻部。

作为一实施例，所述部分蚀刻部可布置于安装第二掩膜条的所述第一掩膜条，并且对应于厚度比所述第一掩膜条的其他部分的厚度薄的部分。

作为一实施例，所述部分蚀刻部的深度可以与所述第二掩膜条的厚度相同。

作为一实施例，所述部分蚀刻部的间距可以在第二方向上比所述第一掩膜条的宽度窄。

作为一实施例，所述第一掩膜条的厚度可以比所述第二掩膜条的厚度厚。

作为一实施例，所述第二掩膜条的宽度可以整体上相同。

作为一实施例，安装于所述部分蚀刻部的所述第二掩膜条的端部宽度可以比所述第二掩膜条的其他部分的宽度宽。

作为一实施例，所述第二掩膜条可以焊接于所述第一掩膜条，焊接点可以沿所述第二掩膜条的边缘布置。

作为一实施例，所述第一掩膜条可以包括：第一条部；以及第二条部，布置于所述第一条部上，并层叠于所述第一条部；其中，所述部分蚀刻部可布置于所述第二条部与所述第二掩膜条相互连接的部分。

作为一实施例，所述第一条部是连接于所述第二掩膜条的条，所述第二条部是定义多个沉积区域的条，所述第一条部的厚度可以比所述第二条部的厚度厚。

作为一实施例，所述部分蚀刻部可以包括：第一部分蚀刻部，布置于所述第二条部，并具有比所述第二条部的其他部分的厚度薄的厚度；及第二部分蚀刻部，布置于所述第二掩膜条，并具有比所述第二掩膜条的其他部分的厚度薄的厚度，其中，所述第一部分蚀刻部和第二部分蚀刻部具有相互对应的形状，并可在与第一方向及第二方向交叉的第三方向上相互结合。

作为一实施例，所述第一部分蚀刻部与第二部分蚀刻部相互连接的部分的厚度可以和所述第二条部的其他部分的厚度相同。

作为一实施例，所述第二条部的宽度可以比所述第一条部的宽度宽。

作为一实施例，所述第二掩膜条可焊接于所述第一条部上，所述第二条部可焊接于所述第二掩膜条上。

作为一实施例，所述第一掩膜条的两端部可分别连接于所述第三掩膜条，所述第二掩膜条的第一端部可连接于所述第一掩膜条，所述第二掩膜条的第二端部可连接于所述第三掩膜条。

作为一实施例，所述第三掩膜条可以包括多个条部分，所述多个条部分可为相互连接的四边形。

作为一实施例，所述多个沉积区域布置于由所述第一掩膜条、第二掩膜条及第三掩膜条相互连接而划分的每个空间，多个沉积区域分别可对应于形成经由单位显示面板的图形化的相邻像素区域而沉积的通用层的单一开口。

附图说明

图1是分解根据本发明的一实施例的掩膜框架组件而图示的立体图。

图2是图示图1的掩膜条的平面图。

图3a是截取图2的A部分而放大图示的分解立体图。

图3b是图示图3a的掩膜条结合的状态的立体图。

图4a是部分截取根据本发明的另一实施例的掩膜条而放大图示的分解立体图。

图4b是图示图4a的掩膜条结合的状态的立体图。

图5a是部分截取根据本发明的又一实施例的掩膜条而放大图示的分解立体图。

图5b是图示图5a的掩膜条结合的状态的剖面图。

图5c是图示图5b的掩膜条的平面图。

图6是图示根据本发明的一实施例的沉积装置的构成图。

图7是图示根据本发明的一实施例的有机发光显示装置的一子像素的剖视图。

具体实施方式

本发明可施加多样的变换，并可具有多种实施例，旨在将对于特定实施例举例示于附图，并在具体实施方式中详细说明。参照结合附图而详细后述的实施例就会明确本发明的效果、特征以及达到目的的方法。然而本发明并不局限于以下披露的实施例，而是可以实现为多样的形态。

在以下实施例中，当提到层、膜、区域、板等各种构成要素位于其他构成要素“之上”时，其不仅包括“直接”位于其他部分的“上部”的情况，还包括在二者之间存在其他构成要素的情况。为了便于说明，在附图中，构成要素的大小可能被夸张或者缩小。例如，为了便于说明而将图中所示的各个构造的大小和厚度任意表示，因此本发明并非一定要局限于图示情形。

在以下实施例中，X轴、Y轴及Z轴并不局限于直角坐标系上的三个轴，而可以解释为包括此在内的较为宽泛的意义。例如，X轴、Y轴及Z轴可以相互垂直，然而也可以指定为并不相互垂直的互不相同的方向。

以下，参照附图详细说明根据本发明的混合型掩膜条、适用其的掩膜框架组件的实施例，在参照附图进行说明的过程中，针对相同或者相应的构成要素赋予相同的附图标记，并省略其重复说明。

图1是分解根据本发明的一实施例的掩膜框架组件100而图示的立体图，图2是图示图1的掩膜条300的平面图，图3a是截取图2的A部分而放大图示的分解立体图，图3b是图示图3a的掩膜条300结合的状态的立体图。

参照图1、图2、图3a及图3b，所述掩膜框架组件100包括掩膜框架200和安装于所述掩膜框架200的多个掩膜条300。

所述掩膜框架200可形成有开口201。所述开口201可以被配备于所述掩膜框架200的多个框架210～240包围。所述多个框架210～240可相互连接。

多个框架210～240包括沿第一方向(X方向)彼此相向的第一框架210及第二框架220以及沿第二方向(Y方向)彼此相向的第三框架230及第四框架240。所述第一框架210、第二框架220、第三框架230及第四框架240可以构成为相互连接的四角框。在所述多个框架210～240可布置有用于安装所述多个掩膜条300的安装部250。所述安装部250可提供能够安置所述掩膜条300的台阶。

所述掩膜框架200可利用当焊接所述掩膜条300时变形较小的物质构成，例如，硬度较大的金属。作为一实施例，所述掩膜框架200的厚度可以为50mm。

所述掩膜条300可结合于所述掩膜框架200上。所述掩膜条300可以为薄板。所述掩膜条300可利用不锈钢、殷钢(invar)、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金、镍钴合金等中的一个以上而构成。

所述掩膜条300包括多个分离的掩膜条。所述掩膜条300包括至少一个第一掩膜条310、至少一个第二掩膜条340及多个第三掩膜条370。所述掩膜条300可以是将沉积物质同时沉积于尺寸互不相同的多个单位显示面板的混合型(hybrid type)掩膜条。

所述第一掩膜条310可沿第一方向(X方向)延伸。所述第一方向(X方向)可以为所述第一掩膜条310的长度方向。所述第一掩膜条310可配备至少一个。

所述第二掩膜条340可沿第二方向(Y方向)延伸。所述第二方向(Y方向)可以为所述第二掩膜条340的长度方向。第二方向(Y方向)可以为在掩膜条300的水平方向与所述第一方向(X方向)交叉的方向。所述第二掩膜条340可配备至少一个。作为一实施例，所述第二掩膜条340包括三个条。

所述第三掩膜条370包括：沿第一方向(X方向)彼此相向并沿第二方向(Y方向)延伸的第一条部分371及第二条部分372；以及沿第二方向(Y方向)彼此相向并沿第一方向(X方向)延伸的第三条部分373及第四条部分374。所述第一条部分371、第二条部分372、第三条部分373及第四条部分374可以构成为相互连接的四角框。所述第三掩膜条370可以安装于形成在所述多个框架210～240的安装部250。

所述第一掩膜条310、第二掩膜条340及所述第三掩膜条370相互连接，从而可定义多个沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4、DA5。多个沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4、DA5分别可对应于能够形成经由单位显示面板的图形化的相邻像素区域而沉积的通用层(例如，有机发光元件(OLED)的通用电极，或中间层的一部分层)的单一开口301。

多个沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4、DA5可具有互不相同的尺寸。例如，第一沉积区域DA1、第二沉积区域DA2及第三沉积区域DA3可以为彼此相同的尺寸，第四沉积区域DA4及第五沉积区域DA5可以为彼此相同的尺寸，所述第一沉积区域DA1、第二沉积区域DA2、第三沉积区域DA3和所述第四沉积区域DA4、第五沉积区域DA5可以为互不相同的尺寸。沉积物质可通过多个沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4、DA5的每一个均布置的各个的单一开口301沉积于各个单位显示面板上。

多个沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4、DA5可布置于所述第一掩膜条310、第二掩膜条340及所述第三掩膜条370相互连接而划分的每个空间。具体而言，所述第一掩膜条310的第一端部311可连接于所述第一条部分371，所述第一掩膜条310的第二端部312可连接于所述第二条部分372。所述第二掩膜条340的第一端部341可连接于所述第一掩膜条310，所述第二掩膜条340的第二端部342可连接于所述第三条部分373或第四条部分374。如此，第一掩膜条310、第二掩膜条340及第三掩膜条370可相互连接而定义多个沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4、DA5。

此时，在所述第二掩膜条340沿第二方向(Y方向)被施加预定的拉力的状态下，两端部341、342可分别焊接于所述第一掩膜条310及第三掩膜条370。

作为一实施例，所述第一掩膜条310的长度可大于所述第二掩膜条340的长度。多个第二掩膜条340可以沿所述第一掩膜条310的长度方向(X方向)隔开而焊接。当进行焊接时，由于从所述第二掩膜条340传递的拉力，所述第一掩膜条310可能会弯曲。若所述第一掩膜条310变形，则无法准确地划分多个沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4、DA5。

为了防止所述第一掩膜条310与第二掩膜条340连接的部分的变形，所述第一掩膜条310的厚度t1和所述第二掩膜条340的厚度t2可以不同。具体而言，所述第一掩膜条310的厚度t1可以比所述第二掩膜条340的厚度t2厚。

作为一实施例，所述第一掩膜条310的厚度t1可以为200至500μm。所述第二掩膜条340的厚度t2可以为20至50μm。当进行拉伸焊接(tensile welding)时，由于所述第一掩膜条310的厚度t1相对大于所述第二掩膜条340的厚度t2，因此能够最小化所述第一掩膜条310的变形。

在所述第一掩膜条310沿第一方向(X方向)也被施加预定的拉力的状态下，两端部311、312可被焊接于所述第三掩膜条370。所述第一掩膜条310可具有能够防止因被施加的拉力而下垂的厚度t1。

另外，对于所述第三掩膜条370的情况而言，由于焊接至具有比所述掩膜条300厚数十至数百倍以上厚度的掩膜框架200，因此对于多个框架210～240而言，在连接有第一掩膜条310及/或第二掩膜条340的部分可能不会发生变形。

所述第三掩膜条370的形状或结构可根据所述第一掩膜条310及第二掩膜条340的端部形状或结构而进行多样的变形。作为一实施例，只要所述第三掩膜条370与所述第一掩膜条310及第二掩膜条340一同接触于基板的面能够具有相同的水平面，则并不局限于任意一个形状或结构。

另外，当所述第二掩膜条340拉伸焊接于所述第一掩膜条310上时，所述第一掩膜条310与第二掩膜条340之间可能会产生阶梯差。因此，当执行沉积工序时，在多个单位显示面板的沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4、DA5可能产生阴影(shadow)。为了防止产生阴影，在所述第一掩膜条310与第二掩膜条340相互连接的部分可布置有部分蚀刻部320。

具体而言，所述部分蚀刻部320可布置于所述第一掩膜条310的安装所述第二掩膜条340的第一端部341的对应的部分。所述部分蚀刻部320可对应于厚度比所述第一掩膜条310的其他部分的厚度t1薄的部分。

所述部分蚀刻部320可以是从所述第一掩膜条310的表面313向交叉于第一方向(X方向)及第二方向(Y方向)的第三方向(Z方向)蚀刻所述第一掩膜条310的区域。所述第三方向(Z方向)可以为第一掩膜条310的垂直方向。

所述部分蚀刻部320的深度d可以与所述第二掩膜条340的厚度t2相同。由于所述第二掩膜条340的第一端部341安装于所述部分蚀刻部320，因此所述第一掩膜条310与第二掩膜条340之间可能不会产生阶梯差。即，所述第一掩膜条310的表面313和所述第二掩膜条340的表面343可以为相同的水平面。作为一实施例，所述第二掩膜条340的宽度w2可以整体上相同。

所述第一掩膜条310和第二掩膜条340可借由激光焊接相互连接。具体而言，所述第二掩膜条340沿第二方向(Y方向)被施加预设拉力，此时，所述第二掩膜条340的第一端部341可被安装于所述部分蚀刻部320。之后，通过从所述第二掩膜条340的上部照射激光束执行焊接工序。焊接点390可沿所述第二掩膜条340的第一端部341的边缘而布置。

所述第二掩膜条340的下垂的程度可根据焊接于所述第一掩膜条310的位置而变化。根据所述第二掩膜条340的下垂程度，也可能对所述第一掩膜条310造成不利影响。

例如，若为所述第二掩膜条340的第一端部341延伸至所述第一掩膜条310的外边缘314为止的结构，则当执行焊接工序时，应力集中在所述第一掩膜条310的外边缘314周围。其结果，所述第二掩膜条340的第一端部341可能从所述第一掩膜条310剥离。

为了防止所述第二掩膜条340的剥离，所述部分蚀刻部320的间距l可在第二方向(Y方向)上比所述第一掩膜条310的宽度w1窄。据此，安装于所述部分蚀刻部320的第二掩膜条340的第一端部341可能不会延伸到所述第一掩膜条310的外边缘314为止。例如，所述第二掩膜条340的第一端部341可布置到所述第一掩膜条310的中央部分为止。若在所述第二掩膜条340的第一端部341位于所述第一掩膜条310的中央部分的状态下执行焊接工序，则能够最小化所述第二掩膜条340的变形。

以下，针对根据本发明的各个实施例的第一掩膜条和第二掩膜条相互连接的部分的特征进行说明。如上所述，由于连接于第一掩膜条及第二掩膜条而定义多个沉积区域的第三掩膜条能够根据与第一掩膜条及第二掩膜条的结合结构易于进行设计变更，因此，在此省略说明。

图4a是部分截取根据本发明的另一实施例的掩膜条400而放大图示的分解立体图，图4b是图示图4a的掩膜条结合的状态的立体图。

参照图4a及图4b，掩膜条400包括第一掩膜条410及第二掩膜条440。所述第一掩膜条410的厚度t1可以比所述第二掩膜条440的厚度t2厚。部分蚀刻部420可布置于第一掩膜条410的安装所述第二掩膜条440的第一端部441的对应的部分。所述部分蚀刻部420的深度d可以与所述第二掩膜条440的厚度t2相同。

所述部分蚀刻部420的间距l可以在第二方向(Y方向)上比所述第一掩膜条410的宽度w1窄。安装于所述部分蚀刻部420的第二掩膜条440的第一端部441可能不会延伸到所述第一掩膜条410的外边缘414为止。

为了最小化传递至所述第一掩膜条410的拉力，所述第二掩膜条440的可以在整体上具有不同的宽度。具体而言，所述第二掩膜条440的本体442可具有第一宽度w2，从所述本体442延伸的第一端部441可具有第二宽度w3。所述第二宽度w3可以比第一宽度w2宽。由于所述第一端部441的第二宽度w3较宽，因此能够分散传递至第一掩膜条410的拉力。其结果，能够最小化所述第一掩膜条410的变形。

所述第一掩膜条410和第二掩膜条440可借由激光焊接相互连接。焊接点490可以沿所述第二掩膜条440的第一端部441的边缘布置。

如上所述，所述第一掩膜条310、410的厚度t1可以相对大于第二掩膜条340、440的厚度t2。即使所述第二掩膜条340、440拉伸焊接于所述第一掩膜条310、410，也能够最小化所述第一掩膜条310、410的变形。

作为一实施例，为了进一步减少所述第一掩膜条310、410的变形，所述第一掩膜条310、410可配备多层的条部。

图5a是部分截取根据本发明的又一实施例的掩膜条500而放大图示的分解立体图，图5b是图示图5a的掩膜条500结合的状态的剖面图，图5c是图示图5b的掩膜条500的平面图。

参照图5a、图5b及图5c，所述掩膜条500包括第一掩膜条510及第二掩膜条540。所述第一掩膜条510包括第一条部520和布置于所述第一条部520上的第二条部530。所述第一条部520及第二条部530可沿第一方向(X方向)延伸。所述第一条部520可以为连接于所述第二掩膜条540的条。所述第二条部530可以为定义多个沉积区域(图2中的DA1、DA2、DA3、DA4、DA5)的条。

所述第一条部520和第二条部530可沿第三方向(Z方向)相互重叠。所述第一条部520的厚度t1与所述第二条部530的厚度t2可以不同。例如，所述第一条部520的厚度t1可以比所述第二条部530的厚度t2厚。所述第二条部530的厚度t2可以与所述第二掩膜条540的厚度t3相同。作为一实施例，所述第一条部520的厚度t1可以为200至500μm。所述第二条部530的厚度t2及第二掩膜条540的厚度t3可以为20至50μm。

所述第二掩膜条540可焊接于相对较厚的所述第一条部520。由于所述第一条部520的厚度t1比所述第二条部530的厚度t2厚，因此当所述第二掩膜条540拉伸焊接于所述第一条部520时，能够最小化所述第一条部520的变形。

所述第二掩膜条540可焊接于所述第一条部520上，所述第二条部530可焊接于第二掩膜条540上。此时，在所述第二条部530及第二掩膜条540之间产生阶梯差的情况下，在多个单位显示面板的沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4、DA5可能产生阴影。

为了防止上述情形，在所述第二条部530与所述第二掩膜条540相互连接的部分可布置部分蚀刻部560。具体而言，所述部分蚀刻部560包括布置于所述第二条部530的第一部分蚀刻部561以及布置于所述第二掩膜条540的第二部分蚀刻部562。

所述第一部分蚀刻部561可布置于安装所述第二掩膜条540的第一端部541的第二条部530的对应的部分。所述第一部分蚀刻部561可对应于厚度t4的部分，所述厚度t4比所述第二条部530的其他部分的厚度t2薄。例如，所述第一部分蚀刻部561可对应于第二条部530的一部分，所述一部分从与所述第一条部520相向的所述第二条部530的下表面531向作为垂直方向的第三方向(Z方向)具有比所述第二条部530的其他部分的厚度t2薄的厚度t4。

所述第二部分蚀刻部562可布置于所述第二掩膜条540的第一端部541。所述第二部分蚀刻部562可对应于厚度t5的部分，所述厚度t5比所述第二掩膜条540的其他部分的厚度t3薄。例如，所述第二部分蚀刻部562可对应于第二掩膜条540的一部分，所述一部分从所述第二掩膜条540的上表面542向作为垂直方向的第三方向(Z方向)具有比所述第二掩膜条540的其他部分的厚度t3薄的厚度t5。

所述第一部分蚀刻部561和所述第二部分蚀刻部562可具有相互对应的形状。所述第一部分蚀刻部561和第二部分蚀刻部562可沿第三方向(Z方向)相互结合。所述第一部分蚀刻部561和第二部分蚀刻部562连接的部分的厚度(t4+t5)可以与不具有第一部分蚀刻部561的所述第二条部530的其他部分的厚度t2和/或不具有第二部分蚀刻部562的所述第二掩膜条540的其他部分的厚度t3相同。由于所述第二条部530和第二掩膜条540在形成有部分蚀刻部560的部分连接，因此在第二条部530与第二掩膜条540之间能够不产生阶梯差。

另外，基板(未图示)可接触于所述第二条部530的上表面532和所述第二掩膜条540的上表面542。定义多个沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4、DA5的第二条部530的宽度w2可以比连接于第二掩膜条540的第一条部520的宽度w1宽。作为一实施例，所述第一条部520的宽度w1可以为45mm，所述第二条部530的宽度w2可以为52mm。

如此，所述第一条部520的厚度t1可以比所述第二条部530的厚度t2厚，所述第一条部520的宽度w1可以形成为比所述第二条部530的宽度w2窄。即使所述第一条部520扭曲，由于所述第一条部520的宽度w1比定义多个沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4、DA5的第二条部530的宽度w2窄，因此所述第一条部520可确保充分的余量。结果，能够防止阴影现象。

图6是图示根据本发明的一实施例的沉积装置600的构成图。

参照附图，所述沉积装置600配置有：真空腔室660，用于沉积有机发光显示装置的通用电极，或者诸如中间层中的一部分层等通用层。

在所述真空腔室660内的下部可以布置有沉积源670。在所述沉积源670的上侧可设置掩膜框架组件610。在掩膜框架620上可设置混合型掩膜条630。在所述掩膜条630可布置有与用于同时制造多个单位显示面板的多个沉积区域对应的多个开口631。在所述掩膜条630上可以布置有沉积用基板640。在所述沉积用基板640上可设置发生磁力的磁铁650，以使掩膜条630能够紧密贴附于沉积用基板640。

若从所述沉积源670朝向所述掩膜条630喷射沉积物质，则通过掩膜框架620的开口621行进的沉积物质通过形成于所述掩膜条630的开口631沉积于所述沉积用基板640的一面。

图7是图示根据本发明的一实施例的有机发光显示装置700的一子像素的剖视图。

在此，子像素至少具有一个薄膜晶体管(TFT)和有机发光元件OLED。所述薄膜晶体管并非一定仅可实现为图7的结构，其数量和结构可进行多样的变更。

参照附图，在有机发光显示装置700配置有基板711。所述基板711包括玻璃基板或塑料基板或具有柔性的薄膜基板。所述基板711可以为透明或半透明或不透明。

在所述基板711上可布置阻挡膜712。所述阻挡膜712可覆盖所述基板711的上表面。所述阻挡膜712可利用无机膜或有机膜形成。所述阻挡膜712可以为单层膜或多层膜。

在所述阻挡膜712上可布置薄膜晶体管TFT(Thin film transistor)。虽然，根据本实施例的薄膜晶体管举例示出了顶栅(Top gate)方式的薄膜晶体管，当然也可以配备底栅(Bottom gate)方式等其他结构的薄膜晶体管。

在所述阻挡膜712上可布置半导体活性层713。所述半导体活性层713可以通过掺杂N型或P型杂质离子而形成源极区域714和漏极区域715。所述源极区域714与漏极区域715之间的区域可以为未掺杂杂质的沟道区域716。

所述半导体活性层713可以为有机半导体或无机半导体或非晶硅(amorphoussilicon)。作为另一实施例，所述半导体活性层713可以为氧化物半导体。

在所述半导体活性层713上可沉积栅极绝缘膜717。所述栅极绝缘膜717可以利用无机膜形成。所述栅极绝缘膜717可以为单层膜或多层膜。

在所述栅极绝缘膜717上可布置栅极电极718。所述栅极电极718包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、Cr等的单层膜，或利用包括其中一个以上的多层膜而构成，或利用如Al：Nd、Mo：W等合金而构成。

在所述栅极电极718上可布置层间绝缘膜719。所述层间绝缘膜719可利用诸如硅氧化物或硅氮化物等无机膜形成。

在所述层间绝缘膜719上可布置源极电极720和漏极电极721。可以去除所述栅极绝缘膜717的一部分及层间绝缘膜719的一部分而形成接触孔，通过接触孔，源极电极720可电连接源极区域714，漏极电极721可电连接漏极区域715。

在所述源极电极720和漏极电极721上可形成钝化膜722。所述钝化膜722可利用无机膜或有机膜形成。

在所述钝化膜722上可形成平坦化膜723。所述平坦化膜723利用丙烯酸(acryl)、聚酰亚胺(polyimide)、苯并环丁烯(Benzocyclobutene：BCB)等有机膜中的一个以上而构成。

在所述薄膜晶体管TFT的上部可布置有机发光元件OLED。

所述有机发光元件OLED包括介于第一电极725、第二电极727以及夹设于第一电极725与第二电极727之间的中间层726。

第一电极725通过接触孔电连接于所述源极电极720或漏极电极721中的任意一个电极。所述第一电极725可对应于像素电极(pixel electrode)。

所述第一电极725可起到阳极的作用，并且可以利用多种导电性材料形成。所述第一电极725可利用透明电极或反射型电极形成。

在所述平坦化膜723上可布置覆盖有机发光元件OLED的第一电极725的边缘部位的像素定义膜724(pixel define layer：PDL)。所述像素定义膜724通过包围所述第一电极725的边缘部位而定义各个子像素的发光区域。所述像素定义膜724可利用有机膜形成。

在所述第一电极725上通过蚀刻所述像素定义膜724的一部分而暴露的区域可以布置有中间层726。所述中间层726可通过沉积工艺形成。

所述中间层726可利用低分子有机物或高分子有机物所构成。

所述中间层726可配备有机发光层(Emissive layer，EML)。作为选择性的另一例子，所述中间层726可以具备有有机发光层，除此之外，还可配备有空穴注入层(Holeinjection layer，HIL)、空穴传输层(Hole transport layer，HTL)、电子传输层(Electrontransport layer，ETL)、电子注入层(Electron injection layer，EIL)中的至少任意一种。本实施例并不限定于此，所述中间层726可以配备有有机发光层，并且还可配备有其他多种功能层。

作为一实施例，所述有机发光层可布置于每个子像素。

所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层可以起到通用层的作用，并可经由相邻的像素而延伸。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层可利用根据本发明的一实施例的混合型掩膜条沉积。

所述中间层726上可布置第二电极727。所述第二电极727可对应于通用电极(common electrode)。所述第二电极727与第一电极725相同，可以利用透明电极或反射型电极形成。所述第二电极727可利用根据本发明的一实施例的混合型掩膜条沉积。

所述第一电极725与第二电极727可以通过中间层726相互绝缘。若所述第一电极725及第二电极727被施加电压，则在所述中间层726发射出可视光，从而实现使用者能够识别的图像。

在有机发光元件的上部可布置有密封部740(Encapsulation)。

所述密封部740可以以多个有机膜741、742和多个无机膜743、744、745交替的方式沉积。作为一实施例，所述密封部740可具有有机膜741、742为至少一层且无机膜743、744、745为至少两层的结构。所述密封部740中暴露于外部的最上层745可以利用无机膜形成以防止湿气透入有机发光元件。

根据本发明的一侧面的混合型掩膜条和应用其的掩膜框架组件能够防止在多个掩膜条相互连接的部分的变形。因此，能够准确地划分由多个掩膜条而定义的沉积区域。

本发明的效果除了上述的内容以外，当然也可从参照附图所述的权利要求书中导出。

Claims

1.一种掩膜框架组件，其中，包括：

掩膜框架，具有开口；以及

掩膜条，布置于所述掩膜框架上，并且配备有至少一个沿第一方向延伸的第一掩膜条、至少一个沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二掩膜条、与所述第一掩膜条及所述第二掩膜条的各个端部连接而定义多个沉积区域的多个第三掩膜条，

其中，所述第一掩膜条的厚度与所述第二掩膜条的厚度不同，并且在所述第一掩膜条与所述第二掩膜条相互连接的部分布置有部分蚀刻部。

2.如权利要求1所述的掩膜框架组件，其中，

所述部分蚀刻部布置于安装所述第二掩膜条的所述第一掩膜条，并且对应于具有比所述第一掩膜条的其他部分的厚度薄的厚度的部分。

3.如权利要求2所述的掩膜框架组件，其中，

所述部分蚀刻部的深度与所述第二掩膜条的厚度相同。

4.如权利要求2所述的掩膜框架组件，其中，

所述部分蚀刻部的间距在第二方向上比所述第一掩膜条的宽度窄。

5.如权利要求2所述的掩膜框架组件，其中，

所述第一掩膜条的厚度比所述第二掩膜条的厚度厚。

6.如权利要求2所述的掩膜框架组件，其中，

所述第二掩膜条的宽度整体上相同。

7.如权利要求2所述的掩膜框架组件，其中，

安装于所述部分蚀刻部的所述第二掩膜条的端部宽度比所述第二掩膜条的其他部分的宽度宽。

8.如权利要求2所述的掩膜框架组件，其中，

所述第二掩膜条焊接于所述第一掩膜条，

焊接点沿所述第二掩膜条的边缘布置。

9.如权利要求1所述的掩膜框架组件，其中，

所述第一掩膜条包括：

第一条部；以及

第二条部，布置于所述第一条部上，并层叠于所述第一条部，

其中，所述部分蚀刻部布置于所述第二条部与所述第二掩膜条相互连接的部分。

10.如权利要求9所述的掩膜框架组件，其中，

所述第一条部是连接于所述第二掩膜条的条，

所述第二条部是定义多个沉积区域的条，

所述第一条部的厚度比所述第二条部的厚度厚。

11.如权利要求10所述的掩膜框架组件，其中，

所述部分蚀刻部包括：

第一部分蚀刻部，布置于所述第二条部，并具有比所述第二条部的其他部分的厚度薄的厚度；及

第二部分蚀刻部，布置于所述第二掩膜条，并具有比所述第二掩膜条的其他部分的厚度薄的厚度，

其中，所述第一部分蚀刻部和所述第二部分蚀刻部具有相互对应的形状，并在与第一方向及第二方向交叉的第三方向上相互结合。

12.如权利要求11所述的掩膜框架组件，其中，

所述第一部分蚀刻部与所述第二部分蚀刻部相互连接的部分的厚度和所述第二条部的其他部分的厚度相同。

13.如权利要求10所述的掩膜框架组件，其中，

所述第二条部的宽度比所述第一条部的宽度宽。

14.如权利要求10所述的掩膜框架组件，其中，

所述第二掩膜条焊接于所述第一条部上，

所述第二条部焊接于所述第二掩膜条上。

15.如权利要求1所述的掩膜框架组件，其中，

所述第一掩膜条的两端部分别连接于所述第三掩膜条，

所述第二掩膜条的第一端部连接于所述第一掩膜条，

所述第二掩膜条的第二端部连接于所述第三掩膜条。

16.如权利要求15所述的掩膜框架组件，其中，

所述第三掩膜条包括多个条部分，

所述多个条部分构成为相互连接的四边形。

17.如权利要求1所述的掩膜框架组件，其中，

所述多个沉积区域布置于由所述第一掩膜条、所述第二掩膜条及所述第三掩膜条相互连接而划分的每个空间，

多个沉积区域分别对应于形成经由单位显示面板的图形化的相邻像素区域而沉积的通用层的单一开口。