CN111850462A - 掩模、掩模的制造方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在将多个线组合的形状的掩模中，用于减小由于掩模的变形而产生的成膜对象物与掩模的间隙的技术。使用用于在基板表面形成成膜图案的掩模，该掩模具有：具有开口部的框架；及包括对由框架包围的内部区域进行分割的多个线的掩模箔，多个线包括第一线和一端部被接合于第一线的两端部以外的位置的第二线，向第二线赋予的每单位截面积的张力比向第一线赋予的每单位截面积的张力小。

Description

掩模、掩模的制造方法及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及掩模、掩模的制造方法及电子器件的制造方法。
背景技术
以往，使用将蒸镀材料向玻璃基板等成膜对象物蒸镀而进行成膜的蒸镀装置。例如，已知在有机EL面板的制造时蒸镀有机层的有机层蒸镀装置。有机层是厚度为几μm～几十μm的薄膜，在膜的形成中使用设有一个或多个开口部的成膜用的掩模。成膜用掩模例如包括框架部和将线状的多个掩模箔组合而成的掩模箔部，并在掩模箔部之间设有开口部。当有机层蒸镀装置经由上述的成膜用掩模将蒸镀材料向玻璃基板蒸镀时，蒸镀材料在开口部通过而堆积在玻璃基板上，在掩模箔部处，蒸镀材料被遮蔽，在玻璃基板上的所希望的位置形成所希望的图案形状的有机层。
有机层蒸镀装置为了避免污染物质向玻璃基板的被成膜面的附着而多以被成膜面朝向重力方向下侧的状态成膜。在该情况下，玻璃基板以被成膜面为下侧的方式被水平地保持，且以掩模与被成膜面相向的方式被水平地保持。有机层蒸镀装置参照在玻璃基板与掩模的相对的位置上设置的对准标记，进行对准工序直至得到所需的定位精度为止，之后，使玻璃基板与掩模重合。重合的掩模中的一部分的区域(例如框架部)与玻璃基板抵接，但是其他的区域(例如掩模箔部的一部分)因自重发生挠曲而从玻璃基板分离。并且，隔着玻璃基板利用磁吸引力或静电吸附力等向掩模箔部赋予吸引力，由此将掩模箔部的整体朝向玻璃基板提升。
在此，在成膜有机层那样的薄层时，在成膜时为了避免产生掩模的影子而使用薄的掩模箔。在上述的掩模箔中为了高精度地进行成膜而需要使掩模箔与成膜对象物尽可能地紧贴，尽可能地减小间隙。例如，为了避免蒸镀材料的潜入(回り込み)、元件间或配线图案间的短路、漏电流、串扰的发生而优选使掩模箔与玻璃基板的间隙为几μm以内。
另外，根据玻璃基板的尺寸与要制造的显示器面板的尺寸、形状的关系，掩模箔部的形状不会是单纯的矩阵状。例如，在由一张玻璃基板制造多个种类的大型显示器面板的情况那样将多个种类的开口部图案组合的面板布局中，不仅存在架设于框架的相向的两条边之间的线，而且也存在至少一方的端部连接于其他线的中间部的线。在该情况下，掩模箔的线彼此呈T字状地交叉，在交叉部将线彼此接合。在该情况下，线的交叉部等处的张力的平衡可能会恶化。
专利文献1提出了通过磁力使掩模向基板吸附的制造方法。
专利文献2提出了下述方法：在将基板和掩模定位之后架设掩模的工序及在进行了磁力吸附之后使磁体移动来架设掩模的工序中，在掩模箔的T字交叉部的正上方配置有磁铁的状态下吸引掩模，消除在交叉部产生的变形。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开平10-41069号公报
【专利文献2】日本专利第5958690号公报
发明内容
【发明要解决的课题】
然而，在专利文献1中，由于因磁铁或电磁体等磁力产生源的配置而使磁力及向箔的吸引力不均匀且在磁极间产生成为0的区间，因此如果在掩模箔产生变形，则掩模箔无法紧贴于基板而成为产生间隙的主要原因。
另外，在专利文献2中，成为掩模箔的T字交叉部的变形的原因的箔张力为几十N～几百N，相对于此，磁铁的吸引力低几位数，因此在施加压力而消除掩模箔的变形方面不充分。因此，掩模箔无法紧贴于基板而成为产生间隙的主要原因。
本发明鉴于上述问题点而作出，其目的在于提供一种在将多个线组合的形状的掩模中，用于减小由于掩模的变形而产生的成膜对象物与掩模的间隙的技术。
【用于解决课题的方案】
本发明采用以下的结构。即，
一种掩模，所述掩模用于在基板表面形成成膜图案，其特征在于，具有：
框架，所述框架具有开口部；及
掩模箔，所述掩模箔包括对由所述框架包围的内部区域进行分割的多个线，
所述多个线包括第一线和一端部被接合于所述第一线的两端部以外的位置的第二线，
向所述第二线赋予的每单位截面积的张力比向所述第一线赋予的每单位截面积的张力小。
本发明还采用以下的结构。即，
一种掩模，所述掩模用于在基板表面形成成膜图案，其特征在于，具有：
框架，所述框架具有开口部；及
掩模箔，所述掩模箔包括对由所述框架包围的内部区域进行分割的多个线，
所述多个线包括第一线和一端部被接合于所述第一线的两端部以外的位置的第二线，
所述第一线与所述第二线接合的接合区域中的所述第二线的宽度比非接合区域中的所述第二线的宽度大。
本发明还采用以下的结构。即，
一种掩模，所述掩模用于在基板表面形成成膜图案，其特征在于，具有：
框架，所述框架具有开口部；及
掩模箔，所述掩模箔包括对由所述框架包围的内部区域进行分割的多个线，
所述多个线包括第一线和一端部被接合于所述第一线的两端部以外的位置的第二线，
在所述第一线与所述第二线接合的接合区域中，在隔着所述第一线而与所述第二线相反的一侧配置有第三线，并与所述第一线接合。
本发明还采用以下的结构。即，
一种掩模的制造方法，所述掩模用于在基板表面形成成膜图案，所述掩模的制造方法的特征在于，
在具有开口部的框架架设掩模箔，该掩模箔包括对由所述框架包围的内部区域进行分割那样的包含第一线和第二线的多个线，
所述掩模的制造方法包括：
一边向所述第一线赋予张力，一边将第一线的两端接合于所述框架而进行架设的步骤；及
一边向所述第二线赋予张力，一边将所述第二线的一端部接合于所述第一线的两端部以外的位置而进行架设的步骤，
使向所述第二线赋予的每单位截面积的张力比向所述第一线赋予的每单位截面积的张力小。
本发明还采用以下的结构。即，
一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括：
将掩模与基板对准的步骤；及
使蒸镀材料经由所述掩模向所述基板蒸镀的步骤，
所述掩模具有：具有开口部的框架；以及包括对由所述框架包围的内部区域进行分割的多个线的掩模箔，
所述多个线包括第一线和一端部被接合于所述第一线的两端部以外的位置的第二线，
向所述第二线赋予的每单位截面积的张力比向所述第一线赋予的每单位截面积的张力小。
【发明效果】
根据本发明，能够提供一种在将多个线组合的形状的掩模中，用于减小由于掩模的变形而产生的成膜对象物与掩模的间隙的技术。
附图说明
图1是表示有机EL面板的生产线的概略图。
图2是有机EL面板的生产线的控制框图。
图3是表示传送载体的概略图。
图4是传送载体的分解立体图。
图5是表示掩模卡盘的概略图和传送载体的概略图。
图6是表示对准室的概略图。
图7是磁吸附磁铁的概略图。
图8是表示磁铁配置的图和表示磁吸引力的分布的坐标图。
图9是表示对准的工艺的流程图。
图10是表示对准的进展的各阶段的概略图。
图11是表示对准的进展的各阶段的接续的概略图。
图12是表示对准的进展的各阶段的接续的概略图。
图13是表示成膜用掩模的构成例的概略图。
图14是表示成膜用掩模的另一构成例的概略图。
图15(A)～图15(D)是用于说明掩模箔间隙产生的简化模型图。
图16是表示第一线与第二线的张力的关系的坐标图。
图17是表示线的接合部的构成例的概略图。
图18是表示线的接合部的另一构成例的概略图。
图19是说明动态解析的结果的图。
【附图标记说明】
401：成膜用掩模，402：掩模框架，403a、413：第一线，403b、414：第二线
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的优选的实施方式及实施例。但是，以下的实施方式及实施例只不过例示性地表示本发明的优选结构，没有将本发明的范围限定为这些结构。而且，以下的说明中的装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别特定性的记载，就不表示将本发明的范围仅限定于此。需要说明的是，对于同一构成要素，原则上标注同一参照编号，并省略说明。
本发明适合于在对成膜对象物进行基于蒸镀的成膜的蒸镀装置中使用的蒸镀掩模，典型的是能够适用于为了制造有机EL面板而将有机材料等蒸镀并成膜于玻璃基板的蒸镀装置。本发明也适合于用于对基板等成膜对象物形成薄膜、无机薄膜的掩模。本发明也可作为成膜装置及其控制方法、成膜方法来掌握。本发明也可作为掩模的制造方法来掌握。本发明也可作为电子器件的制造装置、电子器件的制造方法来掌握。本发明也可作为使计算机执行控制方法的程序、保存有该程序的存储介质来掌握。存储介质可以是通过计算机能够读取的非暂时性的存储介质。
(生产线整体结构)
图1是表示有机EL面板的生产线100的整体结构的概念图。生产线100大致构成循环型传送路，具备蒸镀处理工序传送路100a、返回传送路100b、掩模交接机构100c、载体变换器100d、掩模交接机构100e及载体变换器100f。在构成循环型传送路的各构成要素、例如基板送入室101、反转室102、对准室103、加速室104、蒸镀室105、减速室106、掩模分离室107、反转室108、玻璃基板排出室109等配置有用于构成传送路的传送模块301。在本图中，示出在制造工艺的各工序中玻璃基板G、掩模M及静电卡盘308(附图标记C)如何在传送路上被传送，详情在后文叙述。
在蒸镀处理工序传送路100a中，大致为，从外部将玻璃基板G向传送方向(箭头A)送入，将玻璃基板G和掩模M定位并保持在传送载体上，与传送载体302一起一边在传送路上移动一边被实施蒸镀处理，之后，将成膜完的玻璃基板G排出。在返回传送路100b中，蒸镀处理完成后分离的掩模M和玻璃基板排出后的传送载体302向基板送入室侧返回。
在掩模交接机构100c中，在蒸镀处理完成后从传送载体分离的掩模M向返回传送路移动。移动到返回传送路的掩模M再次被载置于排出基板而变空的传送载体302。在载体变换器100d中，将向下一工序排出了玻璃基板G后的空的传送载体302向返回传送路100b替换。在掩模交接机构100e中，将从沿返回传送路100b传送来的传送载体分离的掩模M向蒸镀处理工序传送路100a上的掩模装配位置P2传送。在载体变换器100f中，掩模M分离后的空的传送载体从返回传送路100b向蒸镀处理工序传送路100a的起点的玻璃基板送入位置P1传送。
图2是生产线100的控制块的概念图。控制块包括对生产线100的整体的运转信息进行管理的运转管理控制部700、及运行控制器20。而且，在构成生产线100的基板送入室101、反转室102、对准室103、加速室104、蒸镀室105等各室(各装置)设置有对各室内部的驱动机构进行控制的驱动控制部。即，在基板送入室101设置有基板送入室控制部701a，在反转室102设置有反转室控制部701b，在对准室103设置有对准室控制部701c，在加速室104设置有加速室控制部701d，在蒸镀室105设置有蒸镀室控制部701e。在上述以外的各装置(各室)也分别设置有控制部701N。可以考虑将上述的驱动控制部和对整体进行管理的运转管理控制部700包含于控制机构。而且，可以考虑将运行控制器20也包含于控制机构。
另外，在上述的各装置(各室)设置有传送模块a(301a)～传送模块N(301N)。在配置于各装置的传送模块301，沿玻璃基板G及传送载体302的传送方向呈线状地配置有多个驱动用线圈。根据设置于各传送模块301的编码器的值，来控制向各驱动用线圈流动的电流或电压，由此控制传送载体302的驱动。
(传送载体302的传送驱动部的结构)
(传送载体的结构)
图3的(A)是由作为固定部的传送模块301和作为可动部的传送载体302构成的传送单元300的从图1的箭头A所示的传送方向观察的主视图。图3的(B)是图3的(A)中的由框S包围的主要部分的放大图，图3的(C)是传送载体302的侧视图，图4是传送载体的分解立体图。传送模块301遍及生产线100的整个区域排列多个而构成传送路。通过控制向各传送模块301的驱动用线圈供给的电流，来将多个传送模块整体作为1个传送路进行控制，能够使传送载体302连续移动。
在图中，传送载体302的载体主体302A由矩形形状的框架构成，在其左右两侧面分别形成有引导槽303a、303b，引导槽303a、303b以与传送方向A平行的截面为
Figure BDA0002322943060000081
字形状地被开设。另一方面，在传送模块301侧的侧板的内表面旋转自如地安装有由多个辊列构成的辊轴承(引导辊)304a、304b。并且，向各引导槽303a、303b内分别插入辊轴承304a、304b，由此传送载体302被支承为相对于传送模块301沿箭头A方向(传送方向)移动自如。
(传送载体上的玻璃基板G和掩模M的保持机构)
接下来，说明在传送载体302保持玻璃基板G的机构和在玻璃基板上保持掩模M的机构。根据本发明，玻璃基板由静电卡盘，掩模由作为磁吸附机构的磁吸附卡盘307分别重叠地保持于传送载体。
在图3、图4中，在矩形框架状的传送载体302的载体主体302A下表面安装有卡盘框架309，卡盘框架309将对掩模M进行磁吸附的磁吸附卡盘307、通过静电力吸附玻璃基板G的静电卡盘308重叠收纳，在载体主体302A的矩形框架上表面配设有控制箱312，控制箱312内置有使静电卡盘308带有电荷的控制部。
通过使该控制箱312内的控制部动作而使卡盘框架309内的静电卡盘308带电，由此能够吸附并保持玻璃基板G。
(磁吸附卡盘的结构)
另外，如图3、图4所示，磁吸附卡盘307具有卡盘主体307x和从卡盘主体302x的背面(玻璃基板G的相反侧)向载体主体302侧沿Z轴方向延伸的2根引导杆307a。该引导杆307a滑动自如地插入于在载体主体302A的框架设置的筒状引导件307b，在卡盘框架309内能够上下移动。
磁吸附卡盘307具有连结钩307c，连结钩307c是与在设置于外部的驱动源侧的连结端部的驱动侧连结端部上设置的驱动侧钩307g能够卡合/脱离的连结部。通过该连结钩307c与驱动侧钩307g卡合而经由引导杆302a使卡盘主体307x沿上下方向驱动。驱动侧钩307g由配置在装置外部的使用了流体压缸或滚珠丝杆的驱动装置等促动器307h控制。
在图示例中，在固定于引导杆307a的前端部的帽307i上设置有连结钩307c，并在帽307i的侧面设置有向侧方延伸的定位片307d。另一方面，在载体主体302A侧，该定位片307d能够选择性地卡合于在卡盘主体307x的上端位置处抵接的上端锁定片307f和将下端位置锁定的下端限动件307e。上端锁定片307f能够沿水平方向移动，能够在卡合位置和退避位置间移动，所述卡合位置是在上端位置处与定位片307d的下表面卡合的位置，所述退避位置是从定位片307d分离的位置，在退避位置处，定位片307d能够向下方移动，与下端限动件307e抵接而限制下降位置。该下降限度是对掩模M进行磁吸附的位置，但是在卡盘主体307x与静电卡盘308之间设有些许间隙。由此，避免磁吸附卡盘307的重量作用于静电卡盘308的情况。
该上端锁定片307f的驱动也通过外部驱动力来驱动，例如，如果利用旋转驱动的促动器307m驱动设置于前端的小齿轮旋转而啮合于上端锁定片307f或在直线引导件的可动构件上设置的齿条，则能够水平移动。
如图3所示，上端锁定片307f经由分离了规定间隔的一对直线引导件307k而滑动自如地支承于在载体主体302A设置的底座307j的上表面。在直线引导件307k之间的底座307j的上表面突出设置有下端限动件307e，定位片307d构成为能够在直线引导件307k之间通过的宽度，当上端锁定片307f向退避位置移动时，能够向下方移动，与下端限动件307e抵接。
并且，在卡盘框架309的静电卡盘308保持有玻璃基板G的状态下，使掩模M相对于玻璃基板G一边进行对准一边接近，在掩模M抵接于玻璃基板G的状态下，使磁吸附卡盘307向掩模M侧移动，由此掩模M隔着玻璃基板G及静电卡盘308而被磁吸附。由此，在玻璃基板G与掩模M相互进行了位置对合的状态下，由卡盘框架309卡夹，结果是被保持于传送载体302。
(磁吸附卡盘的形状)
参照图4，说明磁吸附卡盘307、静电卡盘308的形状。
卡盘框架309是比载体主体302A小一圈的矩形形状的构件，对静电卡盘308的外周缘进行保持，构成对磁吸附卡盘307和上述格子状的支承框架的四条边进行引导的引导壁。
静电卡盘308为陶瓷等的板状构件，是向内部电极施加电压并通过作用在其与玻璃基板G之间的静电力来吸附玻璃基板G的结构，不能上下移动地固定于卡盘框架309的下侧缘。如图4所示，静电卡盘308被分割成多个卡盘板308a(在图中为6张)，各卡盘板308a的边彼此通过多个肋309b来固定。肋309b为了避免与磁吸附卡盘307的支承框发生干涉而被分成多个。
磁吸附卡盘307的卡盘主体307x在矩形形状的框体307x1具备：与形成于掩模M的遮蔽图案对应的图案的格子状的支承框架307x2、安装于支承框架307x2的轭板307x3及吸附磁铁307x4。
图7示出吸附磁铁307x4的配置。图7示出磁吸附卡盘307的配置有吸附磁铁307x4的面的从下方观察的情况。沿轭板307x3在正交方向上将S极、N极的磁铁交替地排列在线上。
(掩模保持机构)
在传送载体302下表面的卡盘框架309的周围多个部位(在实施例中为10个部位)，与磁吸附卡盘307分体地设有对掩模M进行保持的作为掩模保持机构的掩模卡盘311。该掩模卡盘311是由来自外部的驱动力来驱动的结构，在传送载体302不搭载驱动源。
图5的(A)示出该掩模卡盘311的结构。
如图所示，掩模卡盘311在通过4根支柱311d安装于传送载体下表面的基体311a具备将掩模M周缘的掩模框架412从上下夹持的卡盘片311b、311c。上侧的卡盘片311b配设在与掩模M的周缘的掩模框架412的上表面抵接的位置，下侧的卡盘片311c能够由旋转轴311f向箭头311g方向进行旋转驱动。即，下侧的卡盘片311c能够移动到与上侧的卡盘片311b一起夹持掩模框架412的图示的夹持位置、从掩模框架412分离而不会妨碍掩模框架412的上下移动的311h所示的退避位置。上述的移动通过将连结部311i连结于从配置于外部的促动器311m(参照图3的(A))向腔室内部延伸的驱动侧的连结端部311j而对旋转轴311f进行旋转驱动来进行。
另外，旋转轴311f具备施力构件311k，该施力构件311k在与卡盘片311b一起夹持掩模框架412的状态下对卡盘片311c向传送载体侧弹性地施力。通过该施力构件311k的作用力，能够将掩模M可靠地保持于传送载体302，防止位置偏离。
掩模卡盘311在装配掩模前，移动到上述退避位置，掩模M通过后述的升降装置而向传送载体302下表面上升，当成为与玻璃基板G抵接的状态时，由图3所示的促动器经由连结部311i驱动，卡盘片311c向掩模及玻璃基板侧旋转，将掩模M的周缘部分卡定，成为弹性地卡夹于传送载体302的状态。
需要说明的是，掩模卡盘311通过将掩模M的周缘的掩模框架412卡定而夹住并保持玻璃基板G，因此，以后即使相对于玻璃基板G解除静电卡盘308、相对于掩模M解除磁吸附卡盘307，也能够维持将玻璃基板G和掩模M重叠地装配保持的状态。
图5的(B)是将该传送载体简化而概念性地表示的图。对于与图3的(A)相同的功能部分，标注同一附图标记。
即，为了向传送载体302保持玻璃基板G而使用静电卡盘308，为了保持掩模M而使用磁吸附卡盘307，两卡盘都被装入卡盘框架309内。磁吸附卡盘307对掩模M的保持通过卡盘框架309内的磁吸附卡盘307的升降动作而进行。需要说明的是，在图3中，使上端锁定片水平移动，但是在图5中，设为使其旋转驱动的结构。只要能够锁定、解锁即可，可以水平移动，也可以旋转移动。在磁吸附卡盘307进行的掩模保持完成之后，通过机械式的掩模卡盘311将掩模框架412保持于载体主体302A。向掩模卡盘311装入并弹性地保持有施压用弹簧等施力构件311k。上述静电卡盘308、磁吸附卡盘307及掩模卡盘311这3种卡盘被紧凑地装入于传送载体302。
(对准工艺)
图6的(A)～图6的(C)是用于说明进行在对准室103内进行的掩模卡盘动作的掩模升降装置及其动作的图。
在对准室103内，传送模块301被固定于腔室内的主框架200，传送载体302以由静电卡盘保持的玻璃基板G朝向下方的状态，通过磁力上浮而维持成悬吊于传送模块301的状态。
如该图所示，在传送载体302的下方配设有保持掩模M并升降的升降装置202。升降装置通过借助起重器203a、203b、203c、203d分别进行上下移动的升降杆204a、204b、204c、204d对前后左右的四个点进行支承，从而对掩模托盘205进行升降控制。
另外，如图6的(C)所示，掩模托盘205利用多个掩模支承部206支承掩模M的周缘的掩模框架MF。
通过以上的结构，载置在掩模托盘205上的掩模M通过起重器203a～203d而上升，接近由磁力上浮的传送载体302保持的玻璃基板G，当成为规定的接近距离时，对玻璃基板G和掩模M进行对准动作。
在对准动作中，通过对准相机拍摄在玻璃基板和掩模上预先形成的对准标记来检测两者的位置偏离量及方向，通过磁力上浮的传送载体302的传送驱动系统一边使传送载体的位置微动一边进行位置对合(对准)，在玻璃基板与掩模的位置准确地进行了位置对合的状态下，通过磁吸附卡盘吸附掩模M，保持于传送载体。
该保持状态如前所述由10处的掩模卡盘311锁定，以后，即使解除静电卡盘、磁吸附卡盘，也能维持玻璃基板与掩模以对准的状态保持于传送载体的状态。
在此，在对准时，在传送载体302进行了磁力上浮的状态下，微调相对于传送模块301的位置。因此，不用另行设置对准专用的微动调整机构，通过传送载体驱动系统能够实施对准，因此对于传送载体302的结构的简化、轻量化也有效。
(处理流程)
参照图9的流程图和图10～图12，说明对准室103中的对准动作的详情。图10的(A)～图12的(D)分别对应于图9的步骤S1～S5、S7～S12。
首先，在步骤S1中，如图10的(A)那样，掩模M通过掩模交接机构100e从预对准室100g送入。对准室控制部通过设置于对准室103的传感器来检测送入的完成。
接下来，在步骤S2中，如图10的(B)那样，将保持有基板的传送载体302以磁力上浮传送模式从反转室102向对准室103送入。在此的传送方向A设为从里侧朝向近前的方向。对准室控制部根据传送模块301的编码器的值来检测位置，使传送载体302停止于规定的对准位置。此时的掩模M与玻璃基板G的间距(间隙)设为CLS2。例如CLS2＝68mm。
接下来，在步骤S3中，如图10的(C)那样，通过升降装置202(起重器203a～203d、升降杆204a～204d)使掩模M上升，在即将与玻璃基板G接触之前停止。停止位置成为在接下来的步骤S4中，对准相机能够同时计测玻璃基板G和掩模M的各自的对准标记的位置。如果将此时的掩模M与玻璃基板G的间距设为CLS3，则例如CLS3＝3mm。
接下来，在步骤S4中，如图10的(D)那样，通过对准相机1310同时计测玻璃基板G和掩模M的各自的对准标记。需要说明的是，在传送载体302沿对准相机的光轴方向设置有贯通孔。对准相机经由该贯通孔，能够计测在玻璃基板G和掩模M上设置的对准标记。而且，只要是能够进行对准标记计测的结构即可，也可以不是贯通孔而是使用例如切口等。
接下来，在步骤S5中，如图11的(A)那样，对准室控制部根据S4中的计测结果来算出玻璃基板G与掩模M的位置偏离量，以使位置偏离的值收敛于规定的容许范围的方式调整保持有玻璃基板G的传送载体302的位置。在位置调整时，如附图标记331所示，控制向驱动用线圈306a、306b施加的电流或电压，来调整驱动用磁铁305a、305b之间的磁力。这样，本步骤的对准动作在使传送载体302上浮的状态下进行。接下来，在步骤S6中，对准相机再次进行计测，对准室控制部判定位置偏离的值是否为规定的范围内。如果为范围外则返回S5，反复进行对准直至位置偏离值收敛于范围内为止。
如以上所述，在传送载体及其保持的玻璃基板G进行了磁力上浮的状态下，通过利用磁力调整传送载体的位置来进行本流程的对准动作。在该结构中，传送载体与传送模块不接触，因此能抑制摩擦等的影响，而且能够进行高精度的定位。而且，在对准中使用对传送载体进行传送用的驱动用线圈和通过驱动用磁铁产生的磁力，因此在对准用中不需要设置另外的驱动机构。其结果是，能够简化装置的结构并降低成本。
当对准动作完成时，进入对掩模M进行磁吸附的工序，但是在该实施方式中，首先，通过掩模卡盘311卡夹掩模框架MF。
即，在S7中，如图11的(B)那样，使掩模M上升而接近玻璃基板G。在掩模M上升时，通过升降装置202使掩模托盘205上升，由此，由掩模支承部206支承的掩模M上升。掩模M自身如示意性所示那样挠曲，掩模支承部206支承的掩模框架MF上升，与玻璃基板G接近至规定的间隙。如果将此时的掩模M与玻璃基板G的间距设为CLS71，则例如CLS71＝0.5mm。而且，由于传送载体302进行磁力上浮，因此载体台部302A1的下端与掩模托盘205之间存在间距CLS72。
接下来，在S8中，如图11的(C)那样，使磁力上浮控制为关闭，使传送载体302落座于掩模托盘205。通过磁力上浮控制成为关闭，失去了上浮力的传送载体302因自重而落下，落座于掩模托盘205。在图示例中，设置于载体主体302A的载体台部302A1的下端进行抵接。如果将此时的掩模M与玻璃基板G的间距设为CLS8，则例如CLS8＝0.3mm。
接下来，在S9中，如图11的(D)那样，实施掩模卡夹。
即，通过外部的驱动装置的驱动来驱动旋转轴311f旋转，卡盘片311c卡合于掩模框架MF而被卡夹。在图示例中，省略上侧的卡盘片311b。在该时点，掩模框架MF被固定。即使解除静电卡盘308、磁吸附卡盘307也能维持该状态。
接下来，在S10中，如图12的(A)那样，在通过掩模卡盘311保持有掩模M的状态下，使传送载体302上升至上浮开始位置。传送载体302的上升通过掩模托盘的升降装置来进行。上浮开始位置是传送模块301的驱动用线圈306与传送载体302的驱动用磁铁305的间隔成为能够使传送载体302上浮的程度的吸引力的距离。在本步骤中，例如，使传送载体302上升0.7mm左右。
接下来，在S11中，如图12的(B)那样，使磁力上浮控制为打开，使保持有掩模M的传送载体302从掩模托盘205上浮。即，通过传送模块301的驱动用线圈306与传送载体302的驱动用磁铁305之间的吸引力而使传送载体302从掩模托盘205上浮规定量。上升量例如为0.5mm左右。即，如果将此时的掩模托盘205与传送载体302的载体台部302A1的下端之间的间距设为CLS11，则例如CLS11＝0.5mm。
接下来，在S12中，如图12的(C)那样，使磁吸附卡盘307下降而对掩模M进行磁吸附。即，在上升端被锁定的锁定片由外部的促动器驱动而旋转，向退避位置移动而使向下降方向的锁定解除，磁吸附卡盘307朝向保持玻璃基板G的静电卡盘308下降，隔着静电卡盘308及玻璃基板G，磁吸附并保持磁吸附卡盘307的吸附磁铁和掩模M。由此，对准的状态的掩模M整面地紧贴于玻璃基板G的成膜面而被保持。需要说明的是，磁吸附卡盘307向下方的移动通过来自传送载体302的外部的驱动力来实现。此时的磁吸附卡盘的下降量例如为30mm。
接下来，在S13中，如图12的(D)那样，将传送载体302朝向传送方向A从对准室103向加速室104送出。
通过以上的流程，对准了的掩模M由磁吸附卡盘307保持在由静电卡盘308保持的玻璃基板G的成膜面上，进而在通过掩模卡盘311卡夹了掩模框架MF的状态下，将传送载体302送出。
需要说明的是，在上述的说明中，示出了使用磁力上浮式的传送载体来传送基板和掩模那样的装置结构，但是本实施例的应用对象没有限定于此。只要是使用在框架架设有多个线状的掩模箔部、且至少一条线的一端部与另一条线的两端部以外的部分接合那样的掩模的装置，就可以应用本发明。
[实施例1]
以下说明实施例1。首先，在叙述了作为本实施例的前提的吸附机构及掩模的结构、其问题点之后，说明针对上述问题点的本实施例的效果。
(磁吸附卡盘的吸引力)
图8的(A)是将吸附磁铁307x4的配置简化而概念性地表示的剖视图。图8的(B)是表示对于图8的(A)的掩模箔的每单位面积的磁吸引力(mN/mm2)的坐标图。
吸附磁铁307x4基于根据磁铁磁力、配置间距、间隔等要件所决定的磁吸引力而配置于磁吸附卡盘307。需要说明的是，为了避免在玻璃基板G与掩模M之间产生间隙而需要使掩模箔部403与玻璃基板G大致抵接。为此，在掩模箔整个区域中，吸附磁铁307x4的每单位面积的磁吸引力相对于掩模箔部403的每单位面积的重量，需要成为至少1倍以上的吸引力。
例如在本实施例中，以吸附磁铁307x4相对于掩模箔部403的每单位面积的重量而具有3倍以上的吸引力的方式配置吸附磁铁307x4。在图8的(A)的例子中，吸附磁铁307x4与成为磁力的作用对象的掩模箔部403的间隔在之间介有玻璃基板G等而为18.5mm。此时，吸附磁铁307x4的宽度为10mm，高度为6mm，磁铁的间距设定为25mm。
图8的(B)是对吸附磁铁307x4产生的掩模箔吸附力进行了磁解析的坐标图。横轴表示水平方向的位置，纵轴表示每单位面积的磁吸引力。图8的(B)大致对应于图8的(A)所示的吸附磁铁307x4中的相邻的2个磁铁。
(掩模的结构)
图13是表示成膜用掩模401的结构的概略的一例的图。本实施例的成膜用掩模401是与上述的掩模M对应的结构物。成膜用掩模401由掩模框架402、掩模箔部403构成。在由一张玻璃基板G制造多张面板时，以遮蔽面板彼此之间的区域为目的而使用成膜用掩模401。因此，掩模箔部403呈将多个线状的箔组合那样的形状。
具体而言，图示例的掩模箔部403包括第一线403a、以及第二线403b、403c及403d，形成将这些构成要素没有阶梯地接合的一体结构。掩模箔部403被接合于掩模框架402。在此，将两端接合于掩模框架402的线称为“第一线”，将一端接合于掩模框架402且另一端接合于其他线的线称为“第二线”。即，以分割由框架包围的内部区域的方式配置第一线和第二线。
另外，也能够通过从大型的掩模箔剪下开口部分来作成没有接合阶梯的掩模箔。
作为如图13那样没有阶梯地制造掩模的方法，存在例如通过蚀刻等将接合区域的各掩模箔的厚度减少成一半程度的方法。
或者，也存在将第一线与第二线对接并焊接的方法。在使用对焊法的情况下，可以预先设置从第一线沿短边方向突出的部分，将该突出的部分的端部与第二线的一端部焊接。
图14是表示与上述的掩模M对应的结构物的另一例的成膜用掩模411的概略结构的图。在成膜用掩模411中，掩模框架412与掩模箔部相接合。掩模箔部包括第一线413、第二线414、415及416、以及周边部线417。
在图14的成膜用掩模411的制造方法中，首先，将第一线413以施加了规定的张力的状态接合于掩模框架412。然后，在第一线413的两端部以外的位置接合第二线414、415及416的一端部。需要说明的是，也可以不将第二线的一端部接合于第一线413而是将第二线以跨第一线的方式接合之后切断与第一线交叉的交叉部。并且，各第二线在先接合于第一线的一端以外的端部(另一端部)处，接合于掩模框架412。需要说明的是，根据掩模的线结构，也存在各第二线的另一端部还接合于其他线的情况。需要说明的是，可以将第二线的一端部先接合于掩模框架412之后，将另一端部接合于第一线。
在架设各线的步骤中，需要赋予优选的张力。作为其手法的一例，存在一边计测张力，一边将第一线激光熔敷于框架，将第一线与第二线的交叉部熔敷，一边从框架外侧架设一边对第二线进行激光熔敷的方法。
然后，将周边部线417接合于掩模框架412。需要说明的是，在第一线的接合前或第二线的接合前，可以将周边部线接合于掩模框架412。
成膜用掩模401与411的差异是在掩模箔部403是否存在因接合而形成的阶梯。作为接合方法，可列举例如在多个点进行使用了激光的点焊的方法。但是，本发明没有限定于此，也可以使用其他的接合方法。
(张力施加引起的掩模箔的变形)
接下来，叙述在将这样的多个线组合的形状的掩模箔产生的变形。在将两端接合于掩模框架的第一线、及一端部被接合于第一线的第二线都会产生自重引起的挠曲。由于当将线的两端接合时向线施加张力，因此自重引起的挠曲减少，但是特别是关于第一线，在两端部以外的部位受到第二线的张力，不仅会产生弯折(蛇形)而且有时会产生箔的变形。
在这样线发生了变形的状态下，如果受到磁铁的吸引力而与玻璃基板抵接，则线的自重被吸引力消除而挠曲部分被提升，但是已经向线施加的张力未消除。其结果是，以线的变形残留的状态抵接于玻璃基板。
在发明者研究的一例中，确认到在仅将厚度50μm的笔直的第一线张设于掩模框架的相向的边之间时，通过施加磁铁的吸引力而使玻璃基板与掩模的间隙成为几十μm以内，能够使间隙比较小。另一方面，确认到在将第二线架设于第一线的中途的位置与掩模框架的边中的未连接第一线的边之间而施加张力时，玻璃基板与掩模的间隙超过100μm，间隙变大。
图15(A)～图15(D)示出掩模箔的间隙产生的简化模型。参照本图，说明发明者的研究。图15(A)是表示简化的结构的图，(A-1)示出掩模框架402、第一线403a及1个第二线403b的配置。第一线403a与第二线403b在交叉部403x交叉。(A-2)是简易地表示作用于第一线403a的力的图，第一线403a的张力为T1，第二线403b的张力为T2，臂的长度为L。(A-3)关于第一线403a，示出箔的截面积A、沿水平方向变形的截面模量Z。
图15(B)和图15(C)示出在交叉部403x附近，将作用于第一线的力进行了简化的力学模型。在这些图中，朝向右侧的箭头表示拉伸应力作用于第一线403a的情况。朝向左侧的箭头表示压缩应力作用于第一线403a的情况。
图15(B)表示作用于第一线的2个种类的应力。(B-1)表示由张力T1产生的拉伸应力σt，(B-2)表示以张力T2为起因的弯曲应力σb。即，第一线的张力T1产生的拉伸应力为σt，第二线的张力向第一线施加的力矩M×L(臂的长度)产生的弯曲应力为σb时，设想作为组合应力σmax而作用于第一线的情况。
图15(C)表示组合应力σmax成为压缩应力的情况。当组合应力T2产生的弯曲应力σb超过T1产生的拉伸应力σt时(σmax<0)，在第一线作用有压缩应力。其结果是，如图15(D)所示，设想薄箔即线压曲而发生变形的情况。此时，如果图8的(B)所示的磁铁产生的吸引力比压缩应力大，则能够实现上述的第一线的变形的平坦化。然而，如果吸引力比压缩应力小，则存在第一线仍为变形的状态而无法平坦化的情况。
(关于施加张力的研究)
图16是表示基于根据图15(A)～图15(D)所示的力学模型而作成的计算式的、第一线的张力T1与在第一线未产生压缩应力那样的第二线的张力T2的上限值的关系的坐标图。在本坐标图的例子中，第一线的厚度设定为50[μm]。而且，臂的长度L、即从第一线的作用部位(交叉部403x附近)至框架接合部位的距离设定为500[mm]。
根据本坐标图，在第一线的宽度为10mm～50mm的各个情况下，求出避免产生压缩应力那样的第二线的上限张力，因此在接合第二线时只要设为低于其上限值那样的张力T2即可。
发明者根据关于厚度50μm的T字交叉的线进行的研究，确认到通过将第二线的张力T2设为坐标图的上限张力以内而施加磁铁的吸引力，玻璃基板与掩模的间隙成为几十μm以内的情况。
使用数学式再继续研究。在图15(A)～图15(D)中，在张力为T1[N]，截面积为A＝b×n[mm2]时，向第一线403a赋予的每单位截面积的张力表示为T1/bn[N/mm2]。
另外，当向第二线403b赋予的张力为T2[N]，从第一线的作用部位至与框架接合的接合部为止的距离即臂的长度为L[mm]时，向第一线赋予的每截面模量的力矩表示为T2×L/(bh2/6)[N/mm2]。需要说明的是，在此，将第二线的张力作用于第一线的部位称为“作用部位”。在图15(A)～图15(D)的例子中，第一线的左右的臂的长度相同，为(L)，将第一线左右分开时的中心线、或该中心线上的点、或包含中心线的中心区域成为作用部位。将作用部位考虑作为区域时的外周未必需要严格地确定，但是可以将例如由第二线的长边方向的两条边延长到第一线上的两条线和第一线的长边方向的两条边围成的区域设为作用部位。
因此，为了抑制线变形引起的压曲，将向第一线赋予的每单位截面积的张力(T1/bn)与由于向第二线赋予的张力而将从第一线的作用部位至框架接合部为止设为臂的长度并向所述第一线赋予的每截面模量的力矩进行比较时，后者可以比前者小。
由此，可以说以下的掩模有效。即，用于在基板表面形成成膜图案的掩模的特征在于，包括具有开口部的框架和将由所述框架包围的内部区域进行分割的多个线，所述多个线包括第一线和一端部被接合于所述第一线的两端部以外的位置的第二线，向所述第二线赋予的每单位截面积的张力比向所述第一线赋予的每单位截面积的张力小。
这样，通过使用向第一线赋予的张力比向第二线赋予的张力大的掩模而作用于第一线的组合应力σmax未成为压缩应力，因此能减少线的接合部的压曲变形。其结果是，在将多个线组合的形状的掩模中，能够尽可能地减小由于掩模的变形而产生的成膜对象物与掩模的间隙。
特别是，可以说以下的掩模有效。即，在上述的掩模中，将所述第一线的两端部与所述框架接合的掩模。
这样，在将第一线的两端部与框架接合的情况下，通过使该第一线的张力与接合于第一线的第二线的张力带有差别，能够防止掩模的变形。
此外，可以说以下的掩模有效。即，在上述的掩模中，当将从所述第二线的张力作用于所述第一线的作用部位至所述第一线接合于所述框架的部位为止的长度设为力矩的臂的长度时，以向所述第二线赋予的张力为起因而向所述第一线赋予的每截面模量的力矩比向所述第一线赋予的每单位截面积的张力小。
通过这样设定向第一线赋予的张力和向第二线赋予的张力，能防止线的接合部处的压曲变形。其结果是，能够进一步减小成膜对象物与掩模之间的间隙。
[实施例2]
接下来，说明实施例2。为了减小玻璃基板与掩模的间隙，缓和第一线与第二线的接合区域的变形至关重要。因此，在本实施例中，特别说明对两条线的接合区域的形状进行研究以缓和变形的方法。关于与已述的上述结构同样的结构，标注相同的附图标记，并简化说明。
本实施例的掩模是如图14的成膜用掩模411那样，架设于框架间的第一线413与至少一端架设于另一线的第二线414通过点焊等手法而接合来形成的结构。图17示出本实施例的第一线413与第二线414的接合区域的形状。
需要说明的是，典型的是通过点焊进行线接合。关于该情况下的第一线与第二线接合的接合区域的范围，使用图17的(C)进行说明。如图所示，在通过多个点焊S而焊接2条线时，接合区域C的外周由将最外部的点焊位置S连结的线来规定。但是，也可以如图17的(D)所示，在将最外部的点焊位置SP连结的区域包含些许的额外的区域来作为接合区域C。而且，关于利用点焊以外的手法进行接合的情况，也可以同样地定义接合区域C。而且，关于后述的“触抵箔”的被接合的区域即第二接合区域也同样。
(第二线具有T字状端部的例子)
图17的(A)示出第二线的一端部的优选的构成例。图17的(A-1)是接合区域C周边部的放大俯视图。(A-2)是接合区域C的朝向Y轴正方向观察的图。第一线413通过空心表示，第二线414通过着色表示，接合区域C通过左低右高的阴影表示。
图中的数字为各个部位的长度(单位为[mm])。即，第一线413的宽度(附图标记413a1)为15.1mm。第二线414中的不是接合区域的被接合区域的宽度(附图标记414a1)为25.4mm。第二线414中的包含于接合区域的部分的宽度(附图标记414a2)为46.6mm。即，第二线414的宽度在接合区域比被接合区域大。需要说明的是，在本说明书中，第二线414的“宽度”表示第二线的短边方向(图中，左右方向)的长度。
换言之，第二线414两端中的与接合区域C对应的端部为在左右具备突出部(附图标记414a3、414a4)的T字状的形状。
而且，再换言之，观察与第一线413接合的第二线414的一端部的接合区域周边的形状时，第一线413的长边方向(图中，左右方向)上的第二线414的宽度比第二线414的主体部分的宽度大。
这样，在图17的(A)的例子中，第二线414的宽度不恒定，根据是否与接合区域C重叠而变化。具体而言，第二线414与第一线413重叠的接合区域C处的第二线414的宽度大于被接合区域(主体部分)处的第二线414的宽度。
通过这样的结构，具有提高图16中的上限张力(第一线413开始变形那样的、第二线414的张力的上限)的值的效果。因此，能得到变形产生的情况减少或变形形状变得平缓的效果。
(使用触抵箔的例子)
图17的(B)示出能得到与图17的(A)相同的效果的另一接合区域的形状的例子。第二线414的宽度(414a1)恒定，在接合区域C与被接合区域之间不变化，为25.4mm。
另一方面，在本图中，在第一线413的两面中的、与第二线414接合一侧的面的相反侧的面上，接合第一线413的长边方向长的第三长条线419。由此，在接合区域C的隔着第一线413的相反侧形成触抵构件接合区域C2。在本图中，接合区域C通过左低右高的虚线阴影表示，触抵构件接合区域C2通过左高右低的单点划线阴影表示。
第三长条线419的材质可以与其他的线相同。而且，将第三长条线419在触抵构件接合区域C2中与第一线413接合的方法也可以与接合区域C相同。而且，第三长条线的形状没有限定为长条状，只要是能够抑制掩模的变形那样的触抵箔即可。
通过这样的结构，也能得到提高第二线414的上限张力的值而抑制变形的效果。需要说明的是，掩模中的与玻璃基板G抵接的是第二线414，因此即使追加触抵箔(第三长条线)，掩模与基板的抵接状态也不会变化。
需要说明的是，即使在第二线的宽度不均匀而例如图17的(A)、图18的(A)、(B)那样的情况下，也可以配置触抵构件。
(T字状端部的另一例)
图18是表示另一接合区域的形状的图。
图18的(A)是接合区域周边处的第二线414的端部的形状为T字形，突出部的在第一线413的长边方向上的宽度比第一线413的宽度窄的图。在本图的例子中，关于与第一线143接合的第二线414的一端部的接合区域C，接合区域C中的第二线414的宽度(附图标记414a2)比被接合区域(第二线主体部分)中的第二线414的宽度(附图标记414a1)大。这一点与图17的(A)的例子同样。
另外，在本图的例子中，在接合区域C中，第二线414的长边方向(图中，上下方向)上的长度(附图标记413a4)比第一线413的宽度(附图标记413a1)小。
通过使接合区域C的形状形成为上述形状而产生将第一线413的接合部区域的宽度分割的凹口。由此，具有提高第一线413开始变形的第二线的张力上限的效果。
(T字状端部的另一例2)
图18的(B)示出得到与图18的(A)相同的效果的另一接合区域的形状。在该例中，第二线414的接合区域C处的箔的形状与图17的(A)同样。即，第二线414的端部的突出部的在第二线414的长边方向上的长度是与第一线413的宽度同等的长度(都为附图标记413a1)。
然而，在本图中，接合区域C的在第二线414的长边方向上的长度(附图标记413a5)比第一线413的宽度(附图标记413a1)小。
通过这样的结构，也能得到与图18的(A)同样的效果。
(效果的确认)
通过掩模箔的动态解析，确认了接合区域C中的第二线414形状的变化与掩模和基板之间的间隙量的关系。
图19的(A)是在动态解析中使用的主要的设定。即，宽度52mm、厚度200μm的第一线413将两端部都连接于掩模框架412，以被施加了张力T1的状态架设。而且，宽度10mm、厚度50μm的第二线414将一端部连接于掩模框架412，将另一端部连接于第一线413，以被施加了张力T2的状态架设。在图示例中，还示出另外的多个第二线415、416。它们都是宽度10mm，厚度50μm，被施加张力T3。
图19的(B)是关于接合区域C中的第二线414的形状互不相同的2个种类的掩模，将第二线414的张力T2与掩模-玻璃间的间隙的大小进行了比较的坐标图。接合区域C为“Ref形状”的掩模是作为比较用而示出的掩模。即，Ref形状的掩模不具备图17、18所示那样的结构。另一方面，接合区域C为“T字形状”的掩模具备图17的(A)所示的结构。作为測定条件，将第一线的张力T1固定为1000N，将第二线的张力T2进行了各种变更。横轴表示张力T2，纵轴表示间隙量。
如图19的(B)所示，与使用了Ref形状的掩模的情况(实线坐标图)相比，使用了T字形状的掩模的情况下(虚线坐标图)，即使被施加相同张力T2时，间隙量也减小。而且，张力T2越高，则间隙量减少的效果越大。由此，通过本实施例的掩模结构，能够确认到提高第一线413开始变形的第二线414的张力上限的效果。
从本实施例可知，以下的掩模有效。即，用于在基板表面形成成膜图案的掩模，包括具有开口部的框架和对由所述框架包围的内部区域进行分割的多个线，所述多个线包括第一线和一端部被接合于所述第一线的两端部以外的位置的第二线，所述第一线与所述第二线接合的接合区域中的所述第二线的宽度比非接合区域中的所述第二线的宽度大。
通过使用这样的例如图17的(A)、图18的(A)、(B)那样的掩模，能够减少变形。
从本实施例可知，以下的掩模也有效。即，用于在基板表面形成成膜图案的掩模，包括具有开口部的框架和对由所述框架包围的内部区域进行分割的多个线，所述多个线包括第一线和一端部被接合于所述第一线的两端部以外的位置的第二线，在所述第一线与所述第二线接合的接合区域中，在隔着所述第一线而与所述第二线相反的一侧配置有第三线，并与所述第一线接合。
通过使用这样的例如图17的(B)那样的掩模，也能够减少变形。
在上述各实施例中，说明了具有第一线与第二线呈T字状地交叉的交叉部的情况。然而，本发明只要是除了第一线和第二线具有单纯的十字形的交叉部且平衡良好地被赋予张力的情况以外就能够适用。例如，具有第一线与第二线呈Y字状地交叉的交叉部的情况也是本发明的对象。
在上述各实施例中，说明了第二线向第一线的作用部位处于第一线的中间点的情况。然而，关于第一线被第二线分割时的左右的臂的长度不同的情况，本发明也成为对象。即，一方的臂的长度为L1，另一方的臂的长度为L2，如果L1>L2，则基于长度L1的臂来求出力矩，由此能够算出优选的第二线的张力上限值。
在图18的(A)、(B)中，在第二线414与第一线413重叠的区域中，关于第二线414的长边方向，接合区域的长度(附图标记413a4、413a5)为6.5mm，非接合区域的长度为4.3×2＝8.6mm。即，接合区域的长度相对于第一线的宽度之比为约43％。通常，通过使该比收敛于25％～75％的范围内，能得到良好的防变形性能。但是，本发明没有限定为该数值范围。
以上，根据本发明，能够提供一种在将多个线组合的形状的掩模中，用于减小由于掩模的变形而产生的成膜对象物与掩模的间隙的技术。因此，能够使成膜对象物与掩模之间的间隙减少，抑制蒸镀材料向蒸镀区域以外的潜入。即，使用本发明的实施例的掩模或通过本发明的掩模的制造方法而制造的掩模来制造有机EL显示器等电子器件那样的电子器件的制造方法能够进行高精度的蒸镀，能够提供高品质的电子器件。本发明的电子器件也包括具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)或照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS影像传感器)。

Claims (15)

1.一种掩模，所述掩模用于在基板表面形成成膜图案，其特征在于，具有：
框架，所述框架具有开口部；及
掩模箔，所述掩模箔包括对由所述框架包围的内部区域进行分割的多个线，
所述多个线包括第一线和一端部被接合于所述第一线的两端部以外的位置的第二线，
向所述第二线赋予的每单位截面积的张力比向所述第一线赋予的每单位截面积的张力小。
2.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，
所述第一线的两端部与所述框架接合。
3.根据权利要求2所述的掩模，其特征在于，
当将从所述第二线的张力作用于所述第一线的作用部位至所述第一线接合于所述框架的部位为止的长度设为力矩的臂的长度时，以向所述第二线赋予的张力为起因而向所述第一线赋予的每截面模量的力矩比向所述第一线赋予的每单位截面积的张力小。
4.根据权利要求3所述的掩模，其特征在于，
所述掩模具有所述第一线与所述第二线呈T字状或Y字状地交叉的交叉部。
5.根据权利要求4所述的掩模，其特征在于，
所述第二线接合于所述第一线的相对于所述框架而成为相反侧的面。
6.一种掩模，所述掩模用于在基板表面形成成膜图案，其特征在于，具有：
框架，所述框架具有开口部；及
掩模箔，所述掩模箔包括对由所述框架包围的内部区域进行分割的多个线，
所述多个线包括第一线和一端部被接合于所述第一线的两端部以外的位置的第二线，
所述第一线与所述第二线接合的接合区域中的所述第二线的宽度比非接合区域中的所述第二线的宽度大。
7.根据权利要求6所述的掩模，其特征在于，
所述第二线的长边方向上的所述接合区域的长度比所述第一线的宽度小。
8.根据权利要求7所述的掩模，其特征在于，
所述第二线的长边方向上的所述接合区域的长度相对于所述第一线的宽度之比为25％～75％的范围内。
9.一种掩模，所述掩模用于在基板表面形成成膜图案，其特征在于，具有：
框架，所述框架具有开口部；及
掩模箔，所述掩模箔包括对由所述框架包围的内部区域进行分割的多个线，
所述多个线包括第一线和一端部被接合于所述第一线的两端部以外的位置的第二线，
在所述第一线与所述第二线接合的接合区域中，在隔着所述第一线而与所述第二线相反的一侧配置有第三线，并与所述第一线接合。
10.根据权利要求6所述的掩模，其特征在于，
所述第一线的两端部与所述框架接合。
11.根据权利要求6所述的掩模，其特征在于，
所述掩模具有所述第一线与所述第二线呈T字状或Y字状地交叉的交叉部。
12.根据权利要求6～11中任一项所述的掩模，其特征在于，
向所述第一线赋予的张力比向所述第二线赋予的张力大。
13.根据权利要求12所述的掩模，其特征在于，
所述第二线接合于所述第一线的与所述框架相反侧的面。
14.一种掩模的制造方法，所述掩模用于在基板表面形成成膜图案，所述掩模的制造方法的特征在于，
在具有开口部的框架架设掩模箔，该掩模箔包括对由所述框架包围的内部区域进行分割的包含第一线和第二线的多个线，
所述掩模的制造方法包括：
一边向所述第一线赋予张力，一边将第一线的两端接合于所述框架而进行架设的步骤；及
一边向所述第二线赋予张力，一边将所述第二线的一端部接合于所述第一线的两端部以外的位置而进行架设的步骤，
使向所述第二线赋予的每单位截面积的张力比向所述第一线赋予的每单位截面积的张力小。
15.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括：
将掩模与基板对准的步骤；及
使蒸镀材料经由所述掩模向所述基板蒸镀的步骤，
所述掩模具有：具有开口部的框架；以及包括对由所述框架包围的内部区域进行分割的多个线的掩模箔，
所述多个线包括第一线和一端部被接合于所述第一线的两端部以外的位置的第二线，
向所述第二线赋予的每单位截面积的张力比向所述第一线赋予的每单位截面积的张力小。
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