JP2020183547A - マスク、マスクの製造方法および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
マスク、マスクの製造方法および電子デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
特許文献2は、基板とマスクを位置決めした後にマスクを架張する工程、および、磁力吸着した後に磁石を移動してマスクを架張する工程において、マスク箔のT字交差部の直上にマグネットを配置した状態でマスクを吸引して、交差部に生じた変形を解消する方法を提案している。
基板表面に成膜パターンを形成するためのマスクであって、
開口部を有するフレームと、
前記フレームによって囲まれた内部領域を分割する複数のラインを含むマスク箔を有しており、
前記複数のラインは、第一のラインと、前記第一のラインの両端部以外の位置に一端部が接合された第二のラインを含み、
前記第一のラインに付与される単位断面積あたりのテンションに対して、前記第二のラインに付与される単位断面積あたりのテンションが小さい
ことを特徴とするマスクである。
基板表面に成膜パターンを形成するためのマスクであって、
開口部を有するフレームと、
前記フレームによって囲まれた内部領域を分割する複数のラインを含むマスク箔を有しており、
前記複数のラインは、第一のラインと、前記第一のラインの両端部以外の位置に一端部が接合された第二のラインを含み、
前記第一のラインと前記第二のラインが接合する接合領域における前記第二のラインの幅は、非接合領域における前記第二のラインの幅よりも大きい
ことを特徴とするマスクである。
基板表面に成膜パターンを形成するためのマスクであって、
開口部を有するフレームと、
前記フレームによって囲まれた内部領域を分割する複数のラインを含むマスク箔を有しており、
前記複数のラインは、第一のラインと、前記第一のラインの両端部以外の位置に一端部が接合された第二のラインを含み、
前記第一のラインと前記第二のラインが接合する接合領域において、前記第一のラインを介して前記第二のラインと反対の側に、第三のラインが配置され、前記第一のラインと接合される
ことを特徴とするマスクである。
基板表面に成膜パターンを形成するためのマスクの製造方法であって、
開口部を有するフレームに、前記フレームによって囲まれた内部領域を分割するような、第一のラインと第二のラインを含む複数のラインを含むマスク箔を張架するものであり、
前記第一のラインにテンションを付与しながら、前記フレームに第一のラインの両端を接合して張架するステップと、
前記第二のラインにテンションを付与しながら、前記第一のラインの両端部以外の位置に前記第二のラインの一端部を接合して張架するステップと、
を有しており、
前記第一のラインに付与される単位断面積あたりのテンションに対して、前記第二のラインに付与される単位断面積あたりのテンションを小さくする
ことを特徴とするマスクの製造方法である。
電子デバイスの製造方法であって、
基板にマスクをアライメントするステップと、
前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を蒸着させるステップと、
を含み、
前記マスクは、開口部を有するフレームと、前記フレームによって囲まれた内部領域を分割する複数のラインを含むマスク箔を有しており、
前記複数のラインは、第一のラインと、前記第一のラインの両端部以外の位置に一端部が接合された第二のラインを含み、
前記第一のラインに付与される単位断面積あたりのテンションに対して、前記第二のラインに付与される単位断面積あたりのテンションが小さい
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法である。
図1は、有機ELパネルの製造ライン100の全体構成を示す概念図である。概略、製造ライン100は、蒸着処理工程搬送路100a、リターン搬送路100b、マスク受渡機構100c、キャリアシフタ100d、マスク受渡機構100e、および、キャリアシフタ100fを備える、循環型搬送路を構成する。循環型搬送路を構成する各構成要素、例えば基板搬入室101、反転室102、アライメント室103、加速室104、蒸着室105、減速室106、マスク分離室107、反転室108、ガラス基板排出室109などには、搬送路を構成するための搬送モジュール301が配置されている。詳しくは後述するが、本図には、製造プロセスの各エ程においてガラス基板G、マスクMおよび静電チャック308(符号C)がどのように搬送路上を搬送されるかが示される。
入位置P1へと搬送される。
(搬送キャリアの構成)
図3(A)は固定部としての搬送モジュール301、可動部としての搬送キャリア302からなる搬送ユニット300を図1の矢印Aで示す搬送方向から見た正面図である。図3(B)は図3(A)における枠Sで囲む要部の拡大図、図3(C)は搬送キャリア302の側面図、図4は搬送キャリアの分解斜視図である。搬送モジュール301は、製造ライン100の全域にわたって複数個配列されて搬送路を構成する。各搬送モジュール301の駆動用コイルに供給する電流を制御することにより、複数の搬送モジュール全体を1つの搬送路として制御し、搬送キャリア302を連続して移動させることができる。
次に、搬送キャリア302にガラス基板Gを保持する機構と、ガラス基板上にマスクMを保持する機構について説明する。本発明によれば、ガラス基板は静電チャックによって、マスクは磁気吸着手段としての磁気吸着チャック307によってそれぞれ搬送キャリアに重ねて保持されるように構成されている。
この制御ボックス312内の制御部を動作させてチャックフレーム309内の静電チャック308を帯電させることにより、ガラス基板Gを吸着して保持することができる。
また磁気吸着チャック307は、図3、図4に示すように、チャック本体307xと、チャック本体302xの背面(ガラス基板Gと反対側)からキャリア本体302側にZ軸方向に延びる2本のガイドロッド307aとを有している。このガイドロッド307aがキャリア本体302Aのフレームに設けられた筒状ガイド307bに摺動自在に挿入され、チャックフレーム309内を上下に移動可能となっている。
図4を参照して、磁気吸着チャック307や静電チャック308の形状を説明する。
チャックフレーム309は、キャリア本体302Aより一回り小さい矩形状の部材で、静電チャック308の外周縁を保持し、磁気吸着チャック307と上記格子状の格子状の支持フレームの4辺をガイドするガイド壁を構成している。
搬送キャリア302下面のチャックフレーム309の周囲複数箇所(実施例では10箇所)には、磁気吸着チャック307とは別に、マスクMを保持するマスク保持手段としてのマスクチャック311が設けられている。このマスクチャック311は、外部からの駆動力で駆動される構成で、搬送キャリア302には駆動源は搭載されていない。
マスクチャック311は、図示のように、搬送キャリア下面に4本の支柱311dによって取り付けられたベース311aに、マスクM周縁のマスクフレーム412を上下より挟持するチャック片311b,311cを備えている。上側のチャック片311bはマスクMの周縁のマスクフレーム412の上面に当接する位置に配され、下側のチャック片311cは、回転軸311fによって矢印311g方向に回転駆動可能となっている。すなわち、下側のチャック片311cは、上側のチャック片311bとともにマスクフレーム412を挟持する図示の挟持位置と、マスクフレーム412から離間し、マスクフレーム412の上下動を妨げない311hで示す退避位置に移動可能である。これらの移動は、外部に配置されるアクチュエータ311m(図3(A)参照)からチャンバ内部に延びる駆動側の連結端部311jに、連結部311iが連結されることによって回転軸311fを回転駆動することによって行われる。
し、弾性的に搬送キャリア302にチャックした状態となる。
すなわち、搬送キャリア302へのガラス基板Gの保持には静電チャック308が用いられ、マスクMの保持には磁気吸着チャック307が用いられ、両チャックともチャックフレーム309内に組み込まれている。磁気吸着チャック307によるマスクMの保持は、チャックフレーム309内における磁気吸着チャック307の昇降動作によって動作される。なお、図3では、上端ロック片を水平移動させているが、図5では、回転駆動させる構成としている。ロック、アンロックができればよく、水平移動でもよいし、回転移動でもよい。磁気吸着チャック307によるマスク保持が完了した後は、機械式のマスクチャック311により、マスクフレーム412がキャリア本体302Aに保持される。マスクチャック311には与圧用スプリング等の付勢部材311kが組み込まれており、弾性的に保持される。これら、静電チャック308、磁気吸着チャック307及びマスクチャック311の3種のチャックが搬送キャリア302にコンパクトに組み込まれている。
図6(A)〜図6(C)はアライメント室103内で行われるマスクチャック動作を行うマスク昇降装置、およびその動作を説明するための図である。
図9のフローチャートと、図10〜図12を参照して、アライメント室103におけるアライメント動作の詳細を説明する。図10(A)〜図12(D)はそれぞれ、図9のステップS1〜S5,S7〜S12に対応する。
れるガラス基板Gが磁気浮上した状態で、磁力により搬送キャリアの位置を調整することで行われる。この構成では搬送キャリアと搬送モジュールが非接触であるため、摩擦等の影響が抑制され、また高精度な位置決めが可能になる。また、アライメントに搬送キャリアを搬送するための駆動用コイルと駆動用マグネットにより発生する磁力を用いるため、アライメント用に別の駆動手段を設ける必要がない。その結果、装置の構成を簡易化するとともにコストを低減することが可能である。
すなわち、S7において、図11(B)のように、マスクMを上昇させてガラス基板Gに近接させる。マスクMの上昇時には、昇降装置202によってマスクトレイ205を上昇させることにより、マスク支持部206によって支持されているマスクMが上昇する。マスクM自体は、模式的に示すように撓んでおり、マスク支持部206に支持されたマスクフレームMFが上昇し、ガラス基板Gと所定の隙間まで近接する。このときのマスクMとガラス基板GのクリアランスをCLS71とすると、例えばCLS71=0.5mmである。また、搬送キャリア302が磁気浮上していることから、キャリアスタンド部302A1の下端とマスクトレイ205の間にはクリアランスCLS72が存在する。
すなわち、外部の駆動装置の駆動によって、回転軸311fが回転駆動され、チャック片311cがマスクフレームMFに係合してチャックされる。図示例では、上側のチャック片311bを省略している。この時点で、マスクフレームMFが固定される。この状態は静電チャック308、磁気吸着チャック307を解除しても維持される。
電チャック308及びガラス基板Gを挟んで、磁気吸着チャック307の吸着マグネットとマスクMが磁気吸着されて保持される。これによって、アライメントされた状態のマスクMがガラス基板Gの成膜面に全面的に密着して保持される。なお、磁気吸着チャック307の下方への移動は、搬送キャリア302の外部からの駆動力によって実現している。このときの磁気吸着チャックの下降量は、例えば30mmである。
実施例1について以下に説明する。まず本実施例の前提となる吸着手段およびマスクの構成やその問題点について述べたのち、かかる問題点に対する本実施例の効果について説明する。
図8(A)は、吸着マグネット307x4の配置を簡略化して概念的に示した断面図である。図8(B)は、図8(A)のマスク箔に対する単位面積あたり磁気吸引力(mN/mm2)を示すグラフである。
図13は、成膜用マスク401の構成の概略の一例を示した図である。本実施例における成膜用マスク401は、上述のマスクMに対応する構造物である。成膜用マスク401は、マスクフレーム402、マスク箔部403から構成される。成膜用マスク401は、一枚のガラス基板Gから複数枚のパネルを製造するときに、パネル同士の間の領域をマスキングする目的で用いられる。そのため、マスク箔部403は、複数のライン状の箔が組み合わさったような形状をしている。
また、大型のマスク箔から、開口部分を切り抜くことによっても、接合段差のないマスク箔を作成できる。
あるいは、第一のラインと第二のラインを突き合わせて溶接する方法もある。突合せ溶接法を用いる場合は、第一のラインから幅方向に突出した部分を設けておき、当該突出した部分の端部と、第二のラインの一端部と、を溶接しても良い。
げられる。ただし本発明はこれには限定されず、他の接合方法を用いてもよい。
続いて、このような複数のラインが組み合わさった形状のマスク箔に起きる変形について述べる。両端をマスクフレームに接合されている第一のライン、および一端部が第一のラインに接合されている第二のラインには、ともに、自重によるたわみが発生する。ラインの両端を接合するとラインにテンションが印加するため自重によるたわみが減少するものの、特に第一のラインについては、両端部以外の箇所で第二のラインのテンションを受けて、蛇行だけではなく箔の変形を発生する場合がある。
発明者が検討した一例においては、厚み50μmのストレートな第一のラインのみをマスクフレームの対向する辺の間に張ったときに、マグネットの吸引力を印加することにより、ガラス基板とマスクの隙間が数十μm以内になり、隙間を比較的小さくできることを確認した。一方、第二のラインを、第一のラインの途中の位置と、マスクフレームの辺のうち第一のラインが接続されていない辺と、の間で張架してテンションを印加したところ、ガラス基板とマスクの隙間が100μmを超えており、隙間が大きくなってしまうことを確認した。
図16は、図15で示した力学モデルから作成した計算式による、第一のラインのテンションT1と、第一のラインに圧縮応力が発生しないような第二のラインのテンションT2の上限値と、の関係を示すグラフである。本グラフの例では、第一のラインの厚み50[μm]と設定する。また、腕の長さL、すなわち、第一のラインの作用個所(交差部403x付近)からフレーム接合箇所の距離を、500[mm]と設定する。
発明者が、厚み50μmのT字交差するラインについて検討したところによれば、第二のラインのテンションT2をグラフの上限テンション以内として、マグネットの吸引力を印加することにより、ガラス基板とマスクの隙間が数十μm以内になることを確認した。
また、第二のライン403bに付与されるテンションをT2[N]、第一のラインの作用部位からフレームとの接合部までの距離である腕の長さをL[mm]とすると、第一のラインに付与される断面係数当たりのモーメントは、T2×L/(bh2/6)[N/mm2]と表される。なお、ここでは第二のラインのテンションが第一のラインに作用する箇所を「作用部位」と呼ぶ。図15の例では、第一のラインの左右の腕の長さが同じ(L)であり、第一のラインを左右に分けたときの中心線、または、当該中心線上の点、または中心線を含む中心領域が、作用部位となる。作用部位を領域として考えるときの外周は、必ずしも厳密に定める必要はないが、例えば第二のラインの長手方向の二辺を第一のライン上に延長した2本の線と、第一のラインの長手方向の二辺と、で囲まれる領域を、作用部位としても良い。
したがって、ライン変形による座屈を抑制するためには、第一のラインに付与される単位断面積あたりのテンション(T1/bn)と、第二のラインに付与されるテンションによって第一のラインの作用箇所からフレーム接合部までを腕の長さとして前記第一のラインに付与される断面係数あたりのモーメントとを比較したときに、後者が前者よりも小さくなるようにすると良い。
このように、第一のラインの両端部がフレームと接合されている場合に、当該第一のラインのテンションと、第一のラインに接合される第二のラインとのテンションに差をつけ
ることにより、マスクの変形を防止できる。
このように、第一のラインに付与されるテンションと第二のラインに付与されるテンションを設定することにより、ラインの接合部における座屈変形が防止される。その結果、成膜対象物とマスクの間の隙間を一層小さくすることができる。
続いて、実施例2について説明する。ガラス基板とマスクの隙間を減らすためには、第一のラインと第二のラインの接合領域の変形を緩和することが重要である。そこで本実施例では特に、二つのラインの接合領域の形状を工夫して変形を緩和する方法について説明する。既に上述したものと同様の構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。
図17(A)に、第二のラインの一端部の好ましい構成例を示す。図17の(A−1)は接合領域C周辺部の拡大上面図である。(A−2)は接合領域CをY軸正方向に向かって見た図である。第一のライン413を白抜きで、第二のライン414を色付きで、接合領域Cを右上がりハッチングで示す。
また別の言い換えをすると、第一のライン413と接合される第二のライン414の一端部の接合領域周辺の形状を見ると、第一のライン413の長手方向(図中、左右方向)
における第二のライン414の幅が、第二のライン414の本体部分における幅よりも大きくなる。
このような構成により、図16における上限テンション(第一のライン413が変形を開始するような、第二のライン414のテンションの上限)の値を上げる効果がある。したがって、変形が発生するケースが少なくなったり、変形形状がなだらかになったりする効果が得られる。
図17(B)に、図17(A)と同じ効果を得る別の接合領域の形状の例を示す。第二のライン414の幅(414a1)は一定であり、接合領域Cと被接合領域の間で変化せず、25.4mmである。
一方で本図では、第一のライン413の両面のうち、第二のライン414が接合する側の面とは逆側の面に、第一のライン413の長手方向に長い、第三の短冊ライン419を接合する。これにより、接合領域Cとは第一のライン413を介して逆側に、当て部材接合領域C2が形成される。本図では、接合領域Cを右上がりの破線ハッチングで、当て部材接合領域C2を左上がりの一点鎖線ハッチングで示す。
このような構成によっても、第二のライン414の上限テンションの値を上げて、変形を抑制する効果が得られる。なお、マスクのうちガラス基板Gと当接するのは第二のライン414の方であるため、当て箔(第三の短冊ライン)を追加しても、マスクと基板の当接状態は変化しない。
なお、第二のラインの幅が一様ではなく、例えば図17(A)、図18(A)(B)のような場合にも、当て部材を配置して構わない。
図18は、別の接合領域の形状を示す図である。
本図の例ではさらに、接合領域Cにおいて、第二のライン414の長手方向(図中、上下方向)における長さ(符号413a4)が、第一のライン413の幅(符号413a1)よりも小さい。
図18(B)は、図18(A)と同じ効果を得る別の接合領域の形状を示す。この例では、第二のライン414の接合領域Cでの箔の形状は図17(A)と同様である。すなわち、第二のライン414の端部の突出部の、第二のライン414の長手方向における長さは、第一のライン413の幅と同等の長さである(いずれも、符号413a1)。
しかし本図では、接合領域Cの、第二のライン414の長手方向における長さ(符号413a5)が、第一のライン413の幅(符号413a1)よりも小さい。
このような構成によっても、図18(A)と同様の効果が得られる。
マスク箔の動解析により、接合領域Cにおける第二のライン414形状の変化と、マスクと基板の間の隙間量の関係を確認した。
図19(A)は、動解析に用いた主要な設定である。すなわち、幅52mm、厚さ200μmの第一のライン413は、両端部ともマスクフレーム412に接続され、テンションT1を印加された状態で張架されている。また、幅10mm、厚さ50μmの第二のライン414は、一端部がマスクフレーム412に、他端部が第一のライン413に接続され、テンションT2を印加された状態で張架されている。図示例ではまた、別の複数の第二のライン415、416も示されている。これらは共に幅10mm、厚さ50μmであり、テンションT3が印加されている。
このような、例えば図17(A)、図18(A)(B)のようなマスクを用いることで、変形の低減が可能になる。
インを介して前記第二のラインと反対の側に、第三のラインが配置され、前記第一のラインと接合される、マスクである。
このような、例えば図17(B)のようなマスクを用いることでも、変形の低減が可能になる。
この比を25%〜75%の範囲内に収めることにより、好適な変形防止性能が得られる。ただし、本発明はこの数値範囲に限定されない。
Claims (15)
- 基板表面に成膜パターンを形成するためのマスクであって、
開口部を有するフレームと、
前記フレームによって囲まれた内部領域を分割する複数のラインを含むマスク箔を有しており、
前記複数のラインは、第一のラインと、前記第一のラインの両端部以外の位置に一端部が接合された第二のラインを含み、
前記第一のラインに付与される単位断面積あたりのテンションに対して、前記第二のラインに付与される単位断面積あたりのテンションが小さい
ことを特徴とするマスク。 - 前記第一のラインの両端部が前記フレームと接合されている
ことを特徴とする請求項1に記載のマスク。 - 前記第一のラインに前記第二のラインのテンションが作用する作用部位から、前記第一のラインが前記フレームに接合された部位までの長さを、モーメントの腕の長さとしたときに、前記第一のラインに付与される単位断面積あたりのテンションよりも、前記第二のラインに付与されるテンションに起因して前記第一のラインに付与される断面係数あたりのモーメントのほうが小さい
ことを特徴とする請求項2に記載のマスク。 - 前記第一のラインと前記第二のラインはT字状またはY字状に交差する交差部を有することを特徴とする請求項3に記載のマスク。
- 前記第二のラインは、前記第一のラインの前記フレームに対して反対側となる面に接合されている
ことを特徴とする請求項4に記載のマスク。 - 基板表面に成膜パターンを形成するためのマスクであって、
開口部を有するフレームと、
前記フレームによって囲まれた内部領域を分割する複数のラインを含むマスク箔を有しており、
前記複数のラインは、第一のラインと、前記第一のラインの両端部以外の位置に一端部が接合された第二のラインを含み、
前記第一のラインと前記第二のラインが接合する接合領域における前記第二のラインの幅は、非接合領域における前記第二のラインの幅よりも大きい
ことを特徴とするマスク。 - 前記第二のラインの長手方向における前記接合領域の長さは、前記第一のラインの幅よりも小さい
ことを特徴とする請求項6に記載のマスク。 - 前記第二のラインの長手方向における前記接合領域の長さの、前記第一のラインの幅に対する比は、25%〜75%の範囲内である
ことを特徴とする請求項7に記載のマスク。 - 基板表面に成膜パターンを形成するためのマスクであって、
開口部を有するフレームと、
前記フレームによって囲まれた内部領域を分割する複数のラインを含むマスク箔を有し
ており、
前記複数のラインは、第一のラインと、前記第一のラインの両端部以外の位置に一端部が接合された第二のラインを含み、
前記第一のラインと前記第二のラインが接合する接合領域において、前記第一のラインを介して前記第二のラインと反対の側に、第三のラインが配置され、前記第一のラインと接合される
ことを特徴とするマスク。 - 前記第一のラインの両端部が前記フレームと接合されている
ことを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載のマスク。 - 前記第一のラインと前記第二のラインはT字状またはY字状に交差する交差部を有することを特徴とする請求項6〜10のいずれか1項に記載のマスク。
- 前記第一のラインに付与されているテンションは、前記第二のラインに付与されているテンションよりも大きい
ことを特徴とする請求項6〜11のいずれか1項に記載のマスク。 - 前記第二のラインは、前記第一のラインの前記フレームとは反対側の面に接合されている
ことを特徴とする請求項12に記載のマスク。 - 基板表面に成膜パターンを形成するためのマスクの製造方法であって、
開口部を有するフレームに、前記フレームによって囲まれた内部領域を分割するような、第一のラインと第二のラインを含む複数のラインを含むマスク箔を張架するものであり、
前記第一のラインにテンションを付与しながら、前記フレームに第一のラインの両端を接合して張架するステップと、
前記第二のラインにテンションを付与しながら、前記第一のラインの両端部以外の位置に前記第二のラインの一端部を接合して張架するステップと、
を有しており、
前記第一のラインに付与される単位断面積あたりのテンションに対して、前記第二のラインに付与される単位断面積あたりのテンションを小さくする
ことを特徴とするマスクの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
基板にマスクをアライメントするステップと、
前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を蒸着させるステップと、
を含み、
前記マスクは、開口部を有するフレームと、前記フレームによって囲まれた内部領域を分割する複数のラインを含むマスク箔を有しており、
前記複数のラインは、第一のラインと、前記第一のラインの両端部以外の位置に一端部が接合された第二のラインを含み、
前記第一のラインに付与される単位断面積あたりのテンションに対して、前記第二のラインに付与される単位断面積あたりのテンションが小さい
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2013204100A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Panasonic Corp | 成膜方法 |
US20170117475A1 (en) * | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device, apparatus for depositing organic layer, and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
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KR20190013534A (ko) * | 2017-07-31 | 2019-02-11 | 맥셀 홀딩스 가부시키가이샤 | 증착 마스크 |
CN108004503B (zh) * | 2017-12-15 | 2021-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、蒸镀设备和装置 |
KR20200030712A (ko) * | 2018-09-12 | 2020-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 하이브리드형 마스크 스틱과, 이를 적용한 마스크 프레임 어셈블리 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013204100A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Panasonic Corp | 成膜方法 |
US20170117475A1 (en) * | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device, apparatus for depositing organic layer, and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
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