JP7360828B2 - 磁気吸着機構、蒸着装置、および電子デバイスの製造装置 - Google Patents
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Description
そこで、特許文献1には、基板の支持部材であるホルダ部材に複数設けた磁石の磁力によってマスクを基板に吸引させて成膜する方法が記載されている。
成膜対象物に対して所望の成膜パターンを形成するためのマスクを、磁力を用いて前記成膜対象物の表面に吸着させる磁気吸着機構であって、
前記成膜対象物に対して前記マスクとは反対側に配置される複数の磁石と、
複数の前記磁石が取り付けられ、前記磁石の磁力により前記マスクを前記成膜対象物に向かう方向に引き付ける吸着力を発生させる磁気回路を形成するバックヨークと、
を備え、
前記バックヨークは、前記磁石の着磁方向の端面との接触部において、前記端面の少なくとも一部との間に広さ可変の空間を形成することで、または前記端面の少なくとも一部を前記接触部の裏側に開放することで、前記吸着力を調整可能な磁気抵抗調整部を有し、
前記磁気抵抗調整部は、
前記バックヨークにおける前記接触部とその裏側との間を貫通する貫通孔と、
前記裏側から前記貫通孔に挿入可能な強磁性体からなる充填部材と、
を有し、
前記充填部材の前記貫通孔に対する挿入量が調整されることで、または前記充填部材が前記貫通孔に挿入されるか否かで、前記吸着力を調整し、
前記貫通孔は、ねじ孔であり、
前記充填部材は、前記ねじ孔に螺合可能なボルトであることを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明の磁気式吸着機構は、
成膜対象物に対して所望の成膜パターンを形成するためのマスクを、磁力を用いて前記成膜対象物の表面に吸着させる磁気吸着機構であって、
前記成膜対象物に対して前記マスクとは反対側に配置される複数の磁石と、
複数の前記磁石が取り付けられ、前記磁石の磁力により前記マスクを前記成膜対象物に向かう方向に引き付ける吸着力を発生させる磁気回路を形成するバックヨークと、
を備え、
前記バックヨークは、複数の前記磁石の着磁方向の端面が接触する複数の接触部のなかに、前記端面の少なくとも一部との間に前記吸着力を調整するための空間を形成する凹部が設けられた接触部が含まれ、
前記凹部が設けられた前記複数の接触部のなかには、前記凹部の深さが異なるものが含まれることを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明の蒸着装置は、
成膜対象物に対して所望の成膜パターンを形成するためのマスクと、
本発明の磁気吸着機構と、
前記磁気吸着機構により前記マスクが吸着された前記成膜対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着室と、
を備えることを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明の電子デバイスの製造装置は、
本発明の蒸着装置を用いて前記成膜対象物に成膜することにより、電子デバイスを製造することを特徴とする。
成膜対象物たる基板の材料は、磁力を透過する材料であればよく、ガラス以外にも、高分子材料のフィルム、強磁性体以外の金属などの材料を選択することができる。基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板であってもよい。蒸着材料としても、有機材料以外に、金属性材料(金属、金属酸化物など)などを選択してもよい。
本発明はまた、蒸着装置の制御方法や蒸着方法、薄膜を形成する成膜装置およびその制御方法、ならびに成膜方法としても捉えられる。本発明はまた、有機ELディスプレイなどの有機ELパネルを用いた電子デバイスの製造装置や電子デバイスの製造方法としても捉えられる。本発明はまた、制御方法をコンピュータに実行させるプログラムや、当該プログラムを格納した記憶媒体としても捉えられる。記憶媒体は、コンピュータにより読み取り可能な非一時的な記憶媒体であってもよい。
本発明における電子デバイスとしては、発光素子を備えた表示装置(例えば有機EL表示装置)や照明装置(例えば有機EL照明装置)、光電変換素子を備えたセンサ(例えば有機CMOSイメージセンサ)なども含まれる。
(製造ライン全体構成)
図1は、有機ELパネルの製造ライン100の全体構成を示す概念図である。概略、製造ライン100は、蒸着処理工程搬送路100a、リターン搬送路100b、マスク受渡機構100c、キャリアシフタ100d、マスク受渡機構100e、プリアライメント室100g、および、キャリアシフタ100fを備える、循環型搬送路を構成する。循環型搬送路を構成する各構成要素、例えば基板搬入室101、反転室102、アライメント室103、加速室104、蒸着室105、減速室106、マスク分離室107、反転室108、ガラス基板排出室109などには、搬送路を構成するための搬送モジュール301が配置されている。詳しくは後述するが、本図には、製造プロセスの各工程においてガラス基板G、マスクMおよび静電チャック308(符号C)がどのように搬送路上を搬送されるかが示される。
図3(A)は固定部としての搬送モジュール301、可動部としての搬送キャリア302からなる基板搬送ユニット300を図1の矢印Aで示す搬送方向から見た正面図である。図3(B)は図3(A)における枠Sで囲む要部の拡大図、図3(C)は搬送キャリア302を側面図、図4は搬送キャリアの分解斜視図である。搬送モジュール301は、製造ライン100の全域にわたって複数個配列されて搬送路を構成する。各搬送モジュール301の駆動用コイルに供給する電流を制御することにより、複数の搬送モジュール全体を1つの搬送路として制御し、搬送キャリア302を連続して移動させることができる。
次に、搬送キャリア302にガラス基板Gを保持する機構と、ガラス基板上にマスクMを保持する機構について説明する。本実施例によれば、ガラス基板Gは静電吸着手段である静電チャック308によって、マスクMは磁気吸着手段としての磁気吸着チャック307によって、それぞれ搬送キャリア302に重ねて保持されるように構成されている。
面には、磁気吸着チャック307と静電チャック308を重ねて収納したチャックフレーム309が取り付けられている。磁気吸着チャック307はマスクMを磁気的に吸着し、静電チャック308はガラス基板Gを静電力によって吸着する。キャリア本体302Aの矩形フレーム上面には、静電チャック308に電荷を帯電させる制御部が内蔵された静電チャック制御ユニット(制御ボックス312)が配されている。
この制御ボックス312を動作させてチャックフレーム309内の静電チャック308を帯電させることにより、ガラス基板Gを吸着して保持することができる。
Gに当接した状態で、磁気吸着チャック307をマスクM側へと移動させる。これにより、マスクMがガラス基板Gおよび静電チャック308を挟んで磁気吸着チャック307に磁気的に吸着される。これによって、ガラス基板GとマスクMが相互に位置合わせされた状態で、チャックフレーム309にチャックされ、結果として搬送キャリア302に保持されることとなる。
次に実際にガラス基板GにマスクMを固定し、蒸着室において有機EL発光材料を真空蒸着して排出するプロセスについて説明する。
常に有効である。
P1:搬送キャリア上にガラス基板Gを保持するガラス基板搬入位置
P2:搬送キャリア上のガラス基板GにマスクMを装着するマスク装着位置
P3:蒸着処理後のガラス基板GからマスクMを分離するマスク分離位置
P4:蒸着処理後のガラス基板Gを搬送キャリア302から分離して排出する基板排出位置
P5:ガラス基板Gを排出した空の搬送キャリア302をリターン搬送路へと受け渡すキャリア受渡位置
P6:蒸着処理後に分離したマスクMをリターン搬送路上の搬送キャリア302に装着するマスク受渡位置
P7:リターン搬送路上を搬送中の搬送キャリア302からマスクMを分離して、マスク装着位置P2へと搬送するマスク復帰位置
P8:マスクMを分離した搬送キャリア302をリターン搬送路から蒸着処理用搬送路上のガラス基板搬入位置P1へとシフトさせるキャリア復帰位置(リターン搬送路終点)
ガラス基板搬入位置P1において、外部のストッカより、蒸着処理工程搬送路100a上の基板搬入室101にガラス基板Gが搬入され、搬送キャリア302上の所定の保持位置において、静電チャック308によって保持される。ガラス基板搬入位置P1においては、搬送キャリア302とこれを支持する搬送モジュール301は、搬送モジュール301が下側となるように配置されている。このとき、搬送キャリア302のガラス基板保持面(チャック面)が上を向いた姿勢である。ガラス基板Gは、ガラス基板搬入位置P1に上方より搬入され、当該チャック面に載置される。
反転室102において、回転支持機構が、ガラス基板を保持した搬送キャリア302を支持した搬送モジュール301を、進行方向に対して180度回転させる。これにより搬送キャリア302および搬送モジュール301の上下関係が反転し、ガラス基板Gが下面側となる。回転支持機構は、搬送モジュール301を搬送キャリア302ごと進行方向に
180度単位で回転できる。回転動作中に搬送キャリア302と搬送モジュール301の位置ずれを起こさないように、重心位置に回転軸が位置するように構成することが好ましい。図中では、搬送キャリア302と搬送モジュール301の進行方向での反転を、矢印Rで示す。なお、搬送モジュール301と搬送キャリア302を機械的にロックするロック機構を使用することも好ましい。
アライメント動作は、アライメントカメラによって、ガラス基板GとマスクMに予め形成されているアライメントマークを撮像して両者の位置ずれ量及び方向を検知し、磁気浮上している搬送キャリア302の位置を搬送駆動系によって微動しながら位置合わせ(アライメント)を行い、ガラス基板GとマスクMの位置が正確に位置合わせされた状態で、磁気吸着チャック307によってマスクMが吸着され、搬送キャリア302に保持される。
図8のフローチャートと、図9~図11を参照して、アライメント室103におけるアライメント動作の詳細を説明する。図9(A)~図11(D)はそれぞれ、図8のステップS1~S5,S7~S12に対応する。なお、説明を簡潔にするため、図9~図11にはローラベアリング304a,304bとガイド溝303a,303bを図示しない。
ール301のエンコーダの値から位置を検出し、所定のアライメント位置で搬送キャリア302を停止させる。このときのマスクMとガラス基板Gのクリアランス(隙間)を、CLS2とする。例えばCLS2=68mmである。
すなわち、S7において、図10(B)のように、マスクMを上昇させてガラス基板Gに近接させる。マスクMの上昇時には、昇降装置202によってマスクトレイ205を上昇させることにより、マスク支持部206によって支持されているマスクMが上昇する。マスクM自体は、図に模式的に示すように撓んでおり、マスク支持部206に支持されたマスクフレームMFが上昇し、ガラス基板Gと所定の隙間まで近接する。このときのマスクMとガラス基板GのクリアランスをCLS71とすると、例えばCLS71=0.5mmである。また、搬送キャリア302が磁気浮上していることから、キャリアスタンド部31の下端とマスクトレイ205の間にはクリアランスCLS72が存在する。
すなわち、外部の駆動装置の駆動によって、回転軸311fが回転駆動され、チャック片311cがマスクフレームMFに係合してチャックされる。図示例では、上側のチャック片311bを省略している。この時点で、マスクフレームMFが固定される。この状態は静電チャック308、磁気吸着チャック307を解除しても維持される。
図1に戻り、説明を続ける。アライメント動作を完了し、アライメント室103より排出された搬送キャリアは、上述したように加速室104で加速され、蒸着室105へと搬
入される。搬送キャリアを蒸着室105に搬入する前に加速することにより、アライメント室103における高精度アライメント処理に要した時間の遅れを補償し、タクトタイムの低下を抑えることができる。
蒸着処理を終え蒸着室105より排出された搬送キャリアは、減速室106で減速され、マスク分離位置P3にあるマスク分離室107へと搬送されて所定位置で停止する。ここでマスクチャック311によるマスクMのロック状態が解除され、マスクMがガラス基板より分離される。
から、基板を排出して空になった搬送キャリア302を受け取り、リターン搬送路100bの始点(キャリア受渡位置P5)に配置された方向変換機構(方向変換用の搬送モジュール)110へと引き渡す。方向変換機構110は搬送キャリア302を、平面視で反時計回りに90度回転し、リターン搬送路100bを構成する搬送モジュール301ヘと搬送する。搬送完了後、方向変換機構110は時計まわりに90度回転して元の位置に復帰し、キャリアシフタ100dより次の搬送キャリア302を受け取り可能な状態になる。
搬送キャリア302は、リターン搬送路100b上をローラ搬送モードで移動する。反転室111において、回転支持機構が、搬送キャリア302を搬送モジュール301ごと進行方向に180度回転する。これにより搬送キャリア302は、静電チャック308のマスク装着面が下面側となった状態でマスク受取位置P6に搬入される。続いて搬送キャリア302は、マスク受渡機構100cからマスクMを受け取って磁気吸着チャック307で吸着し、マスクチャック311で保持する。続いて搬送キャリア302は、マスクMをマスクチャック311で保持しながら、引き続きローラ搬送モードで矢印C方向へと移動する。
図5~図7、図12を参照して、本実施例に係る磁気吸着機構について説明する。図5は、磁気吸着チャック307に取り付けられた本実施例に係る磁気吸着機構の構成を示した分解斜視図である。図6は、磁気抵抗調整部402の構成を示した概略図である。図7は、磁気抵抗調整部402による磁気回路の変化を示す模式図である。図12は、磁気吸着チャック307の下面図(マスクM側から見た模式図)であり、ヨーク板307x3における各吸着マグネット401の配置構成及び磁気抵抗調整部402の配置構成の一例を示す模式図である。
図5、図6、図7を参照して、磁気吸着チャック307について詳細に説明する。
図5に示すように、磁気吸着チャック307のチャック本体307xは、矩形状の枠体
307x1と、マスクMに形成された遮蔽パターンに対応するパターンの格子状の支持フレーム307x2と、支持フレーム307x2に取り付けられる磁気吸着機構と、を備える。磁気吸着機構は、磁気抵抗調整部402を有するバックヨークとしてのヨーク板307x3と、ヨーク板307x3に取り付けられる永久磁石である吸着マグネット401と、を備えた構成となっている。吸着マグネット401は、ヨーク板307x3の下面である主面400に取り付けられる。ヨーク板307x3は、支持フレーム307x2の下面に取り付けられている。
一つ目は、ボルト402x2がねじ孔402x1の奥まで挿入され、吸着マグネット401とヨーク板307x3との間に空間gが形成されていない態様である(第1の磁気抵抗調整部402A)。
二つ目は、ボルト402x2がねじ孔402x2に挿入されず、吸着マグネット401の裏側に着磁面の一部を開放する空間が形成された態様である(第2の磁気抵抗調整部402B)。
三つ目は、ボルト402x2がねじ孔402x1の奥まで挿入されずに、吸着マグネット401とねじ孔402x1とボルト402x2との間に空間gが形成された態様である(第3の磁気抵抗調整部402C1、402C2)。
第1の磁気抵抗調整部402Aは、バックヨーク構成において上記凹部が設けられない接触部(第1の接触部)をなしている。
第2の磁気抵抗調整部402Bは、バックヨーク構成において上記凹部の代わりに吸着マグネット401の端面の一部を接触部の裏側に開放するように貫通する貫通孔が形成された接触部(第2の接触部)をなしている。
さらに、ナット402x3は、ねじ孔402x1に対するボルト402x2の挿入量に応じて高さの異なるものを使い分けてもよいし、ボルト402x2の挿入量によっては、使用しないでもよい。
また、長さの違うボルトを使い分けることで、隙間gの広さを調整するようにしてもよい。
図7(A)において、上下方向に磁化された吸着マグネット401がヨーク410に取り付けられている。ヨーク410には吸着マグネット401に対応した位置にねじ孔402x1が形成されている。ねじ孔402x1には強磁性体からなるボルト402x2が挿入量可変で挿入される。吸着マグネット401におけるヨーク410との取り付け面(一方の磁極に着磁された端面)とは反対側の面(他方の磁極に着磁された端面)と、ヨーク410と、の間には、空間411が形成されている。吸着マグネット401で発生した磁力により、ヨーク410において吸着マグネット401と空間411を挟んで反対側に位置する領域に吸着マグネット401側に向かうように作用する吸着力を発生させる磁気回路が形成される。
φ=F/R …(1)
ここで、起磁力Fは、吸着マグネット401の寸法精度やヨーク板307x3に対する取付精度等に起因する所定の値のもの、すなわち、個々の吸着マグネット401においてそれぞれ固有の値(個体差のある値)となるものである。
一方、吸着マグネット401とねじ孔402x1が接している面を通る磁気回路は、ねじ孔402x1内の空間gと強磁性体からなるボルト402x2内を経由し、ヨーク410と空間411を通る回路(図7(A)において破線矢印で示す回路)を形成する。図7(B)の等価回路で表すと、ねじ孔402x1とボルト402x2からなる部分の磁気抵抗はVRであり、ヨーク410内を通る磁気抵抗はR2であり、空間411の磁気抵抗はRAirである。従って、磁気抵抗調整部402周辺における合計磁気抵抗R0は、次式(2)となる。
1/R0=1/R1+1/(VR+R2) …(2)
ネット401のマスクMに対する吸着力の均一化を図ることができる。また、マスクMにおける吸着位置に応じて各吸着マグネット401の吸着力を個々に調整することで、マスクMを基板Gに対して隙間なく吸着させるためのバランスの取れた吸着力分布を形成することができる。すなわち、本実施例によれば、ボルト402x2の抜き差し、挿入量の調整による簡易かつ省スペースな構成により、マスクMを吸着する吸着力分布を高精度かつ簡便に調整することができる。また、各ボルト402x2の材質を透磁率の異なる材質へ変更することでも、マスクMをガラス基板G表面に吸着させる吸着力分布を高精度かつ簡便に調整することができる。
図12に示すように、ヨーク板307x3における梁307x3-1の中央部は、マス
クMのたわみ量が大きいため、対応する位置に配置された吸着マグネット401x2に磁気抵抗調整部402を設置するとよい(磁気抵抗調整部402-1)。また、ヨーク板307x3において梁と梁とが交差する交差部307x3-2は、磁力が乱れやすい箇所と
なるため、ここに配置された吸着マグネット401x1に磁気抵抗調整部402を設置するとよい(磁気抵抗調整部402-2)。
なお、ヨーク板307x3の外周部は、マスクのたわみ量が少ない(マスクの動ける量が相対的に少ない)箇所となるため、磁気抵抗調整部402を設置する必要性は低い。
図13、図14を参照して、本発明の実施例2について説明する。図13は、磁気吸着チャック307に取り付けられた磁気吸着機構307の構成を示した概略図である。図14は、磁気抵抗調整部502による磁気回路の変化を示す概略図である。
なお、実施例2において実施例1と共通する構成については同じ符号を付して再度の説明を省略する。実施例2においてここで特に説明しない事項は、実施例1と同様である。
実施例2における磁気抵抗調整部502は、ヨーク板307x3に設けた貫通孔502x1、強磁性体からなる充填部材502x2によって、貫通孔502x1内の空間gの磁気抵抗を変化させることにより、マスクMを吸着する吸着力分布を調整する構成となっている。貫通孔502x1と充填部材502x2は、実施例1の貫通孔402x1と充填部材402x2のようなねじ螺合により挿抜する構成ではなく、シンプルに挿抜できる構成となっている。嵌合形状も特に限定されるものではなく、充填部材502x2は、三角柱や四角柱、円柱など、任意の形状に構成してよい。
なお、充填部材502x2に用いられる強磁性体としては、例えば、永久磁石といった磁気を発生する材料や鉄などの磁力で吸着可能な材料が挙げられる。また、吸着マグネット1個に対する貫通孔502x1の数は1個に限定されず、2個あるいはそれ以上とすることもできる。また、吸着マグネット1個に対する充填部材502x2は、適宜挿入される。
子を示す図である。図14(B)は、図14(A)の等価回路を示す図である。
図14(A)において、上下方向に磁化された吸着マグネット401がヨーク410に取り付けられている。ヨーク410には吸着マグネット401に対応した位置に貫通孔502x1が形成されている。貫通孔502x1には貫通孔に嵌合する形状の強磁性体からなる充填部材502x2が挿入量可変で挿入される。吸着マグネット401の取り付け面と反対側の面とヨーク410の間には空間411が形成されている。吸着マグネット401で発生した磁力により、空間411を挟んで反対側のヨーク410を吸着する吸着力が発生する。
一方、吸着マグネット401と貫通孔502x1が接している面を通る磁気回路は、貫通孔502x1内の強磁性体からなる充填部材502x2を経由し、ヨーク410と空間411を通る回路(図14(A)において破線矢印で示す回路)を形成する。図14(B)の等価回路で表すと、貫通孔502x1と充填部材502x2からなる部分の磁気抵抗はVRであり、ヨーク410内を通る磁気抵抗はR2であり、空間411の磁気抵抗はRAirである。従って、磁気抵抗調整部周辺における合計磁気抵抗R0は、上記式(2)と同じ次式となる。
1/R0=1/R1+1/(VR+R2)
図15、図16を参照して、本発明の実施例3について説明する。図15は、磁気吸着チャック307に取り付けられた磁気吸着機構の詳細構成を示した図である。図16は、磁気抵抗調整部602による磁気回路の変化を示す概略図である。
なお、実施例3において実施例1と共通する構成については同じ符号を付して再度の説明を省略する。実施例3においてここで特に説明しない事項は、実施例1と同様である。
実施例3における磁気抵抗調整部602は、ヨーク板307x3に設けた貫通孔602x1、溝部602x4、強磁性体からなる充填プレート602x2によって、溝部602x4内の空間の磁気抵抗を変化させることにより、マスクMを吸着する吸着力分布を調整する構成となっている。
なお、充填プレート602x2に用いられる強磁性体としては、例えば、永久磁石といった磁気を発生する材料や鉄などの磁力で吸着可能な材料が挙げられる。また、吸着マグネット1個に対する貫通孔602x1、および溝部602x4の数は1個に限定されず、2個あるいはそれ以上とすることもできる。また、溝部602x4は複数の貫通孔602x1にまたがって掘削しても良い。また、吸着マグネット1個に対する充填プレート602x2は、適宜装着される。
図16(A)において、上下方向に磁化された吸着マグネット401がヨーク410に取り付けられている。ヨーク410には吸着マグネット401に対応した位置に貫通孔602x1が形成され、貫通孔602x1周辺には貫通孔602x1周辺を掘削した溝部602x4が形成されている。溝部602x4には溝部602x4に装着可能な形状の強磁性体からなる充填プレート602x2が装着される。吸着マグネット401の取り付け面と反対側の面とヨーク410の間には空間411が形成されている。吸着マグネット401で発生した磁力により、空間411を挟んで反対側のヨーク410を吸着する吸着力が発生する。
一方、吸着マグネット401と貫通孔602x1が接している面を通る磁気回路は、貫通孔602x1内の空間gと強磁性体からなる充填プレート602x2内を経由し、ヨーク410と空間411を通る回路(図16(A)において破線矢印で示す回路)を形成する。図16(B)の等価回路で表すと、貫通孔602x1と充填プレート602x2からなる部分の磁気抵抗はVRであり、ヨーク410内を通る磁気抵抗はR2であり、空間411の磁気抵抗はRAirである。従って、磁気抵抗調整部周辺における合計磁気抵抗R0は、上記式(2)と同じ次式となる。
1/R0=1/R1+1/(VR+R2)
つ簡便に調整できる。また、各充填プレート602x2の材質を透磁率の異なる材質へ変更することでも、マスクMを吸着する吸着力分布を高精度かつ簡便に調整できる。
Claims (8)
- 成膜対象物に対して所望の成膜パターンを形成するためのマスクを、磁力を用いて前記成膜対象物の表面に吸着させる磁気吸着機構であって、
前記成膜対象物に対して前記マスクとは反対側に配置される複数の磁石と、
複数の前記磁石が取り付けられ、前記磁石の磁力により前記マスクを前記成膜対象物に向かう方向に引き付ける吸着力を発生させる磁気回路を形成するバックヨークと、
を備え、
前記バックヨークは、前記磁石の着磁方向の端面との接触部において、前記端面の少なくとも一部との間に広さ可変の空間を形成することで、または前記端面の少なくとも一部を前記接触部の裏側に開放することで、前記吸着力を調整可能な磁気抵抗調整部を有し、
前記磁気抵抗調整部は、
前記バックヨークにおける前記接触部とその裏側との間を貫通する貫通孔と、
前記裏側から前記貫通孔に挿入可能な強磁性体からなる充填部材と、
を有し、
前記充填部材の前記貫通孔に対する挿入量が調整されることで、または前記充填部材が前記貫通孔に挿入されるか否かで、前記吸着力を調整し、
前記貫通孔は、ねじ孔であり、
前記充填部材は、前記ねじ孔に螺合可能なボルトであることを特徴とする磁気吸着機構。 - 前記ねじ孔に対する前記ボルトの挿入量を規制するためのナットをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の磁気吸着機構。
- 成膜対象物に対して所望の成膜パターンを形成するためのマスクを、磁力を用いて前記成膜対象物の表面に吸着させる磁気吸着機構であって、
前記成膜対象物に対して前記マスクとは反対側に配置される複数の磁石と、
複数の前記磁石が取り付けられ、前記磁石の磁力により前記マスクを前記成膜対象物に向かう方向に引き付ける吸着力を発生させる磁気回路を形成するバックヨークと、
を備え、
前記バックヨークは、前記磁石の着磁方向の端面との接触部において、前記端面の少な
くとも一部との間に広さ可変の空間を形成することで、または前記端面の少なくとも一部を前記接触部の裏側に開放することで、前記吸着力を調整可能な磁気抵抗調整部を有し、
前記磁気抵抗調整部は、
前記バックヨークにおける前記接触部とその裏側との間を貫通する貫通孔と、
前記バックヨークの前記裏側に形成される溝部であって、その底部において前記貫通孔が開口する溝部と、
前記貫通孔の前記開口を塞ぐように前記溝部に嵌合可能な強磁性体からなる充填部材と、
を有し、
前記充填部材が前記溝部に嵌合されるか否かで、前記吸着力を調整することを特徴とする磁気吸着機構。 - 成膜対象物に対して所望の成膜パターンを形成するためのマスクを、磁力を用いて前記成膜対象物の表面に吸着させる磁気吸着機構であって、
前記成膜対象物に対して前記マスクとは反対側に配置される複数の磁石と、
複数の前記磁石が取り付けられ、前記磁石の磁力により前記マスクを前記成膜対象物に向かう方向に引き付ける吸着力を発生させる磁気回路を形成するバックヨークと、
を備え、
前記バックヨークは、複数の前記磁石の着磁方向の端面が接触する複数の接触部のなかに、前記端面の少なくとも一部との間に前記吸着力を調整するための空間を形成する凹部が設けられた接触部が含まれ、
前記凹部が設けられた前記複数の接触部のなかには、前記凹部の深さが異なるものが含まれることを特徴とする磁気吸着機構。 - 前記複数の接触部のなかには、前記凹部が設けられない第1の接触部が含まれることを特徴とする請求項4に記載の磁気吸着機構。
- 前記複数の接触部のなかには、前記端面の少なくとも一部を前記接触部の裏側に開放するように前記バックヨークを貫通する貫通孔が設けられた第2の接触部がさらに含まれることを特徴とする請求項4または5に記載の磁気吸着機構。
- 成膜対象物に対して所望の成膜パターンを形成するためのマスクと、
請求項1~6のいずれか1項に記載の磁気吸着機構と、
前記磁気吸着機構により前記マスクが吸着された前記成膜対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着室と、
を備えることを特徴とする蒸着装置。 - 請求項7に記載の蒸着装置を用いて前記成膜対象物に成膜することにより、電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造装置。
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