CN108966661B - 用于基板的真空处理的设备、用于具有有机材料的装置的制造的系统、和用以密封连接两个压力区域的开口的方法 - Google Patents

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Abstract

本公开内容提供一种用于基板(10)的真空处理的设备(100)。此设备(100)包括第一压力区域(110)、第二压力区域(120)、位于第一压力区域(110)与第二压力区域(120)之间的开口(130)、和用以关闭开口(130)的关闭配置(140)。关闭配置包括一或多个第一永久磁铁、一或多个第二永久磁铁、和磁铁装置，磁铁装置装配以改变一或多个第一永久磁铁的磁化。

Description

用于基板的真空处理的设备、用于具有有机材料的装置的制 造的系统、和用以密封连接两个压力区域的开口的方法
技术领域
本公开内容的实施方式涉及一种用于基板的真空处理的设备，一种用于具有有机材料的装置的制造的系统，和一种用于密封连接两个压力区域的开口的方法。本公开内容的实施方式特别涉及使用于有机发光二极管(organic light-emitting diodes，OLED)装置的制造的设备、系统和方法。
背景技术
用于层沉积于基板上的技术包括举例为热蒸发、物理气相沉积(physical vapordeposition，PVD)、和化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)。已涂布的基板可使用于数种应用中和数种技术领域中。举理来说，已涂布的基板可使用于有机发光二极管(organic light-emitting diodes，OLED)装置的领域中。OLEDs可使用于制造电视屏幕、计算机屏幕、移动电话、其他手持装置、及类似者来显示信息。OLED装置例如是OLED显示器，可包括一或多种有机材料层，位于全沉积于基板上的两个电极之间。
OLED装置可包括数种有机材料的堆叠，有机材料的堆叠举例为在处理设备的真空腔室中蒸发。有机材料使用蒸发源以接续方式通过遮蔽掩模来沉积于基板上。基板、遮蔽掩模和蒸发源设置于真空腔室中并且可于不同压力区域之间传送。至少一些压力区域应为彼此可密封的，且压力区域例如是真空区域，使得一个区域中的气压条件不影响另一区域中的例如是真空条件。
因此，对于可提供真空系统的压力区域的适当分离的设备、系统和方法是有需求的。本公开内容特别是着重于提供可改善真空沉积系统中的真空条件的设备、系统和方法。
发明内容
有鉴于上述，提出一种用于基板的真空处理的设备、一种用于具有有机材料的装置的制造的系统、和一种用以密封连接两个压力区域的开口的方法。本公开内容的其他方面、优点、和特征通过权利要求书、书面描述、及所附的附图更加清楚。
根据本公开内容的一方面，提出一种用于基板的真空处理的设备。此设备包括第一压力区域、第二压力区域、位于第一压力区域与第二压力区域之间的开口、和用以关闭开口的关闭配置。关闭配置包括一或多个第一永久磁铁、一或多个第二永久磁铁、和磁铁装置，磁铁装置装配以改变此一或多个第一永久磁铁的磁化。
根据本公开内容的另一方面，提出一种用于具有有机材料的装置的制造的系统。系统包括根据此处所述实施方式的用于基板的真空处理的设备；和传送配置，装配以用于非接触式传送基板载体和掩模载体的至少一者通过开口。
根据本公开内容的其他方面，提出一种用以密封连接两个压力区域的开口的方法。此方法包括改变一或多个第一永久磁铁的磁化成第一磁化，用以提供磁力来关闭开口。
实施方式也涉及用以执行所公开的方法的设备，且包括用以执行各所述的方法方面的设备部件。这些方法方面可通过硬件部件、由合适软件编程的计算机、两者的任何结合或任何其他方式执行。再者，根据本公开内容的实施方式也涉及用以操作所述的设备的方法。用以操作所述的设备的方法包括方法方面，用以执行设备的各功能。
附图说明
为了使本公开内容的上述特征可详细地了解，简要摘录于上的本公开内容的更特有的说明可参照实施方式。所附的附图涉及本公开内容的实施方式且说明于下方：
图1A绘示根据此处所述实施方式的用于基板的真空处理的设备的示意上视图；
图1B绘示根据此处所述其他实施方式的用于基板的真空处理的设备的示意上视图；
图2A绘示根据此处所述实施方式的设备的关闭和开放开口的示意上视图；
图2B绘示根据此处所述实施方式的设备的开放开口和密封装置的示意前视图；
图3绘示根据此处所述实施方式的利用密封装置关闭设备的开口的顺序的示意图；
图4A和4B分别绘示根据此处所述实施方式的分别于释放状态和夹持状态中的关闭配置的示意图；
图5绘示根据此处所述实施方式的用于制造具有有机材料的装置的系统的示意图；
图6A及B绘示根据此处所述实施方式的用以于真空系统中传送载体的范例性传送配置的示意图；和
图7绘示根据此处所述实施方式的用以密封连接两个压力区域的开口的方法的流程图。
具体实施方式
详细的参照将以本公开内容的数种实施方式来完成，本公开内容的数种实施方式的一或多个例子绘示于附图中。在下方附图的说明中，相同附图标记意指相同部件。一般来说，仅有有关于个别实施方式的相异处进行说明。各例子通过说明本公开内容的方式提供且不意味为本公开内容的限制。再者，所说明或叙述而作为一个实施方式的部分的特征可用于其他实施方式或与其他实施方式结合，以取得再其他实施方式。此意指本说明包括此些调整和变化。
真空系统可包括用于提供数种工作的数种压力区域，此些工作例如是材料沉积于基板上、基板处理、掩模处理、装载、及类似者。作为一例子来说，掩模可于基板处理区域及路线规划区域之间传送，路线规划区域用以传送掩模至正确的处理区域。至少一些压力区域应为彼此可密封的，使得在一个区域中的气压条件不影响另一区域中的举例为真空条件。特别是，通过改善处理区域中的真空条件，改善沉积于基板上的层的质量可实现，改善沉积于基板上的层的质量例如是改善沉积于基板上的层的纯度。
本公开内容提供连接两个相邻的压力区域的开口，其中开口通过改变一或多个第一永久磁铁的磁化来为可关闭的。作为一例子来说，密封装置可覆盖开口，其中密封装置可磁性地支承于开口，以密封开口。磁性密封可减少真空系统中的一些机械式的可移动部件。由于此种机械式的可移动部件产生的粒子可减少，且举例为沉积于基板上的材料层的质量可改善。再者，开口的可靠关闭也可在电力失效的情况中提供，因为开口由永久磁铁产生的磁力来进行密封。维持密封状态可不需要额外电力。
图1A绘示根据此处所述实施方式的用于基板的真空处理的设备100的示意上视图。图1B绘示根据此处所述其他实施方式的用于基板的真空处理的设备100’的示意上视图。设备可装配以用于沉积有机材料层于基板上，举例为以制造OLED装置。
设备100包括第一压力区域110、第二压力区域120、开口130和关闭配置140，所述开口130位于第一压力区域110与第二压力区域120之间，所述关闭配置140用以关闭开口130。关闭配置140包括一或多个第一永久磁铁、一或多个第二永久磁铁和磁铁装置，所述磁铁装置装配以用于改变此一或多个第一永久磁铁的磁化。关闭配置140可提供于开口130。设备100可进一步包括密封装置，装配以用于关闭开口130，所述密封装置例如是密封板材。范例性的密封装置参照图2A和B作说明。
举例为利用密封装置的开口130的可靠的关闭也可提供在电力失效的情况中，因为开口130由永久磁铁产生的磁力来进行密封。在支承状态中，维持密封状态可不需要额外电力。
第一压力区域110和第二压力区域120经由可密封的开口连接。根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，开口130可装配以用于从第一压力区域110至第二压力区域120和/或从第二压力区域120至第一压力区域110的装置的通道。作为一例子来说，开口130可装配以用于掩模、掩模载体、基板、基板载体、和它们的任何组合的通道。
第一压力区域110和第二压力区域120可选自由真空区域和大气区域所组成的群组。如图1A中所范例性绘示，第一压力区域110为第一真空区域并且第二压力区域120为第二真空区域。于图1B中所示的另一例子中，第一压力区域110为第一真空区域并且第二压力区域120为大气区域。
如本公开内容通篇所使用，真空区域可理解为具有少于举例为10mbar的真空压力的技术真空的含义。在真空区域中的压力可为10-5mbar与约10-8mbar之间，特别是10-5mbar与10-7mbar之间，及更特别是约10-6mbar与约10-7mbar之间。类似地，大气区域为大气压力的区域。大气区域可提供于真空系统的大气侧。
根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，设备100包括第一真空腔室和第二真空腔室，其中第一压力区域110由第一真空腔室提供，且第二压力区域120由第二真空腔室提供。也就是说，设备100可具有两个分离的真空腔室，其中两个腔室的各者提供其中一个压力区域。真空腔室可彼此连接。真空腔室之间的连接包括开口130。
根据可与此处所述其他实施方式结合的其他实施方式，设备100包括第一真空腔室，第一真空腔室提供第一压力区域110和第二压力区域120。也就是说，第一压力区域110和第二压力区域120可提供于相同的真空腔室中。
于一些应用中，真空腔室包括分隔件150，将第一压力区域110与第二压力区域120彼此分离。分隔件150可为第一真空腔室和/或第二真空腔室的腔室壁。开口130可提供于分隔件150中。
根据可与此处所述其他实施方式结合的再其他实施方式，设备包括第一真空腔室，第一真空腔室提供第一压力区域110，其中第二压力区域120为大气区域，也就是大气压力的区域。这是范例性绘示于图1B中。开口130可举例为提供于第一真空腔室的外部腔室壁中。
于一些应用中，第一真空腔室和第二真空腔室的至少一者选自由处理真空腔室、转移模块、路线规划模块、维护真空腔室、负载锁定腔室、缓冲腔室、摆动模块和存储腔室所组成的群组。例子参照图5进一步说明。
图2A绘示根据此处所述实施方式的设备的关闭和开放开口的示意上视图。图2B绘示开放开口和密封装置的示意前视图。
根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，设备及特别是关闭配置140包括密封装置160，所述密封装置160装配以用于关闭开口130。密封装置160可装配以覆盖开口130。作为一例子来说，密封装置160可为密封板材，装配以覆盖和密封开口130。关闭配置140可装配以于开口130磁性地支承密封装置160，及特别是在支承表面152至少部分地围绕开口130。支承表面152也可意指为“密封表面”。
参照图2A上部，开口130为开放并且密封装置160为释放状态。也就是说，密封装置160没有由关闭配置140支承。装置例如是掩模、掩模载体、基板和/或基板载体，可从一个压力区域移动通过开口130至另一压力区域。为了关闭开口130，密封装置160可移动以覆盖开口130。作为一例子来说，密封装置160可举例为在水平方向和/或垂直方向中线性地移动，以覆盖开口130，如图2B中所示。关闭配置140的磁铁装置可改变此一或多个第一永久磁铁的磁化，以提供作用于密封装置160的磁力，使得密封装置160朝向开口130吸引且支承于开口130，以密封开口130。根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，密封装置160装配以本质上真空紧密的方式密封开口130。
根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，设备包括分隔件150，所述分隔件150可为腔室壁或分隔元件，装配以将第一压力区域110与第二压力区域120彼此分隔。分隔件150可举例为处理真空腔室的腔室壁。开口130可提供于分隔件150中。
于一些应用中，关闭配置140的至少一部分可提供于开口130。作为一例子来说，关闭配置140可提供而相邻于开口130，举例为在分隔件150或在分隔件150中。关闭配置140可装配以用于吸引密封装置160朝向开口130，举例为朝向支承表面152，所述密封装置160例如是密封板材。
根据一些实施方式，设备包括支承表面152，位于开口130。于一些应用中，支承表面152可至少部分地围绕开口130，且较佳地完整围绕开口130，如图2B中所范例性绘示。支承表面152可由分隔件150提供，举例为相邻于开口130。作为一例子来说，支承表面152可装配以接触密封装置160的表面，此表面例如是接触表面。一或多个密封元件例如是O形环，可提供于支承表面152，使得开口130可以本质上真空紧密的方式密封。
根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，开口130可为狭缝。狭缝可为窄开口，可举例为垂直定向的载体的通道，载体例如是掩模载体和/或基板载体。狭缝可具有第一尺寸，第一尺寸大于第二尺寸，所述第一尺寸例如是高度，所述第二尺寸例如是宽度。第一尺寸可为垂直延伸范围，且第二尺寸可为水平尺寸。通过最小化开口的面积，可改善第一压力区域和第二压力区域的分隔。
根据一些实施方式，密封装置160可包括磁性材料，或可以磁性材料制成。由关闭配置140产生的磁场可作用于磁性材料，以提供吸引密封装置160朝向开口130的磁力，且特别是朝向支承表面152的磁力。于一些应用中，磁性材料可选自由铁、钢、不锈钢、铁磁材料(ferromagnetic material)、亚铁磁材料(ferrimagnetic material)、抗磁性材料(diamagnetic material)和它们的任何组合所组成的群组。
根据其他实施方式，密封装置160可包括一或多个磁铁元件。此一或多个磁铁元件可位于对应关闭配置140的位置，使得由关闭配置140产生的磁场可作用于此一或多个磁铁元件，以提供吸引密封装置160朝向开口130的磁力，特别是朝向支承表面152的磁力。此一或多个磁铁元件可为永久磁铁，贴附于密封装置160或集成于密封装置160中。在此种情况中，密封装置160可以非磁铁材料制成，此非磁铁材料例如是铝。
图3绘示用以关闭开口130的接续阶段(a)、(b)、(c)以将第一压力区域110与第二压力区域120彼此密封的示意图。虽然密封装置绘示成位于第二压力区域中，本公开内容不以此为限，且密封装置也可设置于第一压力区域中。在其他应用中，两个密封装置可提供而用于密封开口，一个位于第一压力区域110中并且另一个位于第二压力区域120中。
根据本公开内容的用于基板的真空处理的设备包括关闭配置140，用以磁性地关闭开口130。关闭配置140也可意指为“磁性关闭配置”。如本公开内容通篇使用的“磁性地关闭”可理解为使用磁力以举例为以本质上真空紧密的方式来密封开口130的含义。作为一例子来说，密封装置160可装配以覆盖开口130，其中关闭配置140可装配，以利用磁力于开口130支承密封装置160。关闭配置140可包括或可为电永磁铁配置(electropermanentmagnet arrangement)。电永磁铁配置参照图4A和B进一步说明。
目前转而参照图3，在阶段(a)中，密封装置160朝向开口130移动，举例为朝向支承表面152移动。作为一例子来说，密封装置160可执行朝向开口130的本质上线性运动。于可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式中，关闭配置140可在夹持状态I及释放状态II之间为可切换的。在释放状态II中，关闭配置140可于支承表面152没有产生外部磁场或小的外部磁场。在夹持状态I中，关闭配置140可于支承表面152产生强的外部磁场。也就是说，在释放状态II中的支承表面152的第二外部磁场可小于在夹持状态I中的支承表面152的第一外部磁场。
第一外部磁场可足以在开口130支承密封装置160。于一些应用中，关闭配置140可装配以提供10N/cm2或更大的力，特别是50N/cm2或更大的力，特别是100N/cm2或更大的力，及更特别是150N/cm2或更大的力。此力可为磁力，此磁力作用于密封装置160，以于开口130支承密封装置160，且特别是在支承表面152支承密封装置160。
在图3的阶段(a)中，关闭配置140提供于释放状态II中，在释放状态II中，关闭配置140可于支承表面152没有产生外部磁场或可于支承表面152仅产生小的外部磁场。因此，密封装置160不朝向支承表面152吸引。
在图3的阶段(b)中，密封装置160已经移动以接触分隔件150。关闭配置140仍在释放状态II中，在释放状态II中，密封装置160没有通过关闭配置140的磁力支承在支承表面152。
在图3的阶段(c)中，关闭配置140已经切换至夹持状态I。在夹持状态I中，由关闭配置140产生的磁场于支承表面152支承密封装置160。第一压力区域110和第二压力区域120可以本质上真空密封的方式彼此密封。
类似地，通过关闭配置140从夹持状态I切换至释放状态II，密封装置160可从分隔件150分离，在释放状态II中，没有外部磁场产生于支承表面152或仅有小的外部磁场产生于支承表面152，如图3的阶段(b)中所示。密封装置160可接着从开口130移除，使得举例为掩模载体和/或基板载体可移动通过开口130。
通过改变关闭配置140的一或多个第一永久磁铁的磁化的方向，关闭配置140可于释放状态I和夹持状态II之间切换，改变关闭配置140的此一或多个第一永久磁铁的磁化的方向举例为由提供至关闭配置140的磁铁装置的电脉冲。特别是，此一或多个第一永久磁铁的极性可由传送到磁铁装置的电脉冲反向。于一些实施方式中，设备包括电源250，电源250用于关闭配置140。电源250可装配以产生电脉冲，可适用于改变此一或多个第一永久磁铁的磁化，所述电脉冲举例为电流脉冲。此参照图4A和B进一步说明。
图4A是绘示在释放状态II中的根据此处所述实施方式的关闭配置300的示意图。图4B是绘示在夹持状态I中的图4A的关闭配置300的示意图，在夹持状态I中，装置由关闭配置300支承，此装置举例为密封装置160。
关闭配置300可装配成电永磁铁配置。电永磁铁配置包括此一或多个第一永久磁铁320、一或多个第二永久磁铁340和磁铁装置360。电永磁铁配置使用两个磁性平面，此两个磁性平面于约90°的角度相对于彼此定向。
更详细来说，如此处使用的电永磁铁配置(或“EPM”)可理解为一磁铁配置，在此磁铁配置中，永久磁铁产生的磁场可由电脉冲改变，特别是由磁铁装置360的绕组(winding)中的电流脉冲改变。特别是，磁场可在支承表面152所在的关闭配置300的一侧上开启或关闭。电永磁铁可基于双磁铁原理(double magnet principle)运作。此一或多个第一永久磁铁320可由“软”或“半硬”磁材料组成，也就是由具有低矫顽力(coercivity)的材料组成。此一或多个第二永久磁铁340可由“硬”磁材料组成，也就是由具有较高的矫顽力的材料组成。由提供至磁铁装置360的电脉冲，此一或多个第一永久磁铁320的磁化的方向可改变。作为一例子来说，此一或多个第一永久磁铁320的极性可由电脉冲为可逆的。由于个别材料的高矫顽力之故，此一或多个第二永久磁铁340的磁化的方向可保持固定。
此一或多个第一永久磁铁320的极性和此一或多个第二永久磁铁340的极性为磁极性，也就是磁南极和磁北极。
根据一些实施方式，改变此一或多个第一永久磁铁320的磁化的电脉冲的期间为0.1s或更多，特别是1s或更多，且更特别是3s或更多。作为一例子来说，电脉冲的期间在0.1与10s之间的范围中，特别是在0.5与5s之间的范围中，及更特别是在1与2s之间的范围中。
于一些实施方式中，磁铁装置360可包括绕组350，提供而至少部分地环绕此一或多个第一永久磁铁320，绕组350举例为线绕组(wire winding)或螺线管(solenoid)。通过提供通过绕组350的电脉冲，产生在此一或多个第一永久磁铁320的位置的局部磁场，而改变此一或多个第一永久磁铁320的磁化。特别是，通过将电流脉冲通过磁铁装置360的绕组350馈送，此一或多个第一永久磁铁320的极性可反向。
于一些实施方式中，提供多个第一永久磁铁，其中第一永久磁铁至少部分地由磁铁装置360的绕组环绕。举例来说，在图4A的实施方式中，绘示两个第一永久磁铁，其中线绕组延伸而环绕此两个第一永久磁铁的各者。多于两个第一永久磁铁可相邻于彼此配置。在一些实施方式中，朝向支承表面152导向的两个相邻的第一永久磁铁的极性可分别为相反的极性。因此，磁场线可形成一或多个循环，其中各循环在相反方向中穿透相邻的第一永久磁铁。
于一些实施方式中，提供多个第二永久磁铁。举例来说，在图4A的实施方式中，绘示三个第二永久磁铁。可提供两个、三个或更多个第二永久磁铁，举例为一个接着另一个成列配置。第二永久磁铁可配置使得相邻的第二永久磁铁的相反极性的极可导向而朝向彼此。因此，磁场线没有线性地延伸通过第二永久磁铁的列，但多个分离的循环可因彼此面对的相反极而形成。
于一些实施方式中，此一或多个第一永久磁铁320可配置于第一平面中，并且此一或多个第二永久磁铁340可配置于第二平面中。第二平面可较第一平面靠近支承表面152。因此，此一或多个第二永久磁铁340可较此一或多个第一永久磁铁320靠近支承表面152。
于一些实施方式中，此一或多个第一永久磁铁320可具有第一定向并且此一或多个第二永久磁铁340可具有第二定向，第二定向不同于第一定向。特别是，第一定向和第二定向可为垂直。举例来说，此一或多个第一永久磁铁320可定向于水平方向或平面中，并且此一或多个第二永久磁铁340可定向在垂直定向或平面中。
于一些实施方式中，由此一或多个第二永久磁铁340产生的磁场可具有第一主方向X1，第一主方向X1可本质上平行于支承表面152。由此一或多个第一永久磁铁320产生的磁场可具有第二主方向X2，第二主方向X2可本质上垂直于支承表面152。因此，通过使此一或多个第一永久磁铁320的极性反向，合成的总磁场可在垂直于支承表面152的方向中改变，也就是朝向密封装置160的内部体积或朝向密封装置160的外部。通过从图4A的释放状态II切换关闭配置300成图4B的夹持状态I，合成的整个磁场可转换至支承表面152的外部，以穿入将贴附的装置中。特别是，在夹持状态I中，此一或多个第一永久磁铁320和此一或多个第二永久磁铁340的相反极可面对彼此，以可迫使磁场线朝向将贴附的此装置所配置的支承表面152的外部环境。
穿入密封装置160中的外部磁场370绘示于图4B中。外部磁场370保持在密封装置160中，直到此一或多个第一永久磁铁320的极性由电脉冲反向。通过提供电脉冲至磁铁装置360，夹持的密封装置可释放。密封装置160的可靠贴附也可在电力失效的情况中取得，因为密封装置160由永久磁铁产生的磁力支承。在夹持状态I中，维持夹持状态可不需要额外电力。因连续地操作电性装置产生的热没有产生，且无需维持处理稳定性的额外冷却。在切换之后，双稳态磁铁配置可提供而保持在释放状态II中或夹持状态I中。转换可自动地执行。
在释放状态II中的由关闭配置300产生的内部磁场380绘示于图4A中。芯(Core)390可提供而用于分别增加举例为相邻的第二永久磁铁之间的磁场强度，芯390例如是钢芯。
于可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式中，此一或多个第一永久磁铁320包括软或半硬磁材料，和/或此一或多个第二永久磁铁340包括硬磁材料。举例来说，此一或多个第一永久磁铁320可包括AlNiCo，和/或此一或多个第二永久磁铁340可包括钕。特别是，此一或多个第一永久磁铁320可为AlNiCo-磁铁，和/或此一或多个第二永久磁铁340可为钕-磁铁。具有低和高矫顽力的其他磁铁可使用。举例来说，硬磁材料可具有1.000kA/m或更大的矫顽力，特别是10.000kA/m或更大的矫顽力，和/或软磁材料可具有1.000kA/m或更小的矫顽力，特别是100kA/m或更小的矫顽力。
图5绘示根据此处所述实施方式的用于具有有机材料的装置的制造的系统400的示意图。在下文中，系统400也意指为“真空系统”。
系统400可包括根据此处所述实施方式的用于基板的真空处理的设备，和装配以用于非接触式传送基板载体和掩模载体的至少一者通过开口的传送配置。传送配置参照图6A和B进一步说明。
系统400可包括多个压力区域。所述多个压力区域可由一个单一的真空腔室或彼此连接的多个真空腔室提供。所述多个压力区域可包括一或多个真空区域和/或一或多个大气区域。传送配置可装配以用于在系统400中传送掩模载体和/或基板载体。
于一些例子中，开口、关闭配置和选择的密封装置可包括于阀中，所述阀连接相邻的压力区域。阀可装配以用于开启和关闭所述压力区域之间的真空密封。当阀系在开启状态，也就是开口为开放/未覆盖时，基板载体和/或掩模载体可从一个压力区域传送至另一压力区域。之后，阀可磁性地关闭，以在相邻的压力区域之间提供真空密封。当阀为关闭时，所述压力区域相互密封，使得一个压力区域中的压力和/或气体条件不影响另一压力区域中的压力和/或气体条件。
目前转而参照图5，系统400包括掩模处理腔室405和至少一个沉积腔室，所述至少一个沉积腔室例如是第一沉积腔室406和第二沉积腔室407。第一沉积腔室406和第二沉积腔室407可配置于掩模处理腔室405的相同侧上，举例为图5中的下侧上。于一些实施方式中，其他沉积腔室可配置于掩模处理腔室405的另一侧上，举例为图5中的上侧上。
掩模处理腔室405可包括第一掩模处理区域401和第二掩模处理区域402。第一掩模处理区域401具有第一掩模处理组件421，第一掩模处理组件421装配以用于处理将使用的掩模装置411。第二掩模处理区域402具有第二掩模处理组件422，第二掩模处理组件422装配以用于处理已使用的掩模装置412。
如此处所使用的“将使用的掩模装置”可理解为将传送到至少一个沉积腔室中的将使用以用于遮蔽于基板上的沉积的掩模。于一些实施方式中，将使用的掩模装置可为新的掩模装置、已清洗的掩模装置或已经经历服务或维护的掩模装置。如此处所使用的“已使用的掩模装置”可理解为已经用于在沉积腔室中的遮蔽沉积的掩模。已使用的掩模装置将传送离开沉积腔室，举例为用于清洁或维护。举例来说，已使用的掩模装置将从真空系统卸除，举例为在大气压力下进行清洁。通过使用遮蔽于一或多个基板上的沉积的掩模装置，将使用的掩模装置变成已使用的掩模装置。一般来说，掩模装置使用于在十个或更多个基板上沉积的遮蔽，掩模装置可随后进行清洁。在清洁之后，掩模装置可再度装载到真空系统中，以将使用于遮蔽沉积。
第二掩模处理区域402和第一掩模处理区域401可对应于掩模处理腔室405的不同区段，掩模处理腔室405的此些不同区段可彼此相邻或可彼此分隔。举例来说，第一掩模处理区域401和第二掩模处理区域402可为掩模处理腔室的相反部分。于一些实施方式中，第一掩模处理区域401和第二掩模处理区域402位于传送路径的相反侧上，所述传送路径装配以用于传送掩模载体。举例来说，第一掩模处理区域401可位于第一和第二掩模轨道的第一侧上，并且第二掩模处理区域402可位于第一和第二掩模轨道的相反侧上。
根据此处所述的一些实施方式，将使用的掩模装置411可与已使用的掩模装置412分开处理，举例为贴附、分离、装载、卸除、存储、移动、旋转和/或转移。已清洁的掩模装置的污染物可减少或避免。
根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，可提供延伸至第一掩模处理区域401的掩模装载通道和从第二掩模处理区域402延伸的掩模卸除通道。掩模装载通道可与掩模卸除通道分隔。举例来说，掩模装载通道和掩模卸除通道可提供于传送路径的相反侧上，所述传送路径装配以用于传送掩模载体。掩模装载通道可延伸至第一掩模理区域401，且可装配以用于举例为经由第一负载锁定腔室403装载将使用的掩模装置411至真空系统中。掩模卸除通道可从第二掩模处理区域402延伸，且可装配以用于举例为经由第二负载锁定腔室404从真空系统卸除已使用的掩模装置412。
于可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式中，第一掩模处理组件421可装配以用于贴附将使用的掩模装置411于掩模载体。于可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式中，第二掩模处理组件422可装配以用于从掩模载体415分离已使用的掩模装置412。
通过提供用于在真空系统的不同区域中处理掩模装置的第一掩模处理组件421和第二掩模处理组件422，真空系统中的掩模运输可简化及掩模处理可加速。特别是，在掩模处理腔室中的不同区域可提供而用于处理已使用的掩模装置和将使用的掩模装置。此可减少真空系统中的掩模运输的复杂度。
通过提供包括第一掩模轨道431和/或包括第二掩模轨道432的掩模传送系统，真空系统中的掩模运输的复杂度可进一步减少，所述第一掩模轨道431用以从第一掩模处理区域401导引支承将使用的掩模装置411的掩模载体朝向此至少一个沉积腔室，所述第二掩模轨道432用以从此至少一个沉积腔室导引支承已使用的掩模装置412的掩模载体至第二掩模处理区域402。
通过提供不同的掩模轨道，且此些不同的掩模轨道用于第一掩模处理区域中的将使用的掩模装置和用于第二掩模处理区域中的已使用的掩模装置，第一掩模处理组件421和第二掩模处理组件422可独立地操作。举例来说，掩模装置可贴附于配置在第一掩模轨道431上的掩模载体，及其他掩模装置可举例为同时或接续地从配置于第二掩模轨道432上的其他掩模载体分离。掩模装置可更快地且更灵活地处理。
于可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式中，掩模传送系统可进一步包括平移机构，所述平移机构装配以用于在掩模处理腔室405中从第二掩模轨道432平移掩模载体至第一掩模轨道431和/或反之亦然。因此，掩模载体可从第二掩模处理区域402直接地平移至第一掩模处理区域401中。当已使用的掩模装置在第二掩模处理区域中从掩模载体分离，并且新的掩模装置在第一掩模处理区域401中将贴附于掩模载体时，直接传送空的掩模载体可为有用的。因此，空的掩模载体可使用于传送其他掩模装置。用于掩模载体的传送路径长度可减少且真空系统中的掩模运输可加速。
平移机构可理解为一机构，装配以用于在掩模处理腔室405中的第一掩模轨道431与第二掩模轨道432之间平移掩模载体。举例来说，掩模载体可在一方向中于第一掩模轨道431与第二掩模轨道432之间线性地移动，此方向可横向或垂直于第一和第二掩模轨道的方向。
因此，于一些实施方式中，可提供用于掩模载体的至少一个环状传送路径。也就是说，将使用的掩模装置可于第一掩模处理区域401中贴附于掩模载体，掩模载体可沿着第一掩模轨道431传送而朝向至少一个沉积腔室，掩模载体可沿着第二掩模轨道432传送回到掩模处理腔室而进入第二掩模处理区域402中，以及已使用的掩模装置可在第二掩模处理区域402中从掩模载体分离。随后，于一些实施方式中，(空的)掩模载体可在掩模处理腔室中利用平移机构直接地平移至第一掩模处理区域中，将使用的其他掩模装置可在第一掩模处理区域贴附于掩模载体。掩模运输可简化并且载体堵塞(jams)或这些掩模载体之间的干扰可减少。
掩模处理腔室405可设置于真空系统的主传送路径Z中，主传送路径Z在主传送方向(举例为图5中的上下方向)中延伸。用于传送基板载体的基板轨道和用于传送掩模载体的掩模轨道可在真空系统的主传送方向中通过掩模处理腔室405运转。举例为当两或更多个沉积腔室配置于主传送路径Z的不同侧上时，基板可一或多次传送通过掩模处理腔室405来进行涂布而具有材料堆叠。
通过插入掩模处理腔室405于真空系统的主传送路径Z中，掩模处理腔室405可使用于处理掩模装置，这些掩模装置在两或更多个沉积腔室中使用，特别是在三或更多个沉积腔室中使用，更特别是在四或更多个沉积腔室中使用。于一些实施方式中，供应而具有来自掩模处理腔室的掩模装置的至少两个沉积腔室配置于掩模处理腔室的不同侧上。供应而具有来自掩模处理腔室的掩模装置的至少两个沉积腔室选择地或额外地配置于掩模处理腔室的相同侧上。在后者的情况中，路径规划腔室408或路径规划模块可提供而用于传送掩模装置至正确的沉积腔室中。
于可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式中，真空系统的主传送路径Z包括四或更多个轨道，包括第一掩模轨道431、第二掩模轨道432、第一基板轨道和第二基板轨道。可提供其他轨道。所述轨道可在真空系统的主传送方向中平行于彼此延伸。第一基板轨道和第二基板轨道可提供而作为外部轨道，并且第一掩模轨道431和第二掩模轨道432可提供而作为内部轨道，所述内部轨道配置于所述基板轨道之间。其他配置是可行的。
于一些实施方式中，主传送路径Z的所述四或更多个轨道可延伸通过掩模处理腔室405，举例为本质上平行于彼此延伸通过掩模处理腔室405。第一掩模处理组件421可装配以用于处理掩模装置，此掩模装置由第一掩模轨道431上的掩模载体支承于掩模贴附位置中。第二掩模处理组件422可装配以用于处理掩模装置，此掩模装置由第二掩模轨道432上的掩模载体支承于掩模分离位置中。
于可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式中，传送配置可进一步装配以用于在真空系统中沿着基板传送路径传送基板。特别是，基板传送路径可延伸通过掩模处理腔室405或通过掩模处理组件。基板可沿着基板传送路径传送通过掩模处理腔室405，举例为从第一沉积腔室传送通过掩模处理腔室405至第二沉积腔室，所述第一沉积腔室配置于掩模处理腔室的第一侧上，所述第二沉积腔室配置于掩模处理腔室的第二侧上。
于可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式中，真空系统可进一步包括路径规划腔室408。路径规划腔室408可配置于掩模处理腔室405和至少一个沉积腔室之间。路径规划腔室408可包括路径规划装置，举例为旋转装置，装配以用于在掩模处理腔室405和至少一个沉积腔室之间传送将使用的掩模装置411和已使用的掩模装置412。举例来说，至少一个沉积腔室的定向可相对于真空系统的主传送路径Z垂直，使得掩模载体和基板载体绕着在主传送路径Z和沉积腔室之间相交的本质上垂直轴旋转。掩模载体和/或基板载体可在路径规划腔室408中旋转。
于一些实施方式中，其他沉积腔室、转移腔室和/或路径规划腔室可提供于掩模处理腔室405的另一侧上，举例为图5中的上侧上。掩模处理腔室405可装配以用于供应具有将使用的掩模装置的各所述的沉积腔室，并且装配以用于处理来自各所述的沉积腔室的已使用的掩模装置。真空系统中的掩模运输的复杂性可减少并且掩模交换可加速。
于一些实施方式中，蒸发源410可提供于此至少一个沉积腔室中，用于在基板上的材料的遮蔽沉积。然而，本公开内容不限于具有蒸发源的真空系统。举例来说，化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)系统、物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)系统、和/或蒸发系统发展，以在沉积腔室中涂布举例为用于显示器应用的基板，所述PVD系统举例为溅射系统，基板举例为薄玻璃基板。在一般的真空系统中，基板可由基板载体支承，并且基板载体可由基板传送系统传送通过真空腔室。基板载体可由基板传送系统移动，使得基板的主表面的至少一部分朝向涂布装置暴露，所述涂布装置举例为溅射装置或蒸发源。当基板可位于蒸发源410的前方，且蒸发源410可以预定速度移动通过基板时，基板的主表面可涂布而具有薄涂布层。或者，基板可以预定速度传送通过涂布装置。
根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，本公开内容的设备的一或多个磁性可密封开口可提供于系统400的数个位置处。特别是，系统400可包括选自群组的一或多个真空腔室，此群组包括处理真空腔室(举例为至少一个沉积腔室)、转移模块、路径规划模块、维护真空腔室、负载锁定腔室、缓冲腔室、摆动模块、和存储腔室。磁性可密封开口可提供于两个相邻的真空腔室之间，用以将真空腔室彼此密封。一或多个磁性可密封开口可选择地或取代地提供于系统的一或多个真空系统中，以在各真空腔室中提供两或更多个可密封的压力区域。
作为一例子来说，一或多个磁性可密封开口500可提供于至少一者之间：
(i)路径规划模块和至少一个沉积腔室，
(ii)掩模处理腔室和路径规划模块，
(iii)路径规划模块和转移模块(未绘示，可包括于路径规划模块中)，
(iv)负载锁定腔室和掩模处理腔室(举例为第一负载锁定腔室403和第一掩模处理区域401之间和/或第二负载锁定腔室404和第二掩模处理区域402之间)，
(v)负载锁定腔室(举例为第一负载锁定腔室403和第二负载锁定腔室404)和大气侧(举例为掩模供应存储)，
(vi)路径规划模块和摆动模块(未绘示)，
(vii)(掩模和/或基板)缓冲和摆动模块，和/或
(viii)(掩模和/或基板)缓冲和路径规划模块。
磁性可密封开口的位置不限于上述的例子，并且磁性可密封开口500可提供于本公开内容的真空系统的其他位置处。作为一例子来说，磁性可密封开口可提供于负载锁定腔室的两侧，例如是第一负载锁定腔室403和/或第二负载锁定腔室404的两侧，举例为用以装载/卸除基板进入/离开真空系统。于另一例子中，磁性可密封开口可提供于真空摆动模块的两侧上，真空摆动模块配置而相邻于基板负载锁定腔室。
转移模块可包括跨接(crossing)轨道，使得载体可在不同方向中传送通过转移模块，举例为在垂直于彼此的方向中传送通过转移模块。摆动模块可装配以改变基板、基板载体、掩模和/或掩模载体的方向，举例为从本质上水平改变至本质上垂直，或反之亦然。“处理真空腔室”理解为真空腔室或沉积腔室。如此处所使用的“真空”可理解为具有少于举例为10mbar的真空压力的技术真空。如此处所述的真空腔室中的压力可为10-5mbar与约10- 8mbar之间，特别是10-5mbar与10-7mbar之间，及更特别是约10-6mbar与约10-7mbar之间。根据一些实施方式，真空腔室中的压力可视为真空腔室中的已蒸发材料的分压或总压(可仅有已蒸发材料在真空腔室中存在而作为将沉积的成分时大约相同)。于一些实施方式中，特别是在第二成分除了已蒸发材料之外存在于真空腔室中(例如是气体或类似者)的情况中，真空腔室中的总压可在从约10-4mbar至约10-7mbar的范围。
根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，载体装配以用于在实质上垂直定向中支承或支撑基板和掩模。如本公开内容通篇所使用，“实质上垂直”特别在意指基板定向时理解为从垂直方向或定向±20°或以下的偏差，举例为从垂直方向或定向±10°或以下的偏差。此偏差可提供，举例为因为具有从垂直定向的一些偏差的基板支撑件可致使更稳定的基板位置。再者，当基板略微地向前时，较少的粒子到达基板表面。然而，举例为在真空沉积工艺期间，基板定向视为实质上垂直，而不同于水平基板定向。水平基板定向可视为±20°或以下的水平。
名称“垂直方向”或“垂直定向”理解为与“水平方向”或“水平定向”有所区别。也就是说，“垂直方向”或“垂直定向”涉及举例为载体的实质上垂直定向，其中从准确垂直方向或垂直定向的达10°或甚至达15°的一些角度的偏移仍视为“实质上垂直方向”或“实质上垂直定向”。垂直方向可实质上平行于重力。
此处所述的实施方式可应用于在大面积基板上的蒸发，举例为使用于OLED显示器制造。特别是，提供而用于根据此处所述实施方式的结构和方法的基板为大面积基板。举例来说，大面积基板或载体可为第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代，第4.5代对应于约0.67m2的表面积(0.73x0.92m)、第5代对应于约1.4m2的表面积(1.1m x 1.3m)、第7.5代对应于约4.29m2的表面积(1.95m x 2.2m)、第8.5代对应于约5.7m2的表面积(2.2m x2.5m)、第10代对应于约8.7m2的表面积(2.85m×3.05m)。甚至例如是第11代和第12代的更高代和对应的表面积可以类似的方式应用。这些代的一半的尺寸也可提供于OLED显示器制造中。
根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，基板厚度可为从0.1至1.8mm。基板厚度可为约0.9mm或以下，例如是0.5mm。如此处所使用的名称“基板”可特别是包含实质上非柔性基板，举例为晶片、例如是蓝宝石或类似者的透明晶体芯片、或玻璃板材。然而，本公开内容不以此为限，且名称“基板”也可包含柔性基板，例如是网格(web)或箔。名称“实质上非柔性”理解为与“柔性”有所区别。特别是，实质上非柔性基板可具有某种程度的柔性，举例为具有0.9mm或以下的厚度的玻璃板材，例如是具有0.5mm或以下的厚度的玻璃板材，其中实质上非柔性基板的柔性相较于柔性基板是小的。
图6A和B绘示根据此处所述实施方式的用以传送载体610的传送配置600的示意图，载体610举例为掩模载体和/或基板载体。传送配置600可装配以用于传送载体通过本公开内容的设备和系统的两个相邻的压力区域之间的开口。
如图6A中所示，根据一实施方式，提供用以非接触式传送载体610的传送配置600。载体610可包括第一磁铁单元，该第一磁铁单元装配以与真空系统的导引结构670磁性地相互作用，用以提供悬浮力来悬浮载体610。特别是，载体610可包括第一磁铁单元，第一磁铁单元例如是第一被动磁性单元650。传送配置600可包括导引结构670，该导引结构670在载体组件传送方向中延伸，载体组件传送方向例如是可为水平方向的传送方向2。传送方向可垂直于垂直方向1及另一水平方向3。导引结构670可包括多个主动磁性单元675。载体610可沿着导引结构670为可移动的。第一被动磁性单元650举例为铁磁材料的棒，并且导引结构670的此些主动磁性单元675可装配以用于提供第一磁性悬浮力，用以悬浮载体610。如此处所述的用以悬浮的装置为用以提供非接触式力来悬浮举例为载体610的装置。
于一些应用中，传送配置600可进一步包括驱动结构680。驱动结构680可包括多个其他磁铁单元，其他磁铁单元例如是其他主动磁性单元。载体610可包括第二磁铁单元，第二磁铁单元装配以与真空系统的驱动结构680磁性地相互作用。特别是，载体610可包括第二磁铁单元，第二磁铁单元例如是第二被动磁性单元660。第二被动磁性单元660举例为铁磁材料的棒，以与驱动结构680的其他主动磁性单元685相互作用。
图6B绘示传送配置600的另一侧视图。于图6B中，多个主动磁性单元675的其中一个主动磁性单元绘示出来。主动磁性单元提供磁力，与载体610的第一被动磁性单元650的相互作用。举例来说，第一被动磁性单元650可为铁磁材料的杆。杆可为载体610的一部分，连接于支撑结构612。支撑结构612可由载体610的主体提供。杆或第一被动磁性单元也可分别与支承结构612一体成型，支撑结构612用以支撑基板10。载体610可进一步包括第二被动磁性单元660，举例为其他杆。其他杆可连接于载体610。杆或第二被动磁性单元也可分别与支撑结构612一体成型。
“被动”磁性单元的术语于此使用，以与“主动”磁性单元的概念有所区别。被动磁性单元可意指为至少不在传送配置600的操作期间，具有不受主动控制或调整的磁性性质的元件。举例来说，被动磁性单元举例为载体的杆或其他杆，在载体移动通过真空腔室或真空系统期间，被动磁性单元的磁性性质一般不受主动控制。根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，传送配置600的控制器不装配来控制被动磁性单元。被动磁性单元可适用于产生磁场，举例为静态磁场。被动磁性单元可不装配来产生可调整的磁场。被动磁性单元可为磁性材料，例如是铁磁材料、永久磁铁或可具有永久的磁性性质。
相较于被动磁性单元，基于由主动磁性单元产生的磁场的可调性及可控性，主动磁性单元更加灵活和精密。根据此处所述的实施方式，由主动磁性单元产生的磁场可控制，以提供载体610的对准。举例来说，通过控制可调整的磁场，作用于载体610上的磁性悬浮力可以高准确性来进行控制，因而由主动磁性单元提供载体和基板的非接触式对准。
根据此处所述的实施方式，多个主动磁性单元675提供磁力于第一被动磁性单元650并因此在载体610上。多个主动磁性单元675悬浮载体610。其他主动磁性单元685可在真空腔室中驱动载体610，举例为沿着传送方向2在真空腔室中驱动载体610。多个其他主动磁性单元685形成驱动结构，用以在由位于载体610的上方的多个主动磁性单元675致使悬浮时在传送方向2中移动载体610。其他主动磁性单元685可与第二被动磁性单元660相互作用，以提供沿着传送方向2的力。举例来说，第二被动磁性单元660可包括多个永久磁铁，以具有交替的极性的方式配置。第二被动磁性单元660的生成的磁场可与多个其他主动磁性单元685相互作用，以在载体610悬浮时移动载体610。
为了利用多个主动磁性单元675悬浮载体610和/或利用多个其他主动磁性单元685移动载体610，主动磁性单元可控制以提供可调整的磁场。可调整的磁场可为静态或动态磁场。根据可与此处所述其他实施方式结合的实施方式，主动磁性单元装配以用于产生磁场，所述磁场用以提供沿着垂直方向1延伸的磁性悬浮力。根据可与此处所述进一步实施方式结合的其他实施方式，主动磁性单元可装配以用于提供磁力，所述磁力沿着横向方向延伸。如此处所述的主动磁性单元可为或包括一元件，所述元件选自由电磁装置、螺线管、线圈(coil)、超导磁铁、或它们的任何的组合所组成的群组。
此处所述的实施方式涉及载体、基板和/或掩模的非接触式悬浮、传送和/或对准。本公开内容意指一载体，此载体可包括群组的一或多个元件，所述元件由支撑基板的载体、没有基板的载体、基板、或由支撑件支撑的基板所组成。如本公开内容通篇使用的名称“非接触式”可理解为举例为载体和基板的重量不由机械接触或机械力支承，但由磁力支承的含义。特别是，载体使用磁力来取代机械力而支承于悬浮或浮起状态。作为一例子来说，此处所述的传送配置可不具有支撑载体的重量的机械装置，例如是机械轨道。于一些应用中，在真空系统中的载体的悬浮且举例为移动期间，载体和设备的其余部分之间可没有任何机械接触。
根据本公开内容的实施方式，悬浮意指物体的一状态，其中物体浮起而没有机械接触或支撑。再者，移动物体意指提供驱动力，驱动力举例为不同于悬浮力的方向的力，其中物体从一位置移动至另一、不同的位置。举例来说，例如是载体的物体可悬浮，也就是由抵抗重力的力，并且可在悬浮时在一方向中移动，此方向不同于平行于重力的方向。
根据此处所述实施方式的载体的非接触式悬浮、传送和/或对准具有优点，在载体的传送或对准期间，没有粒子会因为载体和传送配置600的部件之间的机械接触产生，所述传送配置600例如是机械轨道。因此，特别是既然粒子在使用非接触式悬浮、传送和/或对准时减到最少，此处所述的实施方式提供沉积于基板上的层改善的纯度和均匀性。
相较于用以导引载体的机械装置，其他优点为此处所述的实施方式不会遭受摩擦力的影响，所述摩擦力影响载体的移动的准确性和/或线性度(linearity)。非接触式传送载体提供载体的无摩擦运动，其中载体组件相对于掩模的对准可控制且维持而具有高准确性。再者，悬浮提供载体速度的快速加速或减速和/或载体速度的精细调整。
再者，机械轨道的材料一般可因腔室的排气、可因温度、使用、磨损或类似者而面临变形。此种变形影响载体的位置，且因而影响已沉积的层的质量。相较之下，此处所述的实施方式提供举例为此处所述的导引结构中的潜在变形的补偿。有鉴于以非接触式方式悬浮和传送载体，此处所述的实施方式提供载体的非接触式对准。因此，可提供基板相对于掩模的改善和/或更有效的对准。
图7绘示根据此处所述实施方式的用以密封开口的方法700的流程图，开口连接两个相邻的压力区域。方法700可利用此处所述的设备和系统来应用。
方法700包括于方块710中的改变一或多个第一永久磁铁的磁化成第一磁化，用以提供磁力来关闭开口。开口可连接此两个压力区域，且此两个压力区域例如是第一压力区域和第二压力区域，使得举例为载体可在第一压力区域与第二压力区域之间传送。载体可为掩模载体和/或基板载体。于一些应用中，方法700进一步包括于方块720中的改变此一或多个第一永久磁铁的磁化成第二磁化，所述第二磁化不同于第一磁化，且第二磁化用以释放磁力。作为一例子来说，改变磁力可包括利用举例为电脉冲反向一或多个第一永久磁铁的极性。
根据此处所述的实施方式，用以密封连接两个压力区域的开口的方法可利用计算机程序、软件、计算机软件产品和相关的控制器执行，所述相关的控制器可具有中央处理器(CPU)、存储器、用户接口、和与设备的对应组部件通信的输入和输出装置。
本公开内容提供连接两个相邻的压力区域的开口，其中开口通过改变一或多个第一永久磁铁的磁化为可关闭的。作为一例子来说，密封装置可覆盖开口，其中密封装置可磁性地支承于开口，以密封开口。磁性密封可减少真空系统中的一些机械式的可移动部件。由于此种机械式的可移动部件产生的粒子可减少，且举例为沉积于基板上的材料层的质量可改善。再者，开口的可靠关闭也可在电力失效的情况中提供，因为开口通过由永久磁铁产生的磁力来进行密封。维持密封状态可不需要额外电力。
虽然前面部分涉及本公开内容的实施方式，本公开内容的其他和进一步的实施方式可经设计而不背离本公开内容的基本范围，本公开内容的保护范围由随附权利要求书确定。

Claims (16)

1.一种用于基板的真空处理的设备，包括：
第一压力区域、第二压力区域、和开口，所述开口位于所述第一压力区域与所述第二压力区域之间；
关闭配置，用以关闭所述开口，所述关闭配置包括：
一或多个第一永久磁铁和一或多个第二永久磁铁，其中所述一或多个第一永久磁铁包括软磁材料或半硬磁材料，并且其中所述一或多个第二永久磁铁包括硬磁材料；和
磁铁装置，装配以改变所述一或多个第一永久磁铁的磁化，并且不改变所述一或多个第二永久磁铁的磁化；和
密封装置，所述密封装置包括磁性材料并且装配以用于关闭所述开口。
2.如权利要求1所述的设备，其中由所述关闭配置产生的磁场装配以作用于所述磁性材料，以提供吸引所述密封装置朝向所述开口的磁力。
3.如权利要求2所述的设备，其中所述关闭配置装配以于所述开口磁性地支承所述密封装置。
4.如权利要求1至3的任一项所述的设备，其中所述磁铁装置包括绕组，提供而至少部分地环绕所述一或多个第一永久磁铁。
5.如权利要求1至3的任一项所述的设备，其中所述一或多个第一永久磁铁的磁化的方向由提供于所述磁铁装置的电脉冲为可切换的，其中所述一或多个第一永久磁铁的极性由所述电脉冲为可逆的。
6.如权利要求1至3的任一项所述的设备，进一步包括支承表面，位于所述开口，其中所述关闭配置在夹持状态与释放状态之间为可切换的，
其中，在所述夹持状态中，所述关闭配置于所述支承表面产生第一外部磁场，并且
其中，在所述释放状态中，所述关闭配置于所述支承表面没有产生外部磁场或产生第二外部磁场，所述第二外部磁场小于所述第一外部磁场。
7.如权利要求5所述的设备，进一步包括支承表面，位于所述开口，其中所述关闭配置在夹持状态与释放状态之间为可切换的，
其中，在所述夹持状态中，所述关闭配置于所述支承表面产生第一外部磁场，并且
其中，在所述释放状态中，所述关闭配置于所述支承表面没有产生外部磁场或产生第二外部磁场，所述第二外部磁场小于所述第一外部磁场。
8.如权利要求1至3的任一项所述的设备，包括第一真空腔室和第二真空腔室，其中所述第一压力区域由所述第一真空腔室提供，并且所述第二压力区域由所述第二真空腔室提供。
9.如权利要求1至3的任一项所述的设备，包括第一真空腔室，所述第一真空腔室提供所述第一压力区域和所述第二压力区域，其中所述第一真空腔室包括分隔件，将所述第一压力区域与所述第二压力区域彼此分离，并且其中所述开口提供于所述分隔件中。
10.如权利要求1至3的任一项所述的设备，包括第一真空腔室，所述第一真空腔室提供所述第一压力区域，其中所述第二压力区域为大气压力的区域。
11.如权利要求8所述的设备，其中所述第一真空腔室和所述第二真空腔室的至少一者选自由处理真空腔室、转移模块、路径规划模块、维护真空腔室、负载锁定腔室、缓冲腔室、摆动模块和存储腔室所组成的群组。
12.如权利要求1至3的任一项所述的设备，其中所述开口装配以用于掩模、掩模载体、基板、基板载体和它们的任何组合的通道。
13.一种用于具有有机材料的装置的制造的系统，包括：
如权利要求1至3的任一项所述的设备；和
传送配置，装配以用于非接触式传送基板载体和掩模载体的至少一者通过所述开口。
14.如权利要求13所述的系统，进一步包括支承表面，位于所述开口，其中所述关闭配置在夹持状态与释放状态之间为可切换的，
其中，在所述夹持状态中，所述关闭配置于所述支承表面产生第一外部磁场，并且
其中，在所述释放状态中，所述关闭配置于所述支承表面没有产生外部磁场或产生第二外部磁场，所述第二外部磁场小于所述第一外部磁场。
15.一种用以密封连接两个压力区域的开口的方法，包括：
改变一或多个第一永久磁铁的磁化成第一磁化，用以提供磁力来关闭所述开口，并且不改变一或多个第二永久磁铁的磁化，其中由所述一或多个第一永久磁铁和一或多个第二永久磁铁产生的磁场作用于密封装置的磁性材料，以提供吸引所述密封装置朝向所述开口的磁力，其中所述一或多个第一永久磁铁包括软磁材料或半硬磁材料，并且其中所述一或多个第二永久磁铁包括硬磁材料。
16.如权利要求15所述的方法，进一步包括：
改变所述一或多个第一永久磁铁的所述磁化成第二磁化，用以释放所述磁力。
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