KR102655323B1 - 마스크 수리 장치 및 마스크 수리 방법 - Google Patents

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Abstract

마스크 수리 장치는 스테이지, 상기 스테이지 상에 배치된 마스크의 입체 이미지를 측정하도록 구성된 입체 검사 장치, 상기 입체 이미지를 상기 마스크의 정상 이미지와 비교하여 상기 마스크의 결함 이미지를 생성하도록 구성된 제어부, 및 상기 제어부의 제어에 의해 상기 마스크의 결함부에 레이저를 조사하도록 구성된 레이저 유닛을 포함하고, 상기 제어부는, 상기 결함 이미지에 기초하여, 상기 레이저가 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 반복적으로 이동하면서 상기 결함부의 m개의 다층들에 단계적으로 조사되도록, 상기 레이저 유닛을 제어한다.

Description

마스크 수리 장치 및 마스크 수리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR REPAIRING MASK}
본 발명은 마스크 수리 장치 및 마스크 수리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고, 액정표시장치와 달리 별도의 광원부를 요구하지 않는 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED)가 차세대 평판표시장치로 주목받고 있다. 유기발광 표시장치는 별도의 광원을 필요로 하지 않아, 경량화 및 박형으로 제작될 수 있다. 또한, 유기발광 표시장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도, 및 높은 반응 속도 등의 특성을 갖는다.
유기 발광 표시 장치는 애노드, 유기 발광층, 및 캐소드를 각각 포함하는 복수 개의 유기 발광 소자들을 포함한다. 애노드와 캐소드로부터 각각 정공 및 전자가 유기 발광층에 주입되어 여기자(exciton)가 형성되고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서 유기 발광 소자가 발광된다.
유기 발광 소자들의 제조시 마스크가 기판 상에 배치되고, 마스크의 개구부들을 통해 유기 발광층들을 형성하기 위한 유기 물질이 기판 상에 제공된다. 기술 발달과 함께 고 해상도의 표시 장치가 요구됨에 따라서, 표시 장치의 유기 발광 소자들의 개수가 많아지고 있다.
유기 발광 소자들의 개수가 많아짐에 따라 유기 발광층들의 제조시 사용되는 마스크의 개구부들의 개수도 많아지고 있다. 그러나, 마스크의 개구부들이 많아짐에 따라 보다 정밀하게 개구부들을 형성하기 어려운 문제점이 있어 마스크의 불량률이 증가하고 있다.
본 발명의 목적은 마스크의 불량 개구부들을 정밀하게 수리할 수 있는 마스크 수리 장치 및 마스크 수리 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 마스크 수리 장치는 스테이지, 상기 스테이지 상에 배치된 마스크의 입체 이미지를 측정하도록 구성된 입체 검사 장치, 상기 입체 이미지를 상기 마스크의 정상 이미지와 비교하여 상기 마스크의 결함 이미지를 생성하도록 구성된 제어부, 및 상기 제어부의 제어에 의해 상기 마스크의 결함부에 레이저를 조사하도록 구성된 레이저 유닛을 포함하고, 상기 제어부는, 상기 결함 이미지에 기초하여, 상기 레이저가 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 반복적으로 이동하면서 상기 결함부의 m개의 다층들에 단계적으로 조사되도록, 상기 레이저 유닛을 제어한다.
본 발명의 실시 예에 따른 마스크 수리 방법은 복수 개의 개구부들이 정의된 마스크의 입체 이미지를 생성하는 단계, 상기 입체 이미지를 상기 마스크의 정상 이미지와 비교하여 상기 마스크의 결함 이미지를 생성하는 단계, 및 상기 결함 이미지에 기초하여, 상기 마스크의 결함부에 레이저를 조사하여 상기 결함부를 제거하는 단계를 포함하고, 상기 레이저는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 반복적으로 이동하면서 상기 결함부의 m개의 다층들에 단계적으로 조사되어 상기 m개의 다층들이 단계적으로 제거된다.
본 발명의 실시 예에 따른 마스크 수리 방법은 스테이지 상에 복수 개의 개구부들이 정의된 마스크를 배치하는 단계, 상기 마스크의 입체 이미지를 생성하고 상기 입체 이미지를 n개의 제1 다층 이미지들로 구분하는 단계, 상기 n개의 제1 다층 이미지들과 상기 마스크의 정상 이미지의 n개의 제2 다층 이미지들을 비교하여 m개의 다층 결함 이미지들을 생성하는 단계, 및 상기 m개의 다층 결함 이미지들에 기초하여, 상기 마스크의 결함부의 m개의 다층들을 단계적으로 제거하는 단계를 포함하고, 상기 m개의 다층들은 상기 m개의 다층 결함 이미지들에 각각 대응한다.
본 발명의 실시 예에 따른 마스크 수리 장치 및 마스크 수리 방법은 마스크의 결함부들을 보다 세밀하게 제거함으로써, 마스크의 불량 개구부들을 정밀하게 수리할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 마스크 수리 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 마스크의 평면 구조를 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 마스크의 개구부들 중 불량 개구부들을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 I-I'선의 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 입체 이미지 측정부의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 입체 이미지 측정부에서 측정된 입체 이미지를 보정하는 제어부의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 7 내지 9는 입체 이미지와 정상 이미지를 비교하여 결함 이미지를 생성하는 제어부의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 도면들이다.
도 10 내지 도 16은 레이저를 이용한 마스크의 수리 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 17은 제2 결함부의 제거 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 제3 결함부의 제거 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 19은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 레이저의 이동을 보여주는 도면이다.
도 20은 정상 개구부를 통해 기판에 제공된 증착 물질을 도시한 도면이다.
도 21은 불량 개구부를 통해 기판에 제공된 증착 물질을 도시한 도면이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의됩니다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들이 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 마스크 수리 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 마스크 수리 장치(MRA)는 스테이지(STG), 입체 이미지 측정부(3D), 레이저 유닛(LU), 및 제어부(CP)를 포함할 수 있다.
수리 대상의 마스크(MK)는 스테이지(STG) 상에 배치될 수 있다. 마스크(MK)는 금속 물질을 포함하며, 파인 메탈 마스크(FMM: Fine Metal Mask)로 정의될 수 있다. 마스크(MK)는 막대 형상을 갖고, 마스크(MK)에는 복수 개의 개구부들이 정의뒬 수 있다. 마스크(MK)의 구체적인 형상은 이하 상세히 설명될 것이다.
입체 이미지 측정부(3D)는 마스크(MK) 상에 배치되어 마스크(MK)의 3차원 표면 형상을 측정할 수 있다. 입체 이미지 측정부(3D)로서 다양한 비접촉식 측정 장치가 사용될 수 있다. 예를 들어, 광위상 천이 간섭계(Phase Shifting Interferometry) 측정장치, 백색광 주사 간섭계(White-Light Scanning Interferometry) 측정 장치, 또는 동초점 주사 현미경(Confocal Scanning Microscope) 측정 장치 등이 사용될 수 있다.
입체 이미지 측정부(3D)는 마스크(MK)에 광(L)을 조사하여 마스크(MK)의 표면 형상을 측정할 수 있다. 마스크(MK)의 표면 형상은 마스크(MK)의 표면의 입체 이미지로 정의될 수 있다. 입체 이미지 측정부(3D)에서 측정된 마스크(MK)의 입체 이미지는 제어부(CP)에 제공될 수 있다.
제어부(CP)는 마스크(MK)의 입체 이미지와 마스크(MK)의 정상 이미지를 비교하고, 비교 결과로서 마스크(MK)의 결함부들에 대응하는 결함 이미지들을 생성할 수 있다. 제어부(CP)는 결함 이미지들에 기초하여 마스크(MK)의 결함부들에 레이저(LAR)가 조사되도록 레이저 유닛(LU)의 이동을 제어할 수 있다.
레이저 유닛(LU)은 레이저(LAR)를 생성하고, 제어부(CP)의 제어에 따라 마스크(MK)의 결함부들에 레이저(LAR)를 조사할 수 있다. 레이저 유닛(LU)은 제1 방향 및 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 반복적으로 이동하면서 레이저(LAR)를 마스크(MK)의 결함부들에 조사할 수 있다. 이러한 동작은 이하 상세히 설명될 것이다. 마스크(MK)의 결함부들이 레이저(LAR)에 의해 제거됨으로써, 마스크(MK)가 수리될 수 있다.
입체 이미지 측정부(3D), 레이저 유닛(LU), 및 제어부(CP)의 보다 구체적인 동작들은 이하 상세히 설명될 것이다.
도 2는 도 1에 도시된 마스크의 평면 구조를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 마스크(MK)는 제1 방향(DR1)으로 연장하는 막대 형상을 가질 수 있다. 마스크(MK)는 복수 개의 개구 그룹들(OPG)을 포함하고, 개구 그룹들(OPG) 각각에는 복수 개의 개구부들(OP)이 정의될 수 있다.
개구부들(OP)은 정상 개구부들 및 불량 개구부들을 포함할 수 있다. 불량 개구부들은 이하 도 3 및 도 4에서 상세히 설명될 것이다. 예시적으로 개구부들(OP)은 매트릭스 형태로 배열되었으나, 개구부들(OP)의 배열 형태는 이에 한정되지 않는다.
제1 방향(DR1)으로 서로 대향하는 마스크(MK)의 양측들 각각에 홈(G)이 정의될 수 있다. 제1 방향(DR1)과 교차하는 방향은 제2 방향(DR2)으로 정의될 수 있다.
예시적으로 3개의 개구 그룹들(OPG)이 도시되었으나, 개구 그룹들(OPG)의 개수는 이에 한정되지 않는다. 복수 개의 기판들이 개구 그룹들(OPG)에 각각 배치되고, 개구 그룹들(OPG)의 개구부들(OP)을 통해 유기 발광층들을 형성하기 위한 유기 물질이 기판들 상에 증착될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 마스크의 제1 영역(A1)의 확대도이다. 도 4는 도 3에 도시된 I-I'선의 단면도이다.
예시적으로, 도 3에는 불량 개구부들(E_OP1,E_OP2,E_OP3)이 정의된 마스크(MK)의 제1 영역이 확대되어 도시되었다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 개구부들(OP)은 정상 개구부들(N_OP) 및 불량 개구부들(E_OP1,E_OP2,E_OP3)을 포함할 수 있다. 정상 개구부들(N_OP)은 원형 형상을 가질 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 정상 개구부들(N_OP)은 타원형, 직사각형, 및 마름모 형상 등 다양한 형상들을 가질 수 있다.
정상 개구부들(N_OP) 각각의 폭은 마스크(MK)의 제1 면(S1)에서부터 제1 면(S1)의 반대면인 마스크(MK)의 제2 면(S2)으로 갈수록 커질 수 있다. 제2 면(S2)은 제1 면(S1)보다 위에 배치될 수 있다. 폭은 수평한 방향을 기준으로 측정되는 수치일 수 있다. 마스크(MK)의 제1 면(S1)에 정의된 제1 개구부(OP1)의 폭은 마스크(MK)의 제2 면(S2)에 정의된 제2 개구부(OP2)의 폭보다 작을 수 있다.
불량 개구부들(E_OP1,E_OP2,E_OP3)은 정상 개구부들(N_OP)과 다른 형상을 가질 수 있다. 마스크(MK)는 불량 개구부들(E_OP1,E_OP2,E_OP3)을 정의하는 결함부들(DFT1,DFT2,DFT3)을 포함할 수 있다.
결함부들(DFT1,DFT2,DFT3)은, 불량 개구부들(E_OP1,E_OP2,E_OP3)을 정의하는 마스크(MK)의 부분들에서, 정상 개구부들(N_OP)을 정의하는 마스크(MK)의 부분들과 다른 형상을 갖는 마스크(MK)의 부분들로 정의될 수 있다. 예를 들어, 불량 개구부들(E_OP1,E_OP2,E_OP3)에 정상 개구부들(N_OP)의 형상을 중첩했을 때, 차이나는 부분이 결함부들(DFT1,DFT2,DFT3)로 정의될 수 있다.
예시적으로, 도 4에 도시된 제1 및 제2 불량 개구부들(E_OP1,E_OP2)에서 정상 개구부들(N_OP)의 형상에 대응하는 영역은 점선으로 도시되었다.
불량 개구부들(E_OP1,E_OP2,E_OP3) 각각의 크기는 정상 개구부들(N_OP) 각각의 크기보다 작을 수 있다. 불량 개구부들(E_OP1,E_OP2,E_OP3)은 원형이 아닌 다른 형상을 가지거나, 정상 개구부들(N_OP)보다 작은 지름을 갖는 원형 형상을 가질 수 있다.
불량 개구부들(E_OP1,E_OP2,E_OP3)은 제1 불량 개구부(E_OP1), 제2 불량 개구부(E_OP2), 및 제3 불량 개구부(E_OP3)를 포함할 수 있다. 제1 방향(DR1)으로 돌출된 제1 결함부(DFT1)에 의해 제1 불량 개구부(E_OP1)가 정의될 수 있다.
제2 결함부(DFT2)는 정상 개구부들(N_OP)보다 작은 원형 형상을 갖는 제2 불량 개구부(E_OP2)를 정의할 수 있다. 제2 방향(DR2)으로 돌출된 제3 결함부(DFT3)에 의해 제3 불량 개구부(E_OP3)가 정의될 수 있다. 제3 결함부(DFT3)는 돌출되는 방향만 다를 뿐 실질적으로 제2 결함부(DFT2)와 유사한 단면 구조를 가질 수 있다.
예시적으로, 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)로 각각 돌출된 제1 및 제3 결함부들(DFT1,DFT3)이 설명되었으나, 이에 한정되지 않고, 마스크(MK)는 다양한 방향으로 돌출된 결함부들을 포함할 수 있다. 또한, 정상 개구부들(N_OP)보다 작은 제2 불량 개구부(E_OP2)를 정의하는 제2 결함부(DFT2)가 설명되었으나, 이에 한정되지 않고, 정상 개구부(N_OP)가 형성되어야할 영역이 폐쇄되어 개구부(OP) 자체가 형성되지 않을 수도 있다.
도 5는 도 1에 도시된 입체 이미지 측정부의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 도면이다.
설명의 편의를 위해, 도 5는 도 4에 대응하는 단면으로 도시되었다. 이하, 예시적으로, 제1 불량 개구부(E_OP1), 제2 불량 개구부(E_OP2), 및 정상 개구부(N_OP)를 정의하는 마스크(MK)의 부분에 대한 입체 이미지 측정 동작이 설명될 것이다.
도 5를 참조하면, 입체 이미지 측정부(3D)는 마스크(MK) 상에 배치되어 마스크(MK) 위를 이동하면서, 마스크(MK)에 광(L)을 조사할 수 있다. 입체 이미지 측정부(3D)는 마스크(MK)에 광을 조사하여 마스크(MK)의 입체 이미지를 측정할 수 있다.
마스크(MK) 위에서 마스크(MK)를 바라봤을 때, 노출되는 마스크(MK)의 면(ES)(이하 노출면이라 칭함)이 마스크(MK)의 표면의 입체 이미지로서 측정될 수 있다. 설명의 편의를 위해, 도 5에서 마스크(MK)의 노출면(ES)은 마스크(MK)의 다른 면보다 굵은 선으로 도시되었다.
광(L)은 마스크(MK) 위에서 마스크(MK)를 향해 제공되므로, 마스크(MK)의 노출면(ES)에 광(L)이 조사될 수 있다. 입체 이미지 측정부(3D)는 광(L)이 조사된 노출면(ES)의 입체 이미지를 측정할 수 있다.
돌출된 구조를 갖는 제1 결함부(DFT1)는 상부로 노출되는 상면(US) 및 상부로 노출되지 않는 하면(LS)을 포함할 수 있다. 상면(US)은 광(L)에 노출되고 하면(LS)은 광(L)에 노출되지 않을 수 있다.
상면(US)과 하면(LS) 사이의 경계는 제1 결함부(DFT1)의 테두리(EG)로 정의될 수 있다. 테두리(EG)는 마스크(MK)의 제1 면(S1)과 같은 높이에 배치되지 않을 수 있다. 예를 들어, 테두리(EG)는 마스크(MK)의 제1 면(S1)과 제2 면(S2) 사이에 배치될 수 있다.
광(L)에 노출되는 제1 결함부(DFT1)의 상면(US)은 입체 이미지로서 측정될 수 있다. 광(L)에 노출되지 않는 제1 결함부(DFT1)의 하면(LS)은 입체 이미지로서 측정되지 않을 수 있다.
도시하지 않았으나, 제3 불량 개구부(E_OP3)를 정의하는 마스크(MK)의 부분의 입체 이미지는 제1 불량 개구부(E_OP1)를 정의하는 마스크(MK)의 부분과 동일하게 측정될 수 있다.
도 6은 도 5에 도시된 입체 이미지 측정부에서 측정된 입체 이미지를 보정하는 제어부의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 광(L)에 노출된 마스크의 노출면(ES)이 입체 이미지로서 측정되어 제어부(CP)에 제공될 수 있다. 그러나, 제1 결함부(DFT1)의 하면(LS)은 입체 이미지로서 측정되지 않을 수 있다.
제어부(CP)는 제1 결함부(DFT1)의 입체 이미지를 보정할 수 있다. 제어부(CP)는 광(L)에 노출되지 않아, 입체 이미지로서 측정되지 않은 제1 결함부(DFT1)의 하면(LS)에 대해 임의의 가상 이미지를 생성하여 적용할 수 있다.
제어부(CP)는 측정된 입체 이미지를 분석하여 제1 결함부(DFT1)의 테두리(EG)가 제1 면(S1)과 제2 면(S2) 사이에 배치될 때, 테두리(EG)부터 마스크(MK)의 하부까지 수직한 가상의 측면(VS)으로 설정할 수 있다.
가상의 측면(VS)의 하단은 마스크(MK)의 제1 면(S1)과 연결될 수 있다. 제어부(CP)는 입체 이미지 측정부(3D)에서 측정된 입체 이미지와 가상의 측면(VS)을 조합하여 제1 결함부(DFT1)의 입체 이미지를 생성할 수 있다. 예시적으로 제1 결함부(DFT1)의 입체 이미지에 대한 보정 동작이 설명되었으나, 제3 결함부(DFT3)의 입체 이미지도 제1 결함부(DFT1)와 동일하게 보정될 수 있다.
제2 결함부(DFT2)의 상면과 하면 사이의 경계로 정의되는 제2 결함부(DFT2)의 테두리는 마스크(MK)의 제1 면(S1)과 중첩하므로, 제1 결함부(DFT1)와 달리 제2 결함부(DFT2)에 대한 가상의 측면(VS)은 생성되지 않을 수 있다. 또한, 정상 개구부(E_OP)에 대한 가상의 측면(VS)은 생성되지 않을 수 있다.
도 7 내지 9는 입체 이미지와 정상 이미지를 비교하여 결함 이미지를 생성하는 제어부의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 도면들이다.
예시적으로 제1 결함부(DFT1)에 대한 결함 이미지를 생성하기 위한 동작이 설명될 것이다.
도 7을 참조하면, 제어부(CP)는 입체 이미지(IMG)를 n개의 제1 다층 이미지들(IMG1~IMGn)로 구분할 수 있다. n은 자연수이다. 예를 들어, 제어부(CP)는 제1 결함부(DFT1)의 입체 이미지를 보정한 후, 제1 불량 개구부(E_OP1)를 정의하는 마스크(MK)의 부분에 대한 입체 이미지(IMG)를 n개의 제1 다층 이미지들(IMG1~IMGn)로 구분할 수 있다.
n개의 제1 다층 이미지들(IMG1~IMGn)은 n개로 구분된 제1 결함부(DFT1)의 입체 이미지들(IDFT1~IDFTn) 및 n개로 구분된 개구 이미지들(IOP1~IOPn)을 포함할 수 있다. k 번째 이미지(IMGk)는 도 6에 도시된 제1 결함부(DFT1)의 테두리(EG)에 대응하는 이미지일 수 있다. k는 자연수이다.
n개의 제1 다층 이미지들(IMG1~IMGn) 각각은 0.5마이크로미터 두께에 대응하는 이미지일 수 있다. 두께는 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)에 의해 정의된 평면에 수직한 방향을 기준으로 측정된 수치일 수 있다. 예시적으로 마스크(MK)가 20 마이크로미터의 두께를 가질 경우, n은 40일 수 있다.
도 8을 참조하면, 제어부(CP)는 마스크(MK)의 정상 이미지(N_IMG)를 n개의 제2 다층 이미지들(N_IMG1~N_IMGn)로 구분할 수 있다. 마스크(MK)의 정상 이미지(N_IMG)는 정상 개구부(N_OP)를 정의하는 마스크(MK)의 부분과 같은 형상을 갖는 이미지일 수 있다.
n개의 제2 다층 이미지들(N_IMG1~N_IMGn)은 n개의 제1 다층 이미지들(IMG1~IMGn)에 각각 대응할 수 있다. 도시하지 않았으나, 제어부(CP)는 n개의 제2 다층 이미지들(N_IMG1~N_IMGn)을 포함하는 정상 이미지(N_IMG)를 저장한 저장 소자를 포함할 수 있다.
도 7, 도 8, 및 도 9를 참조하면, 제어부(CP)는 입체 이미지(IMG)와 정상 이미지(N_IMG)를 비교하여 결함 이미지(IDT)를 생성할 수 있다. 결함 이미지(IDT)는 m개의 다층 결함 이미지들(IDT1~IDTm)을 포함할 수 있다.
제어부(CP)는 도 7에 도시된 n개의 제1 다층 이미지들(IMG1~IMGn)과 도 8에 도시된 n개의 제2 다층 이미지들(N_IMG1~N_IMGn)을 비교하여 m개의 다층 결함 이미지들(IDT1~IDTm)을 생성할 수 있다. m은 n보다 작거나 같은 자연수이다.
제어부(CP)는 n개의 제1 다층 이미지들(IMG1~IMGn)의 영역에서 n개의 제2 다층 이미지들(N_IMG1~N_IMGn)의 영역을 뺄수 있다. 예를 들어, 제어부(CP)는 n개의 제1 다층 이미지들(IMG1~IMGn)에서 n개의 제2 다층 이미지들(N_IMG1~N_IMGn)에 해당하는 부분을 제거할 수 있다. 따라서, m개의 다층 결함 이미지들(IDT1~IDTm)이 남겨질 수 있다.
이러한 동작에 의해 제어부(CP)는 제1 결함부(DFT1)에 대한 m개의 다층 결함 이미지들(IDT1~IDTm)을 생성할 수 있다. m개의 다층 결함 이미지들(IDT1~IDTm)은 m개의 층들로 구분된 이미지들일 수 있다. m개의 다층 결함 이미지들(IDT1~IDTm)은 상부에서 하부를 향해 순차로 적층된 제1 내지 제m 결함 이미지들(IDT1~IDTm)을 포함할 수 있다.
도시하지 않았으나, 정상 개구부(N_OP)를 정의하는 마스크(MK)의 n개의 제1 다층 이미지들은 n개의 제2 다층 이미지들(N_IMG1~N_IMGn)과 동일한 형상을 가질 수 있다. 따라서, 잔존하는 이미지는 존재하지 않을 수 있다.
도시하지 않았으나, 제2 불량 개구부(E_OP2)를 정의하는 마스크(MK)의 입체 이미지에서 n개의 제2 다층 이미지들(N_IMG1~N_IMGn)에 해당하는 부분이 제거되어 제2 결함부(DFT2)에 대한 m개의 다층 결함 이미지들이 생성될 수 있다. 같은 방식으로, 제3 불량 개구부(E_OP3)를 정의하는 제3 결함부(DFT3)에 대한 m개의 다층 결함 이미지들이 생성될 수 있다.
제1 결함부(DFT1)는 제1 면(S1)부터 제2 면(S2)까지 배치될 수 있다. 따라서, m개의 다층 결함 이미지들(IDT1~IDTm)의 개수는 n개의 제1 다층 이미지들(IMG1~IMGn)의 개수와 같을 수 있다. 즉, m개의 다층 결함 이미지들(IDT1~IDTm)의 개수 n개일 수 있다.
그러나, 다른 실시 예에서 제1 결함부(DFT1)보다 작은 크기를 갖는 결함부가마스크(MK)의 하부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 결함부는 k 번째 결함 이미지부터 m 번째 결함 이미지에 해당하는 층들에 배치될 수 있다. 이러한 경우, m개의 다층 결함 이미지들의 개수는 n보다 작을 수 있다.
도 10 내지 도 16은 레이저를 이용한 마스크의 수리 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
예시적으로, 제1 결함부(DFT1)를 제거하기 위한 제어부(CP) 및 레이저 유닛(LU)의 동작이 설명될 것이다. 도 10은 제1 불량 개구부(E_OP1)를 정의하는 마스크(MK)의 부분의 평면을 확대하여 도시하였으며, 도 11 내지 도 16은 제1 결함부(DFT1)의 단면을 도시하였다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 제어부(CP)는 m개의 결함 이미지들(IDT1~IDTm)에 기초하여 레이저 유닛(LU)의 동작을 제어할 수 있다. 레이저 유닛(LU)은 제어부(CP)의 제어에 따라 제1 결함부(DFT1)에 레이저(LAR)를 조사할 수 있다.
제어부(CP)는 레이저 유닛(LU)을 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 반복적으로 이동시킬 수 있다. 레이저 유닛(LU)의 이동에 따라, 레이저(LAR)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 반복적으로 이동하면서, 제1 결함부(DFT1)에 조사될 수 있다.
제1 결함부(DFT1)는 m개의 결함 이미지들(IDT1~IDTm)에 대응하는 m개의 다층들(L1~Lm)로 구분될 수 있다. m개의 다층들(L1~Lm)은 제1 내지 제m 결함 이미지들(IDT1~IDTm)에 각각 대응하는 제1 내지 제m 층들(L1~Lm)을 포함할 수 있다.
제어부(CP)는 m개의 다층 결함 이미지들(IDT1~IDTm)에 기초하여 레이저(LAR)가 제1 결함부(DFT1)의 m개의 다층들(L1~Lm)에 단계적으로 조사되도록 레이저 유닛(LU)을 제어할 수 있다. 레이저(LAR)는 제1 내지 제m 다층들(L1~Lm) 중 최상층인 제1 층(L1)부터 제1 내지 제m 다층들(L1~Lm)에 단계적으로 조사될 수 있다.
제어부(CP)는 제1 결함 이미지(IDT1)에 기초하여, 제1 결함 이미지(IDT1)에 대응하는 제1 층(L1)에 레이저(LAR)가 가장 먼저 조사되도록, 레이저 유닛(LU)을 제어할 수 있다. 따라서, 제1 층(L1)에 레이저(LAR)가 조사되어 제1 층(L1)이 가장 먼저 제거될 수 있다.
레이저(LAR)의 스팟의 지름은 0보다 크거나 같고 20 마이크로미터(μm)보다 작거나 같을 수 있다. 레이저(LAR)의 파장은 500 나노미터(nm) 내지 550 나노미터(nm)일 수 있다. 레이저(LAR)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 중 제1 방향(DR1)으로 더 길게 이동할 수 있다.
도 12를 참조하면, 제어부(CP)는 제2 결함 이미지(IDT2)에 기초하여, 제2 결함 이미지(IDT2)에 대응하는 제2 층(L2)에 레이저(LAR)가 조사되도록, 레이저 유닛(LU)을 제어할 수 있다. 따라서, 제2 층(L2)에 레이저(LAR)가 조사되어 제2 층(L2)이 제거될 수 있다.
도 13을 참조하면, 제어부(CP)는 제3 결함 이미지(IDT3)에 기초하여, 제3 결함 이미지(IDT3)에 대응하는 제3 층(L3)에 레이저(LAR)가 조사되도록, 레이저 유닛(LU)을 제어할 수 있다. 따라서, 제3 층(L3)에 레이저(LAR)가 조사되어 제3 층(L3)이 제거될 수 있다.
도 14를 참조하면, 제어부(CP)는 제k 결함 이미지(IDTk)에 기초하여, 제k 결함 이미지(IDTk)에 대응하는 제k 층(Lk)에 레이저(LAR)가 조사되도록, 레이저 유닛(LU)을 제어할 수 있다. 따라서, 제k 층(Lk)에 레이저(LAR)가 조사되어 제k 층(Lk)이 제거될 수 있다.
도 15를 참조하면, 제어부(CP)는 제k+1 결함 이미지(IDTk+1)에 기초하여, 제k+1 결함 이미지(IDTk+1)에 대응하는 제k+1 층(Lk+1)에 레이저(LAR)가 조사되도록, 레이저 유닛(LU)을 제어할 수 있다. 따라서, 제k+1 층(Lk+1)에 레이저(LAR)가 조사되어 제k+1 층(Lk+1)이 제거될 수 있다.
전술한 바와 같이, 입체 이미지(IMG)에 기초하여 결함 이미지들(IDT1~IDTm)이 생성되므로, 결함 이미지들(IDT1~IDTm)은 가상 측면(VS)을 포함할 수 있다. 레이저(LAR)는 결함 이미지들(IDT1~IDTm)에 기초하여 제1 결함부(DFT1)에 조사되므로, 가상 측면(VS)에 대응하는 영역까지 조사될 수 있다. 그러나, 가상 측면(VS)은 실제 마스크(MK)에서는 빈 공간이므로, 가상 측면(VS)에 대응하는 영역에 레이저(LAR)가 조사되더라도 마스크(MK)의 수리에는 영향을 미치지 않을 수 있다.
도 16을 참조하면, 제어부(CP)는 제m 결함 이미지(IDTm)에 기초하여, 제m 결함 이미지(IDTm)에 대응하는 제m 층(Lm)에 레이저(LAR)가 조사되도록, 레이저 유닛(LU)을 제어할 수 있다. 따라서, 제m 층(Lm)에 레이저(LAR)가 조사되어 제m 층(Lm)이 제거될 수 있다.
전술한 동작에 따라, 제1 내지 제m 다층들(L1~Lm)에 레이저(LAR)가 단계적으로 조사되어, 제1 내지 제m 다층들(L1~Lm)이 단계적으로 제거될 수 있다. 그 결과, 제1 결함부(DFT1)가 제거되어 제1 불량 개구부(E_OP1)는 정상 개구부(N_OP)로 수리될 수 있다.
본 발명의 실시 예에서, 레이저(LAR)가 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)로 반복적으로 이동하면서 제1 결함부(DFT1)에 제공되고, 제1 결함부(DFT1)가 다층들(L1~Lm)로 구분되어 단계적으로 제거될 수 있다. 따라서, 제1 결함부(DFT1)가 보다 세부적으로 제거됨으로써, 제1 불량 개구부(E_OP1)가 보다 정밀하게 정상 개구부(N_OP)로 수리될 수 있다.
도 17은 제2 결함부의 제거 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 18은 제3 결함부의 제거 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 레이저(LAR)가 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 반복적으로 이동하면서 제2 결함부(DFT2) 및 제3 결함부(DFT3)에 조사될 수 있다. 레이저(LAR)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 중 제1 방향(DR1)으로 더 길게 이동할 수 있다.
세부적인 제거 동작들이 도시되지 않았으나 제2 및 제3 결함부들(DFT2,DFT3)도 제1 결함부(DFT1)가 제거된 방법과 유사하게 m개의 다층들로 구분되어 최상층부터 단계적으로 제거될 수 있다. 따라서, 제2 및 제3 결함부들(DFT2,DFT3)이 보다 세부적으로 제거됨으로써, 제2 및 제3 불량 개구부들(E_OP2,E_OP3)이 보다 정밀하게 정상 개구부들(N_OP)로 수리될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 마스크(MK) 수리 장치 및 마스크(MK) 수리 방법은 마스크(MK)의 결함부들(DFT1,DFT2,DFT3)을 보다 세밀하게 제거함으로써, 마스크(MK)의 불량 개구부들(E_OP1,E_OP2,E_OP3)을 정밀하게 수리할 수 있다.
도 19는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 레이저의 이동을 보여주는 도면이다.
예시적으로, 도 19는 도 10에 대응하는 평면도로 도시하였다.
도 19를 참조하면, 레이저(LAR')는 제2 방향(DR2) 및 제1 방향(DR1)으로 반복적으로 이동하면서 제1 결함부(DFT1)에 제공될 수 있다. 레이저(LAR')는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 중 제2 방향(DR2)으로 더 길게 이동할 수 있다.
앞서 도 10에서 설명된 레이저(LAR')는 제1 방향(DR1)으로 더 길게 이동하였으나, 도 19에 도시된 레이저(LAR')는 이와 달리 제2 방향(DR2)으로 더 길게 이동할 수 있다. 레이저(LAR')의 이동 방향을 제외하면, 제1 결함부(DFT1)가 제거되는 동작은 실질적으로 도 10 내지 도 16에서 설명된 제1 결함부(DFT1)의 제거 동작과 동일할 것이다.
도 20은 정상 개구부를 통해 기판에 제공된 증착 물질을 도시한 도면이다. 도 21은 불량 개구부를 통해 기판에 제공된 증착 물질을 도시한 도면이다.
예시적으로 도 21에는 제1 결함부(DFT1)에 의해 정의된 제1 불량 개구부(E_OP1)가 도시되었다.
도 20을 참조하면, 제1 면(S1)과 마주보도록 기판(SUB)이 배치될 수 있다. 도가니(미도시됨)에서 기화된 증착 물질이 정상 개구부(N_OP)를 통해 기판(SUB) 상에 제공될 수 있다. 설명의 편의를 위해 기화된 증착 물질이 제공되는 방향은 점선 화살표로 도시되었다.
기판(SUB)은 유기 발광층이 배치되기 위한 유효 영역(VA)을 포함할 수 있다. 증착 물질이 제공된 기판(SUB)의 영역은 증착 영역(EA)으로 정의될 수 있다. 정상 개구부(N_OP)를 통해 증착 물질이 기판(SUB)에 제공될 때, 증착 물질이 제공된 증착 영역(EA)은 유효 영역(VA)에 일치할 수 있다. 따라서, 증착 물질이 정상적으로 유효 영역(VA)에 제공되어 기판(SUB)의 유효 영역(VA)에 유기 발광층(OL)이 형성될 수 있다.
정상 개구부(N_OP)의 폭은 하부에서 상부로 갈수록 커질 수 있다. 이러한 경우, 증착 영역(EA) 주변의 그림자 영역(SA)까지 증착 물질이 제공될 수 있다. 정상 개구부(N_OP)가 사용될 때, 그림자 영역(SA)은 공정상의 오차 범위 내로 설정될 수 있다.
도 21을 참조하면, 제1 불량 개구부(E_OP1)를 통해 증착 물질이 기판(SUB)에 제공될 때, 증착 물질이 제공된 증착 영역(EA')은 도 22에 도시된 증착 영역(EA)보다 작을 수 있다. 증착 물질이 정상적으로 기판(SUB)에 제공되지 않으므로, 증착 영역(EA')은 유효 영역(VA)보다 작을 수 있다. 따라서, 기판(SUB) 상에 불량 유기 발광층(OL')이 형성될 수 있다.
제1 결함부(DFT1)에 의해 증착 물질이 증착 영역(EA') 주변의 그림자 영역(SA')까지 제공될 수 있다. 그림자 영역(SA')은 도 22에 도시된 그림자 영역(SA')보다 크므로, 그림자 영역(SA')은 공정상의 오차 범위를 벗어날 수 있다. 예시적으로 제1 불량 개구부(E_OP1)가 설명되었으나, 제2 및 제3 불량 개구부들(E_OP2,E_OP3)에서도 유사한 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 실시 예에서, 불량 개구부들(E_OP1,E_OP2,E_OP3)이 보다 정밀하게 정상 개구부들(N_OP)로 수리됨으로서, 마스크(MK)를 사용한 증착 공정이 정상적으로 수행될 수 있다.
이상 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
MRA: 마스크 수리 장치 STG: 스테이지
3D: 입체 이미지 측정부 LU: 레이저 유닛
CP:제어부 MK: 마스크
OPG: 개구 그룹 OP: 개구부
E_OP1,E_OP2,E_OP3: 제1, 제2, 및 제3 불량 개구부
N_OP: 정상 개구부 OP1,OP2: 제1 및 제2 개구부
DFT1,DFT2,DFT3: 제1, 제2, 및 제3 결함부
S1,S2: 제1 및 제2 면 US,LS: 상면 및 하면
ES: 노출면 BD: 경계
IMG: 입체 이미지 N_IMG: 정상 이미지
IDT: 결함 이미지

Claims (20)

  1. 스테이지;
    상기 스테이지 상에 배치된 마스크의 입체 이미지를 측정하도록 구성된 입체 검사 장치;
    상기 입체 이미지를 상기 마스크의 정상 이미지와 비교하여 상기 마스크의 결함 이미지를 생성하도록 구성된 제어부; 및
    상기 제어부의 제어에 의해 상기 마스크의 결함부에 레이저를 조사하도록 구성된 레이저 유닛을 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 결함 이미지에 기초하여, 상기 레이저가 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 반복적으로 이동하면서 상기 결함부의 m개의 다층들에 단계적으로 조사되도록, 상기 레이저 유닛을 제어하고, m은 자연수인 마스크 수리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저의 스팟의 지름은 0보다 크거나 같고 20 마이크로미터보다 작거나 같은 마스크의 수리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저의 파장은 500 나노미터 내지 550 나노미터인 마스크 수리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크에 정의된 개구부들 중 정상 개구부들 각각의 폭은 상기 마스크의 제1 면에서부터 상기 제1 면의 반대면인 상기 마스크의 제2 면으로 갈수록 커지고, 상기 제2 면은 상기 제1 면보다 위에 배치되는 마스크 수리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 입체 이미지 측정부는 상기 마스크 상에 배치되고, 상기 마스크 위에서 상기 마스크를 바라봤을 때 노출되는 상기 마스크의 노출면의 입체 이미지를 측정하고,
    상기 제어부는 상기 측정된 입체 이미지에서 상기 결함부의 테두리가 상기 제1 면과 상기 제2 면 사이에 배치될 때, 상기 테두리부터 상기 마스크의 하부까지 수직한 가상의 측면으로 설정하는 마스크 수리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 입체 이미지를 n개의 제1 다층 이미지들로 구분하고, 상기 n개의 제1 다층 이미지들을 상기 정상 이미지의 n개의 제2 다층 이미지들과 비교하여, m개의 다층 결함 이미지들을 생성하고,
    상기 m개의 다층들은 상기 m개의 다층 결함 이미지들에 각각 대응하고, n은 자연수이고, m은 n보다 작거나 같은 자연수인 마스크 수리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 n개의 제1 다층 이미지들에서 상기 n개의 제2 다층 이미지들에 해당하는 부분을 제거하여 상기 m개의 다층 결함 이미지들을 생성하는 마스크 수리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 m개의 다층 결함 이미지들에 기초하여 상기 레이저가 상기 m개의 다층들에 단계적으로 조사되도록 상기 레이저 유닛을 제어하고,
    상기 레이저 유닛은 상기 레이저를 상기 m개의 다층들 중 최상층인 제1 층부터 상기 m개의 다층들에 단계적으로 조사하는 마스크 수리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 유닛은 상기 레이저를 상기 제1 및 제2 방향들 중 상기 제1 방향으로 더 길게 이동시키는 마스크 수리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 유닛은 상기 레이저를 상기 제1 및 제2 방향들 중 상기 제2 방향으로 더 길게 이동시키는 마스크 수리 장치.
  11. 복수 개의 개구부들이 정의된 마스크의 입체 이미지를 생성하는 단계;
    상기 입체 이미지를 상기 마스크의 정상 이미지와 비교하여 상기 마스크의 결함 이미지를 생성하는 단계; 및
    상기 결함 이미지에 기초하여, 상기 마스크의 결함부에 레이저를 조사하여 상기 결함부를 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 레이저는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 반복적으로 이동하면서 상기 결함부의 m개의 다층들에 단계적으로 조사되어 상기 m개의 다층들이 단계적으로 제거되고, m은 자연수인 마스크 수리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 마스크에 정의된 개구부들 중 정상 개구부들 각각의 폭은 상기 마스크의 제1 면에서부터 상기 제1 면의 반대면인 상기 마스크의 제2 면으로 갈수록 커지고, 상기 제2 면은 상기 제1 면보다 위에 배치되는 마스크 수리 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 마스크의 입체 이미지를 생성하는 단계는,
    상기 마스크 상에서 상기 마스크를 바라봤을때, 노출되는 상기 마스크의 노출면의 입체 이미지를 측정하는 단계; 및
    상기 측정된 입체 이미지에서 상기 결함부의 테두리가 상기 제1 면과 상기 제2 면 사이에 배치될 때, 상기 테두리부터 상기 마스크의 하부까지 수직한 가상의 측면으로 설정하여 상기 입체 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 마스크 수리 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 결함 이미지를 생성하는 단계는,
    상기 입체 이미지를 n개의 제1 다층 이미지들로 구분하는 단계; 및
    상기 n개의 제1 다층 이미지들을 상기 정상 이미지의 n개의 제2 다층 이미지들과 비교하여, m개의 다층 결함 이미지들을 생성하는 단계를 포함하고,
    상기 m개의 다층들은 상기 m개의 다층 결함 이미지들에 각각 대응하고, n은 자연수이고, m은 n보다 작거나 같은 자연수인 마스크 수리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 m개의 다층 결함 이미지들을 생성하는 단계는 상기 n개의 제1 다층 이미지들에서 상기 n개의 제2 다층 이미지들에 해당하는 부분을 제거하여 상기 m개의 다층 결함 이미지들을 생성하는 단계를 포함하는 마스크 수리 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 m개의 다층들은 상기 m개의 다층들 중 최상층부터 단계적으로 제거되는 마스크 수리 방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 레이저는 상기 제1 및 제2 방향들 중 어느 한 방향으로 더 길게 이동하는 마스크 수리 방법.
  18. 스테이지 상에 복수 개의 개구부들이 정의된 마스크를 배치하는 단계;
    상기 마스크의 입체 이미지를 생성하고 상기 입체 이미지를 n개의 제1 다층 이미지들로 구분하는 단계;
    상기 n개의 제1 다층 이미지들과 상기 마스크의 정상 이미지의 n개의 제2 다층 이미지들을 비교하여 m개의 다층 결함 이미지들을 생성하는 단계; 및
    상기 m개의 다층 결함 이미지들에 기초하여, 상기 마스크의 결함부의 m개의 다층들을 단계적으로 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 m개의 다층들은 상기 m개의 다층 결함 이미지들에 각각 대응하는 마스크 수리 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 m개의 다층들은 상기 m개의 다층들 중 최상층부터 단계적으로 제거되는 마스크 수리 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 m개의 다층들을 제거하는 단계는 레이저를 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 반복적으로 이동시키면서 상기 m개의 다층들에 단계적으로 조사하여 상기 m개의 다층들을 단계적으로 제거하는 단계를 포함하는 마스크 수리 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112764309A (zh) * 2021-02-07 2021-05-07 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 一种光罩的缺陷去除方法及装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5591675B2 (ja) 2010-12-06 2014-09-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5331421B2 (ja) * 2008-09-12 2013-10-30 オリンパス株式会社 レーザリペア装置およびレーザリペア方法
CN102053479B (zh) * 2009-10-28 2012-11-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光掩模缺陷的定位装置及定位方法
KR101162439B1 (ko) 2010-05-20 2012-07-04 임용근 3차원 스캐너용 측정 장치
JP5861494B2 (ja) 2012-02-23 2016-02-16 三菱マテリアル株式会社 レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2013176788A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Olympus Corp レーザ加工装置、レーザ加工方法およびレーザ加工プログラム
JP5958824B2 (ja) 2012-11-15 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法
KR102134363B1 (ko) * 2013-09-10 2020-07-16 삼성디스플레이 주식회사 메탈 마스크 제작 방법 및 이를 이용한 메탈 마스크
KR101553290B1 (ko) 2015-07-01 2015-09-16 (주)넥스틴 유기발광다이오드 표시장치의 기판 검사 및 리페어 시스템
KR102081191B1 (ko) 2016-06-24 2020-02-26 에이피시스템 주식회사 전주도금법을 이용한 미세 금속 마스크 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5591675B2 (ja) 2010-12-06 2014-09-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法

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