TWI690107B - 掩膜板及掩膜元件 - Google Patents

Abstract

本申請涉及一種掩膜板及掩膜元件，所述掩膜板包括掩膜板主體；設置於所述掩膜板主體上的至少一個子掩膜板，所述子掩膜板包括蒸鍍區和遮擋部；在所述子掩膜板的厚度方向上，所述蒸鍍區設置有貫穿所述子掩膜板的第一蒸鍍孔；所述遮擋部包括隔離區和虛設區，所述虛設區與顯示屏的異形區對應，所述隔離區位於所述虛設區與所述蒸鍍區之間，在所述子掩膜板的厚度方向上，所述虛設區設置有第二蒸鍍孔，所述第二蒸鍍孔貫穿所述子掩膜板，和/或所述虛設區開設有至少一個第一凹槽，所述第一凹槽的深度小於所述子掩膜板的厚度。如此，降低了遮擋部的應力集中，從而使掩膜板主體在張網過程中受力均勻，進一步降低了掩膜板主體在張網過程中的褶皺現象。

Description

掩膜板及掩膜元件

本申請涉及顯示技術領域，特別是涉及一種掩膜板及掩膜元件。

有機發光二極體（Organic Light-Emitting Diode，OLED）又稱為有機電雷射顯示或有機發光半導體。OLED具有驅動電壓低、主動發光、視角寬、效率高、回應速度快、易實現全彩色大面積壁掛式顯示和柔性顯示的許多特點而逐漸取代液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)顯示。

在OLED製造技術中，真空蒸鍍用的掩膜板是至關重要的部件，掩膜板可以控制有機材料沉積在基板上的位置。掩膜板主要包括通用金屬掩膜板（Common Metal Mask，CMM）及精密金屬掩膜板（Fine Metal Mask，FMM），CMM用於蒸鍍共通層，FMM用於蒸鍍發光層。

發明人發現，在異形顯示屏（即在顯示屏的一個側邊開槽或打孔的顯示單元）的製作過程中，採用現有技術中的掩膜板張網時容易出現褶皺，導致後續顯示屏像素蒸鍍位置精度降低。

基於此，本申請提供了一種掩膜板及掩膜元件，解決了掩膜板張網時易褶皺的問題，提高了後續顯示屏像素蒸鍍位置的精度。

為實現以上目的，本申請提供了一種掩膜板。該掩膜板包括：掩膜板主體，所述掩膜板主體具有蒸鍍面和玻璃面，所述蒸鍍面適於面向蒸鍍源地設置，所述玻璃面適於背向蒸鍍源地設置；設置於所述掩膜板主體上的至少一個子掩膜板，所述子掩膜板包括蒸鍍區和遮擋部；在所述子掩膜板的厚度方向上，所述蒸鍍區設置有貫穿所述子掩膜板的第一蒸鍍孔；所述遮擋部包括隔離區和虛設區，所述虛設區與顯示屏的異形區對應，所述隔離區位於所述虛設區與所述蒸鍍區之間，在所述子掩膜板的厚度方向上，所述虛設區設置有第二蒸鍍孔，所述第二蒸鍍孔貫穿所述子掩膜板，和/或所述虛設區開設有至少一個第一凹槽，所述第一凹槽的深度小於所述子掩膜板的厚度。

在其中一個實施例中，所述第二蒸鍍孔與所述第一蒸鍍孔的形狀相同。

在其中一個實施例中，所述第二蒸鍍孔包括沿所述子掩膜板的厚度方向設置且連通的第一半刻孔與第二半刻孔；其中，所述第一半刻孔設置於所述玻璃面，所述第二半刻孔設置於所述蒸鍍面，所述第一半刻孔從所述掩膜板主體靠近所述玻璃面的一端到遠離所述玻璃面的一端逐漸收攏，所述第二半刻孔從所述掩膜板主體靠近所述蒸鍍面的一端到遠離所述蒸鍍面的一端逐漸收攏且與所述第一半刻孔連通。

在其中一個實施例中，所述第一半刻孔的開口沿子掩膜板的厚度方向上的投影位於第二半刻孔的開口中。

在其中一個實施例中，所述第一凹槽設置於所述蒸鍍面或所述玻璃面。

在其中一個實施例中，所述第一凹槽包括第二凹槽與第三凹槽，所述第二凹槽設置於所述蒸鍍面，所述第三凹槽設置於所述玻璃面，沿所述子掩膜板的厚度方向上，所述第二凹槽的底壁與所述第三凹槽的底壁之間具有間距（不連通）。

在其中一個實施例中，所述第一凹槽的橫截面形狀為多邊形、圓形或橢圓形。

在其中一個實施例中，在所述子掩膜板的厚度方向上，所述隔離區開設有至少一個第四凹槽，所述第四凹槽的深度小於所述子掩膜板的厚度。

在其中一個實施例中，所述第四凹槽設置於所述蒸鍍面或所述玻璃面。

在其中一個實施例中，所述第四凹槽包括第五凹槽與第六凹槽，所述第五凹槽設置於所述蒸鍍面，所述第六凹槽設置於所述玻璃面，沿所述子掩膜板的厚度方向，所述第五凹槽的底壁與所述第六凹槽的底壁之間具有間距。

在其中一個實施例中，所述第五凹槽的深度大於或等於所述第六凹槽的深度。

在其中一個實施例中，所述第四凹槽的橫截面形狀為多邊形、圓形或橢圓形。

在其中一個實施例中，所述掩膜板主體在平面圖中具有第一中心線與第二中心線，所述第一中心線與所述第二中心線相垂直；所述掩膜板主體上設置有兩組所述子掩膜板，每組所述子掩膜板包括至少一個所述子掩膜板，每相鄰兩個所述子掩膜板之間具有間距，兩組所述子掩膜板關於所述第一中心線軸對稱，且兩組所述子掩膜板關於所述第二中心線軸對稱。

在其中一個實施例中，位於所述第二中心線同側的所述子掩膜板的所述遮擋部均背向或均面向所述第二中心線設置。

在其中一個實施例中，所述掩膜板主體上設置有多個子掩膜板，所述多個子掩膜板成排地設置或者成陣列地設置；所述掩膜板主體具有虛擬分割線，所述虛擬分割線將所述多個子掩膜板劃分為兩組子掩膜板，所述兩組子掩膜板包括：位於所述虛擬分割線一側的第一組子掩膜板和位於所述虛擬分割線另一側的第二組子掩膜板；所述第一組子掩膜板和所述第二組子掩膜板分別包括至少一個子掩膜板；所述第一組子掩膜板和所述第二組子掩膜板的各子掩膜板在面向所述虛擬分割線的那側分別設置有所述遮擋部；或者，所述第一組子掩膜板和所述第二組子掩膜板的各子掩膜板在背向所述虛擬分割線的那側分別設置有所述遮擋部。

在其中一個實施例中，所述虛擬分割線為虛擬直線。在其中一個實施例中，所述掩膜板主體上設置有多個子掩膜板，所述多個子掩膜板成排地設置或者成陣列地設置；在同一排的偶數個依次相鄰的所述子掩膜板形成多個依次相鄰的子組子掩膜板，每個所述子組子掩膜板均包括兩個相鄰設置的子掩膜板；其中，每個所述子組子掩膜板的兩個子掩膜板的相對的一側分別設置有所述遮擋部，相背的一側不設置所述遮擋部；或者，每個子組子掩膜板的兩個子掩膜板的相對的一側不設置所述遮擋部，相背的一側分別設置有所述遮擋部。

在其中一個實施例中，所述隔離區為與所述蒸鍍區的凹陷部輪廓線相匹配的虛設線。

一種掩膜元件，包括掩膜板框架、支撐條及至少一個如上所述的掩膜板，所述支撐條固定連接於所述掩膜板框架，至少一個所述掩膜板層疊設置於所述支撐條上，且與所述掩膜板框架固定連接。

在其中一個實施例中，所述隔離區為與所述蒸鍍區的凹陷部輪廓線相匹配的虛設線。

本申請提供的掩膜板與掩膜元件，將遮擋部劃分為兩部分，其中虛設區開設有第二蒸鍍孔和/或第一凹槽，當採用該掩膜板蒸鍍時，蒸鍍材料可以從第一蒸鍍孔與第二蒸鍍孔蒸鍍到基板上，第二蒸鍍孔和/或第一凹槽的設置，可以減輕遮擋部的重量，使遮擋部與蒸鍍區的重量差異小，降低了遮擋部的應力集中，從而使掩膜板主體在張網過程中受力均勻，進一步降低了掩膜板主體在張網過程中的褶皺現象。另外，在虛設區與蒸鍍區之間設置有隔離區，以便於對後續製作的顯示屏進行切割與封裝。

為了便於理解本申請，下面將參照相關所附圖式對本申請進行更全面的描述。所附圖式中給出了本申請的較佳實施例。但是，本申請可以以許多不同的形式來實現，並不限於本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本申請的公開內容的理解更加透徹全面。

正如背景技術中所述，採用現有技術中的掩膜板，容易出現張網時褶皺的問題，發明人研究發現，出現這種問題的根本原因在於，開槽顯示單元在製作過程中需要在相應位置進行開口，即在掩膜板上存在遮擋部，由於遮擋部與蒸鍍區的結構存在較大區別，例如在蒸鍍區設置有蒸鍍孔，而在遮擋部不設置有蒸鍍孔，導致遮擋部與蒸鍍區的重量（單位面積上的重量）差距大，應力容易集中在遮擋部。當應力在遮擋部集中時，在受力不均的驅使下會導致褶皺的發生。

基於此，參閱圖1、圖2及參閱圖6，本申請一實施例提供一種掩膜板100，包括掩膜板主體10，在掩膜板主體10上設置有至少一個子掩膜板101，子掩膜板101包括蒸鍍區12和遮擋部14，在子掩膜板101的厚度方向上，蒸鍍區12設置有貫穿子掩膜板101的第一蒸鍍孔122，蒸鍍區12用於蒸鍍顯示面板或者顯示屏，也即為蒸鍍區12的大小優選地正好與需要蒸鍍的顯示面板或顯示屏的大小相同。

在其他實施例中，蒸鍍區12的尺寸可以稍大於需要蒸鍍的顯示面板或顯示屏的尺寸，以便在掩膜板100上還可增設其他遮擋結構，以進一步的減小褶皺。

繼續參閱圖1與圖2，以及結合參閱圖6，遮擋部14包括虛設區142與隔離區144，虛設區142的形狀和位置對應異形顯示屏的異形區（異形區例如為開槽區或打孔區），隔離區144位於虛設區142與蒸鍍區12之間，在子掩膜板101的厚度方向上，虛設區142設置有第二蒸鍍孔1422，第二蒸鍍孔1422貫穿子掩膜板101。

如此，將遮擋部14劃分為兩部分，其中虛設區142開設有第二蒸鍍孔1422，當採用該掩膜板100蒸鍍時，蒸鍍材料可以從第一蒸鍍孔122與第二蒸鍍孔1422蒸鍍到基板上，第二蒸鍍孔1422的設置，可以減輕遮擋部14的重量，使遮擋部14與蒸鍍區12的重量差異小，降低了遮擋部14的應力集中，從而使掩膜板主體10在張網過程中受力均勻，進一步降低了掩膜板主體10在張網過程中出現的褶皺現象；同時在虛設區142與蒸鍍區12之間設置有隔離區144，以便於對後續製作的顯示屏進行切割與封裝。

在本實施例中，掩膜板主體10的形狀不受限定，如可以為規則的長方體狀或圓形，在其他實施例中，也可以選用其他不規則的形狀，如掩膜板主體10的相對的兩條邊為直線，另外相對的兩條邊為弧形的異形。且蒸鍍區12的形狀也不受限定，如可以為長方形，也可以為圓形。當蒸鍍區12為長方形時，凹陷部開（例如圖1中的由遮擋部14圍繞而成的部分）設於蒸鍍區12的一條邊或多條邊上。遮擋部14的形狀也不受限定，如可以為弧形遮擋部14，也可以為多邊形遮擋部14。

具體地，掩膜板主體10上具有兩組子掩膜板101，每組子掩膜板101包括至少一個子掩膜板101，每相鄰兩個子掩膜板101之間具有間距。掩膜板主體10具有第一中心線11與第二中心線13，第一中心線11與第二中心線13垂直，優選地，兩組子掩膜板101各自關於第一中心線11軸對稱，兩組子掩膜板101關於第二中心線13軸對稱。可以理解，在圖1至圖3中，位於第二中心線13左側的為一組（第一組）子掩膜板101，位於第二中心線13右側的為另一組（第二組）子掩膜板101。圖1和圖2中每組子掩膜板101各包括一個子掩膜板101。在圖3中，每組子掩膜板101各包括四個呈一橫排設置的子掩膜板101。當然，在其他實施例中，每組子掩膜板101還可以包括呈陣列形式（例如不少於兩排兩列）設置的子掩膜板101。

優選地，兩組子掩膜板101關於第一中心線11與第二中心線13均軸對稱設置，則位於第一中心線11與第二中心線13兩側的遮擋部14的數量相同，則此時掩膜板主體10在張網時第一中心線11與第二中心線13兩側受力均勻，進一步降低了遮擋部14位置的褶皺，張網精度得以提高，從而也使得後續顯示屏像素蒸鍍位置精度較高，且也提高了後續顯示屏的開口區（即異形區）的顯示效果。

在其中一個實施例中，繼續參閱圖1，如果設置第一方向（橫向或左右方向）與第一中心線11平行，第二方向（縱向或上下方向）與第二中心線13平行，掩膜板主體10在橫向上設置有一排子掩膜板101，當以圖1中的掩膜板主體10的左右兩邊中心的連線為第一中心線11，上下兩邊中心的連線為第二中心線13時，位於第二中心線13同側的子掩膜板101的遮擋部14均背向第二中心線13設置，或者可以說，位於第二中心線13同側的各個子掩膜板101上的遮擋部14均設置在各個子掩膜板101的遠離第二中心線13的那側。

在另一個實施例中，繼續參閱圖2，掩膜板主體10上橫向設置有一排子掩膜板101，當以圖2中的掩膜板主體10的左右兩邊中心的連線為第一中心線11，上下兩邊中心的連線為第二中心線13時，位於第二中心線13同側的子掩膜板101的遮擋部14均面向第二中心線13設置，或者可以說，位於第二中心線13同側的各個子掩膜板101上的遮擋部14均設置在各個子掩膜板101的靠近第二中心線13的那側。

在另一個實施例中，繼續參閱圖3，掩膜板主體10上橫向設置有一排子掩膜板101，當以圖3中的掩膜板主體10的左右兩邊中心的連線為第一中心線11，上下兩邊中心的連線為第二中心線13時，位於第二中心線13同側的一組子掩膜板101可以配置成包括至少一個子組子掩膜板101，每個子組子掩膜板101分別包括相鄰的兩個子掩膜板101，每個子組子掩膜板101的兩個子掩膜板101的遮擋部14優選地相對設置。

在又一個實施例中，參閱圖4，掩膜板主體10上以陣列的形式設置有多排子掩膜板101，也即，多個子掩膜板101形成多排（橫）多列（縱）的佈置形式。每一排子掩膜板101的多個子掩膜板101沿左右方向依次大體均勻地佈置，每相鄰兩排子掩膜板101之間的間隔大體均勻。當以圖4中的掩膜板主體10的左右兩邊中心的連線為第一中心線11，上下兩邊中心的連線為第二中心線13時，優選地，位於第二中心線13同側的子掩膜板101的遮擋部14均面向第二中心線13設置。在另一個實施例中，還可以將位於第二中心線13同側的子掩膜板101的遮擋部14設置成均背向第二中心線13，如此可以減少張網下垂量，以進一步改善張網褶皺。在另一實施例中，還可以設置每排中位於第二中心線13同側的子掩膜板101包括至少一個子組子掩膜板101，每個子組子掩膜板101分別包括相鄰的兩個子掩膜板101，每個子組子掩膜板101的兩個子掩膜板101的遮擋部14相對設置。

參閱圖5，在其他實施例中，當兩組子掩膜板101所包含的子掩膜板101的總和仍然為偶數個時，兩組子掩膜板101可以只相對於其中一條中心線對稱設置，當以圖5中的掩膜板主體10的左右兩邊中心的連線為第一中心線11（圖5中未示出），上下兩邊中心的連線為第二中心線13（圖5中未示出）時，此時兩組子掩膜板101只關於第一中心線11軸對稱，而關於第二中心線13並非軸對稱。在另一個實施例中，兩組子掩膜板101也可以只關於第二中心線13軸對稱，而關於第一中心線11並非軸對稱。

在其他實施例中，子掩膜板101的總數量可以選擇為奇數個，此時子掩膜板101只關於其中第一中心線和第二中心線中的一條中心線對稱，而關於另一條中心線非對稱。

在另一些實施例中，還可以設置兩組子掩膜板101關於第一中心線11與第二中心線13均不對稱設置。

在本實施例中，隔離區144可以為與蒸鍍區12的凹陷部輪廓線相匹配的虛設線，則此時虛設區142可以佔據整個遮擋部14。

在另一個實施例中，隔離區144佔據遮擋部14的一部分，即此時隔離區144不再單單是與蒸鍍區12的輪廓線相匹配的虛設線，而是一個實際存在的隔離區域，此時隔離區144佔據遮擋部14的比例不受限定，只要保證最後得到的顯示屏中與隔離區144相對應的切割區域的範圍，滿足切割時所需要的切割與封裝餘量即可。其中，隔離區144與蒸鍍區12的分界線理論上為對顯示屏進行切割操作以形成異形區時的切割邊界線。當隔離區144佔據遮擋部14的一部分時，在基板的與隔離區144對應的位置並不會有蒸鍍材料蒸鍍到基板上，當蒸鍍好後，在顯示屏的與掩膜板100的隔離區144對應的位置進行切割與封裝即可（即將顯示屏的與虛設區142對應的部分切割掉），由於對應隔離區144沒有蒸鍍材料存在，則不會導致水氧入侵，後期的封裝效果好。

繼續參閱圖6，在本實施例中，第一蒸鍍孔122與第二蒸鍍孔1422的形狀大體相同，且當第一蒸鍍孔122與第二蒸鍍孔1422均為多個時，第二蒸鍍孔1422在虛設區142的排布與第一蒸鍍孔122在蒸鍍區12的排布方式優選地相同，也即為除去隔離區144外，虛設區142與蒸鍍區12可以看做一個整體，多個第一蒸鍍孔122與多個第二蒸鍍孔1422相互之間具有間距地設置於該整體上。

具體地，上述排布方式即為在第一方向和/或在第二方向上，第二蒸鍍孔1422在虛設區142的排布，與第一蒸鍍孔122在蒸鍍區12的排布大體相同。例如，第一蒸鍍孔122成排設置於蒸鍍區12，第二蒸鍍孔1422為成排設置的第一蒸鍍孔122的延伸，且每排上的每相鄰兩個第二蒸鍍孔1422之間的間距與每排上每相鄰兩個第一蒸鍍孔122之間的間距相同；同時，第一蒸鍍孔122成列設置於蒸鍍區12，且每列上每相鄰兩個第二蒸鍍孔1422之間的間距與每列上每相鄰兩個第一蒸鍍孔122之間的間距相同。

在其他實施例中，第一蒸鍍孔122與第二蒸鍍孔1422的形狀與排布方式也可以選擇不同，可以根據實際需要設定，在此不作限定。如可以設置每排上的每相鄰兩個第二蒸鍍孔1422之間的間距與每排上每相鄰兩個第一蒸鍍孔122之間的間距不同，或者設置每列上每相鄰兩個第二蒸鍍孔1422之間的間距與每列上每相鄰兩個第一蒸鍍孔122之間的間距不同。

同時，可以理解的是，一個子掩膜板101上的第一蒸鍍孔122與第二蒸鍍孔1422的數量均可以為一個。

在一種實施例中，第一蒸鍍孔122包括沿蒸鍍區12的厚度方向設置且連通的第一半刻孔1222與第二半刻孔1224，第二蒸鍍孔1422也包括沿虛設區142的厚度方向設置且連通的第一半刻孔1222與第二半刻孔1224，即蒸鍍孔分別從玻璃面16與蒸鍍面18採用兩次半刻蝕（etching）的方式形成，可以保證形成的蒸鍍孔的邊緣較光滑，使後續有機材料的蒸鍍效果較好。雖然在本實施例中，沿子掩膜板101的厚度方向上，第一半刻孔1222與第二半刻孔1224的縱向截面形狀不同，但是在其他實施例中，第一板刻孔1222與第二半刻孔1224的縱向截面的形狀可以相同。

優選地，第一半刻孔1222設置於掩膜板主體10的玻璃面16，第二半刻孔1224設置於掩膜板主體10的蒸鍍面18，其中玻璃面18為掩膜板主體10遠離蒸鍍源的面，蒸鍍面18為掩膜板主體10靠近蒸鍍源的面，第一半刻孔1222從靠近玻璃面16的一端到遠離玻璃面16的一端逐漸收攏，第二半刻孔1224從靠近蒸鍍面18的一端到遠離蒸鍍面18的一端逐漸收攏，最後第一半刻孔1222與第二半刻孔1224在掩膜板主體10沿厚度方向上的大體中心位置處連通。優選地，第二半刻孔1224的開口（即第二半刻孔1224相對於蒸鍍面18的開口）大小包覆第一半刻孔1222的開口（即第一半刻孔1222相對於玻璃面16的開口）大小，以保證從第一半刻孔1222進入第一蒸鍍孔122的蒸鍍材料可以填充滿第一半刻孔1222。也即，第一半刻孔1222的開口在沿子掩膜板101的厚度方向（也是掩膜板主體10的厚度方向）上的投影可以完全位於第二半刻孔1224的開口中。

優選地，在本實施例中，第一半刻孔1222與第二半刻孔1224的橫截面形狀（與紙面垂直方向的截面形狀）均為矩形，但是在其他實施例中，第一半刻孔1222與第二半刻孔1224的橫截面形狀可以選擇為圓形或橢圓形。

在其他實施例中，參閱圖7至圖9，在子掩膜板101的厚度方向上，虛設區142設置有至少一個第一凹槽1421，第一凹槽1421的深度小於子掩膜板101的厚度。

如此，由於遮擋部14被劃分為了兩部分，其中虛設區142設有第一凹槽1421，第一凹槽1421的設置，可以減輕遮擋部14的重量，使遮擋部14與蒸鍍區12的重量差異小，降低了遮擋部14的應力集中，從而使掩膜板主體10在張網過程中受力均勻，進一步降低了掩膜板主體10在張網過程中的褶皺現象；同時在虛設區142與蒸鍍區12之間設置有隔離區144，以便於對後續製作的顯示屏進行切割與封裝。

更具體地，第一凹槽1421可以採用以下三種方式中的一種開設於虛設區142：

一、第一凹槽1421只開設於虛設區142的玻璃面16（參閱圖7）；

二、第一凹槽1421只開設於虛設區142的蒸鍍面18（參閱圖8）；

三、第一凹槽1421同時開設於虛設區142的蒸鍍面18與玻璃面16（參閱圖9）。

在其中一個實施例中，第一凹槽1421開設於虛設區142的蒸鍍面，即只在虛設區142的蒸鍍面開設有第一凹槽1421。在其他實施例中，第一凹槽1421也可以只開設於虛設區142的玻璃面（參閱圖7）。

具體地，參閱圖8，開設在虛設區142的蒸鍍面18的第一凹槽1421數量為一個，一個第一凹槽1421採用整面半刻蝕的方式開設於虛設區142的蒸鍍面。在本實施例中，可以設置第一凹槽1421覆蓋虛設區142的蒸鍍面的全部區域，也可以設置第一凹槽1421覆蓋虛設區142的蒸鍍面的大部分區域，且第一凹槽1421的橫截面形狀可以採用多邊形，如三角形、長方形或者五邊形等，還可以採用圓形或者橢圓形。上述當第一凹槽1421覆蓋虛設區142的蒸鍍面的全部區域時，第一凹槽1421的底壁與遮擋部14的虛設區142的蒸鍍面的大小完全相同，此時第一凹槽1421的底壁可以充當遮擋部14的蒸鍍面。

在另一個實施例中，開設在虛設區142的蒸鍍面18的第一凹槽1421的數量為至少兩個，每相鄰兩個第一凹槽1421之間具有間距，該至少兩個第一凹槽1421可以採用條狀半刻蝕或點狀半刻蝕的方式開設於虛設區142的蒸鍍面18。當第一凹槽1421採用條狀半刻蝕時，第一凹槽1421的橫截面形狀為長條狀；當第一凹槽1421採用點狀半刻蝕時，第一凹槽1421的橫截面形狀為圓形或橢圓形。在其他實施例中，當第一凹槽1421採用條狀半刻蝕時，第一凹槽1421的橫截面的條形的長邊沿掩膜板主體10長邊的方向延伸，以進一步減小掩膜板100的張網褶皺。

參閱圖9，在又一個實施例中，第一凹槽1421同時開設於虛設區142的蒸鍍面18與虛設區142的玻璃面16，即在虛設區142的蒸鍍面18與虛設區142的玻璃面16均開設有第一凹槽1421。其中，在虛設區142的蒸鍍面18與虛設區142的玻璃面18均開設有第一凹槽1421相較於上述實施例中的如第一凹槽1421只開設在虛設區142的蒸鍍面18或玻璃面16其中一者上的情況，由於開設有第一凹槽1421的蒸鍍面或玻璃面的硬度將會小於沒有開設第一凹槽的玻璃面或蒸鍍面的硬度，所以在該情況下一定程度上存在掩膜板主體10折斷的風險，因而進一步降低了掩膜板張網後，對掩膜板100自身的硬度的影響，進而進一步減小褶皺。

優選地，第一凹槽1421包括具有底壁的第二凹槽與具有底壁的第三凹槽（未標出），第二凹槽開設於虛設區142的蒸鍍面，第三凹槽開設於虛設區142的玻璃面，第二凹槽與第三凹槽沿虛設區142的厚度方向相互隔離地設置，即第二凹槽的底壁與第三凹槽的底壁之間具有間距，以保證任何一個第二凹槽與任何一個第三凹槽在虛設區142的厚度方向上不存在相互連通的情況，從而避免像素通過第一凹槽蒸鍍到基板上的情況發生。

第二凹槽與第三凹槽沿虛設區142厚度方向的深度可以相同也可以不同，且第二凹槽與第三凹槽的橫截面形狀可以相同也可以不同。例如，第二凹槽的深度大於第三凹槽的深度，或者第二凹槽的深度與第三凹槽的深度相等，或者第二凹槽的深度小於第三凹槽的深度。第二凹槽與第三凹槽的深度可以均為子掩膜板101的厚度的一半，或者第二凹槽與第三凹槽的深度均大於子掩膜板101的厚度的一半。

在一個實施例中，第二凹槽與第三凹槽的數量可以均為一個。優選地，第二凹槽朝向子掩膜板101所在平面具有第一投影（厚度方向的投影），第三凹槽朝向子掩膜板101所在平面具有第二投影（厚度方向的投影），第一投影與第二投影至少部分重疊，第二凹槽與第三凹槽沿虛設區142厚度方向的深度之和小於虛設區142的厚度。

優選地，第二凹槽可以覆蓋虛設區142的蒸鍍面18的大部分區域或全部區域，第三凹槽可以覆蓋虛設區142的玻璃面16的大部分區域或全部區域，第一投影與第二投影完全重疊。可以理解的是，在其他實施例中，第一投影與第二投影也可不完全重疊，例如可以採用只有部分重疊的方式即可。

在又一個實施例中，第二凹槽與第三凹槽的數量可以均為至少兩個。具體地，每個第二凹槽朝向子掩膜板101所在平面具有第一投影，每個第三凹槽朝向子掩膜板101所在平面具有第二投影，第一投影與第二投影至少部分重疊，第二凹槽與第三凹槽沿虛設區142厚度方向的深度之和小於虛設區142的厚度。

優選地，第一投影與第二投影可以完全重疊。可以理解的是，在其他實施例中，第一投影與第二投影也可不完全重疊，只採用部分重疊的方式即可。

在本實施例中，第二凹槽與第三凹槽的數量可以相同也可以不同，如第二凹槽為兩個，第三凹槽的數量也為兩個，或者第二凹槽的數量為兩個，第三凹槽的數量為三個。

在又一個實施例中，第二凹槽與第三凹槽的數量可以均為一個。第二凹槽朝向子掩膜板101所在平面具有第一投影，第三凹槽朝向子掩膜板101所在平面具有第二投影，第一投影與第二投影不相重疊地設置。

優選地，第一投影與第二投影分別為多個，且第一投影與第二投影交錯設置，即，第二凹槽與第三凹槽在子掩膜板101所在的平面上相互錯開，各個第一投影和第二投影優選地不重合且互相分離，此時可以設置相鄰第二凹槽與第三凹槽的深度之和大於虛設區142的厚度，如此設置並不會導致虛設區142在厚度方向上貫通的情況發生，從而也不會對後續的蒸鍍產生影響。

在又一個實施例中，第二凹槽與第三凹槽的數量可以均為至少兩個，第二凹槽朝向虛設區142所在平面具有第一投影，第三凹槽朝向虛設區142所在平面具有第二投影，第一投影與第二投影相互錯開，各第一投影和各第二投影優選地不重合且互相分離，此時也可以設置相鄰第二凹槽與第三凹槽的深度之和大於虛設區142的厚度，如此設置並不會導致虛設區142在厚度方向上貫通的情況發生，從而也不會對後續的蒸鍍產生影響。

在另一個實施例中，還可以在虛設區142同時開設有第二蒸鍍孔1422與第一凹槽1421。具體地，第二蒸鍍孔1422與第一凹槽1421在虛設區142上間隔分佈，例如，每相鄰兩個第二蒸鍍孔1422之間設置有一個第一凹槽1421，每相鄰兩個第一凹槽1421之間設置有一個第二蒸鍍孔1422。

參閱圖10，在其中一個實施例中，為了進一步保證遮擋部14與蒸鍍區12的重量差異小，在遮擋部14的隔離區144沿厚度方向設置有至少一個第四凹槽1442，單個第四凹槽1442的深度小於子掩膜板101的厚度。由於第四凹槽1442的存在，則減輕了隔離區144的厚度，如此進一步減小了遮擋部14的重量，遮擋部14與蒸鍍區12的重量差異減小，進一步降低了遮擋部14的應力集中，從而使掩膜板主體10在張網過程中受力均勻，降低了掩膜板主體10在張網過程中的褶皺現象。

具體地，第四凹槽1442可以採用以下三種方式中的一種開設於隔離區144：

一、第四凹槽1442只開設於隔離區144的蒸鍍面18；

二、第四凹槽1442只開設於隔離區144的玻璃面16；

三、第四凹槽1442同時開設於隔離區144的蒸鍍面18與玻璃面16。

同時需要說明的是，隔離區144的蒸鍍面為掩膜板主體10的蒸鍍面18的一部分，隔離區144的玻璃面為掩膜板主體10的玻璃面16的一部分。

繼續參閱圖10及圖11，在其中一個實施例中，第四凹槽1442開設於隔離區144的玻璃面16，即只在隔離區144的玻璃面16開設有第四凹槽1442。優選地，開設在隔離區144的蒸鍍面的第四凹槽1442數量為一個，一個第四凹槽1442採用整面半刻蝕的方式開設於隔離區144的玻璃面。在其他實施例中，開設在隔離區144的玻璃面的第四凹槽1442的數量可以為至少兩個，每相鄰兩個第四凹槽1442之間具有間距，至少兩個第四凹槽1442採用條狀半刻蝕或點狀半刻蝕的方式開設於隔離區144的玻璃面16。

參閱圖12及圖13，在另一個實施例中，第四凹槽1442開設於隔離區144的蒸鍍面18，即只在隔離區144的蒸鍍面開設有第四凹槽1442。優選地，開設在隔離區144的蒸鍍面18的第四凹槽1442數量為一個，一個第四凹槽1442採用整面半刻蝕的方式開設於隔離區144的蒸鍍面144。在本實施例中，設置第四凹槽1442可以覆蓋隔離區144的蒸鍍面18的全部區域，也可以設置第四凹槽1442覆蓋隔離區144的蒸鍍面18的大部分區域，且第四凹槽1442的橫截面形狀可以採用多邊形，如三角形、長方形或者五邊形，還可以採用圓形或者橢圓形。上述的當第四凹槽1442覆蓋隔離區144的蒸鍍面18的全部區域時，第四凹槽1442的底壁可以與隔離區144的蒸鍍面的大小完全相同，此時第四凹槽1442的底壁可以充當隔離區144的蒸鍍面。

在另一個實施例中，開設在隔離區144的蒸鍍面18的第四凹槽1442的數量可以為至少兩個，每相鄰兩個第四凹槽1442之間具有間距，該至少兩個第四凹槽1442可以採用條狀半刻蝕或點狀半刻蝕的方式開設於隔離區144的蒸鍍面18。當第四凹槽採用條狀半刻蝕時，第四凹槽1442的橫截面形狀為長條狀；當第四凹槽1442採用點狀半刻蝕時，第四凹槽1442的橫截面形狀為圓形或橢圓形。在其他實施例中，當第四凹槽1442採用條狀半刻蝕時，第四凹槽1442的橫截面的條形的長邊沿掩膜板主體10長邊的方向延伸，以進一步減小掩膜板100的張網褶皺。

參閱圖14，在又一個實施例中，第四凹槽1442同時開設於隔離區144的蒸鍍面18與玻璃面16，即在隔離區144的蒸鍍面18與玻璃面16均開設有第四凹槽1442。其中，在隔離區144的蒸鍍面18與隔離區144的玻璃面16均開設有第四凹槽1442相較於上述實施例中的如當第四凹槽1442只開設在隔離區144的蒸鍍面和玻璃面中一者上時（由於開設有第四凹槽1442的蒸鍍面或玻璃面的硬度將會小於沒有開設第四凹槽1442的玻璃面或蒸餾面的硬度，此時在一定程度上存在掩膜板主體10折斷的風險），進一步降低了掩膜板張網後，對掩膜板100自身的硬度的影響，進而進一步減小褶皺。

優選地，第四凹槽1442包括具有底壁的第五凹槽與具有底壁的第六凹槽（未標出），第五凹槽開設於隔離區144的蒸鍍面18，第六凹槽開設於隔離區144的玻璃面16，第五凹槽與第六凹槽優選地沿隔離區144的的厚度方向相互隔離地設置，即第五凹槽的底壁與第六凹槽的底壁之間具有間距，以保證任何一個第五凹槽與任何一個第六凹槽在隔離區144的的厚度方向上不存在相互連通的情況，從而避免像素在隔離區144蒸鍍到基板上的情況發生。

第五凹槽與第六凹槽沿隔離區144的厚度方向的深度可以相同也可以不同，且第五凹槽與第六凹槽的橫截面形狀可以相同也可以不同。例如，第五凹槽的深度大於第六凹槽的深度，或者第五凹槽的深度與第六凹槽的深度相等，或第五凹槽的深度小於第六凹槽的深度。第五凹槽與第六凹槽的深度可以均為子掩膜板101的厚度的一半，或者第五凹槽與第六凹槽的深度均大於子掩膜板101的厚度的一半。

在一個實施例中，第五凹槽與第六凹槽的數量可以均為一個。具體地，第五凹槽朝向隔離區144的所在平面具有第一投影，第六凹槽朝向隔離區144的所在平面具有第二投影，第一投影與第二投影至少部分重疊，第五凹槽與第六凹槽沿隔離區144的厚度方向的深度之和小於隔離區144的厚度。

優選地，第五凹槽可以覆蓋隔離區144的蒸鍍面18的大部分區域或全部區域，第六凹槽可以覆蓋隔離區144的玻璃面16的大部分區域或全部區域，第一投影與第二投影完全重疊。可以理解的是，在其他實施例中，第一投影與第二投影也可不完全重疊，例如可以採用只有部分重疊的方式。

在又一個實施例中，第五凹槽與第六凹槽的數量可以均為至少兩個。具體地，每個第五凹槽朝向隔離區144所在平面具有第三投影（厚度方向的投影），每個第六凹槽朝向隔離區144所在平面具有第四投影（厚度方向的投影），第三投影與第四投影至少部分重疊，第五凹槽與第六凹槽沿隔離區144的厚度方向的深度之和小於隔離區144的厚度。

優選地，第三投影與第四投影可以完全重疊。可以理解的是，在其他實施例中，第三投影與第四投影也可不完全重疊，只採用部分重疊的方式即可。

在本實施例中，第五凹槽與第六凹槽的數量可以相同也可以不同，如第五凹槽為兩個，第六凹槽的數量也為兩個，或者第五凹槽的數量為兩個，第六凹槽的數量為三個。

在又一個實施例中，第五凹槽與第六凹槽的數量可以均為一個。第五凹槽朝向隔離區144所在平面具有第三投影，第六凹槽朝向隔離區144所在平面具有第四投影，第三投影與第四投影不相重疊地設置。

優選地，第三投影與第四投影分別為多個，且第三投影與第四投影交錯設置。即，第五凹槽與第六凹槽在隔離區144所在的平面上相互錯開，各個第三投影和第四投影優選地不重合且互相分離，此時可以設置相鄰第五凹槽與第六凹槽的深度之和大於隔離區144的厚度，如此設置並不會導致隔離區144在厚度方向上貫通的情況發生，從而也不會對後續的蒸鍍產生影響。

在又一個實施例中，第五凹槽與第六凹槽的數量可以均為至少兩個，第五凹槽朝向隔離區144所在平面具有第一投影，第六凹槽朝向隔離區144所在平面具有第二投影，第一投影與第二投影相互錯開，各第三投影和各第四投影優選地不重合且互相分離，此時也可以設置相鄰第五凹槽與第六凹槽的深度之和大於隔離區144的厚度，如此設置並不會導致隔離區144在厚度方向上貫通的情況發生，從而也不會對後續的蒸鍍產生影響。

在其他實施例中，還可以在隔離區144設置有第三蒸鍍孔（未繪示）；或者在隔離區144同時設置有第三蒸鍍孔與第四凹槽1442，優選地，第三蒸鍍孔與第四凹槽1442在隔離區144上間隔分佈，例如，每相鄰兩個第三蒸鍍孔之間設置有一個第四凹槽1442，每相鄰兩個第四凹槽1442之間設置有一個第四蒸鍍孔（未繪示）。

本申請實施例提供的掩膜板，將遮擋部14劃分為兩部分，其中虛設區142開設有第二蒸鍍孔1422或第一凹槽1421，當採用該掩膜板100蒸鍍時，蒸鍍材料可以從第一蒸鍍孔122與第二蒸鍍孔1422蒸鍍到基板上，第二蒸鍍孔1422或第一凹槽1421的設置，可以減輕遮擋部14的重量，使遮擋部14與蒸鍍區12的重量差異小，降低了遮擋部14的應力集中，從而使掩膜板主體10在張網過程中受力均勻，進一步降低了掩膜板主體10在張網過程中的褶皺現象；同時在虛設區142與蒸鍍區12之間設置有隔離區144，以便於對後續製作的顯示屏進行切割與封裝。

參閱圖15，本申請一實施例還提供一種掩膜元件，包括掩膜板框架20、支撐條30及至少一個上述所述的掩膜板100，掩膜板100包括掩膜板主體10，在掩膜板主體10上設置有至少一個子掩膜板101。支撐條30固定連接於掩膜板框架20，至少一個掩膜板100層疊設置於支撐條30上，且與掩膜板框架20固定連接。

掩模元件在工作過程時，掩膜板100的蒸鍍面面向蒸鍍源，掩膜板100的玻璃面面向基板，支撐條30位於掩膜板100的蒸鍍面，以防止掩膜板100在蒸鍍過程中下垂，進一步降低了掩膜板100在張網過程中的褶皺現象。

以上所述實施例的各技術特徵可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特徵所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特徵的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的範圍。

以上所述實施例僅表達了本申請的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對發明專利範圍的限制。應當指出的是，對於所屬技術領域具有通常知識者來說，在不脫離本申請構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本申請的保護範圍。因此，本申請專利的保護範圍應以所附申請專利範圍為準。

10‧‧‧掩模板主體11‧‧‧第一中心線12‧‧‧蒸鍍區13‧‧‧第二中心線14‧‧‧遮擋部16‧‧‧玻璃面18‧‧‧蒸鍍面20‧‧‧掩模板框架30‧‧‧支撐條100‧‧‧掩模板101‧‧‧子掩膜板122‧‧‧第一蒸鍍孔142‧‧‧虛設區144‧‧‧隔離區1222‧‧‧第一半刻孔1224‧‧‧第二半刻孔1421‧‧‧第一凹槽1422‧‧‧第二蒸鍍孔1442‧‧‧第四凹槽

圖1為本申請一實施例提供的掩膜板的結構示意圖。 圖2為本申請另一實施例提供的掩膜板的結構示意圖。 圖3為本申請又一實施例提供的掩膜板的結構示意圖。 圖4為本申請又一實施例提供的掩膜板的結構示意圖。 圖5為本申請又一實施例提供的掩膜板的結構示意圖。 圖6為本申請一實施例提供的掩膜板的局部結構的剖視圖。 圖7為本申請另一實施例提供的掩膜板的局部結構的剖視圖。 圖8為本申請又一實施例提供的掩膜板的局部結構的剖視圖。 圖9為本申請又一實施例提供的掩膜板的局部結構的剖視圖。 圖10為本申請又一實施例提供的掩膜板的局部結構的剖視圖。 圖11為本申請又一實施例提供的掩膜板的局部結構的剖視圖。 圖12為本申請又一實施例提供的掩膜板的局部結構的剖視圖。 圖13為本申請又一實施例提供的掩膜板的局部結構的剖視圖。 圖14為本申請又一實施例提供的掩膜板的局部結構的剖視圖。 圖15為本申請一實施例提供的掩膜元件的結構示意圖。

10‧‧‧掩模板主體

11‧‧‧第一中心線

12‧‧‧蒸鍍區

13‧‧‧第二中心線

14‧‧‧遮擋部

100‧‧‧掩模板

101‧‧‧子掩膜板

142‧‧‧虛設區

144‧‧‧隔離區

Claims (10)

1. 一種掩膜板，包括：掩膜板主體，所述掩膜板主體具有蒸鍍面和玻璃面，所述蒸鍍面適於面向蒸鍍源地設置，所述玻璃面適於背向蒸鍍源地設置；設置於所述掩膜板主體上的至少一個子掩膜板，所述子掩膜板包括蒸鍍區和遮擋部；以及在所述子掩膜板的厚度方向上，所述蒸鍍區設置有貫穿所述子掩膜板的第一蒸鍍孔，所述遮擋部包括隔離區和虛設區，所述虛設區與顯示屏的異形區對應，所述隔離區位於所述虛設區與所述蒸鍍區之間，在所述子掩膜板的厚度方向上，所述虛設區設置有第二蒸鍍孔，所述第二蒸鍍孔貫穿所述子掩膜板，和/或所述虛設區開設有至少一個第一凹槽，所述第一凹槽的深度小於所述子掩膜板的厚度。
2. 如申請專利範圍第1項所述的掩膜板，其中所述第二蒸鍍孔包括沿所述子掩膜板的厚度方向設置且連通的第一半刻孔與第二半刻孔；其中，所述第一半刻孔設置於所述玻璃面，所述第二半刻孔設置於所述蒸鍍面，所述第一半刻孔從所述掩膜板主體靠近所述玻璃面的一端到遠離所述玻璃面的一端逐漸收攏，所述第二半刻孔從所述掩膜板主體靠近所述蒸鍍面的一端到遠離所述蒸鍍面的一端逐漸收攏且與所述第一半刻孔連通； 所述第一半刻孔的開口沿所述子掩膜板的厚度方向上的投影位於所述第二半刻孔的開口中。
3. 如申請專利範圍第1項所述的掩膜板，其中所述第一凹槽設置於所述蒸鍍面或所述玻璃面；或者，所述第一凹槽包括第二凹槽與第三凹槽，所述第二凹槽設置於所述蒸鍍面，所述第三凹槽設置於所述玻璃面；沿所述子掩膜板的厚度方向上，所述第二凹槽的底壁與所述第三凹槽的底壁之間具有間距。
4. 如申請專利範圍第1項所述的掩膜板，其中在所述子掩膜板的厚度方向上，所述隔離區開設有至少一個第四凹槽，所述第四凹槽的深度小於所述子掩膜板的厚度。
5. 如申請專利範圍第4項所述的掩膜板，其中所述第四凹槽設置於所述蒸鍍面或所述玻璃面；或者，所述第四凹槽包括第五凹槽與第六凹槽，所述第五凹槽設置於所述蒸鍍面，所述第六凹槽設置於所述玻璃面；沿所述子掩膜板的厚度方向，所述第五凹槽的底壁與所述第六凹槽的底壁之間具有間距。
6. 如申請專利範圍第1項所述的掩膜板，其中所述掩膜板主體在平面圖中具有第一中心線與第二中心線，所述第一中心線與所述第二中心線相垂直；所述掩膜板主體上設置有兩組所述子掩膜板，每組所述子掩膜板包括至少一個所述子掩膜板，每相鄰兩 個所述子掩膜板之間具有間距，兩組所述子掩膜板關於所述第一中心線軸對稱，且兩組所述子掩膜板關於所述第二中心線軸對稱；位於所述第二中心線同側的所述子掩膜板的所述遮擋部均背向或均面向所述第二中心線設置；或者，每組所述子掩膜板包括至少一個子組子掩膜板，每個所述子組子掩膜板包括兩個相鄰的所述子掩膜板，每個所述子組子掩膜板的兩個相連的所述子掩膜板的所述遮擋部相對地設置。
7. 如申請專利範圍第1項所述的掩膜板，其中所述掩膜板主體上設置有多個子掩膜板，所述多個子掩膜板成排地設置或者成陣列地設置；所述掩膜板主體具有虛擬分割線，所述虛擬分割線將所述多個子掩膜板劃分為兩組子掩膜板，所述兩組子掩膜板包括：位於所述虛擬分割線一側的第一組子掩膜板和位於所述虛擬分割線另一側的第二組子掩膜板；所述第一組子掩膜板和所述第二組子掩膜板分別包括至少一個所述子掩膜板；所述第一組子掩膜板和所述第二組子掩膜板的各所述子掩膜板在面向所述虛擬分割線的那側分別設置有所述遮擋部；或者，所述第一組子掩膜板和所述第二組子掩膜板的各所述子掩膜板在背向所述虛擬分割線的那側分別設置有所述遮擋部。
8. 如申請專利範圍第1項所述的掩膜板，其中所述掩膜板主體上設置有多個子掩膜板，所述多個子掩膜板成排地設置或者成陣列地設置； 在同一排的偶數個依次相鄰的所述子掩膜板形成多個依次相鄰的子組子掩膜板，每個所述子組子掩膜板均包括兩個相鄰設置的所述子掩膜板；其中，每個所述子組子掩膜板的兩個所述子掩膜板的相對的一側分別設置有所述遮擋部，相背的一側不設置所述遮擋部；或者，每個所述子組子掩膜板的兩個所述子掩膜板的相對的一側不設置所述遮擋部，相背的一側分別設置有所述遮擋部。
9. 如申請專利範圍第1項所述的掩膜板，其中所述隔離區為與所述蒸鍍區的凹陷部輪廓線相匹配的虛設線。
10. 一種掩膜元件，包括掩膜板框架、支撐條及至少一個如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的掩膜板，所述支撐條固定連接於所述掩膜板框架，至少一個所述掩膜板層疊設置於所述支撐條上，且與所述掩膜板框架固定連接。

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