CN110875442A - 掩模组件及用于制造显示设备的装置和方法 - Google Patents

掩模组件及用于制造显示设备的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110875442A
CN110875442A CN201910788561.5A CN201910788561A CN110875442A CN 110875442 A CN110875442 A CN 110875442A CN 201910788561 A CN201910788561 A CN 201910788561A CN 110875442 A CN110875442 A CN 110875442A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
frame
mask assembly
layer
deformation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910788561.5A
Other languages
English (en)
Inventor
金宗范
文在晳
李丞赈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN110875442A publication Critical patent/CN110875442A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请涉及掩模组件及用于制造显示设备的装置和方法。所述掩模组件包括：掩模框架，包括彼此相对的第一表面和第二表面；布置在所述掩模框架的所述第一表面上的支撑框架；布置在所述支撑框架上并包括至少一个开口的掩模片；和布置在所述掩模框架的所述第二表面上的防变形框架。

Description

掩模组件及用于制造显示设备的装置和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年8月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0102174的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被整体并入本文。
技术领域
本公开的一个或更多个实施例涉及一种装置和方法，更具体地，涉及掩模组件、用于制造显示设备的装置以及制造显示设备的方法。
背景技术
近来，诸如平板个人计算机(PC)和移动电话之类的为用户提供移动性的便携式电子设备已被广泛地使用。
便携式电子设备通常包括能够为用户提供诸如图像或视频的视觉信息的显示设备。显示设备的驱动部件的尺寸已经随着显示设备本身的尺寸减小而减小。近来，已经开发了能够折叠或弯曲的显示设备。
掩模组件可被用于形成显示设备的层，并且根据设计规范的掩模组件的精确组装和对准对确定待由制造的显示设备显示的图像的清晰度可能是关键的。
发明内容
根据相关技术，由于在掩模组件制造期间施加的张力或者在通过使用掩模组件制造具有自由形式(freeform)的显示区域的显示设备时引起的热变形，掩模组件可能呈现出与设计参数不同的参数。本公开的一个或更多个实施例涉及变形减小的掩模组件、用于制造显示设备的装置、制造显示设备的方法以及显示设备。
另外的方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将通过该描述而明显，或者可通过实施所提出的实施例而得知。
根据一个或更多个实施例，一种掩模组件包括：掩模框架，包括彼此相对的第一表面和第二表面；在所述掩模框架的所述第一表面上的支撑框架；在所述支撑框架上且包括至少一个开口的掩模片；和在所述掩模框架的第二表面上的防变形框架。
所述支撑框架和所述防变形框架可相对于所述掩模框架彼此面对。
所述支撑框架和所述防变形框架可在张力被施加到所述支撑框架和所述防变形框架的状态下被联接到所述掩模框架。
所述支撑框架的在垂直于所述支撑框架的长度方向的方向上的宽度可大于所述防变形框架的在垂直于所述防变形框架的长度方向的方向上的宽度。
所述防变形框架可垂直于所述掩模片的长度方向布置。
所述掩模组件可包括多个防变形框架，并且所述多个防变形框架中的至少两个防变形框架可被布置为彼此相交。
所述支撑框架和所述防变形框架可具有彼此不同的形状。
根据一个或更多个实施例，一种用于制造显示设备的装置，所述装置包括：室，显示基板在所述室中；在所述室中面对所述显示基板的掩模组件；和在所述室中面对所述掩模组件的源部分，其中所述掩模组件包括：掩模框架，包括彼此相对的第一表面和第二表面；在所述掩模框架的所述第一表面上的支撑框架；在所述支撑框架上且包括至少一个开口的掩模片；和在所述掩模框架的所述第二表面上的防变形框架。
所述支撑框架和所述防变形框架可相对于所述掩模框架彼此面对。
所述支撑框架和所述防变形框架可在张力被施加到所述支撑框架和所述防变形框架的状态下被联接到所述掩模框架。
所述支撑框架的在垂直于所述支撑框架的长度方向的方向上的宽度可大于所述防变形框架的在垂直于所述防变形框架的长度方向的方向上的宽度。
所述防变形框架可垂直于所述掩模片的长度方向布置。
所述掩模组件可包括多个防变形框架，并且所述多个防变形框架中的至少两个防变形框架可被布置为彼此相交。
所述支撑框架和所述防变形框架可具有彼此不同的形状。
根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法，所述方法包括：将显示基板和掩模组件布置在室中；将所述显示基板和所述掩模组件彼此对准；和将沉积材料从源部分供应到所述掩模组件，并且将所述沉积材料通过所述掩模组件沉积在所述显示基板上，其中所述掩模组件包括：掩模框架，包括彼此相对的第一表面和第二表面；在所述掩模框架的所述第一表面上的支撑框架；在所述支撑框架上且包括至少一个开口的掩模片；和在所述掩模框架的所述第二表面上的防变形框架。
所述支撑框架和所述防变形框架可相对于所述掩模框架彼此面对。
所述支撑框架和所述防变形框架可在张力被施加到所述支撑框架和所述防变形框架的状态下被联接到所述掩模框架。
所述支撑框架的在垂直于所述支撑框架的长度方向的方向上的宽度可大于所述防变形框架的在垂直于所述防变形框架的长度方向的方向上的宽度。
所述防变形框架可垂直于所述掩模片的长度方向布置。
所述掩模组件可包括多个防变形框架，并且所述多个防变形框架中的至少两个防变形框架可被布置为彼此相交。
附图说明
这些和/或其它方面从结合附图进行的实施例的以下描述将变得明显且更易于理解，在附图中：
图1是根据一实施例的用于制造显示设备的装置的剖视图；
图2是图1的掩模组件的分解透视图；
图3是通过使用图1的用于制造显示设备的装置制造的显示设备的平面图；
图4是沿图3的线A-A截取的剖视图；
图5是根据一实施例的掩模组件的分解透视图；和
图6是通过使用图5的掩模组件制造的显示设备的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参考一些实施例，这些实施例的示例在附图中示出，其中相同的附图标记始终指示相同的元件。在这一点上，本实施例可具有不同的形式，并且不应被解释为受限于本文阐述的描述。相应地，下面仅通过参考附图来描述实施例，以解释本公开的方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。诸如“……中的至少一个”的表达方式当在一列元件之后时可修饰整列元件，并且不可修饰该列中的单独的元件。
由于本公开允许各种改变和许多实施例，所以示例性实施例将在附图中示出并在书面描述中详细描述。示出一个或更多个实施例的附图被参考以获得充分的理解、其优点以及通过该实施方式实现的目标。然而，实施例可具有不同的形式，并且不应被解释为受限于本文阐述的描述。
下面将参照附图更详细地描述示例性实施例。不论图号如何，相同或相应的那些部件被给予相同的附图标记，并且省略冗余的解释。
虽然诸如“第一”、“第二”等的这种术语可用于描述各种部件，但是这种部件不必受限于以上术语。以上术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
以单数形式使用的表达方式包括复数形式的表达方式，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
在本公开中，将理解，术语“包括”、“具有”和“包含”旨在表示本公开中公开的特征、数字、步骤、动作、部件、部分或其组合的存在，并不旨在排除可存在或可添加一个或更多个其它的特征、数字、步骤、动作、部件、部分或其组合的可能性。
将理解，当层、区域或部件被提及为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，它可直接或间接地形成在另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可存在一个或更多个中间层、区域或部件。
为了便于解释，附图中示出的部件的尺寸可能被夸大。换句话说，为了便于解释，附图中的部件的尺寸和厚度被任意示出，并且下面的实施例不受限于此。
当某个实施例可被不同地实施时，可与所描述的顺序不同地执行特定的过程顺序。例如，两个连续描述的过程可基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
在下面的实施例中，当层、区域、元件等被提及为“连接”时，将理解，它们可直接连接，或者在它们之间可存在一个或更多个中间层、区域或元件。例如，当层、区域、元件等被提及为“电连接”时，它们可直接电连接或间接电连接，并且在它们之间可存在一个或更多个中间层、区域或元件。
图1是根据一实施例的用于制造显示设备的装置100的剖视图。图2是图1的掩模组件150的分解透视图。
参见图1和图2，用于制造显示设备的装置100可包括室110、第一支撑件120、第二支撑件130、掩模组件150、源部分140、磁力部分160、视觉部分170和压力调节器180。
室110可在其中包括空间，并可具有开口部。闸阀110-1可被提供在室110的开口部。在这种情况下，室110的开口部可根据闸阀110-1的操作而打开或关闭。
第一支撑件120可支撑被安装于其上的显示基板D。第一支撑件120可以是固定在室110中的板类型。在另一个实施例中，其上安装有显示基板D的第一支撑件120可以是能够在室110中线性移动的梭类型。在又一实施例中，第一支撑件120可包括固定在室110中或布置成能上下移动的静电卡盘或粘合卡盘。在下文中，为了便于描述，将详细描述第一支撑件120是固定在室110中的板类型的示例。然而，应注意，在不脱离本公开的范围的情况下，第一支撑件120可以是固定在室110中或能移动的其它类型。
掩模组件150可被安装在第二支撑件130上。第二支撑件130可被布置在室110内。第二支撑件130可精细地调节掩模组件150相对于室110内的诸如第一支撑件120、源部分140、磁力部分160等的其它部分的位置。第二支撑件130可包括额外的驱动器或对准设备，以使掩模组件150沿不同的方向移动。
源部分140可面对掩模组件150布置。源部分140可容纳沉积材料，并且可通过向沉积材料施加热来使沉积材料蒸发或升华。源部分140可被固定在室110中，或者可被布置在室110内以能沿一个或更多个方向线性移动。在下文中，为了便于描述，将详细描述源部分140被固定在室110中的示例。然而，应注意，在不脱离本公开的范围的情况下，源部分140可为能在室110内移动。
掩模组件150可包括掩模框架151、掩模片152、一个或更多个支撑框架156和一个或更多个防变形框架155。
掩模框架151可包括彼此连接以在其中形成空间的多个框架。在一实施例中，掩模框架151可以是在其中央部分具有一个开口的框架类型。在另一实施例中，掩模框架151可以是格栅类型，诸如包括多个开口的窗框架。在下文中，为了便于描述，将详细描述掩模框架151在其中央部分处包括一个开口的示例。
至少一个掩模片152可被提供，并且当两个或更多个掩模片152被提供时，该两个或更多个掩模片152可被提供成在掩模框架151上彼此间隔开。在这种情况下，该两个或更多个掩模片152可沿第一方向(例如，图1中的Y轴方向和X轴方向中的一个)布置。
掩模片152可包括至少一个开口152a。特别地，掩模片152可在其长度方向上包括多个开口152a。该多个开口152a可被布置成在它们之间具有恒定的间隔，并且可被提供在掩模片152的前表面中。
根据一个实施例，多个支撑框架156可被布置在掩模框架151和掩模片152之间。支撑框架156可限定沉积区域S的边界，待气相沉积在显示基板D上的沉积材料穿过沉积区域S。多个支撑框架156可被布置成在掩模框架151上彼此间隔开。例如，多个支撑框架156可被布置成在掩模片152的长度方向上彼此间隔开。另外，每个支撑框架156可相对于掩模片152成预定角度布置。在这种情况下，每个支撑框架156可沿垂直于掩模片152的长度方向(例如，图1中的X轴方向或Y轴方向)的方向布置。在另一实施例中，支撑框架156可沿掩模片152的长度方向布置。在又一实施例中，在多个支撑框架156中，多个支撑框架156中的一些支撑框架可沿掩模片152的长度方向布置，并且多个支撑框架156中的其它支撑框架可被布置成相对于掩模片152的长度方向成预定角度。在这种情况下，多个支撑框架156中的至少两个支撑框架可被布置成在平面图中彼此相交。如图2中所示，多个支撑框架156可包括多个第一支撑框架153和多个第二支撑框架154。多个第一支撑框架153可横跨多个掩模片152布置以相对于多个掩模片152的长度方向成预定角度，并且多个第二支撑框架154可沿多个掩模片152的长度方向布置。多个第二支撑框架154中的每个可被布置在两个相邻的掩模片152之间的交界处下方。
根据一个实施例，多个防变形框架155可被布置在掩模框架151上，以对应于支撑框架156。在一个实施例中，多个防变形框架155可被布置在掩模框架151的相对侧上、面对多个第一支撑框架153。在这种情况下，防变形框架155的宽度可小于支撑框架156的宽度，并且支撑框架156中的第一支撑框架153和第二支撑框架154的宽度可以相同。防变形框架155的宽度和支撑框架156的宽度可在垂直于其长度方向的方向上进行测量。因为防变形框架155的宽度小于支撑框架156的宽度，所以气相沉积在显示基板D上的沉积材料不会被防变形框架155阻挡。根据一个实施例，多个防变形框架155可被布置成对应于多个支撑框架156中的至少一些支撑框架。例如，多个防变形框架155可包括对应于多个第一支撑框架153的多个第一防变形框架和对应于多个第二支撑框架154的多个第二防变形框架。在这种情况下，第一防变形框架和第二防变形框架可被布置成彼此相交，类似于第一支撑框架153和第二支撑框架154。
另外，根据制造掩模组件150的方法，支撑框架156可被布置在掩模框架151上，并被固定或联接到掩模框架151。在一个实施例中，支撑框架156可在被拉时被固定到掩模框架151(例如，向支撑框架156施加张力以使其沿长度方向从其原始长度伸长)，并且每个支撑框架156的端部可被插入到形成在掩模框架151中的槽(未示出)中，以防止干涉掩模片152。
在以上情况下，由于支撑框架156通过被拉而被固定到掩模框架151，所以掩模框架151可能弯曲或变形。在这种情况下，当掩模片152附接到掩模框架151时，在掩模片152与掩模框架151之间可能出现间隙，或者掩模片152可能由于掩模框架151的弯曲或变形而弯曲。
为了解决以上问题，防变形框架155可被布置在掩模框架151的与掩模框架151的固定有支撑框架156的表面不同的表面上。防变形框架155也可被拉并被固定或联接到掩模框架151。在这种情况下，防变形框架155的相对的端部可通过插入到形成在掩模框架151中的其它槽(未示出)中而被固定到掩模框架151。
在将防变形框架155固定到掩模框架151之前或之后，掩模片152可被布置在掩模框架151上，并通过被拉而被固定到掩模框架151。
在掩模组件150被制造之后，掩模组件150的变形减小，由掩模组件150形成的沉积区域S可与设计的沉积区域相同或类似。
磁力部分160可被布置在室110内，以面对显示基板D。磁力部分160向掩模片152施加磁力，以朝向显示基板D向掩模组件150施加力。特别地，磁力部分160可防止掩模片152由于重力而下垂，而且可允许掩模片152邻近显示基板D。另外，磁力部分160可在掩模片152的长度方向上保持掩模片152与显示基板D之间的均匀间隔。
视觉部分170可被提供在室110中，以捕获指示显示基板D和掩模组件150的位置的图像。在这种情况下，视觉部分170可包括用于拍摄显示基板D和掩模组件150的照相机。可基于由视觉部分170捕获的图像来检查显示基板D和掩模组件150的位置以及它们之间的对准，并且第二支撑件130可基于捕获的图像精细地调节掩模组件150相对于显示基板D的位置。
压力调节器180可连接到室110，以调节室110内的压力。例如，压力调节器180可将室110内的压力调节成与大气压力相同或类似。在另一示例中，压力调节器180可将室110中的压力调节成与真空状态相同或类似。
压力调节器180可包括连接到室110的连接管181和提供在连接管181上的泵182。在这种情况下，根据泵182的操作，外部空气或气体可通过连接管181被引入到室110中，或者室110内的空气或气体可通过连接管181被排出到室110的外部。
另外，装置100可用于制造稍后将描述的另一显示设备(未示出)。特别地，当压力调节器180将室110的内部压力调节成等于或类似于大气压力时，闸阀110-1可操作以打开室110的开口部。
之后，显示基板D可从室110的外部被送入室110中。在这种情况下，显示基板D可以以各种方式被送入室110中。例如，显示基板D可通过布置在室110外部的机械臂等从室110的外部被送入室110中。在另一实施例中，当第一支撑件120是梭类型时，在第一支撑件120从室110的内部退到室110的外部之后，显示基板D通过布置在室110的外部的不同的机械臂等被安装在第一支撑件120上，随后第一支撑件120可被送入室110内。在下文中，为了便于描述，下面将详细描述通过布置在室110的外部的机械臂将显示基板D从室110的外部送入室110中的示例。
如上所述，掩模组件150可被布置在室110内。在另一实施例中，掩模组件150可以以与显示基板D相同或类似的方式从室110的外部被送入室110中。然而，为了便于描述，将详细描述掩模组件150被布置在室110内并且仅显示基板D从外部被送入室110中的示例。
在显示基板D被送入室110中时，显示基板D可被安装在第一支撑件120上。视觉部分170可捕获指示显示基板D和掩模组件150的位置的图像。例如，视觉部分170可捕获显示基板D的第一对准标记和掩模组件150的第二对准标记的图像。
可基于在捕获的图像中获得的第一对准标记和第二对准标记来检查显示基板D和掩模组件150的位置以及它们之间的对准。用于制造显示设备的装置100可包括额外的控制器(未示出)，以检查显示基板D和掩模组件150的位置。
在检查显示基板D和掩模组件150的位置之后，第二支撑件130可精细地调节掩模组件150相对于显示基板D的位置。掩模组件150的位置的精细调节可重复，直到掩模组件150在规定的公差内被放置在期望位置。
之后，源部分140开始操作，以朝向掩模组件150供应沉积材料，并且已经穿过多个开口152a的沉积材料可被气相沉积在显示基板D上。泵182可抽吸室110内的气体以将气体排放到外部，因此，室110的内部压力可保持在低于外部压力(例如，大气压力)的压力，例如，等于或者类似于真空状态。
在以上情况下，沉积材料可在穿过布置在如上所述的沉积区域S中的多个开口152a之后气相沉积在显示基板D上。掩模组件150提供的沉积区域S可等同于或类似于设计的沉积区域。
因此，用于制造显示设备的装置100可将沉积材料气相沉积在显示基板D中的可等同于或类似于设计区域的区域上。另外，由于用于制造显示设备的装置100可通过减少掩模框架151的弯曲或变形的量而将沉积材料以精确的图案气相沉积，所以制造的显示设备能够提供精确的图像。
图3是由图1的用于制造显示设备的装置100制造的显示设备20的平面图。图4是沿着图3的线A-A截取的剖视图。
参见图3和图4，显示设备20可包括显示区域DA和设置在显示区域DA的外部的非显示区域NDA，其中显示区域DA和非显示区域NDA被限定在基板21上。有机发光器件(OLED)28被布置在显示区域DA中，并且电源线(未示出)等可被布置在非显示区域NDA中。另外，焊盘部分C可被布置在非显示区域NDA中。
在显示区域DA中，已经穿过上述沉积区域S的各种沉积材料的多个图案被形成。显示区域DA可以为自由形式。
显示设备20可包括显示基板D、布置在显示基板D上的中间层28-2以及布置在中间层28-2上的对电极28-3。另外，显示设备20可进一步包括布置在对电极28-3上的薄膜封装层E。
显示基板D可包括基板21、薄膜晶体管TFT、钝化层27和像素电极28-1。
基板21可包括塑料材料或金属材料，诸如不锈钢(SUS)和钛(Ti)。另外，基板21可包括聚酰亚胺(PI)。在下文中，为了便于描述，将详细描述包括聚酰亚胺的基板21。
薄膜晶体管TFT被布置在基板21上，钝化层27覆盖薄膜晶体管TFT，并且OLED28可被布置在钝化层27上。
包括有机化合物和/或无机化合物的缓冲层22被布置在基板21的上表面上，并且可包括SiOx(x≥1)或SiNx(x≥1)。
有源层23以预定图案布置在缓冲层22上，然后，有源层23通过栅绝缘层24被嵌入。有源层23包括源区23-1、漏区23-3以及源区23-1和漏区23-3之间的沟道区23-2。
有源层23可包括各种材料。例如，有源层23可包括无机半导体材料，诸如非晶硅或晶体硅。在另一示例中，有源层23可包括氧化物半导体。在又一示例中，有源层23可包括有机半导体材料。在下文中，为了便于描述，下面将详细描述有源层23包括非晶硅的示例。
有源层23可通过将非晶硅层布置在缓冲层22上、将非晶硅层晶化为多晶硅层并将多晶硅层图案化而获得。根据TFT的类型，例如驱动TFT(未示出)或开关TFT(未示出)，有源层23的源区23-1和漏区23-3用杂质掺杂。
对应于有源层23的栅电极25以及嵌入有栅电极25的层间绝缘层26被布置在栅绝缘层24的上表面上。
另外，接触孔H1被形成在层间绝缘层26和栅绝缘层24中，之后，源电极27-1和漏电极27-2被布置在层间绝缘层26上，以经由相应的接触孔H1接触源区23-1和漏区23-3。
钝化层27被布置成覆盖如上所述的那样获得的TFT，并且有机发光器件(OLED)28的像素电极28-1被布置在钝化层27上。像素电极28-1经由形成在钝化层27中的导通孔H2接触TFT的漏电极27-2。钝化层27可具有包括无机材料和/或有机材料的单层结构或者两层或更多层结构。钝化层27可以是具有平坦的上表面以使下层的弯曲部平面化的平面化层，或者可以是具有与下层的弯曲部一致的弯曲部的弯曲层。另外，钝化层27可包括透明绝缘体，以实现共振效果。
在将像素电极28-1布置在钝化层27上之后，包括有机材料和/或无机材料的像素限定层29覆盖像素电极28-1和钝化层27，并且在像素限定层29中产生用于暴露像素电极28-1的至少一部分的开口。
另外，中间层28-2和对电极28-3被布置成与像素电极28-1的至少一部分重叠。在另一实施例中，对电极28-3可被布置在显示基板D的整个表面上。在这种情况下，对电极28-3可被布置在中间层28-2和像素限定层29上。在下文中，为了便于描述，下面将详细描述对电极28-3被布置在中间层28-2和像素限定层29上的示例。
根据一个实施例，像素电极28-1用作阳极电极，对电极28-3用作阴极电极，或者反之亦然。
像素电极28-1和对电极28-3通过中间层28-2彼此绝缘，并且不同极性的电压被施加到像素电极28-1和对电极28-3，以使有机发射层发射光。
中间层28-2可包括有机发射层。在另一示例中，中间层28-2可包括有机发射层以及空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。应注意，本公开不限于此，也就是说，除了有机发射层之外，中间层28-2可包括其它各种功能层(未示出)。
这里，中间层28-2可通过上述用于制造显示设备的装置布置。
可存在多个中间层28-2，并且该多个中间层28-2可形成显示区域DA。该多个中间层28-2可被布置成在显示区域DA中彼此间隔开。
另外，一个单元像素包括多个子像素，并且该多个子像素可发射各种颜色的光。例如，该多个子像素可包括分别发射红光、绿光和蓝光的子像素，或者分别发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素(未用附图标记指示)。
子像素可包括至少一个中间层28-2。当形成一个子像素时，中间层28-2可通过如上所述的用于制造显示设备的装置布置。
另外，薄膜封装层E可包括彼此堆叠的多个无机层或者无机层和有机层。
薄膜封装层E的有机层可包括聚合物。薄膜封装层E的有机层可以是包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任何一种的单层或堆叠层。有机层可包括聚丙烯酸酯，并且例如可包括聚合的单体组合物，该聚合的单体组合物包括二丙烯酸酯基单体和三丙烯酸酯基单体。单体组合物可进一步包括单丙烯酸酯基单体。另外，单体组合物可进一步包括光敏引发剂，诸如本领域已知的TPO，但不限于此。
薄膜封装层E的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠层。例如，无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的任何一种。
薄膜封装层E的暴露到外部的顶层可由无机层形成，以防止水分侵入OLED 28中。
薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构，其中至少一个有机层插入至少两个无机层之间。在另一示例中，薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构，其中至少一个无机层插入至少两个有机层之间。在又一示例中，薄膜封装层E可包括第一夹层结构和第二夹层结构，在第一夹层结构中，至少一个有机层插入至少两个无机层之间，在第二夹层结构中，至少一个无机层插入至少两个有机层之间。
薄膜封装层E可包括顺序地堆叠在OLED 28的顶表面上的第一无机层、第一有机层和第二无机层。
在另一示例中，薄膜封装层E可包括顺序地堆叠在OLED 28的顶表面上的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
在又一示例中，薄膜封装层E可包括顺序地堆叠在OLED 28的顶表面上的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
包括氟化锂(LiF)的卤化金属层可被额外地包括在OLED 28与第一无机层之间。当以溅射工艺形成第一无机层时，卤化金属层可防止OLED 28损坏。
在平面图中，第一有机层的表面面积可以小于第二无机层的表面面积，并且第二有机层的表面面积可以小于第三无机层的表面面积。
由上述装置制造的显示设备20可具有与设计的显示区域相同或类似的显示区域DA，从而显示设备20可提供精确的图像。
图5是根据一实施例的掩模组件250的分解透视图。图6是通过使用图5的掩模组件250制造的显示设备的剖视图。
参见图5和图6，用于制造显示设备的装置(未示出)可包括室(未示出)、第一支撑件(未示出)、第二支撑件(未示出)、掩模组件250、源部分(未示出)、磁力部分(未示出)、视觉部分(未示出)和压力调节器(未示出)。这里，室、第一支撑件、第二支撑件、源部分、磁力部分、视觉部分和压力调节器与图1和图2的那些相同或类似，在下文中，将在下面详细描述掩模组件250。
掩模组件250可包括掩模框架251、掩模片252、一个或更多个支撑框架256以及一个或更多个防变形框架255。这里，掩模框架251和掩模片252与图1和图2的那些相同或类似，因而省略了其详细描述。
根据一个实施例，多个支撑框架256可被布置在掩模框架251和掩模片252之间。该多个支撑框架256可被布置成在掩模框架251上彼此间隔开。如图5所示，该多个支撑框架256可包括一个或更多个第一支撑框架253和一个或更多个第二支撑框架254。第一支撑框架253可横跨多个掩模片252布置，并且多个第二支撑框架254中的每个可被布置在两个相邻的掩模片252之间的交界处下方。
每个第一支撑框架253可包括提供在掩模框架251上的第一支撑框架主体253a和从第一支撑框架主体253a突出的第一突起253b。
第一支撑框架主体253a可被提供为直形的板。第一支撑框架主体253a可沿垂直于掩模片252的长度方向的方向(或者第一方向，图5的Y轴方向)布置。
第一突起253b可沿掩模片252的长度方向从第一支撑框架主体253a突出。第一突起253b和第一支撑框架主体253a可限定沉积区域S的边界。第一突起253b和第一支撑框架主体253a可以以各种形状限定沉积区域S的边界。特别地，第一突起253b可在沉积区域S的边界中限定相对于第一支撑框架主体253a成预定角度的倾斜部分、提供有弯曲的部分等。在这种情况下，第一突起253b可遮挡掩模片252中的多个开口252a中的一些。例如，第一突起253b可遮挡布置在沉积区域S的边界(或边缘)处的一些开口252a。在这种情况下，沉积材料可仅穿过一些开口252a。
每个支撑框架256可包括多个第一突起253b，该多个第一突起253b被布置成在第一支撑框架主体253a的长度方向上彼此间隔开。在这种情况下，多个第一突起253b可沿着第一支撑框架主体253a彼此间隔开。
第二支撑框架254可相对于第一支撑框架253成预定角度布置。第二支撑框架254可被提供为板。在这种情况下，掩模框架251可包括槽，使得第一支撑框架253不会干涉第二支撑框架254，并且第一支撑框架253和第二支撑框架254可被布置在彼此不同的高度并在平面图中彼此相交。
防变形框架255可包括分别对应于第一支撑框架253和第二支撑框架254的一个或更多个第一防变形框架255a和一个或更多个第二防变形框架255b。在这种情况下，第一防变形框架255a的宽度可小于第一支撑框架主体253a的宽度，并且第二防变形框架255b的宽度可小于第二支撑框架254的宽度。这样，气相沉积在显示基板D上的沉积材料在沉积区域S的边界处不会被第一防变形框架255a和第二防变形框架255b阻挡。
多个支撑框架256可限定至少一个沉积区域S。沉积区域S可被限定为下述区域：即在该区域中，沉积材料穿过布置在由两个相邻的第一支撑框架253和两个相邻的第二支撑框架254限定的空间上的多个开口252a。沉积区域S可具有自由形状(freeform shape)，而非矩形或正方形。例如，沉积区域S可具有倾斜的角部、多边形角部或圆的一部分。
制造上述掩模组件250的方法可与参照图1和图2示出的方法相同或类似。
第一支撑框架253和第二支撑框架254在被拉的状态下被固定到掩模框架251的表面。在第一支撑框架253、第二支撑框架254和掩模片252中的至少一个被固定到掩模框架251之后，第一防变形框架255a和第二防变形框架255b中的至少一个也可在被拉的状态下被固定到掩模框架251的另一表面。结果，由于施加到第一支撑框架253、第二支撑框架254和掩模片252的张力引起的掩模框架251的扭曲或变形可通过施加到第一防变形框架255a和第二防变形框架255b中的至少一个而到达掩模框架251的反作用张力被抵消。
因此，通过在掩模组件250被制造之后减少掩模组件250的扭曲或变形，掩模组件250可形成与设计的沉积区域相同或类似的沉积区域S。
另外，当通过上述用于制造显示设备的装置制造显示设备30时，可使用掩模组件250。
首先，掩模组件250和显示基板(未示出)被布置在室内，然后可例如通过使用视觉部分被对准。
之后，源部分将沉积材料供应到掩模组件250，并且沉积材料通过掩模组件250被沉积在显示基板上，例如，已经穿过掩模组件250的沉积区域S的沉积材料可以以预定图案气相沉积在显示基板上。
由于掩模组件250由于第一防变形框架255a和第二防变形框架255b而不会变形，所以穿过掩模片252的开口的沉积材料可被精确地气相沉积在显示基板上的期望位置。
因此，用于制造显示设备30的装置可通过使用如上所述的变形减小的掩模组件250以精确的图案形成显示设备的各个层，例如中间层(未示出)。
参见图6，在通过上述用于制造显示设备的装置制造的显示设备30中，自由形状的显示区域DA-1可被布置在基板31上。显示区域DA-1可如上所述的那样被非显示区域NDA-1围绕。在这种情况下，有机发光器件(未示出)可被布置在显示区域DA-1中，并且电源线(未示出)等可被布置在非显示区域NDA-1中。另外，焊盘部分C可被布置在非显示区域NDA-1中。
在显示区域DA-1中，已经穿过上述沉积区域S的各种沉积材料的多个图案被形成。显示区域DA-1可以是自由形式。如图6所示，穿过显示区域DA-1的中心的任意中心线的相对侧可彼此不对称。相比之下，图3中示出的显示区域DA可相对于任意中心线彼此对称。
另外，显示设备30可具有与参照图3和图4示出的结构相同或类似的结构。
根据前述内容，通过上述用于制造显示设备的装置制造的显示设备30可由于实现有精确图案的中间层而精确地提供图像。
根据实施例，掩模组件的变形可减小。另外，根据实施例的制造显示设备的装置和方法，沉积材料可通过使用变形减小的掩模组件被精确地气相沉积在显示基板上。
根据实施例的制造显示设备的装置和方法，可制造能够提供精确图像的显示设备。
应当理解，本文描述的实施例应当被认为仅在于描述性的意义，而非出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为能够适用于其它实施例中的其它类似的特征或方面。
虽然已经参照图描述了一个或更多个实施例，但是本领域技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求书限定的精神和范围的情况下，可对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (9)

1.一种掩模组件，包括：
掩模框架，包括彼此相对的第一表面和第二表面；
在所述掩模框架的所述第一表面上的支撑框架；
在所述掩模框架上且包括至少一个开口的掩模片；和
在所述掩模框架的所述第二表面上的防变形框架。
2.根据权利要求1所述的掩模组件，其中所述支撑框架和所述防变形框架相对于所述掩模框架彼此面对。
3.根据权利要求1所述的掩模组件，其中所述支撑框架和所述防变形框架在张力被施加到所述支撑框架和所述防变形框架的状态下被联接到所述掩模框架。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的掩模组件，其中所述支撑框架的在垂直于所述支撑框架的长度方向的方向上的宽度大于所述防变形框架的在垂直于所述防变形框架的长度方向的方向上的宽度。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的掩模组件，其中所述防变形框架垂直于所述掩模片的长度方向布置。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的掩模组件，包括多个防变形框架，并且所述多个防变形框架中的至少两个防变形框架被布置为彼此相交。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的掩模组件，其中所述支撑框架和所述防变形框架具有彼此不同的形状。
8.一种用于制造显示设备的装置，所述装置包括：
室，显示基板在所述室中；
在所述室中面对所述显示基板的掩模组件；和
在所述室中面对所述掩模组件的源部分，
其中所述掩模组件为根据权利要求1-7中任一项所述的掩模组件。
9.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
将显示基板和掩模组件布置在室中；
将所述显示基板和所述掩模组件彼此对准；和
将沉积材料从源部分供应到所述掩模组件，并将所述沉积材料通过所述掩模组件沉积在所述显示基板上，
其中所述掩模组件为根据权利要求1-7中任一项所述的掩模组件。
CN201910788561.5A 2018-08-29 2019-08-26 掩模组件及用于制造显示设备的装置和方法 Pending CN110875442A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180102174A KR102630638B1 (ko) 2018-08-29 2018-08-29 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR10-2018-0102174 2018-08-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110875442A true CN110875442A (zh) 2020-03-10

Family

ID=69639049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910788561.5A Pending CN110875442A (zh) 2018-08-29 2019-08-26 掩模组件及用于制造显示设备的装置和方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20200071813A1 (zh)
KR (1) KR102630638B1 (zh)
CN (1) CN110875442A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11560616B2 (en) * 2019-11-05 2023-01-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Mask device, mask plate, and frame
US11613802B2 (en) * 2020-04-17 2023-03-28 Rockwell Collins, Inc. Additively manufactured shadow masks for material deposition control
CN111952485B (zh) * 2020-08-20 2023-12-19 京东方科技集团股份有限公司 掩模板张网组件及张网装置、张网方法
CN114973968B (zh) * 2022-06-22 2023-07-28 武汉天马微电子有限公司 显示模组和显示装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020003616A (ko) * 2000-06-21 2002-01-15 김순택 음극선관의 인장 마스크 지지용 프레임
US20120325143A1 (en) * 2011-06-21 2012-12-27 Kang Taek-Kyo Mask frame assembly for thin-film deposition
US20150101536A1 (en) * 2013-10-11 2015-04-16 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly and deposition apparatus using the same for flat panel display
CN105839052A (zh) * 2016-06-17 2016-08-10 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板以及掩膜板的组装方法
CN106086782A (zh) * 2016-06-28 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版组件及其安装方法、蒸镀装置
CN106480404A (zh) * 2016-12-28 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜集成框架及蒸镀装置
CN106884140A (zh) * 2017-04-28 2017-06-23 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜组件及其组装方法
US20170207390A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Samsung Display Co., Ltd. Mask frame assembly, apparatus and method for manufacturing a display apparatus
CN107099769A (zh) * 2017-05-26 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 可调节平坦度的框架
CN107435130A (zh) * 2017-09-28 2017-12-05 上海天马微电子有限公司 掩膜装置、蒸镀设备及蒸镀方法
CN107699851A (zh) * 2016-08-08 2018-02-16 三星显示有限公司 掩模组件、用其制造显示装置的设备和方法以及显示装置
KR20180038093A (ko) * 2016-10-05 2018-04-16 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 마스크 프레임의 연마 방법

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020003616A (ko) * 2000-06-21 2002-01-15 김순택 음극선관의 인장 마스크 지지용 프레임
US20120325143A1 (en) * 2011-06-21 2012-12-27 Kang Taek-Kyo Mask frame assembly for thin-film deposition
US20150101536A1 (en) * 2013-10-11 2015-04-16 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly and deposition apparatus using the same for flat panel display
US20170207390A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Samsung Display Co., Ltd. Mask frame assembly, apparatus and method for manufacturing a display apparatus
CN105839052A (zh) * 2016-06-17 2016-08-10 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板以及掩膜板的组装方法
CN106086782A (zh) * 2016-06-28 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版组件及其安装方法、蒸镀装置
CN107699851A (zh) * 2016-08-08 2018-02-16 三星显示有限公司 掩模组件、用其制造显示装置的设备和方法以及显示装置
KR20180038093A (ko) * 2016-10-05 2018-04-16 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 마스크 프레임의 연마 방법
CN106480404A (zh) * 2016-12-28 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜集成框架及蒸镀装置
CN106884140A (zh) * 2017-04-28 2017-06-23 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜组件及其组装方法
CN107099769A (zh) * 2017-05-26 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 可调节平坦度的框架
CN107435130A (zh) * 2017-09-28 2017-12-05 上海天马微电子有限公司 掩膜装置、蒸镀设备及蒸镀方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200026353A (ko) 2020-03-11
US20200071813A1 (en) 2020-03-05
KR102630638B1 (ko) 2024-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11569487B2 (en) Mask assembly, apparatus and method of manufacturing display device using the same, and display device
CN107871826B (zh) 沉积掩模、沉积装置及制造显示装置的方法
KR102420460B1 (ko) 마스크 프레임 조립체, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US10224350B2 (en) Mask for deposition, apparatus for manufacturing display apparatus having the same, and method of manufacturing display apparatus with manufacturing display apparatus having mask for deposition
CN110875442A (zh) 掩模组件及用于制造显示设备的装置和方法
US11421314B2 (en) Mask assembly, and apparatus and method for manufacturing display apparatus using mask assembly
US20170133592A1 (en) Mask frame assembly, device for deposition including the same, and method of manufacturing display device
KR102424976B1 (ko) 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
CN107946479B (zh) 掩模组件及通过使用掩模组件制造显示装置的装置和方法
CN113078059A (zh) 用于制造显示设备的装置
US20230165122A1 (en) Mask assembly and apparatus and method of manufacturing display apparatus
US11316111B2 (en) Method for manufacturing display device using a mask frame
KR102411539B1 (ko) 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
CN110241381B (zh) 掩模组装体及掩模组装体、显示装置的制造方法
CN218115571U (zh) 掩模组件
CN117769336A (zh) 制造显示装置的设备和制造显示装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination