CN111074203A - 混合型掩模棒和采用混合型掩模棒的掩模框架组件 - Google Patents

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Abstract

提供了一种混合型掩模棒和一种采用混合型掩模棒的掩模框架组件。该掩模框架组件包括掩模框架以及掩模棒，所述掩模棒包括：第一掩模棒，在第一方向上延伸；第二掩模棒，在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个第三掩模棒，连接到第一掩模棒和第二掩模棒，所述至少一个第一掩模棒、所述至少一个第二掩模棒和所述多个第三掩模棒限定多个沉积区域，其中，第一掩模棒包括第一棒和布置在第一棒上的第二棒，并且第一棒和第二棒中的至少一个包括在其中第一掩模棒连接到第二掩模棒的局部凹陷部分。

Description

混合型掩模棒和采用混合型掩模棒的掩模框架组件
本申请要求于2018年10月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0124578号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种混合型掩模棒，更具体地，涉及一种采用该混合型掩模棒的掩模框架组件。
背景技术
通常，显示装置可用在诸如智能手机、膝上型电脑、数码相机、便携式摄像机、个人数字助理、笔记本计算机或平板个人计算机的移动设备中，或者诸如台式计算机、电视、户外广告牌、展览用显示装置、车辆仪表板或平视显示器(HUD)的电子设备中。
使用各种方法在显示装置的基底上形成薄膜。在这些方法之中，通过使用掩模将沉积材料沉积到基底上来执行沉积方法。掩模包括其中布置了多个图案孔的图案掩模，或者不需要多个图案孔的开口掩模。开口掩模包括用于沉积公共层的开口，而不是多个图案孔。
为了制造方便起见，使用大型开口掩模来同时制造各种尺寸的显示装置。在向开口掩模施加预定的拉力的同时，将开口掩模焊接到掩模框架上。
发明内容
然而，当将预定的拉力施加到包括多个掩模棒的开口掩模时，掩模棒会在多个掩模棒彼此连接的部分中变形。
一个或更多个实施例包括用于防止掩模棒的在多个掩模棒彼此连接的部分中的变形的混合型掩模棒，以及采用该混合型掩模棒的掩模框架组件。
另外的方面将在随后的详细描述中部分地被阐述，并且部分将通过所述描述而清楚，或者可以通过对所提出的实施例的实践来获知。
根据一个或更多个实施例，一种掩模框架组件包括掩模框架和掩模棒，掩模框架包括开口，掩模棒布置在掩模框架上并且包括：至少一个第一掩模棒，在第一方向上延伸；至少一个第二掩模棒，在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个第三掩模棒，连接到至少一个第一掩模棒和至少一个第二掩模棒中的每个的端部，至少一个第一掩模棒、至少一个第二掩模棒和多个第三掩模棒限定多个沉积区域，其中，至少一个第一掩模棒包括第一棒和布置在第一棒上的第二棒，并且第一棒和第二棒中的至少一个包括在其中至少一个第一掩模棒连接到至少一个第二掩模棒的局部凹陷部分。
第一棒和第二棒可以一起在第一方向上延伸并且彼此叠置。
第一棒的厚度可以比第二棒的厚度大。
局部凹陷部分可以设置在第一棒中，并且至少一个第二掩模棒可以安装在局部凹陷部分中。
局部凹陷部分的深度可以与至少一个第二掩模棒的厚度相同，并且第一棒的表面可以与安装在局部凹陷部分中的至少一个第二掩模棒的表面在同一水平面上。
至少一个第二掩模棒可以在施加拉力的同时焊接到至少一个第一掩模棒。
第二棒的宽度可以比第一棒的宽度小。
局部凹陷部分可以包括：第一局部凹陷部分，设置在第一棒中并且在第一方向上延伸；以及第二局部凹陷部分，设置在第一棒和第二棒两者中，并且在第二方向上延伸，其中，第二棒安装在第一局部凹陷部分中，并且至少一个第二掩模棒安装在第二局部凹陷部分中。
第一局部凹陷部分的深度可以与第二棒的厚度相同，第二局部凹陷部分的深度可以与至少一个第二掩模棒的厚度相同，并且第一棒的表面、第二棒的表面和至少一个第二掩模棒的表面可以在同一水平面上。
至少一个第二掩模棒可以在施加拉力的同时焊接到第二棒上。
局部凹陷部分可以包括设置在第二棒中的第一局部凹陷部分以及设置在至少一个第二掩模棒中的第二局部凹陷部分，其中，第二局部凹陷部分具有与第一局部凹陷部分对应的形状，并且第一局部凹陷部分可以与第二局部凹陷部分结合。
其中，第一局部凹陷部分连接到第二局部凹陷部分的部分的总厚度可以与第二棒的另一部分的厚度相同。
至少一个第二掩模棒可以在施加拉力的同时焊接到第一棒上，并且第二棒可以在施加拉力的同时焊接到至少一个第二掩模棒上。
至少一个第一掩模棒的两个端部可以各自连接到多个第三掩模棒中的相应一个，至少一个第二掩模棒的第一端部可以连接到至少一个第一掩模棒，并且至少一个第二掩模棒的第二端部可以连接到多个第三掩模棒中的相应一个。
多个沉积区域中的每个可以各自布置在通过彼此连接的至少一个第一掩模棒、至少一个第二掩模棒和多个第三掩模棒限定的空间中，并且在多个沉积区域之中的一个沉积区域可以对应于用于沉积在单元显示面板上图案化的相邻像素区域上的公共层的第一开口。
根据一个或更多个实施例，一种混合型掩模棒包括：至少一个第一掩模棒，在第一方向上延伸；至少一个第二掩模棒，在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个第三掩模棒，连接到至少一个第一掩模棒和至少一个第二掩模棒的相应端部，其中，至少一个第一掩模棒、至少一个第二掩模棒和多个第三掩模棒彼此连接，从而限定与多个单元显示面板中的每个对应的多个沉积区域，至少一个第一掩模棒包括第一棒和布置在第一棒上的第二棒，并且第一棒和第二棒中的至少一个包括在其中至少一个第一掩模棒连接到至少一个第二掩模棒的局部凹陷部分。
第一棒和第二棒可以一起在第一方向上延伸并且彼此叠置，并且第一棒的厚度比第二棒的厚度大。
局部凹陷部分可以设置在第一棒中，并且至少一个第二掩模棒可以安装在局部凹陷部分中。
第二棒的宽度可以比第一棒的宽度小，并且局部凹陷部分可以包括设置在第一棒中并且在第一方向上延伸的第一局部凹陷部分，以及设置在第一棒和第二棒两者中并且在第二方向上延伸的第二局部凹陷部分，其中，第二棒安装在第一局部凹陷部分中，并且至少一个第二掩模棒安装在第二局部凹陷部分中。
局部凹陷部分可以包括设置在第二棒中的第一局部凹陷部分和设置在至少一个第二掩模棒中的第二局部凹陷部分，其中，第二局部凹陷部分具有与第一局部凹陷部分对应的形状，并且第一局部凹陷部分可以与第二局部凹陷部分结合。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得清楚并且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的掩模框架组件的分解透视图；
图2是图1的掩模棒的平面图；
图3A是示出图2的切割部分A的放大的分解透视图；
图3B是图3A的掩模棒的组装透视图；
图3C是沿着图3B的线III-III截取的剖面图；
图4A是根据另一实施例的掩模棒的一部分的放大的分解透视图；
图4B是示出其中图4A的第一棒与图4A的第二棒结合的状态的分解透视图；
图4C是示出其中图4A的第二掩模棒被设置在图4A的第一掩模棒上并与图4A的第一掩模棒结合的状态的透视图；
图5A是示出根据另一实施例的掩模棒的切割部分的放大的分解透视图；
图5B是示出图5A的掩模棒的组装状态的剖面图；
图5C是示出图5A的掩模棒的组装状态的平面图；
图6是根据实施例的沉积设备的构造图；以及
图7是根据实施例的有机发光显示装置的子像素的剖面图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可具有不同的形式，并且不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，以下仅通过参考附图来描述实施例，以解释本说明书的各个方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。当诸如“……中的至少一个”的表述在一列元件(要素)之后时，修饰整列元件(要素)，而不是修饰该中的个别元件(要素)。
由于本公开允许各种改变和多种实施例，因此将在附图中示出具体实施例并将在书面描述中详细描述具体实施例。从以下结合附属的附图公开各种实施例的详细描述中，本公开的效果和特征以及实现本公开的效果和特征的方法对于本领域技术人员将变得清楚。然而，本公开可以以许多不同的形式呈现，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或板的组件被称为“在”另一组件“上”时，该组件可以直接在另一组件上，或者可以存在中间组件。此外，为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。换句话说，由于为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
在下文中，根据本公开，将参照附图详细描述混合型掩模棒和采用混合型掩模棒的掩模框架组件的实施例。附图中同样的附图标记表示同样的元件，因此将省略其描述。
图1是根据实施例的掩模框架组件100的分解透视图。图2是图1的掩模棒300的平面图。图3A是示出图2的切割部分A的放大的分解透视图。图3B是图3A的掩模棒300的组装透视图。图3C是沿着图3B的线III-III截取的剖面图。
参照图1、图2和图3A至图3C，掩模框架组件100包括掩模框架200和安装在掩模框架200上的掩模棒300。
开口201可以布置在掩模框架200中。开口201可以被包括在掩模框架200中的多个第一框架210至第四框架240围绕。多个第一框架210至第四框架240可以彼此连接。
多个第一框架210至第四框架240包括在第一方向(X方向)上彼此面对的第一框架210和第二框架220以及在第二方向(Y方向)上彼此面对的第三框架230和第四框架240。第一框架210、第二框架220、第三框架230和第四框架240可以彼此连接，从而构成矩形框架。其中安装有掩模棒300的安装部分250可以布置在多个第一框架210至第四框架240中。安装部分250可以提供在其中可以安置掩模棒300的较低的台阶。
掩模框架200可以由在焊接掩模棒300时不变形的材料(例如，具有大的刚度的金属)形成。在实施例中，掩模框架200的厚度可以为约50mm。
掩模棒300可以设置在掩模框架200上并且与掩模框架200结合。掩模棒300包括不锈钢、因瓦合金、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金、镍钴合金等。
掩模棒300包括多个掩模棒。掩模棒300包括至少一个第一掩模棒310、至少一个第二掩模棒340和多个第三掩模棒370(371、372、373和374)。掩模棒300可以是混合型掩模棒，沉积材料可以通过该混合型掩模棒同时被沉积在具有不同尺寸的多个单元显示面板上。
至少一个第一掩模棒310可以在第一方向(X方向)上延伸。第一方向(X方向)可以是至少一个第一掩模棒310的纵向方向。
至少一个第二掩模棒340可以在第二方向(Y方向)上延伸。第二方向(Y方向)可以是至少一个第二掩模棒340的纵向方向。第二方向(Y方向)可以是与第一方向(X方向)交叉的方向。可以存在至少一个第二掩模棒340。在实施例中，至少一个第二掩模棒340包括三个棒。
多个第三掩模棒370包括第一棒部分371、第二棒部分372、第三棒部分373和第四棒部分374，第一棒部分371和第二棒部分372在第一方向(X方向)上彼此面对并且在第二方向(Y方向)上延伸，第三棒部分373和第四棒部分374在第二方向(Y方向)上彼此面对并且在第一方向(X方向)上延伸。第一棒部分371、第二棒部分372、第三棒部分373和第四棒部分374可以彼此连接，从而构成矩形框架。多个第三掩模棒370可以安装在布置在多个第一框架210至第四框架240中的安装部分250上。
至少一个第一掩模棒310、至少一个第二掩模棒340和多个第三掩模棒370可以彼此连接，从而限定多个第一沉积区域至第五沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4和DA5。多个第一沉积区域至第五沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4和DA5中的每个可以布置在由彼此连接的至少一个第一掩模棒310、至少一个第二掩模棒340和多个第三掩模棒370限定的空间中。
在多个第一沉积区域至第五沉积区域DA1、DA2、DA3、DA4和DA5之中的沉积区域(例如，第一沉积区域DA1)可以与用于形成沉积在单元显示面板上图案化的相邻像素区域上的公共层(例如，有机发光二极管OLED的公共电极或在中间层中的一些层)的开口301对应。
多个第一沉积区域DA1至第五沉积区域DA5可以与具有不同尺寸的多个单元显示面板对应。例如，第一沉积区域DA1、第二沉积区域DA2和第三沉积区域DA3可以均对应于大的单元显示面板。第四沉积区域DA4和第五沉积区域DA5可以均对应于小的单元显示面板。
第一沉积区域DA1、第二沉积区域DA2和第三沉积区域DA3可以具有相同的尺寸。第四沉积区域DA4和第五沉积区域DA5可以具有相同的尺寸。沉积材料可以穿过多个第一沉积区域DA1至第五沉积区域DA5中的每个开口301，从而沉积在每个单元显示面板上。
如此，至少一个第一掩模棒310、至少一个第二掩模棒340和多个第三掩模棒370可以彼此连接，从而限定具有相同或不同尺寸的多个第一沉积区域DA1至第五沉积区域DA5。
当在第二方向(Y方向)上将预定的拉力施加到至少一个第二掩模棒340的同时，至少一个第二掩模棒340的第一端部341和第二端部343两者可以分别焊接到至少一个第一掩模棒310和多个第三掩模棒370中的至少一个。
在实施例中，至少一个第一掩模棒310可以比至少一个第二掩模棒340长。多个第二掩模棒340可以在第一方向(X方向)上彼此分隔开并且焊接到至少一个第一掩模棒310。当多个第二掩模棒340焊接到至少一个第一掩模棒310时，至少一个第一掩模棒310会因从多个第二掩模棒340传递的拉力而弯曲。当至少一个第一掩模棒310变形时，多个第一沉积区域DA1至第五沉积区域DA5的尺寸会不精确。
为了防止在其中至少一个第一掩模棒310连接到多个第二掩模棒340的区域中的至少一个第一掩模棒310和多个第二掩模棒340的变形，至少一个第一掩模棒310包括多个第一棒320和第二棒330。至少一个第一掩模棒310包括第一棒320和布置在第一棒320上的第二棒330。
第一棒320和第二棒330可以一起在第一方向(X方向)上延伸。第一棒320可以在与第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)交叉的第三方向(Z方向)上与第二棒330叠置。第三方向(Z方向)可以是至少一个第一掩模棒310的厚度(即，垂直方向)的方向。第二棒330可以与第一棒320叠置。第二棒330的宽度w2可以与第一棒320的宽度w1相同或比第一棒320的宽度w1大。
第一棒320的厚度t1可以与第二棒330的厚度t2和至少一个第二掩模棒340的厚度t3不同。具体地，第一棒320的厚度t1可以比第二棒330的厚度t2和至少一个第二掩模棒340的厚度t3大。第二棒330的厚度t2可以与至少一个第二掩模棒340的厚度t3相同。
第一棒320的厚度t1可以比第二棒330的厚度t2大数百倍或更多倍。例如，第一棒320具有厚条型形状，并且第二棒330可以具有薄片型形状。在实施例中，第一棒320的厚度t1可以为约5mm至约10mm。第二棒330的厚度t2和至少一个第二掩模棒340的厚度t3可以为约20微米至约50微米。
至少一个第二掩模棒340可以焊接到第一棒320上。当在施加拉力的同时将至少一个第二掩模棒340焊接到第一棒320上时，由于第一棒320的厚度t1相对地大于至少一个第二掩模棒340的厚度t3，因此可以防止第一棒320的变形。
第一棒320的两端部321可以插入到在第一框架210和第二框架220中的插入槽260中。第一棒320可以通过使用螺栓固紧方法、焊接方法等固定到第一框架210和第二框架220。
至少一个第二掩模棒340可以焊接到第一棒320上。第二棒330可以焊接到至少一个第二掩模棒340上。如果在至少一个第一掩模棒310与至少一个第二掩模棒340之间出现高度差，则在沉积工艺中，会在多个单元显示装置中在图2的多个第一沉积区域DA1至第五沉积区域DA5中出现阴影。为防止阴影的出现，可以在其中至少一个第一掩模棒310连接到至少一个第二掩模棒340的部分中设置局部凹陷部分360。局部凹陷部分360可以设置在第一棒320或第二棒330中。
具体地，局部凹陷部分360可以设置在第一棒320中。局部凹陷部分360可以与第一棒320的具有比第一棒320的另一部分的厚度t1小的厚度的部分对应。局部凹陷部分360可以是其中第一棒320在第三方向(Z方向)上从第一棒320的表面322凹进的区域。第三方向(Z方向)可以是垂直于第一棒320的表面322的方向。
至少一个第二掩模棒340的第一端部341可以安装到局部凹陷部分360中。局部凹陷部分360的深度d可以与至少一个第二掩模棒340的厚度t3相同。由于至少一个第二掩模棒340的第一端部341安装到局部凹陷部分360中，在第一棒320与至少一个第二掩模棒340之间不会出现高度差。即，第一棒320的表面322可以与至少一个第二掩模棒340的表面342在同一水平面上。
第一棒320可以通过执行激光焊接而连接到至少一个第二掩模棒340。具体地，当在第二方向(Y方向)上将预定的拉力施加到至少一个第二掩模棒340的同时，至少一个第二掩模棒340的第一端部341可以安装到局部凹陷部分360中。然后，从至少一个第二掩模棒340的上部通过发射激光束来执行焊接工艺。
在图3A中示出的局部凹陷部分360的长度l可以比第一棒320在第二方向(Y方向)上的宽度w1小。因此，至少一个第二掩模棒340的安装在局部凹陷部分360中的第一端部341不会延伸到第一棒320的外部边缘323。例如，至少一个第二掩模棒340的第一端部341可以布置在第一棒320的中心部分处。至少一个第二掩模棒340的第二端部343可以插入到第三框架230和第四框架240中的插入槽270中。
因为第三掩模棒370焊接到具有大的刚度的多个第一框架210至第四框架240，其中至少一个第一掩模棒310和/或至少一个第二掩模棒340连接到多个第一框架210至第四框架240的部分可以不变形。
多个第三掩模棒370的形状或结构可以根据至少一个第一掩模棒310和至少一个第二掩模棒340中的端部形状或结构而不同地变形。例如，只要与基底接触的多个第三掩模棒370的表面与至少一个第一掩模棒310的最上表面在同一水平面上，则多个第三掩模棒370的表面或结构不受限制。
在下文中，根据实施例，描述了其中第一掩模棒连接到第二掩模棒的部分的特性。如以上所描述的，因为第三掩模棒的设计可以根据其中第一掩模棒与第二掩模棒结合的结构而改变，所以这里不描述第三掩模棒，其中，第三掩模棒连接到第一掩模棒和第二掩模棒从而限定多个沉积区域。
图4A是示出根据另一实施例的掩模棒400的一部分的放大的分解透视图。图4B是示出其中图4A的第一棒420与图4A的第二棒430结合的状态的分解透视图。图4C是示出其中图4A的第二掩模棒440设置在图4A的第一掩模棒410上并且与图4A的第一掩模棒410结合的状态的透视图。
参照图4A、图4B和图4C，掩模棒400包括第一掩模棒410和第二掩模棒440。第一掩模棒410和第二掩模棒440中的每个可以连接到图2的多个第三掩模棒370，从而限定多个第一沉积区域DA1至第五沉积区域DA5。
第一掩模棒410包括第一棒420和第二棒430。第一掩模棒410包括第一棒420和布置在第一棒420上的第二棒430。第一棒420和第二棒430可以一起在第一方向(X方向)上延伸。第一棒420可以完全与第二棒430叠置。第二棒430的宽度w2可以比第一棒420的宽度w1小。第一棒420的厚度t1可以与第二棒430的厚度t2不同。具体地，第一棒420的厚度t1可以比第二棒430的厚度t2大。
当在第一方向(X方向)上将拉力施加到第一棒420的同时，第一棒420可以焊接到图1的掩模框架200。当在第一方向(X方向)上将拉力施加到第二棒430的同时，第二棒430可以焊接到第一棒420上。在实施例中，第二棒430可以在施加拉力的同时焊接到掩模框架200。
第二掩模棒440可以在施加拉力的同时焊接到第二棒430上。当第二掩模棒440在施加拉力的同时焊接到第二棒430上时，在第一棒420、第二棒430与第二掩模棒440之间会出现高度差。为了去除该高度差，第一局部凹陷部分460和第二局部凹陷部分470可以布置在其中第一棒420、第二棒430和第二掩模棒440彼此连接的部分中。
具体地，第二棒430可以布置在第一局部凹陷部分460中。第一局部凹陷部分460可以与第一棒420的具有比第一棒420的另一部分的厚度t1小的厚度的部分对应。第二棒430可以安装到第一局部凹陷部分460中。
第一局部凹陷部分460可以是其中第一棒420在第三方向(Z方向)上从第一棒420的表面422凹进的区域。第一局部凹陷部分460可以在第一掩模棒410的纵向方向上延伸(X方向)。
第一局部凹陷部分460的深度d1可以与第二棒430的厚度t2相同。由于第二棒430安装到第一局部凹陷部分460中，在第一棒420的表面422与第二棒430的表面432之间不会出现高度差。第一棒420的表面422可以与第二棒430的表面432在同一水平面上。当在第一方向(X方向)上将预定的拉力施加到第二棒430时，第二棒430可以焊接到第一棒420上。
第二掩模棒440可以安装到第一棒420和第二棒430的第二局部凹陷部分470中。具体地，在第二棒430安装到第一局部凹陷部分460中之后，可以在第一棒420和第二棒430的其中安装第二掩模棒440的部分中形成第二局部凹陷部分470。第二局部凹陷部分470可以形成在第一棒420和第二棒430两者中，各自与其中安装第二掩模棒440的端部441的部分对应。
第二局部凹陷部分470可以是其中第一棒420和第二棒430在第三方向(Z方向)上凹进的区域。第二局部凹陷部分470可以在作为第一掩模棒410的宽度的方向的第二方向(Y方向)上延伸。第二局部凹陷部分470可以与第一棒420和第二棒430的具有比第一棒420和第二棒430的其他部分的厚度小的厚度的部分对应。第一棒420和第二棒430可以凹进到相同深度。第二掩模棒440的端部441可以安装到第二局部凹陷部分470中。
第二局部凹陷部分470的深度d2可以与第二掩模棒440的厚度t3相同。由于第二掩模棒440的端部441安装到第二局部凹陷部分470中，因此在第一棒420、第二棒430与第二掩模棒440之间不会出现高度差。即，第一棒420的表面422、第二棒430的表面432和第二掩模棒440的表面442可以在同一水平面上。
当在第二方向(Y方向)上将预定的拉力施加到第二掩模棒440的同时，第二掩模棒440的端部441可以安装到第二局部凹陷部分470中。然后，从第二掩模棒440的上部通过发射激光束来执行焊接工艺。第二掩模棒440可以在施加拉力的同时焊接到第二棒430上。
图5A是示出根据另一实施例的掩模棒500的切割部分的放大的分解透视图。图5B是示出图5A的掩模棒500的组装状态的剖面图。图5C是示出图5A的掩模棒的组装状态的平面图。
参照图5A、图5B和图5C，掩模棒500包括第一掩模棒510和第二掩模棒540。第一掩模棒510包括第一棒520和布置在第一棒520上的第二棒530。第一棒520和第二棒530可以在第一方向(X方向)上延伸。第一棒520可以是连接到第二掩模棒540的棒。第二棒530可以是限定多个第一沉积区域至第五沉积区域(图2的DA1至DA5)的棒。
第一棒520可以在第三方向(Z方向)上与第二棒530叠置。第一棒520的厚度t1可以与第二棒530的厚度t2不同。例如，第一棒520的厚度t1可以比第二棒530的厚度t2大。第二棒530的厚度t2可以与第二掩模棒540的厚度t3相同。
第二掩模棒540可以焊接到具有大厚度的第一棒520。由于第一棒520的厚度t1比第二棒530的厚度t2大，所以当第二掩模棒540在施加拉力的同时焊接到第一棒520时，可以使第一棒520的变形最小化。
第二掩模棒540可以在施加拉力的同时焊接到第一棒520上，并且第二棒530可以在施加拉力的同时焊接到第二掩模棒540。当在第二棒530与第二掩模棒540之间出现高度差时，会在多个单元显示面板的多个第一沉积区域DA1至第五沉积区域DA5中出现阴影。
为了防止阴影的出现，可以在其中第二棒530连接到第二掩模棒540的部分中布置局部凹陷部分560。具体地，局部凹陷部分560包括在第二棒530上的第一局部凹陷部分561以及在第二掩模棒540上的第二局部凹陷部分562。
第一局部凹陷部分561可以布置在对应于第二棒530的其中安装第二掩模棒540的第一端部541的部分中。第一局部凹陷部分561可以与第二棒530的具有比第二棒530的另一部分的厚度t2小的厚度t4的部分对应。例如，第一局部凹陷部分561可以对应于第二棒530的在与第二棒530的面对第一棒520的下表面531垂直的第三方向(Z方向)上具有比第二棒530的另一部分的厚度t2小的厚度t4的部分。
第二局部凹陷部分562可以布置在第二掩模棒540的第一端部541处。第二局部凹陷部分562可以对应于第二掩模棒540的具有比第二掩模棒540的另一部分的厚度t3小的厚度t5的部分。例如，第二局部凹陷部分562可以对应于第二掩模棒540的在与第二掩模棒540的上表面542垂直的第三方向(Z方向)上具有比第二掩模棒540的另一部分的厚度t3小的厚度t5的部分。
第一局部凹陷部分561可以具有与第二局部凹陷部分562的形状对应的形状。第一局部凹陷部分561可以在第三方向(Z方向)上与第二局部凹陷部分562结合。第一局部凹陷部分561与第二局部凹陷部分562结合的位置处的部分的厚度t4和厚度t5的总和可以等于第二棒530的不包括第一局部凹陷部分561的另一部分的厚度t2和/或第二掩模棒540的不包括第二局部凹陷部分562的另一部分的厚度t3。由于第二棒530在布置有局部凹陷部分560的部分中连接到第二掩模棒540，因此在第二棒530与第二掩模棒540之间不会出现高度差。
基底(未示出)可以接触第二棒530的上表面532和第二掩模棒540的上表面542。限定多个第一沉积区域DA1至第五沉积区域DA5的第二棒530的宽度w2可以比连接到第二掩模棒540的第一棒520的宽度w1大。
如此，第一棒520的厚度t1可以比第二棒530的厚度t2大，并且第一棒520的宽度w1可以比第二棒530的宽度w2小。因此，即使当将第一棒520向左或右扭曲时，由于第一棒520的宽度w1比限定沉积区域的第二棒530的宽度w2小，所以可以确保第一棒520的足够的余量。因此，可以防止阴影现象。
图6是根据实施例的沉积装置600的构造图。
参照图6，真空室660布置在其中真空室660被构造为沉积有机发光显示装置的阴极或像中间层中的一些层的公共层的沉积装置600中。
沉积源670可以布置在真空室660的下部中。掩模框架组件610可以安装在沉积源670上方。掩模棒630可以安装在掩模框架620上。多个开口631可以布置在掩模棒630之间，其中，多个开口631与用于同时制造多个单元显示装置的多个沉积区域对应。用于沉积的基底640可以相对于掩模框架组件610布置在沉积源670的相对侧上的掩模棒630上。产生磁力的磁铁650可以安装在用于沉积的基底640上，使得掩模棒630粘附到用于沉积的基底640。
当从沉积源670向掩模棒630喷射沉积材料时，沉积材料经由掩模框架620的开口621前进并穿过掩模棒630中的多个开口631，从而沉积在用于沉积的基底640的表面上。
图7是根据实施例的有机发光显示装置700的子像素的剖面图。
这里，子像素包括至少一个薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED。至少一个薄膜晶体管TFT不限于图7的结构，并且其数量和结构可以不同地修改。
参照图7，基底711布置在有机发光显示装置700中。基底711包括玻璃基底、塑料基底或具有柔性的膜基底。基底711可以是透明的、半透明的或不透明的。
阻挡层712可以布置在基底711上。阻挡层712可以覆盖基底711的上表面。阻挡层712可以由无机层或有机层形成。阻挡层712可以是单层或多层。
至少一个薄膜晶体管TFT可以布置在阻挡层712上。根据本实施例，包括顶栅型TFT作为示例。然而，可以包括具有像底栅型TFT的另一结构的至少一个薄膜晶体管TFT。
半导体层713可以布置在阻挡层712上。源区714和漏区715可以通过掺杂N型或P型杂质离子形成在半导体层713中。在源区714与漏区715之间的区域可以是其中未掺杂杂质的沟道区716。
半导体层713可以是有机半导体层、无机半导体层或包括非晶硅的层。在另一实施例中，半导体层713可以是氧化物半导体层。
栅极绝缘层717可以沉积在半导体层713上。栅极绝缘层717可以由无机层形成。栅极绝缘层717可以是单层或多层。
栅电极718可以布置在栅极绝缘层717上。栅电极718包括单层或多层，单层或多层包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)等，或者包括像铝-钕(Al：Nd)合金或钼钨(Mo：W)合金的合金。
层间绝缘层719可以布置在栅电极718上。层间绝缘层719可以由包括氧化硅、氮化硅等的无机层形成。
源电极720和漏电极721可以布置在层间绝缘层719上。可以通过去除栅极绝缘层717的一部分和层间绝缘层719的一部分而形成接触孔。然后，经由接触孔，源电极720可以电连接到源区714，并且漏电极721可以电连接到漏区715。
钝化层722可以布置在源电极720和漏电极721上。钝化层722可以由无机层或有机层形成。
平坦化层723可以布置在钝化层722上。平坦化层723包括包含丙烯酰基、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等的有机层。
有机发光二极管OLED可以布置在至少一个薄膜晶体管TFT上。
有机发光二极管OLED包括第一电极725、第二电极727以及设置在第一电极725与第二电极727之间的中间层726。
第一电极725经由接触孔连接源电极720或漏电极721。第一电极725可以与像素电极对应。
第一电极725用作阳极，并且可以由各种类型的导电材料形成。第一电极725可以由透明电极或反射电极形成。
在平坦化层723上，可以布置覆盖有机发光OLED的第一电极725的边缘的像素限定层(PDL)724。像素限定层724通过围绕第一电极725的边缘限定每个子像素的发光区域。像素限定层724可以由有机层形成。像素限定层724可以具有暴露第一电极725的开口。
在第一电极725上，中间层726可以布置在通过像素限定层724暴露的区域中。中间层726可以通过执行沉积工艺而形成。
中间层726可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。
中间层726可以包括有机发射层(EML)。在另一示例中，中间层726包括有机发射层(EML)，并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种，然而，本实施例不限于此，中间层726可以包括有机发射层，并且还可以包括其他各种功能层。
在实施例中，有机发射层EML可以布置在每个子像素中。HIL、HTL、ETL和EIL用作公共层，并且可以在相邻的像素上方延伸。根据实施例，可以通过使用混合型掩模棒来沉积HIL、HTL、ETL和EIL。
第二电极727可以布置在中间层726上。第二电极727可以与共电极对应。与第一电极725类似，第二电极727可以由透明电极或反射电极形成。根据实施例，第二电极727可以通过使用混合型掩模棒来沉积。
第一电极725可以通过使用中间层726来与第二电极727绝缘。当将电压施加到第一电极725和第二电极727时，可以从中间层726发射可见光，从而显示可以被用户识别的图像。
封装层740可以布置在有机发光OLED上。
在封装层740中，多个有机层741和742以及多个无机层743至745可以交替地堆叠。在实施例中，封装层740可以具有其中多个有机层741和742构成至少一层并且多个无机层743至745构成至少两层的结构。在封装层740中，暴露于外部的最上层745可以由无机层形成以防止水分侵入到有机发光二极管OLED中。
根据实施例，在混合型掩模棒和应用混合型掩模棒的掩模框架组件中，可以防止其中多个掩模棒彼此连接的部分的变形。因此，可以精确地限定被多个掩模棒隔开的沉积区域。
本公开的效果可以从在此参照附图提供的描述以及以上提供的描述中得出。
应该理解的是，在此描述的实施例应该被认为是仅描述性的意义，而不是为了限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应当认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。
虽然已经参考附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种掩模框架组件，所述掩模框架组件包括：
掩模框架，包括开口；以及
掩模棒，布置在所述掩模框架上，并且包括：至少一个第一掩模棒，在第一方向上延伸；至少一个第二掩模棒，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个第三掩模棒，连接到所述至少一个第一掩模棒和所述至少一个第二掩模棒中的每个的端部，所述至少一个第一掩模棒、所述至少一个第二掩模棒和所述多个第三掩模棒限定多个沉积区域，
其中，所述至少一个第一掩模棒包括第一棒和布置在所述第一棒上的第二棒，并且
所述第一棒和所述第二棒中的至少一个包括在其中所述至少一个第一掩模棒连接到所述至少一个第二掩模棒的局部凹陷部分。
2.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第一棒和所述第二棒一起在所述第一方向上延伸并且彼此叠置。
3.如权利要求2所述的掩模框架组件，其中，所述第一棒的厚度比所述第二棒的厚度大。
4.如权利要求3所述的掩模框架组件，其中，所述局部凹陷部分设置在所述第一棒中，并且所述至少一个第二掩模棒安装在所述局部凹陷部分中。
5.如权利要求4所述的掩模框架组件，其中，所述局部凹陷部分的深度与所述至少一个第二掩模棒的厚度相同，并且
所述第一棒的表面与安装在所述局部凹陷部分中的所述至少一个第二掩模棒的表面位于同一水平面上。
6.如权利要求4所述的掩模框架组件，其中，所述至少一个第二掩模棒在施加拉力的同时焊接到所述至少一个第一掩模棒。
7.如权利要求3所述的掩模框架组件，其中，所述第二棒的宽度比所述第一棒的宽度小。
8.如权利要求7所述的掩模框架组件，其中，所述局部凹陷部分包括：
第一局部凹陷部分，设置在所述第一棒中并且在所述第一方向上延伸；以及
第二局部凹陷部分，设置在所述第一棒和所述第二棒两者中，并且在所述第二方向上延伸，并且
其中，所述第二棒安装在所述第一局部凹陷部分中，并且所述至少一个第二掩模棒安装在所述第二局部凹陷部分中。
9.如权利要求8所述的掩模框架组件，其中，所述第一局部凹陷部分的深度与所述第二棒的所述厚度相同，
所述第二局部凹陷部分的深度与所述至少一个第二掩模棒的厚度相同，并且
所述第一棒的表面、所述第二棒的表面和所述至少一个第二掩模棒的表面位于同一水平面上。
10.如权利要求8所述的掩模框架组件，其中，所述至少一个第二掩模棒在施加拉力的同时焊接到所述第二棒上。
11.如权利要求3所述的掩模框架组件，其中，所述局部凹陷部分包括设置在所述第二棒中的第一局部凹陷部分以及设置在所述至少一个第二掩模棒中的第二局部凹陷部分，
其中，所述第二局部凹陷部分具有与所述第一局部凹陷部分对应的形状，并且
所述第一局部凹陷部分与所述第二局部凹陷部分结合。
12.如权利要求11所述的掩模框架组件，其中，所述第一局部凹陷部分连接到所述第二局部凹陷部分的位置处的部分的总厚度与所述第二棒的另一部分的厚度相同。
13.如权利要求11所述的掩模框架组件，其中，所述至少一个第二掩模棒在施加拉力的同时焊接到所述第一棒上，并且
所述第二棒在施加拉力的同时焊接到所述至少一个第二掩模棒上。
14.如权利要求11所述的掩模框架组件，其中，所述至少一个第一掩模棒的两个端部各自连接到所述多个第三掩模棒中的相应一个，
所述至少一个第二掩模棒的第一端部连接到所述至少一个第一掩模棒，以及
所述至少一个第二掩模棒的第二端部连接到所述多个第三掩模棒中的相应一个。
15.如权利要求11所述的掩模框架组件，其中，所述多个沉积区域中的每个布置在通过彼此连接的所述至少一个第一掩模棒、所述至少一个第二掩模棒和所述多个第三掩模棒限定的空间中，并且在所述多个沉积区域之中的一个沉积区域对应于用于沉积在单元显示面板上图案化的相邻像素区域上的公共层的第一开口。
16.一种混合型掩模棒，所述混合型掩模棒包括：
至少一个第一掩模棒，在第一方向上延伸；
至少一个第二掩模棒，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及
多个第三掩模棒，连接到所述至少一个第一掩模棒和所述至少一个第二掩模棒的相应端部，
其中，所述至少一个第一掩模棒、所述至少一个第二掩模棒和所述多个第三掩模棒彼此连接，从而限定与多个单元显示面板中的每个对应的多个沉积区域，
所述至少一个第一掩模棒包括第一棒和布置在所述第一棒上的第二棒，并且
所述第一棒和所述第二棒中的至少一个包括在其中所述至少一个第一掩模棒连接到所述至少一个第二掩模棒的局部凹陷部分。
17.如权利要求16所述的混合型掩模棒，其中，所述第一棒和所述第二棒一起在所述第一方向上延伸并且彼此叠置，并且所述第一棒的厚度比所述第二棒的厚度大。
18.如权利要求17所述的混合型掩模棒，其中，所述局部凹陷部分设置在所述第一棒中，并且所述至少一个第二掩模棒安装在所述局部凹陷部分中。
19.如权利要求17所述的混合型掩模棒，其中，所述第二棒的宽度比所述第一棒的宽度小，并且
所述局部凹陷部分包括设置在所述第一棒中并且在所述第一方向上延伸的第一局部凹陷部分，以及设置在所述第一棒和所述第二棒两者中并且在所述第二方向上延伸的第二局部凹陷部分，并且
其中，所述第二棒安装在所述第一局部凹陷部分中，并且所述至少一个第二掩模棒安装在所述第二局部凹陷部分中。
20.如权利要求17所述的混合型掩模棒，其中，所述局部凹陷部分包括设置在所述第二棒中的第一局部凹陷部分和设置在所述至少一个第二掩模棒中的第二局部凹陷部分，并且
其中，所述第二局部凹陷部分具有与所述第一局部凹陷部分对应的形状，并且所述第一局部凹陷部分与所述第二局部凹陷部分结合。
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